TWI410649B - 被測試裝置電路、積體電路以及半導體晶圓製程監視電路 - Google Patents

Description

被測試裝置電路、積體電路以及半導體晶圓製程監視電路

本發明係有關於提供改良的數位製程監視電路及方法以用於半導體電路的電路及方法。指示在晶圓形式或晶片(die)形式之完整的半導體基礎的電路的製程性能的資料，例如關於溫度靈敏度的讀數，典型地是以測試器或探針量測儀收集。本發明以高效率的測試方法提供有效地提供數位輸出的改良製程監視電路及方法，數位輸出指示製造裝置、半導體晶圓、半導體晶片或積體電路的特性。

高整合半導體電路已經越顯重要，特別是在於生產用電池操作的裝置，例如手機、行動電腦如膝上型電腦、筆記型電腦以及數位助理(PDAs)、無線電子郵件終端、MP3影音播放器、行動無線網路瀏覽器及其類似產品，並且這些精密的積體電路逐漸地包含板上資料儲存器。

眾所皆知，半導體基板的製造期間所發生的製程變異會依不同晶圓上的裝置，或在同樣晶圓的不同部份上的裝置造成不同的特性。對於半導體基板製作的零件的認證特別重要的是關於溫度靈敏度或溫度相關性質的特性。所謂的”製程邊界分析”(process corner analysis)可能藉由決定測試裝備所監控的某些製程相關的特性對晶圓或晶片列定等級，並且該結果指示裝置是否對溫度變異等是快速反應、緩慢反應以及大約反應的。

舉例來說，晶圓上的電晶體臨界電壓是重要的溫度相關的特性。其他測量常被考量的是在飽和狀態流經MOS裝置的電流，典型地稱為I_DSAT 。這些電流可能也隨著製程變異而變動，所以為了決定半導體基板上製造的特定裝置是否達到根據這些參數所建立的品質標準，通常對晶圓，獨立晶片或封裝的積體電路實施測試以觀察這些特性。

半導體裝置上的溫度是另一重要度量單位。當測量溫度相關的特性，半導體裝置上的絕對溫度是重要的。在前案中，舉例來說，使用正比絕對溫度電路元件的熱感測器可能設於積體電路上或半導體晶圓上的切割道(scribe line)內。眾所皆知的是對結果電流/電壓實施類比數位轉換，以及輸出已知對應於類比溫度值的數位信號。然而，提升測量完整裝置的製程相關特性的容易性與速度，以及在數位領域實施這些測量以提升寶貴的測試時間的有效利用，藉此改善生產量，這樣的需求是持續存在。重要的測量製程相關性能特性的快速且簡易存取的讀出而不用複雜的測試裝備以致能晶圓或獨立積體電路或晶片的製程邊界決定是有需要的。

因此，既可靠又容易利用關聯半導體製程變異的各種裝置特性的輸出，並且不用延伸的測試或大量晶圓或電路探測之高效率且有效的製程監視電路以及製程監視方法是持續需要的。

藉由本發明的實施例，提供改善製程電路以及用在製程電路的數位輸出電路的運作之電路及方法，可解決與規避上述問題及其他問題，並且通常能達成技術優點。

於一例證的實施例中，發明提供對應裝置的臨界電壓特性Vtn輸出數位信號的製程監控電路。於另一例證的實施例中，上述實施例更包括一比較器電路，當電容充電與放電時比較充電電容電壓與臨界電壓以及在周期性基礎上輸出斜坡信號。於另一較佳實施例中，電壓時間轉換器電路更轉換斜坡信號為對應臨界電壓之具有頻率的週期性信號。於另一較佳的實施例中，週期性信號轉換為對應臨界電壓的數位輸出信號。

於另一較佳的實施例中，提供一種用於輸出對應半導體裝置的電晶體的飽和電流的數位信號之製程監視電路。於另一實施例中，提供飽和電流製程監視電路，包含一比較器電路，比較Vdd信號與飽和狀態的電晶體的一電壓，以及輸出正比於飽和電流的電流。於另一較佳實施例中，電流轉換成電壓。於另一較佳實施例中，電壓轉換成數位信號而輸出。

於另一較佳的實施例中，提供一種製程監視電路，輸出正比於溫度相關數量的數位信號。於另一較佳的實施例中，輸出溫度相關數量的製程監視電路更包含一比較器，比較對應輸入至二極體的偏移電流之電壓與對應輸入至電阻的偏移電流的電壓，其中電阻係具有溫度相關數值，以及輸出對應溫度的電流至輸出數位信號的轉換器。

於另一較佳實施例中，提供半導體晶圓上被測試裝置電路，具有選擇電路耦接成接收以及輸出對應電壓臨界電路參數、電晶體飽和電流電路參數、溫度相關數量的信號，以及用於轉換輸出為數位信號的轉換器。於另一較佳實施例中，上述被測試裝置電路設置於切割道區域。於另一較佳的實施例中，被測試裝置電路更包括探測墊耦接成輸出數位信號。於另一較佳實施例中，被測試裝置電路更包括數位校正電路。於另一較佳實施例中，數位校正電路更包括數位濾波器。

於另一較佳實施例中，提供具有測試巨集電路的積體電路，測試巨集電路包括一選擇電路，耦接成接收與輸出對應電壓臨界電路參數、電晶體飽和電流電路參數、溫度相關數量的信號，以及轉換輸出為數位信號的轉換器。於一較佳的實施例中，上述被測試裝置電路設置於切割道區域。於另一較佳的實施例中，被測試裝置電路更包括一探測墊耦接成輸出數位信號。於另一較佳的實施例中，被測試裝置電路更包括數位校正電路。於另一較佳的實施例中，數位校正電路更包括數位濾波器。

於另一實施例中，提供一種積體電路，包括輸出對應裝置臨界電壓特性Vtn的數位信號的製程監視電路，於另一實施例中，上述實施例更包括一比較器電路，當電容充電及放電時比較充電電容電壓與臨界電壓以及輸出週期性基礎的斜坡信號。於另一較佳實施例中，電壓對時間轉換器電路更轉換斜坡信號為對應臨界電壓的具有頻率的週期性信號。於另一較佳的實施例中，週期性信號轉換為對應臨界電壓的數位輸出。

於另一較佳實施例中，積體電路製程監視電路更包括輸出對應電晶體飽和電流的輸出信號的電路。於另一實施例中，提供飽和電流製程監視電路，包括一比較器電路，比較Vdd信號與飽和狀態中的電晶體的電壓以及輸出正比於飽和電流的電流。於另一較佳的實施例中，電流轉換成電壓。於另一較佳的實施例中，電壓轉換成數位信號而輸出。

於另一較佳的實施例中，上述積體電路具有製程監視電路，輸出正比於溫度相關數量的數位信號。於另一較佳的實施例中，輸出相關數量的製程監視電路更包括一比較器，比較對應輸入至二極體的偏壓電流的電壓與對應輸入至電阻的偏壓電流的電壓，其中電阻具有溫度相關數值，以及輸出對應溫度的電流至輸出數位信號的轉換器。

提供一種監視半導體製程的方法實施例，包括提供溫度相關參考電流；比較在節點對應耦接到參考電路元件的電壓與在節點對應耦接到電路元件的電壓，其中電路元件具有要被測量的半導體製程特性，以及輸出對應測量的製程特性的電流；轉換製程特性到數位信號；以及輸出數位信號；其中測量的製程特性是取自於電晶體臨界電壓、電晶體飽和電流、溫度相關數量以及這些組合的群組的一個。

為使本發明之上述目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

第1圖以簡化的電路圖描述先前技術帶隙參考電路。重要地是，此帶隙參考電路輸出與溫度無關的電流I2，亦即，電流與熱能無關。電流鏡電晶體P3以及電阻R3可以轉換輸出電流I2成為也是與溫度無關的電壓參考，成為第一階。本發明的實施例需要這些參考並將描述細節如下。

於第1圖中，運算放大器10用在回授組態。如本領域所熟知的，當運算放大器以這方式組態時，虛擬接地存在於它的輸入之間。因此，Va等於Vb並且簡單的電流與電壓關係可用於描述電流I2。

I2=V(R0)/R0+(V(R0)+Vd2)/R1=kT/q*1n(n*m)*(1/R0+1/R1)+Vd2/R1

檢驗上述關係的最後形式可觀察到第一項kT/q大約26微伏特/300度的正溫度係數。Vd2這項大約-1.5微伏特/度的電壓係數。藉由選擇R0與R1的值，1n(n*m)*(1/R0+1/R1)這項可能等於1.5微伏特*300/26微伏特，I2的溫度相關項可能消去，因此I2是零溫度係數。

如本領域所熟知的，帶隙參考經常用於提供與溫度無關的定電流源。

偏移電路P1、P2、R0、R1及二極體D1提供偏壓給運算放大器10。電晶體P3與電阻R3的電流鏡僅轉換定電流I2到電壓Vref。因為R0、R1與R2有同樣製程變異，偏移電路需要被稍微調整到產生零溫度係數電壓Vref。使用電路模擬工具，電路可被調整成提供與溫度無關的Vref。因此，電路可能組態成提供與溫度無關的電流或電壓參考。

典型地用於客觀地決定製程與電路性能的一個重要的製程相關特性是電晶體臨界電壓Vtn。第2圖描述針對Vtn測量以及針對電壓時間轉換電路作為輸出的本發明的電路實施例。

在第2圖中，運算放大器10周圍的電路再次以類似但不同於第1圖的帶隙參考電路的方式形成。在第2圖中，運算放大器10比較在Va與Vb的電壓。當在終端Va的電壓超過電壓Vb，回授輸出變成高準位或真值，Vb是電晶體M0的臨界電壓，因為它組態成二極體連接的電晶體。當電流I1對電容Cvt充電到電壓Vb，標示CMP的比較器10將輸出高電壓並且經由電晶體Ms到接地對電容放電。只要電容Cvt放電，週期會再開始。來自帶隙參考的電流Iref，設定電流I2進入電晶體M0並且舉例來說，可能是大約1-10微安。臨界電壓Vtn大約400-700mV。

藉由比較器CMP的Vtn的週期測量將輸出形成鋸齒波的斜坡波形，如圖式所示。藉由在反相器G1中的電晶體形成方波輸出。因此，電壓Vtn被轉換成具有週期Tvt=Vtn*Cvt/I1的週期方波信號形式的時間測量。再次地，電流I1依據電流源電晶體P1、P2的尺寸設定，並且電流源Iref=I3用於電流鏡以偏移此電路。因此，藉由眾所皆知的對應，時間信號被聯繫到想要的度量單位Vtn並且時變信號Vo可用於測量Vtn。

第3圖描述提供時間測量Tvt的數位讀出的簡單電路。眾所皆知，時變信號可能藉由計時暫存器被較快速的信號取樣。接管時間的信號取樣可能藉由計數一些時脈的取樣作測量。第3圖呈現取樣時間信號Tvt的簡單電路。供應自外部輸出或可選替地由RC電路例如Tref=Vref*Cref/Iref在內部產生的較快時脈，用於第3圖中計時Tvt信號以及計數週期數目。這是簡單的時間對數位轉換。通常，第2圖與第3圖的結合說明經由電流-時間以及時間-數位電路的利用轉換M0的飽和電流到數位測量的簡單方式。有很多電流到數位轉換的實施例。

舉例來說，藉由使用參考電容發展出的時間信號Tref提供較快的參考時脈。如該領域所熟知的，藉由選擇Cref的值，時脈信號的頻率可超過需要藉由足夠頻率取樣Tvt的Nyquist需求取樣率以提供良好輸出而沒有失真問題。當計時，暫存器FF1取樣信號Tvt，並且藉由counter1在一週期時間累積取樣。因此，輸出是帶有已知對應-臨界電壓的數位權重。

轉換器的輸出可能提供解析度所需要，例如10位元或12位元。可以用大約的解析度並且取樣頻率可以增加或減少作為特定應用的設計選擇。

提供製程監視電路所測量的數量的數位度量單位對於類比信號的簡單探測有許多優點，誠如習知實施。當輸出暫存器(counter1)可能放置於掃描鏈或自我測試電路(BIST)中並且經由積體電路的介面讀取時不需要專用的探針墊實施測試。數位讀出可用於自我調整電路性能。任何所需的補償或校正可能利用數位濾波技術在測試器中實施，如以下的詳細描述，不需要調整或修整補償已知的二階或三階效用。此測量簡易並且可能非常快速實施，藉由降低測試時間改善生產量。

該領域中熟此技藝者將認知到第2圖中比較器CMP的輸出已經藉由第3圖的數位取樣電路轉換到數位信號Out。當然，信號可能使用其他已知的類比數位轉換器(ADC)被轉換到數位形式；最典型地，可以使用sigma delta或delta sigma類比數位轉換器。第3圖的暫存器與計數器的使用僅是數位器的例證實施例，而非限制發明的實施例或範圍，僅是提供數位輸出信號的簡單實施例。

第4圖在電路圖中描述佈置於回授組態的比較器10的製程監視電路41的另一實施例。測量經由電晶體的飽和電流Idsat以作為製程監視。在第4圖中，電晶體P1與P2再次提供電流I1與I2到電路。電壓Va與Vb耦接到位於運算放大器10的輸入的虛擬接地。在此範例中，電壓Vdd放置於Vb，所以Va因此將等於Vdd。因此，當Vds=Vgs=Vdd時電晶體Mi將飽和，如圖式所見。電晶體Mi藉由電流鏡電晶體P3將接收輸出作為電流Is的飽和電流I1。

依上述討論，可了解如何轉換此電流成為電壓，並且轉換類似度量單位(電流或電壓)到數位量。以此方式製程監視電路41可以提供對應電流Isat的數位輸出信號。

第5圖描述溫度監視電路51，其係基於對第1圖的帶隙參考簡單變更。檢視第5圖，注意到複製了增加兩個開關S1與S2的第1圖電路。在描述電流I2時(等於電流I3的整數乘數，藉由電流鏡)，上述提供的I2的方程式說明電路的溫度相關性可能藉由利用R0與R1之間的關係被移除以抵消相關項。使用這些增加的開關S1與S2從第1圖的帶隙參考電路切割R1電阻，輸出電流I3將會與溫度相關。形成帶有輸出正比絕對溫度(PTAT)的電路。僅僅藉由之前P3與R3的電流對電壓轉換器，電流可能以電壓格式提供。

利用開關S1與S2形成第5圖的PTAT電路的效益進一步令人想到額外的佈置可能用於當作可選替的實施例。除了提供專用的PTAT電路，PTAT電路與製程監視電路所需要用於形成Iref與Vref量的帶隙參考電路可能共用。亦即是，使用單一電路，當執行PTAT測量，開關S1與S2打開。此測量是快速並且因為帶隙參考輸出是緩慢改變的信號，藉由快速地切換電路回到Vref組態(關閉S1與S2以形成對R1與R2的連接)，這些組件不需要建立兩次而只需要一次，降低電路複雜度以及最小化需要的電路面積。

再者，第2、4與5圖中製程監視電路的每一個的檢驗令人想到，對於這些電路的每個而言同樣運算放大器10可能藉由在一給定瞬間使用選擇開關與控制邏輯決定運算放大器電路的功能用於額外的選替的實施例。以此方式，形成多重輸出製程監視電路所需的運算放大器的數目可能從4(帶隙參考、Vtn、Idsat及PTAT)減少到1。藉由使用一個運算放大器對比四個，面積與電路複雜度節約是具有實質意義的。然而，對於此選替的實施例方式而言，需要額外的控制電路，並且提供每個製程監視電路成為一個包含獨立運算放大器作為比較器的獨立電路的直接設計方式也因此是一個例證的實施例。

上述實施例對於通常使用的製程監視特性度量單位Vtn、Idsat與絕對溫度的每個提供一個電路。實施例亦適用於提供數位輸出。第6圖描述用於半導體晶圓形成完整製程監視電路的電路實施例61的方塊圖，例如藉由放置電路在切割道區域，或選替地藉由提供製程監視形成在每個積體電路晶片上的巨集(macro)。假如電路放置在切割道區域，輸出可能以習知的探測墊探測。假如電路是在積體電路內的巨集，可提供探測墊，多重函數輸入/輸出腳位可能被用到，或掃描鏈或BIST電路可能用於存取輸出而不用使用任何探測墊或增加的腳位；亦如該領域所熟知。

在第6圖中，Idsat電路41可能耦接到電壓時間或電流時間轉換器33。如上述，時脈輸出可能從Vref產生器11衍生，並且時脈輸出饋送至正反器FF1。可選替地，Vtn電路21可能藉由選擇開關耦接到V-T轉換器33，然後到FF1。計數器然後接收正反器的輸出並且形成對應電流Isat、電壓Vtn的數位信號，否則假如第5圖的電路也使用到，形成對應半導體裝置上的溫度的數位信號。V-T轉換器35產生時脈信號到暫存器FF1。

第7圖描述選替實施例製程監視電路的輸出電路71。在第7圖，提供多工器或其他選擇電路73。控制電路75將導致多工器選擇製程相關測量訊號例如Vtn、Idsat或正比溫度的信號的一個訊號，如上述。類比對數位轉換器ADC 77則轉換選擇的信號到數位信號，然後輸出。

額外的方塊79標示如第7圖所示的”校正”。測量的數量的數位讀出信號的使用在校正上致能額外的效益。對比先前技術的方法，藉由複合的調整或修整實體組件的製程監視電路的校正在例證的實施例中是不需要的。取而代之，舉例來說，使用數位濾波技術補償數位輸出。數位濾波可用硬體或軟體，或使用可程式裝置如DSP實施。校正方塊79可能是製程監視電路的部份，或額外的實施例，它可能以軟體或硬體設置於測試裝備或探測卡中執行。藉由以測試裝備實施校正，在製程監視電路實施例中所需要的電路可簡化並且因此面積與電路設計時間會降低。

校正可以解釋已經或觀察到的第二階效應。一個可能的校正描述是：

Q’(Idsat)=Q(Idsat)*m+offset,第一階

以及

Q’(Idsat)=Q(Idsat)^2*s+Q(Idsat)*m+offset,第二階

在上述中，因為帶隙電壓參考的不精確校正的輸出Q’藉由使用數位乘法器與加法器被調整到第二階。舉例來說，偏移與乘法器是常數，可能以電路模擬工具發展，或從測試電路上執行的客觀測量的分析。

特定的校正演算法是設計選擇，並且可能對於特定應用量身打造。在此描述的例證的實施例的優點是電路校正單純實施於數位領域，可能實施於離晶片電路或在軟體中，並且不需要調整或修整在晶片上組件或增加的電路。舉例來說，演算法可能實施於資料如來自切割道或積體電路的數位信號，以及可能稍後離線執行，或當其他測量在進行時實施，以使得測試盡可能有效率以及有彈性的。

第8圖說明結合本發明一或更多製程監視電路實施例的一例證半導體晶圓。在第8圖中，在切割之前但是在裝置完整地形成積體電路晶片82之後顯示半導體晶圓81。舉例來說，上述第5圖所示的製程監視電路51是放置於切割道區域、每個晶片板上作為巨集元件或這兩個地方。假如切割道方式被使用，製程監視電路可能被放置在晶圓上的多個位置。假如切割道區域被使用，可能提供額外的探測墊以致能測試裝備以接收製程監視電路的數位輸出。

第9圖以一選替的佈置描述半導體晶圓81。在第9圖中，積體電路晶片以顯示ASIC邏輯、邏輯電路、嵌入SRAM以及在實施例中是板上積體電路的製程監視巨集51的方塊圖詳細說明。其餘的積體電路晶片83同樣地包括製程監視巨集51。如測試領域所熟知的，製程監視巨集可能藉由邏輯或在測試腳位、探測墊，或經由掃描路徑輸出的數位輸出定址。

上述實施例提供測量及輸出特定特性的電路，例如Vtn、Isat以及溫度。然而，藉由組合以及共用某些電路元件，也可能輸出正比於這些特性的組合的信號。此額外的特徵不需要增加電路，而是上述電路的另一選替的實施例。

上述監視電路與方法的各種實施例可能有助於施加到半導體製程。在進階的半導體製程例如45奈米最小化特徵尺寸以及45奈米以下包含32與28奈米節點可見到特定的益處。然而，這些例證的實施例不是限制，製程監視電路與方法的利用對於任何半導體製程科技都是有助益的。

最後，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明後附申請專利範圍的精神下，可以本發明所揭露之概念及實施例為基礎，輕易地設計及修改其他用以達成與本發明目標相同之架構。

11．．．Vref產生器

D1、D2．．．二極體

P1、P2、P3．．．電晶體

10．．．比較器

R0、R1、R2、R3．．．電阻

21．．．Vtn電路

G1．．．反相器

M0、Ms、Mi．．．電晶體

Cvt．．．電容

FF1．．．正反器

33．．．電流時間轉換器

35．．．V-T轉換器

41．．．製程監視電路

51．．．溫度監視電路

61．．．製程監視電路

73．．．選擇電路

75．．．控制電路

77．．．類比數位轉換器

79．．．校正方塊

81．．．半導體晶圓

83．．．積體電路晶片

第1圖說明先前技術帶隙參考電路的簡化電路圖；

第2圖說明本發明的例證的電晶體臨界電壓測量電路實施例的電路圖；

第3圖說明本發明例證的數位轉換器電路實施例的電路圖；

第4圖說明本發明例證的電晶體飽和電流測量電路實施例的電路圖；

第5圖說明本發明例證的溫度相關的數量測量電路實施例的電路圖；

第6圖說明以簡化的方塊圖說明本發明的例證的製程監視電路實施例；

第7圖說明本發明選替的佈置製程監視電路實施例；

第8圖以簡易形式說明結合本發明的一個實施例的半導體晶圓；以及

第9圖以另一形式說明結合本發明的一個實施例的半導體晶圓上的積體電路。

61．．．製程監視電路

11．．．Vref產生器

21．．．Vtn電路

FF1．．．正反器

33．．．電流時間轉換器

35．．．V-T轉換器

41‧‧‧製程監視電路

Claims (17)

1. 一種被測試裝置電路，包括：一第一節點，用於接收與溫度無關的一第一電壓；一第二節點，用於接收對應一電路參數的一第二電壓；一比較器，用於提供對應在該第一及第二節點的電壓的一比較的一輸出電流；以及一電壓時間轉換器，對應該電路參數輸出一週期性信號，其中該電壓時間轉換器更包括一取樣暫存器，接收該週期性信號以及接收相關於一參考電壓的一時變時脈信號；其中該電路參數係選自於一電晶體臨界電壓、一電晶體飽和電流，以及一正比於溫度的數量的群組中的一個。
2. 如申請專利範圍第1項所述之被測試裝置電路，更包括一電路耦接成轉換該輸出電流為一輸出電壓。
3. 如申請專利範圍第1項所述之被測試裝置電路，更包括：一帶隙參考電路，用於供應選自於該第一電壓的一個。
4. 如申請專利範圍第1項所述之被測試裝置電路，更包括：具有一特性臨界電壓的一電晶體，用於提供該第二電壓至該比較器，以及該電路參數是該臨界電壓。
5. 如申請專利範圍第1項所述之被測試裝置電路，其 中該電路更包括：具有一熱相關的一數值的一電阻，一二極體裝置以及該電路參數是絕對溫度。
6. 如申請專利範圍第1所述之被測試裝置電路，其中該轉換器更包括：一計數器，計時該取樣暫存器的該輸出以形成對應該電路參數的一數位信號。
7. 如申請專利範圍第6項所述之被測試裝置電路，更包括：一校正電路，耦接成使用一數位演算法校正該數位輸出信號。
8. 如申請專利範圍第7所述之被測試裝置電路，其中該校正電路是一數位濾波器。
9. 如申請專利範圍第1所述之被測試裝置電路，其中該被測試裝置電路是配置於一半導體晶圓的一切割道區域。
10. 如申請專利範圍第1所述之被測試裝置電路，更包括從該臨界電壓、飽和電流及溫度選擇電路參數的選擇電路。
11. 一種積體電路，包括：一定義功能的邏輯電路；以及一測試巨集電路，包括：一第一電路元件，用於接收一第一電流用以提供一既定電壓於一第一節點；一第二電路，用於提供對應一電路參數的一電壓到 一第二節點；一比較器，用於提供對應在該第一節點及第二節點的電壓的一比較的一輸出電流；以及一電壓時間轉換器電路，用於輸出對應該輸出電流的一週期性信號，其中該電壓時間轉換器更包括一取樣暫存器，接收該週期性信號以及接收相關於一參考電壓的一時變時脈信號；其中該電路參數是選自於一電晶體臨界電壓、一電晶體飽和電流，以及一正比於溫度的數量的群組中的一個。
12. 如申請專利範圍第11項所述之積體電路，其中該邏輯電路更包含一記憶體部分。
13. 如申請專利範圍第11項所述之積體電路，其中該邏輯電路更包含一ASIC部份。
14. 如申請專利範圍第11項所述之積體電路，更包括一探測墊耦接到該輸出信號。
15. 如申請專利範圍第11項所述之積體電路，更包括：測試輸出電路耦接成從該輸出信號輸出一數位信號。
16. 一種半導體晶圓製程監視電路，包括：複數個積體電路晶片製造於該半導體晶圓上；一切割道區域，係與該積體電路晶片分開；至少一被測試裝置電路，包括：一第一電路元件，用於在一第一節點提供一既定電壓；一第二電路元件，用於提供對應一電路參數的一電 壓至一第二節點；一比較器，用於提供對應於該第一及第二節點電壓的一比較的一輸出電流；以及一電壓時間轉換器電路，用於輸出對應該輸出電流的一週期性信號，其中該電壓時間轉換器更包括一取樣暫存器，接收該週期性信號以及接收相關於一參考電壓的一時變時脈信號；其中該電路參數係選自於電晶體臨界電壓、一電晶體飽和電流，以及一正比溫度的數量的群組中的一個。
17. 如申請專利範圍第16項所述之半導體晶圓製程監視電路，其中該被測試裝置電路位於選自於該切割道區域以及該複數個積體電路晶片的至少一個的一區域。