TWI457171B - 晶圓無電電鍍用之流體處理系統及相關方法 - Google Patents

晶圓無電電鍍用之流體處理系統及相關方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI457171B
TWI457171B TW97113603A TW97113603A TWI457171B TW I457171 B TWI457171 B TW I457171B TW 97113603 A TW97113603 A TW 97113603A TW 97113603 A TW97113603 A TW 97113603A TW I457171 B TWI457171 B TW I457171B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
fluid
electroless plating
wafer
chamber
chemical
Prior art date
Application number
TW97113603A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200906479A (en
Inventor
William Thie
John M Boyd
Fritz C Redeker
Yezdi Dordi
John Parks
Tiruchirapalli Arunagiri
Aleksander Owczarz
Todd Balisky
Clint Thomas
Jacob Wylie
Alan M Schoepp
Original Assignee
Lam Res Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lam Res Corp filed Critical Lam Res Corp
Publication of TW200906479A publication Critical patent/TW200906479A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI457171B publication Critical patent/TWI457171B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1619—Apparatus for electroless plating
    • C23C18/1628—Specific elements or parts of the apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/8593—Systems
    • Y10T137/87571—Multiple inlet with single outlet
    • Y10T137/87652—With means to promote mixing or combining of plural fluids

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

晶圓無電電鍍用之流體處理系統及相關方法 【相關專利及申請案之參照】
本申請案係關於美國專利申請案第11/735,984號，其申請日與本申請案相同，且其名稱為「Wafer Electroless Plating System and Associated Methods」；以及關於美國專利申請案第11/735,987號，其申請日與本申請案相同，且其名稱為「Method and Apparatus for Wafer Electroless Plating」；以及關於美國專利申請案第11/639,752號，其申請日為2006年12月15日，且其名稱為「Controlled Ambient System for Interface Engineering」；以及關於美國專利第7,045,018號，其名稱為「Substrate Brush Scrubbing and Proximity Cleaning－Drying Sequence Using Compatible Chemistries,and Method,Apparstus,and System for Implementing the Same」；以及關於美國專利申請案第11/016,381號，其申請日為2004年12月16日，且其名稱為「System Method and Apparatus for Dry－in,Dry－out Low Defect Laser Dicing Using Proximity Technology」；以及關於美國專利申請案第10/882,716號，其申請日為2004年6月30日，且其名稱為「Proximity Substrate Preparation Sequence,and Method,Apparatus,and System for Implementing the Same」；以及關於美國專利申請案第11/382,906號，其申請日為2006年5月11日，且其名稱為「Plating Solution for Electroless Deposition of Copper」；以及關於美國專利申請案第11/427,266號，其申請日為2006年6月28日，且其名稱為「Plating Solutions for Electroless Deposition of Copper」；以及關於美國專利申請案第11/639,012號，其申請日為2006年12月13日，且其名稱為「Self Assembled Monolayer for Improving Adhesion Between Copper and Tantalum」；以及關於美國專利申請案第11/591,310號，其申請日為2006年10月31日，且其名稱為「Methods of Fabricating a Barrier Layer with Varying Composition for Copper Metallization」；以及關於美國專利申請案第11/552,794號，其申請日為2006年10 月25日，且其名稱為「Apparatus and Method for Substrate Electroless Plating」；以及關於美國專利第7,153,400號，其名稱為「Apparatus and Method for Depositing and Planarizing Thin Films of Semiconductor Wafers」；以及關於美國專利申請案第11/539,155號，其申請日為2006年10月5日，且其名稱為「Electroless Plating Method and Apparatus」；以及關於美國專利申請案第11/611,758號，其申請日為2006年12月15日，且其名稱為「Method for Gap Fill in Controlled Ambient System」。前文所列的每一個相關專利及申請案之內容以參考文獻的方式合併於此。
本發明係關於半導體處理，具體而言，係關於在半導體晶圓上實施無電電鍍用之流體處理系統及相關方法。
在製造半導體元件(例如積體電路、記憶胞、及其類似物)的過程中，實施一連串的製造操作，以在半導體晶圓(晶圓)上定義特徵部。晶圓包括定義在矽基板上的積體電路元件，其具有多層結構之形式。在基板層，具有擴散區的電晶體元件形成。在之後的層，使內連線金屬線圖案化且電連接到電晶體元件，以定義期望的積體電路元件。並利用介電材料，使已圖案化的導電層與其它導電層絕緣。
為了製造積體電路，首先在晶圓表面上形成電晶體。然後經由一連串製造處理步驟加入金屬線和絕緣結構，成為多重薄膜層。一般來說，在已形成的電晶體之上沉積第一層介電(絕緣)材料。於此底層之上形成隨後的金屬層(例如銅、鋁等等)、蝕刻金屬層以形成傳送電力的導線、然後以介電材料填滿以在導線之間形成必要的絕緣體。
雖然典型的銅線係由PVD晶種層(PVD Cu)及隨後的電鍍 層(ECP Cu)所組成，但無電化學品被考慮用來作為PVD Cu的取代物、甚至作為ECP Cu的取代物。可能用來改善內連線可靠度和效能的技術有無電銅(Cu)和無電鈷(Co)。無電Cu可用來在保角(conformal)阻障層上形成薄的保角晶種層，以最佳化填充處理並減少空隙生成。此外，在已平坦化的Cu線上沉積選擇性Co覆蓋層(capping layer)可改善介電阻障層與Cu線間的附著性，並且抑制空隙的生成以及在銅/介電阻障層介面的擴散。
在無電電鍍處理期間，電子在溶液中由還原劑轉移到Cu(或Co)離子，使得還原Cu(或Co)沉積在晶圓表面上。最佳化無電銅電鍍溶液的配方，可因而最大化溶液中Cu(或Co)離子的電子轉移過程。無電電鍍處理後的電鍍厚度，取決於無電電鍍溶液在晶圓上的滯留時間。因為當晶圓一接觸到無電電鍍溶液時，無電電鍍反應就會立即且持續地進行，因此希望在受控的方式及條件下實施無電電鍍處理。為達成此目的，需要有改良的無電電鍍設備。
在一實施例中，揭露半導體晶圓無電電鍍腔室用之流體處理模組。該流體處理模組包括供應管線、混合歧管、以及化學品流體處理系統。第一供應管線係連接以供應無電電鍍溶液到位於腔室內的流體槽。混合歧管包括連接到第一供應管線的流體輸出。混合歧管也包括數個流體輸入部，以個別地接收數個化學品。混合歧管用來混合數個化學品以形成無電電鍍溶液。化學品流體處理系統以一種受控的方式，供應數個化學品到混合歧管的數個流體輸入部。
在另一實施例中，揭露半導體晶圓無電電鍍處理用之流體處理系統。流體處理系統包括數個流體再循環迴路。每一個流體再循環迴路用來預先處理無電電鍍溶液的化學成分。每一個流體再循環迴路也用來控制化學成分的供應，該化學成份係用來形成無 電電鍍溶液。流體處理系統也包括混合歧管，用來從每一個流體再循環迴路接收化學成分，並且將接收到的該些化學成分加以混合，以形成無電電鍍溶液。混合歧管進一步用來供應將被配置在晶圓上的無電電鍍溶液。
在另一實施例中，揭露半導體晶圓無電電鍍處理用之流體處理系統的操作方法。該方法包括在個別且預先處理的狀態中，使無電電鍍溶液的數個化學成分其中每一個進行再循環。將該些化學成分混合以形成無電電鍍溶液。化學成分的混合係於下游進行，且與化學成分的再循環是分開的。該方法也包括使無電電鍍溶液流到數個位於無電電鍍腔室內的分配位置之操作。進行混合的位置，係使得無電電鍍溶液流到數個分配位置的距離能夠最小化。
經由下文中所述的實施方式，並結合伴隨的圖示，可例示性地說明本發明，將更容易了解本發明之其它觀點和優點。
在接下來的描述中，會提出許多特定細節以提供對於本發明的徹底了解。然而熟悉此項技藝者應當理解：本發明可以在缺少某些或全部的該些特定細節之狀況下加以實施。在其它例子中，並未詳細地描述熟知的處理操作，以避免不必要地模糊了本發明。
圖1係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示乾進/乾出無電電鍍腔室100(此後稱為腔室100)的等角視圖。腔室100用來接收處於乾燥狀態的晶圓、在晶圓上實施無電電鍍處理、在晶圓上實施沖洗處理、在晶圓上實施乾燥處理、並提供處於乾燥狀態的已處理晶圓。腔室100基本上能夠實施任何類型的無電電鍍處理。例如，腔室100能夠在晶圓上實施無電Cu或Co電鍍處理。另外，腔室100被整合在模組化晶圓處理系統之內。例如，在一實施例中，腔室100與受管理大氣傳送模組(managed atmospheric transfer module,MTM)相連接。有關於MTM的額外資訊，可參考被併入 本文中做為參考資料的美國專利申請案第11/639,752號，其申請日為2006年12月15日，且其名稱為「Controlled Ambient System for Interface Engineering」。
關於無電電鍍的更多資訊，可參考(1)美國專利申請案第11/382,906號，其申請日為2006年5月11日，且其名稱為「Plating Solution for Electroless Deposition of Copper」；(2)美國專利申請案第11/427,266號，其申請日為2006年6月28日，且其名稱為「Plating Solutions for Electroless Deposition of Copper」；(3)美國專利申請案第11/639,012號，其申請日為2006年12月13日，且其名稱為「Self Assembled Monolayer for Improving Adhesion Between Copper and Tantalum」；(4)美國專利申請案第11/591,310號，其申請日為2006年10月31日，且其名稱為「Methods of Fabricating a Barrier Layer with Varying Composition for Copper Metallization」；(5)美國專利申請案第11/552,794號，其申請日為2006年10月25日，且其名稱為「Apparatus and Method for Substrate Electroless Plating」；(6)美國專利第7,153,400號，其名稱為「Apparatus and Method for Depositing and Planarizing Thin Films of Semiconductor Wafers」；(7)美國專利申請案第11/539,155號，其申請日為2006年10月5日，且其名稱為「Electroless Plating Method and Apparatus」；以及(8)美國專利申請案第11/611,758號，其申請日為2006年12月15日，且其名稱為「Method for Gap Fill in Controlled Ambient System」。
腔室100用來從例如MTM的接合模組接收處於乾燥狀態的晶圓。腔室100用來在位於腔室100內的晶圓上實施無電電鍍處理。腔室100用來在位於腔室100內的晶圓上實施乾燥處理。腔室100提供處於乾燥狀態的晶圓回到接合模組。應當了解，腔室100用來在位於腔室100的共同內部容積中的晶圓上實施無電電鍍處理和乾燥處理。此外，流體處理系統(FHS)用來在腔室100的共同內部容積中協助晶圓無電電鍍處理和晶圓乾燥處理。
腔室100包括第一晶圓處理區，其位於腔室100的內部容積之上部區域內。第一晶圓處理區用來在放置於其內的晶圓上實施乾燥處理。腔室100也包括第二晶圓處理區，其位於腔室100的內部容積之下部區域內。第二晶圓處理區用來在放置於其內的晶圓上實施無電電鍍處理。此外，腔室100包括平臺，其可在位於腔室100內部容積中的第一及第二晶圓處理區之間垂直移動。平臺用來在第一和第二處理區之間傳送晶圓，並在無電電鍍處理期間支托位於第二晶圓處理區內的晶圓。
關於圖1，腔室100由包含外結構底部和結構頂部105的外結構壁103所界定。腔室100的外結構能夠抵抗與在腔室100內部容積中的低大氣壓(亦即真空)條件有關的力。腔室100的外結構也能夠抵抗與在腔室100內部容積中的高於大氣壓條件有關的力。在一實施例中，腔室的結構頂部105配置有窗口107A。此外，在一實施例中，在腔室的外結構壁103中配置有窗口107B。然而應當了解，窗口107A和107B對於腔室100的操作並非是緊要的。例如，在一實施例中，腔室100並未配置窗口107A和107B。
腔室100位於框架組件109之上。應當了解，其它實施例使用的框架組件，可以不同於圖1中所描畫的例示性框架組件109。腔室100包括入口門101，晶圓可經由入口門***或移出腔室100。腔室100更包括穩定器組件305、平臺上升組件115、以及近接頭驅動機構113，其中每一個都將於下文中更詳細的描述。
圖2係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示通過腔室100中心的直立剖面。腔室100係配置為當經由入口門101***晶圓207時，位於腔室內部容積的上部區域內之驅動輥組件303(未顯示)和穩定器組件305將與晶圓207嚙合。藉由平臺上升組件115，平臺209在腔室內部容積的上部和下部區域之間作垂直方向的移動。平臺209從驅動輥組件303和穩定器組件305接收晶圓207，並將晶圓207移動到在腔室內部容積的下部區域中的第二晶圓處理區。如同下文中更詳細的描述，在腔室的下部區域內，平臺209 與流體槽211接合，以實現無電電鍍處理。
在腔室的下部區域內實施無電電鍍處理之後，利用平臺209和平臺上升組件115使晶圓207上升回到可以與驅動輥組件303和穩定器組件305嚙合的位置。一旦牢固地與驅動輥組件303和穩定器組件305嚙合，平臺209會下降到腔室100的下部區域內。已完成無電電鍍處理的晶圓207利用上近接頭203和下近接頭205加以乾燥。上近接頭203用來乾燥晶圓207的上表面，下近接頭用來乾燥晶圓207的下表面。
上近接頭203和下近接頭205係配置為當晶圓207與驅動輥組件303和穩定器組件305嚙合時，利用近接頭驅動機構113，以線性的方式遍及於晶圓207地移動。在一實施例中，當驅動輥組件303使晶圓207轉動時，上近接頭203和下近接頭205移動到晶圓207的中心。利用這種方式，晶圓207的上表面和下表面可以個別地完全暴露給上近接頭203和下近接頭205。腔室100更包括近接頭停駐站201，用來容納縮回起始位置的上近接頭203和下近接頭205其中的每一個。如同在晶圓207上的彎液面移動一般，近接頭停駐站201也提供與上近接頭203和下近接頭205有關的平順彎液面移動。近接頭停駐站201配置於於腔室內的位置，必須確保當上近接頭203和下近接頭205縮回其個別的起始位置後，上近接頭203和下近接頭205不會阻礙到驅動輥組件303、穩定器組件305、或是已升起要接收晶圓207的平臺209。
圖3係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示具有上近接頭203的腔室之俯視圖，該近接頭係伸展到晶圓207的中心。圖4係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示具有上近接頭203的腔室之俯視圖，該近接頭係縮回到近接頭停駐站201上的起始位置。如前文所述，當晶圓207通過入口門101而在腔室100內被接收時，驅動輥組件303和穩定器組件305與晶圓嚙合並加以支托。藉著近接頭驅動機構113，上近接頭203以線性方式從其在近接頭停駐站201上的起始位置移動到晶圓207的中心。類以地，藉著 近接頭驅動機構113，下近接頭205以線性方式從其在近接頭停駐站201上的起始位置移動到晶圓207的中心。在一實施例中，近接頭驅動機構113從近接頭停駐站201將上近接頭203和下近接頭205一起移動到晶圓207的中心。
如圖3所示，腔室100由外結構壁103和內襯301所界定。因此腔室100包含雙重壁系統。外結構壁103具有足夠的強度，以提供腔室100內的真空能力並藉此形成真空邊界。在一實施例中，外結構壁103係由例如不銹鋼的結構金屬所構成。然而應當了解，基本上可使用任何其它具有適當強度特性的結構材料構成外結構壁103。外結構壁103也具有足夠的精確度，以使腔室100能夠與其它模組(例如MTM)接合。
內襯301提供化學邊界且作為隔離壁，以防止在腔室內的化學品到達外結構壁103。內襯301係由惰性材料所構成，該惰性材料與各種可能存在於腔室100內的化學品是化學相容的。在一實施例中，內襯301係由惰性塑膠材料所構成。然而應當了解，基本上可使用任何其它可適當被塑形的化學惰性材料構成內襯301。也應當了解，欲提供真空邊界並非一定需要內襯301。如前文所述，外結構壁103用來提供真空邊界。此外，在一實施例中，可以從腔室100將內襯301移出以方便清潔、或僅僅用新的內襯301將其取代。
腔室100的環境是受控的，以利於晶圓無電電鍍處理，並避免晶圓表面的非期望反應，例如氧化反應。為達成此目的，腔室100配置有內部壓力控制系統和內部含氧量控制系統。在一實施例中，能夠將腔室100抽氣到小於100 mTorr。在一實施例中，係期望腔室100操作在大約700 Torr。
應當了解，在腔室100內部容積中的氧濃度是重要的處理參數。具體來說，在晶圓處理環境中，低氧濃度是必需的，以確保能在晶圓表面避免非預期的氧化反應。當晶圓存在於腔室100內時，腔室100內部容積中的氧濃度被期望保持在小於2 ppm(百萬 分之一)的程度。利用垂直於腔室100內部容積的真空源將腔室抽真空，再以高純度氮氣再將腔室100內部容積充滿，可減少腔室100內的氧濃度。因此，藉著將腔室100內部容積抽氣以降到低壓、並以氧含量微不足道的超純氮氣再將腔室100內部容積充滿，腔室100內部容積中的氧濃度從大氣壓準位(亦即約20%氧)減少。在一實施例中，將腔室100內部容積抽氣降到1 Torr、並以超純氮氣再將其充滿到大氣壓力，如此重複三次，應該可讓腔室100內部容積中的氧濃度降到約3 ppm。
無電電鍍處理對於溫度是敏感的。因此，希望能夠最小化腔室100內部容積環境條件對於存在於晶圓表面上的無電電鍍溶液之溫度的影響。為達成此目的，腔室100係配置為可利用外結構壁103和內襯301之間的空氣間隙，將氣體導入腔室100內部容積之中，如此可避免氣體直接流過晶圓之上。應當了解，當無電電鍍溶液存在於晶圓表面上時，氣體直接流過晶圓之上可能造成蒸發冷卻效應，其將會降低存在於晶圓上的無電電鍍溶液之溫度，同樣地，也改變了無電電鍍反應速率。除了能夠將氣體間接地導入腔室100內部容積中，當無電電鍍溶液被應用在晶圓表面上時，腔室100也使腔室100內部容積中的蒸氣壓能夠提高到飽和狀態。隨著腔室100內部容積處於相對於無電電鍍溶液的飽和狀態，將使前述的蒸發冷卻效應得以最小化。
回頭參照圖3和圖4，穩定器組件305包括穩定輥605，其係配置為施加壓力到晶圓207的邊緣，以便支托在驅動輥組件303中的晶圓207。因此，穩定輥605係配置為與晶圓207的邊緣嚙合。穩定輥605的外形可容許在穩定輥605和晶圓207之間的角度錯位(angular misalignment)之量。穩定器組件305也使得穩定輥605的垂直位置能夠機械調整。圖4中所示的穩定器組件305包括單一穩定輥605以容納200 mm晶圓。在另一實施例中，穩定器組件305具有兩個穩定輥605以容納300 mm晶圓。
再回頭參照圖3和圖4，驅動輥組件303包括一對驅動輥701， 其與晶圓207的邊緣嚙合、並使晶圓207旋轉。每一個驅動輥701與晶圓207的邊緣嚙合。每一個驅動輥701的外形可容許在驅動輥701和晶圓207之間的角度錯位之量。驅動輥組件303也使得每一個驅動輥701的垂直位置能夠機械調整。驅動輥組件303能夠使驅動輥701朝向或遠離晶圓207的邊緣移動。穩定輥605與晶圓207邊緣的嚙合將導致驅動輥701與晶圓207的邊緣嚙合。
回頭參照圖2，平臺上升組件115將平臺209上的晶圓207從晶圓旋轉平面(亦即晶圓與，驅動輥701及穩定輥605嚙合的平面)移動到處理位置，於處理位置平臺209與流體槽211的密封墊相接合。圖5係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示平臺209位於完全降低的位置時，通過平臺209和流體槽211的直立剖面。平臺209係作為一加熱真空吸盤。在一實施例中，係以化學惰性材料製成平臺209。在另一實施例中，係以化學惰性材料覆蓋於平臺209的表面。平臺209包括連接到真空供應911的真空通道907，當真空供應911動作時，將使晶圓207真空夾持(vacuum clamp)於平臺209。使晶圓207真空夾持於平臺209減少平臺209和晶圓207間的熱阻，也防止晶圓207於腔室100內垂直輸送時滑動。
在各種實施例中，平臺209能容納200 mm或300 mm晶圓。此外應當了解，平臺209和腔室100基本上能容納任何尺寸的晶圓。為了特定的晶圓尺寸，平臺209上表面(亦即夾持表面)的直徑係略小於晶圓的直徑。這種平臺對晶圓的尺寸安排，使晶圓的邊緣能夠略為伸出於平臺209上周緣的邊緣之外，因此當晶圓位於平臺209上時，晶圓邊緣能夠和穩定輥605及驅動輥701其中每一個嚙合。
如前文所述，無電電鍍處理對於溫度是敏感的。平臺209係被加熱的，因此可以控制晶圓207的溫度。在一實施例中，平臺209能夠維持於高到100℃的溫度。平臺209也能夠維持於低到0℃的溫度。正常的平臺209操作溫度是大約60℃。在平臺209被製作成可容納300 mm晶圓的尺寸之實施例中，平臺209具有兩個內 部電阻加熱線圈，以便個別地形成一個內加熱區和一個外加熱區。每一個加熱區包括其自己的控制熱電偶。在一實施例中，內加熱區使用700 Watt的電阻加熱線圈，而外加熱區使用2000 Watt的電阻加熱線圈。在平臺209被製作成可容納200 mm晶圓的尺寸之實施例中，平臺209包括一個單一加熱區，其配置有1250 Watt的內部加熱線圈和相對應的熱電偶。
當平臺209在腔室100內完全下降時，流體槽211用來接收平臺209。當平臺209下降到與環繞流體槽211內周緣的流體槽密封墊(seal)909接合時，流體槽211具有流體保存能力(fluid holding capability)。在一實施例中，流體槽密封墊909是通電的密封墊，當平臺209下降到完全與流體槽密封墊909接觸時，其在平臺209和流體槽211之間形成一液體緊密密封。應當了解，當平臺209下降而與流體槽密封墊909相接合時，在平臺209和流體槽211之間存在一間隙。因此，平臺209與流體槽密封墊909的接合允許電鍍液注入槽中，並且流入在平臺209和流體槽211之間、流體槽密封墊之上的間隙，然後湧出而越過被夾持在平臺209上表面之上的晶圓207之周緣。
在一實施例中，流體槽211包括八個流體分配噴嘴，用來在流體槽211內分配電鍍液。流體分配噴嘴係環繞著流體槽211、以均勻間隔的方式分佈。每一個流體分配噴嘴係由來自分配歧管的管子進料，使得來自每一個流體分配噴嘴的流體分配率是大致相同的。流體分配噴嘴也配置為，從每一個流體分配噴嘴流出的流體係在一個低於平臺209上表面的位置進入流體槽211，亦即，低於被夾持在平臺209上表面之上的晶圓207。此外，當平臺209和晶圓207不在流體槽211之中時，可利用流體分配噴嘴將清洗液注入在流體槽211中以清洗流體槽211。清洗流體槽211的頻率係由使用者設定。例如，可以頻繁地在每片晶圓的處理之後清洗流體槽、或是較不頻繁地每100片清洗一次。
腔室100也包括沖洗棒901，其包含數個沖洗噴嘴903及數個 吹氣噴嘴905。當移動平臺209而將晶圓207放置在沖洗位置時，沖洗噴嘴903用來噴灑沖洗流體在晶圓207的上表面之上。在沖洗位置，平臺209和流體槽密封墊909之間存在一間隙，使得沖洗流體能夠流入可將其排放出的流體槽211之中。在一實施例中，設置有兩個沖洗噴嘴903以沖洗300 mm晶圓，以及一個沖洗噴嘴903以沖洗200 mm晶圓。吹氣噴嘴905用來引入惰性氣體(例如氮氣)到晶圓的上表面，以在沖洗處理中協助從晶圓的上表面移除流體。應當了解，因為當無電電鍍溶液與晶圓表面接觸時，無電電鍍反應係持續進行，所以在晶圓完成無電電鍍期間之後，必需迅速且均勻地將無電電鍍溶液移除。為達成此目的，沖洗噴嘴903和吹氣噴嘴905使無電電鍍溶液能夠從晶圓207迅速和均勻地移除。
圖6A係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示位於腔室100內的晶圓交遞位置之晶圓207。操作腔室100，以從連接到腔室100的外部模組(例如MTM)接收晶圓。在一實施例中，入口門101下降，並利用機械手臂晶圓處理裝置將晶圓207傳入腔室100。當晶圓207置放於腔室100中，驅動輥701和穩定輥605是在完全縮回的位置。將晶圓207置放於腔室100中，使得晶圓207的邊緣接近於驅動輥701和穩定輥605。然後將驅動輥701和穩定輥605朝晶圓207的邊緣移動以便其與晶圓207的邊緣嚙合，如圖6A所示。
應當了解，在腔室100內的晶圓交遞位置也是晶圓乾燥位置。晶圓交遞和乾燥處理發生在腔室100的上部區域1007之內。流體槽211位於腔室100的下部區域1009，在晶圓交遞位置的正下方。這樣的配置使得平臺209能夠上升和下降，以將晶圓207從晶圓交遞位置移動到下部區域1009中的晶圓處理位置。在晶圓交遞的過程中，平臺209是處於完全下降的位置，以避免平臺209阻礙到機械手臂晶圓處理裝置。
於腔室100內接收晶圓207之後，將晶圓207移動到腔室100 的下部區域1009以進行處理。利用平臺上升組件115和軸801，平臺209將晶圓207從腔室100的上部區域1007移動到腔室100的下部區域1009。圖6B係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示上升到晶圓交遞位置的平臺209。在平臺209上升前，必須確認上近接頭203和下近接頭205是處於起始位置。在平臺209上升前，視需要也可利用驅動輥701使晶圓207旋轉。然後使平臺209上升到晶圓拾取位置。在晶圓拾取位置，平臺209的真空供應開始作用。穩定輥605往遠離晶圓207的方向移動到其縮回位置。驅動輥701也往遠離晶圓207的方向移動到其縮回位置。此時晶圓207係真空夾持於平臺209。在一實施例中，必須確認平臺的真空壓力是低於使用者設定的最大值。如果平臺的真空壓力是可接受的，會繼續晶圓交遞步驟，否則，晶圓交遞步驟會被中止。
將平臺209加熱到使用者設定的溫度，且將晶圓207支托在平臺209上一段使用者設定的期間，以加熱晶圓207。接著，帶有晶圓於其上的平臺209下降到停留位置，其正好位於平臺209與流體槽密封墊909接合的位置之上，也就是正好位於密封位置之上。圖6C係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示位於正好在密封位置之上的停留位置中之平臺209。平臺209在停留位置時，其和流體槽密封墊909之間的距離是使用者可選擇的參數。在一實施例中，平臺209在停留位置時，其和流體槽密封墊909之間的距離是從約0.05吋到0.25吋的範圍內。
當帶有晶圓於其上的平臺209是在停留位置時，可開始無電電鍍處理。在無電電鍍處理之前，操作FHS使得在預混合狀態的無電電鍍化學品再循環。當平臺209維持在停留位置時，利用流體分配噴嘴1001使無電電鍍溶液1003開始流入流體槽211之中。當平臺209在停留位置時，無電電鍍溶液1003的流動被稱作穩定化流動(stabilizing flow)。在穩定化流動期間，無電電鍍溶液1003在平臺209和流體槽密封墊909之間，從流體分配噴嘴往下流動到流體槽211排放槽。流體分配噴嘴1001係環繞著流體槽211的 周緣、以大致均勻間隔的方式分佈，因此當平臺209下降而與流體槽密封墊909接合時，流體分配噴嘴1001係環繞著平臺209下側的周緣均勻地配置。每一個流體分配噴嘴1001的配置，也使得從其中分配出來的的無電電鍍溶液1003，係從低於支托在平臺209上的晶圓207的位置分配出來。
在平臺209下降而與流體槽密封墊909接合之前，穩定化流動使得到達每一個流體分配噴嘴1001的無電電鍍溶液之流動能夠穩定。穩定化流動係持續直到經過使用者設定的時間量、或直到已經從流體分配噴嘴1001分配出使用者設定的無電電鍍溶液之容積。在一實施例中，穩定化流動的持續時間是約0.1秒到約2秒。同樣地，在一實施例中，穩定化流動係持續直到已經從流體分配噴嘴1001分配出約25 mL到約500 mL的無電電鍍溶液之容積。
在穩定化流動的最後，平臺209下降以與流體槽密封墊909接合。圖6D是根據本發明的一實例之示意圖，顯示在穩定化流動結束之後，平臺209下降而與流體槽密封墊909接合。在平臺209與流體槽密封墊909接合之後，從流體分配噴嘴1001流出的無電電鍍溶液將注入在流體槽211和平臺209之間的空間，並且湧出而越過晶圓207的周緣。因為流體分配噴嘴1001是環繞著平臺209的周圍、以大致均勻的方式加以配置，所以無電電鍍溶液將以大致均勻的方式上漲並且越過晶圓207的周緣邊緣，而以一種大致同心圓的方式從晶圓207的周緣流向晶圓207的中心。
在一實施例中，在平臺209與流體槽密封墊909接合之後，從流體分配噴嘴分配出約200 mL到約1000 mL的無電電鍍溶液1003之額外量。分配額外的無電電鍍溶液1003需要約1秒到約10秒。在分配額外的無電電鍍溶液以使無電電鍍溶液覆蓋整個晶圓207之後，容許經過一段使用者設定的時間，此時無電電鍍反應在晶圓表面上發生。
在使用者設定的無電電鍍反應時間期間之後，立刻使晶圓207進行沖洗處理。圖6E係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示正 在接受沖洗處理的晶圓207。為了進行沖洗處理，平臺209上升到晶圓沖洗位置。當平臺209上升時，在平臺209和流體槽密封墊909之間的密封打開，而大部份在晶圓207上的無電電鍍溶液1003將流入流體槽211排放槽。從沖洗噴嘴903將沖洗流體1005分配到晶圓207之上，以將殘留在晶圓207上的無電電鍍溶液1003移除。在一實施例中，沖洗流體1005是去離子水(DIW)。在一實施例中，沖洗噴嘴903從位於FHS內的單一閥進料。若有需要，在沖洗處理期間可以使平臺209移動。此外，可以從吹氣噴嘴905分配惰性氣體(例如氮氣)，以將晶圓表面的液體吹掉。沖洗流體1005流動和惰性吹氣氣體流動的起動和時間是使用者設定的參數。
在晶圓沖洗處理之後，將晶圓207移動到晶圓乾燥位置，其等於晶圓交遞位置。回頭參考圖6B，平臺209上升以將晶圓207放置在接近驅動輥701和穩定輥605的位置。在平臺209從沖洗位置上升之前，必須確認上近接頭203和下近接頭205是在其起始位置、驅動輥701是完全縮回的、以及穩定輥605是完全縮回的。一旦晶圓上升到乾燥位置，則驅動輥701移動到完全伸展的位置，且穩定輥701移動而與晶圓207的邊緣嚙合，因此也使得驅動輥701與晶圓207的邊緣嚙合。此時關閉平臺209的真空供應，而且平臺略為下降而離開晶圓207。一旦確定驅動輥701和穩定輥605已經牢固地抓住晶圓207，則平臺209下降到流體槽密封位置，其係在晶圓處理期間平臺209停留在腔室內的位置。
圖6F係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示正在利用上近接頭203和下近接頭205進行乾燥處理的晶圓207。在一實施例中，當上近接頭203和下近接頭205位於近接頭停駐站201時，將通往近接頭的流動開啟。在另一實施例中，在將通往近接頭的流動開啟之前，上近接頭203和下近接頭205移動到晶圓207的中心。為了將通往近接頭203/205的流動開啟，將通往上近接頭203和下近接頭205的真空開啟。接著，在使用者設定的期間之 後，以製程配方所設定的流量，使氮氣和異丙醇(IPA)流到上近接頭203和下近接頭205，以形成上乾燥彎液面1011A和下乾燥彎液面1011B。如果在近接頭停駐站201使流動開啟，則當晶圓旋轉時，上近接頭203和下近接頭205會移動到晶圓中心。如果在晶圓中心使流動開啟，則當晶圓旋轉時，上近接頭203和下近接頭205會移動到晶圓停駐站201。
在乾燥處理期間，晶圓是以一個初始旋轉速率開始旋轉，並且當近接頭203/205掃瞄橫越晶圓時加以調整。在一實施例中，在乾燥處理期間，晶圓將以從約0.25 rpm到約10 rpm的速率旋轉。晶圓旋轉速率將以近接頭203/205在晶圓上的徑向位置之函數而改變。同樣地，上近接頭203和下近接頭205的掃瞄速率是以一個初始掃瞄速率開始，並且當近接頭203/205掃瞄橫越晶圓時加以調整。在一實施例中，近接頭203/205以從約1 mm/sec到約75 mm/sec的速率掃瞄橫越晶圓。在乾燥處理的最後，上近接頭203和下近接頭205移動到近接頭停駐站201、通往近接頭203/205的IPA流動停止、通往近接頭203/205的氮氣流動停止、通往近接頭203/205的真空供應也停止。
在乾燥處理期間，上近接頭203和下近接頭205被置放在非常接近晶圓207的上表面207A和下表面207B的個別位置。一旦在此位置，近接頭203/205利用IPA和DIW來源入口和真空來源出口產生與晶圓207接觸的晶圓處理彎液面1011A/1011B，其能夠將流體塗佈在晶圓207的上表面和下表面，以及從晶圓207的上表面和下表面移除流體。根據關於圖7的描述，可產生晶圓處理彎液面1011A/1011B，其中IPA蒸氣和DIW是輸入到在晶圓207和近接頭203/205之間的區域。在輸入IPA和DIW的大致相同時間，在非常接近晶圓表面的地方施加真空，以輸出可能位於晶圓表面上的IPA蒸氣、DIW、及流體。應當了解，雖然在例示性的實施例中使用IPA，但也可使用任何其它合適類型的蒸氣，例如任何合適的、可與水互溶的醇蒸氣、有機化合物、己醇、乙二醇等 等。IPA的替代物包括、但不限於下列的：丙酮、二丙酮醇、1－甲氧－2丙醇、乙二醇、甲基吡咯烷酮、乳酸乙酯、2－丁醇。這些流體也是習知的表面張力減低流體。表面張力減低流體用來增加位在兩個表面之間(例如在近接頭203/205和晶圓207表面之間)的表面張力梯度。
在近接頭203/205和晶圓207間的區域中之DIW的部份形成一動態液體彎液面1011A/1011B。應當了解，如同本文所使用的，「輸出」一詞指的是從晶圓207和一特定的近接頭203/205之間的區域將流體移除；而「輸入」一詞指的是將流體導入到晶圓207和一特定近接頭203/205之間的區域。
圖7係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示利用近接頭203/205實施的例示性處理。雖然圖7顯示處理中晶圓207的上表面207A，應當了解，也可以用大致上相同的方式完成晶圓207的下表面207B之處理。雖然圖7係以圖例說明基板乾燥處理，許多其它的製造處理(例如蝕刻、沖洗、清潔等等)也是以類似的方式應用到晶圓表面。在一實施例中，來源入口1107用來提供IPA蒸氣到晶圓207的上表面207A，而來源入口1111用來提供DIW到上表面207A。此外，來源出口1109用來提供真空到非常接近表面207A的區域，以移除位於表面207A上或在表面207A附近的流體或蒸氣。
應當了解，任何合適的來源入口和來源出口之組合都可使用，只要至少存在「來源入口1107其中至少之一鄰近於來源出口1109其中至少之一，且來源出口1109其中至少之一依次鄰近於來源入口1111其中至少之一」這樣的一種組合。IPA可以是任何合適的型式，例如IPA蒸氣，其中蒸氣形態的IPA係利用氮氣載體氣體輸入。此外，雖然本文中使用DIW，但也可以使用任何其它合適的、能夠實施或加強基板處理的流體，例如以其它方式純化的水、清潔流體、以及其它的處理流體及化學品。在一實施例中，經由來源入口1107提供IPA流入1105，經由來源出口1109提供 真空1113，經由來源入口1111提供DIW流入1115。如果流體薄膜停留在晶圓207之上，IPA流入1105施加第一流體壓力給基板表面，DIW流入1115施加第二流體壓力給基板表面，而真空1113施加第三流體壓力以移除DIW、IPA、以及在基板表面上的流體薄膜。
應當了解，藉由控制流到晶圓表面207A上的流體流量、以及控制施加的真空，彎液面1011A可以任何適當的方式加以使用和控制。例如在一實施例中，藉著增加DIW流動1115及/或減少真空1113，從來源出口1109的流出幾乎全部是DIW和從晶圓表面207A所移除的流體。在另一實施例中，藉著減少DIW流動1115及/或增加真空1113，從來源出口1109的流出大致上是DIW、IPA、以及從晶圓表面207A所移除的流體之組合物。在晶圓乾燥處理之後，將晶圓207退回到外部模組，例如MTM。
圖8係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示群組化構造1200。群組化構造1200包括環境受控的傳送模組1201，亦即MTM 1201。MTM 1201經由狹縫閥(slot valve)1209E連接到負載室(load－lock)1205。MTM 1201包括機械手臂晶圓處理裝置1203，亦即手端(end effector)1203，其能夠從負載室1205接收晶圓。MTM 1201也經由個別的狹縫閥1209A、1209B、1209C、及1209D連接到數個處理模組1207A、1207B、1207C、及1207D。在一實施例中，處理模組1207A－1207D是環境受控的溼處理模組。環境受控的溼處理模組1207A－1207D用來在受控的惰性周圍環境中處理晶圓表面。控制MTM 1201之受控的惰性周圍環境，使得惰性氣體被抽入MTM 1201之中，而氧從MTM 1201被排出。在一實施例中，無電電鍍腔室100可連接到MTM 1201作為處理模組。圖8顯示處理模組1207A實際上是乾進/乾出的無電電鍍腔室100。
藉著從MTM 1201移除所有或大部份的氧並以惰性氣體取代，在腔室100內的晶圓上實施無電電鍍處理之前或之後，MTM 1201將提供一個不會暴露處理中晶圓的轉移環境。在特定的實施 例中，其它的處理模組1207B－1207D可能是電鍍模組、無電電鍍模組、乾進/乾出溼處理模組、或其它類型的模組，其能夠在晶圓表面或特徵部的頂部之上應用、生成、移除、或沈積一層，或其它類型的晶圓處理。
在一實施例中，在電腦系統上運作的圖形使用者介面(GUI)可提供腔室100和接合設備(例如FHS)的監控和控制，其中該電腦系統係設置於處理環境的遠端。連接在腔室100和接合設備內的各種感測器，以在GUI中提供讀值。在腔室100和接合設備內的每一個電子致動控制可利用GUI加以啟動。GUI也用來根據各種在腔室100和接合設備內的感測器讀值而顯示警告或警報。GUI進一步用來指示處理狀態和系統條件。
本發明的腔室100包含數個有利的特點。例如，在腔室100內導入上近接頭203和下近接頭205使腔室100具有乾進/乾出的晶圓無電電鍍處理能力。乾進/乾出的能力使得腔室100能夠與MTM接合、也使得晶圓表面上的化學反應能夠較嚴密地控制、並防止化學品被帶出腔室100外。
腔室100的雙重壁結構也具有優點。例如，外結構壁提供強度和接合精密度，而內襯提供化學邊界以防止化學品抵達外結構壁。因為外結構壁負責提供真空邊界，所以內襯不需要提供真空邊界，因此使得內壁能夠以惰性材料(例如塑膠)來製造。此外，內壁是可移動的以方便腔室100的清潔或重新組裝。外壁的強度也能夠減少在腔室100內達到惰性環境條件所需要的時間。
腔室100提供腔室100內的環境條件之控制。在乾燥期間，使用惰性環境條件能夠產生表面張力梯度(STG)，接著得以實施近接頭處理。例如，可在腔室100內建立二氧化碳環境條件，以在近接頭乾燥處理期間輔助產生STG。在溼處理腔室之內(亦即無電電鍍腔室之內)，STG乾燥(亦即近接頭乾燥)的整合實現了多級處理的能力。例如，多級處理可包括利用在腔室上部區域中的近接頭之預清潔操作、在腔室下部區域中的無電電鍍處理、以 及利用腔室上部區域中的近接頭之後清潔和乾燥操作。
此外，腔室100減少無電電鍍溶液的需求量，因此能夠使用單射(single－shot)化學品，亦即使用一次就丟棄的化學品。也提供使用混合法的一個點以在沉積於晶圓上之前控制電解液活化。要實現前述構想，可使用包括注射管的混合歧管，在儘可能靠近流體槽分配位置的地方，將活化化學品注入包圍注射管的流動化學物之中。如此會增加反應物的穩定度並且減少缺陷。此外，腔室100的淬火沖洗能力對於晶圓上的無電電鍍反應時間提供較好的控制。進一步，藉著將逆流洗滌(backflush)化學品導入流體槽的有限體積之內，使得腔室100較容易清潔。調配逆流洗滌化學品以去除可能由無電電鍍溶液導入的金屬污染物。在其它實施例中，腔室100可進一步包括各種類型的就地生成(in－situ)計量學。在某些實施例中，腔室100也包括輻射或吸收加熱源，以啟始晶圓上的無電電鍍反應。
流體處理系統(fluid handling system，FHS)係輔助腔室100的操作。在一實施例中，FHS係配置為一個與腔室100分離的模組，並且與腔室100內的各種組件以流體相連接。FHS用來服務無電電鍍處理，亦即流體槽分配噴嘴、沖洗噴嘴、和吹氣噴嘴。FHS也用來服務上近接頭203和下近接頭205。混合歧管係配置於FHS和供應管線之間，該供應管線係服務在流體槽211內的每一個流體分配噴嘴。因此，流入每一個位於流體槽211內的流體分配噴嘴之無電電鍍溶液在抵達流體槽211之前被預先混合。
流體供應管線係配置為將混合歧管流體連接到位於流體槽211內的不同流體分配噴嘴，使得電鍍液從每一個流體分配噴嘴以大致均勻的方式(例如以大致均勻的流率)流入流體槽211中。FHS用來使位於混合歧管和流體槽211內的流體分配噴嘴之間的流體供應管線進行氮氣沖洗，以便清洗電鍍液的流體供應管線。藉由供應沖洗流體到每一個沖洗噴嘴903，以及供應惰性氣體到每一個吹氣噴嘴905，FHS也用來輔助晶圓沖洗處理。FHS係配置 為能夠手動設定壓力調節器，以控制從沖洗噴嘴903流出的液體壓力。
在一實施例中，FHS包括三個主要模組：(1)化學品FHS 1401；(2)化學品供應FHS 1403；以及(3)沖洗FHS 1405。圖9係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示化學品FHS 1401的等角視圖。圖10係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示化學品供應FHS 1403的等角視圖。圖11係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示沖洗FHS 1405的等角視圖。
在一實施例中，化學品FHS 1401包括四個流體再循環迴路，用來在供應流體到腔室100之前預先處理該流體，並用來控制流往腔室100的流體供應。在一實施例中，三個再循環迴路用來預先處理及控制流往腔室100的處理化學品之供應，而第四個再循環迴路用來預先處理及控制流往腔室100的DIW供應。應當了解，在其它實施例中，化學品FHS 1401可包括數量不同(亦即少於四個或多於四個)的流體再循環迴路，而且可利用各式各樣的再循環回路，以供應不同種類的流體到腔室100。
圖12係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示化學品FHS1401的再循環迴路1407。再循環迴路1407包括緩衝槽1409、幫浦1411、除氣器1413、加熱器1415、流量計1417、和過濾器1419。幫浦1411用來提供流體再循環以及在流體槽211內分配流體時所需的原動力。在一實施例中，幫浦1411係磁浮離心泵。於再循環模式中，幫浦1411控制再循環迴路1407中的流動，以符合使用者設定的流率。如箭號1421所示，幫浦1411由流量計1417讀取流動輸出，然後調整其速率以維持大致固定的流率。在一實施例中，再循環迴路1407內的流率係從500 mL/min到6000 mL/min。當過濾器1419變得阻塞，幫浦1411速率將逐漸增加。因此，可監控幫浦1411速率，以決定何時需要更換過濾器1419。當受監控的幫浦1411速率超過使用者所設定的幫浦速率閾值，會發出過濾器1419警告訊號。也可以直接控制幫浦1411速率。
在一實施例中，加熱器1415是電阻式加熱器，用來當流體於再循環迴路1407中循環時將流體加熱。除氣器1413用來當流體於再循環迴路1407中循環時，從流體中去除氣體。除氣器1413在透氣膜的一側具有真空，而流體在透氣膜上循環。因此，溶解在流體中的氣體通過透氣膜而從流體中去除。
多位置閥(multiposition valve)1425用來控制流體，使流體經由再循環迴路1407而再循環、或使流體導向混合歧管而最終供應到流體槽211。在一實施例中，設置有手動針閥1423，使得從多位置閥1425到緩衝槽1409的壓降和從多位置閥1425到流體槽211的壓降能夠匹配。當多位置閥1425啟動以將流體導向流體槽211時，這樣的壓降匹配能防止流率的顯著突峰(spike)。
再循環迴路的操作模式有三種：(1)起始模式、(2)流體加熱模式、以及(3)預先分配/分配模式。在起始模式中，假設緩衝槽1409開始時是完全空的。起始模式的目的是啟動幫浦1411並注入再循環迴路1407。在幫浦1411啟動前，需注入緩衝槽1409到一個準位，以防止氣體被吸入流體流中。為了注入緩衝槽1409，啟動閥1427以讓化學品從化學品供應FHS 1403進入緩衝槽1409中。然後啟動幫浦1411而以慢速運轉。當額外的化學品通過閥1427而供應到槽中，逐漸增加幫浦1411速率。
在流體加熱模式期間，當因為系統啟動或因為正常操作期間的流體注入，因而於再循環迴路1407注入流體時，流體應該利用加熱器1415加熱。在正常的操作下，預期有大約200 mL的量於再注入循環期間注入再循環迴路1407。在起始期間，預期有多達3 L的量注入。在一實施例中，為了加熱流體，最適當的流率是大約2 L/min。在加熱模式期間，通過再循環迴路1407的流體可控制於該最適當流率。將大約200 mL的流體從室溫加熱到大約60℃，預期需要大約150秒。
在預先分配/分配模式中，在將流體分配到流體槽211之前，應該將通過再循環迴路1407的流體之流率設定成在將流體分配到 流體槽211的期間所預期的流率。在一實施例中，將流體分配到流體槽211的流率可能從大約0.25 L/min到大約2.4 L/min。此相當於在5秒的分配期間內，將大約21.6 mL到大約200 mL的流體分配到流體槽211之中。當在此範圍內調整流率時，使迴路中的流率達到穩定大約需要20秒。藉由多位置閥1425的啟動，使流體於一段適當的分配期間導向流體槽211，因此可利用混合歧管將流體從再循環迴路1407分配到流體槽211。每一個再循環迴路1407的多位置閥1425應該在大約相同的時間啟動，以確保能將適當的化學品混合物提供給流體槽211。如之前有關圖6C的討論，在平臺209與流體槽密封墊909接合之前，使流體的一量直接流入流體槽211的排放槽中，以確保流體從化學品FHS 1401到流體槽的流動達到穩定。
化學品FHS也包括注射泵(未顯示)，其恰好在流體槽211之前，將第四個化學品注入流體供應中。在一實施例中，於流體分配模式開始運作之前先填滿注射泵。注射泵包括旋轉閥，其使不同的開口打開而通到注射器。在一實施例中，注射泵是正排量泵，並且具有50 mL的最大容量。設定旋轉閥讓注射器打開而通到想要的化學品供應，可以填滿注射泵。設定旋轉閥讓注射泵打開而通到流往流體槽211的流體流，可以分配注射泵。在一實施例中，來自注射泵的分配率可以從大約10 mL/min到大約1000 mL/min。應當了解，前面討論的注射泵僅是數個可能實施例其中的一個。此外，應當了解，需針對化學品1－3、DIW、和化學品4的分配予以調節，以防止不正確的化學品混合物抵達流體槽211和晶圓207。
有關於圖12，也應當了解，再循環迴路1407係配置於化學品FHS 1401之內，以受控的方式將數個化學品其中之一供應到混合歧管1453的數個流體輸入部1451其中之一。混合歧管1453包括連接到流體供應管線1455的流體輸出，該流體供應管線1455係連接以供應無電電鍍溶液到位於腔室100內的流體槽211。混合歧 管1453用來混合數個從化學品FHS 1401接收來的化學品，以形成無電電鍍溶液。在一實施例中，混合歧管1453係配置於儘可能接近腔室100的位置，以便使已混合的無電電鍍溶液流經的流體供應管線1455之長度最小化。
化學品供應FHS 1403用來從個別的化學品供應槽將各種化學品供應到化學品FHS 1401。在一實施例中，將各種的化學品加壓以輸送到化學品FHS 1401。各種化學品供應槽的壓力係以壓力調節器加以控制。而且，每一個化學品供應槽有流體準位感測器。可監控每一個流體準位感測器，以確保在化學品供應槽中有足夠的化學品可繼續進行在腔室100內的處理。化學品供應FHS 1403具有輸送第五種化學品到流體槽的能力。在一實施例中，第五種化學品用來當作清潔流體槽211用的清潔化學品。清潔化學品係用來防止或移除在無電電鍍溶液輸送管線和流體槽211中的電鍍沉積物。清潔化學品可以加壓也可以不加壓。在一實施例中，清潔化學品係利用化學品供應FHS 1403中的注射泵加以輸送。
沖洗FHS 1405包括一部分用來產生和輸送IPA，以及一部分用來輸送和從腔室100中抽取沖洗流體。IPA系統係設置在沖洗FHS 1405的一個獨立不鏽鋼外殼中，以使易燃的IPA與整個FHS系統內的加熱器及其它化學品分開。沖洗FHS 1405外殼也包括開口，用作設施進入及廢棄物排出。在一實施例中，設施進入及廢棄物排出係經由沖洗FHS 1405外殼的底部。而且，在一實施例中，沖洗FHS 1405外殼的上部包括真空槽、真空泵、以及與上近接頭203和下近接頭205有關的流量控制器。
IPA系統協助IPA蒸氣的產生，及協助將IPA蒸氣供應到上近接頭203和下近接頭205。氮氣/IPA供應管線係連接以供應IPA蒸氣到上近接頭203和下近接頭205的每一個。在一實施例中，上近接頭203和下近接頭205其中每一個能夠獨立控制IPA蒸氣和氮氣的流動。在一實施例中，兩個內置(on－board)槽包含IPA，其中每一槽具有2 L的容積而有1 L的可用容量。兩個槽以交替的 方式將IPA供應到汽化器系統。當一個槽供應IPA，可補充另一個槽。使用感測器以監控每一個槽內的流體準位。每一個槽也配置有超壓釋放閥，其將排氣到排氣裝置內。
在一實施例中，單一汽化器系統服務上近接頭203和下近接頭205兩者。經由液體質量流量控制器，從其中一個槽分配液態IPA，其質量流率上達30 g/min。經由質量流量控制器，分配氮氣載體氣體，其質量流率上達30標準公升/份鐘(standard liters per minute，SLPM)。將氮氣載體氣體與IPA混合，然後注入汽化器系統中。離開汽化器系統的IPA熱蒸氣與汽化器後的(post vaporizer)氮氣稀釋劑混合，以稀釋熱蒸氣內IPA的濃度。汽化器後的氮氣量是以質量流量控制器加以控制，其流率上達200 SLPM。接著，將IPA蒸氣輸送到上近接頭203和下近接頭205。
如前文所述，流到每一個近接頭203/205的IPA蒸氣之流量可以獨立控制。在一實施例中，使用旋轉流量計以控制往每一個近接頭203/205的IPA流動。旋轉流量計允許使用者調整流往上近接頭203和下近接頭205的比例。在一實施例中，利用質量流量控制器監控各種氮氣流率，並將其報告給操作者。當氮氣流率相對於使用者設定的觸發點為太低或太高時，會發出警告或警報。
沖洗FHS 1405的流體輸送和抽取特徵協助輸送液體給近接頭203/205及從近接頭203/205接收液體。輸送流體到近接頭203/205包括供應DIW流動給上近接頭203和下近接頭205。在一實施例中，輸送到由上近接頭203形成的彎液面之內部部分和外部部分的DIW係使用獨立的流量控制器加以控制。在一實施例中，操作這些流量控制器其中每一個，以控制DIW流量在從大約200 mL/min到大約1250 mL/min的範圍內。DIW的流率可利用手動或利用製程參數加以設定。此外，閥係配置用來啟動流到上近接頭203的彎液面之每一部分的DIW。在一實施例中，將DIW流供應到由下近接頭205形成的彎液面之單一區域。在一實施例中，使用流量控制器以控制流往下近接頭205的DIW流量在從大約 200 mL/min到大約1250 mL/min的範圍內。
利用一組真空槽和真空產生器，沖洗FHS 1405用來從上近接頭203和下近接頭205移除流體。在一實施例中，沖洗FHS 1405包括總共四個真空產生器和相對應的真空槽。具體而言，上近接頭203外部區域、上近接頭203內部區域、下近接頭205、以及驅動輥701和穩定輥605其中每一者都具有一組真空槽/產生器之組合。閥用來個別地控制上近接頭203、下近接頭205、以及輥701/605的真空供應。操作閥以在真空槽中產生及控制真空。閥也用來啟動上近接頭203、下近接頭205、以及輥701/605其中每一者的真空。此外，配置有感測器以監控每一個真空槽內的流體準位。
也配置有排洩泵以抽吸真空槽。在一實施例中，排洩泵是氣動式隔膜泵。每一槽具有一排放閥，可以利用其排洩泵獨立地控制槽的抽吸。此外，配置有感測器以監控每一個真空槽內的壓力。在一實施例中，每一個真空槽係操作於大約70 mmHg到大約170 mmHg的壓力範圍內。若真空槽內的壓力超出操作範圍，則會發出壓力警報。
腔室100包括數個流體排放點。在一實施例中，在腔室100內具有三個分開的流體排放點：(1)來自流體槽211的主排放；(2)腔室底排放；及(3)平臺真空槽排放。這些排放其中每一個都連接到在FHS內提供的共同設施排放。流體槽211排放是垂直的從流體槽211到腔室排放槽。配置有閥以控制從流體槽211到腔室排放槽的流體排放。在一實施例中，當流體存在於從流體槽211連接到腔室排放槽的排放管線內時，該閥被設定為開。
腔室底排放也連接到腔室排放槽。如果在腔室內發生液體溢出，液體將從在腔室底的開口排出到腔室排放槽。配置有閥以控制從腔室底到腔室排放槽的流體排放。在一實施中，當流體存在於從腔室底連接到腔室排放槽的排放管線內時，該閥被設定為開。平臺真空槽具有其自己的排放槽。平臺排放槽也當作真空槽。真空產生器連接到平臺排放槽，而且是背側晶圓真空之來源。配 置有閥以控制存在於晶圓207背側的真空。也配置有感測器以監控存在於晶圓207背側的真空壓力。平臺排放槽和腔室排放槽共用一個共同排洩泵。然而，平臺排放槽和腔室排放槽其中每一個有其自己的隔離閥位於槽和幫浦之間，使每一個槽能夠獨立地排空。
雖然本發明已利用幾個實施例加以描述，應當了解，熟悉此相關技藝者在研讀前述的說明書及研究其圖示後，將瞭解各種的變更、添加、交換、及等效物。因此，當落入本發明適用的精神和範圍內時，所有這般的變更、添加、交換、及等效物被包含於本發明之中。
100‧‧‧無電電鍍腔室
101‧‧‧入口門
103‧‧‧外部結構壁
105‧‧‧結構上部
107A、107B‧‧‧窗口
109‧‧‧框架組件
113‧‧‧近接頭驅動機構
115‧‧‧平臺上升組件
201‧‧‧近接頭停駐站
203‧‧‧上近接頭
205‧‧‧下近接頭
207‧‧‧晶圓
207A‧‧‧晶圓上表面
207B‧‧‧晶圓下表面
209‧‧‧平臺
211‧‧‧流體槽
301‧‧‧內襯
303‧‧‧驅動輥組件
305‧‧‧穩定器組件
605‧‧‧穩定輥
701‧‧‧驅動輥
801‧‧‧軸
901‧‧‧沖洗棒
903‧‧‧沖洗噴嘴
905‧‧‧吹氣噴嘴
907‧‧‧真空通道
909‧‧‧密封墊
911‧‧‧真空供應
1001‧‧‧流體分配噴嘴
1003‧‧‧無電電鍍溶液
1005‧‧‧沖洗流體
1007‧‧‧上部區域
1009‧‧‧下部區域
1011A‧‧‧上乾燥彎液面
1011B‧‧‧下乾燥彎液面
1105、1115‧‧‧流入
1107‧‧‧來源入口
1109‧‧‧來源出口
1111‧‧‧來源入口
1113‧‧‧真空
1200‧‧‧群組化構造
1201‧‧‧輸送模組
1203‧‧‧機械手臂晶圓處理裝置
1205‧‧‧負載室
1207A、1207B、1207C、1207D‧‧‧處理模組
1209A、1209B、1209C、1209D、1209E‧‧‧狹縫閥
1401‧‧‧化學品流體處理系統
1403‧‧‧化學品供應流體處理系統
1405‧‧‧沖洗流體處理系統
1407‧‧‧循環迴路
1409‧‧‧緩衝槽
1411‧‧‧幫浦
1413‧‧‧除氣器
1415‧‧‧加熱器
1417‧‧‧流量計
1419‧‧‧過濾器
1421‧‧‧輸出
1423‧‧‧針閥
1425‧‧‧多位置閥
1427‧‧‧閥
1451‧‧‧流體輸入部
1453‧‧‧混合歧管
1455‧‧‧流體供應管線
圖1係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示乾進/乾出無電電鍍腔室的等角視圖。
圖2係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示通過腔室中心的直立剖面。
圖3係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示具有上近接頭的腔室之俯視圖，該近接頭係伸展到晶圓的中心。
圖4係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示具有上近接頭的腔室之俯視圖，該近接頭係縮回到近接頭停駐站上的起始位置。
圖5係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示平臺位於完全降低的位置時，通過平臺和流體槽的直立剖面。
圖6A係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示位於腔室內的晶圓交遞位置之晶圓。
圖6B係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示上升到晶圓交遞位置的平臺。
圖6C係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示位於正好在密封位置之上的停留位置中之平臺。
圖6D是根據本發明的一實例之示意圖，顯示在穩定化流動結 束之後，平臺209下降而與流體槽密封墊接合。
圖6E係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示正在接受沖洗處理的晶圓。
圖6F係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示正在利用上近接頭和下近接頭進行乾燥處理的晶圓。
圖7係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示利用近接頭實施的例示性處理。
圖8係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示群組化構造。
圖9係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示化學品流體處理系統的等角視圖。
圖10係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示化學品供應流體處理系統的等角視圖。
圖11係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示沖洗流體處理系統的等角視圖。
圖12係根據本發明的一實施例之示意圖，顯示化學品流體處理系統的循環迴路。
1401‧‧‧化學品流體處理系統

Claims (18)

  1. 一種半導體晶圓無電電鍍腔室用的流體處理模組，包括：一第一供應管線，連接以供應一無電電鍍溶液到位於該腔室內的一流體槽；一混合歧管，包括連接到該第一供應管線的一流體輸出，該混合歧管包括複數流體輸入部，分別用以接收複數化學品，該混合歧管用來混合該些化學品以形成該無電電鍍溶液；及一化學品流體處理系統，以一受控的方式供應該些化學品到該混合歧管的該些流體輸入部，其中對於供應到該混合歧管的該些化學品其中每一者，該化學品流體處理系統包括一個別的再循環迴路，其中每一再循環迴路用來預先處理該些化學品其中特定一者，並且利用該混合歧管控制流到該流體槽的該些化學品其中該特定一者之供應。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓無電電鍍腔室用的流體處理模組，其中該混合歧管配置成使得從該混合歧管延伸到該流體槽的該第一供應管線之長度最小化。
  3. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓無電電鍍腔室用的流體處理模組，更包括：一化學品供應流體處理系統，包括複數化學品供應槽，該些化學品供應槽係連接以個別地供應該些化學品到該些再循環迴路。
  4. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓無電電鍍腔室用的流體處理模組，更包括：一沖洗流體處理系統，用來產生一乾燥流體並供應該乾燥流體到位於該腔室內的一近接頭，該沖洗流體處理系統更用來從位於該腔室內的該近接頭抽取流體。
  5. 如申請專利範圍第4項之半導體晶圓無電電鍍腔室用的流體處理模組，其中該乾燥流體包括攜載於一氮氣載體氣體中的異丙醇蒸氣。
  6. 一種半導體晶圓無電電鍍處理用的流體處理系統，包括：複數流體再循環迴路，每一流體再循環迴路用來預先處理一無電電鍍溶液的一化學成分，並且控制用來形成該無電電鍍溶液的該化學成分之供應；及一混合歧管，用來從每一流體再循環迴路接收該化學成分，並混合接收到的化學成分以形成該無電電鍍溶液，該混合歧管更用來供應被分配到一晶圓上的該無電電鍍溶液。
  7. 如申請專利範圍第6項之半導體晶圓無電電鍍處理用的流體處理系統，其中每一流體再循環迴路包括一多位置閥，該多位置閥具有：一第一設定，用來以再循環的方式，引導該流體再循環迴路內的該化學成分流過該流體再循環迴路；及一第二設定，用來引導該流體再循環迴路內的該化學成分流到該混合歧管的一輸入部。
  8. 如申請專利範圍第7項之半導體晶圓無電電鍍處理用的流體處理系統，其中每一流體再循環迴路包括一緩衝槽，位於該多位置閥的下游，每一流體再循環迴路更包括一第二閥，配置於該多位置閥和該緩衝槽之間；其中該第二閥用來使一第一壓降與一第二壓降能夠匹配，該第一壓降係從該多位置閥到該緩衝槽之壓降，而該第二壓降係從該多位置閥到該無電電鍍溶液預定要配置在該晶圓上的一位置之壓降。
  9. 如申請專利範圍第6項之半導體晶圓無電電鍍處理用的流體處 理系統，其中每一流體再循環迴路包括一加熱器，用來當該化學成分在該流體再循環迴路中循環時加熱該化學成分。
  10. 如申請專利範圍第6項之半導體晶圓無電電鍍處理用的流體處理系統，其中每一流體再循環迴路包括一除氣器，用來當該化學成分在該流體再循環迴路中循環時從該化學成分中去除氣體。
  11. 如申請專利範圍第6項之半導體晶圓無電電鍍處理用的流體處理系統，其中每一流體再循環迴路包括一過濾器，用來當該化學成分在該流體再循環迴路中循環時從該化學成分中去除微粒物質。
  12. 如申請專利範圍第6項之半導體晶圓無電電鍍處理用的流體處理系統，其中該流體處理系統包括四個流體再循環迴路，以個別地預先處理和控制該無電電鍍溶液的四種化學成分之供應；該流體處理系統更包括一注射泵，用來在該混合歧管的下游，且在大致上靠近該無電電鍍溶液預定配置在該晶圓上的一位置，將一第五化學成分注入該無電電鍍溶液中。
  13. 一種半導體晶圓無電電鍍處理用的流體處理系統之操作方法，包括：在一個別且預先處理的狀態，使一無電電鍍溶液的複數化學成分中的每一化學成分進行再循環，其中該等化學成分每一者在一個別的再循環迴路中再循環，各再循環迴路用來預先處理該等化學成分其中特定一者並且控制流到一混合歧管的該等化學成分其中該特定一者之供應；利用該混合歧管混合該些化學成分以形成該無電電鍍溶液，其中該混合係於該些化學成分中的每一化學成分的該再循環之下游且與該再循環分開而進行；及 使該無電電鍍溶液流到位於一無電電鍍腔室內的複數分配位置，其中該混合係在使該無電電鍍溶液流到該些分配位置的距離最小化之一位置進行。
  14. 如申請專利範圍第13項之半導體晶圓無電電鍍處理用的流體處理系統之操作方法，其中該再循環包括除氣、加熱、及過濾該些化學成分其中每一者。
  15. 如申請專利範圍第13項之半導體晶圓無電電鍍處理用的流體處理系統之操作方法，其中控制該流動以使得在該些分配位置其中每一位置的該無電電鍍溶液具有大致相同的流率。
  16. 如申請專利範圍第13項之半導體晶圓無電電鍍處理用的流體處理系統之操作方法，更包括：當該無電電鍍溶液流到該些分配分置時，在該無電電鍍溶液內注入一活化化學品。
  17. 如申請專利範圍第13項之半導體晶圓無電電鍍處理用的流體處理系統之操作方法，更包括：控制該流動，俾僅容許最小需求量之該無電電鍍溶液流到該些分配位置；及在該無電電鍍處理之後，將容許流到該些分配位置的該無電電鍍溶液丟棄。
  18. 如申請專利範圍第13項之半導體晶圓無電電鍍處理用的流體處理系統之操作方法，更包括：在該無電電鍍處理之後，使一清潔化學品從該混合位置流到並通過該些分配位置，其中該清潔化學品係經調配以去除該無電電鍍溶液所產生的電鍍沉積物。
TW97113603A 2007-04-16 2008-04-15 晶圓無電電鍍用之流體處理系統及相關方法 TWI457171B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/735,989 US8844461B2 (en) 2007-04-16 2007-04-16 Fluid handling system for wafer electroless plating and associated methods

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200906479A TW200906479A (en) 2009-02-16
TWI457171B true TWI457171B (zh) 2014-10-21

Family

ID=39852629

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW97113603A TWI457171B (zh) 2007-04-16 2008-04-15 晶圓無電電鍍用之流體處理系統及相關方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8844461B2 (zh)
JP (1) JP2010525165A (zh)
KR (1) KR101525265B1 (zh)
CN (1) CN101663736B (zh)
TW (1) TWI457171B (zh)
WO (1) WO2008130518A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010033256A1 (de) 2010-07-29 2012-02-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Methode zur Erzeugung gezielter Strömungs- und Stromdichtemuster bei der chemischen und elektrolytischen Oberflächenbehandlung
US20120260517A1 (en) * 2011-04-18 2012-10-18 Lam Research Corporation Apparatus and Method for Reducing Substrate Pattern Collapse During Drying Operations
CN103187338B (zh) * 2011-12-30 2015-08-19 无锡华瑛微电子技术有限公司 模块化半导体处理设备
CN103187240B (zh) * 2011-12-30 2016-06-01 无锡华瑛微电子技术有限公司 半导体处理设备
US9490149B2 (en) * 2013-07-03 2016-11-08 Lam Research Corporation Chemical deposition apparatus having conductance control
TWI585539B (zh) 2014-05-15 2017-06-01 東京威力科創股份有限公司 用以在光阻分配系統中增進再循環及過濾的方法及設備
IT201800009071A1 (it) * 2018-10-01 2020-04-01 Rise Tech Srl Realizzazione di strutture multi-componente tramite menischi dinamici
JP2022550204A (ja) * 2019-10-01 2022-11-30 エレメンタル・サイエンティフィック・インコーポレイテッド インライン分析のための揮発性試料の自動インライン調製及び脱気

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1192949A (ja) * 1997-09-16 1999-04-06 Ebara Corp 半導体ウエハーの配線メッキ装置
JP2000064087A (ja) * 1998-08-17 2000-02-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板メッキ方法及び基板メッキ装置
WO2001048800A1 (fr) * 1999-12-24 2001-07-05 Ebara Corporation Procede et appareil de traitement de tranche de semi-conducteur
JP2001192845A (ja) * 2000-01-13 2001-07-17 Tokyo Electron Ltd 無電解メッキ装置及び無電解メッキ方法
TW478056B (en) * 1999-12-27 2002-03-01 Nu Tool Inc Work piece carrier head for plating and polishing
TW527633B (en) * 2001-01-16 2003-04-11 Nutool Inc An integrated system for processing a plurality of wafers and a method of processing at least one wafer having a conductive front surface using an integrated wafer processing system
US20040045502A1 (en) * 2002-08-27 2004-03-11 Toshio Yokoyama Apparatus for and method of processing substrate
TWI247056B (en) * 2003-04-23 2006-01-11 Air Liquide Method and apparatus for monitoring, dosing and distribution of chemical solutions
TWI251511B (en) * 2002-09-30 2006-03-21 Lam Res Corp Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
TWI278358B (en) * 2004-09-30 2007-04-11 Lam Res Corp Apparatus and method for processing a substrate

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2941902A (en) * 1957-07-02 1960-06-21 Gen Am Transport Chemical nickel plating methods and systems
US3931790A (en) 1971-07-06 1976-01-13 Ppg Industries, Inc. Angled crossfire rinses
US4239732A (en) * 1979-04-13 1980-12-16 The Martin Sweets Company, Inc. High velocity mixing system
JPS5938304B2 (ja) 1980-08-27 1984-09-14 富士電機株式会社 無電解メツキ装置
BE1000670A5 (fr) * 1987-06-25 1989-03-07 Baxter Travenol Lab Dispositif de remplissage de poches a l'aide d'un liquide de perfusion.
JP3560652B2 (ja) * 1994-09-06 2004-09-02 コニカミノルタホールディングス株式会社 混合方法
US6060176A (en) 1995-11-30 2000-05-09 International Business Machines Corporation Corrosion protection for metallic features
US5857589A (en) * 1996-11-20 1999-01-12 Fluid Research Corporation Method and apparatus for accurately dispensing liquids and solids
US6696449B2 (en) 1997-03-04 2004-02-24 Pharmacia Corporation Sulfonyl aryl hydroxamates and their use as matrix metalloprotease inhibitors
US6247479B1 (en) * 1997-05-27 2001-06-19 Tokyo Electron Limited Washing/drying process apparatus and washing/drying process method
US6171367B1 (en) * 1997-06-05 2001-01-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method and apparatus for delivering and recycling a bubble-free liquid chemical
EP1061157A4 (en) 1998-03-02 2009-05-06 Ebara Corp SUBSTRATE COATING DEVICE
KR100265286B1 (ko) * 1998-04-20 2000-10-02 윤종용 반도체장치 제조용 케미컬 순환공급장치 및 이의 구동방법
US6192827B1 (en) 1998-07-03 2001-02-27 Applied Materials, Inc. Double slit-valve doors for plasma processing
JP3639151B2 (ja) 1999-03-11 2005-04-20 株式会社荏原製作所 めっき装置
US6258223B1 (en) 1999-07-09 2001-07-10 Applied Materials, Inc. In-situ electroless copper seed layer enhancement in an electroplating system
JP2001073157A (ja) 1999-09-08 2001-03-21 Sony Corp 無電解めっき方法及びその装置
JP3866012B2 (ja) 2000-06-02 2007-01-10 株式会社荏原製作所 無電解めっき方法及び装置
JP3367655B2 (ja) 1999-12-24 2003-01-14 島田理化工業株式会社 めっき処理装置及びめっき処理方法
US6335104B1 (en) 2000-02-22 2002-01-01 International Business Machines Corporation Method for preparing a conductive pad for electrical connection and conductive pad formed
JP2001316834A (ja) 2000-04-28 2001-11-16 Sony Corp 無電解メッキ装置および導電膜の形成方法
US7905653B2 (en) * 2001-07-31 2011-03-15 Mega Fluid Systems, Inc. Method and apparatus for blending process materials
JP3883802B2 (ja) 2000-10-26 2007-02-21 株式会社荏原製作所 無電解めっき装置
JP2002332597A (ja) 2001-05-11 2002-11-22 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
JP2002367998A (ja) 2001-06-11 2002-12-20 Ebara Corp 半導体装置及びその製造方法
US6889627B1 (en) 2001-08-08 2005-05-10 Lam Research Corporation Symmetrical semiconductor reactor
US6645567B2 (en) 2001-12-19 2003-11-11 Intel Corporation Electroless plating bath composition and method of using
US6824612B2 (en) 2001-12-26 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Electroless plating system
US6913651B2 (en) 2002-03-22 2005-07-05 Blue29, Llc Apparatus and method for electroless deposition of materials on semiconductor substrates
US6814813B2 (en) 2002-04-24 2004-11-09 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition apparatus
US7223323B2 (en) * 2002-07-24 2007-05-29 Applied Materials, Inc. Multi-chemistry plating system
JP3985864B2 (ja) 2002-08-27 2007-10-03 株式会社荏原製作所 無電解めっき装置及び方法
JP3824567B2 (ja) * 2002-09-30 2006-09-20 株式会社荏原製作所 基板処理装置
JP3495033B1 (ja) * 2002-09-19 2004-02-09 東京エレクトロン株式会社 無電解メッキ装置、および無電解メッキ方法
US6954993B1 (en) * 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US7252097B2 (en) * 2002-09-30 2007-08-07 Lam Research Corporation System and method for integrating in-situ metrology within a wafer process
US6699380B1 (en) 2002-10-18 2004-03-02 Applied Materials Inc. Modular electrochemical processing system
US7189146B2 (en) * 2003-03-27 2007-03-13 Asm Nutool, Inc. Method for reduction of defects in wet processed layers
US6881437B2 (en) 2003-06-16 2005-04-19 Blue29 Llc Methods and system for processing a microelectronic topography
JP2005068494A (ja) 2003-08-25 2005-03-17 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd 薄膜処理装置、薄膜処理方法、薄膜トランジスタおよび表示装置
US20050051437A1 (en) * 2003-09-04 2005-03-10 Keiichi Kurashina Plating apparatus and plating method
US7335277B2 (en) 2003-09-08 2008-02-26 Hitachi High-Technologies Corporation Vacuum processing apparatus
US7323058B2 (en) 2004-01-26 2008-01-29 Applied Materials, Inc. Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
US7465358B2 (en) 2003-10-15 2008-12-16 Applied Materials, Inc. Measurement techniques for controlling aspects of a electroless deposition process
US7597763B2 (en) * 2004-01-22 2009-10-06 Intel Corporation Electroless plating systems and methods
US20050181226A1 (en) 2004-01-26 2005-08-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for selectively changing thin film composition during electroless deposition in a single chamber
JP2006111938A (ja) 2004-10-15 2006-04-27 Tokyo Electron Ltd 無電解めっき装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1192949A (ja) * 1997-09-16 1999-04-06 Ebara Corp 半導体ウエハーの配線メッキ装置
JP2000064087A (ja) * 1998-08-17 2000-02-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板メッキ方法及び基板メッキ装置
WO2001048800A1 (fr) * 1999-12-24 2001-07-05 Ebara Corporation Procede et appareil de traitement de tranche de semi-conducteur
TW478056B (en) * 1999-12-27 2002-03-01 Nu Tool Inc Work piece carrier head for plating and polishing
JP2001192845A (ja) * 2000-01-13 2001-07-17 Tokyo Electron Ltd 無電解メッキ装置及び無電解メッキ方法
TW527633B (en) * 2001-01-16 2003-04-11 Nutool Inc An integrated system for processing a plurality of wafers and a method of processing at least one wafer having a conductive front surface using an integrated wafer processing system
US20040045502A1 (en) * 2002-08-27 2004-03-11 Toshio Yokoyama Apparatus for and method of processing substrate
TWI251511B (en) * 2002-09-30 2006-03-21 Lam Res Corp Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
TWI247056B (en) * 2003-04-23 2006-01-11 Air Liquide Method and apparatus for monitoring, dosing and distribution of chemical solutions
TWI278358B (en) * 2004-09-30 2007-04-11 Lam Res Corp Apparatus and method for processing a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR101525265B1 (ko) 2015-06-02
WO2008130518A1 (en) 2008-10-30
TW200906479A (en) 2009-02-16
JP2010525165A (ja) 2010-07-22
US8844461B2 (en) 2014-09-30
KR20090130133A (ko) 2009-12-17
CN101663736A (zh) 2010-03-03
CN101663736B (zh) 2012-03-21
US20080251148A1 (en) 2008-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI457171B (zh) 晶圓無電電鍍用之流體處理系統及相關方法
TWI578396B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
US20060033678A1 (en) Integrated electroless deposition system
US20070111519A1 (en) Integrated electroless deposition system
CN109037111B (zh) 基板处理装置
JP2010525165A5 (zh)
US9287110B2 (en) Method and apparatus for wafer electroless plating
WO2020110709A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN109427623B (zh) 基板干燥方法和基板处理装置
WO2007016218A2 (en) Integrated electroless deposition system
TWI584356B (zh) 晶圓無電電鍍系統及相關之方法
JP2010525166A5 (zh)
TWI809652B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP2010525164A5 (zh)
US20230298936A1 (en) Combined self-forming barrier and seed layer by atomic layer deposition
JP2004296552A (ja) 基板乾燥装置
TW201803650A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
US20050022909A1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
CN113169061A (zh) 基板处理方法及基板处理装置
KR100888651B1 (ko) 기판을 처리하는 방법 및 장치

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees