TWI402632B - 微影裝置及元件製造方法 - Google Patents

Description

微影裝置及元件製造方法

本發明係關於一種微影裝置及一種元件製造方法。

微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化元件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。習知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化元件轉印至基板。

微影裝置可具備用以定位物件之致動器。舉例而言，致動器可定位諸如基板台或支撐件之物件。為了具有快速回應時間，可能有益的係以高硬度而將致動器安裝至物件。就該堅硬安裝而言，因致動器之加熱而引起之熱膨脹可導致致動器之堅硬地安裝至物件之部分之變形且藉此導致物件自身之變形。因為可能需要以高精確度來定位物件，所以物件之變形可能危害物件之定位。加熱亦可能由其他熱源導致，諸如，照明器光束、總成中之其他致動器、加熱元件、流過結構之流體，等等。

需要提供一種對溫度改變較不敏感之微影裝置。

根據本發明之一實施例，提供一種微影裝置，微影裝置包括：照明系統，照明系統經組態以調節輻射光束；支撐件，支撐件經建構以支撐圖案化元件，圖案化元件能夠在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以形成經圖案化輻射光束；基板台，基板台經建構以固持基板；投影系統，投影系統經組態以將經圖案化輻射光束投影至基板之目標部分上；及致動器，致動器經配置以定位物件，其中裝置包括熱膨脹誤差補償系統，熱膨脹誤差補償系統係用以減少由致動器之耦接至物件之部分因致動器或另一熱源所耗散之任何熱而引起之熱膨脹所導致的定位誤差。

根據本發明之一實施例，提供一種元件製造方法，元件製造方法包括藉由微影投影裝置而將圖案自圖案化元件轉印至基板上，其中方法包括：藉由致動器而將物件定位於裝置內；及藉由熱膨脹誤差補償系統而補償由致動器之連接至物件之部分因致動器或另一熱源所耗散之熱而引起之熱膨脹所導致的誤差。

現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。

圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。裝置包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或任何其他適當輻射)；圖案化元件支撐件或支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化元件(例如，光罩)MA且連接至經組態以根據某些參數而精確地定位圖案化元件之第一定位元件PM。裝置亦包括基板台(例如，晶圓台)WT或「基板支撐件」，其經建構以固持基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓)W且連接至經組態以根據某些參數而精確地定位基板之第二定位元件PW。裝置進一步包括投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。

照明系統可包括用以引導、成形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。

圖案化元件支撐件以取決於圖案化元件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化元件是否固持於真空環境中)的方式來固持圖案化元件。圖案化元件支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化元件。圖案化元件支撐件可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。圖案化元件支撐件可確保圖案化元件(例如)相對於投影系統而處於所要位置。可認為本文對術語「主光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化元件」同義。

本文所使用之術語「圖案化元件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何元件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之元件(諸如，積體電路)中的特定功能層。

圖案化元件可為透射或反射的。圖案化元件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影術中為熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。

本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。

如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。

微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台或「基板支撐件」(及/或兩個或兩個以上光罩台或「光罩支撐件」)的類型。在該等「多平台」機器中，可並行地使用額外台或支撐件，或可在一或多個台或支撐件上進行預備步驟，同時將一或多個其他台或支撐件用於曝光。

微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，圖案化元件(例如，光罩)與投影系統之間。浸沒技術可用以增加投影系統之數值孔徑。如本文所使用之術語「浸沒」不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。

參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為單獨實體。在該等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之一部分，且輻射光束係藉助於包括(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。

照明器IL可包括經組態以調整輻射光束之角強度分布的調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。

輻射光束B入射於被固持於圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT上之圖案化元件(例如，光罩)MA上，且係由圖案化元件圖案化。在橫穿圖案化元件(例如，光罩)MA後，輻射光束B穿過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位元件PW及位置感測器IF(例如，干涉量測元件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可精確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位元件PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑而精確地定位圖案化元件(例如，光罩)MA。一般而言，可藉助於形成第一定位元件PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT之移動。類似地，可使用形成第二***PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT或「基板支撐件」之移動。在步進器(與掃描器相對)之情況下，圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用圖案化元件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化元件(例如，光罩)MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於圖案化元件(例如，光罩)MA上之情形中，圖案化元件對準標記可位於該等晶粒之間。

所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：

1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT及基板台WT或「基板支撐件」保持基本上靜止(亦即，單重靜態曝光)。接著，使基板台WT或「基板支撐件」在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單重靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。

2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT及基板台WT或「基板支撐件」(亦即，單重動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT或「基板支撐件」相對於圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單重動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。

3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化元件，且移動或掃描基板台WT或「基板支撐件」。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT或「基板支撐件」之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化元件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化元件(諸如，如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術。

亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。

圖2描繪根據本發明之一實施例之圖1之微影裝置的基板平台。經組態以支撐基板之基板台WT可(例如)為鏡面區塊，且干涉計IF可用以量測微影裝置中之鏡面區塊的位置。基板台WT可藉助於定位系統PW而定位。定位系統可包括用於在長範圍內及在短範圍內之移動的致動器。用於短範圍移動之致動器可為短衝程馬達SZ2及SZ3，短衝程馬達SZ2及SZ3係用以相對於由用於在長範圍內之移動之致動器所移動的長衝程平台LS而在Z方向上致動基板台WT。短衝程馬達SX可用以相對於長衝程平台LS而在X方向上致動鏡面區塊。用於長範圍之馬達及短衝程馬達可為勞倫茲(Lorenz)馬達，例如，音圈馬達或平面馬達。當使用致動器SX、SZ2及SZ3時，致動器SX、SZ2及SZ3之連接至鏡面區塊WT之部分可能熱膨脹，因為致動器可能加熱。熱膨脹可使基板台WT變形，且可導致提供至度量衡系統之干涉計IF量測基板台WT之錯誤位置。藉由將溫度感測器TS1、TS2及TS3提供至致動器之連接至基板台WT之部分，可量測此等部分之溫度。藉由將溫度感測器連接至用於計算基板台WT之變形的熱膨脹計算器TEC，可計算由致動器SX、SZ2及SZ3之加熱所導致的基板台WT之變形。在一或多個方向上之膨脹可無線或藉由導線(圖中未展示)而發送至度量衡系統MS。度量衡系統藉由干涉計IF而量測基板台WT之位置。藉由考慮到由熱膨脹計算器以干涉計系統IF之量測所計算之變形，可精確地判定基板台WT之位置，而同時已將致動器連接至基板台WT。溫度感測器TS1、TS2及TS3以及熱膨脹計算器TEC為熱膨脹誤差補償器之一部分，熱膨脹誤差補償器經組態以補償由致動器之耦接至基板台之部分之熱膨脹所導致的誤差。

致動器之耦接(例如，連接)係使得允許某膨脹。藉由增加連接之硬度，可增加伺服迴路之帶寬，此導致改良之精確度。然而，其亦意謂歸因於熱膨脹之力增加，此導致機械變形且因此導致精確度損失。藉由使用熱膨脹計算器，允許某更多變形，且因此，可將致動器更堅硬地安裝至物件，此致能具有更好伺服精確度之更高帶寬伺服迴路。

在本發明之一實施例中，在開始微影裝置之正常操作之前預加熱致動器。為此目的，基板台WT具備溫度調整器(例如，加熱器HT1、HT2及HT3)，其係用於調整致動器SX、SZ2及SZ3之連接至基板台WT之部分之溫度，或用於調整基板台自身之溫度。藉由在開始裝置之操作之前使致動器之連接至基板台WT之部分已經在操作溫度上，可已經藉由致動器之連接至基板台WT之膨脹部分而校準度量 衡系統MS。因而在操作期間可能不發生額外膨脹，使得不存在可能在操作期間影響度量衡系統MS之量測的變形。需要在操作溫度下校準及使用系統。因此，在校準之前及在使用之前，預加熱為理想的。在此實施例中，可能有益的係使熱膨脹計算器TEC離開裝置，因為當致動器之連接至基板台WT之部分的溫度係在操作位準下時，在操作期間可能僅存在變形之小剩餘變化，且可藉由度量衡系統MS來校準靜態變形偏移，使得其大體上不再影響度量衡系統。在此實施例之一替代例中，可藉由在用以將力施加於基板台WT上之操作之前使用致動器SX、SZ2及SZ3而使額外加熱器離開裝置，使得在開始裝置之正常操作之前已經藉由致動器而將致動器之連接至基板台WT之部分加熱至操作溫度。接著，亦可在校準位置量測系統之前進行此預加熱循環。

根據本發明之一實施例，可將溫度量測系統TS1、TS2及TS3連接至溫度調整系統(在下文中亦被稱作「溫度調整器」)以將連接至基板台的致動器之部分保持於恆定溫度上。藉由使其在恆定溫度下，大體上無熱膨脹將影響連接至基板台WT的致動器之部分，且將不發生基板台WT之額外變形。又，在此實施例中，可能有益的係使熱膨脹計算器TEC離開裝置。可選擇恆定溫度，使得其略微高於正常操作溫度，使得無需藉由溫度調整器之冷卻。本發明亦可用以將圖案化元件定位於支撐件上。

儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造積體光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於該等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。

儘管以上可特定地參考在光學微影術之情境中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影術)中，且在情境允許時不限於光學微影術。在壓印微影術中，圖案化元件中之構形界定形成於基板上之圖案。可將圖案化元件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化元件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。

本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及遠紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5奈米至20奈米之範圍內的波長)；以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。

術語「透鏡」在情境允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。

儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之該電腦程式。

以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見的為，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。

AD．．．調整器

B．．．輻射光束

BD．．．光束傳送系統

C．．．目標部分

CO．．．聚光器

HT1．．．加熱器

HT2．．．加熱器

HT3．．．加熱器

IF．．．位置感測器

IL．．．照明器

IN．．．積光器

LS．．．長衝程平台

M1．．．圖案化元件對準標記

M2．．．圖案化元件對準標記

MA．．．圖案化元件

MS．．．度量衡系統

MT．．．圖案化元件支撐件

P1．．．基板對準標記

P2．．．基板對準標記

PM．．．第一定位元件

PS．．．投影系統

PW．．．第二定位元件

SO．．．輻射源

SX．．．致動器

SZ2．．．致動器

SZ3．．．致動器

TEC．．．熱膨脹計算器

TS1．．．溫度量測系統

TS2．．．溫度量測系統

TS3．．．溫度量測系統

W．．．基板

WT．．．基板台

X．．．方向

Y．．．方向

Z．．．方向

圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；且

圖2描繪根據本發明之圖1之微影裝置的基板平台。

AD．．．調整器

B．．．輻射光束

BD．．．光束傳送系統

C．．．目標部分

CO．．．聚光器

IF．．．位置感測器

IL．．．照明器

IN．．．積光器

M1．．．圖案化元件對準標記

M2．．．圖案化元件對準標記

MA．．．圖案化元件

MT．．．圖案化元件支撐件

P1．．．基板對準標記

P2．．．基板對準標記

PM．．．第一定位元件

PS．．．投影系統

PW．．．第二定位元件

SO．．．輻射源

W．．．基板

WT．．．基板台

X．．．方向

Y．．．方向

Z．．．方向

Claims (28)

1. 一種微影裝置，其包含：一照明系統，該照明系統經組態以調節一輻射光束；一支撐件，該支撐件經建構以支撐一圖案化元件，該圖案化元件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，該基板台經建構以固持一基板；一投影系統，該投影系統經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上；一致動器，該致動器經配置以定位一物件；及一熱膨脹誤差補償器，該熱膨脹誤差補償器經組態以補償由耦接至該物件之該致動器之一部分因該致動器或另一熱源所耗散之任何熱而引起之熱膨脹所導致的一誤差，其中該熱膨脹誤差補償器包括一溫度量測系統及一計算器，該溫度量測系統經組態以量測該致動器之該部分的一溫度，該計算器經組態以基於該致動器之該部分之該溫度量測而計算由於該部分的熱膨脹所導致之該物件之一變形。
2. 如請求項1之微影裝置，其進一步包含一度量衡系統，該度量衡系統經組態以控制該物件之一位置、或一形狀、或一位置及一形狀兩者，且其中該熱膨脹誤差補償器耦接至該度量衡系統，以便補償由該致動器之該部分之熱膨脹所導致的該誤差。
3. 如請求項1之微影裝置，其中該溫度量測系統耦接至一 熱膨脹計算器，該熱膨脹計算器經組態以計算歸因於該致動器之該部分或該物件之加熱之該物件之該膨脹所導致的位置量測誤差。
4. 如請求項2之微影裝置，其中該熱膨脹計算器耦接至該度量衡系統以補償由該致動器之該部分之該膨脹所導致之該物件之膨脹所導致的該誤差。
5. 如請求項1之微影裝置，其中該溫度量測系統耦接至該致動器之耦接至該物件之該部分。
6. 如請求項1之微影裝置，其中該熱膨脹誤差補償器包括一溫度調整器，該溫度調整器經組態以調整該致動器之耦接至該物件之該部分的該溫度。
7. 如請求項6之微影裝置，其中該熱膨脹誤差補償器包括一溫度量測系統，該溫度量測系統連同該溫度調整器工作以將該部分保持於一所要溫度下。
8. 如請求項6之微影裝置，其中該溫度調整器為經組態以加熱該部分之一加熱器。
9. 如請求項1之微影裝置，其中該物件為該基板台或其一部分。
10. 如請求項1之微影裝置，其中該物件為該支撐件或其一部分。
11. 一種元件製造方法，其包含：藉由一微影投影裝置而將一圖案自一圖案化元件轉印(transferring)至一基板上；藉由一致動器而將一物件定位於該裝置內；及 藉由一熱膨脹誤差補償器而補償由耦接至該物件之該致動器之一部分因該致動器或另一熱源所耗散之熱而引起之熱膨脹所導致的一誤差，該補償包括基於該致動器之該部分之該溫度量測而計算歸因於該部分的熱膨脹所致之該物件之一變形。
12. 如請求項11之元件製造方法，其進一步包含：量測該微影裝置內之溫度。
13. 如請求項11之元件製造方法，其進一步包含：以一度量衡系統來控制該物件之一位置，及藉由在以該度量衡系統來控制該物件之該位置的期間補償該變形而補償該誤差。
14. 如請求項11之元件製造方法，其進一步包含：調整該致動器之該部分的一溫度。
15. 如請求項14之元件製造方法，其中調整該溫度包括：藉由加熱而增加該溫度。
16. 如請求項15之元件製造方法，其中該溫度係藉由以下操作而調整：藉由該致動器而將一力施加於該物件上，使得該致動器加熱，直到達到一操作溫度為止，且隨後開始元件製造。
17. 一種熱補償系統，其使一微影裝置較不敏感於溫度變化，該系統包含：一支撐件，該支撐件經建構以支撐該微影裝置之一基板座(substrate stage)中之一基板；一致動器，該致動器經配置以定位該支撐件或其一部 分；及一熱膨脹誤差補償器，該熱膨脹誤差補償器經組態以補償由耦接至該支撐件之該致動器之一部分因該致動器或另一熱源所耗散之任何熱而引起之熱膨脹所導致的一誤差，其中該熱膨脹誤差補償器包括：一溫度量測系統，該溫度量測系統經組態以量測該致動器之該部分的一溫度，及一計算器，該計算器經組態以基於該致動器之該部分之該溫度量測而計算歸因於該部分的熱膨脹所致之該支撐件之一變形。
18. 如請求項17之熱補償系統，其進一步包含：一度量衡系統，該度量衡系統經組態以控制該支撐件之一位置、或一形狀、或一位置及一形狀兩者，且其中該熱膨脹誤差補償器耦接至該度量衡系統，以便補償由該致動器之該部分之熱膨脹所導致的該誤差。
19. 如請求項18之熱補償系統，其中該熱膨脹計算器耦接至該度量衡系統以補償由該致動器之該部分之該膨脹所導致之該基板之膨脹所導致的該誤差。
20. 如請求項17之熱補償系統，其中該溫度量測系統耦接至該致動器之耦接至該支撐件之該部分。
21. 如請求項17之熱補償系統，其中該熱膨脹誤差補償器包括：一溫度調整器，該溫度調整器經組態以調整該致動器之耦接至該支撐件之該部分的該溫度。
22. 如請求項21之熱補償系統，其中該溫度量測系統經組態成連同該溫度調整器工作以將該部分保持於一所要的溫度。
23. 如請求項21之熱補償系統，其中該溫度調整器為經組態以加熱該部分之一加熱器。
24. 一種使一微影裝置較不敏感於溫度變化之熱補償方法，該方法包含：將一基板支撐於該微影裝置之一基板座中；藉由一致動器而定位該支撐件或其一部分；及補償由耦接至該支撐件之該致動器之一部分因該致動器或另一熱源所耗散之任何熱而引起之熱膨脹所導致的一誤差，該補償係藉由以下步驟達成：藉由一溫度量測系統量測該致動器之該部分的一溫度，及基於該致動器之該部分之該溫度量測而計算歸因於該部分的熱膨脹所致之該支撐件之一變形。
25. 如請求項24之熱補償方法，其進一步包含：使用一度量衡系統，該度量衡系統經組態以控制該支撐件之一位置、或一形狀、或一位置及一形狀兩者以補償由該致動器之該部分之熱膨脹所導致的該誤差。
26. 如請求項24之熱補償方法，其中該溫度量測系統耦接至該致動器之耦接至該支撐件之該部分。
27. 如請求項24之熱補償方法，其中該補償進一步包括：調整該致動器之耦接至該支撐件之該部分的該溫度以 將該部分保持於一所要的溫度。
28. 如請求項27之熱補償方法，其中該調整進一步包括：加熱該致動器之耦接至該支撐件之該部分。