TWI423360B - 用於自調整地控制以雷射為主之材料處理程序的方法及系統及用於鑑別其品質的方法及系統 - Google Patents

用於自調整地控制以雷射為主之材料處理程序的方法及系統及用於鑑別其品質的方法及系統 Download PDF

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Description

用於自調整地控制以雷射為主之材料處理程序的方法及系統及用於鑑別其品質的方法及系統 發明領域
本申請案宣告於2006年6月5日申請在先之美國臨時專利申請案第60/810,964號的優先權。
除非特別指出，以下專利以及專利申請案係指讓給本發明之受讓人，並將其完整內容以參考方式併入本文之中：美國專利第6,972,268號(’268號專利)；美國專利第6,949,844號(’844號專利)；美國專利第6,911,622號(’622號專利)；美國專利第6,878,899號(’899號專利)；美國專利第6,727,458號(’458號專利)；美國專利第6,573,473號(’473號專利)；公開專利合作條約申請案WO 2004/114192號(’4192號公開案)；公開之美國專利公開案第2005/0150880號(’0880號公開案)；以及美國專利第6,987,786號(’786號專利)。
 發明背景
本發明係有關於一種用以自調整地控制以雷射為主之材料處理程序的方法與系統，以及用以鑑別其品質之方法與系統。
本發明一般係有關於半導體基板之以雷射為主的修補及其控制程序。
以雷射為主之修補機器改善了各種半導體程序之產量。修補機器亦能夠與電子或視覺檢驗設備進行接合，檢驗設備輸出係用以控制修補程序。
例如，美國專利第4,727,234號(’234號專利)中係揭露一種早期的以雷射為主之積體電路(IC)遮罩修補方法及系統。
公開之美國專利公開案第2005/0282299號(’2299號公開案)標題為「晶圓檢查系統以及其方法」係為半導體製造程序在一「雷射照射前(pre－laser)」程序期間的與日漸增之「直列(in－line)」自動化的例子。各種不同的缺陷係自動加以偵測，並且使用各種演算方式加以分類。文中之第1圖(對應’2299號公開案的第1圖)係為根據’2299號公開案之一實施例的一晶圓檢測系統之一區塊圖。如圖所示，該系統能夠包含一電子測試子系統10、一缺陷偵測子系統20、一缺陷分類子系統30，以及一缺陷判定子系統40。電子測試子系統10能夠在將一晶粒安置式晶圓裝載於其上之後，控制一與一晶粒之一墊片相接觸的探針，並且能夠實行一預定的電子測試程序。此處，電子測試程序能夠包括一燒機程序，以便試驗晶粒之耐用性、一雷射照射前程序，根據一操作狀態將一電流供應到晶粒，以檢查一缺陷晶粒、以及一雷射修補程序，以便以一雷射等掃瞄並修補該缺陷晶粒。
記憶體修補係為一種用以改進記憶體晶片之產量的有價值之製造程序的範例。藉由範例，能夠在總編輯瑞帝(Ready)於美國雷射學會2001年「LIA雷射材料處理手冊」之第595~615頁所說明的「產生連接/切割」中獲得連接燒斷方面之一般資訊。如第595頁上所描述，藉由自動試驗設備(ATE)加以識別之個別的連接係以一聚焦雷射進行切割。
日本專利公開案JP1083390號揭露一種用以切割熔線之雷射光束機器，該機器並包括一偵測器，用以測量自一切割熔線反射之光線。
美國專利第5,555,495號揭露一種人員在迴路中之一系統的自調整式控制。
先前技藝之修補系統包括手動檢驗。檢驗用之資訊典型係由顯微系統或掃瞄式電子顯微鏡(SEM)加以獲得，檢驗設備能夠包括一電腦與顯示幕。然而，間歇性之檢查限制了產量。
因此，目前的記憶體修補與其他以雷射為主的修補機器係依靠(1)ATE提供所有的缺陷資訊，以及(2)並未包括修補程序之封閉迴路控制。
 發明概要
對於改進的以雷射為主之修補系統具有增加各種半導體製造程序的產量之需求。
希望能夠消除裝置製造期間不需要的試驗步驟。
希望具有一雷射修補程序之至少某些封閉迴路回饋控制，以便偵測狀況並啟動適當的動作。
在本發明之一觀點中係揭露一種修補半導體基板之以雷射為主的修補系統。該系統包括一處理器以及控制器，用以至少基於一感應狀態半自動地控制該修補系統。
在本發明之另一觀點中係揭露一種以雷射為主的修補系統。該系統包括雷射處理設備，以便以一種或更多之聚焦雷射脈衝修補至少一部份的半導體工作件、至少一個感應器，以反應一實體刺激，該感應器提供以雷射為主之修補設備與半導體工作件其中至少一者的一狀態表示資訊、一處理器，其用以處理資訊、以及一控制器，其基於該資訊啟動一動作。
揭露一種用於以雷射為主之修補系統的程序控制方法。
在實行本發明之一特徵方面，提供一種用以自調整地控制一以雷射為主的材料處理程序之方法。該方法包括自動地感應以雷射為主之材料處理系統以及一藉由該系統加以處理的工作件至少其中一者的一程序變數或是狀況，並且提供一對應的量測訊號。該方法亦包括處理該量測訊號，以便獲得一經過處理之訊號，其至少半自動地啟動一有關於系統與工作件其中至少一者之動作。
該方法可為一種用於操作人員在迴路中之系統的自調整式控制方法，且經過處理之訊號能夠半自動地啟動動作。
工作件能包括一半導體基板，且感應步驟能夠感應基板之至少一個缺陷。
感應步驟能夠以光學方式加以進行。
該動作可為控制傳遞到位於工作件上之一目標構造的雷射脈衝能量。
材料處理系統能夠傳遞至少一種聚焦雷射脈衝到工作件，且感應步驟能夠量測平均雷射功率、尖峰脈衝功率、脈衝寬度、光斑直徑、光斑形狀、光斑定心、焦距與波長至少其中一者。
該動作能夠導引或是進行雷射修補操作。
感應步驟能包括以複數種不同放大倍率使工作件成像之步驟，且該感應步驟能夠感應工作件在複數種不同放大倍率之狀況，以便提供對應的量測訊號。
處理系統可為一以雷射為主之記憶體修補系統。工作件能包括欲藉由該系統加以切割之連結，且感應之步驟能夠包括獲得位於不同位置的切割連結之影像的步驟，且處理步驟能夠處理該等影像，以實行下述其中至少一種步驟：確認已經切割正確的連結、判定切割品質，以及容許系統操作人員對切割品質進行分類與品質鑑別。
感應步驟能夠以一自動光學檢驗(AOI)子系統加以實行，以獲得影像資料，且該方法進一步可包括之步驟為接收參考影像資料，並且將該參考資料與以AOI子系統所獲得的影像資料進行比較，以便對於工作件的缺陷進行分類。
該動作可為自動調整藉由材料處理系統所產生之一雷射脈衝的一時態性特徵與一空間性特徵其中至少一者。
該方法能進一步包括接受一操作人員產生的輸入，並處理該輸入。該經過處理之輸入與量測訊號能夠加以處理，以獲得經過處理之訊號，藉以半自動地啟動動作。
該方法進一步能夠包括接受一機器產生之輸入，並處理該輸入。經過處理之輸入與量測訊號能夠加以處理，以獲得經過處理之訊號，藉以自動地啟動動作。
處理步驟能夠包括處理該量測訊號，以便獲得資料、以及將該資料輸入到一圖案辨識子系統中之步驟。
圖案辨識子系統可為一可訓練神經網路。
感應步驟可包括以一視覺子系統量測雷射對連結之對齊性，以偵測系統對齊性誤差或是對齊性之變化，且動作可包括如果該誤差或變化超過一預定數值，便停止雷射材料處理。
該動作可包括執行一診斷程式，以偵測對齊性誤差或變化之來源。
在進一步實行本發明之一特徵的方面，提供一種用以自調整地控制一以雷射為主的材料處理程序之控制系統。該系統包括感應設備，其用以測量以雷射為主之一材料處理系統以及一藉由該材料處理系統加以處理的工作件至少其中一者之程序變數或狀況，並提供一對應的量測訊號。該控制系統亦包括一訊號處理器，用以處理該量測訊號，以獲得一經過處理的訊號，其至少半自動地啟動與一材料處理系統以及工作件至少其中一者有關的動作。
控制系統可為人員在迴路中之系統，且該經過處理之訊號能夠半自動地啟動動作。
工作件可包括一半導體基板，且感應設備能夠感應該基板之至少一個缺陷。
感應設備能包括光學感應設備。
該動作可為控制傳遞到位於工作件上之一目標構造的雷射脈衝能量。
材料處理系統能夠將至少一種聚焦雷射脈衝傳遞到工作件，且該感應設備能夠量測平均雷射功率、尖峰脈衝功率、脈衝寬度、光斑直徑、光斑形狀、光斑定心、焦距與波長至少其中一者。
該動作能夠導引或是進行雷射修補操作。
感應設備能夠包括一成像器，用於使工作件以不同之放大倍率成像，且該感應設備能夠量測工作件在各個不同放大倍率之狀況，以便提供對應的量測訊號。
材料處理系統可為一以雷射為主之記憶體修補系統。工作件能夠包括欲藉由該系統加以切割之連結，且該感應設備能夠獲得位於不同位置之切割連結的影像，訊號處理器能夠處理該影像，以便實行下述至少其中一種步驟：確認已經切割正確的連結、判定切割品質，以及容許修補系統操作人員對切割品質進行分類與品質鑑別。
感應設備能夠包括一AOI子系統，用以獲得影像資料，且控制系統能夠進一步包括一用以接收參考影像資料之機構、以及一用以將該參考影像資料與藉由AOI子系統所獲得的影像資料進行比較，以便對於工作件的缺陷進行分類的機構。
該動作可為自動調整藉由材料處理系統所產生的一雷射脈衝之一時態特徵以及一空間特徵其中至少一者。
控制系統進一步能包括一使用者介面，其用以接受一操作人員產生的輸入、以及一處理器，其用以處理該輸入。經過處理之輸入以及量測訊號能夠加以處理，用以獲得經過處理的訊號，藉以半自動地啟動動作。
控制系統能夠進一步包括一個用以接受一機器產生輸入之機構、以及一用以處理該輸入的處理器。經過處理之輸入以及量測訊號能夠加以處理，用以獲得經過處理的訊號，藉以自動地啟動動作。
訊號處理器能夠處理量測訊號，用以獲得資料，且控制系統能夠包括一接受資料之圖案辨識子系統。
圖案辨識子系統可為一可訓練神經網路。
感應設備可包括一視覺子系統，用以測量雷射對連結之對齊性，以便偵測對齊性的系統對齊性誤差或變化，且該動作能夠包括如果該誤差或變化超過一預定數值，便停止進行雷射材料處理。
該動作能夠包括執行一診斷程式，以偵測對齊性誤差或變化的來源。
在進一步實行本發明之一特徵的方面，提供一種用以半自動地對於以雷射為主的材料處理程序進行品質鑑別的方法。該方法包括使用一以雷射為主的材料處理系統，用以將雷射能量傳遞到複數個形成於一工作件上的微構造上或是其鄰近位置，以便至少部分地處理該等微構造。該方法進一步包括自動地感應該系統以及該至少經過部分處理之微構造與鄰接至少經過部分處理的微構造之工作件的區域其中至少一者的程序變數或情況，並提供對應的量測訊號。該方法亦包括處理該等量測訊號，以獲得一經過處理的訊號，該訊號至少半自動地啟動品質鑑別程序。
材料處理系統能夠包括一以雷射為主的連結切割系統。該等微構造能夠包括複數個具有一間距之連結，且該經過處理的訊號能夠代表不同位置處的雷射能量之有效光斑尺寸。
工作件可為一測試工作件。
感應步驟能夠以光學方式加以實行。
感應步驟能夠以一AOI子系統加以實行，以獲得影像資料。
雷射能量能夠以雷射脈衝之形式加以傳遞，且經過處理之訊號能夠至少半自動地啟動，調整該雷射脈衝的時態特徵與空間特徵至少其中一者。
雷射能量能夠以聚焦雷射脈衝之形式加以傳遞，且經過處理之訊號能夠至少半自動地啟動，調整平均雷射功率、尖峰脈衝功率、脈衝寬度、光斑直徑、光斑形狀、光斑定心、焦距與波長至少其中一者。
該方法能夠進一步包括接受一操作人員產生之輸入，並處理該輸入。經過處理之輸入與量測訊號能夠加以處理，以獲得經過處理的訊號，藉以半自動地啟動品質鑑別程序。
該方法能夠進一步包括接受一機器產生之輸入，並處理該輸入。經過處理之輸入與量測訊號能夠加以處理，以獲得經過處理的訊號，藉以自動地啟動品質鑑別程序。
該方法可為一種用於操作人員在迴路中之系統的自調整品質鑑別方法，且經過處理之訊號能夠半自動地啟動品質鑑別程序。
在進一步實行本發明之一特徵的方面，提供一種至少半自動地對於以一雷射為主的材料處理系統進行品質鑑別的系統，該以一雷射為主的材料處理系統將雷射能量傳遞到複數個形成於一工作件上的微構造上或其鄰近位置，用以至少部分地處理該等微構造。該品質鑑別系統包括感應設備，用以量測該材料處理系統以及至少部分經過處理的微構造與鄰接該等至少經過部分處理之微構造的工作件之部分其中至少一者的一程序變數或情況，並且提供對應的量測訊號。該系統亦包括一訊號處理器，用以處理該等量測訊號，以獲得一經過處理之訊號，該訊號至少半自動地對於該材料處理系統進行品質鑑別。
材料處理系統能夠包括一以雷射為主的連結切割系統，且該等微構造能夠包括複數個具有一間距的連結。。
工作件可為一測試工作件。
感應設備能夠包括光學感應設備。
感應設備能夠包括一AOI子系統，其用以獲得影像資料。
雷射能量能夠以雷射脈衝之形式加以傳遞，且經過處理之訊號能夠至少半自動地啟動，調整雷射脈衝之時態特徵與空間特徵至少其中一者。
雷射能量能夠以聚焦雷射脈衝之形式加以傳遞，且經過處理之訊號能夠至少半自動地啟動，調整平均雷射功率、尖峰脈衝功率、脈衝寬度、光斑直徑、光斑形狀、光斑定心、焦距與波長至少其中一者。
品質鑑別系統能夠進一步包括一使用者介面，其用以接受一操作人員產生的輸入、以及一處理器，其用以處理該輸入。經過處理之輸入與量測訊號能夠加以處理，以獲得經過處理的訊號，藉以半自動地啟動對於材料處理系統的品質鑑別。
品質鑑別系統能夠進一步包括一機構，其用以接受一機器產生的輸入、以及一處理器，其用以處理該輸入。經過處理之輸入與量測訊號能夠加以處理，以獲得經過處理之訊號，藉以自動地啟動對於材料處理系統的品質鑑別。
品質鑑別系統可為一種操作人員在迴路中之系統，且該經過處理之訊號能夠半自動地啟動對於材料處理系統的品質鑑別。
藉由以下最佳模式之詳細說明並且結合所附圖式，上述特性與優點立即係變得顯而易見。
圖式簡單說明
第1圖由’2299號公開案併入，該圖係為一晶圓檢測系統之一概略方塊圖；第2圖係為一概略方塊圖，該圖顯示本發明之一普通實施例；第3圖係為一概略方塊圖，該圖顯示本發明之一實施例的某些元件；第4圖係為一概略方塊圖，該圖顯示本發明用於自動光學檢驗(AOI)之一特定實施例；第5圖係為一部分以方塊圖形式表示之概略圖，該圖顯示某些記憶體修補最為嚴重的缺陷；第6圖係由LIA雷射材料處理手冊改編，該圖顯示一「游標尺運行」的步驟，以判定一用於處理一示範性晶圓之有效光斑尺寸。
第7圖係為能量製程範圍(單位為微焦耳)對於脈衝寬度之示範性標繪圖，該圖顯示對於銅連結而言之能量製程範圍對於雷射脈衝的依賴性；能量製程範圍(單位為微焦耳)在文中係為雷射脈衝能量在處理連結所需的最小能量以及在連結下方觀察到一暗點的最大能量之間的範圍；第8圖係為定位準確性半範圍(單位為微米)對於脈衝能量(單位為微焦耳)之一示範性標繪圖，該圖顯示一4微米光斑在銅連結方面的準確性範圍；此標繪圖顯示出能夠施加到連結而不會導致光學上可察覺的損壞之最大脈衝能量的變化係為相對於連結中心的光斑位置之函數；文中之半範圍表示各雷射脈衝能量所達成且不會觀察到光學損壞的光斑位置距離連結中心之最大偏差；且第9圖係為能量製程範圍(單位為微焦耳)對於光束尺寸(單位為微米)之一示範性標繪圖，該圖顯示製程範圍係為銅連結上之光斑尺寸的函數；能量製程範圍(單位為微焦耳)在文中係為雷射脈衝能量在處理連結所需的最小能量以及在連結下方觀察到一暗點的最大能量之間的範圍。
 較佳實施例之詳細說明 實施方式
除非特別提及，慣用語「半導體工作件」或是術語「工作件」或「基板」並沒有限制，且視為一具有一半導體材料之工作件。藉由範例，一工作件可為一其上帶有複數個晶粒之半導體晶圓，並能夠普遍包括多重材料之裝置。製造位於矽基板上之記憶體電路係為一種範例，並且概略視為位於一矽晶圓上之系列層，如同LIA手冊(參考以上所述)、美國專利第5,936,296號、6,320,243號、與6,518,140號，以及各種其他的專利與公開案中所講授者。工作件可為一帶有大量晶粒之完整基板(例如直徑200毫米的晶圓)、單一晶粒或裝置、裝置部分，或是半導體裝置或晶片能夠以一雷射加以修補的其他變化形式。
第2圖顯示本發明之一普通實施例的某些元件。以雷射為主之修補系統200一般包括雷射處理設備、感應設備、一資料或訊號處理器223、一控制器221，以及一使用者介面。藉由範例，以雷射為主之修補設備可為市場上販售之遮罩或是其他修補系統，或者是其一子系統。在某些實施例中，該修補系統會包括一多軸向基板定位設備260且/或其他設備，用以相對於一雷射光束或者相對於該修補系統的其他組件加以定位一工作件250。
第2圖中之範例實施例的一個或更多感應器係包含於一光束盒205中，例如光偵測器、影像陣列、熱偵測器等等。其他感應設備亦配置於該光束盒205之外部。例如，位置/速度感應器能夠提供有關於工作件***260之一狀況或處理變化的資訊。控制訊號能夠從控制器221提供到該工作件***260。
感應設備能包括多個有效連接到處理控制器之感應器以及相關資訊通道。感應裝置偵測各種不同的刺激，例如：熱量、包括光線與其他電磁輻射之輻射能量、電子放射、電磁場、壓力或運動。能夠使用任意數量之感應器，以監測雷射修補機器、工作件在雷射修補程序期間的狀況，且/或用於下個工作件之缺陷偵測(其能夠補強或取代其他的自動化測試設備(ATE))。
處理器223提供至少半自動處理自感應設備獲得之資訊且/或訊號。
控制器221能夠基於一偵測狀況產生控制訊號。該控制訊號能夠導引或者是實行雷射修補操作：例如停止修補、致使執行校正、診斷以及測量等等程式至少其中一者。
處理器223與控制器221至少其中一者亦較佳有效地連接到一互動式使用者介面，輸入能夠透過使用該介面加以提供。除了控制修補操作的習用使用者指令以外，該等輸入可為控制程式、缺陷偵測演算法，或者是自動編程系統。適當的神經網路、專家系統，以及統計程序控制工具能夠加以修改，並整合於處理器或是控制器中，以便分析用於監控與控制該修補程序之感應器資料。「知識工程」方面的進步進一步地發展實施例系統，並且減少的硬體尺寸與成本能夠提供用以增加自動化。例如，神經網路之某些優點係概述如下：●減低維護成本，並透過早期偵測以及趨勢分析，使災難性故障的產生機會減到最低；●顯著減少資料分析工作/時間；●解決習用方法無法快速或是準確解決的不同程序問題；●堅固、精確，且即時操作。
相關應用包括：●實行電腦晶片製造品質管制；●預測產品品質；●維護產品品質規範；及●實行缺陷分類。
第3圖顯示本發明之一特定實施例，尤其係有關於以雷射為主之記憶體修補的某些元件。雷射處理設備301包括至少一雷射來源以及一光束傳遞系統。
一光束盒305一般包括一適當的脈衝雷射來源(未顯示)，例如q開關、模式鎖定，或是增益開關來源。
光束傳遞系統307在工作件250(例如一具有修補點之晶圓)相對於光束盒305進行三維運動期間，將雷射能量傳遞到位於晶圓上之預定的修補點。
藉由範例，對於雷射脈衝產生、脈衝特徵之控制、光束傳遞之方法與系統，以及一般雷射修補系統操作的學說係參考’268、’622、’899、’458與’786號專利案以及’0080號公開案。藉由範例，對於以三維方式相對於一連結精確地定位一光束腰部的系統之細節係特別參考’473號專利案之第2~10圖以及對應的文字內容。在記憶體修補之應用方面，’844號專利案中係概略描述一種用於X－Y精確定位之較佳系統，特別參考該專利案之第1~12圖以及其中對應的文字內容。
由本發明之受讓人所生產的市售M455記憶體修補系統一般結合了先前所述的一脈衝雷射系統、光束傳遞以及光束定位技術。該系統展現了具有1~1.5微米連結間距之最先進的記憶體裝置修補(燒斷連結)能力。一連結之寬度與深度尺寸典型係較1微米更加細微，相對於一連結之雷射定位係設定為0.15微米的3個標準差(sigma)。使用一短脈衝、頻率倍頻之NdYVO4雷射，以大約0.7微米的聚焦光斑尺寸處理某些連結。
在實行本發明之實施例時，能夠使用採用其他修補系統構造之雷射修補設備。
再次參考第3圖之實施例，感應設備一般包括一個或更多感應器311，以偵測一基板狀況。用以偵測基板狀況之感應設備較佳係併入光束盒305中，並構造成一個或更多連接到處理器223以及控制器221之獨立感應器站。
光束盒305中的一個或更多感應器能夠與一雷射共享一共用路徑。例如，測量一層或其他材料之厚度變化對於程序控制而言係引起關注。’268號專利案之第11~13圖以及對應的文字內容中係揭露一種用以測量厚度以及層反射性之方法與系統。傳遞到一目標構造之脈衝能量係基於厚度測量結果加以精確控制，其中所顯示之脈衝雷射來源以及輔助雷射二極體係共享一共用路徑。市面上亦有販售其他的厚度測量探針。此外，能夠使用市售白燈或是以雷射為主的干涉計，用以測量表面品質或是進行缺陷偵測。原子力顯微鏡(AFM)以及掃瞄式電子顯微鏡(SEM)係為一般有助於監控半導體基板之狀況的其他工具，儘管AFM以及SEM主要係適合作為採樣之用。雖然在解析度方面有所限制，對於統計上的充分採樣或者是100%檢驗而言，仍然需要其他的感應器。
除了以一個或更多感應器監控半導體基板之外，至少能夠將一感應器311a配置於光束盒305中，用以監控雷射處理設備或是感應設備的狀況。藉由範例，該光束盒亦能夠包括至少一個用以監控雷射參數之光偵測器，例如位置敏感偵測器。能夠使用一個或更多此等偵測器，用以監控且/或測量平均雷射功率、尖峰脈衝功率、脈衝寬度、光斑直徑、光斑形狀、焦距以及波長。
’4192號公開案教導如何監控一雷射處理機器之一個或更多狀況，並且透過使用一圖形使用者介面加以控制。工作件在一雷射處理操作期間能夠透過使用一圖形使用者介面(GUI)加以觀測。此原理能夠即刻修改成適合用以監控時間序列或是其他非影像資料。來自於一處理器32(如’4192號公開案中所示者)之資料能夠以原始或是經過處理的資料形式傳遞到一位置，或者經由網際網路傳遞供遠端診斷之用，第三方之應用程式能夠加以整合。
較佳地，有關於基板或是雷射處理設備之狀況或者是程序變數會透過一圖形使用者介面(GUI)加以顯示，且資料能夠傳遞到半導體站外部(例如「在工廠中」的無塵室外部)或是經由網際網路傳遞到遠端使用者。此外，此等使用者能夠對於處理器223或控制器221提供輸入或是程式。
藉由範例，第4圖概略顯示一檢驗系統，稱之為「自動光學檢驗(AOI)」。在一實施例中，該組合能包括一「自動光學檢驗(AOI)」系統或是子系統。該系統亦能夠構造成具有某程度的操作者介入的「半自動」方式。半自動檢驗對於較不經常進行之手動檢查所能獲得之資訊提供更為豐富的資訊而言，且對於獲得能夠用以「訓練」一AOI用的系統之資料而言係相當有用。
在第4圖之示範性實施例中，AOI感應器子系統413(例如一高解析度彩色影像系統)係用於自動光學檢驗。該子系統包括一高解析度光學系統以及一電子成像器，諸如一高解析度數位相機，其以視訊速率產生並傳遞數位影像。撓性照明器415可為明場、暗場或是其任何組合。藉由範例，檢驗透鏡能夠提供25倍~150倍之放大倍率，用以顯示工作件缺陷之影像。該透鏡系統能夠佈置於馬達帶動的鏡頭轉臺上，以便以不同比例觀察缺陷，粗略的放大倍率用於缺陷偵測，且細微的放大倍率則用於詳細分析。聚焦、放大倍率之選擇以及資料分析能夠以知識庫為主，並藉由一控制器321加以導引。
在一較佳實施例中，處理器323會執行演算法，用以自動辨識基板缺陷。此外，雷射修補系統性能參數之追蹤及監控係相當有用。同樣地，基板之缺陷偵測以及低度影像處理操作能夠以使用一內嵌於光束盒305中之處理器的程式加以實行。
在某些情況中，此等缺陷可能為由於雷射修補設備之故障或是漂移所導致的系統性(與隨機性相反)缺陷。其他的缺陷可能為無法在早期的測試程序中偵測到之隨機性缺陷，例如一在電子測試中未偵測到的缺陷。數年以來已經發展出許多用於奈米規格之次微米缺陷的晶圓缺陷偵測之演算法，諸如頒給美商科磊公司(KLA Tencor)之專利的範例。藉由範例，’2299號公開案之第1圖顯示一種緊密結合電子測試與其相關缺陷(某些缺陷係由電子測試所產生)的AOI系統之一範例。
光學檢驗處理工具可包括市售的軟體工具，具有「學習」能力者較佳。在一種或更多實施例中，能夠使用Cognex Inc.(http：//www.cognex.com/)或是Halcon(http：//www.mvtec.com/products/)公司所販售的工具。
用以改進以雷射為主的記憶體修補機器之性能的AOI或半自動系統之示範性且非限定性的應用包括：獲得位於不同切割位置之連結的影像，並且確認切割正確的連結；樣版比對或是其他的圖案辨識演算法，用以判定切割品質；及互動式工具，用以初始容許使用者對於切割品質進行分類以及量化，且結果之「機器學習」則用於更高程度的機器辨識。
第5圖概略地顯示記憶體修補之最為嚴重的缺陷其中某些缺陷，所顯示出的變化係代表一連結以及周圍區域在高放大倍率顯微影像中所發現的變化，例如灰階變化。在一個或更多實施例中，提供樣版缺陷用以訓練檢驗系統。市售樣版比對工具能夠用以將參考影像501與利用AOI系統所獲得的影像資料進行比對。一比對分數或是準則係藉由樣版比對演算法加以使用，以便將缺陷進行分類。其結果接著能夠藉由控制器加以使用，用以啟動一動作。
較佳地，對於各個視野而言，一個來自於一成像裝置之單獨灰階影像對於辨別大多數的缺陷類型而言已經足夠。然而，(以一撓性照明器)在各種不同照明條件下且/或多重感應器所獲取的多重影像亦能夠用以實行圖案辨識演算法。
參考第4圖，如一範例，連接間距係約為1微米，且熔線寬度為0.2~0.6微米。早期偵測系統擾動能夠避免系統誤差，其導致經常且重複的誤差，並且導致產生廢料。例如，自動確認雷射對連結的對齊性，或者漂移之早期偵測，能夠避免臨界切割以及大量的裝置故障。
此外，依照本發明之至少一個實施例，該AOI系統或是半自動系統能夠作為一工具，以便對於新佈置、連結構造以及材料進行連結處理品質鑑別。該品質鑑別程序可包括自動地調整一雷射脈衝之時態與空間特徵至少其中一者。程序極限中之對應改變能夠加以量化，並使用來自於AOI成像設備之影像資料，且在處理器中進行分析產生報告。
LIA雷射材料處理手冊之第19章，標題為「連結切割/產生」描述了典型以手動方式實行用以對於一系統進行品質鑑別的某些操作。例如，能量研究(energy study)以及游標尺運行(vernier run)至少其中一者或是其他程序品質鑑別操作典型係以連結切割系統加以實行，所得到的測試資料可能冗長乏味並且相當耗時。
例如，以下係由LIA手冊直接引用：「有效光斑尺寸隨著能量設定而改變，並且可能不同於標準光斑尺寸(1/e2 )。一游標尺運行顯示一用於藉著以一稍微大於連結間距之雷射設定尺寸燒開一系列均勻隔開的連結之特定功率設定的有效光斑尺寸，此係顯示於第11圖中」(該第11圖即為本文中的第6圖)。「間距差異乘以藉由雷射所影響的連結之數量係等於光斑尺寸以及連結寬度的總和，由於四個參數中有三個參數已知，因此便能夠得到有效光斑尺寸」。
藉由範例，在用於一裝置之雷射修整(調整阻抗)的連結去除之相關應用方面係執行一游標尺運行。藉由使光束中心自連結(此案例中係為佈置於一梯狀網路中用於一電路之雷射調整的銅與金連結)之中心偏移而得到第8圖中所示的定位準確性測試結果，並以目視方式觀察各個連結的損害。各個標繪圖顯示出觀察到的破壞能量臨限值對於位置偏移的關係。最大能量值顯示出符合近乎理想的光斑對連結之對齊性。能量處理範圍負責處理系統定位誤差，且一般係小於第8圖中所示之最大能量。使用一「通過透鏡」成像系統，以便在實驗中獲得影像資料。
在本發明之一實施例中，能夠使用一控制程式執行一類似操作，以便準確地相對於連結定位一雷射光斑。光束傳遞系統307中之一聲學－光學模組或是其他合適的雷射功率控制器(未顯示)控制傳遞到一連結的能量。該連結接著能夠使用AOI或是半自動工具協助一操作者進行目視檢查。該等步驟能夠對於任何數量的連結重複進行，以便在結果中獲得某程度的確信。
參考第4圖，一控制程式能夠從處理器320發出指令，以便執行操作。該等指令會使檯件260自動定位，以便以一成像系統413觀察連結，在此案例中係與處理雷射隔開。該等連結能夠以任何適當順序在處理前或處理後進行觀察。
在某些實施例中，連結之中心能夠對於雷射光斑位置使用提供次像素準確性之預估法，以大約0.15微米之X、Y、Z準確性或是更細微的方式加以判定。一程序控制監控工具(SPC)能夠構造成用以提供一報告、一類似於第8圖之標繪圖，以及一對應能量範圍的計量。
在本發明之至少一實施例中，該AOI或是半自動工具能夠於現場使用，或者是從一遠端位置透過使用一GUI進行操作，以實行或是協助連結與雷射光斑量測以及能量範圍計算。
因此，較佳具有「學習」能力(如以上所述)之光學檢驗程序工具能夠用以對於游標尺運行進行自動化或提供充分易於使用。該系統能夠利用一經過透鏡照明/觀察構造，一如第4圖中所示之單獨的成像系統，或是其組合。至少半自動化操作之整體價值將進一步增加更小的光斑尺寸以及更細微的連結間距，其中焦距之深度係非常淺，且定位公差係非常嚴謹(例如當光斑尺寸從4微米減少到1微米時，焦距之深度減少為1/16，且次微米光斑能夠用於連結處理)。
另一種常用的品質鑑別選項係為能量運行(energy run)：程序能量範圍之測量法。能量範圍概略係以不同雷射特徵的一函數進行改變。
藉由範例，第7與9圖顯示能量範圍分別成為脈衝寬度與光斑直徑的函數，其中各個參數係分別變化。在本發明之一較佳系統中，光斑尺寸以及脈衝寬度能夠藉由一控制程式加以控制。以參考方式併入文中之美國專利及公開案概略揭露用以改變雷射光斑尺寸、光斑分佈、脈衝寬度、脈衝形狀、能量、極性，以及其他空間或時態特徵至少其中一者的示範性方法與系統。欲得到進一步的資訊，至少特別參考’268、’844、’458、’473號專利案。
當第6圖之連結係以漸增的能量加以照射時，便能夠判定程序極限之上限與下限，並鑑別品質(較佳在各個連結以一脈衝加以照射之後，該脈衝具有能量，其藉由至少一個感應器311加以監控)。AOI與分析323能夠用以偵測連結以及周圍材料中的變化(檢驗類似於第5圖中所示之缺陷的缺陷)。
若有需要，接著能使用表面輪廓儀(SEM或AFM)，以提供奈米範圍解析度的構造地形圖。
在一較佳實施例中，第3~5圖之一系統會包括用於程序品質鑑別的所有特性。然而，能夠使用一單獨的離線系統，以實行某些操作，且該離線系統能夠位於遠端。由此一離線系統所獲得的資訊能夠透過介面連接到處理器320，並用以影響一晶圓之處理。
另擇的3D光學輪廓儀，諸如Micro Photonics公司的Zoomsurf 3D(http：//www.microphotonics.com/zoomsurf3D.htm)或是Zygo View 6000系列光學輪廓產生系統(http：//www.lambdaphoto.co.uk/products/140.110)能夠提供足夠的解析度，用以在記憶體修補系統中進行分析，而無須接觸或提供特殊環境。後者系統具有其專有的自動3D度量衡軟體，用以分析並回饋到系統。其他光學非接觸式系統亦有所發展，用以提供適當的系統內整合解決方案。
第3~5圖之系統能夠構造成測量對齊目標、相對於連結定位一雷射光束、確認對齊性、調整任何數量的雷射特徵、獲取資料、分析與報告資料。能夠使用手動、半自動與自動化操作之適當組合。
熟諳此技藝之人士將會體認到的是，能夠使用文中之示範性實施例的各種組合，而不會脫離本發明之範疇。
儘管已經顯示與說明本發明之實施例，這些實施例並非預計用以顯示且描述本發明之所有的可行形式。說明書所使用的文字係作為描述而非限制字眼，且理解到的是，能夠進行各種改變，而不會脫離本發明之精神與範疇。
10．．．電子測試子系統
20．．．缺陷偵測子系統
30．．．缺陷分類子系統
31．．．影像取得部件
32．．．訊號處理部件
40．．．缺陷判定子系統
200．．．修補系統
205．．．光束盒
221．．．控制器
223．．．處理器
250．．．工作件
260．．．工作件***
301．．．雷射處理設備
303．．．介面與邏輯
305．．．光束盒
307．．．光束傳遞系統
311．．．感應器
311a．．．感應器
320．．．處理器
321．．．控制器
323．．．處理器
413．．．AOI感應器子系統
415．．．撓性照明器
501．．．參考影像
第1圖由’2299號公開案併入，該圖係為一晶圓檢測系統之一概略方塊圖；第2圖係為一概略方塊圖，該圖顯示本發明之一普通實施例；第3圖係為一概略方塊圖，該圖顯示本發明之一實施例的某些元件；第4圖係為一概略方塊圖，該圖顯示本發明用於自動光學檢驗(AOI)之一特定實施例；第5圖係為一部分以方塊圖形式表示之概略圖，該圖顯示某些記憶體修補最為嚴重的缺陷；第6圖係由LIA雷射材料處理手冊改編，該圖顯示一「游標尺運行」的步驟，以判定一用於處理一示範性晶圓之有效光斑尺寸。
第7圖係為能量製程範圍(單位為微焦耳)對於脈衝寬度之示範性標繪圖，該圖顯示對於銅連結而言之能量製程範圍對於雷射脈衝的依賴性；能量製程範圍(單位為微焦耳)在文中係為雷射脈衝能量在處理連結所需的最小能量以及在連結下方觀察到一暗點的最大能量之間的範圍；第8圖係為定位準確性半範圍(單位為微米)對於脈衝能量(單位為微焦耳)之一示範性標繪圖，該圖顯示一4微米光斑在銅連結方面的準確性範圍；此標繪圖顯示出能夠施加到連結而不會導致光學上可察覺的損壞之最大脈衝能量的變化係為相對於連結中心的光斑位置之函數；文中之半範圍表示各雷射脈衝能量所達成且不會觀察到光學損壞的光斑位置距離連結中心之最大偏差；且第9圖係為能量製程範圍(單位為微焦耳)對於光束尺寸(單位為微米)之一示範性標繪圖，該圖顯示製程範圍係為銅連結上之光斑尺寸的函數；能量製程範圍(單位為微焦耳)在文中係為雷射脈衝能量在處理連結所需的最小能量以及在連結下方觀察到一暗點的最大能量之間的範圍。
200．．．修補系統
205．．．光束盒
221．．．控制器
223．．．處理器
250．．．工作件
260．．．工作件***

Claims (54)

  1. 一種用以自調整地控制一以雷射為主的材料處理程序之方法，該方法包含：自動地感應一以雷射為主的材料處理系統以及一藉由該系統加以處理之工作件其中至少一者的一程序變數或是狀況，並且提供一對應的量測訊號；及處理該量測訊號，以獲得一經過處理的訊號，其至少半自動地啟動一種有關於該系統或是工作件至少其中一者的動作。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該方法係為一種用於操作人員在迴路中系統之自調整地控制方法，且其中該經過處理的訊號半自動地啟動動作。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該工作件包括一半導體基板，且其中感應之步驟感應該基板之至少一缺陷。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中感應之步驟較佳係為光學方式。
  5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該動作控制傳遞到位於工作件上之一目標構造的雷射脈衝能量。
  6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該系統傳遞至少一種聚焦雷射脈衝到工作件，且感應之步驟量測平均雷射功率、尖峰雷射功率、脈衝寬度、光斑直徑、光斑形狀、光斑定心、焦距與波長其中至少一者。
  7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該動作導引或是影響雷射修補操作。
  8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該感應之步驟包括以多種不同放大倍率使工作件成像的步驟，且其中該感應之步驟感應工作件在各個多種不同放大倍率之狀況，以提供對應的量測訊號。
  9. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該系統係為一種以雷射為主的記憶體修補系統，其中該工作件包括欲藉由該系統進行切割的連結，且其中感應之步驟包括獲取位在不同位置之切割連結的影像之步驟，且其中該處理之步驟處理該等影像，以實行下列至少其中一種步驟：確認已經切割正確的連結、判定切割品質，以及容許一系統之操作人員對於切割品質進行分類與量化。
  10. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該感應之步驟係以一AOI子系統加以實行，以獲得影像資料，且其中該方法進一步包含之步驟為：接收參考影像資料，並將該參考影像資料與藉由AOI子系統所獲取的影像資料進行比較，以對於工作件的缺陷進行分類。
  11. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該動作係自動調整藉由該系統所產生之一雷射脈衝的一時態特徵以及一空間特徵至少其中一者。
  12. 如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包含：接收一操作人員產生的輸入，並且處理該輸入，其中該處理過之輸入以及量測訊號係加以處理，以獲得經過處理的訊號，藉以半自動地啟動該動作。
  13. 如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包含：接收一機器產生的輸入，並且處理該輸入，其中該處理過之輸入以及量測訊號係加以處理，以獲得經過處理的訊號，藉以自動地啟動該動作。
  14. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該處理之步驟包括處理量測訊號，以便獲得資料，並且將該資料輸入到一圖案辨識子系統中的步驟。
  15. 如申請專利範圍第14項之方法，其中該圖案辨識子系統係能夠加以訓練，並且包括一神經網路。
  16. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該感應之步驟包括以一視覺子系統量測雷射對切割之對齊性，以偵測一系統對齊性誤差或是對齊性變化，且其中該動作包括如果誤差或變化超過一預定數值，則停止雷射材料處理。
  17. 如申請專利範圍第16項之方法，其中該動作包括執行一診斷程式，以偵測對齊性誤差或變化的來源。
  18. 一種用以自調整地控制一以雷射為主之材料處理程序的控制系統，該系統包含：感應設備，用以量測一以雷射為主的材料處理系統以及一藉由該材料處理系統加以處理的工作件至少其中一者的一處理變數或狀況，並且提供一對應的量測訊號；及一訊號處理器，用以處理該量測訊號，以獲得一經過處理的訊號，其至少半自動地啟動一種有關於該材料處理系統以及工作件至少其中一者的動作。
  19. 如申請專利範圍第18項之控制系統，其中該控制系統係為一種人員在迴路中系統，且其中該經過處理的訊號半自動地啟動動作。
  20. 如申請專利範圍第18項之控制系統，其中該工作件包括一半導體基板，且其中該感應設備感應基板之至少一種缺陷。
  21. 如申請專利範圍第18項之控制系統，其中該感應設備包括光學感應設備。
  22. 如申請專利範圍第18項之控制系統，其中該動作控制傳遞到位於工作件上之一目標構造的雷射脈衝能量。
  23. 如申請專利範圍第18項之控制系統，其中該材料處理系統將至少一種聚焦雷射脈衝傳遞到工作件，且該感應設備量測平均雷射功率、尖峰脈衝功率、脈衝寬度、光斑直徑、光斑形狀、光斑定心、焦距與波長其中至少一者。
  24. 如申請專利範圍第18項之控制系統，其中該動作導引或影響雷射修補操作。
  25. 如申請專利範圍第18項之控制系統，其中該感應設備包括一成像器，以便以多種不同放大倍率使工作件成像，且其中該感應設備量測工作件在各個多種不同放大倍率的狀況，以提供對應的量測訊號。
  26. 如申請專利範圍第18項之控制系統，其中該材料處理系統係為一種以雷射為主的記憶體修補系統，其中該工作件包過欲藉由該系統加以切割的連結，且其中該感應設備獲得位於不同位置之切割連結的影像，且其中該訊號處理器處理該等影像，以便實行下列其中至少一種動作：確認已經切割正確的連結、判定切割品質，以及容許修補系統之一操作人員對於切割品質進行分類與量化。
  27. 如申請專利範圍第18項之控制系統，其中該感應設備包括一AOI子系統，用以獲取影像資料，且其中該控制系統進一步包括用以接收參考影像資料的構件，以及用以將該參考影像與藉由AOI子系統所獲得的影像進行比較，以對於工作件之缺陷進行分類的構件。
  28. 如申請專利範圍第18項之控制系統，其中該動作係自動調整藉由該材料處理系統所產生之一雷射脈衝的一時態特徵以及一空間特徵至少其中一者。
  29. 如申請專利範圍第18項之控制系統，其進一步包含一使用者介面，該介面用以接受一操作人員產生的輸入、以及一處理器，其用以處理該輸入，其中該經過處理的輸入以及量測訊號係加以處理，以獲得經過處理的訊號，藉以半自動地啟動動作。
  30. 如申請專利範圍第18項之控制系統，其進一步包含用以接收一機器產生之輸入的構件、以及一處理器，其用以處理該輸入，其中該經過處理的輸入以及量測訊號係加以處理，以獲得經過處理的訊號，藉以啟動動作。
  31. 如申請專利範圍第18項之控制系統，其中該訊號處理器處理量測訊號，以獲得資料，且其中該控制系統包括一圖案辨識子系統，其接收該資料。
  32. 如申請專利範圍第31項之控制系統，其中該圖案辨識子系統係能夠加以訓練，並包括一神經網路。
  33. 如申請專利範圍第18項之控制系統，其中該感應設備包括一視覺子系統，其用以測量雷射對連結之對齊性，以偵測一系統對齊性誤差或是對齊性方面的變化，且其中該動作包括如果誤差或變化超過一預定數值，便停止雷射材料處理。
  34. 如申請專利範圍第33項之控制系統，其中該動作包括執行一診斷程式，以偵測對齊性誤差或變化的來源。
  35. 一種用以至少半自動地鑑別一以雷射為主之材料處理程序的品質之方法，該方法包含：使用一以雷射為主的處理系統，用以將雷射能量傳遞到複數個形成於一工作件上的微構造上或其鄰近位置，以便至少部分地處理該等微構造；自動地感應該系統以及至少部分處理之微構造與工作件鄰接該等至少部分處理的微構造之區域至少其中一者的一程序變數或是狀況，並提供對應的量測訊號；及處理該等量測訊號，以獲得一經過處理的訊號，其至少半自動地啟動程序之品質鑑別。
  36. 如申請專利範圍第35項之方法，其中該系統包含一以雷射為主的連結切割系統，其中該等微構造包括複數個具有一間距的連結，且其中該經過處理的訊號代表位於該等位置之雷射能量的有效光斑尺寸。
  37. 如申請專利範圍第35項之方法，其中該工作件係為一測試工作件。
  38. 如申請專利範圍第35項之方法，其中該感應之步驟係以光學方式加以實行。
  39. 如申請專利範圍第35項之方法，其中該感應之步驟係以一AOI子系統加以實行，以獲得影像資料。
  40. 如申請專利範圍第35項之方法，其中該雷射能量係以雷射脈衝之形式加以傳遞，且其中該經過處理之訊號至少半自動地啟動，調整雷射脈衝之時態與空間特徵至少其中一者。
  41. 如申請專利範圍第35項之方法，其中該雷射能量係以雷射脈衝之形式加以傳遞，且其中該經過處理之訊號至少半自動地啟動，調整平均雷射功率、尖峰脈衝功率、脈衝寬度、光斑直徑、光斑形狀、光斑定心、焦距與波長至少其中一者。
  42. 如申請專利範圍第35項之方法，其進一步包含：接受一操作人員產生之輸入，並處理該輸入，其中該經過處理之輸入以及量測訊號係加以處理，以獲得經過處理的訊號，藉以半自動地啟動程序的品質鑑別。
  43. 如申請專利範圍第35項之方法，其進一步包含：接受一機器產生之輸入，並處理該輸入，其中該經過處理之輸入以及量測訊號係加以處理，以獲得經過處理的訊號，藉以自動地啟動程序的品質鑑別。
  44. 如申請專利範圍第35項之方法，其中該方法係為一種用於一操作人員在迴路中系統之自調整品質鑑別方法，且其中該經過處理的訊號半自動地啟動程序之品質鑑別。
  45. 一種用以至少半自動地鑑別一以雷射為主之材料處理系統的品質之系統，該材料處理系統將雷射能量傳遞到複數個形成於一工作件上的微構造上或其相鄰的位置，以便至少部分地處理該等微構造，該品質鑑別系統包含：感應設備，其用以測量材料處理系統以及至少部分處理的微構造與工作件鄰接該等至少部分處理的微構造之區域至少其中一者的一程序變數或狀況，並提供對應的量測訊號；及一訊號處理器，其用以處理該等量測訊號，以獲得一經過處理的訊號，其至少半自動地對於材料處理系統進行品質鑑別。
  46. 如申請專利範圍第45項之品質鑑別系統，其中該材料處理系統包含一以雷射為主的連結切割系統，且其中該等微構造包括複數個具有一間距的連結。
  47. 如申請專利範圍第45項之品質鑑別系統，其中該工作件係為一測試工作件。
  48. 如申請專利範圍第45項之品質鑑別系統，其中該感應設備包括光學感應設備。
  49. 如申請專利範圍第45項之品質鑑別系統，其中該感應設備包括一AOI系統，以獲得影像資料。
  50. 如申請專利範圍第45項之品質鑑別系統，其中該雷射能量係以雷射脈衝之形式加以傳遞，且其中該經過處理之訊號至少半自動地啟動，調整雷射脈衝之時態與空間特徵至少其中一者。
  51. 如申請專利範圍第45項之品質鑑別系統，其中該雷射能量係以雷射脈衝之形式加以傳遞，且其中該經過處理之訊號至少半自動地啟動，調整平均雷射功率、尖峰脈衝功率、脈衝寬度、光斑直徑、光斑形狀、光斑定心、焦距與波長至少其中一者。
  52. 如申請專利範圍第45項之品質鑑別系統，其進一步包含：一使用者介面，其用以接受一操作人員產生之輸入；及一處理器，其用以處理該輸入，其中該經過處理的輸入以及量測訊號係加以處理，以獲得經過處理的訊號，藉以半自動地啟動材料處理系統的品質鑑別。
  53. 如申請專利範圍第45項之品質鑑別系統，其進一步包含：用以接受一機器產生輸入之構件；及一處理器，其用以處理該輸入，且其中該經過處理的輸入以及量測訊號係加以處理，以獲得經過處理的訊號，藉以自動地啟動材料處理系統的品質鑑別。
  54. 如申請專利範圍第45項之品質鑑別系統，其中該品質鑑別系統係為一種操作人員在迴路中系統，且其中該經過處理之訊號半自動地啟動材料處理系統的品質鑑別。
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