TWI424185B - 抗反射板及其抗反射結構之製造方法 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種抗反射板及其抗反射結構之製造方法，且特別是有關於一種具有奈米級微突起之抗反射結構的抗反射板及其製造方法。
抗反射技術可以廣泛應用於各領域，例如運用在眼鏡鏡片、光碟之表面，或者電視、電腦螢幕、數位相機、PDA、GPS及手機之顯示器表面，以及汽車玻璃、飛機及汽車之儀表板表面，甚至於展示櫥窗及生醫應用。物體經抗反射技術處理後可以減少物體表面對外界光源反射所造成的炫光或鬼影現象，甚至用於太陽能板(solar collector)的表面以增加光能的利用效率等等，可以顯著改善現有產品的影像表現或光能利用率。
目前主要的抗反射技術是在基板表面形成多層不同折射率的薄膜來降低光反射率。由於現有薄膜製程大多需要在真空環境下進行鍍膜，所需製程十分費時且成本高昂。加上多層薄膜的良率難以控制，使得使用抗反射技術的產品成本十分高昂而無法普及於大眾。
本發明係有關於一種抗反射板及其抗反射結構之製造方法，係利用大氣壓電漿形成抗反射結構，使製造抗反
射板所需的材料及時間成本大為降低。
根據本發明，提出一種抗反射結構之製造方法，包括下列步驟：首先，提供待處理物於反應區內。接著，提供電漿源於反應區內。然後，於常壓下解離電漿源形成電漿。接著，以電漿處理待處理物之表面，並於基板之表面形成多個微突起結構。
根據本發明，提出一種抗反射結構之製造方法，包括下列步驟。首先，提供待鍍膜物於反應區內。接著，提供電漿源於該反應區內。然後，提供鍍膜單體於反應區內。接著，於常壓下解離電漿源形成電漿，使電漿與鍍膜單體反應。然後，沈積鍍膜單體於待鍍膜物表面以形成薄膜，薄膜具有多個微突起結構。
根據本發明，提出一種抗反射板，具有光入射面，抗反射板包括多個微突起結構設置於光入射面上。微突起結構個別之平均寬度範圍位於10nm－500nm之間。
為讓本發明之上述內容能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
大氣壓電漿(atmospheric pressure plasma,APP)乃指於一大氣壓或接近一大氣壓之狀態下所產生的電漿。相較於傳統的真空電漿技術，大氣電漿系統於成本上有絕對的優勢。以設備成本而言，它不需使用昂貴及笨重的真空設備；就製程方面，元件可以不受真空腔體的限制，並可以
進行連續式的量產程序。這些技術特色皆可有效地降低產品的製造成本。
當光線投射在任何材料上時，不論材料透明與否，有一部份會被反射回來。這種反射現象係由於光線在兩種傳遞介質間在界面上折射率(refractive index)急遽變化所造成。
本發明各實施例所使用的抗反射技術，係利用大氣壓電漿形成仿生學(Bionics)中的蛾眼結構(moth eye structure)。由於飛蛾眼睛的角膜(cornea)表面具有細小突起，其重覆性圖案(repeating pattern)的尺度小於光線的波長。當其尺度小於光波長時，將使得光波無法辨識出該微結構，以致在表面觀察到的折射率沿深度方向呈漸進變化，如此即可減小不同傳遞介質界面上折射率急遽變化所造成之反射現象。本發明各實施例即在於形成類似蛾眼之週期性奈米級微突起結構，可以顯著降低物體表面之反射率。以下分別以不同實施例說明本發明揭露之抗反射結構的形成方式。
請參照第1圖，其繪示依照本發明實施例一之抗反射板的形成步驟流程圖。並請同時參照第2A圖，其繪示待處理物與大氣電漿設備之示意圖。首先，如步驟11所示，提供待處理物100於反應區6內，待處理物100係露出表面101置放於平台5上並位於電漿槍2之下。本實施例中
待處理物100例如為一基板。待處理物100之材料可以是玻璃或聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)，以做為顯示器之保護外蓋或櫥窗玻璃，或者是用以製造太陽能板之矽晶圓。
接著，如步驟12所示，提供電漿源於反應區6內。電漿源可以是惰性氣體、空氣、氮氣、氧氣、氟碳化合物氣體及碳氫化合物氣體等至少其中之一。其中，惰性氣體例如為氦氣、氖氣、氬氣、氪氣，空氣例如為乾淨乾燥空氣(clean dry air,CDA)，氟碳化合物氣體例如為四氟化碳(CF4
)，碳氫化合物氣體例如為乙炔(C2
H2
)。
此外，本發明之技術不限於此。在對待處理物100進行表面處理過程中，做為電漿源使用的氣體可與待處理物100搭配以獲得較佳之效果。例如，當待處理物100之材料為玻璃或矽晶圓時，電漿源較佳地使用氬氣(argon)；當待處理物100之材料為PMMA時，電漿源較佳地使用氮氣(N2
)與四氟化碳(CF4
)組成之混合氣體。
然後，如步驟13所示，維持反應區6內之壓力為常壓，也就是維持反應區6內之壓力在760拖耳(torr)左右，施加電場於電漿槍2內將做為電漿源之氣體解離後噴出形成電漿4。但本發明之技術不限於此，當反應區6內之壓力維持於100 torr至760 torr之間時，仍可達到本發明之功效。
接著，如步驟14所示，以電漿4處理待處理物100的基板之表面。由於反應區6內之壓力維持在大氣壓左
右，反應區6內產生的電漿離子濃度比於低壓環境下產生的電漿離子濃度更高。因此，大氣壓電漿所產生的離子轟擊、熱效應及蝕刻效應也更為明顯，因此可以在待處理物100之表面101形成均勻之微突起結構。
本實施例之上述步驟11－14較佳地係於一大氣壓電漿系統內進行，且不限定各步驟之執行順序。其中，大氣電漿系統可以產生大氣壓電漿輝光放電(glow discharge)、大氣壓噴射電漿(jet plasma)、大氣壓電漿火炬(plasma torch)、大氣壓表面介電質放電(surface dielectric barrier discharge)等不同電漿型態的至少其中一種。
請參照第2B圖，其繪示經過大氣壓電漿處理之抗反射板的示意圖。經過處理後之抗反射板100a，其光入射面101a具有多個週期性奈米等級的微突起結構110。請參照第2C圖，其繪示第2B圖之抗反射板的局部放大圖。較佳地，微突起結構110個別之平均寬度D1的範圍位於10奈米(nm)－500nm之間，且微突起結構110相對於抗反射板100a之表面101a的粗糙度小於100nm。本實施例中，粗糙度係以原子力顯微鏡(atomic force microscopy,AFM)進行量測。
請參照第3A圖，其繪示PMMA基板經電漿處理前與處理後於不同光波長下之光穿透率比較圖。如第3A圖所示，曲線31為電漿處理前之PMMA基板的光穿透率曲線，曲線32為電漿處理後之PMMA基板的光穿透率曲線。由第3A圖可以看出，經過電漿處理後之PMMA基板
在光波長450nm－750nm之範圍的光穿透率有顯著的提昇。
請參照第3B圖，其繪示玻璃基板經電漿處理前與處理後於不同光波長下之光穿透率比較圖。如第3B圖所示，曲線33為電漿處理前之玻璃基板的光穿透率曲線，曲線34、35分別為電漿槍距玻璃基板7mm及5mm下進行電漿處理後之玻璃基板的光穿透率曲線，其中電漿槍距離基板距離愈短則電漿夾帶的能量愈高。由第3B圖可以看出，經過電漿處理後之玻璃基板的光穿透率有顯著的提昇。
請參照第3C圖及第3D圖，其分別繪示未拋光與拋光矽晶圓經電漿處理前與處理後於不同光波長下之光反射率比較圖。如第3C圖所示，曲線36為電漿處理前之未拋光單晶矽晶圓的光反射率曲線，曲線37a、37b為電漿處理後之未拋光單晶矽晶圓的光反射率曲線，其中曲線37a及37b分別代表電漿槍與單晶矽晶圓表面距離6mm及4mm下處理之單晶矽晶圓的反射率。如第3D圖所示，曲線38為電漿處理前之拋光單晶矽晶圓的光反射率曲線，曲線39a、39b為電漿處理後之拋光單晶矽晶圓的光反射率曲線，其中曲線39a及39b分別代表電漿槍與單晶矽晶圓表面距離6mm及4mm下處理之單晶矽晶圓的反射率。由第3C圖及第3D圖可以得知，經過電漿處理後之矽晶圓可以大幅降低光反射率，以電漿處理過後之矽晶圓製作太陽能板可以大幅提昇光利用效率。
實施例二與實施例一的抗反射板的不同之處，在於實施例二的抗反射板係於常壓下以電漿鍍膜的方式形成微突起結構。請參照第4圖，其繪示依照本發明實施例二之抗反射板的形成步驟流程圖。並請同時參照第5A圖，其繪示待鍍膜基板與大氣電漿設備之示意圖。
首先，如步驟21所示，提供待鍍膜物200於反應區6內，待鍍膜物200露出表面201置放於平台5上並位於電漿槍2之下。本實施例中待鍍膜物200例如為一基板。待鍍膜物200之材料例如為PMMA、矽晶圓、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)或玻璃。
接著，如步驟22所示，提供電漿源於反應區6內。電漿源可以是惰性氣體、空氣、氮氣、氧氣、氟碳化合物氣體及碳氫化合物氣體至少其中之一。其中，惰性氣體例如為氦氣、氖氣、氬氣、氪氣，空氣例如為乾淨乾燥空氣，氟碳化合物氣體例如為四氟化碳，碳氫化合物氣體例如為乙炔。
然後，如步驟23所示，提供鍍膜單體於反應區6內。步驟23較佳地係以一承載氣體攜入反應區6內，承載氣體包括惰性氣體、空氣、氮氣、氧氣、氟碳化合物氣體及碳氫化合物氣體等至少其中之一。鍍膜單體包括矽氧化物、氟矽氧化物、金屬氧化物、飽和碳氫化合物及不飽和碳氫化合物等至少其中之一。其中，矽氧化物例如為六甲基二矽胺烷(hexamethyldisilazane,HMDSN)、六甲基二矽氧烷(hexamethyldisiloxane,HMDSO)、四乙基矽烷
(Tetraethoxysilane,TEOS)，氟矽氧化物例如為氟矽烷(fluoro－alkyl－silane FAS)類，金屬氧化物例如為異丙醇鈦(TIP)、硝酸鋅(Zn(NO3
)2
)，飽和碳氫化合物及不飽和碳氫化合物例如為六氟苯(C6
F6
)、四氟化碳(CF4
)、乙炔(C2
H2
)等等。
接著，如步驟24所示，於常壓下解離做為電漿源之氣體形成電漿4，使電漿4與鍍膜單體反應。鍍膜單體經由電漿中帶有高能量的電子或離子***形成自由基或較細小的結構以利於沈積產生均勻薄膜。
然後，如步驟25所示，經由電漿***之鍍膜單體沈積於待鍍膜物200的基板之表面201並重新聚合以形成薄膜，薄膜具有多個微突起結構。其中，如果使用矽氧化物或氟矽氧化物做為鍍膜單體，則形成氧化矽薄膜；若使用金屬氧化物做為鍍膜單體，則會聚合形成金屬氧化物薄膜；若使用飽和碳氫化合物及不飽和碳氫化合物做為鍍膜單體，則會形成碳薄膜或類鑽碳(diamond－like carbon,DLC)薄膜。
請參照第5B圖，其繪示以大氣壓電漿鍍膜所形成之抗反射板的示意圖。抗反射板200a包括經過鍍膜所形成之單層抗反射薄膜210及待鍍膜物200，抗反射薄膜210之光入射面211具有多個週期性奈米等級的微突起結構215。請參照第5C圖，其繪示第5B圖之抗反射板的局部放大圖。較佳地，微突起結構215個別之平均寬度D2的範圍位於10奈米(nm)－500nm之間，且微突起結構215相
對於抗反射薄膜210之光入射面211的粗糙度小於100nm。同樣的，本實施例中，粗糙度係以原子力顯微鏡(atomic force microscopy,AFM)進行量測。
此外，上述步驟21－25中，較佳地更包括控制待鍍膜物200之溫度。待鍍膜物200之溫度範圍較佳地位於10℃－100℃之間，可以使形成之薄膜210具有較佳之性質。
同樣的，本實施例之上述步驟21－25較佳地係於一大氣壓電漿系統內進行，且不限定各步驟之執行順序。其中，大氣電漿系統可以產生大氣壓電漿輝光放電、大氣壓噴射電漿、大氣壓電漿火炬、大氣壓表面介電質放電等不同電漿型態的至少其中一種。
請參照第6圖，其繪示玻璃基板以不同鍍膜單體進行電漿鍍膜前與鍍膜後於不同光波長下之光穿透率比較圖。如第6圖所示，曲線61為電漿鍍膜前之玻璃基板的光穿透率曲線，曲線62、63、64分別為使用HMDSN、使用氫氣及氮氣混合氣體，以及使用氬氣作為電漿源進行電漿鍍膜之玻璃基板的光穿透率曲線。由第6圖可以看出，不論以哪一種氣體做為電漿源，經過電漿鍍膜後之玻璃基板的光穿透率皆有顯著的提昇。
請參照第7圖，其繪示實施例二之抗反射板形成一複合薄膜之步驟流程圖，並同樣以第5A圖之待鍍膜基板與大氣電漿設備為例做說明。形成複合薄膜之方法起始於步驟S71，此步驟與第4圖之步驟21相似，故在此不再贅述。另外，在此之待鍍膜物200係可為聚碳酸酯(Polycarbonate,
PC)基板(俗稱之工程塑料)或是PMMA、矽晶圓、玻璃等材質，在此是以PC基板作說明。
接著，如步驟72所示，提供第一電漿源於反應區6內。此步驟與第4圖之步驟22相似，故在此不再贅述。另外，依照電漿源之驅動方式，第一電漿源可為一交流(AC)電漿源或一射頻(RF)電漿源。本實施例之第一電漿源例如是一AC電漿源。
然後，如步驟73所示，提供第一鍍膜單體於反應區6內。此步驟與第4圖之步驟23相似，故在此不再贅述。第一鍍膜單體包括矽氧化物、氟矽氧化物、金屬氧化物、飽和碳氫化合物及不飽和碳氫化合物等至少其中之一。
接著，如步驟74所示，於常壓下解離第一電漿源之氣體形成電漿，使電漿與第一鍍膜單體反應。此步驟與第4圖之步驟24相似，故在此不再贅述。
然後，如步驟75所示，沈積第一鍍膜單體於待鍍膜物200之表面201並重新聚合以形成第一薄膜，第一薄膜具有多個第一微突起結構。請參照第8圖，其繪示抗反射板具有雙層之複合薄膜的示意圖。第一電漿源為AC電漿源，因此成膜速度較快，使得第一薄膜的結構中具有較大的孔隙。如第8圖所示，第一薄膜310係為一多孔結構，並具有多個第一微突起結構315。其中，多孔結構之反射係數較低。
如果使用矽氧化物或氟矽氧化物做為第一鍍膜單體，則形成氧化矽薄膜；若使用金屬氧化物做為第一鍍膜
單體，則會聚合形成金屬氧化物薄膜；若使用飽和碳氫化合物及不飽和碳氫化合物做為第一鍍膜單體，則會形成碳薄膜或類鑽碳薄膜。
接著是要進行第二薄膜之製程。如步驟76所示，提供第二電漿源於反應區6內。第二電漿源係不同於第一電漿源，以透過不同的電漿源驅動方式，形成特性有差異之薄膜結構。第二電漿源也可為一AC電漿源或一RF電漿源。由於本實施例之第一電漿源是以AC電漿源做說明，故第二電漿源係為RF電漿源。
然後，如步驟77所示，提供第二鍍膜單體於反應區6內。此步驟中，所提供之第二鍍膜單體可與第一鍍膜單體相同或不相同，亦即，第二鍍膜單體包括矽氧化物、氟矽氧化物、金屬氧化物、飽和碳氫化合物及不飽和碳氫化合物等至少其中之一。
接著，如步驟78所示，於常壓下解離第二電漿源之氣體形成另一電漿，並使電漿與第二鍍膜單體反應。
然後，如步驟79與第8圖所示，沈積第二鍍膜單體於第一薄膜310上並重新聚合以形成第二薄膜320，第二薄膜320對應第一微突起結構315具有多個第二微突起結構325。由於第二電漿源為RF電漿源，其成膜速度較慢，因此，相較於第一薄膜310之多孔結構，第二薄膜320具有較為緻密之結構，而緻密結構之反射係數也較高。
以較佳之實施方式而言，第二薄膜320(或緻密結構)之厚度約為抗反射板300a所適用之光源之波長之四分之
一。第一薄膜310(或多孔結構)之厚度則約介於5nm與500nm之間。
接著，如步驟80所示，判斷是否結束複合薄膜之製作。如第8圖所示，若本實施例之複合薄膜301僅需為雙層結構，則可結束薄膜之製作。若本實施例之複合薄膜301需為更多層薄膜之結構，則回到步驟72，以製作另一個第一薄膜310。
並請參照第9圖，其繪示PC基板進行電漿鍍膜前與鍍上雙層之複合薄膜後於不同光波長下之光穿透率比較圖。曲線91係電漿鍍膜前之PC基板的光反射率曲線，曲線92為電漿鍍膜後之PC基板的光反射率曲線。由第9圖可以看出，經過電漿鍍膜後之PC基板的光反射率明顯地降低不少。
上述實施例中，第一電漿源與第二電漿源雖是個別以AC電漿源與RF電漿源做說明，然並不限定於此。第一電漿源與第二電漿源亦可各為RF電漿源與AC電漿源，也因此形成之第一薄膜310與第二薄膜320係各為緻密結構與多孔結構。
請參照第10圖，其繪示抗反射板具有多層之複合薄膜的示意圖。抗反射板400a與抗反射板300a之不同在於，抗反射板400a之複合薄膜401具有交疊設置之三個第一薄膜410與三個第二薄膜420，其中，第一薄膜410可以是透過RF電漿源所形成之一緻密結構，而第二薄膜420可以是透過AC電漿源所形成之一多孔結構。
各個第一薄膜410(或緻密結構)之厚度約為抗反射板400a所適用之一光源之波長之四分之一。另外，三個第一薄膜410(或緻密結構)之厚度也可不相同，因此可同時截斷不同波長之光源。至於第二薄膜420(或多孔結構)之厚度，其也可為相同或不相同。以較佳之實施方式而言，第二薄膜420(或多孔結構)之厚度約介於5nm與500nm之間。
對照第10圖之抗反射板400a所做之試驗則請參照第11圖，其繪示PC基板進行電漿鍍膜前與鍍上多層之複合薄膜後於不同光波長下之光穿透率比較圖。曲線111係電漿鍍膜前之PC基板的光反射率曲線，曲線112為電漿鍍膜後之PC基板的光反射率曲線。由第11圖可以看出，經過電漿鍍膜後之PC基板的光反射率也明顯地降低不少。
本發明上述實施例所揭露之抗反射板及其抗反射結構之製造方法，係利用大氣壓電漿形成模擬蛾眼表面之結構，可消除顯示器反光現象造成畫面閱讀困難的問題，或增進入射光比率以提高光能利用率。由於大氣壓電漿製程可以節省抽真空所需的時間，且所需材料成本低，不會產生造成環境污染之物質，可以大幅降低產品之製造成本。此外，不論是以表面處理或鍍膜之方式，皆不受物體本身之形狀影響，因此可於複雜幾何外型之基材上形成抗反射結構。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常
知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
2‧‧‧電漿槍
4‧‧‧電漿
5‧‧‧平台
6‧‧‧反應區
31、32、33、34、35、36、37a、37b、38、39a、39b、61、63、64、91、92、111、112‧‧‧曲線
100‧‧‧待處理物
100a、200a、300a、400a‧‧‧抗反射板
101、201‧‧‧表面
101a、211‧‧‧光入射面
110、215‧‧‧微突起結構
200‧‧‧待鍍膜物
210‧‧‧抗反射薄膜
301、401‧‧‧複合薄膜
310、410‧‧‧第一薄膜
315‧‧‧第一微突起結構
320、420‧‧‧第二薄膜
325‧‧‧第二微突起結構
第1圖繪示依照本發明實施例一之抗反射板的形成步驟流程圖；第2A圖繪示待處理物與大氣電漿設備之示意圖；第2B圖繪示經過大氣壓電漿處理之抗反射板的示意圖；第2C圖繪示第2B圖之抗反射板的局部放大圖；第3A圖繪示PMMA基板經電漿處理前與處理後於不同光波長下之光穿透率比較圖；第3B圖繪示玻璃基板經電漿處理前與處理後於不同光波長下之光穿透率比較圖；第3C圖繪示未拋光矽晶圓經電漿處理前與處理後於不同光波長下之光反射率比較圖；第3D圖繪示拋光矽晶圓經電漿處理前與處理後於不同光波長下之光反射率比較圖；第4圖繪示依照本發明實施例二之抗反射板的形成步驟流程圖；第5A圖繪示待鍍膜物與大氣電漿設備之示意圖；第5B圖繪示以大氣壓電漿鍍膜所形成之抗反射板的示意圖；
第5C圖繪示第5B圖之抗反射板的局部放大圖；第6圖繪示玻璃基板以不同鍍膜單體進行電漿鍍膜前與鍍膜後於不同光波長下之光穿透率比較圖；第7圖繪示實施例二之抗反射板形成一複合薄膜之步驟流程圖；第8圖繪示抗反射板具有雙層之複合薄膜的示意圖；第9圖繪示PC基板進行電漿鍍膜前與鍍上雙層之複合薄膜後於不同光波長下之光穿透率比較圖；第10圖繪示抗反射板具有多層之複合薄膜的示意圖；以及第11圖繪示PC基板進行電漿鍍膜前與鍍上多層之複合薄膜後於不同光波長下之光穿透率比較圖。
Claims (35)
- 一種抗反射結構之製造方法，包括：(a)提供一待處理物於一反應區內；(b)提供一電漿源於該反應區內；(c)於常壓下解離該電漿源形成電漿；以及(d)以電漿處理該待處理物之表面，以於該待處理物之表面形成複數個微突起之蛾眼結構。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該些微突起之蛾眼結構個別之平均寬度範圍位於10奈米(nm)-500nm之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該些微突起之蛾眼結構對於該待處理物之表面的粗糙度小於100nm。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該電漿源包括惰性氣體、空氣、氮氣、氧氣、氟碳化合物氣體及碳氫化合物氣體至少其中之一。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該待處理物之材料為聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)。
- 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該電漿源為氬氣(argon)。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該待處理物之材料為玻璃或矽晶圓。
- 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該電漿 源為氬氣與四氟化碳組成之混合氣體。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該步驟(a)至(d)係於一大氣壓電漿系統內進行。
- 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該大氣電漿系統可以產生大氣壓電漿輝光放電(glow discharge)、大氣壓噴射電漿(jet plasma)、大氣壓電漿火炬(plasma torch)及大氣壓表面介電質放電(surface dielectric barrier discharge)至少其中之一。
- 一種抗反射結構之製造方法，包括：(a)提供一待鍍膜物於一反應區內；(b)提供一第一電漿源於該反應區內；(c)提供一第一鍍膜單體於該反應區內；(d)於常壓下解離該第一電漿源形成電漿，使電漿與該第一鍍膜單體反應；以及(e)沈積該第一鍍膜單體於該待鍍膜物表面以形成一第一薄膜，該第一薄膜具有複數個第一微突起之蛾眼結構。
- 如申請專利範圍第11項所述之方法，更包括：控制該待鍍膜物之溫度。
- 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該待鍍膜物之溫度範圍位於10℃-100℃之間。
- 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該待鍍膜物之材料包括PMMA、矽晶圓、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)及玻璃至少其中之一。
- 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該些第一微突起之蛾眼結構個別之平均寬度範圍位於10nm-500nm之間。
- 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該些第一微突起之蛾眼結構相對於該待鍍膜物之表面的粗糙度小於100nm。
- 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該第一電漿源包括惰性氣體、空氣、氮氣、氧氣、氟碳化合物氣體及碳氫化合物氣體至少其中之一。
- 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該步驟(c)中，該第一鍍膜單體係以一承載氣體攜入該反應區內。
- 如申請專利範圍第18項所述之方法，其中該承載氣體包括惰性氣體、空氣、氮氣、氧氣、氟碳化合物氣體及碳氫化合物氣體至少其中之一。
- 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該第一鍍膜單體包括矽氧化物、氟矽氧化物、金屬氧化物、飽和碳氫化合物及不飽和碳氫化合物至少其中之一。
- 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該步驟(a)至(e)係於一大氣電漿系統內進行。
- 如申請專利範圍第21項所述之方法，其中該大氣電漿系統可以產生大氣壓電漿輝光放電、大氣壓噴射電漿、大氣壓電漿火炬及大氣壓表面介電質放電至少其中之一。
- 如申請專利範圍第11項所述之方法，更包括：(f)提供一第二電漿源於該反應區內；(g)提供一第二鍍膜單體於該反應區內；(h)解離該第二電漿源形成另一電漿，使該另一電漿與該第二鍍膜單體反應；以及(i)沈積該第二鍍膜單體於該第一薄膜上以形成一第二薄膜，該第二薄膜對應該些第一微突起之蛾眼結構具有複數個第二微突起結構。
- 如申請專利範圍第23項所述之方法，其中該第一電漿源與該第二電漿源之電漿驅動方式係不相同。
- 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該第一電漿源係為一交流電漿源或一射頻電漿源。
- 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該第一鍍膜單體與該第二鍍膜單體係相同。
- 一種抗反射板，具有一光入射面，該抗反射板包括複數個微突起之蛾眼結構設置於該光入射面上，該些微突起結構個別之平均寬度範圍位於10nm-500nm之間。
- 如申請專利範圍第27項所述之抗反射板，其中該些微突起之蛾眼結構相對於該光入射面的粗糙度小於100nm。
- 如申請專利範圍第27項所述之抗反射板，其中該抗反射板之材料包括玻璃、矽晶圓、PC及PMMA至少其中之一。
- 如申請專利範圍第27項所述之抗反射板，其中 該抗反射板更包括：一基板；以及一單層薄膜，設置於該基板上，該單層薄膜具有該些微突起之蛾眼結構。
- 如申請專利範圍第27項所述之抗反射板，其中該抗反射板更包括：一基板；以及一複合薄膜，設置在該基板上，並至少具有一第一薄膜與一第二薄膜，其中，該第一薄膜位在該基板與該第二薄膜之間，且該第一薄膜之反射係數係不等於該第二薄膜之反射係數，而該第一薄膜與該第二薄膜形成該些微突起之蛾眼結構。
- 如申請專利範圍第31項所述之抗反射板，其中該第一薄膜係為一多孔結構或一緻密結構。
- 如申請專利範圍第33項所述之抗反射板，其中該緻密結構之厚度約為該抗反射板所適用之一光源之波長之四分之一。
- 如申請專利範圍第31項所述之抗反射板，其中該多孔結構之厚度約介於5nm-500nm之間。
- 如申請專利範圍第31項所述之抗反射板，其中該第一薄膜之材料包括矽氧化物、氟矽氧化物、金屬氧化物、飽和碳氫化合物及不飽和碳氫化合物至少其中之一。
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