TWI459174B - 低雜訊電壓參考電路 - Google Patents

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    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
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    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
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    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
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Description

低雜訊電壓參考電路
本發明係關於以帶隙為基礎的電壓參考電路，及特別關於具有極低雜訊之電壓參考。
參考電壓被廣泛用於電子電路中，尤其係電訊號必須與穩定於環境條件之標準訊號相比的類比電路中。對晶片上電路最不利的環境因子是溫度。基於帶隙原理之參考電壓由兩個電壓的總和組成，該兩個電壓具有對溫度的相反變化。第一電壓對應於一正向偏壓p－n接面，該接面具有每攝氏度約下降2.2 mV之互補於絕對溫度(CTAT)的變化。PTAT電壓係藉由放大兩個雙極電晶體之基極射極電壓差而產生，其中該兩個雙極電晶體操作於不同的集極電流密度。一第一階溫度不敏感電壓係藉由增加CTAT電壓到成比例於絕對溫度(PTAT)之電壓而產生，使得兩個斜度互相補償。若PTAT及CTAT極為均衡，使得就剩下如附加電路之內含物所要求進行補償之第二階曲率效應。
當此等電路提供溫度不敏感參考電壓的同時，此等電路在一定程度上受到所得參考電壓之電壓雜訊的影響。如熟習此項技術者所熟知的，參考電壓上之電壓雜訊具有兩個分量。第一分量(被稱為低帶雜訊或1/f雜訊或有時稱為閃爍雜訊)典型地具有範圍在0.1 Hz到10 Hz內的貢獻。第二分量(被稱為高帶雜訊或白雜訊)典型地具有高於10 Hz的貢獻。
基於雙極電晶體之帶隙電壓參考中不易補償的低帶雜訊之主要來源係由雙極基極電流予以產生，及為了減少該雜訊，必須減少基極電流。減少基極電流及相關1/f雜訊的一種解決方案係使用具有極高增益之雙極電晶體，其集極電流與基極電流之比率通常稱為"貝塔"因子。從成本或效率的角度來看，使用"貝塔"因子典型地達到一百階之常規製程來設計電路總是較佳的。此等貝塔因子典型地不足以補償低帶雜訊。
高帶雜訊係由集極電流產生的，使得集極電流越高，高帶雜訊越低。為了減少高帶雜訊，必須增加集極(及基極)電流。結果最小化低帶雜訊及高帶雜訊所要求之操作條件彼此相反。這致使難以取得能同時最小化該兩個雜訊貢獻的電路。
因此產生低雜訊貢獻之電壓參考存在許多相關問題。
根據本發明之教學，藉由提供具有減少雜訊貢獻之帶隙參考輸出的電路討論了該等及其他問題。使用本發明之教學，可能最小化參考電壓輸出上之低帶及高帶雜訊影響的其中一者或兩者。藉由提供一種電壓參考電路來實現該教學，其中該電壓參考電路包括一放大器，該放大器之輸入被耦合到一高阻抗輸入，該高阻抗輸入係由一第一組雙極電晶體來提供，該等電晶體共同貢獻於帶隙參考之形成並且亦用於該放大器之前置放大器級。
本發明提供一種具有極低1/f雜訊及/或極低高帶雜訊之 改良電壓參考。為了減少1/f電壓雜訊，充當前置放大器之兩個雙極電晶體被具有較大射極面積的兩個類似電晶體予以分流，因此使得來自該前置放大器之該兩個雙極電晶體的集極及基極電流被減少。為了減少來自電壓參考之高帶雜訊，一電容器係自該前置放大器之高阻抗共同集極節點連接至接地。
現在將引用多項例示性實施例來描述本發明之該等及其他特徵，該等實施例對於理解本發明之教學係有用的，但除了根據附加申請專利範圍認為必要的之外，意非對本發明作任何形式上的限制。
如圖1所示，根據本發明之教學，一帶隙電壓參考電路100包括第一放大器105，其具有第一輸入110及第二輸入115並且在其輸出120處提供一電壓參考。第一對電晶體125及第二對電晶體130分別耦合到該第一輸入及該第二輸入。
第一對電晶體125包括兩個pnp雙極電晶體；電路的第一雙極電晶體QP1及第二雙極電晶體QP2。該第一及第二電晶體之每一者的基極被耦合在一起，另外第一電晶體經由其集極節點被耦合到放大器輸入及經由一電阻器R5耦合到放大器輸出120。第二電晶體被提供為基極與射極被共同地耦合的二極體組態。耦合到第二輸入115之第二對電晶體130包括兩個pnp電晶體；電路的第三電晶體QN1及第四電晶體QN2以及一負載電阻器R1。第四電晶體QN2也被提 供為二極體組態，該負載電阻器R1將QN2之經共同耦合之基極集極耦合到QP2之經共同耦合之基極集極。QN1及QN2之經共同耦合之射極經由一電阻器R2被耦合至接地。
QN1之基極被耦合到QP1與QP2的經共同耦合之基極以及耦合到該放大器的第二輸入，從而耦合第一與第二對電晶體並且為所有三個電晶體提供一基極電流，在使用中，放大器將第一電晶體之基極與集極保持在相同電位。
QN2及QP1之射極面積被按比例調整為比QN1及QP2之射極面積大"n"倍。此按比例調整之結果是，跨R1及R5分別形成兩個基極射極電壓差。此兩個電壓為成比例於絕對溫度(PTAT)電壓之形式。來自兩個分支(R5，QP1，QN1及QP2，R1，QN2)的電流為PTAT電流，並且該等電流被組合用以產生跨R2的PTAT電壓。當此電壓之溫度斜度藉由QN1加上QP2之基極射極電壓的溫度斜度被補償時，產生一第一階溫度不敏感電壓。
應瞭解，該電路具有一固有基極電流補償，因為當QP1之基極電流與QN1之基極電流均衡時QP1之基極電流被用作QN1之基極電流，使得歸因於基極電流之誤差被最小化。其次，QP1及QN1充當前置放大器使得放寬了對該放大器A的操作要求。第三，由於該放大器在前置放大器級之後被連接，其偏移電壓及雜訊對參考電壓的影響很小。應注意，該放大器之非反相輸入為一高阻抗輸入。圖1中電阻器R5的主要作用是減少參考電壓上QN1及QP1的雜訊貢獻。圖1之電路能用於產生低雜訊電壓參考，尤其是對 於高精度之數位轉類比轉換器及類比轉數位轉換器。
應瞭解，此前描述為形成帶隙單元的多個組件在提供低雜訊輸出的同時，在電壓參考輸出仍具有低帶及高帶雜訊貢獻。根據本發明之教學，藉由利用附加電路組件能使該等影響不依賴於彼此就被最小化。
首先解決高帶雜訊，本發明之教導提供了一電容器C1，其耦合到QP1及QN1之經共同耦合之集極。如上所述，該兩個電晶體有效地形成放大器A的前置放大器，及電容器C1提供於該前置放大器與該放大器輸入之間的節點處。提供於該放大器之輸入處的此類電容器可作為外部電容器來提供以及用於過濾高帶雜訊。歸因於C1以及QP1及QN1之輸出阻抗的截止頻率為： 此處r01 及r02 為QP1及QN1的輸出電阻器。熟習此項技術者應瞭解，寬帶雜訊之下限典型地為10Hz階。在該等位準下，並且當提供2 MΩ階之乘積時使用r01 及r02 之電阻器典型值，能估計出要提供必需的截止頻率就要求有一個8nF階的電容器。為了在矽中實施此種電容器可能要求提供該電容器作為一晶片外元件。然而，若其能容忍超出約800Hz的截止頻率，則使用100－100 pF階的電容器也符合要求。使用一矽子基板能此將等電容器提供於晶片上。藉由接至該放大器的一高阻抗輸入(非反相輸入)，可在此輸入處提供該電容器。這點是有利的，因為在輸出處提供電容器能引入與放大器效能相關的穩定性問題。如本發明之 教學所提供的，在輸入處之電容器不會遇到該等問題。
儘管提供電容器用於處理高帶雜訊，電路仍可能要被修改以處理1/f或低帶雜訊。為了減少1/f電壓雜訊，圖1中充當前置放大器之兩個雙極電晶體QP1、QN1係藉由具有較大射極面積的兩個類似電晶體予以分流，因此使得據此減少來自該前置放大器之該兩個雙極電晶體的集極及基極電流。
根據此說明性實施例，該分流電路包括兩個npn電晶體QN7、QN6及一個pnp電晶體QP6。該等雙極電晶體之射極面積理想地選擇為：QN1，單位(unity)射極面積；QN2，單位射極面積的n1倍；QP2單位射極面積；QP1，單位射極面積的n2倍；QP6，單位射極面積的n3倍；QN6，單位射極面積的n4倍；QN7，單位射極面積的n5倍。QP6、QN6及QN7之作用係減少QP1及QN1的集極與基極電流以及由此減少低帶雜訊。
穿過R1之電流(也係QP2及QN2之射極電流)起源於QN1及QN2的基極射極電壓差。穿過R1之電流是QP1之射極電流、QP6之射極電流以及QN7之集極電流的和。假設對於所有雙極電晶體，與對應射極及集極電流相比較，基極電流可忽略不計。
每一雙極電晶體的基極射極電壓Vbe由下式(2)給出： 此處： －K為波爾茲曼(boltzman)常數；－T為實際絕對溫度[K]；－q為電子電荷；－Ic為集極電流；－Is飽和電流，成比例於射極面積。
歸因於不同集極電流及不同射極面積之QN1與QN2的基極射極電壓差係跨R1予以反映： 類似地QP1與QP2的基極射極電壓差係跨R5予以反映： 從(3)及(4)得出： 從(5)可看出，對於特定溫度，跨R1及R2電壓降之和為常數。若給定R1及R2，隨著一個電流增加，另一個電流降低。
對於與QP1及QN1相比具有較大組合面積的QP6及QN6，電流I4被轉移而離開QP1及QN1之射極及集極。結果減少了QP1、QN1之集極及基極電流且歸因於該等電晶體之閃爍雜訊也因此被減少。
QP1之射極與QN1之射極的電壓差為： 從(6)得出： QN7之集極電流Ic(QN7)為： 電流I3 及I4 為：
在圖1電路中有四個主要閃爍雜訊源，QP1、QN1、QP2及QN2。對於一給定供應電流(如根據(5)互相作用之兩個電流I1 及I2 )，較佳的權衡是藉由適當調整電阻器比率R1/R5以及面積比率n1 比n5 來減少電流I2 ，直到該四個雜訊源被均衡而產生最小閃爍雜訊。
藉由將一濾波器及一電流分流器併入到帶隙電壓參考單元中可減少低及高帶雜訊。說明性地(但應理解為例示性)，改良之意義在於使用根據本發明之教學的一種電路可能產生比無此濾波器或分流器之電路小三倍的閃爍雜訊及約小五倍的寬帶雜訊。
當電容器C1的使用可不依賴於分流電路及類似地分流電路的使用可不依賴於所提供之電容器的同時，使用這兩者能同時減少高及低帶雜訊。類似地，可在一或多個組件中提供電容器C1。此外在包括分流電路的情況下，由於穿過QP1及QN1的電流幾乎完全被減少，故在該放大器之非反相節點有一較大輸出阻抗。結果，藉由組合分流電路與電 容器取得了比隔離使用電容器更為有效之高帶雜訊減少量。
儘管圖1之電路因為提供了具有減少之雜訊貢獻的一第一階溫度不敏感帶隙參考電路而具優勢，但可修改該電路以便包括第二階曲率效應之減少量。一種適當的修改實例在圖2中示出，其包括了三個pnp雙極電晶體QP3、QP4、QP5；三個npn雙極電晶體QN3、QN4、QN5及兩個電阻器R3及R4。在某些實施例中，該等電路組件之內含物提供了固有TlogT電壓曲率的補償，其中該曲率出現在產生自帶隙單元的電壓參考中。為了實現這點，必須提供與所產生之固有TlogT訊號之正負號相反的一TlogT訊號。這種配置藉由提供一互補於絕對溫度之電流以及結合一第三電阻器R3來產生此TlogT訊號。該CTAT電流可在外部產生或如圖2所示，其可藉由提供串聯於放大器之輸出及電阻器R4之間的一電晶體QP4以便經由雙極電晶體QP5產生及鏡射該CTAT電流來提供。產生的CTAT電流則經由一個二極體組態之電晶體QN5鏡射到另一npn電晶體QN4，以及QN4之集極上反映的CTAT電流經由兩個雙極電晶體被從參考節點Vref拉下，此兩個雙極電晶體為具有與QP2類似基極/射極電壓之QP3及具有與QN1類似基極/射極電壓之QN3。電阻器R3被提供於QN4之經共同耦合之集極/QN3之射極與QN1之射極之間。結果跨R3形成了一TlogT形式的電壓曲率。藉由適當按比例調整R3到R2之比率電壓曲率被減少到零。
此額外電路具有補償稱為"曲率"誤差之剩餘誤差以及使參考電壓偏移至一期望值的作用。放大器A藉由將QP1及QN1之基極集極間電壓保持在幾乎完全為零的位準上來強制節點REF之參考電壓。兩個相反正負號TlogT電壓之組合在該放大器之輸出處提供了第二階特性校正之電壓參考。對第二階電壓參考之參考反映了曲率組件為一第二階效應之事實。
類似地，應瞭解本發明提供了一種帶隙電壓參考電路，其利用了一具有反相與非反相輸入的放大器並在其輸出處提供電壓參考。提供了第一及第二對電晶體，每對被耦合到該放大器之經定義輸入。藉由提供NPN及PNP雙極電晶體將該兩個電晶體之基極耦合在一起可連接該兩對電晶體。這提供了複數項優勢，包括該等電晶體可提供均等於第一級放大器之放大功能。藉由提供"第二"放大器可減少實際放大器之架構的複雜性，並且亦減少在放大器之輸入引入的誤差。此外，前置放大器或第一級放大器之提供對該放大器提供一高阻抗輸入，其可能結合耦合於該輸入與接地之間的電容器來使用，以便過濾高帶雜訊。藉由併入轉移反饋迴路之一些電流的分流電路，可減少形成帶隙單元之多個電晶體的集極射極電流且因此減少其基極電流，從而減少否則可能固有存在的1/f雜訊。該分流電路用於轉移第一電晶體之一些射極電流；藉由降低射極/集極電流可驅使降低該雙極電晶體之基極電流，其中如上所述該基極電流為1/f雜訊之一主要來源。
應瞭解，本發明以特定PNP及NPN組態之雙極電晶體來進行描述，但該等描述是本發明的多項例示性實施例，並不希望本發明之應用被限制於所說明的任何組態。應瞭解在無違本發明之精神及範疇下，在多項替代實施例中可考慮或達成組態上的許多修改與變化。特定組件、特徵及值被用於詳細描述該電路，但除了根據附加申請專利範圍認為必要的之外，意非對本發明作任何形式上的限制。進一步應瞭解上文所述電路之一些組件係關於其常規訊號，且比如放大器的內在架構及功能描述已被省略。此類功能性將為熟習此項技術者所熟知且要求附加細節之處可從許多標準課本之任意一本中找到。
類似地，說明書中使用的詞語"包含"係用於指明出現的確定特徵、整數、步驟或者組件，但不排除出現或附加的一個或多個附加特徵、整數、步驟、組件或其群組。
100‧‧‧帶隙電壓參考電路
105‧‧‧第一放大器
110‧‧‧放大器之第一輸入
115‧‧‧放大器之第二輸入
120‧‧‧放大器之輸出
125‧‧‧第一對電晶體
130‧‧‧第二對電晶體
C1‧‧‧電容器
QN1－QN7‧‧‧npn雙極電晶體
QP1－QP6‧‧‧pnp雙極電晶體
R1－R5‧‧‧電阻器
圖1為根據本發明之教學的帶隙電壓參考的一項實施例。
圖2為再次根據本發明之教學，圖1之電路包括一曲率校正組件的修改。
100‧‧‧帶隙電壓參考電路
105‧‧‧第一放大器
110‧‧‧放大器之第一輸入
115‧‧‧放大器之第二輸入
120‧‧‧放大器之輸出
125‧‧‧第一對電晶體
130‧‧‧第二對電晶體
C1‧‧‧電容器
QN1，QN2，QN6，QN7‧‧‧npn雙極電晶體
QP1，QP2，QP6‧‧‧pnp雙極電晶體
R1，R2，R5‧‧‧電阻器

Claims (32)

  1. 一種帶隙參考電路，其包括一具有一反相輸入與一非反相輸入的放大器並在該放大器之輸出處提供一電壓參考，該電路包括：a.一第一對電晶體，該第一對電晶體包括該電路的一第一及第二電晶體，該第一電晶體耦合到該放大器的該非反相輸入，該第一及第二電晶體之基極經共同地耦合，另外該第一電晶體經由一反饋電阻器耦合到該放大器輸出，該第二電晶體經提供為一種二極體組態，b.一第二對電晶體，該第二對電晶體包括該電路的一第三及第四電晶體，該第三電晶體耦合到該放大器的該反相輸入，該第三及第四電晶體之射極經由一參考電阻器經耦合到接地，該第四電晶體經提供為一種二極體組態且經由一耦合電阻器耦合到該第二電晶體；且其中該第三電晶體之基極耦合到經共同耦合之該第一及第二電晶體，該第三電晶體之集極耦合到該第一電晶體之集極，使得該第一及第三電晶體形成到該放大器的一前置放大器；並且進一步其中該第一及第四電晶體之射極面積係按比例調整為大於該第二及第三電晶體之射極面積，使得分別跨該耦合電阻及該反饋電阻形成兩個基極射極電壓差，其為成比例於絕對溫度(PTAT)電壓之形式，所得之PTAT電流產生跨該參考電阻器的一PTAT電 壓，該PTAT電壓與組合之該第二及第三電晶體之基極射極電壓相結合反映在該放大器之輸出處作為一第一階溫度不敏感電壓；並且進一步其中該電路包括一濾波器，該濾波器提供於該非反相輸入與接地之間，用於最小化對該溫度不敏感電壓的高帶雜訊貢獻，該電路進一步包括：一電流分流器，其用於分流該反饋電流之至少一部分以離開該第一電晶體，以減少該第一及第三電晶體之集極與基極電流，從而減少對該溫度不敏感電壓的若干低帶雜訊貢獻。
  2. 如請求項1之電路，其中該電流分流器經組態用以減少該第一及第三電晶體之集極電流，並且導致該第一及第三電晶體之基極電流減少。
  3. 如請求項2之電路，其中該電流分流器包括兩個npn電晶體及一個pnp電晶體，該pnp電晶體形成該電路的一第五電晶體，該兩個npn電晶體形成該電路的第六及第七電晶體。
  4. 如請求項3之電路，其中該等電晶體之射極面積經選擇為使得：該第二及第三電晶體具有一第一射極面積n，該第四電晶體具有一第二射極面積n1，該第一電晶體具有一第三射極面積n2，該第五電晶體具有一第四射極面積n3，該第六電晶體具有一第五射極面積n4及該第七電晶體具有一第六射極面積n5，按比例調整該等射極面積致使n5>n4>n3>n2>n1>n。
  5. 如請求項1之電路，其中該濾波器包括一電容器。
  6. 如請求項5之電路，其中該電容器具有一小於1000 pF之值。
  7. 如請求項6之電路，其中該電容器具有一小於200 pF之值。
  8. 如請求項6之電路，其中該電容器具有一約100 pF之值。
  9. 如請求項1之電路，進一步包括一曲率校正組件。
  10. 如請求項9之電路，其中該曲率校正組件經組態用以提供與該第一階溫度不敏感電壓輸出之正負號相反的一TlogT類型校正電壓，該校正電壓結合該第一階溫度不敏感電壓提供一經曲率校正電壓參考。
  11. 一種帶隙參考電路，其包括一具有一反相輸入與一非反相輸入的放大器並在該放大器之輸出處提供一電壓參考，該電路包括：a.屬於一第一型之一第一對電晶體，該第一對電晶體包括該電路的一第一及第二電晶體，該第一電晶體耦合到該放大器的該非反相輸入，該第一及第二電晶體之基極經共同地耦合，另外該第一電晶體經由一反饋電阻器耦合到該放大器輸出，該第二電晶體經提供為一種二極體組態，b.屬於一第二型之一第二對電晶體，該第二對電晶體包括該電路的一第三及第四電晶體，該第三電晶體耦合到該放大器的該反相輸入，該第三及第四電晶體之射極經由一參考電阻器經耦合到接地，該第四 電晶體經提供為一種二極體組態且經由一耦合電阻器耦合到該第二電晶體；且其中該第三電晶體之基極耦合到經共同耦合之該第一及第二電晶體，該第三電晶體之集極耦合到該第一電晶體之集極，使得該第一及第三電晶體形成到該放大器的一前置放大器；並且進一步其中該第一及第四電晶體之射極面積係按比例調整為大於該第二及第三電晶體之射極面積，使得分別跨該耦合電阻及該反饋電阻形成兩個基極射極電壓差，其為成比例於絕對溫度(PTAT)電壓之形式，所得之PTAT電流產生跨該參考電阻器的一PTAT電壓，該PTAT電壓與組合之該第二及第三電晶體之基極射極電壓相結合而反映在該放大器之輸出處作為一第一階溫度不敏感電壓；並且進一步其中該電路包括一電流分流器，該電流分流器經組態以分流該反饋電流之至少一部分以離開該第一電晶體，以減少該第一及第三電晶體之集極與基極電流，從而減少對該溫度不敏感電壓的低帶雜訊貢獻。
  12. 如請求項11之電路，其中該電流分流器經組態用以減少該第一及第三電晶體之集極電流，並且導致該第一及第三電晶體之基極電流減少。
  13. 如請求項12之電路，其中該電流分流器包括兩個npn電晶體及一個pnp電晶體，該pnp電晶體形成該電路的一第五電晶體，該兩個npn電晶體形成該電路的第六及第七電晶體。
  14. 如請求項13之電路，其中該等電晶體之射極面積經選擇為使得：該第二及第三電晶體具有一第一射極面積n，該第四電晶體具有一第二射極面積n1，該第一電晶體具有一第三射極面積n2，該第五電晶體具有一第四射極面積n3，該第六電晶體具有一第五射極面積n4及該第七電晶體具有一第六射極面積n5，按比例調整該等射極面積致使n5>n4>n3>n2>n1>n。
  15. 如請求項11之電路，進一步包括一濾波器，該濾波器提供於該非反相輸入與接地之間，以最小化對該溫度不敏感電壓的高帶雜訊貢獻。
  16. 如請求項15之電路，其中該濾波器包括一電容器。
  17. 如請求項16之電路，其中該電容器具有一小於1000 pF之值。
  18. 如請求項16之電路，其中該電容器具有一小於200 pF之值。
  19. 如請求項18之電路，其中該電容器具有一約100 pF之值。
  20. 如請求項11之電路，進一步包括一曲率校正組件。
  21. 如請求項20之電路，其中該曲率校正組件經組態用以提供與該第一階溫度不敏感電壓輸出之正負號相反的一TlogT類型校正電壓，該校正電壓結合該第一階溫度不敏感電壓提供一經曲率校正電壓參考。
  22. 一種帶隙參考電路，其包括一具有一反相輸入與一非反相輸入的放大器並在該放大器之輸出處提供一電壓參 考，該電路包括：a.一第一對pnp電晶體，該第一對電晶體包括該電路的一第一及第二電晶體，該第一電晶體耦合到該放大器的該非反相輸入，該第一及第二電晶體之基極經共同地耦合，另外該第一電晶體經由一反饋電阻器耦合到該放大器輸出，該第二電晶體經提供為一種二極體組態，b.一第二對npn電晶體，該第二對電晶體包括電路的一第三及第四電晶體，該第三電晶體耦合到該放大器的該反相輸入，該第三及第四電晶體之射極經由一參考電阻器經耦合到接地，該第四電晶體經由一參考電阻器耦合到接地，該第四電晶體經提供為一種二極體組態且經由一耦合電阻器耦合到該第二電晶體；且其中該第三電晶體之基極耦合到經共同耦合之該第一及第二電晶體，該第三電晶體之集極耦合到該第一電晶體之集極，使得該第一及第三電晶體形成到該放大器的一前置放大器；並且進一步其中該第一及第四電晶體之射極面積係按比例調整為大於該第二及第三電晶體之射極面積，使得分別跨該耦合電阻及該反饋電阻間形成兩個基極射極電壓差，其為成比例於絕對溫度(PTAT)電壓之形式，所得之PTAT電流產生跨該參考電阻器的一PTAT電壓，該PTAT電壓與組合之該第二及第三電晶體之基極射極電壓相結合而反映在該放大器之輸出處作為一第一 階溫度不敏感電壓；並且進一步其中該電路進一步包括：一濾波器，該濾波器提供於該非反相輸入與接地之間，以最小化該溫度不敏感電壓的高帶雜訊貢獻，及一電流分流器，該電流分流器經組態以分流該反饋電流之至少一部分以離開該第一電晶體，以減少該第一及第三電晶體之集極與基極電流，從而減少對該溫度不敏感電壓的低帶雜訊貢獻。
  23. 如請求項22之電路，其中該電流分流器經組態用以減少該第一及第三電晶體之集極電流，並且導致該第一及第三電晶體之基極電流減少。
  24. 如請求項23之電路，其中該電流分流器包括兩個npn電晶體及一個pnp電晶體，該pnp電晶體形成該電路的一第五電晶體，該兩個npn電晶體形成該電路的第六及第七電晶體。
  25. 如請求項24之電路，其中該等電晶體之射極面積經選擇為使得：該第二及第三電晶體具有一第一射極面積n，該第四電晶體具有一第二射極面積n1，該第一電晶體具有一第三射極面積n2，該第五電晶體具有一第四射極面積n3，該第六電晶體具有一第五射極面積n4及該第七電晶體具有一第六射極面積n5，按比例調整該等射極面積致使n5>n4>n3>n2>n1>n。
  26. 如請求項22之電路，其中該濾波器包括一電容器，該電容器具有一小於1000 pF之值。
  27. 如請求項22之電路，其中該電容器具有一小於200 pF之值。
  28. 如請求項27之電路，其中該電容器具有一約100 pF之值。
  29. 如請求項22之電路，進一步包括一曲率校正組件。
  30. 如請求項29之電路，其中該曲率校正組件經組態用以提供與該第一階溫度不敏感電壓輸出之正負號相反的一TlogT類型校正電壓，該校正電壓結合該第一階溫度不敏感電壓提供一經曲率校正電壓參考。
  31. 如請求項22之電路，其中該電容器提供於晶片上。
  32. 一種電壓參考電路，其包括：具有一第一及一第二輸入與一輸出的一放大器，一第一與一第二npn電晶體各自與該放大器的該第一及該第二輸入相關，該第一npn電晶體的基極被耦合至該放大器的該第二輸入，且該第一npn電晶體的集極被耦合至該放大器的該第一輸入，以使該放大器將該第一電晶體之該基極與該集極保持在相同電位，該第二npn電晶體係於一二極體組態中被提供，且其中該第一及第二電晶體經調適以操作於不同的電流密度，使得在該第一及該第二npn電晶體間的一基極射極電壓差可通過耦合至該第二npn電晶體的一電阻負載而被產生，該基極射極電壓差為一PTAT電壓，一第一及一第二pnp電晶體，該第一pnp電晶體在該放大器的該輸出及該放大器的該第一輸入間的反饋組態中 被提供，該第二pnp電晶體係於經由耦合至該第二npn電晶體且亦耦合至該放大器的該第二輸入之該電阻負載而使基極及集極被共同耦合的一二極體組態被提供，該放大器的該第一輸入之該集極，該第一pnp電晶體及該第一npn電晶體的配置提供在該放大器提供的放大之前的一預先放大，且一電流分流器經組態以分流該反饋電流之至少一部分以離開該第一電晶體，以減少該第一pnp電晶體及該第一npn電晶體之集極與基極電流。
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