TWI418247B - 積體電路、控制方法、與光源提供系統 - Google Patents

積體電路、控制方法、與光源提供系統 Download PDF

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Description

積體電路、控制方法、與光源提供系統
本發明係有關於積體電路與控制方法,以及相關之LED光源提供系統。
因為發光二極體(light emitting diode,LED)的電光轉換效率相當的好,高於日光燈、冷陰極管(CCFL)或是燈泡等,所以當前之趨勢為以LED來取代上述這些發光源。舉例來說,LED已經漸漸地取代CCFL,成液晶面板(LCD panel)的背光光源。
以LED當作LCD面板的背光光源時,因為LCD面板的面積相當的大,所以需要非常多顆的LED,而這些LED往往連接成數串,每一串由一個可控制的電流源來驅動。譬如說,流經每一LED串的電流都控制成一樣,以使每個LED的發光亮度大致相同。只要把每個LED所發出的光線給予適當的傳導,LCD面板就得以獲得大致均勻的背光亮度。
如果,在所有的LED當中,不論是哪一顆LED短路或是開路,都會影響到LCD面板的亮度均勻度。因此,一個良好的LED串驅動電路,應當要有適當的偵測電路,來偵測LED是否短路或是開路,以進行相對應的防護措施。
本發明的一實施例提供一種積體電路,用以控制數個發光二極體串之電流。每個發光二極體串具有複數發光二極體,順向串接於一主陽極與一主陰極之間,每一主陽極連接至一電源端。該積體電路包含有一短路偵測端、一定電流源、一電壓固定電路、以及一短路比較器。該短路偵測端用以偵測該等主陰極中之最高陰極電壓。該定電流源提供該短路偵測端一定電流。大致於該等發光二極體串沒有發光時,該電壓固定電路將該短路偵測端固定於一預設電壓。該短路比較器比較該短路偵測端之一偵測電壓與一臨界電壓,以及當該偵測電壓高於該臨界電壓時,致能一短路信號。
本發明的另一實施例提供一種控制方法,適用於一積體電路。該積體電路控制數個發光二極體串之電流,每個發光二極體串具有複數發光二極體,順向串接於一主陽極與一主陰極之間,每一主陽極連接至一電源端。該積體電路具有一短路偵測端,可偵測該等主陰極中之最高陰極電壓。該控制方法包含有下列步驟:使該等發光二極體串發光;大致於該等發光二極體串發光時,對該積體電路之一短路偵測端,提供一定電流;比較該偵測電壓與一臨界電壓;當該偵測電壓高於該臨界電壓時,致能一短路信號;使該等發光二極體串不發光;以及,大致於該等發光二極體串不發光時,固定該短路偵測端之一偵測電壓為一預設電壓。
本發明的一實施例提供一種光源提供系統。一電源供應器,提供一電源端以及一地端。數個發光二極體串中,每個發光二極體串具有複數發光二極體,順向串接於一主陽極與一主陰極之間,每一主陽極連接至該電源端。一積體電路,包含有一回授端、以及一短路偵測端。該回授端偵測該等主陰極中之最低陰極電壓。該短路偵測端偵測該等主陰極中之最高陰極電壓。該短路偵測端,除了通過該等主陰極的信號路徑,以及通過該積體電路內部之信號路徑之外,沒有其他的信號路徑連接到該地端。
第1圖為一LED光源提供系統10,可以作為LCD面板的背光光源。
電源供應器12提供一電源端OUT以及一地端。電源端OUT的電壓可能可以高達100伏特。當作光源的LED分成N個LED串CLED1...CLEDN。如圖所示,每一LED串有順向串接的數個LED。由上到下,每一LED串中的第一個LED的陽極定義為主陽極,最後一個LED的陰極定義為主陰極。以下,以每一LED串中的LED數目相同作為一例子,但是,在其他例子中,LED串的LED數目可以不同。
主陽極全部都連接到電源端OUT。主陰極A1...AN各自連接至功率電晶體M1...MN。積體電路IC1從閘端GATE1...GATEN分別控制對應的功率電晶體M1...MN,以控制流經LED串CLED1...CLEDN之電流。舉例來說,如果積體電路IC1有個調光信號(dimming signal)SDIMMING ,在調光信號SDIMMING 為致能時,表示LED發光,流經每一LED串之電流都一樣為100mA;在調光信號SDIMMING 為禁能時,表示LED不發光,流經每一LED串之電流都一樣為0mA。
積體電路IC1透過回饋端FB,偵測主陰極A1...AN中的最低陰極電壓VA-MIN 。從FB端到主陰極A1...AN之間的電路連接可以推知,回饋端FB的電壓VFB 會符合以下公式(1)。
VFB =VA-MIN +VTH-DIODE . ......(1)
其中,而VTH-DIODE 為一二極體順向跨壓。依據電壓VFB ,積體電路IC1可以透過補償端COMP提供補償信號SCOM 給電源供應器12,進而調整電源端OUT的電壓,使最低陰極電壓VA-MIN 大致維持在目標值VTAR ,譬如說是1伏特。
積體電路IC1透過LED短路保護端LEDSP,偵測主陰極A1...AN中的最高陰極電壓VA-MAX 。N個二極體的陰極連接到共同端MAX,其陽極分別連接到主陰極A1...AN。基納二極體ZD1與電阻14串接於LED短路保護端LEDSP與共同端MAX之間。從LED短路保護端LEDSP到主陰極A1...AN之間的電路連接可以推知,LED短路保護端LEDSP的偵測電壓VLEDSP 大約可以由以下公式(2)與(3)推導得知。
VMAX =VA-MAX -VTH-DIODE , ...(2)
VLEDSP =(VMAX -VBD-ZD1 )*R16 /(R14 +R16 ). ...(3)
其中,VMAX 為共同端MAX的電壓,VBD-ZD1 為基納二極體ZD1的崩潰電壓,R14 與R16 分別為電阻14與16的電阻值。
如果每個發光二極體的操作電壓VON-LED 都大致相同,且每個LED串中的串接之LED數目都相同的話,那可以推論的是,在每個LED都正常發光時,最低陰極電壓VA-MIN 會大約跟最高陰極電壓VA-MAX 相同,都大約會是目標值VTAR 。從公式(2)與(3),便可以知道,沒有LED短路時,相對應的LED短路保護端LEDSP之偵測電壓VLEDSP 應該多少。
如果,有一LED串中有k個LED短路了,高陰極電壓VA-MAX 會比最低陰極電壓VA-MIN 高約k*VON-LED 。而這樣的差異,可以從偵測電壓VLEDSP 的變化反應出來。舉例來說,如果積體電路IC1發現當LED串CLED1...CLEDN在發光時,偵測電壓VLEDSP 高過一臨界電壓VTH-SH 時,此時便可以認定有一顆或是多顆LED發生短路的問題,因此致能短路信號SSHT ,進行相對應的短路保護措施。舉例來說,保護措施可以是強制關閉功率電晶體M1...MN,使全部LED串CLED1...CLEDN都不發光。
基納二極體ZD2限制了偵測電壓VLEDSP 之最高值。基納二極體ZD2可以預防在LED串不發光時,最高陰極電壓VA-MAX 大約會接近電源端OUT的電壓(其可能高達100伏特),導致偵測電壓VLEDSP 過高而毀損了積體電路IC1。電容18則是濾除LED短路保護端LEDSP上的雜訊,預防短路保護措施被誤觸發。
第2圖為另一LED光源提供系統20,一樣也可以作為LCD面板的背光光源。第2圖與第1圖的差異在於,積體電路IC2中的電路設計不同於積體電路IC1,且第2圖可以省略第1圖中的基納二極體ZD2、電阻16、以及電容18。換言之,如同第2圖所示,積體電路IC2的LED短路保護端LEDSP到電源供應器12的地端之間,除了經過主陰極A1...AN與功率電晶體M1...MN的信號路徑,以及積體電路IC2內部之信號路徑之外,可以沒有連接任何的外部獨立電子元件(discrete device)。或換言之,積體電路IC2的LED短路保護端LEDSP,除了通過主陰極A1...AN的信號路徑,以及積體電路IC2內部之信號路徑之外,沒有其他的信號路徑連接到地端。從比較第2圖與第1圖可以得知,LED光源提供系統20,因減少了許多的外部獨立電子元件,所以其將可較LED光源提供系統10有成本競爭力。
第3圖為第2圖中之積體電路IC2之部分電路圖。調光信號SDIMMING 為致能(asserted)時,驅動電路D1...DN分別驅動功率電晶體M1..MN,使LED串CLED1...CLEDN發光;調光信號SDIMMING 為禁能(disasserted)時,驅動電路D1...DN被禁能(disable),關閉功率電晶體M1..MN,LED串CLED1...CLEDN不發光。
大約在調光信號SDIMMING 為禁能時,開關32作為一電壓固定電路,呈現短路,使LED短路保護端LEDSP固定在0電壓。流經開關32的電流,可以由外在的基納二極體ZD1與電阻14來適當地限制。如此,就算最高陰極電壓VA-MAX 等於電源端OUT的電壓,積體電路IC2也不會被高壓損毀。開關32不一定要使LED短路保護端LEDSP固定在0電壓,也可以是固定在另一個電壓,譬如說是積體電路IC2的操作電壓VCC。
大約在調光信號SDIMMING 為致能時,開關32呈現開路,定電流源30從LED短路保護端LEDSP汲取一定電流ISET 。此時,偵測電壓VLEDSP 大約可以由以下公式(4)推導得知。
VLEDSP =VMAX -VBD-ZD1 -ISET *R14 . ...(4)
由公式(4)與(2)可知,偵測電壓VLEDSP 可以對應到主陰極A1...AN中的最高陰極電壓VA-MAX 。比較器CM比較偵測電壓VLEDSP 與臨界電壓VTH-SH 。當偵測電壓VLEDSP 高過臨界電壓VTH-SH 時,便可以認定至少有一LED發生短路的問題,因此致能短路信號SSHT ,進行相對應的短路保護措施。
箝制電路26用以限制偵測電壓VLEDSP 的最高值,預防太多LED短路時,偵測電壓VLEDSP 過高所可能導致的問題。在第3圖中,箝制電路26以運算放大器OP與NMOS電晶體MX的組合作為一例子,可以限制偵測電壓VLEDSP 不可高過限制電壓VTH-CLP
延遲電路28提供延遲時間。舉例來說,延遲電路28提供延遲時間TB1 給調光信號SDIMMING 的上升緣(rising edge),延遲時間TB2 給調光信號SDIMMING 的下降緣(falling edge)。從第3圖之電路可以推知,當調光信號SDIMMING 的上升後,需要延遲時間TB1 後才能使開關32開路。因此,LED串開始發光後的延遲時間TB1 內,因為偵測電壓VLEDSP 還是被短路之開關32固定在0V,低於臨界電壓VTH-SH ,所以短路信號SSHT 不會被致能。
第4圖顯示了第1圖與第2圖之LED光源提供系統10與20,其操作於沒有LED短路之正常操作與有LED短路之不正常操作時的一些信號波形。由上到下,第4圖中的信號波形分別表示調光信號SDIMMING 、流經LED串CLEDn的電流ICLEDn 、共同端MAX的電壓VMAX 、第1圖中的偵測電壓VLEDSP 、第2圖中的偵測電壓VLEDSP 、以及短路信號SSHT 。第4圖左半部顯示的是操作於沒有LED短路的正常操作之信號波形,右半部是操作於有LED短路操作之信號波形。
請參閱第4圖與第1圖。當調光信號SDIMMING 禁能時,電流ICLEDn 大約為0A,而電壓VMAX 相當的高,所以波形36所示之偵測電壓VLEDSP 也非常的高。此時,雖然偵測電壓VLEDSP 高過臨界電壓VTH-SH ,但積體電路IC1會強制禁能短路信號SSHT 。當調光信號SDIMMING 致能時,電流ICLEDn 大約會控制於一預定值。如果沒有LED短路,如同第4圖左半部所示,電壓VMAX 會大約掉到一非常低的值,使得偵測電壓VLEDSP 低於臨界電壓VTH-SH ,所以短路信號SSHT 維持於禁能。如果有LED短路發生,如同第4圖之右半部所示,電壓VMAX 會掉到一個相對應高的值,使得偵測電壓VLEDSP 高於臨界電壓VTH-SH ,所以短路信號SSHT 便被致能。
請同參閱第4圖、第2圖與第3圖。當調光信號SDIMMING 禁能時,電壓VMAX 相當的高,但是,波形38所示之偵測電壓VLEDSP 因短路的開關32而被固定於0伏特,所以短路信號SSHT 被禁能。當調光信號SDIMMING 致能延遲時間TB1 以後,電流ICLEDn 大約會控制於一預定值。如果沒有LED短路,如同第4圖左半部所示,偵測電壓VLEDSP 會爬升到一相對的低電壓值,其低於臨界電壓VTH-SH ,所以短路信號SSHT 維持於禁能。如果有LED短路發生,如同第4圖之右半部所示,偵測電壓VLEDSP 會爬升到一相對的高電壓值,使得偵測電壓VLEDSP 高於臨界電壓VTH-SH ,所以短路信號SSHT 便被致能。
在第1圖與第2圖中都有基納二極體ZD1。但在其他實施例中,基納二極體ZD1可以省略,也就是電阻14直接連接到共同端MAX。
電源供應器12可以使用任何的電源轉換架構,譬如返馳式(flyback)架構、昇壓(booster)架構、降壓(buck)架構等。
第1圖與第2圖中的功率電晶體M1...MN,可以是MOS電晶體或是雙接面電晶體(BJT)。在一些實施例中,積體電路IC1或IC2,跟功率電晶體M1...MN整合在同一個單晶片或單IC封裝中。
LED光源提供系統10與20都可以偵測到其中的LED是否有短路事件發生。相較於LED光源提供系統10,LED光源提供系統20可以比較有成本競爭力。
以上所述僅為本發明之較佳實施例,凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾,皆應屬本發明之涵蓋範圍。
10、20...光源提供系統
12...電源供應器
14、16...電阻
18...電容
26...箝制電路
28...延遲電路
30...定電流源
32...開關
36、38...波形
A1...AN...主陰極
CLED1...CLEDN...LED串
COMP...補償端
CM...比較器
D1...DN...驅動電路
FB...回饋端
GATE1...GATEN...閘端
IC1、IC2...積體電路
ICLEDn ...流經LED串CLEDn的電流
ISET ...定電流
LEDSP...LED短路保護端
M1...MN、MX...功率電晶體
MAX...共同端
OP...運算放大器
OUT...電源端
SDIMMING ...調光信號
SSHT ...短路信號
TB1 、TB2 ...延遲時間
VLEDSP ...偵測電壓
VTH-CLP ...限制電壓
VTH-SH ...臨界電壓
VMAX ...共同端MAX的電壓
ZD1、ZD2...基納二極體
第1圖與第2圖為二LED光源提供系統。
第3圖為第2圖中之積體電路的部分電路圖。
第4圖顯示了第1圖與第2圖之LED光源提供系統,其操作於沒有LED短路之正常操作與有LED短路之不正常操作時的一些信號波形。
20...光源提供系統
12...電源供應器
14...電阻
A1...AN...主陰極
CLED1...CLEDN...LED串
COMP...補償端
FB...回饋端
GATE1...GATEN...閘端
IC2...積體電路
LEDSP...LED短路保護端
M1...MN...功率電晶體
MAX...共同端
OUT...電源端
ZD1...基納二極體

Claims (10)

  1. 一種積體電路,用以控制數個發光二極體串之電流,每個發光二極體串具有複數發光二極體,順向串接於一主陽極與一主陰極之間,每一主陽極連接至一電源端,該積體電路包含有:一短路偵測端,用以偵測該等主陰極中之最高陰極電壓;一定電流源,提供該短路偵測端一定電流;一電壓固定電路,大致於該等發光二極體串沒有發光時,把該短路偵測端固定於一預設電壓;以及一短路比較器,比較該短路偵測端之一偵測電壓與一臨界電壓,以及當該偵測電壓高於該臨界電壓時,致能一短路信號。
  2. 如申請專利範圍第1項之積體電路,另包含有:一箝制電路,用以限制該偵測電壓之最高值。
  3. 如申請專利範圍第1項之積體電路,另包含有:一延遲電路,使該等發光二極體串開始發光之一預定時間內,該短路信號不會被致能。
  4. 一種控制方法,適用於一積體電路,該積體電路控制數個發光二極體串之電流,每個發光二極體串具有複數發光二極體,順向串接於一主陽極與一主陰極之間,每一主陽極連接至一電源端,該積體電路具有一短路偵測端,可偵測該等主陰極中之最高陰極電壓,該控制方法包含有:使該等發光二極體串發光;大致於該等發光二極體串發光時,對該積體電路之一短路偵測端,提供一定電流;比較該偵測電壓與一臨界電壓;當該偵測電壓高於該臨界電壓時,致能一短路信號;使該等發光二極體串不發光;以及大致於該等發光二極體串不發光時,固定該短路偵測端之一偵測電壓為一預設電壓。
  5. 如申請專利範圍第4項之控制方法,另包含有:限制該偵測電壓之最高值。
  6. 一種光源提供系統,包含有:一電源供應器,提供一電源端以及一地端;數個發光二極體串,每個發光二極體串具有複數發光二極體,順向串接於一主陽極與一主陰極之間,每一主陽極連接至該電源端;以及一積體電路,包含有:一回授端,用以偵測該等主陰極中之最低陰極電壓;以及一短路偵測端,用以偵測該等主陰極中之最高陰極電壓;其中,該短路偵測端,除了通過該等主陰極的信號路徑,以及通過該積體電路內部之信號路徑之外,沒有其他的信號路徑連接到該地端。
  7. 如申請專利範圍第6項之光源提供系統,另包含有:複數二極體,每一二極體之一陽極連接至一對應主陰極,每一二極體之陰極連接至一共同端(common node);以及一電阻,耦接於該共同端與該短路偵測端之間。
  8. 如申請專利範圍第7項之光源提供系統,另包含有一基納二極體(Zener diode),與該電阻,串接於該該共同端與該短路偵測端之間。
  9. 如申請專利範圍第6項之光源提供系統,其中,該積體電路包含有:一定電流源,提供該短路偵測端一定電流;以及一開關,大致於該等發光二極體串沒有發光時,把該短路偵測端固定於一預設電壓。
  10. 如申請專利範圍第9項之光源提供系統,其中,該積體電路包含有:一短路比較器,比較該短路偵測端之一偵測電壓與一臨界電壓,以及當該偵測電壓高於該臨界電壓時,致能一短路信號。
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