TWI432856B - 畫素結構 - Google Patents

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TWI432856B
TWI432856B TW099142587A TW99142587A TWI432856B TW I432856 B TWI432856 B TW I432856B TW 099142587 A TW099142587 A TW 099142587A TW 99142587 A TW99142587 A TW 99142587A TW I432856 B TWI432856 B TW I432856B
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Description

畫素結構
本發明是有關於一種畫素結構，且特別是有關於一種用於顯示面板之畫素結構。
隨著顯示科技的蓬勃發展，消費大眾對於顯示器顯像品質的要求越來越高。消費大眾除了對顯示器之解析度(resolution)、色飽和度(color saturation)、反應時間(response time)之規格有所要求外，對顯示器之對比(contrast ratio)、之規格要求亦日漸提高。
因此，已有顯示器業者開發出一種聚合物穩定配向(Polymer-stabled alignment,PSA)型顯示面板，以提升顯示面板之對比(contrast ratio)。但，在傳統的聚合物穩定配向(Polymer-stabled alignment,PSA)型顯示面板中，其畫素電極中間處易產生暗線(disclination line)，而使得顯示面板之對比(contrast ratio)及透光度(transmittance)下降。
另外，為了提升聚合物穩定配向(Polymer-stabled alignment,PSA)型顯示面板之透光度(transmittance)，亦有人將黑色矩陣(black matrix,BM)整合於畫素陣列基板上(black matrix on array,BOA)的技術應用在聚合物穩定配向(Polymer-stabled alignment,PSA)型顯示面板中。然而，限於黃光製程的能力，相鄰兩畫素電極間之最短距離需大於一製程極限值(例如8微米)，而使得相鄰兩畫素電極間之 黑色矩陣(例如資料線)的寬度無法進一步地縮減。這樣一來，聚合物穩定配向(Polymer-stabled alignment,PSA)型顯示面板之透光度(transmittance)便無法再更進一步地提升。承上述，如何開發出一透光度(transmittance)更高之聚合物穩定配向(Polymer-stabled alignment,PSA)型顯示面板及改善暗線(disclination line)問題，實為研發者所欲達成的目標之一。
本發明提供一種畫素結構，具有此畫素結構之顯示面板，其透光度(transmittance)較高。
本發明提供另一種畫素結構，此畫素結構可減少顯示面板中暗線(disclination line)發生的機率，進而提升顯示面板的透光度(transmittance)。
本發明提出一種畫素結構，此畫素結構包括基板、掃描線、第一資料線、第二資料線、第一主動元件、第二主動元件、第一畫素電極以及第二畫素電極。基板具有第一單元區域以及第二單元區域。掃描線、第一資料線以及第二資料線位於基板上。第一主動元件與掃描線以及第一資料線電性連接。第二主動元件與掃描線以及第二資料線電性連接。第一畫素電極位於第一單元區域內且與第一主動元件電性連接，其中第一畫素電極包括第一主幹部以及多個第一分支部，第一分支部由第一主幹部往第一單元區域的邊緣延伸。第二畫素電極位於第二單元區域內且與第二 主動元件電性連接，其中第二畫素電極包括第二主幹部以及多個第二分支部，第二分支部由第二主幹部往第二單元區域的邊緣延伸，其中至少一部分的第一分支部與至少一部分的第二分支部是以非對稱的形式排列在第二資料線的兩側。
本發明提出一種畫素結構，此畫素結構包括基板、掃描線、資料線、主動元件以及畫素電極。基板具有單元區域。掃描線以及資料線位於基板上。主動元件與掃描線以及資料線電性連接。畫素電極位於單元區域內且與主動元件電性連接，其中畫素電極包括主幹部以及多個分支部。畫素電極之分支部由主幹部往單元區域的邊緣延伸，其中至少一部分的分支部是以非對稱的形式排列於主幹部的兩側。
基於上述，本發明之一畫素結構將第一分支部與第二分支部以非對稱的形式排列在第二資料線兩側，使得第一分支部與第二分支部可更為靠近。如此一來，第二資料線的寬度便得以縮窄，而使得具有此畫素結構之顯示面板的透光度(transmittance)可進一步地提高。
此外，本發明之另一畫素結構將分支部以非對稱的形式排列於主幹部的兩側，而使得主幹部附近發生暗線(disclination line)的機率降低。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
【第一實施例】
圖1A為本發明一實施例之畫素結構100上視示意圖。圖1B為圖1A之第一畫素電極PE1以及第二畫素電極PE2上視示意圖。請同時參照圖1A及圖1B，畫素結構100包括基板102、掃描線SL、第一資料線DL1、第二資料線DL2、第一主動元件T1、第二主動元件T2、第一畫素電極PE1以及第二畫素電極PE2。
基板102具有第一單元區域U1以及第二單元區域U2。在本實施例中，基板102之材質可為玻璃、石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料(例如：導電材料、晶圓、陶瓷、或其它可適用的材料)、或是其它可適用的材料。
掃描線SL、第一資料線DL1以及第二資料線DL2位於基板102上。在本實施例中，掃描線SL與第一資料線DL1以及第二資料線DL2彼此交錯設置。換言之，第一資料線DL1以及第二資料線DL2的延伸方向與掃描線SL的延伸方向不平行，較佳的是，第一資料線DL1以及第二資料線DL2的延伸方向與掃描線SL的延伸方向垂直。另外，第一資料線DL1與第二資料線DL2屬同一膜層，掃描線SL與第一資料線DL1以及第二資料線DL2屬於不同的膜層。基於導電性的考量，掃描線SL與第一資料線DL1以及第二資料線DL2一般是使用金屬材料。然，本發明不限於此，根據其他實施例，掃描線SL與第一資料線DL1以及第二資料線DL2也可以使用其他導電材料。例如：合 金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導材料的堆疊層。
第一主動元件T1與掃描線SL以及第一資料線DL1電性連接。詳細而言，第一主動元件T1可包括閘極G1、通道CH1、源極S1以及汲極D1。在本實施例中，掃描線SL的部份區域是作為閘極G1。通道CH1位於閘極G1的上方。資料線DL1的部份延伸區域是作為源極S1。源極S1以及汲極D1位於通道CH1的上方。上述之第一主動元件T1是以底部閘極型薄膜電晶體為例來說明，但本發明不限於此。根據其他實施例，上述之第一主動元件T1也可是以頂部閘極型薄膜電晶體。根據本實施例，第一主動元件T1的閘極G1上方更覆蓋有絕緣層(未繪示)，其又可稱為閘極絕緣層。另外，在第一主動元件T1的上方更可覆蓋有另一絕緣層(未繪示)，其又可稱為保護層。上述兩絕緣層的材料可為無機材料(例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層)、有機材料或上述之組合。
第二主動元件T2與掃描線SL以及第二資料線DL2電性連接。第二主動元件T2包括閘極G2、通道CH2、源極S2以及汲極D2。在本實施例中，掃描線SL的部份區域是作為閘極G2。通道CH2位於閘極G2的上方。資料線DL2的部份延伸區域是作為源極S2。源極S2以及汲極D2位於通道CH2的上方。類似地，上述之第二主動元件T2是以底部閘極型薄膜電晶體為例來說明，但本發明不限 於此。根據其他實施例，上述之第二主動元件T2也可是以頂部閘極型薄膜電晶體。此外，第二主動元件T2的閘極G2上方更覆蓋有絕緣層(未繪示)，其又可稱為閘極絕緣層。在第二主動元件T2的上方更可覆蓋有另一絕緣層(未繪示)，其又可稱為保護層。
第一畫素電極PE1位於第一單元區域U1內且與第一主動元件T1電性連接，其中第一畫素電極PE1包括第一主幹部M1以及多個第一分支部B1，第一分支部B1由第一主幹部M1往第一單元區域U1的邊緣延伸。詳細而言，第一分支部B1與第一主幹部M1互相連接，而第一分支部B1是由第一主幹部M1分別沿著四個方向K1、K2、K3、K4往第一單元區域U1的邊緣延伸。更進一步地說，若掃描線SL的延伸方向為x方向，第一資料線DL1(或第二資料線DL2)的延伸方向為y方向，則x方向與方向K1之夾角可為θ 1，其中θ 1可為30度~60度，x方向與方向K2之夾角可為θ 2，其中θ 2可為120度~150度，x方向與方向K3之夾角可為θ 3，其中θ 3可為210度~240度，x方向與方向K4之夾角可為θ 4，其中θ 4可為300度~330度。
值得一提的是，在此種畫素電極設計下，可使第一畫素電極PE1上之顯示介質(例如液晶)朝四個不同的方向排列，進而使採用此畫素電極設計之顯示面板的視角(viewing angle)特性更佳。此外，第一主幹部M1兩側之第一分支部B1的延伸方向K1、K2(或K3、K4)交錯，延伸 方向K1、K2(或K3、K4)呈一夾角γ，此夾角γ較佳的是介於60~120度之間。在本實施例中，第一畫素電極PE1例如是透明導電層，其包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。
在本實施例中，第一畫素電極PE1之第一主幹部M1可包括第一水平部M1-a與第一垂直部M1-b。較佳的是，第一水平部M1-a的延伸方向平行於掃描線SL，第一垂直部M1-b的延伸方向平行於第一及第二資料線DL1、DL2。此外，相鄰的兩個第一分支部B1之間可具有第一狹縫K1，第一狹縫K1又可稱為配向狹縫，其可對狹縫上之顯示介質(例如液晶)產生配向作用。
值得特別注意的是，第一分支部B1是非對稱地排列於第一主幹部M1之第一水平部M1-a的兩側，且第一分支部B1亦非對稱地排列於第一主幹部M1之第一垂直部M1-b的兩側。換言之，第一分支部B1是交錯地排列於第一主幹部M1之第一水平部M1-a的兩側，且第一分支部B1亦是交錯地排列於第一主幹部M1之第一垂直部M1-b的兩側。如此，可使第一主幹部M1之第一水平部M1-a以及第一垂直部M1-b分別具有一折線形式圖案。需特別說明的是，此種畫素電極設計可使位於第一水平部M1-a以及第一垂直部M1-b附近之顯示介質(例如液晶)的傾倒方向較為一致，而減少第一主幹部M1附近發生暗線(disclination line)的機率。
第二畫素電極PE2位於第二單元區域U2內且與第二主動元件T2電性連接，其中第二畫素電極PE2包括第二主幹部M2以及多個第二分支部B2，第二分支部B2由第二主幹部M2往第二單元區域U2的邊緣延伸。詳細而言，第二分支部B2與第二主幹部M2互相連接，而第二分支部B2是由第二主幹部M2沿著四個方向往第二單元區域U2的邊緣延伸。在此種畫素電極設計下，可使第二畫素電極PE2上之顯示介質(例如液晶)朝四個不同的方向排列，進而使採用此畫素電極設計之顯示面板的視角(viewing angle)特性更佳。此外，第二主幹部M2兩側之第二分支部B2的延伸方向K1、K2(或K3、K4)交錯，延伸方向K1、K2(或K3、K4)呈一夾角γ，此夾角γ較佳的是介於60~120度之間。在本實施例中，第二畫素電極PE2例如是透明導電層，其包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。
在本實施例中，第二畫素電極PE2之第二主幹部M2可包括第二水平部M2-a與第二垂直部M2-b。較佳的是，第二水平部M2-a的延伸方向平行於掃描線SL，第二垂直部M2-b的延伸方向平行於第一及第二資料線DL1、DL2。另外，相鄰的兩個第二分支部B2之間可具有第二狹縫K2，第二狹縫K2亦可稱為配向狹縫，其可對狹縫上之顯示介質(例如液晶)產生配向作用。
類似地，第二分支部B2是非對稱地排列於第二主幹 部M2之第二水平部M2-a的兩側，且第二分支部B2亦非對稱地排列於第二主幹部M2之第二垂直部M2-b的兩側。如此，可使第二主幹部M2之第二水平部M2-a以及第二垂直部M2-b分別具有一折線形式圖案。同樣地，此種畫素電極設計亦可使位於第二水平部M2-a以及第二垂直部M2-b附近之顯示介質(例如液晶)的傾倒方向較為一致，而減少第二主幹部M2附近發生暗線(disclination line)的機率。
另外，根據本實施例，在上述第一畫素電極PE1以及第二畫素電極PE2中，第一分支部B1與第二分支部B2是以非對稱的形式排列在第二資料線DL2的兩側。也就是說，第一畫素電極PE1中，第一分支部B1之一端係連接於第一主幹部M1，且實質上呈非對稱排列，即交錯排列，而第一分支部B1之另一端其並未與第一主幹部M1連接，係實質上呈非對稱排列，即交錯排列。第二畫素電極PE2中，第二分支部B2之一端係連接於第二主幹部M2，且實質上呈非對稱排列，即交錯排列，第二分支部B2之另一端其未與第二主幹部M2連接，係實質上係呈非對稱排列，即交錯排列。因此，位於第二資料線DL2兩側的未與第一主幹部M1連接的第一分支部B1之另一端以及未與第二主幹部M2連接的第二分支部B2之另一端實質上係呈非對稱排列。更詳細來說，如圖1C所示，其為圖1A之第一分支部B1與第二分支部B2交界區R之放大圖，由圖1C可知，位於第二資料線DL2兩側之第一分支部B1 與第二分支部B2並非對稱排列，而是彼此錯開地以非對稱形式排列於第二資料線DL2兩側。當第一分支部B1與第二分支部B2間之最短距離固定為一製程極限值D時，藉由第一分支部B1與第二分支部B2以非對稱的形式排列在第二資料線DL2兩側的配置方式，可使位於第一分支部B1與第二分支部B2間之第二資料線DL2的寬度W可被有效地縮短。換句話說，不透光之第二資料線DL2的面積可被有效地縮小。這樣一來，本實施例之畫素結構100之開口率(aperture ratio)即可被提高，進而使得具有此畫素結構100之顯示面板的透光度(transmittance)可進一步地提升。
此外，在本實施例中，位於第二資料線DL2的一側之的第一分支部B1與位於第二資料線DL2的另一側之至少一部分的第二狹縫K2對稱排列，且位於第二資料線DL2的一側至少一部分的第一狹縫K1與位於第二資料線DL2的另一側至少一部分的第二分支部B2對稱排列，如圖1B所示。另外，在第二資料線DL2的兩側之第一分支部B1的延伸方向K1與第二分支部B2的延伸方向K2之間具有一夾角θ，此夾角θ較佳的是介於60~120度之間。
值得注意的是，在本實施例中，第一分支部B1與第二分支部B2在其主幹部之處以及在第二資料線DL2之兩側之處，都是全面地以非對稱的形式排列，但本發明不限於此。根據其他實施例，也可以是只有一部分的第一分支部B1與一部分的第二分支部B2在其主幹部之處以及在第 二資料線DL2之兩側之處是以非對稱的形式排列。換句話說，可以有一部分的第一分支部B1與一部分的第二分支部B2是以對稱的形式排列，而其餘之第一分支部B1與第二分支部B2是以非對稱的形式排列。
本實施例之畫素結構100可進一步包括遮光圖案SM，此遮光圖案SM位於第一主幹部M1以及第二主幹部M2的下方。詳細而言，此遮光圖案SM可含蓋第一主幹部M1(第二主幹部M2)之第一水平部M1-a(第二水平部M2-a)以及第一垂直部M1-b(第二垂直部M2-b)，換句話說，此遮光圖案SM可大致為雙十字型圖樣。在本實施例中，遮光圖案SM可與第一資料線DL1及第二資料線DL2位於同一膜層或不同膜層。然，本發明並不以此為限，在其他實施例中，遮光圖案SM亦可與掃描線SL位於同一膜層或不同膜層。
值得一提的是，遮光圖案SM主要的作用使位於遮光圖案SM上方之顯示介質(例如液晶)的傾倒而產生的顯示現象不會被人眼看到。因此，設計遮光圖案SM可以使顯示面板具有較佳的顯示品質，但本發明不限制一定要使用遮光圖案SM。換言之，在其他的實施例中，亦可以省略遮光圖案SM的製作。此外，位於第一主幹部M1(第二主幹部M2)之第一水平部M1-a(第二水平部M2-a)之部分遮光圖案SM亦可做為儲存電容之其中一電極。
畫素結構100更可包括共同電極線CL。在本實施例中，共同電極線CL的延伸方向可與掃描線SL平行，且共 同電極線CL與掃描線SL位於同一膜層或不同膜層。根據本實施例，共同電極線CL是電性連接至共同電壓。此外，分別藉由共同電極線CL與第一水平部M1-a及第二水平部M2-a間之電性耦合關係，便可以將第一及第二畫素電極PE1、PE2之電荷儲存於此處，如此便可構成二儲存電容。
【第二實施例】
圖2A為本實施例之畫素結構100A之上視示意圖。圖2B為圖2A之第一畫素電極PE1以及第二畫素電極PE2上視示意圖。請同時參照圖2A及圖2B，本實施例之畫素結構100A與圖1A之畫素結構100類似，因此與圖1A相同的元件以相同的符號表示。以下就兩者相異之處做說明，相同之處就不再重述。
在本實施例中，第一主幹部M1的第一水平部M1-a與第二水平部M2-a以及第二主幹部M2的第一垂直部M1-b與第二垂直部M2-b分別為直線形式圖案。換句話說，本實施例之第一主幹部M1與第二主幹部M2大致上分別為十字型圖案。此外，在本實施例中，第一分支部B1是對稱地排列於第一主幹部M1之第一水平部M1-a以及第一垂直部M1-b的兩側。第二分支部B2亦是對稱地排列於第二主幹部M2之第二水平部M2-a以及第二垂直部M2-b的兩側。值得一提的是，第一主幹部M1(第二主幹部M2)兩側之第一分支部B1(第二分支部B2)的延伸方向K1、K2(或K3、K4)交錯，延伸方向K1、K2(或K3、K4) 呈一夾角γ，此夾角γ較佳的亦是介於60~120度之間。
在本實施例之第一畫素電極PE1以及第二畫素電極PE2中，第一分支部B1與第二分支部B2是以非對稱的形式排列在第二資料線DL2的兩側。換言之，第一分支部B1與第二分支部B2是交錯地排列於第二資料線DL2的兩側。根據本實施例，位於第二資料線DL2的一側的第一分支部B1與位於第二資料線DL2的另一側之至少一部分的第二狹縫K2對稱排列，且位於第二資料線DL2的一側至少一部分的第一狹縫K1與位於第二資料線DL2的另一側至少一部分的第二分支部B2對稱排列。也就是說，第一畫素電極PE1中，第一分支部B1之一端係連接於第一主幹部M1，且實質上呈對稱排列，第一分支部B1之另一端其未與第一主幹部M1連接，係實質上呈非對稱排列，即交錯排列。第二畫素電極PE2中，第二分支部B2之一端係連接於第二主幹部M2，且實質上呈對稱排列，而未與第二主幹部M2連接的第二分支部B2之另一端，係實質上呈非對稱排列，即交錯排列。因此，位於第二資料線DL2兩側的未與第一主幹部M1連接的第一分支部B1之另一端以及未與第二主幹部M2連接的第二分支部B2之另一端實質上係呈非對稱排列。另外，在第二資料線DL2的兩側之第一分支部B1的延伸方向K1與第二分支部B2的延伸方向K2交錯，延伸方向K1、K2呈一夾角θ，此夾角θ較佳的是介於60~120度之間。
值得注意的是，在本實施例中，第一分支部B1與第 二分支部B2在第二資料線DL2之兩側是全面地以非對稱的形式排列，但本發明不限於此。根據其他實施例，也可以是只有一部分的第一分支部B1與一部分的第二分支部B2在第二資料線DL2之兩側是以非對稱的形式排列。換句話說，可以有一部分的第一分支部B1與一部分的第二分支部B2是以對稱的形式排列在第二資料線DL2之兩側，而其餘之第一分支部B1與第二分支部B2是以非對稱的形式排列在第二資料線DL2之兩側。
【第三實施例】
圖3A為本實施例之畫素結構100B之上視示意圖。圖3B為圖3A之第一畫素電極PE1以及第二畫素電極PE2上視示意圖。請同時參照圖3A及圖3B，本實施例之畫素結構100B與圖1A之畫素結構100類似，因此與圖1A相同的元件以相同的符號表示。以下就兩者相異之處做說明，相同之處就不再重述。
在本實施例中，第一分支部B1是非對稱地排列於第一主幹部M1之第一水平部M1-a的兩側，且第一分支部B1亦非對稱地排列於第一主幹部M1之第一垂直部M1-b的兩側。如此，可使第一主幹部M1之第一水平部M1-a以及第一垂直部M1-b分別具有一折線形式圖案。類似地，第二分支部B2是非對稱地排列於第二主幹部M2之第二水平部M2-a的兩側，且第二分支部B2亦非對稱地排列於第二主幹部M2之第二垂直部M2-b的兩側。如此，可使 第二主幹部M2之第二水平部M2-a以及第二垂直部M2-b分別具有一折線形式圖案。另外，於第一主幹部M1兩側之第一分支部B1的延伸方向K1、K2(或K3、K4)交錯，延伸方向K1、K2(或K3、K4)呈一夾角γ，此夾角γ較佳的是介於60~120度之間。於第二主幹部M2兩側之第二分支部B2的延伸方向K1、K2(或K3、K4)交錯，延伸方向K1、K2(或K3、K4)呈一夾角γ，此夾角γ較佳的是介於60~120度之間。
而在上述第一畫素電極PE1以及第二畫素電極PE2中，第一分支部B1與第二分支部B2是以對稱的形式排列在第二資料線DL2的兩側。換言之，第一畫素電極PE1之第一分支部B1與第二畫素電極PE2之第二分支部B2是彼此對齊地排列在第二資料線DL2的兩側。也就是說，第一畫素電極PE1中，第一分支部B1之一端係連接於第一主幹部M1，且實質上係呈非對稱排列，即交錯排列，而未與第一主幹部M1連接的第一分支部B1之另一端，其實質上呈對稱排列。第二畫素電極PE2中，第二分支部B2之一端係連接於第二主幹部M2，且實質上非對稱排列，即交錯排列，而未與第二主幹部M2連接的第二分支部B2之另一端，係實質上呈對稱排列。因此，位於第二資料線DL2兩側的未與第一主幹部M1連接的第一分支部B1之另一端以及未與第二主幹部M2連接的第二分支部B2之另一端係實質上呈對稱排列。另外，在第二資料線DL2的兩側之第一分支部B1的延伸方向K1與第二分支部 B2的延伸方向K2交錯，延伸方向K1、K2呈一夾角θ，此夾角θ較佳的是介於60~120度之間。
類似地，在本實施例中，第一分支部B1以及第二分支部B2分別是全面地以非對稱的形式排列於其主幹部之處，但本發明不限於此。根據其他實施例，也可以是只有一部分的第一分支部B1與一部分的第二分支部B2是以非對稱的形式排列於其主幹部之處。換句話說，可以有一部分的第一分支部B1與一部分的第二分支部B2是以對稱的形式排列在其主幹部之處，而其餘之第一分支部B1與第二分支部B2是以非對稱的形式排列在其主幹部之處。
綜上所述，本發明之畫素結構將第一分支部與第二分支部以非對稱的形式排列在第二資料線的兩側，而使得位於第一分支部與第二分支部間之第二資料線的寬度可有效地縮短。換句話說，第二資料線的面積可被有效地減少，這樣一來，畫素結構之開口率(aperture ratio)便可提高，進而使得具有此畫素結構100之顯示面板的透光度(transmittance)可進一步地提升。
此外，本發明之另一畫素結構將分支部以非對稱的形式排列於主幹部的兩側，而使得主幹部附近發生暗線(disclination line)的機率可有效降低。
100、100A、100B‧‧‧畫素結構
102‧‧‧基板
SL‧‧‧掃描線
DL1、DL2‧‧‧資料線
T1、T2‧‧‧主動元件
PE1、PE2‧‧‧畫素電極
U1、U2‧‧‧單元區域
G1、G2‧‧‧閘極
CH1、CH2‧‧‧通道
S1、S2‧‧‧源極
D1、D2‧‧‧汲極
B1、B2‧‧‧分支部
M1、M2‧‧‧主幹部
M1-a、M2-a‧‧‧水平部
M1-b、M2-b‧‧‧垂直部
K1、K2‧‧‧狹縫
R‧‧‧區域
θ、γ、θ 1、θ 2、θ 3、θ 4‧‧‧夾角
CL‧‧‧共同電極線
D‧‧‧製程極限值
W‧‧‧寬度
SM‧‧‧遮光圖案
x、y、K1、K2、K3、K4‧‧‧方向
圖1A為本發明第一實施例之畫素結構上視示意圖。
圖1B為本發明第一實施例之畫素電極上視示意圖。
圖1C為對應圖1A之區域R所繪示之放大圖。
圖2A為本發明第二實施例之畫素結構上視示意圖。
圖2B為本發明第二實施例之畫素電極上視示意圖。
圖3A為本發明第三實施例之畫素結構上視示意圖。
圖3B為本發明第三實施例之畫素電極上視示意圖。
100‧‧‧畫素結構
102‧‧‧基板
SL‧‧‧掃描線
DL1、DL2‧‧‧資料線
T1、T2‧‧‧主動元件
PE1、PE2‧‧‧畫素電極
U1、U2‧‧‧單元區域
G1、G2‧‧‧閘極
CH1、CH2‧‧‧通道
S1、S2‧‧‧源極
D1、D2‧‧‧汲極
K1、K2‧‧‧狹縫
R‧‧‧區域
CL‧‧‧共同電極線
SM‧‧‧遮光圖案
R‧‧‧區域
θ 1、θ 2、θ 3、θ 4‧‧‧夾角
x、y、K1、K2、K3、K4‧‧‧方向

Claims (21)

  1. 一種畫素結構，包括：一基板，其具有一第一單元區域以及一第二單元區域；一掃描線，位於該基板上；一第一資料線以及一第二資料線，位於該基板上；一第一主動元件，其與該掃描線以及該第一資料線電性連接；一第二主動元件，其與該掃描線以及該第二資料線電性連接；一第一畫素電極，位於該第一單元區域內且與該第一主動元件電性連接，其中該第一畫素電極包括一第一主幹部以及多個第一分支部，該些第一分支部由第一主幹部往該第一單元區域的邊緣延伸，其中相鄰的兩個第一分支部之間具有一第一狹縫；以及一第二畫素電極，位於該第二單元區域內且與該第二主動元件電性連接，其中該第二畫素電極包括一第二主幹部以及多個第二分支部，該些第二分支部由該第二主幹部往該第二單元區域的邊緣延伸，其中相鄰的兩個第二分支部之間具有一第二狹縫，其中至少一部分的該些第一分支部與至少一部分的該些第二分支部是以非對稱的形式排列在該第二資料線的兩側，其中位於該第二資料線的一側之至少一部分的該些第一分支部與位於該第二資料線的另一側之至少一部分的該 些第二狹縫對稱排列，且位於該第二資料線的一側至少一部分的該些第一狹縫與位於該第二資料線的另一側至少一部分的該些第二分支部對稱排列。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中排列在該第二資料線的兩側之該些第一分支部的延伸方向與該些第二分支部的延伸方向交錯且呈一夾角，該夾角介於60~120度。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中該第一畫素電極之該第一主幹部包括：一第一水平部，其延伸方向平行於該掃描線；以及一第一垂直部，其延伸方向平行於該第一及該第二資料線。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之畫素結構，其中該些第一分支部是對稱地排列於該第一主幹部之該第一水平部的兩側以及該第一垂直部的兩側。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之畫素結構，其中該第一水平部以及該第一垂直部分別具有一直線形式圖案。
  6. 如申請專利範圍第3項所述之畫素結構，其中該些第一分支部是非對稱地排列於該第一主幹部之該第一水平部的兩側以及該第一垂直部的兩側。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之畫素結構，其中該第一水平部以及該第一垂直部分別具有一折線形式圖案。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中該第二畫素電極之該第二主幹部包括： 一第二水平部，其延伸方向平行於該掃描線；以及一第二垂直部，其延伸方向平行於該第一及該第二資料線。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之畫素結構，其中該些第二分支部是對稱地排列於該第二主幹部之該第二水平部的兩側與該第二垂直部的兩側。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之畫素結構，其中該第二水平部以及該第二垂直部分別具有一直線形式圖案。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之畫素結構，其中該些第二分支部是非對稱地排列於該第二主幹部之該第二水平部的兩側與該第二垂直部的兩側。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之畫素結構，其中該第二水平部以及該第二垂直部分別具有一折線形式圖案。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，更包括一遮光圖案，位於該第一主幹部以及該第二主幹部的下方。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中該些第一分支部是由該第一主幹部沿著四個方向往該第一單元區域的邊緣延伸，且該些第二分支部是由該第二主幹部沿著四個方向往該第二單元區域的邊緣延伸。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之畫素結構，其中該些四個方向與該掃描線延伸方向之夾角分別為夾角θ 1、夾角θ 2、夾角θ 3、夾角θ 1，其中300 θ 1600，1200 θ 21500，2100 θ 32400，3000 θ 43300。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中該些 第一分支部與該第一主幹互相連接，且該些第二分支部與該第二主幹部互相連接。
  17. 一種畫素結構，包括：一基板，其具有一單元區域；一掃描線以及一資料線，位於該基板上；一主動元件，其與該掃描線以及該資料線電性連接；一畫素電極，位於該單元區域內且與該主動元件電性連接，其中該畫素電極包括：一主幹部，包括：一水平部，其延伸方向平行於該掃描線；以及一垂直部，其延伸方向平行於該資料線，其中該主幹部之該水平部與該垂直部各自具有一折線形式圖案；以及多個分支部，該些分支部由主幹部往該單元區域的邊緣延伸，其中至少一部分的該些分支部是以非對稱的形式排列於該主幹部的兩側。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之畫素結構，其中該些分支部與該主幹互相連接。
  19. 如申請專利範圍第17項所述之畫素結構，其中該些分支部是由該主幹部沿著四個方向往該單元區域的邊緣延伸。
  20. 如申請專利範圍第17項所述之畫素結構，其中位於該主幹部兩側之該些分支部的延伸方向具有一夾角，該夾角介於60~120度。
  21. 如申請專利範圍第17項所述之畫素結構，更包括一遮光圖案，位於該主幹部的下方。
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