TWI405860B - 成膜裝置、成膜裝置群、成膜方法、及電子裝置或有機電致發光元件之製造方法 - Google Patents

成膜裝置、成膜裝置群、成膜方法、及電子裝置或有機電致發光元件之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI405860B
TWI405860B TW095132869A TW95132869A TWI405860B TW I405860 B TWI405860 B TW I405860B TW 095132869 A TW095132869 A TW 095132869A TW 95132869 A TW95132869 A TW 95132869A TW I405860 B TWI405860 B TW I405860B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas
film forming
raw material
substrate
carrier gas
Prior art date
Application number
TW095132869A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200728478A (en
Inventor
Tadahiro Ohmi
Takaaki Matsuoka
Shozo Nakayama
Hironori Ito
Original Assignee
Univ Tohoku
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Univ Tohoku, Tokyo Electron Ltd filed Critical Univ Tohoku
Publication of TW200728478A publication Critical patent/TW200728478A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI405860B publication Critical patent/TWI405860B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12Organic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/243Crucibles for source material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568Transferring the substrates through a series of coating stations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/191Deposition of organic active material characterised by provisions for the orientation or alignment of the layer to be deposited

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

成膜裝置、成膜裝置群、成膜方法、及電子裝置或有機電致發光元件之製造方法
本發明係關於用以形成既定材料層之膜的成膜裝置、具有多數該成膜裝置之成膜裝置系、成膜方法、及使用了該成膜方法之電子裝置或有機電致發光元件之製造方法。
使既定材料之原料氣化而形成既定材料層膜之方法,廣泛使用於半導體裝置或者平面顯示器裝置、其他電子裝置之製造。以下採有機EL顯示裝置為例,說明像這種電子裝置之一例。輝度充分明亮且壽命達數萬小時以上之有機EL顯示裝置,由於使用為自我發光型元件之有機EL元件,且背光等周邊零件少,故能形成薄狀,作為平面顯示裝置為理想的。
於構成像這種有機EL顯示裝置之有機EL元件,從作為顯示裝置之特性之觀點,被要求大型畫面以及元件壽命長、於畫面內之發光輝度及元件壽命無不均、且沒有以暗點為等代表之缺陷等。為了滿足該要求,有機EL膜之成膜技術極為重要。
例如,於20吋左右之大型基板,就用以使有機EL膜均勻地成膜之成膜裝置而言,使用專利文獻1(特開2004-79904號公報)所記載之裝置等。專利文獻1之成膜裝置,藉由使設置在裝置內之注射器(injector)內部之配管構造最適配置為樹狀,使原料氣體與載流氣體同時在基板上一樣地分散,能確保大型基板中膜厚之均勻性。
最近,對於該種有機EL裝置,亦要求20吋以上之大型化。然而,為了應付像這種要求,必需克服發光效率不佳及短壽命之有機EL裝置特有的各種缺點。在此,包含構成有機EL裝置之發光層的各種有機EL膜,與形成其他顯示裝置之膜比較,由於為數十nm,極端地薄,因此必需有以分子為單位成膜之技術,而且,將分子單位之成膜以高精度成膜亦極為重要。
就於20吋以上之大型化亦能適用之成膜裝置而言,本發明者等於特願2005-110760(先前申請案1),提出了使形成有機EL裝置之各種有機EL原料均勻地且迅速成膜之成膜裝置。
所提案之成膜裝置,具有:2個相同原料容器,使有機EL原料蒸發、氣化;吹出容器,將該有機EL原料吹送到基板上;及配管系(也就是說流通路徑),將該等原料容器與吹出容器連接。於該情形,從其中之一的原料容器對吹出容器供給有機EL原料時,將包含多數閥及孔之配管系於成膜開始前、成膜時,及成膜停止時進行切換,同時控制配管系之溫度。於該構成之中,於成膜時以外的時間,將殘留於配管系之氣體迅速排出,同時於另一原料容器使氣體流通。
先前申請案1所示之成膜裝置,不僅能防止殘留在配管系之氣體造成之污染,且能迅速地進行成膜開始前、成膜時,及成膜停止時之狀態遷移。先前申請案1之成膜裝置,由於能夠防止殘留於配管系之有機EL原料造成的污染,能顯著地改善有機EL裝置之輝度及壽命。
然而,採用先前申請案1所示構成之情形,有使形成有機EL裝置之發光層等之有機EL材料的利用效率更加改善之需要,且為了使有機EL裝置更大型化,在更加改善有機EL元件輝度之同時,有謀求有機EL元件之長壽命化之需要。
又,先前申請案1所示之成膜裝置中,成膜時,係將氣化的有機EL材料從其中之一的原料容器對吹出容器吹出,但於成膜時以外之時間,係將氣化之有機EL材料從其中之一的原料容器排出到外部。如該方式,有機EL材料僅於成膜時有效地使用,於成膜時以外之時間,未有效使用,故發現了所使用之有機EL材料之利用效率不佳的缺點。
在此,對於目標有機EL裝置之特性及構造先加以説明。首先,本發明中的目標有機EL裝置,為具有1萬小時以上之長壽命同時具有100 lm/W以上發光效率之有機EL裝置。
又,對於本發明之有機EL裝置構造如果加以概略説明,具有:陽極,在玻璃基板上由透明導電膜所形成;及陰極,以與該陽極相對之方式設置,由Li/Ag等所形成;在陽極與陰極之間,具有配置了多數層、例如7層或者5層有機層之構造。在此,有機層,例如從陰極側起,由電子植入層、電子輸送層、發光層、電洞輸送層,及電洞植入層所形成,發光層,例如由紅色發光層、綠色發光層,及藍色發光層所構成,如該方式,藉由使紅色發光層、綠色發光層,及藍色發光層成為疊層構造,能以高效率地發出白色光。
又,於上述有機層之中,尤其形成發光層之紅色發光層、綠色發光層,及藍色發光層各為20nm左右之厚度,且電子輸送層及電洞輸送層亦有50nm左右之厚度。如該方式,有機EL裝置之有機層與其他半導體裝置之各種膜厚度相比,極為的薄,但於未來嘗試使該等有機層更薄。如該方式,為了將極薄有機層以高精度被覆、形成,需要將有機層原料以分子單位形成之超精細技術。其結果,意指有機層之形成,在分子單位之污染也不能容許。
專利文獻1:日本特開2004-79904號公報
本發明之課題為提供:能將原料以良好效率利用之成膜裝置、成膜裝置系、成膜方法及電子機器或有機電致發光元件之製造方法。
本發明之另一課題為提供:適於將既定材料之膜迅速地依序疊層的成膜裝置系、成膜方法及電子機器或有機電致發光元件之製造方法。
依照本發明之第1態樣,可得到一種成膜裝置,其特徵為:於使原料在氣化機構氣化,並將前述氣化之原料以載流氣體輸送,而對基板上將含有包含前述氣化之原料的載流氣體從氣體放出機構放出而沉積既定材料之膜的成膜裝置之中,對於1個前述氣化機構1個,設置多數之前述氣體放出機構。
於上述成膜裝置中,設有從前述1個氣化機構分別到前述多數之氣體放出機構之氣體流通路徑,較佳為具有一切換機構,對於從前述多數之氣體放出機構中所選擇的前述氣體放出機構供給包含前述氣化之原料的載流氣體。
又,於上述成膜裝置中,較佳為更包含載流氣體供給機構,將與前述載流氣體為同種之氣體不通過前述氣化機構地供給予前述氣體放出機構。
又,於上述成膜裝置其中之一,較佳為前述多數之氣體放出機構之每一個包含:吹出容器;氣體分散板,設於該吹出容器內,將包含前述氣化之原料之載流氣體進行分散;及,過濾器或噴淋板,設於該氣體分散板與前述基板間;於前述吹出容器設有供給口,前述載流氣體通過該供給口而對前述吹出容器之內部供給。
又,於上述成膜裝置中,較佳為:前述吹出容器具有多數前述供給口,且於前述氣化機構與前述吹出容器之間更設有氣體壓力調整部,於該氣體壓力調整部與該吹出容器之前述多數之供給口之間的配管長度實質上全部相等。
於上述成膜裝置中,較佳為:具有多數前述氣體分散板,且該多數氣體分散板與前述多數之供給口,各在同方向配置成一列,前述過濾器或噴淋板具有在前述方向延伸的形狀。前述供給口與前述氣體壓力調整部之間的配管,較佳為分支成2n 條(n為自然數)。
於上述其中之一的成膜裝置中,較佳為對前述多數之氣體放出機構,以不同的時點供給各不同的前述基板。
又,於上述其中之一的成膜裝置中,較佳為前述氣體放出機構之開口寬、前述基板之移動速度、前述載流氣體之流速,及前述載流氣體之供給量,係以能得到既定膜厚之方式來決定。
前述氣化機構,較佳為具有:原料容器部,充填前述原料;配管,對該原料容器部導入前述載流氣體;及,加熱器,將前述原料進行加熱。
依照本發明之第2態樣,可得到一種成膜裝置系,係具有多數上述其中之一的成膜裝置之成膜裝置系,其特徵為:該成膜裝置系係用於在前述基板上將既定材料膜疊層多數者,前述多數成膜裝置各對應於不同的前述材料,且與各材料對應之前述氣體放出機構逐一地沿著前述基板之移動方向而以疊層順序排列。
於上述成膜裝置系中,較佳為:前述氣體放出機構以與前述過濾器或噴淋板之延伸方向彼此平行的方式排列,於該排列的氣體放出機構間設有分隔壁,前述基板與前述分隔壁保持既定距離而移動,且前述基板與前述分隔壁之距離較前述基板與前述氣體放出機構之距離為小,並且前述氣體放出機構與前述分隔壁之間設有空隙。
對於未供給含有前述氣化之原料之載流氣體的前述氣體放出機構,較佳為通過前述氣體供給機構而供給與前述載流氣體為同種的氣體,與前述載流氣體為同種的氣體的流量,較佳為與包含前述氣化之原料之載流氣體的流量實質上為相等的。
於上述其中之一的成膜裝置系,前述材料較佳為構成有機電致發光元件之材料。
依照本發明之第3態樣,可得到一種成膜裝置,其特徵為:於使用由氣體或液體所構成之流體在基板上成膜之成膜裝置中,前述流體以對於前述基板為既定角度且均勻抵接之方式,通過多孔質之陶瓷而供給予前述基板上。
依照本發明之第4態樣,可得到一種成膜裝置,於將原料在氣化機構氣化,並將前述氣化之原料以載流氣體輸送,而對基板上將包含前述氣化之原料之載流氣體從氣體放出機構放出而沉積既定材料之膜的成膜裝置中,前述氣體放出機構具有:氣體吹出容器;多數之供給口,設於該吹出容器;氣體分散板,與各該多數之供給口對應而設,使從該供給口對前述吹出容器內供給之包含前述氣化之原料的前述載流氣體加以分散;及氣體放出板,設於前述吹出容器之前述基板側,具有多數小孔。
於上述成膜裝置,前述氣體放出板較佳為具有過濾器或噴淋板。又,從前述氣化機構對前述吹出容器供給包含前述氣化之原料之前述載流氣體的配管,經過氣體壓力調整部後分支為多數而與前述多數氣體供給口連接,前述氣體壓力調整部與前述多數之供給口之間之配管長度實質上全部相等為較佳。
前述多數之供給口與前述氣體壓力調整部之間的配管,較佳為分支成2n 條(n為自然數)。該多數氣體分散板與前述多數之供給口,各沿同一方向配置成一列,前述氣體放出板較佳為具有在前述方向延伸之形狀。
上述成膜裝置以多數設置而成為成膜裝置系,前述氣體放出機構以與前述氣體放出板之延伸方向彼此平行之方式排列,該排列之氣體放出機構間設置有分隔壁,前述基板與前述分隔壁保持既定距離而移動,且前述基板與前述分隔壁之距離較前述基板與前述氣體放出機構之距離為小,且前述氣體放出機構與前述分隔壁之間設置空隙為較佳。
依照本發明之第5態樣,可得到一種成膜方法,係在氣化機構將原料氣化,而將該氣化之原料以載流氣體輸送,並從氣體放出機構將包含前述氣化之原料的載流氣體對基板上放出而形成既定材料膜之成膜方法,其特徵為:對於1個前述氣化機構連接有多數前述氣體放出機構,並對於從前述多數之氣體放出機構中所選擇者供給包含前述氣化之原料之載流氣體。
上述成膜方法中,前述多數之氣體放出機構之每一個具有吹出容器,且於該吹出容器設有多數之供給口及與各該多數之供給口對應之氣體分散板,通過前述供給口而吹出到前述吹出容器內部之前述載流氣體以前述氣體分散板分散後,通過過濾器或噴淋板而放出至前述基板為較佳。又,與前述載流氣體為同種之氣體,可不通過前述氣化機構地對前述氣體放出機構供給,包含前述氣化之原料之載流氣體及與前述載流氣體為同種之氣體,以彼此排他方式對前述氣體放出機構供給為較佳。又,與前述載流氣體為同種之氣體之流量,較佳為與包含前述氣化之原料的載流氣體流量實質上為相等的。
於上述其中之一的成膜方法,前述多數之氣體放出機構較佳為以不同時點對各不同的基板供給。又,前述基板移動速度、及包含前述氣化之原料之載流氣體之流速及供給量,較佳為以能夠得到既定膜厚之方式決定。
又,依照本發明其他態樣,可得到一種製造方法,為製造在基板上疊層多數既定材料膜之疊層體的方法,其特徵為:對於從前述多數膜之中所選擇之膜的既定材料各設有1個氣化機構及多數之氣體放出機構,與前述各材料對應之前述氣體放出機構逐一以疊層順序排列,將前述所選擇之膜以疊層順序各以上述其中之一的方法進行成膜。在此,較佳為使基板於前述排列的氣體放出機構上移動,並沿著前述基板移動方向,將包含前述氣化之原料之載流氣體以疊層順序連續供給。又,前述多數氣體供給口與前述多數氣體分散板各在同方向排成一列,且前述過濾器或噴淋板為在前述方向延伸之形狀,前述吹出容器,隔著分隔壁,而以前述過濾器或噴淋板以延伸方向彼此平行之方式配置多數個,前述基板於對前述分隔壁隔著既定距離且於與前述方向相交之方向移動,同時從前述多數之之吹出容器中,各以較前述既定距離為大之距離對前述基板依序噴出不同的與含有前述氣化之原料之載流氣體,並將前述所噴出包含氣化之原料之載流氣體經過前述吹出容器與前述分隔壁之間之空隙排出為較佳。
本發明之中,尚可得到一種成膜方法,其特徵為:於使用氣體或液體所構成之流體在基板上成膜之成膜方法中,前述流體對前述基板為既定角度且均勻地抵接之方式通過多孔質之陶瓷而供給予前述基板上。又,本發明亦可得到一種成膜方法,其特徵為:在氣化機構使原料氣化,將前述氣化之原料以載流氣體輸送,從氣體放出機構對基板上將包含前述氣化之原料之載流氣體放出而形成前述既定材料之膜的成膜方法中,前述氣體放出機構具有氣體吹出容器,且對於該吹出容器通過多數之供給口而將包含前述氣化之原料之載流氣體導入後,以氣體分散板分散而後,從設置在前述吹出容器之前述基板側之包含多數小孔的過濾器或噴淋板,朝向前述基板放出。
於上述成膜方法,將前述氣化機構與前述吹出容器連接之配管,於經過氣體壓力調整部後分支為多數而與前述多數之供給口連接,前述氣體壓力調整部與前述供給口之間之前述分支多數配管的長度全部實質地相等,並就所有前述分支的多數配管,將包含前述氣化之原料之載流氣體以時間及量的上實質均等地對前述吹出容器供給為較佳。包含前述氣化之原料之載流氣體,較佳為通過2n 個供給口而對前述吹出容器供給。又,前述多數氣體供給口與前述多數氣體分散板各沿同一方向排成一列,且使前述過濾器或噴淋板為於前述方向延伸之形狀,前述吹出容器隔著分隔壁,而以前述過濾器或噴淋板在延伸方向彼此平行的方式配置多數個,前述基板與前述分隔壁隔著既定距離,且於與前述方向相交之方向移動,同時從前述多數之吹出容器,各以較前述既定距離為大之距離,對前述基板將不同的包含前述氣化之原料之載流氣體依序噴出,且將前述所噴出包含氣化之原料之載流氣體經由前述吹出容器與前述分隔壁之間的空隙排出為較佳。
依照本發明之其他態樣,可得到一種電子裝置之製造方法,其特徵為:具有藉由上述其中之一的成膜方法進行成膜之製程。
又,依照本發明之其他態樣,能得到一種有機電致發光元件之製造方法,其特徵為:藉由上述其中之一的成膜方法形成有機電場發光層膜。
又,可得到一種製造方法,其特徵為:於上述其中之一的製造方法中,前述疊層體為有機電致發光元件。
以下,係對於形成有機EL膜之成膜裝置進行説明,但本發明不限於該等,可適用於各種成膜裝置,自不待言。
本發明可得到原料的利用效率能夠大幅改善之成膜裝置、成膜裝置系、成膜方法及電子機器或有機電致發光元件之製造方法。再者,本發明能得到適於為了將既定材料之膜迅速依序地疊層的成膜裝置系。
如果參照圖1,概略地顯示本發明第1實施形態之成膜裝置。圖示之成膜裝置,具有:有機EL源部20,具有多數有機EL源;第1及第2成膜部26、27;及,切換部29(切換機構),將來自及有機EL源部20之氣化的有機EL材料選擇性地對第1或者第2成膜部26、27供給;切換部29由配管、孔、質量控制器(流量控制系統)及多數閥等所構成。切換部29,以該關係藉由閥、孔、流量控制系統、控制閥之控制裝置(未圖示)所控制。
如果加以具體説明,圖示之有機EL源部20,具有與應沉積之有機EL膜數對應之收容了有機EL原料的容器部(以下,稱為原料容器部)。例如,有機EL源部20,於應沉積在玻璃基板之有機EL原料為3種類之情形,包含將該3種類有機EL原料各自收容之3個原料容器部。於使更多有機EL原料沉積之情形,設置與該原料數對應之收容了有機EL原料之原料容器部。例如,於應沉積之有機EL膜係由電子輸送層、紅色發光層、綠色發光層、藍色發光層、電子阻擋層,及電洞輸送層6層構成之情形,則在有機EL源部20設置用以將形成各層之原料收容的6個原料容器部。
再者,於各有機EL源部20之各原料容器部201,不單是具有收容有機EL原料並使有機EL材料蒸發之蒸發治具(即,蒸發皿),更包含將蒸發治具內之該有機EL材料加熱之加熱器。又,於各原料容器部201之蒸發治具,通過閥、流量控制系統及配管系,導入氬氣、氙氣、氪氣等載流氣體。
在此,對各原料容器部201,於導入載流氣體之同時,以加熱器進行加熱,其結果,蒸發治具內之有機EL材料被氣化。因此,各原料容器部201具有作為使有機EL材料氣化之氣化機構的功能。圖中為求説明簡單,在有機EL膜部20,僅顯示單一原料容器部201,但於有機EL源部20,可具有與其他有機EL原料對應之原料容器部。如該方式,各原料容器部201進行作為使有機EL原料氣化之氣化機構的動作。
另一方面,切換部29,與圖示之原料容器部201對應而設置,於其他原料容器部亦設有同樣的切換部,但在此為求簡單,故加以省略。切換部29,連接著載流氣體用配管系31(配管、閥、流量控制系統、孔等),將氬氣、氙氣、氪氣等與載流氣體為同種之氣體供給予切換器29,在此,該載流氣體用配管系31與第1及第2成膜部26、27對應而各自逐一連接。該等載流氣體用配管系31,係將載流氣體不通過氣化機構地供給予氣體放出機構。
圖示之切換部29,在其內部具有包含配管、閥、孔、流量控制系統等之配管系,將載流氣體及氣化之有機EL原料選擇性地對第1及第2成膜部26、27供給。
第1及第2成膜部26、27彼此具有相同的構成,且如後述,經過具有彼此為相同配管路徑長之部分的配管系331、332,與切換器29連接。圖示之第1及第2成膜部26及27,係說明在圖示之原料容器部201中將氣化之有機EL原料吹出而沉積者。然而,於第1及第2成膜部26、27分別沉積多數有機EL原料之情形,實際上,必需在多數原料容器部與第1及第2成膜部26、27之間,設置多數切換器,並通過該等切換器而設置將多數原料容器部與第1及第2成膜部26、27連接之配管系(氣體流通路徑)。
第1及第2成膜部26、27,各具有:吹出容器,將包含氣化之有機EL原料的載流氣體對玻璃基板上以均勻的方式吹出;及輸送裝置,輸送溫度保持為一定之台座上的玻璃基板;從吹出容器將含有氣化之有機EL原料的載流氣體放出到玻璃基板上而進行沉積有機EL膜之動作。因此,吹出容器可以稱為氣體放出機構。由此亦能明瞭,圖示之成膜裝置,相對於1個氣化機構,具有多數之氣體放出機構。
又,於吹出容器,具有:供給口,以使來自配管系331、332之有機EL材料均勻地分散的方式配置;及過濾器,將來自該供給口之有機材料導入玻璃基板等。又,過濾器,可取代成陶瓷或者於金屬板形成有微細孔之噴淋板。
以下,說明圖1所示之成膜裝置之動作。首先,從原料容器部201產生藉由加熱及載流氣體所氣化之將有機EL原料(有機EL分子)。於該狀態,如果第1成膜部26被切換部29所選擇,則來自原料容器部201之有機EL原料,於氣化之狀態,通過切換部29之配管系,與載流氣體一起通過配管系331而供給予第1成膜部26。於有機EL原料供給予第1成膜部26之期間,與第2成膜部27連接之配管系332為關閉。於第1成膜部26內進行成膜期間,對於第2成膜部27之入口提供玻璃基板,成為成膜待機狀態。
於第1成膜部26內,有機EL原料之沉積一結束,藉由切換器29所進行之配管系切換,來自原料容器部201之有機EL原料通過配管系332而供給予第2成膜部27。於第2成膜部27進行成膜期間,於第1成膜部26成膜結束後之玻璃基板,藉由輸送裝置,被導入到用以進行其他有機EL原料成膜而設在第1成膜部26內之其他吹出容器,進行其他有機EL原料之成膜。換言之,於與1個氣化機構對應之多數之氣體放出機構,各自於不同時點供給不同的基板。
以下,同樣地,將第1及第2成膜部26、27,藉著切換器29而在既定時點彼此地切換控制,同時將被沉積之有機EL原料依序切換,在有機EL裝置中沉積必需之有機EL膜在平行走向的玻璃基板上。
在此,切換器29與第2成膜部27之間之配管系332,與切換器29與第1成膜部26之間的配管系331為等長,且以於相同條件進行成膜之方式,構成配管樹。再者,配管系331及332,係以有機EL原料對第1及第2成膜部26、27以相同流量被供給之方式控制。其結果,第1及第2成膜部26、27之中,選擇性地進行以相同條件相同有機EL原料之成膜。
因此,依照該構成,其中之一的成膜部26或27中的成膜一結束,以完全相同條件可於另一成膜部26或27進行成膜。再者,於其中之一的成膜部26或27中成膜結束後之玻璃基板移動的期間,另一成膜部26或27進行切換,對於切換後之成膜部以與前述其中之一成膜部相同條件供給有機EL原料。因此,如圖1所示之成膜裝置,能同時平行地在多數玻璃基板上依序形成有機EL材料膜,同時能不浪費地利用來自原料容器部201之有機EL原料,能大幅地改善有機EL原料之利用效率。
如果參照圖2,顯示本發明第2態樣之成膜裝置之概念圖,於圖示之例中,將來自有機EL源部20之有機EL原料,通過切換器29而各別供給到3個成膜部,也就是說第1~第3成膜部26~28,此點與僅供給2個成膜部26、27之圖1的成膜裝置不相同。圖示之例中,第3成膜部通過配管系333而與切換器29連接,該配管系333與其他配管系331、332同樣地受控制。
於任一情形皆為,圖2所示之成膜裝置中,通過切換器29而選擇性地來自各原料容器部201之氣化之有機EL原料,被供給予第1~第3成膜部26~28。
如果參照圖3,顯示圖1及圖2所示之成膜裝置之一部分,在此,將有機EL源部20、切換器29,及單一成膜部26之間的連接關係,與成膜部26內一部分的構成同時顯示。圖3所示之成膜部26,具有將含有有機EL原料(分子)之載流氣體對成膜部26內吹出之吹出容器261及支持玻璃基板30之台座262,該台座262於裝載有玻璃基板30之狀態,例如,可與圖3中之紙面垂直方向移動。又,吹出容器261內,在本例中,氣體分散板263設置6片,同時與設玻璃基板30相對向之位置,設有以金屬或者陶瓷形成的過濾器(或噴淋板)264。供給口與氣體分散板對應而設置,兩者於相同方向(圖3中為紙面上下方向)配置成為一列。又,過濾器264,具有在供給口與氣體分散板之配置方向延伸之形狀。又,於圖示成膜部26內保持著5~30mTorr左右的壓力,且台座262維持為室溫。
在此,過濾器264希望以多孔質之陶瓷構成。一般而言,使用以多孔質之陶瓷所構成之過濾器264之情形,能夠將氣體或者液體所構成之流體在大面積基板上以既定角度均勻地供給。
另一方面,於圖示之有機EL源部20,被賦予單一原料容器部201之特徴,圖示之原料容器部201,與上游側配管及下游側配管連接。上游側配管,為在原料容器部201導入載流氣體用之配管,如圖所示,包含流量控制系統(FCS1)及設於該流量控制系統FCS1前後之閥V3、V4。下游側配管構成切換器29之一部分。
又,原料容器部201,藉由上下延伸之分隔壁202而區分為上游側區域及下游側區域,於分隔壁202之下部,設有充填了有機EL原料之蒸發部203。再者,如前述,於原料容器部201具有加熱器(未圖示)。
於該構成,通過上游側配管所導入之載流氣體從原料容器部201之上游側區域被導入蒸發部203內,且藉由加熱器加熱而於蒸發部203被氣化之有機EL原料(分子)與載流氣體一起,通過原料容器部201之下游側區域而導出到下游側配管。
與圖1及圖2同樣地,原料容器部201連接著切換器29。圖3所示之切換器29,具有將多數成膜部26、27等與有機EL源部20(即原料容器部201)連接之配管系,及將載流氣體對成膜部26供給之配管系。
如果具體的説明,將原料容器部201與成膜部26之吹出容器261加以連接之切換器29的配管系,具有:第1配管系,包含閥V5、V6,及孔ORF1,連接直到與設於吹出容器261之4片氣體分散板263對應之供給口;及第2配管系,將設於外部之氙氣、氬氣等載流氣體源(未圖示)直接引導到吹出容器261之2片氣體分散板263。其中,第2配管系通過閥V1、流量控制系統FCS2及孔ORF2,而到達與吹出容器261之氣體分散板263對應的供給口。再者,於第1配管系之孔ORF1與閥V6之間,連接著從外部將與載流氣體為同種之氣體導入之第3配管系,該第3配管系包含閥V2、流量控制系統FCS3及閥V7。又,第1配管系之閥V5與V6之間,連接著第4配管系,用以對其他成膜部(例如圖1之27)供給氣化之有機EL原料,該第4配管系包含閥V8。又,圖所示之「孔」,為具有孔及閥,用以調整控制氣體壓力之氣體壓力調整部。因此,可得知圖示之成膜裝置,具有在氣化機構與吹出容器之間設置有氣體壓力調整部,並且氣體壓力調整部與吹出容器之供給口藉由配管連接。
在此,於吹出容器261,如果於供給含有有機EL原料(分子)之載流氣體之第1配管系當中,使從孔ORF1到吹出容器261之供給口之間的配管長度完全相同,則該有機EL原料(分子氣體)能以均等且同時地到達玻璃基板30上之方式供給。以該關係,圖示之例中,吹出容器261內之有機EL分子氣體供給口數定為2n 個,該等供給口與孔ORF1以2n 條分支的配管連接(n為自然數)。再者,多數成膜部中,藉由使從孔ORF1至吹出容器261之供給口間的配管彼此相等,能於多數成膜部以相同條件將相同有機EL原料均勻地成膜。
又,於設在圖3之上下兩端部的氣體分散板263,僅供給載流氣體。
再者,從原料容器部201至吹出容器261為止之第1配管系之溫度,係以有機EL原料(分子)不會吸出附著於形成配管系之管壁的方式,設定為較有機EL原料供給中原料容器部201之溫度為高。
在此,參照圖1及圖3,說明成膜裝置之動作。首先,圖示之成膜裝置之動作,關於各成膜部26、27,可區分為成膜開始前、成膜時,及成膜停止時之動作,在此,成膜開始前、成膜時,及成膜停止時之動作分別以模式1、模式2及模式3加以說明。
關於成膜部26於成膜開始前之模式1,閥V1、V2、V3、V4、V7為開狀態,閥V6為關狀態,閥V5、V8為開狀態。因此’於模式1,載流氣體從閥V1通過流量控制系統FCS2及孔ORF2供給予吹出容器261,另一方面,載流氣體從閥V2通過流量控制系統FCS3、閥V7,及孔ORF1流到吹出容器261。於該狀態,吹出容器261內之壓力及玻璃基板30上之壓力被控制為既定壓力。於該情形,例如,控制為吹出容器261內壓力為10Torr、玻璃基板上之壓力為1mTorr。
再者,於模式1之狀態,由於閥V3、V4為開狀態,被導入供給有機EL分子之原料容器部201的載流氣體以閥V3、流量控制系統FCS1、閥V4之路徑,被引導到原料容器部201,由於閥V6為關狀態,有機EL原料不提供給成膜部26,而經過開狀態之閥V5、V8而供給其他成膜部(例如27)。當然,於成膜裝置全體之成膜開始前的模式,閥V5、V8亦為閉狀態,原料容器部201對成膜部26、27任一者都不提供有機EL原料,而藉由設在兩成膜部之配管系,僅提供與載流氣體為同種之氣體。
於圖3,第1成膜部26於成膜開始時,關於該成膜部之狀態,從模式1移動到成膜時之模式2。成膜時之模式2中,閥V2、V7,及V8為關狀態,閥V1、V3、V4、V5、V6為開狀態。其結果,載流氣體通過V1、流量控制系統FCS2及孔ORF2,被提供給吹出容器261上下之供給口,同時,於原料容器部201被氣化之有機EL分子氣體藉由閥V3、流量控制系統FCS1、閥V4之路徑被導入之載流氣體,以閥V5、V6,及孔ORF1之路徑,供給予吹出容器261之4個供給口。
於該模式2中,通過閥V2、流量控制系統FCS3、閥V7,及孔ORF1而供給與載流氣體為同種之氣體(流量f1)停止。另一方面,為保持吹出容器261內壓力或腔室內壓力為一定,希望對吹出容器261供給有機EL分子之來自原料容器部201的載流氣體流量原則上與上述流量f1一致。也就是說,閥V5、V6及孔ORF1之路徑中的輸送氣體流量,於模式1中,希望與閥V2、流量控制系統FCS3、閥V7及孔ORF1之路徑所供給與載流氣體為同種之氣體的流量f1相等。
其次,參照圖3,說明於第1成膜部26於成膜停止時之模式3。於從模式2之狀態移動到模式3狀態之情形,使閥V6為關、閥V5、V8為開,同時使閥V2、V7為開。也就是說,於模式3,閥V1、V2、V3、V4、V5、V7、V8成為開狀態,另一方面,閥V6成為閉狀態,來自原料容器部201之有機EL原料對其他成膜部(例如27)供給。
如該方式,於模式3,由於閥V5、V8成為開狀態,因此含有有機EL分子之載流氣體於模式2中以流量f1從原料容器部201側流到其他成膜部。另一方面,藉由閥V2、V7成為開狀態,與載流氣體為同種之氣體以與模式1同樣流量f1通過孔ORF1而流到第1成膜部26之吹出容器261內。藉由與載流氣體為同種之氣體,配管中之有機EL分子從於模式2為開狀態之閥V6吹出到吹出容器261為止。因此,於成膜部26中成膜停止時之有機EL分子的消失極迅速。
圖4為本發明其他實施形態之成膜裝置系的要部立體圖。該實施例中,與圖1之實施例同樣以設置成膜部2台構成,但是各成膜部26、27各備有6個吹出容器。圖4之中,與圖1及圖3之實施例對應之部分標以同樣的參照數字。成膜部以圖5詳細説明。如圖4所示,第1成膜部陣列(腔室CHM1)中的6個吹出容器,以具有與各玻璃基板寬為同等長度之方式延伸,且以其長度方向彼此平行之方式相鄰接而整列配置,玻璃基板30在配置於與上述長度方向相交方向之吹出容器群上以既定速度移動。第2成膜部陣列(腔室CHM2)亦同樣地構成,於其上另外的玻璃基板30,在與第1陣列上為相異之時點被供給,配置在二個陣列之吹出容器成對,從相同原料容器部以不同時點供給含有原料之載流氣體。對於成對中的其中之一吹出容器被選擇地供給含有原料之載流氣體時,於其上存在玻璃基板,於此時,對於成對的另外一個吹出容器不供給含有原料之載流氣體,且玻璃基板也不存在於其上。使玻璃基板之供給.移動與對於吹出容器對中哪一個提供含有原料之載流氣體的選擇以連動進行,並決定時點,以時常地使含有原料之載流氣體對於成對中哪一個供給且於其上使基板存在。
參照圖5,說明圖4之實施形態中成膜裝置系之單一成膜部陣列(腔室)。圖5之中,顯示於玻璃等基板30上,依序為了形成有機EL膜而製造有機EL裝置所使用之單一成膜部陣列,在此,係於基板上依序形成6層膜。於此情形,能夠使用尺寸730×920(mm)至3000×5000(mm)之基板。
圖示之成膜部陣列具有藉由分隔壁1~7所區分之6個吹出容器26-1至26-6,能各自以疊層之順序將含有有機EL材料之載流氣體吹出到上方之玻璃基板。該等6個吹出容器26-1至26-6,其內部過濾器或噴淋板之延伸方向以相對於玻璃基板之輸送方向為彼此平行之方式成一整列。玻璃基板30-1、30-2隔著一定間隔往6個吹出容器之上部從圖左至右進行,並於各吹出容器26-1~26-6上,以從各吹出部往圖上方噴出有機EL原料進行有機EL膜成膜。於此時,基板30-1、30-2與分隔壁之間,及基板30-1、30-2與吹出容器26-1至26-6之間,保持既定距離,基板30-1、30-2與分隔壁間之距離,較基板30-1、30-2與吹出容器26-1至26-6之間的距離為小。從各吹出容器噴出到上方之氣體,經由吹出容器側壁與分隔壁內面之間的空隙,以箭頭圖示所示方式排氣到下方。於各吹出容器,連接著圖3、圖4所示之配管系。因此,圖5所示之成膜部陣列(腔室),藉由未圖示之其他成膜部陣列(腔室)及各配管系連接,該等多數成膜部陣列之各配管系藉由各切換器分別控制,能夠並列地處理2列玻璃基板。
於圖5之實施例,玻璃基板30-1、30-2之尺寸為2,160mm×2,540mm,往長尺方向進行。吹出容器之玻璃基板進行方向中的吹出口寬為50mm,與其垂直方向之吹出口長度為2,170mm、吹出容器之側壁寬(厚度為15mm、吹出容器之側壁外面與其兩側分隔壁內面之間隔為30mm,因此,相鄰分隔壁內面間之間隔為140mm、分隔壁之厚度為15mm,成膜部陣列(腔室)之基板進行方向長度為945mm。吹出容器上面-基板間距離為20mm、分隔壁-基板間距離為2mm、分隔壁及吹出容器之溫度各定為350~450℃。成膜氣體環境壓力為30mTorr、從吹出部所噴出含有原料之載流氣體之吹出風速為3m/sec、含有原料之載流氣體以0.1秒到達基板。來自吹出容器之含有原料的載流氣體吹出流量,如以室溫大氣壓換算,為317cc/min,如令基板之輸送速度為1.0cm/sec,則基板通過1個吹出容器之時間為264秒、基板通過6個吹出容器之時間為341.5秒,有機EL原料之使用效率達到90%。
在此,如果參照圖6,上部之圖形為分開設置在2個成膜部陣列(腔室)之成對吹出容器間之切換循環時點圖表,各吹出容器以每264秒進行氣體供給之切換。下部之時點圖形,為各腔室中之動作循環,於各腔室,如上所述,以341.5秒進行6層膜之成膜,之後以186.5秒從該腔室將成膜完成的基板送出並將新基板導入該腔室,合計以528秒結束1個循環。該1個循環為528秒(8分48秒)’結束對2片基板之6層成膜。又,間隔每15.5秒之時間差打開腔室CHM1、CHM2各噴出容器。
回到圖3~5,使所有吹出容器為完全相同之構造,同時將與參照圖3所説明之各相同配管系連接,流過的載流氣體流量亦設為相同。於此情形,各吹出容器之溫度也可配合有機EL分子之特性設定。又,成膜速度.厚度希望藉由原料容器部之溫度進行控制。又,成膜速度.厚度希望藉由原料容器部之溫度進行控制。又,吹出容器希望以不銹鋼製作,吹出容器之吹出部為不銹鋼過濾器,並且熔接施工在本體上。又,希望吹出容器內面全部以Al2 O3 等觸媒效果低的鈍化膜被覆。
又,具有多數成膜部且參照圖3所説明之方式進行控制的本發明成膜裝置,於成膜時及成膜停止時任一者模式中,由於完全相同流量之載流氣體流到各成膜部,因此能使構成各成膜部之各吹出容器內的壓力保持一定。於此時,意指能夠防止吹出容器間之交叉污染。
於使所有6層之吹出容器為相同尺寸,並且所吹出之載流氣體流量為相同時,於各層所望膜厚為相同之情形(紅發光層.綠發光層.藍發光層.電子阻擋層,膜厚為各20~10nm),載流氣體中之有機EL原料分子濃度定為相同即可,但是膜厚大之層(電子輸送層.電洞輸送層之膜厚為各50nm),必需與膜厚成比例地使載流氣體中所含有機原料分子之濃度增大。當此為困難之情形,必需對膜厚大之層使用多個吹出容器,或使吹出容器開口寬增大,或使載流氣體之流量增大等對策。
再者,如前所述,藉由具有多數成膜部,同時使該等多數成膜部之模式以時間地切換,能對有機EL裝置進行所需多數膜之迅速成膜,能夠使生產量大幅改善,同時有機EL原料之利用效率也能改善。例如,將6層有機EL材料膜藉由切換3台成膜部成膜而製造有機EL裝置之情形,能以6分鐘間隔左右製造有機EL裝置,該情形之有機EL原料之利用效率能改善達到82%。如圖4~6所示,使用2台成膜部陣列以成膜之情形,可於8分鐘間隔左右形成6層膜,材料利用效率到達90%。
在此,將來自原料容器部之氣化之有機EL原料於載流氣體中之濃度(concentration)保持一定,對於製造具有目標特性之有機EL裝置為極重要的。換言之,如果有機EL原料在載流氣體中之濃度於短時間變化,則沉積於玻璃基板等上之有機EL材料不可能以分子單位長時間地均勻沉積。
有機EL原料於載流氣體中之濃度為一定之情形,其必要濃度以如下方式決定。首先,於6層有機EL材料之分子量定為500之情形,各材料膜之單分子層為膜厚0.7nm,其分子數為每平方公分2.0×10E1 4 (10之14次方)分子。紅發光層.綠發光層.藍發光層.電子阻擋層之膜厚如果各為20nm,則各層所需材料之分子數為每平方公分約6×10E1 5 (10之15次方)分子,電子輸送層.電洞輸送層為膜厚各50nm,因此各層需要每平方公分1.4×10E1 6 (10之16次方)之分子。對玻璃基板吹送之載流氣體流密度如果為每平方公分2.58×10E 3 (10之負3次方)cc/sec,則對玻璃基板表面吹送之氣體數密度,為每平方公分6.96×10E1 6 (10的16次方)分子/sec。上述例中,玻璃基板以1.0cm/sec之速度通過寬5cm之吹出口上,因此對基板各部有5秒的氣體吹送,含有有機EL分子之載流氣體流於5秒的氣體分子數,為每平方公分3.48×10E1 7 (10之17次方)分子。於該氣體流中所需有機EL分子,需為於紅發光層.綠發光層.藍發光層.電子阻擋層為每平方公分約6×10E1 5 (10之15次方)分子之程度,於電子輸送層.電洞輸送層為每平方公分1.4×10E1 6 (10之16次方)分子之程度,因此紅發光層.綠發光層.藍發光層.電子阻擋層中,載流氣體所含有機EL原料分子之濃度必需為約1.7%,於電子輸送層.電洞輸送層之濃度必需為約4%。該等濃度,為藉由將各材料以500℃以下之溫度加熱所能充分達成之濃度。該各層中必需之濃度,可以藉由改變與對玻璃基板吹送之載流氣體流流速、流量、密度、玻璃基板之移動速度、吹出部開口寬等而成為不同之值。又,載流氣體中之有機EL原料分子濃度,可以藉由使該原料蒸發之加熱溫度或蒸發部壓力等而控制。
其結果,依照本成膜裝置系,能以極高精度且高速地控制既定膜厚之成膜。
[產業上之可利用性]
依照本發明,能適用於有機EL膜形成而得到高品質之有機EL裝置。再者,本發明不單是能適用於有機EL用膜形成,亦能適用於要求高品質、長壽命之各種顯示裝置等之膜形成。
CHM1...腔室
CHM2...腔室
ORF1...孔
ORF2...孔
V1...閥
V2...閥
V3...閥
V4...閥
V5...閥
V6...閥
V8...閥
V7...閥
V8...閥
FCS1...流量控制系統
FCS2...流量控制系統
FCS3...流量控制系統
20...有機EL源部
26、27、28...成膜部
29...切換部
30...玻璃基板
30-1、30-2...基板
31...載流氣體用配管系
26-1~26-6...吹出容器
201...原料容器部
202...分隔壁
203...蒸發部
261...吹出容器
262...台座
263...氣體分散板
264...過濾器
331...配管系
332...配管系
333...配管系
圖1係顯示本發明第1實施形態之成膜裝置的概略構成圖。
圖2係顯示本發明第2實施形態之成膜裝置之概略構成圖。
圖3係顯示對圖1及圖2所示之成膜裝置之配管系、切換器及成膜部更具體的説明圖。
圖4係顯示本發明第3實施形態之成膜裝置系之要部立體圖。
圖5係顯示本發明第3實施形態之成膜裝置系之成膜部。
圖6係顯示本發明第3實施形態之成膜裝置系之切換時點等的時點圖表。
20...有機EL源部
26、27...成膜部
29...切換部
31...載流氣體用配管系
201...原料容器部
331...配管系
332...配管系

Claims (38)

  1. 一種成膜裝置,使原料在氣化機構氣化,將該氣化之原料以載流氣體輸送,從氣體放出機構將包含該氣化之原料的載流氣體放出到基板上,而使既定材料之膜沉積,其特徵為:對於1個該氣化機構,設有多數之該氣體放出機構;又設有從該1個氣化機構往該多數之氣體放出機構中之各個氣體放出機構的氣體流通路徑;並具有切換機構,用以將包含該氣化之原料之載流氣體供給至該多數之氣體放出機構中之經選定的該氣體放出機構。
  2. 如申請專利範圍第1項之成膜裝置,其中,更包含載流氣體供給機構,將與該載流氣體為同種的氣體,不經由該氣化機構而供給至該氣體放出機構。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之成膜裝置,其中,該多數之氣體放出機構中之每一個包含:吹出容器;氣體分散板,設於該吹出容器內,用以將包含該氣化之原料的載流氣體分散;及過濾器或噴淋板,設於該氣體分散板與該基板間;於該吹出容器設有供給口,該載流氣體通過該供給口而對該吹出容器之內部供給。
  4. 如申請專利範圍第3項之成膜裝置,其中,該吹出容器具有多數該供給口,且於該氣化機構與該吹出容器之間更設有氣體壓力調整部,在該氣體壓力調整部與該吹出容器之該多數之供給口之間的配管長度實質上全部相等。
  5. 如申請專利範圍第4項之成膜裝置,其中,具有多數該氣體分散板,且該多數氣體分散板與該多數之供給口,分別沿同一方向配置成一列,且該過濾器或噴淋板具有沿該方向延伸之形狀。
  6. 如申請專利範圍第4項之成膜裝置,其中,該供給口與該氣體壓力調整部間的配管,分支成2n 條(n為自然數)。
  7. 如申請專利範圍第3項的成膜裝置,其中,對於該多數之氣體放出機構,各於不同時點供給不同的該基板。
  8. 如申請專利範圍第3項的成膜裝置,其中,將該氣體放出 機構之開口寬、該基板之移動速度、該載流氣體之流速,及該載流氣體之供給量,決定成能得到既定之膜厚。
  9. 如申請專利範圍第3項的成膜裝置,其中,該氣化機構具有:充填該原料之原料容器部、對該原料容器部導入該載流氣體之配管,及將該原料加熱之加熱器。
  10. 一種成膜裝置系統,具有多數之申請專利範圍第3至9項中任一項之成膜裝置,其特徵為:該成膜裝置系統係用於將既定材料之膜在該基板上進行多數疊層者,該多數成膜裝置中之每一個對應於不同的該材料,且將與各材料對應之該氣體放出機構逐一地沿著該基板之移動方向依疊層順序排列。
  11. 如申請專利範圍第10項之成膜裝置系統,其中,該氣體放出機構係排列成使使該過濾器或噴淋板之延伸方向彼此平行,該排列之氣體放出機構間設有分隔壁,該基板與該分隔壁保持既定距離而移動,並且該基板與該分隔壁之距離較該基板與該氣體放出機構之距離為小,且該氣體放出機構與該分隔壁之間設有空隙。
  12. 如申請專利範圍第10或11項之成膜裝置系統,其中,對於未供給含有該氣化之原料之載流氣體的該氣體放出機構,通過該氣體供給機構供給與該載流氣體為同種之氣體。
  13. 如申請專利範圍第12項之成膜裝置系統,其中,與該載流氣體為同種之氣體的流量,與包含該氣化之原料之載流氣體的流量實質上為相等。
  14. 如申請專利範圍第10或11項之成膜裝置系統,其中,該材料為構成有機電致發光元件之材料。
  15. 如申請專利範圍第1項之成膜裝置,其中,包含該氣化之原料的載流氣體以對該基板成既定角度且均勻地抵接的方式,通過多孔質之陶瓷而供給至該基板。
  16. 如申請專利範圍第1項之成膜裝置,其中,該氣體放出機構具有:氣體吹出容器;多數之供給口,設於該吹出容器;氣體 分散板,與該多數之供給口之各個對應設置,使從該供給口對該吹出容器內所供給之包含該氣化之原料之該載流氣體分散;及氣體放出板,設於該吹出容器之該基板側,具有多數小孔。
  17. 如申請專利範圍第16項之成膜裝置,其中,該氣體放出板具有過濾器或噴淋板。
  18. 如申請專利範圍第16或17項之成膜裝置,其中,用以從該氣化機構對該吹出容器供給包含該氣化之原料之該載流氣體的配管,在經過氣體壓力調整部後分支為多數而與該多數氣體供給口連接,並且該氣體壓力調整部與該多數之供給口間之配管長度實質上全部相等。
  19. 如申請專利範圍第18項之成膜裝置,其中,該多數之供給口與該氣體壓力調整部間之配管,分支為2n 條(n為自然數)。
  20. 如申請專利範圍第16項之成膜裝置,其中,該多數氣體分散板與該多數之供給口,分別沿同一方向配置成一列,且該氣體放出板具有沿該方向延伸之形狀。
  21. 一種成膜裝置系統,具有多數之申請專利範圍第20項之成膜裝置,其特徵為:該氣體放出機構係排列成使該氣體放出板之延伸方向彼此平行,在該排列之氣體放出機構間設有分隔壁,該基板與該分隔壁保持既定距離而移動,且該基板與該分隔壁之距離較該基板與該氣體放出機構之距離為小,且該氣體放出機構與該分隔壁之間設有空隙。
  22. 一種成膜方法,在氣化機構使原料氣化,將該氣化之原料以載流氣體輸送,並且氣體放出機構將包含該氣化之原料的載流氣體從氣體放出機構放出到基板上而形成既定材料之膜,其特徵為:對於1個該氣化機構透過多數之氣體流通路徑與該氣體放出機構連接,更進一步,設置切換機構,藉由該切換機構,對該多數之氣體放出機構中之選定者供給包含該氣化之原料之載流氣體。
  23. 如申請專利範圍第22項之成膜方法,其中,該多數之氣 體放出機構各自具有吹出容器,該吹出容器設有多數之供給口及與各該多數之供給口之對應之氣體分散板,通過該供給口對該吹出容器內部吹出之該載流氣體以該氣體分散板分散後,通過過濾器或噴淋板而放出到該基板。
  24. 如申請專利範圍第23項之成膜方法,其中,與該載流氣體為同種之氣體可不通過該氣化機構而供給至該氣體放出機構,且將包含該氣化之原料之載流氣體和與該載流氣體為同種之氣體,以彼此排他方式供給至該氣體放出機構。
  25. 如申請專利範圍第24項之成膜方法,其中,與該載流氣體為同種之氣體的流量,與包含該氣化之原料之載流氣體的流量實質上為相等。
  26. 如申請專利範圍第23至25項中任一項之成膜方法,其中,對各該多數之氣體放出機構於不同時點供給不同基板。
  27. 如申請專利範圍第23至25項中任一項之成膜方法,其中,該基板移動速度、及包含該氣化之原料之載流氣體的流速及供給量,係以能夠得到既定膜厚之方式決定。
  28. 一種疊層體的製造方法,係為在基板上疊層多數層之既定材料膜而成之疊層體的製造方法,其特徵為:對於該多數膜中之選定之膜的既定材料,各設有1個氣化機構及多數之氣體放出機構,將與該各材料對應之該氣體放出機構逐一以疊層順序排列,並且將該所選定之膜依疊層順序分別利用申請專利範圍第23至27中任一項之成膜方法進行成膜。
  29. 如申請專利範圍第28項之疊層體的製造方法,其中,使基板在該排列好之氣體放出機構上移動,沿著該基板之移動方向,將包含該氣化之原料之載流氣體依疊層順序連續供給。
  30. 如申請專利範圍第29項之疊層體的製造方法,其中,該多數氣體供給口與該多數氣體分散板各沿同一方向排成一列,並使該過濾器或噴淋板成為沿該方向延伸之形狀;該吹出容器隔著分隔壁配置多數個,而使該過濾器或噴淋板之延伸方向彼此平 行;該基板與該分隔壁隔著既定距離且沿著與該方向相交又之方向移動,同時從該多數之吹出容器之每一個,以較該既定距離為大之距離對該基板依序噴出包含不同的該氣化之原料之載流氣體,且該所噴出之包含氣化之原料之載流氣體經過該吹出容器與該分隔壁間之空隙排出。
  31. 如申請專利範圍第22項之成膜方法,係使用由氣體或液體所構成流體而在基板上成膜,其中,該流體以對該基板為既定角度且均勻抵接之方式,通過該多孔質之陶瓷而供給至該基板上。
  32. 一種成膜方法,在氣化機構使原料氣化,將該氣化之原料以載流氣體輸送,並且氣體放出機構將包含該氣化之原料的載流氣體從氣體放出機構放出到基板上而形成既定材料之膜,其特徵為:該基板側的包含多數小孔的過濾器或噴淋板,朝向該基板放出。
  33. 如申請專利範圍第32項之成膜方法,其中,連結該氣化機構與該吹出容器之配管,於經過氣體壓力調整部後分支為多數而與該多數之供給口連接,在該氣體壓力調整部與該供給口間之該分支的多數配管之長度實質上全部都相等,對於全部的該分支的多數配管,將包含該氣化之原料之載流氣體以在時間及量方面實質上均等方式供給至該吹出容器。
  34. 如申請專利範圍第33項之成膜方法,其中,包含該氣化之原料之載流氣體係經由2n 個供給口而供給至該吹出容器。
  35. 如申請專利範圍第32項之成膜方法,其中,該多數氣體供給口與該多數氣體分散板各沿同一方向排成一列,該過濾器或噴淋板為沿該方向延伸之形狀,該吹出容器隔著分隔壁配置多數個,而令該過濾器或噴淋板延伸之方向彼此成為平行,該基板與該分隔壁隔著既定距離且沿著與該方向相交之方向移動,同時從各該多數之吹出容器,以較該既定距離為大之距離對該基板依序噴出包含該氣化之原料之不同的載流氣體,且該所噴出之包含氣化之原料之載流氣體經由該吹出容器與該分隔壁間之空隙排出。
  36. 一種電子裝置之製造方法,其特徵為:具有藉由申請專利範圍第22至27項及申請專利範圍第31至35項中任一項之成膜方法進行成膜之製程。
  37. 一種有機電致發光元件之製造方法,其特徵為:藉由申請專利範圍第22至27及申請專利範圍第31至35項中任一項之成膜方法而形成有機電場發光層膜。
  38. 如申請專利範圍第28至30項中任一項之疊層體的製造方法,其中,該疊層體為有機電致發光元件。
TW095132869A 2005-09-06 2006-09-06 成膜裝置、成膜裝置群、成膜方法、及電子裝置或有機電致發光元件之製造方法 TWI405860B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005258043A JP5568729B2 (ja) 2005-09-06 2005-09-06 成膜装置および成膜方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200728478A TW200728478A (en) 2007-08-01
TWI405860B true TWI405860B (zh) 2013-08-21

Family

ID=37835791

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095132869A TWI405860B (zh) 2005-09-06 2006-09-06 成膜裝置、成膜裝置群、成膜方法、及電子裝置或有機電致發光元件之製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8383194B2 (zh)
EP (1) EP1932937B1 (zh)
JP (1) JP5568729B2 (zh)
KR (1) KR100990060B1 (zh)
CN (1) CN101258261A (zh)
TW (1) TWI405860B (zh)
WO (1) WO2007029671A1 (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008120610A1 (ja) * 2007-03-30 2008-10-09 Tokyo Electron Limited 蒸着源ユニット、蒸着装置および蒸着源ユニットの温度調整装置
WO2009034915A1 (ja) * 2007-09-10 2009-03-19 Ulvac, Inc. 蒸着装置
JP5374373B2 (ja) * 2007-09-10 2013-12-25 株式会社アルバック 有機材料蒸気発生装置、成膜源、有機el成膜装置
JPWO2009034916A1 (ja) * 2007-09-10 2010-12-24 株式会社アルバック 蒸気放出装置、有機薄膜蒸着装置及び有機薄膜蒸着方法
KR20110014653A (ko) * 2008-05-19 2011-02-11 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 전자 소자에서 증기 코팅 장치 및 방법
US20110183069A1 (en) * 2008-09-30 2011-07-28 Tokyo Electron Limited Deposition apparatus, deposition method, and storage medium having program stored therein
CN102776479A (zh) * 2011-05-09 2012-11-14 无锡尚德太阳能电力有限公司 一种薄膜制备装置和方法
JP2014019942A (ja) * 2012-07-23 2014-02-03 Tokyo Electron Ltd 成膜装置
JP2014095131A (ja) * 2012-11-09 2014-05-22 Tokyo Electron Ltd 成膜装置
US11220737B2 (en) 2014-06-25 2022-01-11 Universal Display Corporation Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials
US11267012B2 (en) * 2014-06-25 2022-03-08 Universal Display Corporation Spatial control of vapor condensation using convection
EP2960059B1 (en) 2014-06-25 2018-10-24 Universal Display Corporation Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials
CA2901497A1 (en) 2015-05-22 2016-11-22 Wabash National, L.P. Nose gap reducers for trailers
KR102420015B1 (ko) * 2015-08-28 2022-07-12 삼성전자주식회사 Cs-ald 장치의 샤워헤드
US10566534B2 (en) 2015-10-12 2020-02-18 Universal Display Corporation Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor-jet printing (OVJP)
CN109423610B (zh) * 2017-08-24 2020-12-04 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸镀装置及蒸镀方法
CN112553578B (zh) * 2019-09-26 2022-01-14 宝山钢铁股份有限公司 一种具有抑流式喷嘴的真空镀膜装置
CN112575308B (zh) * 2019-09-29 2023-03-24 宝山钢铁股份有限公司 一种能在真空下带钢高效镀膜的真空镀膜装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040062862A1 (en) * 2002-09-28 2004-04-01 Ahn Seong Deok Method and apparatus using large-area organic vapor deposition for formation of organic thin films or organic devices
US20040134428A1 (en) * 2002-10-24 2004-07-15 Koji Sasaki Thin-film deposition device

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01296613A (ja) * 1988-05-25 1989-11-30 Nec Corp 3−v族化合物半導体の気相成長方法
JP2611009B2 (ja) * 1989-09-12 1997-05-21 株式会社エステック 有機金属化合物の気化供給装置
JP3360265B2 (ja) * 1996-04-26 2002-12-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JPH1036189A (ja) * 1996-07-19 1998-02-10 Sony Corp 気相成長装置
JPH10158843A (ja) * 1996-12-06 1998-06-16 Furukawa Electric Co Ltd:The 気相成長装置
JP3967424B2 (ja) * 1997-04-30 2007-08-29 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置及び圧力調整方法
JP3030280B2 (ja) * 1998-06-18 2000-04-10 国際電気株式会社 基板処理装置
TW451275B (en) * 1999-06-22 2001-08-21 Tokyo Electron Ltd Metal organic chemical vapor deposition method and apparatus
GB9929279D0 (en) 1999-12-11 2000-02-02 Epichem Ltd An improved method of and apparatus for the delivery of precursors in the vapour phase to a plurality of epitaxial reactor sites
JP4674777B2 (ja) * 2000-08-25 2011-04-20 株式会社アルバック 炭化ケイ素膜の形成方法
JP2002280377A (ja) * 2001-03-19 2002-09-27 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP4704605B2 (ja) * 2001-05-23 2011-06-15 淳二 城戸 連続蒸着装置、蒸着装置及び蒸着方法
JP4082720B2 (ja) * 2001-09-10 2008-04-30 キヤノンアネルバ株式会社 基板表面処理装置
JP4627392B2 (ja) 2001-09-26 2011-02-09 株式会社アルバック 真空処理装置および真空処理方法
JP2003347047A (ja) * 2002-05-28 2003-12-05 Sony Corp 有機膜形成装置
JP4292777B2 (ja) * 2002-06-17 2009-07-08 ソニー株式会社 薄膜形成装置
JP4239520B2 (ja) * 2002-08-21 2009-03-18 ソニー株式会社 成膜装置およびその製造方法、並びにインジェクタ
JP2004119705A (ja) * 2002-09-26 2004-04-15 Canon Inc ガス供給装置および真空処理装置
AU2003289212A1 (en) * 2002-12-12 2004-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, manufacturing apparatus, film-forming method, and cleaning method
JP2004217968A (ja) * 2003-01-10 2004-08-05 Sony Corp ガス搬送システム、成膜装置および有機el素子の製造装置
JP2005019265A (ja) * 2003-06-27 2005-01-20 Sony Corp 薄膜形成装置および表示装置
JP2005216982A (ja) * 2004-01-28 2005-08-11 Nec Kansai Ltd 真空処理装置及びそのパージ方法
JP4911555B2 (ja) * 2005-04-07 2012-04-04 国立大学法人東北大学 成膜装置および成膜方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040062862A1 (en) * 2002-09-28 2004-04-01 Ahn Seong Deok Method and apparatus using large-area organic vapor deposition for formation of organic thin films or organic devices
US20040134428A1 (en) * 2002-10-24 2004-07-15 Koji Sasaki Thin-film deposition device

Also Published As

Publication number Publication date
EP1932937A1 (en) 2008-06-18
EP1932937A4 (en) 2010-03-24
US8383194B2 (en) 2013-02-26
WO2007029671A1 (ja) 2007-03-15
CN101258261A (zh) 2008-09-03
EP1932937B1 (en) 2014-03-05
TW200728478A (en) 2007-08-01
KR100990060B1 (ko) 2010-10-29
JP2007070679A (ja) 2007-03-22
JP5568729B2 (ja) 2014-08-13
KR20080053345A (ko) 2008-06-12
US20090226604A1 (en) 2009-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI405860B (zh) 成膜裝置、成膜裝置群、成膜方法、及電子裝置或有機電致發光元件之製造方法
TWI421367B (zh) 成膜裝置、蒸發治具及測定方法
JP4911555B2 (ja) 成膜装置および成膜方法
KR101199241B1 (ko) 증착 장치, 증착 장치의 제어 장치, 증착 장치의 제어 방법및 증착 장치의 사용 방법
US8679369B2 (en) Film-forming material and method for predicting film-forming material
WO2012118199A1 (ja) 蒸着装置、蒸着方法、有機elディスプレイ、及び照明装置
TWI516622B (zh) 蒸鍍裝置
JP2004220852A (ja) 成膜装置および有機el素子の製造装置
KR20190090414A (ko) 증착 장치
JP2004204289A (ja) 成膜装置とその方法および表示パネルの製造装置とその方法
TW201416470A (zh) 汽相沉積裝置、汽相沉積方法、有機電致發光顯示器及有機電致發光照明裝置
JP5504434B2 (ja) 成膜装置および成膜方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees