TWI426149B - 鍍膜件及其製作方法 - Google Patents

鍍膜件及其製作方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI426149B
TWI426149B TW99128149A TW99128149A TWI426149B TW I426149 B TWI426149 B TW I426149B TW 99128149 A TW99128149 A TW 99128149A TW 99128149 A TW99128149 A TW 99128149A TW I426149 B TWI426149 B TW I426149B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film layer
substrate
coated
micropores
film
Prior art date
Application number
TW99128149A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201209208A (en
Inventor
Hsin Pei Chang
wen rong Chen
Huan Wu Chiang
Cheng Shi Chen
Cheng Zhang
Original Assignee
Hon Hai Prec Ind Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hon Hai Prec Ind Co Ltd filed Critical Hon Hai Prec Ind Co Ltd
Priority to TW99128149A priority Critical patent/TWI426149B/zh
Publication of TW201209208A publication Critical patent/TW201209208A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI426149B publication Critical patent/TWI426149B/zh

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

鍍膜件及其製作方法
本發明涉及一種鍍膜件及其製作方法。
金屬材料在空氣中較容易腐蝕。為了提高金屬材料的耐腐蝕能力，可在金屬材料的表面覆蓋一耐腐蝕能力較強的膜層。習知的在金屬材料的表面製作耐腐蝕膜層的方法有電鍍、化學鍍、烤漆及真空鍍膜（PVD）等。然而，電鍍、化學鍍及烤漆等對環境的污染非常大，必將逐漸被淘汰。而真空鍍膜製作的膜層存在微孔，對耐腐蝕能力的提高存在不良的影響。
目前常用的提高PVD膜層的耐腐蝕性能的方法係製備多層膜，通過膜層的反復疊加，從而將膜層之間的微孔遮蔽，避免形成貫穿基體與膜層表面的微孔，來消除膜層的微孔對耐腐蝕性能的不良影響。但，這種方法的工藝非常複雜，對設備要求高，成本高且難以在產業上應用。
有鑒於此，有必要提供一種耐腐蝕性強的鍍膜件。
另外，還有必要提供一種工藝簡單、成本較低的製作上述鍍膜件的方法。
一種鍍膜件，其包括一基體及形成於基體上的一膜層，該膜層為一磁控濺射膜層，該膜層形成有複數微孔，該微孔中填充有封孔粒子。
一種鍍膜件的製作方法，其包括如下步驟：提供一基體，通過磁控濺射在基體表面形成一膜層，使用一封孔液對所述膜層浸漬封孔液中進行封孔處理，所述封孔液中含有40-60g/L的NaCOOCH3 ，10-20g/L的HCOOCH3 ，1-2g/L的NH3 ‧H2 O，2-8g/L的NaSO4 ，1-5g/L的HNO3 ，以及2-6g/L的NaTiF4 。
通過上述方法製作的鍍膜件能很好地減少膜層表面所產生的微孔對鍍膜件的基體耐腐蝕能力的影響，使鍍膜件的基體與外界隔離，從而提高了鍍膜件的耐腐蝕能力。
請參閱圖1，本發明一較佳實施方式的鍍膜件100包括一基體10及形成於基體10表面的一膜層20。
該基體10可以由鋁合金、鎂合金等金屬材料製成，也可由陶瓷、玻璃等非金屬材料製成。
該膜層20為一Al-Ti-N層，其以磁控濺射的方式形成。該膜層20的厚度為0.5-8微米。
該膜層20形成有複數微孔201。該複數微孔201中填充有封孔粒子30。該封孔粒子30由將所述膜層20浸漬於一封孔液中一定時間，而後乾燥的方式而形成。所述封孔液中含有40-60g/L的NaCOOCH3 ，10-20g/L的HCOOCH3 ，1-2g/L的NH3 ‧H2 O，2-8g/L的NaSO4 ，1-5g/L的HNO3 ，以及2-6g/L的NaTiF4 。
請參見圖1和圖2，本發明一較佳實施方式的鍍膜件100的製作方法包括以下步驟：
提供一基體10。所述基體10的材質可為鋁合金、鎂合金等金屬材料，也可為陶瓷、玻璃等非金屬材料。
對該基體10進行表面預處理。該表面預處理可包括常規的對基體10進行化學除油、除蠟、酸洗、超聲波清洗及烘乾等。
對經上述處理後的基體10的表面進行氬氣等電漿清洗，進一步去除基體10表面的油污，以改善基體10表面與後續塗層的結合力。該電漿清洗的具體操作及工藝參數可為：將基體10放入一磁控濺射鍍膜機（圖未示）的真空室內，將該真空室抽真空至8.0×10-3 Pa，通入流量為50-400sccm（標準狀態毫升/分鐘）的氬氣（純度為99.999%），對基體10施加-300~-600V的偏壓，對基體10表面進行電漿清洗，清洗時間為5-10min。
完成等離子清洗後，開啟一鋁-鈦合金靶（該鋁-鈦合金靶中鋁的質量百分含量為20~60%）的電源，該電源的功率可設置為4-14kw。調節氬氣流量至50-300sccm，優選為150sccm；並通入氮氣，其流量為10-150sccm；對鋁-鈦合金靶施加-100~-350V的偏壓，沉積膜層20。沉積該膜層20的時間為20-30min。沉積完成後，關閉鋁-鈦合金靶的電源及負偏壓，停止通入氬氣，氮氣。所述膜層20為一Al-Ti-N層，其厚度為0.5~8微米。該膜層20形成有複數微孔201。
使用一封孔液對形成於基體10表面的膜層20的微孔201進行浸漬封孔處理。所述封孔液中含有40-60g/L的NaCOOCH3 ，10-20g/L的HCOOCH3 ，1-2g/L的NH3 ‧H2 O，2-8g/L的NaSO4 ，1-5g/L的HNO3 ，以及2-6g/L的NaTiF4 。該封孔液的pH值為3-7。封孔時保持封孔液的溫度為20~30℃。浸漬封孔的時間為5~15s。封孔過程中，所述封孔液填充至膜層20的微孔201內；待封孔完成後對所述膜層20進行去離子水沖洗及乾燥，乾燥後該填充至微孔201中的封孔液即形成固化的封孔粒子30。該封孔粒子30可將膜層20的複數微孔201堵塞，從而可避免基體10通過所述複數微孔201與外界接觸而發生腐蝕的情況，進而提高了鍍膜件100的耐腐蝕性能。
將通過上述方法製備的鍍膜件100放入鹽霧（3.5%NaCl，25℃）試驗箱進行測試，同時放入未做過封孔處理的鍍膜件做對比。沒有進行封孔處理的鍍膜件經8小時被腐蝕，經過上述封孔處理的鍍膜件100經60小時被腐蝕。
100‧‧‧鍍膜件
10‧‧‧基體
20‧‧‧膜層
201‧‧‧微孔
30‧‧‧封孔粒子
圖1係本發明較佳實施例鍍膜件的結構示意圖。
圖2係本發明較佳實施例鍍膜件的製作方法的流程圖。
100‧‧‧鍍膜件
10‧‧‧基體
20‧‧‧膜層
201‧‧‧微孔
30‧‧‧封孔粒子

Claims (9)

  1. 一種鍍膜件，其包括一基體及形成於基體上的一膜層，其改良於：該膜層為一磁控濺射膜層，該膜層形成有複數微孔，該複數微孔中填充有封孔粒子。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之鍍膜件，其中所述封孔粒子由將所述膜層浸漬於含有NaCOOCH3 、HCOOCH3 、NH3 ‧H2 O、NaSO4 、HNO3 及NaTiF4 的封孔液中，而後乾燥的方式形成。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之鍍膜件，其中所述膜層為一Al-Ti-N膜。
  4. 一種如申請專利範圍第1-3項中任意一項所述之鍍膜件製作方法，其包括如下步驟：
    提供一基體；
    通過磁控濺射在基體表面形成一膜層；
    使用一封孔液對所述膜層進行浸漬封孔處理。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之鍍膜件製作方法，其中所述封孔液中含有40-60g/L的NaCOOCH3 ，10-20g/L的HCOOCH3 ，1-2g/L的NH3 ‧H2 O，2-8g/L的NaSO4 ，1-5g/L的HNO3 ，以及2-6g/L的NaTiF4 。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之鍍膜件製作方法，其中所述的封孔液的pH值為3-7。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之鍍膜件製作方法，其中所述封孔處理的時間為5-15s。
  8. 如申請專利範圍第4項所述之鍍膜件製作方法，其中所述封孔液的溫度為20-30℃。
  9. 如申請專利範圍第4項所述之鍍膜件製作方法，其中所述膜層為一Al-Ti-N膜。
TW99128149A 2010-08-23 2010-08-23 鍍膜件及其製作方法 TWI426149B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW99128149A TWI426149B (zh) 2010-08-23 2010-08-23 鍍膜件及其製作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW99128149A TWI426149B (zh) 2010-08-23 2010-08-23 鍍膜件及其製作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201209208A TW201209208A (en) 2012-03-01
TWI426149B true TWI426149B (zh) 2014-02-11

Family

ID=46763479

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW99128149A TWI426149B (zh) 2010-08-23 2010-08-23 鍍膜件及其製作方法

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TWI426149B (zh)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1986887A (zh) * 2006-12-21 2007-06-27 上海交通大学 铝基复合材料表面耐蚀涂层的制备方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1986887A (zh) * 2006-12-21 2007-06-27 上海交通大学 铝基复合材料表面耐蚀涂层的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201209208A (en) 2012-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI639732B (zh) 用於電鍍黏附之陽極氧化架構
TWI659127B (zh) 包含用於半導體製造部件之高純度金屬頂塗層的製品及其形成方法
CN103160797B (zh) 纳米陶瓷涂层、沉积有该涂层的压铸模具及其制备方法
TWI700178B (zh) 殼體及所述殼體的製作方法
TWI503430B (zh) 鍍膜件及其製造方法
US20120135212A1 (en) Coated article and method for making same
TW201305356A (zh) 鍍膜件及其製備方法
TWI426149B (zh) 鍍膜件及其製作方法
US6472014B1 (en) Uniform surface texturing for PVD/CVD hardware
US20200126886A1 (en) Heat-dissipation substrate, preparation method and application thereof, and electronic component
TWI448570B (zh) 被覆件及其製造方法
CN102337507B (zh) 镀膜件及其制作方法
TWI471440B (zh) 殼體及其製作方法
TW201229270A (en) Electromagnetic shielding treatment for magnesium alloy articles and magnesium alloy articles
TWI477649B (zh) 鎂合金表面防腐處理方法及其鎂製品
TWI472633B (zh) 殼體及其製造方法
TWI471434B (zh) 鍍膜件及其製備方法
TWI472637B (zh) 鋁合金的表面處理方法及由鋁合金製得的殼體
TWI413483B (zh) 殼體及其製造方法
JP5536533B2 (ja) 炭素薄膜付銅材の製造方法
TWI467038B (zh) 殼體及其製作方法
TWI471437B (zh) 殼體及其製作方法
JP6318430B2 (ja) 複合硬質皮膜部材及びその製造方法
TWI477652B (zh) 鋁及鋁合金表面防腐處理方法及其鋁製品
TWI435942B (zh) 被覆件及其製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees