TWI452614B - 晶片剝離方法、晶片剝離裝置以及半導體裝置製造方法 - Google Patents

Description

晶片剝離方法、晶片剝離裝置以及半導體裝置製造方法

本發明是關於一種晶片剝離方法、晶片剝離裝置以及半導體裝置製造方法。

於半導體裝置的製造步驟中，需要將經切割的半導體晶片(以下簡稱晶片)自黏著片材拾取(pickup)。先前的晶片剝離裝置有：具備保持黏著片材的平台、相對於該平台而進退的頂出台，以及藉由該頂出台而頂出的針的晶片剝離裝置。即以如下方式構成：利用藉由頂出台而頂出的針，使平台的黏著片材自背面側頂出，從而使晶片自黏著片材脫離。

然而，使用針的晶片剝離裝置存在針將晶片頂出而自黏著片材剝離時會刺破膠帶的情況，於此種情況下，有會損傷晶片背面的擔憂。另外，由於磨損或破損而使各針的長度不同，而成為晶片傾斜頂出的狀態，從而有相鄰的晶片彼此碰撞而互相損傷的擔憂。

而且，利用筒夾(collet)吸附而取出晶片。然而，若晶片傾斜頂出，則產生利用筒夾的晶片的吸附錯誤。若產生筒夾的晶片吸附錯誤，則對其後的作業帶來障礙。另外，亦存在由於針的頂出而晶片損傷的情況。

因此，近年來，提出不使用此種針的晶片剝離裝置(日本專利第3209736號說明書)。該晶片剝離裝置如圖5A、圖5B與圖6所示，具備保持貼附有晶片1的黏著片材2 的平台3。另外，於平台3上附設有上表面4a較平台的上表面3a更突出的可動平台部4。即，於平台3上設有凹部5，於該凹部5中嵌合可動平台部4。於該情況下，可於可動平台部4的上表面4a與平台3的上表面3a之間形成S0的階差。即，可動平台部4的上表面4a較平台3的上表面3a於垂直方向上僅高出S0。另外，自可動平台部4的端面9露出晶片1的第1邊1a。因此，於可動平台部4的外周側，在與黏著片材2之間形成空隙6。而且，如圖6所示，於平台3上設有與上述空隙6連通之抽吸孔8。

接著，對使用上述晶片剝離裝置的晶片剝離方法進行說明。首先，於利用圖示省略的筒夾(吸附筒夾)，自上方吸附(保持)晶片1的狀態下，經由抽吸孔8，將黏著片材2抽吸至下方。藉此，抽吸空隙6的空氣，並抽吸晶片1的露出部的黏著片材2，如圖6所示的虛線所示般，於晶片1的露出部剝離黏著片材2。

在使用上述晶片剝離裝置之情況下，於剝離的初始階段，需要剝去晶片1的周圍部的一部分(於圖5A所示的情況下為晶片1的露出部)的黏著片材2。該晶片1的露出部的黏著片材2由於切割時的應力而黏附較牢，故為了進行剝離，需要較其他部位更大的應力。因此，使可動平台部4的上表面4a自平台的上表面3a僅突出S0。藉此，剝離黏著片材2的應力變大，而可剝離晶片1的露出部的黏著片材2。

然後，如圖5B所示，使可動平台部4朝箭頭的方向 移動。藉此，利用可動平台部4所支撐的晶片1的支撐面積減少，黏著片材2的吸附(抽吸)面積增加，最終可自該晶片1完全剝離黏著片材2。

於剝離黏著片材2時，藉由可剝離周圍部的一部分(露出部)的較大應力，即較高階差，而可對晶片賦予較大彎曲，於維持該階差的狀態下進行滑動運作。如此般，於剝離初始階段將周圍部的一部分(露出部)剝離的情況下，需要較大的剝離力。然而，剝離周圍部的一部分後，使可動平台部4滑動而剝離其他部位時，無需剝離初始階段的較大的剝離力。即，在剝離階段於晶片的背面之剝離強度並不一樣。

因此，若以初始階段的剝離為重點，增大可動平台部4的上表面4a與平台上表面3a的階差，則於使可動平台部4滑動而剝離其他部位時，可於較高階差的狀態下施加滑動運作。因此，會對相鄰設置的其他晶片1賦予如動態扭轉的應力。若賦予此種應力，則有相鄰設置的其他晶片1產生較大彎曲而破裂的擔憂。

另外，相反若以滑動運作時為重點，將可動平台部4的上表面4a與平台上表面3a的階差設定得較小，則於初始階段的剝離中無法產生所需的較大剝離力。

鑒於上述課題，本發明提供一種晶片剝離方法、晶片剝離裝置以及半導體裝置製造方法。上述晶片剝離方法於剝離的初始階段，可利用較大的剝離力剝離晶片的周圍部 的一部分(露出部)，於進行滑動時，可減輕滑動應力下的破裂，從而可容易地剝離而取出應剝離的晶片。

本發明的晶片剝離方法是自於上表面貼附有晶片的黏著片材剝離上述晶片的晶片剝離方法，其是於具備固定平台部與可動平台部的平台上，使應剝離的晶片與可動平台部相對應，且該晶片的周圍部的至少一部分自可動平台部露出，以如上方式進行設置後，於上述露出狀態下，利用上述凸狀部使上述晶片的露出部分經由上述黏著片材而頂出，而於露出部的下方形成空隙，接著，對露出部下部的空隙作用負壓後驅動上述可動平台部。

根據本發明的晶片剝離方法，可利用凸狀部使晶片的露出部分經由上述黏著片材而頂出。並且，於該頂出狀態下，對露出部下方的空隙作用負壓，藉此可賦予較大的剝離力。因此，於晶片的露出部，抽吸黏著片材，而使黏著片材自晶片剝離。然後，藉由驅動可動平台部，減少利用可動平台部的晶片的支撐面積，增加黏著片材的吸附(抽吸)面積，而使剝離範圍變廣，最終可自該應剝離的晶片完全剝離黏著片材。即，於剝離初始階段，可對黏著片材作用較大的剝離力；另外，於可動平台部滑動時，可防止對相鄰設置的其他晶片賦予如動態扭轉的應力，減小對相鄰設置的其他晶片所賦予的彎曲。

可使上述凸狀部的頂出面較固定平台部的上表面更高，而於露出部的下方設置空隙。

可於晶片的露出狀態下，使可動平台部的上表面自固 定平台部的上表面***。

可使上述可動平台部朝與露出側相反的方向，沿著水平方向滑動。

使上述凸狀部的頂出面較可動平台部的上表面更高地頂出後，於可動平台部驅動時，可使上述凸狀部的頂出面與可動平台部的上表面為相同高度或較可動平台部的上表面更低。

本發明的半導體裝置製造方法是使用晶片剝離方法而製造半導體裝置的方法。

本發明的晶片剝離裝置是自於上表面貼附有晶片的黏著片材剝離上述晶片的晶片剝離裝置，其具備：平台，其具備固定平台部與可動平台部；凸狀部，其於使應剝離的晶片與可動平台部相對應且該晶片的周圍部的至少一部分自可動平台部露出的狀態下，使該晶片的露出部分經由上述黏著片材而頂出，而於該露出部的下方形成空隙；負壓供給單元，其經由負壓通道對上述空隙作用負壓；以及滑動單元，其使上述可動平台部朝與上述露出側相反側，沿著水平方向滑動。

可由銷狀(pin)構件或板狀構件構成上述凸狀部。即，無論銷狀構件，還是板狀構件，均可頂出晶片。可使可動平台部自由滑動、或者自由升降且自由滑動。

於本發明中，於進行吸附前(負壓作用前)，可確保負壓作用用的空隙，並可穩定地進行晶片的露出部的剝 離。另外，進行滑動時，可防止對相鄰設置的其他晶片賦予彎曲，而可進一步防止相鄰設置的其他晶片的破裂。

凸狀部可為銷狀構件，亦可為板狀構件，能以簡單的構成而形成，而可謀求低成本化，並且頂出功能亦穩定。另外，若可動平台部可升降，則可設置使可動平台部滑動時最適合的較低階差(固定平台部的上表面與可動平台部的上表面的階差)。藉此，可減小對相鄰設置的其他晶片所賦予的彎曲，從而可確實地防止對相鄰設置的其他晶片施加較大的力。因此，可減輕滑動時的應力下的相鄰設置的其他晶片的破裂，並可容易地剝離而取出應剝離的晶片。

使上述凸狀部的頂出面較可動平台部的上表面更高地頂出，藉此可增大露出部下部的空隙，可於剝離初始階段發揮較大的剝離力，從而可謀求剝離作業的穩定化。另外，驅動(滑動)可動平台部時，使凸狀部的頂出面與可動平台部的上表面為相同高度或較可動平台部的上表面更低，藉此可使可動平台部滑動等驅動而不會受到凸狀部影響，從而可進行順利的剝離作業。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

以下，根據圖1A~圖1C、圖2、圖3及圖4A~圖4B對本發明的實施形態進行說明。

圖1A~圖1C與圖2表示本發明的晶片剝離裝置。該晶片剝離裝置是將黏著片材12上所貼附的多個矩形薄片 的晶片(半導體晶片)11，自上述黏著片材12依序剝離而取出的裝置。即，其為製造作為半導體裝置的半導體晶片11的半導體裝置製造裝置中所使用的裝置。

晶片11是藉由以晶圓10(參照圖3)為原材料，並將該原材料切斷成矩形狀而形成最終製品。因此，晶片11有正方形或條狀晶片等。即，如圖3所示，晶圓10整體為圓形，藉由切割而分割成各個晶片11，該晶片11貼附於黏著片材12上。另外，於黏著片材12的外周側貼附有包含環狀體的框13。即，該框13與黏著片材12形成一體。並且，於框13與黏著片材12形成一體的狀態下，利用該晶片剝離裝置取出晶片11。

晶片剝離裝置如圖1A~圖1C所示，其具備自上方保持應剝離的晶片11的保持單元15，及載置黏著片材12的平台16。平台16具備固定平台部16b與自由滑動的可動平台部16a。即，於固定平台部16b的上表面37設置凹部22，於該凹部22配置矩形平板體即可動平台部16a。將可動平台部16a的上表面34設定為較固定平台部16b的上表面37為更高位。即，於可動平台部16a的上表面34與固定平台部16b的上表面37之間設有階差S。

如圖2所示，可動平台部16a的寬度尺寸W設定為較正方形晶片11的一邊的長度(寬度尺寸)W1更小。於該情況下，可動平台部16a的一個前端面17a與應剝離的晶片11的第1邊23a相對應，晶片11的第1邊23a較可動平台部16a的前端面17a更露出。

於平台16上設有對與黏著片材12的邊界面導入負壓的負壓通道30。負壓通道30設有開口於晶片11的第1邊23a側的抽吸口30a、30b。於該情況下，俯視可瞭解，各抽吸口30a、30b與晶片11的露出部31相對應。

負壓通道30連接有圖示省略的真空泵。即，藉由驅動真空泵，可自負壓通道30的抽吸口30a、30b抽吸空氣。如此般，可由負壓通道30與真空泵等構成負壓供給單元(空氣抽吸單元)。

保持單元15是由具有吸附晶片11的頭20的吸附構件(筒夾)21所構成。頭20於其下端面20a設有吸附孔，經由該吸附孔而真空抽吸晶片11，從而使晶片11吸附於該頭20的下端面20a。因此，若解除該真空抽吸(抽成真空)，則晶片11自頭20脫離。

可動平台部16a經由圖示省略的驅動機構，一邊使可動平台部16a的前端面17a與晶片11的第1邊23a保持平行，一邊沿著水平方向移動。驅動機構可使用包含螺栓(bolt)軸構件與旋接於其的螺帽(nut)構件的往復移動機構或氣缸(cylinder)機構等各種機構。

另外，於固定平台部16b的凹部22設有與晶片11的露出部31相對應且包含板狀構件51的凸狀部50。即，該凸狀部50如圖2所示，其上端面(頂出面)的長邊51a設定為與可動平台部16a的前端面17a的長度尺寸大致相同，其短邊51b設定為較露出部31的寬度尺寸更小。並且，以接觸或接近於可動平台部16a的前端面17a的方式配置 該凸狀部50。

於凸狀部50連接設置有圖示省略的上下移動機構，該凸狀部50獨立於可動平台部16a而上下移動。另外，上下移動機構可使用包含螺栓軸構件與旋接於其的螺帽構件的往復移動機構或氣缸機構等各種機構。

於本發明中，於晶片11的露出部31的下部形成有空隙19，藉由使凸狀部50上升，可使晶片11的露出部31經由黏著片材12而如圖1B所示般頂出。藉由該頂出，晶片11的露出部31與固定平台部16b的上表面的階差變大。

接著，對使用上述圖1A~圖1C所示的晶片剝離裝置的晶片剝離方法進行說明。於利用可動平台部16a支撐晶片11的狀態下，使晶片11的周圍部的至少一部分(即第1邊23a側)自可動平台部16a露出。藉此，如圖1A所示般，於該露出部31的下方設置空隙19。該空隙19與抽吸口30a、30b連通。此時，使保持單元15的筒夾21的頭20與晶片11的上表面相抵接，同時經由吸附孔而真空抽吸晶片11，從而使晶片11吸附於該頭20的下端面20a。

於該狀態下，使凸狀部50的頂出面(前端面)52的高度位置與可動平台部16a的上表面34的高度位置一致。接著，如圖1B所示，使凸狀部50上升，而可使晶片11的露出部31經由黏著片材12而頂出。即，增大晶片11的露出部31與固定平台部16b的上表面的階差。

如上所述，上述空隙19與抽吸口30a、30b連通。因此，藉由驅動抽吸單元(負壓供給單元)，經由抽吸口30a、 30b抽吸空隙19的空氣而作用負壓。藉此，抽吸晶片11的露出部31，如圖1B所示的虛線所示般，自晶片11的露出部31剝離黏著片材12。

其後，如圖1C所示，使凸狀部50下降。於該情況下，凸狀部50的頂出面52的高度位置較可動平台部16a的上表面34的高度位置更低。接著，使可動平台部16a朝與露出側相反的方向即箭頭B方向，經由上述驅動機構而滑動。藉由該滑動，利用可動平台部16a的晶片11的支撐面積依序減少，對黏著片材12的下方的吸附(抽吸)面積增加。此時，晶片11保持(吸附)於筒夾21，故黏著片材12依序自晶片11剝離。因此，可動平台部16a的前端面17a自晶片11的第1邊23a脫離時，可自該應剝離的晶片11完全剝離黏著片材12。

並且，剝離後，使筒夾21上升而離開平台16，藉此可自黏著片材12取出晶片11。然後，解除上述負壓狀態，使可動平台部16a沿著與上述箭頭B相反的方向滑動，而恢復至圖1A所示的狀態。

然後，若依序使該晶片剝離裝置對應於晶片11而進行操作，則可將黏著片材12上所有的晶片11自黏著片材12剝離而取出。如此般，可於製造半導體裝置時使用該晶片剝離裝置。此處，所謂半導體裝置，是指藉由利用半導體特性而可發揮功能的所有裝置，電光學裝置、半導體電路以及電子設備全部為半導體裝置。另外，亦可為：形成有電路的晶圓狀態的裝置、自晶圓切出的各個半導體晶 片、將晶圓分割成多個而成的裝置、於晶圓狀態下所封裝的裝置、將於晶圓狀態下所封裝的裝置分割成多個而成的裝置、以及對在晶圓狀態下所封裝的裝置進行切割而製成各個半導體元件的裝置。

於本發明中，可利用凸狀部50使晶片11的露出部31經由黏著片材12而頂出。並且，於該頂出狀態下，對露出部31的下方的空隙19作用負壓，藉此可賦予較大的剝離力。然後，藉由驅動可動平台部，而最終可自該應剝離的晶片11完全剝離黏著片材。即，於剝離初始階段，可對黏著片材12作用較大的剝離力，另外，於可動平台部16a滑動時，可防止對相鄰設置的其他晶片11賦予如動態扭轉的應力，而減小對相鄰設置的其他晶片11所賦予的彎曲，從而可進一步防止相鄰設置的其他晶片11的破裂。

另外，驅動(滑動)可動平台部16a時，可使凸狀部50的頂出面52較可動平台部16a的上表面34更低，故可使可動平台部16a滑動等驅動而不受凸狀部50影響，從而可進行順利的剝離作業。

圖4A~圖4B表示凸狀部50的變形例，於圖4A中，包含俯視大致呈「」字狀的板狀構件53。即，該板狀構件53包含：與可動平台部16a的前端面17a平行配置的平板狀本體部53a，及自該平板狀本體部53a的端部呈直角彎曲的端片部53b、53b。端片部53b、53b是沿著可動平台部16a的前端面17a的側面而配設。利用該凸狀部50頂出晶片11時的頂出面52於俯視時呈「」字狀。因此， 若使用圖4A的凸狀部50，則可穩定地進行晶片11的頂出，並可於剝離初始階段發揮較大的剝離力，從而可謀求剝離作業的穩定化。

於圖4B中，凸狀部50是由銷狀構件55所構成。於該情況下，沿著可動平台部16a的前端面17a，以特定間距(pitch)配設3根銷狀構件。各銷狀構件55可上下移動。因此，藉由各銷狀構件55的上升，可使晶片11的露出部31經由黏著片材12而頂出。因此，即便使用包含該銷狀構件55的凸狀部50，亦可於剝離初始階段發揮較大的剝離力，而可進行剝離作業。

然而，於上述圖1A~圖1C所示的晶片剝離裝置中，可動平台部16a為僅進行滑動的構件，但可動平台部16a亦可為進行上下移動(升降)及滑動的構件。

即，該情況下的驅動單元具備：使可動平台部16a升降的升降機構部(升降單元)，及使可動平台部16a滑動的滑動機構部(滑動單元)。升降機構部例如是具有上推銷，經由往復移動機構使該上推銷上下移動的機構部。另外，滑動機構部(滑動單元)具備使該升降機構部沿著大致水平方向滑動的往復移動機構。另外，升降機構部及滑動機構部的往復移動機構可使用包含螺栓軸構件與旋接於其的螺帽構件的往復移動機構或氣缸機構、線性致動器(linear actuator)等各種公知公用的機構。

若使可動平台部16a自由升降，則可對可動平台部16a的上表面34與固定平台部16b的上表面37的階差量進行 各種變更。即，可使可動平台部暫時上升後又使其下降至原來的位置，或者使可動平台部16a暫時上升後又使其下降至較原來的位置更高的中間高度位置。

藉由以此種方式進行變更，可使可動平台部16a與固定平台部16b形成較高的階差，或者形成較低的階差。因此，於剝離初始階段，若增大可動平台部16a與固定平台部16b的階差，則即便減小凸狀部50的上升量，亦可對黏著片材12作用較大的剝離力。因此，可防止產生由凸狀部50的頂出所引起的晶片11的彎折力。此外，若減小可動平台部16a與固定平台部16b的階差，則於可動平台部16a滑動時，可有效地防止對相鄰設置的其他晶片11賦予如動態扭轉的應力，而可減小對相鄰設置的其他晶片11所賦予的彎曲。

以上，對本發明的實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態，可進行各種變形，例如，平台16上所設置的抽吸口30a可於可抽吸空隙19的空氣的範圍內，對大小、數目、形狀等進行任意設定。因此，抽吸口30a亦可為1個。另外，應剝離的晶片11並不限於正方形，亦可為具有短邊與長邊的長方形，而且亦可為長邊極長於短邊的條狀。黏著片材12的厚度亦根據抽吸力等而有所不同，為了於利用抽吸單元(負壓供給單元)抽吸空隙19的空氣時可自晶片11剝離，而為可進行彎曲變形的厚度即可。

可動平台部16a的厚度亦可於利用抽吸單元(負壓供 給單元)抽吸空隙19的空氣時，根據可自晶片11剝離的範圍而任意設定。另外，可動平台部16a的角部的角度並不限於90度，可稍微呈銳角亦可稍微呈鈍角。

黏著片材12上所貼附的晶片11的數目亦為任意數目，於本發明中，可依序剝離黏著片材12上所有的晶片11而不受數目影響。晶片11的露出部31的面積可於作用負壓時，於剝離力作用於黏著片材12的範圍內進行各種設定。

於使用板狀構件51作為凸狀部50的情況下，於上述實施形態中，如圖2所示，其長邊51a設定為與可動平台部16a的長度大致相同，但其長邊51a亦可較可動平台部16a的長度更長或者更短。另外，板狀構件51的厚度尺寸只要可配置於露出部31的下方即可。板狀構件51亦可具有多個。

於使用銷狀構件55作為凸狀部50的情況下，於上述實施形態中，如圖4B所示，其數目為3根，但其數目可任意增減。另外，銷狀構件55可為剖面呈圓形的圓柱體，亦可為剖面呈長圓或橢圓形的柱體，以及剖面呈三角形、四角形、五角形或該等以上的角形的稜柱體等。另外，亦可為筒體。銷狀構件55的頂出面52的面積亦可於可將露出部31上推的範圍內進行各種變更。

於圖1C所示的狀態下，可使凸狀部50的頂出面52的高度位置與可動平台部16a的上表面34的高度位置一致。即便於此種一致的情況下，亦不會對可動平台部16a 的滑動產生不良影響。

晶片11的露出部31的露出量可根據晶片11的大小、厚度、材質等，於剝離初始階段，於可利用負壓的作用而剝離黏著片材12的範圍內，進行任意設定。

[產業上之可利用性]

可用於使黏著片材上所貼附的多個矩形薄片的晶片(半導體晶片)自黏著片材依序剝離而拾取的拾取裝置中。晶片是藉由以晶圓為原材料，並將該原材料切斷成矩形狀而形成最終製品。因此，晶片有正方形或條狀晶片等。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

1、11‧‧‧晶片

1a、23a‧‧‧第1邊

2、12‧‧‧黏著片材

3、16‧‧‧平台

3a、4a、34、37‧‧‧上表面

4、16a‧‧‧可動平台部

5、22‧‧‧凹部

6、19‧‧‧空隙

8‧‧‧抽吸孔

9‧‧‧端面

10‧‧‧晶圓

13‧‧‧框

15‧‧‧保持單元

16b‧‧‧固定平台部

17a‧‧‧前端面

20‧‧‧頭

20a‧‧‧下端面

21‧‧‧筒夾

30‧‧‧負壓通道

30a、30b‧‧‧抽吸口

31‧‧‧露出部

50‧‧‧凸狀部

51、53‧‧‧板狀構件

51a‧‧‧長邊

51b‧‧‧短邊

52‧‧‧頂出面

53a‧‧‧平板狀本體部

53b‧‧‧端片部

55‧‧‧銷狀構件

B‧‧‧箭頭

S、S0‧‧‧階差

W、W1‧‧‧寬度尺寸

圖1A表示使用本發明的晶片剝離裝置的晶片剝離方法於凸狀部頂出前的簡略剖面圖。

圖1B表示使用本發明的晶片剝離裝置的晶片剝離方法於凸狀部的頂出狀態的簡略剖面圖。

圖1C表示使用本發明的晶片剝離裝置的晶片剝離方法於可動平台部的滑動狀態的簡略剖面圖。

圖2是上述晶片剝離裝置的簡略平面圖。

圖3是表示黏著片材上所貼附的晶片的簡略平面圖。

圖4A是表示凸狀部的第1變形例的簡略平面圖。

圖4B是表示凸狀部的第2變形例的簡略平面圖。

圖5A表示使用先前的晶片剝離裝置的晶片剝離方法於可動平台部滑動前的簡略剖面圖。

圖5B表示使用先前的晶片剝離裝置的晶片剝離方法於可動平台部的滑動狀態的簡略剖面圖。

圖6是先前的晶片剝離裝置的簡略平面圖。

11‧‧‧晶片

12‧‧‧黏著片材

16‧‧‧平台

16a‧‧‧可動平台部

16b‧‧‧固定平台部

19‧‧‧空隙

22‧‧‧凹部

34、37‧‧‧上表面

50‧‧‧凸狀部

51‧‧‧板狀構件

52‧‧‧頂出面

Claims (10)

1. 一種晶片剝離方法，其是自於上表面貼附有晶片的黏著片材剝離上述晶片的晶片剝離方法，其特徵在於：於具備固定平台部與可動平台部的平台上，使應剝離的晶片與可動平台部相對應，且該晶片的周圍部的至少一部分自可動平台部露出，以如上方式進行設置後；於上述露出狀態下，利用上述凸狀部使上述晶片的露出部分經由上述黏著片材而頂出，而於露出部的下方形成空隙；接著，對露出部下部的空隙作用負壓後，驅動上述可動平台部。
2. 如申請專利範圍第1項所述之晶片剝離方法，其中使上述凸狀部的頂出面較固定平台部的上表面更高，而於露出部的下方設置空隙。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之晶片剝離方法，其中於晶片的露出狀態下，使可動平台部的上表面自固定平台部的上表面***。
4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之晶片剝離方法，其中使上述可動平台部朝與露出側相反的方向，沿著水平方向滑動。
5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之晶片剝離方法，其中使上述凸狀部的頂出面較可動平台部的上表面更高地頂出後，於驅動可動平台部時，使上述凸狀部的頂出面與可動平台部的上表面為相同高度或較可動平台部的上 表面更低。
6. 一種半導體裝置製造方法，其是使用如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之晶片剝離方法而製造半導體裝置。
7. 一種晶片剝離裝置，其是自於上表面貼附有晶片的黏著片材剝離上述晶片的晶片剝離裝置，其特徵在於具備：平台，其具備固定平台部與可動平台部；凸狀部，其於使應剝離的晶片與可動平台部相對應，且該晶片的周圍部的至少一部分自可動平台部露出的狀態下，使該晶片的露出部分經由上述黏著片材而頂出，而於該露出部的下方形成空隙；負壓供給單元，其經由負壓通道對上述空隙作用負壓；以及滑動單元，其使上述可動平台部朝與上述露出側相反側，沿著水平方向滑動。
8. 如申請專利範圍第7項所述之晶片剝離裝置，其是由銷狀構件或板狀構件構成上述凸狀部。
9. 如申請專利範圍第7項或第8項所述之晶片剝離裝置，其使可動平台部自由滑動。
10. 如申請專利範圍第7項或第8項所述之晶片剝離裝置，其使可動平台部自由升降且自由滑動。