TWI439687B - 發光二極體測試設備及其測試方法 - Google Patents

Description

發光二極體測試設備及其測試方法

本發明係關於發光二極體測試設備及其測試方法，其能夠應用於背光(backlight)或者發光裝置(lighting device)，更詳而言之，係關於發光二極體測試設備及其測試方法，其能夠藉由利用可見光(visible ray)或紫外光(ultraviolet ray)自動地實施測試而確保發光二極體測試之可靠度(reliability)，以判斷發光二極體係可接受的或者有缺陷的。

一般而言，發光二極體(light emitting diode；LED)係一種半導體裝置，其係藉由組構光源及藉由變換化合物半導體材料(如砷化鎵(GaAs)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、氮化鎵(GaN)或磷化銦鎵銦(InGaInP))而發射各種不同顏色的光。

高亮度、高品質之發光二極體產品(而不是一般性目的、低亮度之發光二極體產品)能夠依賴半導體技術上之快速進展而量產製造。再者，由於實現了具有優異性質之藍光和白光發光二極體，這些發光二極體之應用範圍已擴展至下一世代之光源及顯示器。於各種不同的發光二極體之中，現將參考第1圖所描述之白光發光二極體。

第1圖係描繪根據先前技術之白光發光二極體之組構的剖面圖。

於根據先前技術之白光發光二極體(如第1圖所示)中，引線框架(lead frame)20(由第一和第二引線框架21 和22所構成)係形成於桶(bucket)10之內側底部(inner bottom)上，該桶10則由合成可塑性樹脂(synthetic plastic resin)所形成。藍光發光二極體30係接置且連接至該第一引線框架21，同時二極體40係接置且連接至該第二引線框架22。該藍光發光二極體30和該二極體40係透過接合線(bonding wire)50而互相電性連接。

在此，為了利用藍光發光二極體和黃色磷光體(phosphor)發射白光，以包覆體(encapsulant)60填充藍光發光二極體晶片封裝件，該包覆體60係由矽氧樹脂(silicone resin)混和黃色磷光體所形成。也就是說，該桶10之內部係塗佈有含有該黃色磷光體之包覆體60，使得發射自該藍光發光二極體30之藍光藉由該包覆體60中之黃色磷光體而轉變成為白光。

近來，為了與綠光和紅光發光區域相配，可添加綠色或藍色磷光體及該黃色磷光體至該包覆體60。

根據先前技術於白光發光二極體之製造製程中，該封裝件中所填充之包覆體之數量與該矽氧樹脂及黃色磷光體的混和比例同樣重要。該包覆體係利用散布裝置(dispensing device)供應。當供應該包覆體時，因為並未適當地供應該包覆體而該桶可能並未塗佈有該包覆體，或者由於該包覆體的過度供應而造成溢流(overflow)。於供應該包覆體之製程中，也可能發生外來物質(foreign substance)進入或者桶損壞的情形。由於這些缺陷會造成該白光發光二極體之品質變差，故於該製造製程中需要測 試以判斷該白光發光二極體係可接受抑或是有缺陷的。

然而，判斷白光發光二極體係可接受的或者有缺陷之測試係利用肉眼實施。對於利用肉眼進行的測試，檢查員之間對於客觀測試之標準係模糊不清，且由於熟習和不熟習之檢查員間偵測能力不同會造成測試結果的可靠度降低。

本發明之態樣提供一種發光二極體測試設備及其測試方法，能夠藉由利用可見光或紫外光自動地實施測試而確保發光二極體測試之可靠度，以判斷發光二極體係可接受或是有缺陷的。

根據本發明之態樣，提供一種發光二極體測試設備，其包含：第一發光單元，係產生第一光線並將該第一光線照射至發光二極體之上，該發光二極體具有包含螢光材料(fluorescent material)之包覆體，該第一光線激發該螢光材料，以發射波長較該第一光線更長之光線；第二發光單元，係產生波長較該第一光線更長之第二光線，以將該第二光線照射至該發光二極體之上；影像擷取單元，係接收發射自該螢光材料之光線及反射離開該發光二極體之第二光線，以獲得該發光二極體之影像；以及發光二極體狀態判斷單元，係利用藉由該影像擷取單元所獲得之發光二極體之影像而判斷該發光二極體係可接受或是有缺陷的。

該第一光線可為紫外光，而該第二光線可為可見光。

該發光二極體測試設備可復包含分光器(beam splitter)，該分光器反射發射自該第一發光單元之第一光線，以供應經反射之光線至該發光二極體，並且傳送發射自該發光二極體之光線。

該發光二極體測試設備可復包含彩色濾光片，該彩色濾光片係排列於發射自該發光二極體之光線之光學路徑(optical path)上，傳送發射自該螢光材料之光線並且阻擋具有不同波長之光線。

當關閉該第二發光單元時，則可開啟該第一發光單元，以及當關閉該第一發光單元時，則可開啟該第二發光單元。

當關閉該第二發光單元時，則可開啟該第一發光單元，以及當關閉該第一發光單元時，則可開啟該第二發光單元。

當開啟該第一發光單元時，該彩色濾光片可位於預先設定之濾光區域(filtering region)中，以及當開啟該第二發光單元時，該彩色濾光片可位於該預先設定之濾光區域以外之區域中。

該影像擷取單元可利用發射自該螢光材料之光線而獲得第一發光二極體影像，並且可利用反射離開該發光二極體之第二光線而獲得第二發光二極體影像，以及該發光二極體狀態判斷單元可自該第一發光二極體影像萃取出第一邊緣線，並且可自該第二發光二極體影像萃取(extract)出第二邊緣線。

該發光二極體狀態判斷單元可藉由比較該第二邊緣 線與該發光二極體之參考邊緣線而實施遮罩匹配(mask matching)，以判斷其間之包覆體之尺寸和排列方向是否係相同的。

該發光二極體狀態判斷單元可藉由比較該第一邊緣線與該第二邊緣線而實施缺陷偵測(defect detection)，以判斷該發光二極體是否係有缺陷的。

該發光二極體狀態判斷單元可判斷出下列至少一個發光二極體缺陷：該包覆體之溢流、未塗佈該包覆體、該包覆體中包含有外來物質、以及損壞(damage)。

該螢光材料可為黃色磷光體。

根據本發明之態樣，提供一種發光二極體測試方法，其包含：藉由發射紫外光至該發光二極體之上以及利用發射自螢光材料之光線而實施影像擷取操作，以獲得發光二極體之第一發光二極體影像，並且藉由照射可見光至該發光二極體之上以及利用反射離開該發光二極體之該可見光而實施影像擷取操作，以獲得該發光二極體之第二發光二極體影像，其中，該發光二極體塗佈有具有螢光材料之包覆體，該紫外光激發該螢光材料，以發射波長較該紫外光更長之光線；以及利用該第一及第二發光二極體影像而實施發光二極體狀態判斷操作，以判斷該發光二極體是否有缺陷。

該發光二極體狀態判斷操作可包含分別自該第一和第二發光二極體影像萃取第一和第二邊緣線，以及利用該第一和第二邊緣線判斷該發光二極體是否有缺陷。

於該發光二極體狀態判斷操作期間，可藉由比較該第二邊緣線與該發光二極體之參考邊緣線(reference edge line)而實施遮罩匹配，以判斷其間之包覆體之尺寸和排列方向是否相同。

於該發光二極體狀態判斷操作期間，可藉由比較該第一邊緣線與該發光二極體之第二邊緣線而實施溢流偵測(overflow detection)，以判斷該發光二極體之包覆體是否溢流。

於該發光二極體狀態判斷操作期間，可藉由比較該第一邊緣線與該第二邊緣線而實施未塗佈偵測(uncoating detection)，以判斷該發光二極體是否塗佈有包覆體。

於該發光二極體狀態判斷操作期間，可藉由比較該第一邊緣線與該第二邊緣線而實施外來物質偵測(foreign substance detection)，以判斷該發光二極體之包覆體中是否存在有外來物質。

於該發光二極體狀態判斷操作期間，可利用該第二邊緣線而實施損壞偵測(damage detection)，以判斷該發光二極體是否損壞。

現在將參考附加圖式對於本發明之例示實施例進行詳細的描述。

然而，本發明可以許多不同之形式實施，且本發明不應該被理解成限定於本說明書中所提及之實施例。相反地，所提供的這些實施例使得本發明之範疇能夠透徹、完 整，並且完全傳達予熟習本領域之技術者。於該等圖式中，相同的參考編號將用以標示具有實質上相同組構和功能之組件。

第2圖係描繪根據本發明所例示實施例之發光二極體測試設備之組構的區塊圖。

參照第2圖，根據本實施例之發光二極體測試設備具有第一發光單元200、第二發光單元300、彩色濾光片500、影像擷取單元600以及發光二極體狀態判斷單元700。該第一發光單元200產生第一光線並將該第一光線供應至發光二極體50，該發光二極體50塗佈有含有具預定色彩(predetermined color)之螢光材料的包覆體。該第二發光單元300產生第二光線並將該第二光線供應至該發光二極體50。該彩色濾光片500傳送發射自該發光二極體50具有預定波長之光線。該影像擷取單元600接收具有通過該彩色濾光片500之光線，並且獲得該發光二極體50之影像。該發光二極體狀態判斷單元700利用藉由該影像擷取單元600所獲得之發光二極體之影像而判斷該發光二極體係可接受或是有缺陷的。

該第一光線和該第二光線之其中一者可為紫外光，而另一者可為可見光。舉例而言，該第一發光單元200可產生紫外光作為第一光線，同時該第二發光單元300可產生可見光作為第二光線。

在此，根據本實施例之發光二極體測試設備可包含分光器400，該分光器400反射自該第一發光單元200之第 一光線，以供應經反射之第一光線至該發光二極體50，並且傳送反射自該發光二極體50之光線。在此，參考編號410標示支承該分光器400之支撐本體(support body)。

該影像擷取單元600可利用該第一發光單元200之第一光線而獲得第一發光二極體影像，以及利用該第二發光單元300之第二光線而獲得第二發光二極體影像。

當關閉(switch off)該第二發光單元300時，則可開啟(switch on)該第一發光單元200。當關閉該第一發光單元200時，則可開啟該第二發光單元300。

可藉由該發光二極體狀態判斷單元700或者額外的控制單元對該第一發光單元200和該第二發光單元300的這些操作進行控制。

根據本實施例之發光二極體50可為塗佈有具有黃色磷光體之包覆體之白光發光二極體。在此，當該彩色濾光片500中採用黃色濾光片時，產生自該發光二極體50之包覆體之黃光能夠藉由紫外光(係該第一發光單元200之第一光線)而通過該影像擷取單元600。

當開啟該第一發光單元200時，該彩色濾光片500係位於預先設定之濾光區域中。在此，如果來自該第一發光單元200之紫外光並未通過該發光二極體50之包覆體並且與該發光二極體50之包覆體的黃色磷光體結合，則產生黃光。來自該包覆體之黃光係經由該彩色濾光片500通過該影像擷取單元600。

另一方面，當開啟該第二發光單元300時，該彩色濾 光片500係位於該預先設定之濾光區域以外之區域中。在此，來自該第二發光單元300之可見光通過該發光二極體50之包覆體，並且反射自該發光二極體50之底部、藍光發光二極體晶片及包覆體。反射自該發光二極體50之光線係傳送至該影像擷取單元600，而並未通過該彩色濾光片500。

該發光二極體狀態判斷單元700可自該第一發光二極體影像萃取出第一邊緣線，以及自該第二發光二極體影像萃取出第二邊緣線。可利用該第一和第二邊緣線及參考邊緣線對下列項目進行測試。

首先，該發光二極體狀態判斷單元700可藉由比較該第二邊緣線與預先設定之參考邊緣線而實施遮罩匹配，以判斷其間之包覆體尺寸和排列方向是否相同。

再者，該發光二極體狀態判斷單元700相互比較該第一邊緣線及/或該第二邊緣線而實施偵測檢查，以判斷該發光二極體50是否有缺陷。

舉例而言，該發光二極體狀態判斷單元700能夠判斷下列缺陷之至少一者：該包覆體之溢流、未塗佈該包覆體、該包覆體中存在有外來物質、以及損壞基於該發光二極體50之缺陷。

第3圖係描繪根據本發明之例示實施例之發光二極體測試方法的流程圖。

參照第2和3圖，根據本實施例之發光二極體測試方法，於操作步驟S100和S200中，利用紫外光獲得塗佈有 含有具預定色彩之螢光材料之包覆體之發光二極體50之第一發光二極體影像，以及利用可見光獲得第二發光二極體影像；於操作步驟S300中，藉由利用該第二發光二極體影像和預先設定之參考影像而實施遮罩匹配，以判斷其間之包覆體尺寸和排列方向是否相同；以及於操作步驟S400中，利用該第一發光二極體影像及/或該第二發光二極體影像而實施缺陷檢查，以判斷該發光二極體50是否有缺陷。

根據本實施例之發光二極體測試方法，在於操作步驟S300和S400中實施該遮罩匹配和該缺陷檢查之後，於操作步驟S500中可進一步儲存根據檢查項目之測試結果，也就是良好與不良狀態。

於操作步驟S300之遮罩匹配期間，能夠分別自該第一和第二發光二極體影像萃取出第一和第二邊緣線。將參考第4圖描述此萃取邊緣線之製程。

第4圖係根據本發明之例示實施例之邊緣線萃取操作的流程圖。

如第2圖所示，由於發光二極體陣列面板(LED array panel)10中包含複數個發光二極體50，該第一和第二發光二極體影像之每一者均包含複數個發光二極體影像。因此，參照第4圖，於操作步驟S310中，對於該第一和第二發光二極體影像之每一者均設定相對於發光二極體影像之區域；於操作步驟S320中，降低該發光二極體影像之雜訊(noise)；實施第一影像處理(稱為追跡(tracing))，接著實施第二影像處理(稱為臨界(threshold))。

透過此邊緣線萃取製程，能夠分別自該第一發光二極體影像和該第二發光二極體影像得到第一邊緣線和第二邊緣線。

參照第2至4圖，於操作步驟S300之遮罩匹配期間，係藉由該第二邊緣線與參考影像之參考邊緣線，以判斷其間之包覆體尺寸和排列方向是否相同。

於操作步驟S400中之缺陷檢查係利用該第一邊緣線及/或該第二邊緣線而實施，以判斷該發光二極體50是否係有缺陷的。

具體而言，操作步驟S400中之缺陷檢查可包含：溢流偵測製程(overflow detection process)，係藉由比較該第一邊緣線與該第二邊緣線，以判斷該發光二極體50之包覆體是否溢流；未塗佈偵測製程，係利用該第一發光二極體影像和該第二發光二極體影像，以判斷該發光二極體50是否塗佈有包覆體；外來物質偵測製程，係藉由比較該第一邊緣線與該第二邊緣線，以判斷該發光二極體50之包覆體中是否存在有外來物質；以及損壞偵測製程，係利用該第二邊緣線，以判斷該發光二極體50是否損壞。

根據本實施例之發光二極體50可為塗佈有含有黃色磷光體之包覆體之白光發光二極體。在此，於上述之影像擷取製程中，可藉由利用紫外光(也就是該第一發光單元200之第一光線)對由該發光二極體50之包覆體所產生之黃光進行濾光而獲得該第一發光二極體影像。

第5A至5D圖係根據缺陷類型顯示影像之範例。

第5A圖顯示對應於根據本實施例之發光二極體缺陷間包覆體溢流的影像。第5B圖顯示對應於根據本實施例之發光二極體缺陷之間未塗佈包覆體之影像。第5C圖顯示對應於根據本實施例之發光二極體缺陷之間發生外來物質進入之影像。第5D圖顯示對應於根據本實施例之發光二極體缺陷間發生損壞之影像。

再者，於第5A、5B、5C及5D圖中，左側顯示利用可見光所得到之第二發光二極體影像，而右側則顯示利用紫外光所得到之第一發光二極體影像。

其後，將參考附加圖式對本發明之操作及功效進行描述說明。

現在將參考第2圖對根據本發明之例示實施例之發光二極體測試設備進行描述說明。於本實施例中，該第一發光單元200產生並且供應紫外光作為第一光線，而該第二發光單元300產生並且供應可見光作為第二光線。

首先，來自該第一發光單元200之紫外光反射離開該分光器400並且供應至該發光二極體陣列面板10之發光二極體50。在此，當該發光二極體50為具有黃色磷光體之白光發光二極體時，由於該發光二極體50之包覆體中含有黃色磷光體，便發射出黃光。

當開啟該第一發光單元200時，根據本實施例之彩色濾光片500係位於預先設定之濾光區域中。在此，來自該發光二極體50之黃光係透過該分光器400及該彩色濾光片500而輸入至該影像擷取單元600。

在此，該影像擷取單元600可為相機，而所採用之彩色濾光片500係對應於彩色螢光材料(colored fluorescent material)。當該彩色螢光材料係黃色磷光體時，可使用黃光濾光片(yellow filter)。該影像擷取單元600通過該彩色濾光片500而將輸入之光線轉換成為電性信號(electrical signal)，以獲得該第一發光二極體影像。

根據本實施例之第二發光單元300產生可見光作為第二光線，並且將該可見光供應至該發光二極體50。該第二發光單元300之可見光通過該發光二極體50之包覆體，並且反射離開該發光二極體50之底部、藍光發光二極體晶片及包覆體。

當開啟該第二發光單元300時，該彩色濾光片500係位於該預先設定之濾光區域以外之區域中。在此，反射離開該發光二極體50之可見光並未通過該彩色濾光片500，並且被傳送至該影像擷取單元600。

該影像擷取單元600將並未通過該彩色濾光片500而輸入之可見光轉換成為電性信號，以獲得第二發光二極體影像。

接下來，根據本實施之發光二極體狀態判斷單元700利用來自該影像擷取單元600之發光二極體影像而判斷發光二極體係良好狀態或者不良狀態，此部份現在將詳細描述。

該發光二極體狀態判斷單元700自該第一發光二極體 影像萃取出該第一邊緣線，以及自該第二發光二極體影像萃取出第二邊緣線。

首先，該發光二極體狀態判斷單元700藉由比較該第二邊緣線與預先設定之參考邊緣線而實施遮罩匹配，以判斷其間之包覆體尺寸和排列方向是否相同。舉例而言，藉由比較該第二邊緣線與預先設定之參考邊緣線，如果該第二邊緣線與該參考邊緣線互相一致，則判斷其間之包覆體尺寸和排列方向係相同的，否則，判斷其間之包覆體尺寸和排列方向係不同。

該發光二極體狀態判斷單元700可藉由比較該第一邊緣線及/或該第二邊緣線而實施缺陷檢查，以判斷該發光二極體50是否有缺陷。

在此，該發光二極體狀態判斷單元700可判斷下列至少一個可能發生於發光二極體50中之缺陷：該包覆體之溢流、未塗佈該包覆體、該包覆體中存在有外來物質、以及損壞。

現在將參考第2至5圖描述說明根據本實施例之發光二極體測試方法。

首先，如第3圖中所示，根據本實施例之發光二極體測試方法中操作步驟S100和S200中之影像擷取製程，利用紫外光獲得塗佈有含有具預定色彩之螢光材料之包覆體之發光二極體50之第一發光二極體影像，以及利用可見光獲得發光二極體50之第二發光二極體影像。

根據本實施例之發光二極體50可為塗佈有含有黃色 磷光體之包覆體之白光發光二極體。於該影像擷取製程期間，利用紫外光(也就是該第一發光單元200之第一光線)對由該發光二極體50之包覆體所產生之黃光進行濾光，藉此獲得該第一發光二極體影像。

在此，由於該等實施直到獲得該第一發光二極體影像和該第二發光二極體影像之操作步驟係相同於參考第2圖所描述者，故將省略重複之描述。

當於操作步驟S300中實施該遮罩匹配時，則利用該第二發光二極體影像與預先設定之參考影響而判斷其間之包覆體尺寸和排列方向是否係相同的。

在此，於操作步驟S300期間，分別自該第一和第二發光二極體影像萃取出第一和第二邊緣線。將參考第4圖描述此萃取邊緣線之製程。

參照第4圖，由於發光二極體陣列面板10中包含複數個發光二極體50，該第一和第二發光二極體影像之每一者均包含複數個發光二極體影像。因此，於操作步驟S310中，對於該第一和第二發光二極體影像之每一者均設定相對於一個發光二極體影像之區域；於操作步驟S320中，降低該發光二極體影像之雜訊；實施第一影像處理(稱為追跡)，接著實施第二影像處理(稱為臨界)。

藉由實施該第一和第二影像處理，能夠分別自該第一發光二極體影像和第二發光二極體影像得到第一邊緣線和該第二邊緣線。

參照第2至4圖，於操作步驟S300之遮罩匹配期間， 該第二邊緣線與該預定參考影像之參考邊緣線互相比較，以判斷其間之包覆體尺寸和排列方向是否相同。

當該缺陷檢查係實施於操作步驟S400中時，則利用該第一發光二極體影像及/或該第二發光二極體影像來判斷該發光二極體50是否係有缺陷的。具體而言，於操作步驟S400之缺陷檢查期間，係利用分別萃取自該第一和第二發光二極體影像之第一和第二邊緣線以及該參考邊緣線，以判斷該發光二極體50是否有缺陷。

上述根據缺陷類型之缺陷檢查可包含溢流偵測、未塗佈偵測、外來物質偵測及損壞偵測。

於溢流偵測期間，係藉由比較該第一邊緣線與該第二邊緣線，以判斷該發光二極體50之包覆體是否溢流。舉例而言，如第5A圖所示，當發生包覆體溢流時，該第一邊緣線上出現雙重或多重線(double or multiple line)。因此，該第一邊緣線和該第二邊緣線並未互相一致。

於未塗佈偵測期間，係藉由利用該第一邊緣線與該第二邊緣線，以判斷該發光二極體50是否塗佈有包覆體。舉例而言，如第5B圖所示，該第一邊緣線相當明顯，而並未偵測到該第二邊緣線。

於外來物質偵測期間，係藉由比較該第一邊緣線與該第二邊緣線，以判斷該發光二極體50之包覆體中是否存在有外來物質。舉例而言，如第5C圖所示，當該第一邊緣線與該第二邊緣線並未互相一致時，該第一邊緣線之輪廓之內部區域內顯示出對應於外來物質之邊緣線。

於損壞偵測期間，利用該第二邊緣線，以判斷該發光二極體50是否係有缺陷的。舉例而言，如第5D圖所示，該第二邊緣線局部損壞。

在實施上述製程之後，於操作步驟S500中可進一步儲存根據檢查項目之測試結果，也就是於操作步驟S300和S400中所獲得之結果係良好或者不良狀態。

如上所述，根據本發明實施例之發光二極體測試設備及發光二極體測試方法，係利用紫外光發光及可見光發光而獲得發光二極體影像，並且能夠廣泛地利用萃取自所獲得之發光二極體影像之邊緣線自動地測試該發光二極體中之缺陷，藉此確保發光二極體測試結果之高度可靠度。

如上文所提及，根據本發明之例示實施例，能夠利用可見光和紫外光自動地實施測試，以判斷發光二極體是否係有缺陷的，而確保發光二極體測試之可靠度。

儘管本發明已結合例示實施例進行顯示與描述說明，但是熟習本領域者咸了解本發明可作出修改與變化，而不悖離本發明隨附申請專利範圍所定義之精神與範疇。

10‧‧‧桶/發光二極體陣列面板

20、21、22‧‧‧引線框架

30‧‧‧藍光發光二極體

40‧‧‧二極體

50‧‧‧接合線

60‧‧‧包覆體

200、300‧‧‧發光單元

400‧‧‧分光器

410‧‧‧支撐本體

500‧‧‧彩色濾光片

600‧‧‧影像擷取單元

700‧‧‧發光二極體狀態判斷單元

S100、S200、S300、S400、S500、S310、S320、S330、S340‧‧‧步驟

本發明之上述及其他態樣、特徵及其他優點將藉由以下的詳細描述結合附加圖式而更清楚地了解，其中：第1圖係描繪根據先前技術之白光發光二極體之組構之剖面圖；第2圖係描繪根據本發明之例示實施例之發光二極體測試設備之組構之區塊圖； 第3圖係描繪根據本發明之例示實施例之發光二極體測試方法之流程圖；第4圖係描繪根據本發明之例示實施例之邊緣線萃取操作之流程圖；以及第5A至5D圖係描繪根據缺陷類型範例。

10‧‧‧桶/發光二極體陣列面板

50‧‧‧發光二極體

200‧‧‧發光單元

300‧‧‧發光單元

400‧‧‧分光器

410‧‧‧支撐本體

500‧‧‧彩色濾光片

600‧‧‧影像擷取單元

700‧‧‧發光二極體狀態判斷單元

Claims (17)

1. 一種發光二極體測試設備，包括：第一發光單元，係產生第一光線並將該第一光線照射至發光二極體之上，該發光二極體具有包含螢光材料之包覆體，該第一光線激發該螢光材料，以發射波長較該第一光線更長之光線；第二發光單元，係產生波長較該第一光線更長之第二光線，以將該第二光線照射至該發光二極體之上；影像擷取單元，係接收發射自該螢光材料之該光線及反射離開該發光二極體之該第二光線，以獲得該發光二極體之影像；以及發光二極體狀態判斷單元，係利用藉由該影像擷取單元所獲得之該發光二極體之該影像而判斷該發光二極體係可接受或是有缺陷的，其中，該影像擷取單元利用發射自該螢光材料之該光線而獲得第一發光二極體影像，並且利用反射離開該發光二極體之該第二光線而獲得第二發光二極體影像，以及該發光二極體狀態判斷單元自該第一發光二極體影像萃取出第一邊緣線，以及自該第二發光二極體影像萃取出第二邊緣線。
2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體測試設備，其中，該第一光線係紫外光，而該第二光線係可見光。
3. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體測試設備，復 包括分光器，其係反射發射自該第一發光單元之該第一光線，以供應該經反射之光線至該發光二極體，並且傳送發射自該發光二極體之該光線。
4. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體測試設備，復包括彩色濾光片，其係排列於發射自該發光二極體之該光線的光學路徑上，傳送發射自該螢光材料之該光線並且阻擋具有不同波長之光線。
5. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體測試設備，其中，當關閉該第二發光單元時，則開啟該第一發光單元，以及當關閉該第一發光單元時，則開啟該第二發光單元。
6. 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體測試設備，其中，當關閉該第二發光單元時，則開啟該第一發光單元，以及當關閉該第一發光單元時，則開啟該第二發光單元。
7. 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體測試設備，其中，當開啟該第一發光單元時，該彩色濾光片係位於預先設定之濾光區域中，以及當開啟該第二發光單元時，該彩色濾光片係位於該預先設定之濾光區域以外之區域中。
8. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體測試設備，其中，該發光二極體狀態判斷單元藉由比較該第二邊緣線 與該發光二極體之參考邊緣線而實施遮罩匹配，以判斷其間之該包覆體之尺寸和排列方向是否相同。
9. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體測試設備，其中，該發光二極體狀態判斷單元藉由比較該第一邊緣線與該第二邊緣線而實施缺陷偵測，以判斷該發光二極體是否有缺陷。
10. 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體測試設備，其中，該發光二極體狀態判斷單元判斷下列至少一個發光二極體缺陷：該包覆體之溢流、未塗佈該包覆體、該包覆體中包含有外來物質、以及損壞。
11. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體測試設備，其中，該螢光材料係黃色磷光體。
12. 一種發光二極體測試方法，包括：藉由照射紫外光至該發光二極體之上以及利用發射自螢光材料之光線而實施影像擷取操作，以獲得發光二極體之第一發光二極體影像，並且藉由照射可見光至該發光二極體之上以及利用反射離開該發光二極體之該可見光而實施影像擷取操作，以獲得該發光二極體之第二發光二極體影像，其中，該發光二極體塗佈有具有螢光材料之包覆體，該紫外光激發該螢光材料，以發射波長較該紫外光之波長更長之光線；以及利用該第一及第二發光二極體影像而實施發光二極體狀態判斷操作，以判斷該發光二極體是否有缺陷，其中，該發光二極體狀態判斷操作包括分別自該第 一和第二發光二極體影像萃取第一和第二邊緣線，以及利用該第一和第二邊緣線判斷該發光二極體是否有缺陷。
13. 如申請專利範圍第12項所述之發光二極體測試方法，其中，於該發光二極體狀態判斷操作期間，係藉由比較該第二邊緣線與該發光二極體之參考邊緣線而實施遮罩匹配，以判斷其間之該包覆體之尺寸和排列方向是否相同。
14. 如申請專利範圍第12項所述之發光二極體測試方法，其中，於該發光二極體狀態判斷操作期間，係藉由比較該第一邊緣線與該第二邊緣線而實施溢流偵測，以判斷該發光二極體之該包覆體是否溢流。
15. 如申請專利範圍第12項所述之發光二極體測試方法，其中，於該發光二極體狀態判斷操作期間，係藉由比較該第一邊緣線與該第二邊緣線而實施未塗佈偵測，以判斷該發光二極體是否塗佈有該包覆體。
16. 如申請專利範圍第12項所述之發光二極體測試方法，其中，於該發光二極體狀態判斷操作期間，係藉由比較該第一邊緣線與該第二邊緣線而實施外來物質偵測，以判斷該發光二極體之該包覆體中是否存在有外來物質。
17. 如申請專利範圍第12項所述之發光二極體測試方法，其中，於該發光二極體狀態判斷操作期間，係利用該第二邊緣線而實施損壞偵測，以判斷該發光二極體是否損壞。