TWI401829B - 發光二極體封裝結構及其製造方法 - Google Patents

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發光二極體封裝結構及其製造方法
本發明涉及半導體領域，尤其涉及一種發光二極體封裝結構及其製造方法。
發光二極體因其能夠更好地提高能源效率和提供更好的照明效果開始被廣泛應用到很多領域。通常，為保護其內部元件，往往對其進行封裝處理，圖1為現有技術提供的發光二極體封裝結構的剖視圖。此發光二極體封裝結構10包括基板11、發光二極體晶片13和封裝層14。所述基板包括電路結構114。所述發光二極體晶片13設置在所述基板11上，並藉由金屬導線131和電路結構114電連接，然後採用模壓製造方法將封裝層14覆蓋在基板11上，包覆發光二極體晶片13和金屬導線131，從而達到防濕氣與保護的效果。所用封裝層14的材料大都係環氧樹脂和矽樹脂等樹脂材料，但環氧樹脂和矽樹脂等的機械強度不足，用它們做成的封裝層容易磨損，不能有效的保護發光二極體封裝結構10的內部結構，從而造成產品容易損壞。
有鑒於此，有必要提供一種能夠有效的保護發光二極體封裝 結構的內部結構的發光二極體封裝結構及其製造方法。
一種發光二極體封裝結構，包括：基板、發光二極體晶片、封裝層和透明環繞層。所述基板包括電路結構。所述發光二極體晶片與所述電路結構電連接。所述封裝層覆蓋於所述基板上，包覆所述發光二極體晶片。所述透明環繞層的材料硬度比所述封裝層的材料硬度高。所述透明環繞層設置在所述基板上，且環繞在所述封裝層的四周。
一種發光二極體封裝結構的製造方法，包括下列步驟：提供一基底，所述基底可以分為多個基板，每個基板包括有電路結構；將發光二極體晶片設置在每個所述基板上，與相對應的所述電路結構電連接；將一覆蓋層覆蓋在所述基底上，包覆所述發光二極體晶片；在所述覆蓋層上形成多條交叉的溝道，將所述覆蓋層分成多個封裝層，每個封裝層用於包覆一個發光二極體晶片；在所述溝道內形成透明環繞層，環繞所述封裝層；沿所述溝道切割所述基板，形成多個所述發光二極體封裝結構。
由於所述發光二極體封裝結構中的透明環繞層的材料硬度比所述封裝層的材料硬度高，能夠有效的增強封裝結構的硬度和抗磨損性能，從而保護發光二極體封裝結構不易被破壞。
10，20，30‧‧‧發光二極體封裝結構
11，21，31‧‧‧基板
13，23‧‧‧發光二極體晶片
14，24‧‧‧封裝層
22‧‧‧基底
25‧‧‧透明環繞層
26‧‧‧遮擋層
27‧‧‧絕緣膠
28‧‧‧覆蓋層
29‧‧‧溝道
114,214‧‧‧電路結構
131,231‧‧‧金屬導線
211‧‧‧第一表面
212‧‧‧第二表面
213,313‧‧‧通孔
214a‧‧‧第一電極
214b‧‧‧第二電極
圖1係用現有技術提供的發光二極體封裝結構的剖視圖。
圖2係本發明一實施方式提供的發光二極體封裝結構的俯視圖。
圖3係圖2中的發光二極體封裝結構沿III-III方向的剖視圖。
圖4係本發明另一實施方式提供的發光二極體封裝結構的俯視圖。
圖5-12係本發明實施方式提供的發光二極體封裝結構的製造方法示意圖。
圖13係本發明實施方式提供的發光二極體封裝結構的製造方法中形成多條交叉的溝道後整個基底的立體示意圖。
以下將結合附圖對本發明作進一步的詳細說明。
請參閱圖2和圖3，本發明一實施方式提供的發光二極體封裝結構20包括：基板21、發光二極體晶片23、封裝層24和透明環繞層25。
所述基板21用於支撐所述發光二極體封裝結構20，所述基板21具有相對的第一表面211和第二表面212，以及貫穿所述第一表面211和第二表面212的通孔213。所述通孔213的數量至少為兩個，在本實施例中，所述基板21上開設有兩個通孔213，該兩個通孔213分別位於所述基板21相對的兩側邊緣。 如圖4所示，在其他實施例中，通孔313的數量也可以為四個，分別位於基板31的四個角上，在每個角形成一個四分之一圓弧狀的缺口。這樣，在製造所述發光二極體封裝結構30的時候，所述通孔313可以用於定位，同時由於尖角結構容易被損壞，而在角落形成缺口可以避免尖角的形成，使得所述發光二極體封裝結構30更加不易被損壞。
所述基板21還包括電路結構214，所述電路結構214包括第一電極214a和第二電極214b，所述第一電極214a和第二電極214b分別藉由所述通孔213由所述第一表面211延伸至所述第二表面212上。
所述發光二極體晶片23設置於所述第二電極214b的表面，與所述第二電極214b電連接，並藉由所述金屬導線231與所述第一電極214a電連接。
所述封裝層24覆蓋於所述基板21上，包覆所述發光二極體晶片23和所述金屬導線231。所述封裝層24的材料可為環氧樹脂和矽樹脂等透明樹脂材料。所述封裝層24中還可以包含螢光粉。
所述透明環繞層25設置在所述基板21上，且環繞在所述封裝層24的四周，所述透明環繞層25所用材料的硬度比所述封裝層24所用材料的硬度高。
請參閱圖5-圖12，本發明實施方式提供的發光二極體封裝結構20的製造方法包括以下步驟： 如圖5所示，首先，提供一基底22，所述基底22可以分為多個基板21。所述基板21包括相對的第一表面211和第二表面212，以及貫穿所述第一表面211和第二表面212的通孔213。所述通孔213的數量至少為兩個，在本實施例中，所述基板21上開設有兩個通孔213，該兩個通孔213分別位於所述基板21相對的兩側邊緣。所述基板21還包括電路結構214，所述電路結構214包括第一電極214a和第二電極214b，所述第一電極214a和第二電極214b分別藉由所述通孔213由所述第一表面211延伸至所述第二表面212上。
如圖6所示，在所述基底22上設置遮擋層26蓋住所述通孔213，所述遮擋層26僅用來擋住所述通孔213，且在之後的步驟中不會被去除。
如圖7所示，在所述遮擋層26上塗布一層絕緣膠27，所述絕緣膠27可以增加所述遮擋層26的強度，且在之後的步驟中不會被去除。
如圖8所示，將發光二極體晶片23設置在所述第二電極214b上，與所述第二電極214b電連接，所述發光二極體晶片23藉由金屬導線231與所述第一電極214a電連接。
如圖9所示，將覆蓋層28覆蓋在所述基底22上，包覆所述發光二極體晶片23和金屬導線231，所述覆蓋層28的材料可為環氧樹脂和矽樹脂等透明樹脂材料。所述覆蓋層28中還可以包含螢光粉。
如圖10所示，在所述覆蓋層28上形成多條交叉的溝道29，將所述覆蓋層28分成多個封裝層24，每個封裝層24用於包覆發光二極體晶片23。在所述覆蓋層28上形成多條交叉的溝道29可採用蝕刻的方法。形成多條交叉的溝道29後整個基底22的立體示意圖如圖13所示。
如圖11所示，在所述溝道29內形成透明環繞層25，環繞所述封裝層24，所述透明環繞層25填滿整個所述溝道29。所述透明環繞層25所用材料的硬度比所述封裝層24所用材料的硬度高。
如圖12所示，沿所述溝道29切割所述基底22，形成多個所述發光二極體封裝結構20。優選的，改變所述通孔213的位置，使得切割之後在所述發光二極體封裝結構20的每個角具有一個四分之一圓弧狀的缺口。
由於所述發光二極體封裝結構中的透明環繞層的材料硬度比所述封裝層的材料硬度高，能夠有效的增強封裝結構的硬度和抗磨損性能，從而保護發光二極體封裝結構不易被破壞。
另外，本領域技術人員還可在本發明精神內做其他變化，當然，該等依據本發明精神所做之變化，都應包含在本發明所要求保護之範圍之內。
20‧‧‧發光二極體封裝結構
21‧‧‧基板
23‧‧‧發光二極體晶片
24‧‧‧封裝層
25‧‧‧透明環繞層
211‧‧‧第一表面
212‧‧‧第二表面
213‧‧‧通孔
214‧‧‧電路結構
214a‧‧‧第一電極
214b‧‧‧第二電極
231‧‧‧金屬導線

Claims (5)

  1. 一種發光二極體封裝結構的製造方法，包括下列步驟：提供一基底，所述基底可以分為多個基板，每個基板包括有電路結構；將發光二極體晶片設置在所述每個基板上，與相對應的所述電路結構電連接；將一覆蓋層覆蓋在所述基底上，包覆所述發光二極體晶片；在所述覆蓋層上形成多條交叉的溝道，將所述覆蓋層分成多個封裝層，每個封裝層用於包覆一個發光二極體晶片；在所述溝道內形成透明環繞層，環繞所述封裝層；沿所述溝道切割所述基板，形成多個所述發光二極體封裝結構。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構的製造方法，其中：所述基板上設置有通孔，在提供基板之後還包括步驟：設置遮擋層蓋住所述通孔。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的發光二極體封裝結構的製造方法，其中：在設置遮擋層蓋住所述通孔之後，還包括步驟：在所述遮擋層上塗布一層絕緣膠。
  4. 如申請專利範圍第2項或第3項所述的發光二極體封裝結構的製造方法，其中：切割之後在所述發光二極體封裝結構的每個角具有一個四分之一圓弧狀的缺口。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構的製造方 法，其中：藉由蝕刻的方法在覆蓋層上形成所述多條交叉的溝道。
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