TWI415157B - 場發射陰極裝置及場發射顯示器 - Google Patents

Description

場發射陰極裝置及場發射顯示器

本發明涉及一種場發射陰極裝置及場發射顯示器。

場發射顯示器係繼陰極射線管(CRT)顯示器及液晶(LCD)顯示器之後，最具發展潛力之下一代新興技術。相對於先前之顯示器，場發射顯示器具有顯示效果好、視角大、功耗小及體積小等優點，近年來越來越受到重視。

一般而言，場發射顯示器的結構可分為二極型及三極型。所謂二極型即包括有陽極及陰極之場發射裝置，這種結構由於需要施加高電壓，而且均勻性及電子發射難以控制，僅適用於字元顯示，不適用於圖形及圖像顯示。三極型則係在二極型場發射裝置的基礎上增加柵網來控制電子發射的場發射裝置，可以實現在較低電壓條件下發出電子，而且電子發射容易通過柵網來精確控制。因此，三極型場發射顯示器中，這種由產生電子的陰極及引出電子並將電子加速的柵網構成的場發射陰極裝置成為目前較為常用的一種場發射陰極裝置。

請參閱圖1及圖2，先前技術中提供一種場發射陰極裝置100，其包括：一絕緣基底102；複數條形陰極電極104，該複數條形陰極 電極104平行且間隔設置於該絕緣基底102表面；複數場發射元件106，該複數場發射元件106間隔設置於複數條形陰極電極104的表面；複數介質條108，該複數介質條108平行且間隔設置於絕緣基底102之上，該複數介質條108與複數條形陰極電極104相互垂直，該複數介質條108覆蓋上述複數條形陰極電極104的部份區域，並相對於每一場發射元件106設有通孔；複數條形柵網110通過所述介質條108支撐，該複數條形柵網110與條形陰極電極104異面垂直。一固定層113設置於所述條形柵網110的遠離介質條108的上方。由於柵網110的材料多為金屬，而介質條108的材料多為絕緣材料，因此，柵網110與介質條108之間的結合不牢固。固定層113用於固定柵網110，使柵網110不易變形。

所述場發射陰極裝置100在應用過程中，場發射元件106在柵網110的電壓下發射出電子，該部份電子穿過柵網110。由於固定層113覆蓋部份陰極104，且固定層113僅對應場發射元件106的位置設有通孔。因此，固定層113的邊緣與場發射元件106的邊緣距離很近。穿過柵網110的電子受到靠近固定層113的柵網110的電壓的吸引進而打在固定層113上。固定層113在電子的打擊下發射出了較多的二次電子。該部份二次電子係由固定層113發射出，且其方向雜亂無章，進而導致像素點邊界發散呈現不規則圖形的現象。固定層113發射出二次電子後荷電逐漸形成一高電位，從而進一步吸引穿過柵網110的電子，使電子偏離其垂直於陰極電極104飛行的方向。請參閱圖3，應用所述場發射陰極裝置100的場發射顯示器的像素點邊界發散呈現不規則圖形的現象。

有鑒於此，提供一種工作狀態時能夠獲得清晰像素的場發射陰極裝置及場發射顯示器實為必要。

一種場發射陰極裝置，包括：一絕緣基底；複數條形陰極相互平行且等間隔設置於該絕緣基底的表面；複數隔離體間隔設置於所述絕緣基底的表面；複數條形柵網相互平行且等間隔設置，該複數條形柵網與複數條形陰極異面垂直且交叉設置，每一條形柵網均通過所述隔離體支撐，與所述條形陰極間隔設置；複數場發射元件分別設置於所述複數條形陰極與所述複數條形柵網的交叉位置並與所述條形陰極電連接；複數固定層分別對應於所述複數隔離體設置於所述條形柵網表面，將條形柵網夾持於所述固定層與隔離體之間，所述複數隔離體分別位於所述複數條形陰極之間並與所述條形陰極間隔設置，所述場發射陰極裝置進一步滿足以下條件：D1小於等於D2/10，其中，所述隔離體的寬度定義為D1，相鄰二場發射元件的中心線之間的距離定義為D2。

一種場發射顯示器，其包括一陽極裝置及與該陽極裝置間隔設置的一場發射陰極裝置，該場發射陰極裝置包括：一絕緣基底；複數條形陰極相互平行且等間隔設置於該絕緣基底的表面；複數隔離體間隔設置於所述絕緣基底的表面；複數條形柵網相互平行且等間隔設置，並與複數條形陰極異面垂直，且每一條形柵網均通過隔離體支撐，與所述條形陰極間隔設置；複數場發射元件分別設置於所述複數條形陰極與所述複數條形柵網的交叉位置並與所述條形陰極電連接；複數固定層分別對應於所述複數隔離體設置 於柵網表面，將柵網夾持固定於所述固定層與隔離體之間，所述複數隔離體分別位於所述複數條形陰極之間並與所述條形陰極間隔設置，所述隔離體的設置進一步滿足以下條件：D1小於等於D2/10，其中，所述隔離體的寬度定義為D1，相鄰二場發射元件的中心線之間的距離定義為D2。

與先前技術相比，本發明提供的場發射陰極裝置及場發射顯示器中採用的隔離體的寬度小於相鄰二場發射元件的中心線之間的距離的十分之一，因此，隔離體的寬度遠小於相鄰二場發射元件的中心線之間的距離，進一步地，位於隔離體之上的固定層的寬度遠小於相鄰兩場發射元件的中心線之間的距離。因此當柵網上施加電壓時，可有效降低由場發射元件發射出的電子打到固定層上的機率。從而減輕固定層的荷電效應，進而使場發射元件發射出的電子均沿著垂直於場發射元件表面的方向飛行，而不偏轉向固定層，在應用時可有效消除像素點邊界發散呈現不規則圖形的現象。

10、100、202‧‧‧場發射陰極裝置

12、102、204、214‧‧‧絕緣基底

14、104、206‧‧‧陰極電極

16、106、222‧‧‧場發射元件

18、108、208‧‧‧隔離體

20、110、210‧‧‧柵網

22、224、113‧‧‧固定層

24、226‧‧‧導電層

121‧‧‧絕緣基底的第一表面

122‧‧‧絕緣基底的第二表面

162、222‧‧‧電子發射體

200‧‧‧場發射顯示器

216‧‧‧透明陽極

218‧‧‧螢光層

212‧‧‧陽極裝置

222‧‧‧絕緣支撐體

圖1為先前技術中的場發射陰極裝置的俯視圖。

圖2為圖1中場發射陰極裝置沿Ⅱ-Ⅱ線的剖視圖。

圖3為先前技術中的場發射顯示器的顯示效果圖。

圖4係本發明第一實施例提供的場發射陰極裝置的立體結構示意圖。

圖5為圖4中場發射陰極裝置沿V-V線的剖視圖。

圖6為本發明第一實施例提供的場發射陰極裝置的俯視圖。

圖7為本發明第二實施例提供的場發射陰極裝置的俯視圖。

圖8為本發明第三實施例提供的場發射陰極裝置的俯視圖。

圖9為採用本發明實施例提供的場發射陰極裝置的場發射顯示器的剖面圖。

圖10為圖9中的場發射顯示器的顯示效果圖。

以下將結合附圖詳細說明本發明實施例提供的場發射陰極裝置及場發射顯示器。

請參閱圖4及圖5，本發明第一實施例提供一種場發射陰極裝置10，其包括：一絕緣基底12、複數條形陰極14、複數場發射元件16、複數隔離體18、複數條形柵網20、複數固定層22及複數導電層24。所述複數條形陰極14相互平行且等間隔設置於該絕緣基底12表面。所述複數隔離體18間隔設置於所述絕緣基底12表面，並設置於所述複數條形陰極14之間。所述複數隔離體18與所述條形陰極14間隔設置。所述複數條形柵網20相互平行且等間隔設置，並與條形陰極14異面垂直且交叉設置。每一條形柵網20通過複數隔離體18支撐。所述複數場發射元件16分別設置於所述複數條形陰極14與所述複數條形柵網20的交叉位置並與所述條形陰極14電連接。所述複數固定層22分別對應於所述複數隔離體18設置於柵網20表面，將柵網20夾持固定於所述固定層22與隔離體18之間。所述複數導電層24分別設置於所述複數固定層22遠離柵網20的表面 。

所述絕緣基底12的材料為玻璃、陶瓷或二氧化矽等絕緣材料。本實施例中，所述絕緣基底12材料為玻璃。所述絕緣基底12用於承載所述複數條形陰極14、複數場發射元件16、複數隔離體18及複數條形柵網20。所述絕緣基底12包括一第一表面121及一與第一表面121相對的第二表面122。在所述絕緣基底12的第一表面121定義相互垂直的第一方向X及第二方向Y。所述第一方向X與第二方向Y均平行於所述第一表面121。

所述複數條形陰極14中的每一條形陰極14的形狀均為長條形或帶狀，所述複數條形陰極14相互平行且等間距地間隔設置於絕緣基底12的第一表面121。所述每一條形陰極14均平行於所述第一方向X。所述複數條形陰極14的材料可選擇為銅、鋁、金或銀等金屬，或銦錫氧化物(ITO)等導電材料。本實施例中，所述每一條形陰極14為銀電極。

所述複數條形柵網20中的每一條形柵網20的形狀均為長條形或帶狀，所述複數條形柵網20相互平行且等間距間隔設置。優選地，所述複數條形柵網20之間的間距與所述複數條形陰極14之間的間距相等。所述複數條形柵網20與複數條形陰極14異面垂直且交叉設置。在相互交叉的位置，所述條形柵網20與所述條形陰極14在垂直於所述第一表面121方向上的間距大於等於18微米。所述條形柵網20為一網狀結構，其包括複數均勻分佈的柵孔，柵孔的孔徑為3微米至1000微米。優選地，所述條形柵網20為一金屬網。本實施例中，所述條形柵網20為一不銹鋼網，所述條形柵網20與 所述複數條形陰極14之間的間距為20微米。

所述複數場發射元件16相互間隔分佈於複數條形陰極14遠離絕緣基底12的表面，優選地，所述複數場發射元件16呈矩陣排列。所述場發射元件16可僅設置在所述條形陰極13與所述條形柵網20的交叉位置。本技術領域人員可理解，所述場發射元件16也可設置在所述整個條形陰極14的表面。每一場發射元件16包括複數電子發射體162，該每一電子發射體162可選擇為金屬微尖、矽尖、奈米碳管或其他電子發射體。所述場發射元件16中的電子發射體162可為奈米碳管陣列、奈米碳管線、奈米碳管漿料或者奈米碳管膜。本實施例中，所述場發射元件16為一奈米碳管陣列。

所述複數隔離體18用於支撐柵網20。通過所述複數隔離體18使所述柵網20與所述條形陰極14在垂直於所述第一表面121方向上間隔一定距離且彼此絕緣。所述複數隔離體18僅設置在位於所述條形陰極14之間的所述絕緣基底12的第一表面121。所述隔離體18與所述條形陰極14間隔設置。優選地，所述隔離體18為條形，且平行於所述條形陰極14設置。所述每一隔離體18距與之相鄰的二條形陰極14之間的距離相等。所述每一隔離體18距與之相鄰的二場發射元件16之間的距離相等。

所述隔離體18的材料為玻璃、陶瓷或二氧化矽等絕緣材料。本實施例中，所述複數隔離體18中的每一隔離體均為一長方體，其具有長、寬、高三尺寸。所述每一隔離體18的長度方向平行於第一方向X。所述每一隔離體18的寬度方向平行於第二方向Y。所述每一隔離體18的高度方向為垂直於絕緣基底12的第一表面121。本 實施例中沿第一方向X，在相鄰的二條形陰極14之間設置複數隔離體18分別支撐每一條形柵網20。

請參閱圖6，為降低荷電效應的影響，所述場發射陰極裝置10進一步滿足以下條件：

(1)D1小於等於D2/10，其中，所述隔離體18的寬度定義為D1，相鄰二場發射元件16的中心線之間的距離定義為D2。

(2)D3/D2大於等於0.125且D3/D2小於等於0.48，其中，所述場發射元件16的徑向尺寸定義為D3。

(3)H大於等於5μm且H小於等於100μm；其中，所述隔離體18的高度定義為H。

條件式(1)限定隔離體18在Y方向的寬度D1與相鄰二場發射元件16之間的距離D2之間的關係。在相鄰二場發射元件16的中心線之間的距離D2一定的條件下，隔離體18的寬度小於D2的十分之一，因此，隔離體18的寬度較小，進一步地位於隔離體18之上的固定層22的寬度也較小。固定層22的遠離柵網20的表面的寬度也較小，固定層22的的遠離柵網20的表面的面積也越小。因此，場發射元件16發射出的電子通過柵網20後，可減少電子打到固定層22的遠離柵網20的表面的機率，從而可有效減輕荷電效應。一般地D2小於等於5毫米。可選擇地，D2的範圍大於等於3毫米且小於等於5毫米。D1小於等於500微米且大於等於100微米。優選地D1的範圍為200微米至400微米。隔離體18的寬度應保證可使其支撐柵網20並保持柵網20不變形。本實施例中，所述D2為1.5毫米。D1為 300微米。

條件式(2)限制場發射元件16的徑向尺寸，尤其係場發射元件16沿Y方向的尺寸。進一步地，可以使得所述隔離體18與場發射元件16之間的距離D4較大。即，隔離體18的邊緣與場發射元件16的邊緣的距離較大。D4大於等於150微米。可選擇地，D4為200微米。進而固定層22的邊緣與場發射元件16的邊緣的距離也較大，因此，可進一步減少場發射元件16發射出的電子，打到固定層22的機率，從而可進一步地減輕荷電效應。D3小於等於2400微米。優選地，D3大於等於500微米且小於等於1300微米。可選擇地，D3為1000微米。本實施例中，D3為400微米，D4為250微米。

條件式(3)限定所述隔離體18的高度H大於等於5微米且小於等於100微米。優選地，隔離體18的高度H大於等於10微米且小於等於15微米。本發明中隔離體18的高度較低，則柵網20的高度較低，柵網20僅需施加較低的電壓就可以從場發射元件中拔出電子。柵網20的電壓較小，進而固定層22附近的柵網20的對場發射元件16發射出的電子的吸引力也越小，進而，場發射元件16發射出的電子不易在固定層22附近的柵網20的電壓作用下打到固定層22的表面，可進一步地減輕荷電效應。

本技術領域人員可以理解，條件式(2)、(3)係可選擇地，非本發明的必要技術特徵，本技術領域人員可依據所述場發射陰極裝置10的不同應用情形而進行調整。

複數固定層22分別對應所述複數隔離體18設置，將複數條形柵網 20固定於所述隔離體18與固定層22之間。所述固定層22僅覆蓋柵網20的位於隔離體18之上的區域的表面。柵網20設置於所述固定層22與所述隔離體18之間。如此可使柵網20不易因為發生變形造成柵網20及條形陰極14之間的間距不均勻，進而影響場發射陰極裝置10均勻地發射電子。因此，該場發射陰極裝置10結構穩定，不易受外界環境的影響。

所述固定層22填充柵網20的位於隔離體18上方的柵孔。通過柵網20的柵孔，固定層22與隔離體18結合在一起，從而固定柵網20。所述固定層22的材料可為絕緣介質，例如，玻璃、陶瓷或者二氧化矽。優選地，固定層22的材料與隔離體18的材料相同，如此可使固定層22與隔離體18較好的相容並牢固的結合，進而牢固地固定柵網20。通常，所述固定層22可採用絲網印刷的方法製備，在製備過程中，所述固定層22會滲透到所述柵網20的柵孔內，並與所述隔離體18接觸，實現更好地固定。而所述固定層22對應柵網20的非柵孔區域的厚度極小，通常小於等於10微米，固定層22不會影響導電層24與柵網20的電連接。

所述導電層24的材料可為金屬、合金、氧化銦錫、銻錫氧化物、導電銀膠、導電聚合物或奈米碳管。本實施例中，所述導電層24的材料為銀漿料。採用絲網印刷的方法於固定層22上製備導電層24。在製備過程中，導電層24為流體狀的銀漿料，因此，銀漿料容易沿固定層22、柵網20及隔離體18的側壁流淌至絕緣基板12。由於隔離體18及條形陰極14間隔設置且保持一定距離，防止陰極14及柵網20短路。所述導電層24為可選擇結構。

所述導電層24覆蓋固定層22的遠離柵網20的表面，進而使固定層22可產生二次電子的面積減小。所述導電層24還可導出電子發射體162發射出的一部份落到導電層24上電子，減少或避免該部份電子轟擊所述隔離體18產生二次電子。另外，電子發射體162發射出的一小部份電子直接轟擊所述隔離體18，使得該隔離體18發射二次電子，並在該隔離體18上產生正電荷，而該正電荷可通過所述導電層24及柵網20導走，減少或避免所述隔離體18上積累正電荷，進而使得該隔離體18周圍的電位基本不發生變化，從而減少電子發射體162發射的電子向四周發散的可能性，使電子集中射向預定位置，進而使得利用該場發射陰極裝置10的場發射顯示器的圖像顯示清晰、顯示效果較好。所述導電層24為可選擇結構。

場發射陰極裝置10在應用時，分別施加不同電壓給陰極14及柵網20。一般情況下，陰極14為接地或零電壓，柵網20的電壓為數十伏至數百伏左右。陰極14上場發射元件16中的電子發射體162所發出的電子在柵網20的電場作用下，向柵網20的方向運動，通過柵網20的柵孔發射出去。由於所述複數陰極14之間相互絕緣、所述複數柵網20之間相互絕緣，因此，通過選擇性地在某些陰極14及某些柵網20之間施加不同的電壓，可控制不同位置的場發射元件16發射電子，實現場發射陰極裝置10的定址功能，滿足其在場發射顯示器中的應用。

本發明第二實施例提供一種場發射陰極裝置。請參閱圖7，該場發射陰極裝置的結構與第一實施例中的場發射陰極裝置10的結構 相似，其區別在於，在位於所述條形陰極14之間設置隔離體18時，沿第一方向X，相鄰的二條形陰極14之間僅設置一隔離體18同時支撐所述複數條形柵網20。當相鄰的二條形陰極14之間僅設置一隔離體18同時支撐所述複數條形柵網20時，所述固定層22可僅對應設置於所述隔離體18支撐柵網20位置，也可設置於整個隔離體18表面。

本發明第三實施例提供一種場發射陰極裝置。該場發射陰極裝置的結構與第一實施例中的場發射陰極裝置10的結構相似，其區別在於，所述隔離體無需設置在任意二相鄰的條形陰極之間，在確保所述隔離體能對條形柵網提供足夠的支撐力的前提下，可在第二方向Y上每間隔N個條形陰極或場發射元件設置一隔離體，其中N為大於1的整數。所述隔離體的數量越少，則位於隔離體之上的固定層的面積也越少，則固定層產生荷電效應的機率也越小。例如，請參閱圖8，沿所述第二方向Y，可每間隔三場發射元件16設置有一隔離體18。所述複數隔離體18的最少數量不限。在保證所述柵網20不變形的條件下，所述隔離體18的數量應儘量少。

請參見圖9，本發明進一步提供一種使用上述場發射陰極裝置10的場發射顯示器200，該場發射顯示器200包括一陽極裝置212及與該陽極裝置212間隔設置的一場發射陰極裝置202。所述陽極裝置212與所述場發射陰極裝置202相對且保持一定距離間隔設置。所述場發射陰極裝置202可採用第一實施例中的場發射陰極裝置10。

該場發射陰極裝置202包括一絕緣基底204、複數條形陰極206、 複數場發射元件222、複數隔離體208、複數條形柵網210、一固定層224及一導電層226。所述陽極裝置212與場發射陰極裝置202中的條形柵網210保持一定距離間隔設置。

所述陽極裝置212包括一玻璃基底214，一透明陽極216及塗覆於透明陽極216上的複數螢光層218。所述透明陽極216可為氧化銦錫薄膜。所述陽極裝置212通過一絕緣支撐體220與場發射陰極裝置202中的絕緣基底204間隔設置，陽極裝置212與場發射陰極裝置202的邊緣密封設置，使得場發射陰極裝置202與陽極裝置212之間形成一真空環境。所述場發射陰極裝置202中的場發射元件222與陽極裝置212中的螢光層218一一對應設置，構成一像素單元。

場發射顯示器200在應用時，分別施加不同電壓給條形陰極206、條形柵網210及陽極216。陰極206上場發射元件222中的電子發射體所發出的電子在柵網210的電場作用下，向柵網210的方向運動，通過柵網210的柵孔發射出去，在陽極216的電場作用下，最終打到陽極216，打在塗覆透明陽極216上的螢光層218，發出螢光，實現場發射顯示器200的顯示功能。由於條形陰極206之間相互絕緣、條形柵網210之間相互絕緣，因此，通過選擇性地在不同的條形陰極206及條形柵網210之間施加不同的電壓，可控制不同位置的場發射元件222發射電子，電子打在陽極裝置212的螢光層218的不同位置，從而使螢光層218的不同位置發光，使場發射顯示器200根據需要顯示不同的畫面。

本發明提供的場發射陰極裝置及場發射顯示器中採用的隔離體的 寬度小於相鄰兩場發射元件的中心線之間的距離的十分之一，因此，隔離體的寬度遠小於相鄰兩場發射元件的中心線之間的距離，進一步地，位於隔離體之上的固定層的寬度遠小於相鄰兩場發射元件的中心線之間的距離。因此當柵網上施加電壓時，可有效降低由場發射元件發射出的電子打到固定層上的機率。從而減輕固定層的荷電效應，進而使場發射元件發射出的電子均沿著垂直於場發射元件表面的方向飛行，而不偏轉向固定層，在應用時可有效消除像素點邊界發散呈現不規則圖形的現象。

進一步地，場發射元件的徑向尺寸與相鄰兩場發射元件的中心線之間的距離的比值的範圍為0.125至0.48，因此，隔離體與場發射元件之間的距離較大。進一步地，固定層與場發射元件之間的距離也較大，因此可有效降低由場發射元件發射出的電子打到固定層上的機率。從而減輕固定層的荷電效應。

綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡習知本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。

10‧‧‧場發射陰極裝置

12‧‧‧絕緣基底

14‧‧‧陰極電極

16‧‧‧場發射元件

18‧‧‧隔離體

20‧‧‧柵網

22‧‧‧固定層

24‧‧‧導電層

121‧‧‧絕緣基底的第一表面

122‧‧‧絕緣基底的第二表面

Claims (14)

1. 一種場發射陰極裝置，包括：一絕緣基底；複數條形陰極相互平行且等間隔設置於該絕緣基底的表面；複數隔離體間隔設置於所述絕緣基底的表面；複數條形柵網相互平行且等間隔設置，該複數條形柵網與該複數條形陰極異面垂直且交叉設置，每一所述條形柵網均通過所述隔離體支撐，與所述條形陰極間隔設置；複數場發射元件分別設置於所述複數條形陰極與所述複數條形柵網的交叉位置並與所述條形陰極電連接；複數固定層分別對應於所述複數隔離體設置於所述條形柵網表面，將所述條形柵網夾持於所述固定層與所述隔離體之間，其中，所述複數隔離體分別位於所述複數條形陰極之間並與所述條形陰極間隔設置，所述場發射陰極裝置滿足以下條件：D1小於等於D2/10，其中，所述隔離體的寬度定義為D1，相鄰二場發射元件的中心線之間的距離定義為D2。
2. 如請求項1所述之場發射陰極裝置，其中，D2小於等於5毫米。
3. 如請求項1所述之場發射陰極裝置，其中，D1小於等於500微米且大於等於100微米。
4. 如請求項1所述之場發射陰極裝置，其中，所述場發射陰極裝置進一步滿足以下條件：D3/D2大於等於0.125且D3/D2小於等於0.48，其中，所述場發射元件的徑向尺寸定義為D3。
5. 如請求項4所述之場發射陰極裝置，其中，所述隔離體與所述場發射元件之間的距離大於等於150微米。
6. 如請求項1所述之場發射陰極裝置，其中，所述場發射陰極裝置進一步滿足以下條件：H大於等於5μm且H小於等於100μm；其中，所述隔離體的高度定義為H。
7. 如請求項1所述之場發射陰極裝置，其中，所述複數隔離體中的每一隔離體距與之相鄰的兩場發射元件之間的距離相等。
8. 如請求項1所述之場發射陰極裝置，其中，沿平行於所述條形陰極的方向，相鄰的二條形陰極之間僅設置一所述隔離體，該隔離體支撐所述複數條形柵網。
9. 如請求項1所述之場發射陰極裝置，其中，沿平行於所述條形陰極的方向，相鄰的二條形陰極之間設置所述複數隔離體，每一所述隔離體支撐一所述條形柵網。
10. 如請求項1所述之場發射陰極裝置，其中，沿平行於所述條形柵網的方向，每間隔複數所述條形陰極設置一所述隔離體。
11. 如請求項1所述之場發射陰極裝置，其中，所述固定層填充所述條形柵網的位於所述隔離體上方的柵孔，與所述隔離體結合在一起，將所述條形柵網固定於所述隔離體與所述固定層之間。
12. 如請求項11所述之場發射陰極裝置，其中，所述固定層對應所述柵網的非柵孔區域的厚度小於等於10微米。
13. 如請求項1所述之場發射陰極裝置，其中，進一步包括複數導電層分別設置於所述複數固定層遠離所述條形柵網的表面。
14. 一種場發射顯示器，其中，其包括一陽極裝置及一如請求項1至13中任一項所述之場發射陰極裝置，該場發射陰極裝置與該陽極 裝置間隔設置。