TWI396295B

TWI396295B - Preparation method of non - vacuum wet copper indium gallium selenium solar cells

Info

Publication number: TWI396295B
Application number: TW098143625A
Authority: TW
Inventors: Lung Chuang Chuan
Original assignee: Jenn Feng New Energy Co Ltd
Priority date: 2009-12-18
Filing date: 2009-12-18
Publication date: 2013-05-11
Also published as: TW201123506A

Description

非真空濕式銅銦鎵硒太陽電池製作方法

本發明係有關一種形成銅銦鎵硒太陽電池的方法，尤其是在非真空下以濕式方式完成。

由於銅銦鎵硒(CIGS)太陽電池具有較高的轉換效率，比如單元電池(Cell)可達20%而模組亦可達14%，因此在眾多太陽能電池中特別受到重視，尤其沒有上游原材料的限制。

在習用技術中，製造銅銦鎵硒太陽能電池的方法一般可分為真空製程和非真空製程。在真空製程中，主要是使用濺鍍法或蒸鍍法，但是真空製程需較昂貴的處理設備且材料利用率也較低，因而使得整體製作成本較高。對於非真空製程，通常是使用印刷法或電沈積法，但因大面積太陽電池的量產技術仍不成熟，屬於實驗室開發階段，所以市面上仍無較大面積的商品化產品問世。

因此，需要一種具高度整合性的非真空製程方法，尤其是能在背面電極層上依序形成第一透明導電氧化層、銅銦鎵硒層與硫化鎘層、氧化鋅層及第二透明導電氧化層，進而產生高轉換率、高品質、高可靠度且低製造成本的CIGS太陽電池。

本發明之主要目的在提供一種非真空濕式銅銦鎵硒太陽電池製作方法，用以製造銅銦鎵硒太陽電池，係在非真空下以濕式方式，於背面電極層上依序形成第一透明導電氧化(TCO)層、銅銦鎵硒層與硫化鎘層、氧化鋅層及第二透明導電氧化(TCO)層，進而形成高轉換率的銅銦鎵硒(CIGS)太陽電池，其中背面電極層係位於基板上，且該非真空濕式銅銦鎵硒製程包括依序的第一TCO層形成處理、銅銦鎵硒層與硫化鎘層形成處理、氧化鋅層形成處理及第二TCO層形成處理，而第一TCO層形成處理、氧化鋅層形成處理及第二TCO層形成處理分別包括切割處理，依序對工作件進行雷射及刮刀切割處理，形成分段的次工作件，藉以提高製程的整合性及銅銦鎵硒(CIGS)太陽電池的整體光電品質。

第一TCO層形成處理包括混合處理、塗佈層形成處理、烘乾處理、實密化處理、熱處理及切割處理，藉以在背面電極層上形成厚度均勻且晶體結構較佳的第一TCO層。

銅銦鎵硒層與硫化鎘層形成處理包括在第一TCO層形成處理所產生的第一漿料塗佈層上依序形成銅銦鎵硒層與硫化鎘層，其中當作吸收層的銅銦鎵硒層係利用混合處理、塗佈層形成處理、烘乾處理、實密化處理、初級硫硒反應處理、熱處理、雜相清除處理及後級硫硒反應處理而形成，當作緩衝層的硫化鎘層係利用化學槽水浴法(Chemical Bath Deposition，CBD)而形成。

氧化鋅層形成處理包括利用混合處理、塗佈層形成處理理、烘乾處理、實密化處理、熱處理及切割處理，而在硫化鎘層上形成氧化鋅層。

第二TCO層形成處理係類似於上述的第一TCO層形成處理，包括混合處理、塗佈層形成處理、烘乾處理、實密化處理、熱處理及切割處理，藉以在氧化鋅層上形成第二TCO層。

以下配合圖式及元件符號對本發明之實施方式做更詳細的說明，俾使熟習該項技藝者在研讀本說明書後能據以實施。

參閱第一圖，本發明非真空濕式銅銦鎵硒太陽電池製作方法的示意圖。如第一圖所示，本發明的非真空濕式銅銦鎵硒太陽電池製作方法係由步驟S10開始，在非真空下以濕式方式，藉第一TCO層形成裝置，對位於基板上的背面電極層進行第一透明導電氧化(TCO)層形成處理以形成第一TCO層，並帶動該基板往前移動。接著在步驟S20中，利用銅銦鎵硒層與硫化鋅層形成裝置，進行銅銦鎵硒層與硫化鋅層形成處理，而在第一TCO層上形成依序由下而上堆疊的銅銦鎵硒層與硫化鎘層，在步驟S30中，利用氧化鋅層形成裝置，進行氧化鋅層形成處理而在硫化鎘層上形成氧化鋅層，最後進入步驟S40，藉第二TCO層形成裝置，進行第二TCO層形成處理而在氧化鋅層上形成第二TCO層，進而完成具有依序由下而上之基板、背面電極層、第一TCO層、銅銦鎵硒層、硫化鎘層及第二TCO層的銅銦鎵硒太陽電池。

參閱第二圖，本發明方法的第一TCO層形成處理之示意圖。如第二圖所示，步驟S10的第一TCO層形成處理係由步驟S11開始，利用混合裝置以進行混合處理，將至少一粉體與至少一溶劑均勻混合成第一TCO層漿料，其中該至少一粉體可包括氧化銦錫(ITO)、氧化錫(SnO2)、氧化銦鈦(ITiO)及氧化鋁鋅(AZO)的至少其中之一，該至少一溶劑可包括醇類、胺類、分散劑、黏著劑及流平劑的至少其中之一。

接著進入步驟S12，利用塗佈層形成裝置以進行塗佈層形成處理，將步驟S11的第一TCO層漿料在背面電極層上形成第一TCO層漿料塗佈層。然後在步驟S13中利用烘乾裝置進行烘乾處理，以預乾並去除第一TCO層漿料塗佈層中的溶劑。

接著在步驟S14中，利用實密化裝置對烘乾後的第一TCO層漿料塗佈層進行實密化處理，藉實密化裝置施加壓力至第一TCO層漿料塗佈層上，使第一TCO層漿料塗佈層實密化。在步驟S15中利用熱處理裝置對第一TCO層漿料塗佈層進行熱處理，比如快速熱退火處理(RTP)，以改善第一TCO層漿料塗佈層的晶體結構，並形成第一TCO層。最後，在步驟S16中利用切割裝置進行切割處理以形成包括基板、背面電極層及第一TCO層的分段工作件。

參閱第三圖，本發明方法的第一TCO層形成裝置之示意圖。如第三圖所示，第一TCO層形成裝置包括混合裝置11、塗佈層形成裝置12、烘乾裝置13、實密化裝置14、熱處理裝置15及切割裝置16，用以分別進行第二圖中的混合處理、塗佈層形成處理、烘乾處理、實密化處理、熱處理及切割處理，而在基板10上的背面電極層之上形成第一TCO層，且基板10底下係由複數個滾輪18支撐，並向前帶動。

混合裝置11包括粉體槽11A、溶劑槽11B及混合槽11C，其中粉體槽11A容置至少一粉體，溶劑槽11B容置至少一溶劑，混合槽11C可為油墨混合槽，用以將粉體槽11A的該至少一粉體以及溶劑槽11B的該至少一溶劑進行均勻混合以形成第一TCO層漿料。

塗佈層形成裝置12可包括用以進行噴塗處理的噴塗裝置、用以進行塗佈處理的塗佈裝置及用以進行浸泡處理的浸泡裝置的其中之一。本實施例係以噴塗裝置為示範性實例，藉以說明本發明特徵。在第三圖中，噴塗裝置12可包括超音波噴頭、超音波控制器及氣壓流量控制器(圖中未顯示)，可藉超音波將第一TCO層漿料均勻噴塗至背面電極層上，形成第一TCO層漿料塗佈層。烘乾裝置13為加熱裝置，可包括電熱絲、紅外線源及輻射源的至少其中之一，該輻射源可包括微波輻射源。

實密化裝置14可包括用以進行滾壓處理的滾壓裝置、用以進行高壓噴液壓合處理的高壓噴液壓合裝置及用以進行高壓噴氣壓合處理的高壓噴氣壓合裝置的其中之一。本實施例係以滾壓裝置為示範性實例，藉以說明本發明特徵。滾壓裝置14可包括複數個滾輪，壓在第一TCO層漿料塗佈層上，分別依序在輕壓區段、中壓區段及重壓區段施加輕度壓力、中度壓力及重度壓力，以逐步使第一TCO層漿料塗佈層實密化。

熱處理裝置15包括利用加熱裝置及冷卻裝置，對第一TCO層漿料塗佈層進行依序的快速升溫結晶處理、多段恆溫結晶處理及多段降溫處理，以改善晶體結構，並形成第一TCO層。切割裝置16包括雷射及刮刀，以進行切割處理。

參閱第四圖，本發明方法的銅銦鎵硒層與硫化鎘層形成處理之示意圖。如第四圖所示，步驟S20的銅銦鎵硒層與硫化鎘層形成處理包括依序之步驟S21的混合處理、步驟S22的塗佈層形成處理、步驟S23的烘乾處理、步驟S24的實密化處理、步驟S25的初級硫硒反應處理、步驟S26的熱處理、步驟S27的雜相清除處理、步驟S28的後級硫硒反應處理及步驟S29的硫化鎘層生長處理，係利用銅銦鎵硒層與硫化鎘層形成裝置，而在第一TCO層上形成銅銦鎵硒層與硫化鎘層。

步驟S21、步驟S22、步驟S23及步驟S24係類似於第二圖的步驟S11、步驟S12、步驟S13及步驟S14，差異點在於步驟S21係利用混合裝置以形成銅銦鎵硒層漿料，所使用的至少一粉體包括銅銦合金(CuIn)、銅銦鎵化合物(CuInGa)、硒化銅銦(CuInSe)、硒化銅銦鎵(CuInGaSe)、硫化銅銦(CuInS)及硫化銅銦鎵(CuInGaS)粉體的至少其中之一，步驟S22的塗佈層形成處理可在第一TCO層上形成銅銦鎵硒層漿料塗佈層，步驟S23的烘乾處理利用烘乾裝置對銅銦鎵硒層漿料塗佈層中的溶劑進行預乾與去除，而步驟S24的實密化處理利用滾壓裝置對烘乾的銅銦鎵硒層漿料塗佈層進行實密化。

在步驟S25中，初級硫硒反應處理包括初級硫化反應及初級硒化反應係利用初級硫硒反應裝置，使銅銦鎵硒硫漿料塗佈層產生硫化物及硒化物，藉以形成初級的銅銦鎵硒層。步驟S26的快速熱退火處理係類似於第二圖的步驟S15，利用快速熱退火裝置以改善初級的銅銦鎵硒層之晶體結構。在步驟S27中，雜相清除處理利用雜相清除裝置以去除初級的銅銦鎵硒層中雜相的化合物，並進行清洗及烘乾。在步驟S28中，後級硫硒反應處理係類似於初級硫硒反應處理，利用後級硫硒反應裝置對初級的銅銦鎵硒層進行進一步的後級硫化反應及後級硒化反應，以形成後級的銅銦鎵硒層，亦即所需的銅銦鎵硒層。

在步驟S29中，硫化鎘層生長處理係利用硫化鎘層生長裝置，以化學槽水浴法(Chemical Bath Deposition，CBD)在步驟S28的銅銦鎵硒層上形成硫化鎘層，亦即硫化鎘緩衝層，而且步驟S29進一步包括基板刮除處理及清洗烘乾處理，以分別刮除基板的多餘材料，以及清洗並烘乾該硫化鎘緩衝層。

參閱第五圖，本發明方法的銅銦鎵硒層與硫化鋅層形成裝置之示意圖。如第五圖所示，銅銦鎵硒層與硫化鋅層形成裝置包括混合裝置21、塗佈層形成裝置22、烘乾裝置23、實密化裝置24、初級硫硒反應裝置25、熱處理裝置26、雜相清除裝置27、後級硫硒反應裝置28及硫化鎘層生長裝置29，其中混合裝置21、塗佈層形成裝置22、烘乾裝置23、實密化裝置24及熱處理裝置26分別類似於第三圖的混合裝置11、塗佈層形成裝置12、烘乾裝置13、實密化裝置14及熱處理裝置15，而混合裝置21包括粉體槽21A、溶劑槽21B及混合槽21C，塗佈層形成裝置22包括超音波噴頭、超音波控制器及氣壓流量控制器(圖中未顯示)。

初級硫硒反應裝置25係依序分別通入硫化氫及硒化氫，並在升溫下進行初級硫化反應及初級硒化反應。雜相清除裝置27包括雜相清除劑，以清除雜相化合物，包括硒化亞銅(Cu₂ Se)及硫化銅(CuS)的至少其中之一，該雜相清除劑包含氰化鈉(NaCN)、氰化鉀(KCN)及溴化物的至少其中之一。後級硫硒反應裝置28類似於初級硫硒反應裝置25，依序分別通入硫化氫及硒化氫，並在升溫下進行後級硫化反應及後級硒化反應。

硫化鎘層生長裝置29包括含有硫及鎘的水溶液，使銅銦鎵硒層浸泡於該水溶液中，而在銅銦鎵硒層上形成硫化鎘層，且該水溶液包括氯化鹽、氨水及硫尿，該氯化鹽可包括氯化鎘、硫酸鎘、碘化鎘及二乙酸鎘的至少其中之一。

參閱第六圖，本發明方法的氧化鋅層形成處理之示意圖。如第六圖所示，本發明方法的氧化鋅層形成處理係類似於第二圖的步驟S10，係利用氧化鋅層形成裝置以進行依序之步驟S31的混合處理、步驟S32的塗佈層形成處理、步驟S33的烘乾處理、步驟S34的實密化處理、步驟S35的熱處理及步驟S36的切割處理，其差異點在於該至少一粉體包括氧化鋅粉體，而步驟S31係將氧化鋅粉體與包括醇類、胺類、分散劑、黏著劑及流平劑的至少其中之一的溶劑混合，以形成氧化鋅漿料，再藉步驟S32將氧化鋅漿料在硫化鎘層上形成氧化鋅塗佈層，接著經步驟S33的烘乾處理及步驟S34的實密化處理。步驟S35再藉熱處理以改善氧化鋅塗佈層的晶體結構，而形成氧化鋅層，最後在步驟S36中切割分段。

參閱第七圖，本發明方法的氧化鋅層形成裝置之示意圖。如第七圖所示，氧化鋅層形成裝置類似於第三圖的第一TCO層形成裝置，係包括混合裝置31、塗佈層形成裝置32、烘乾裝置33、實密化裝置34、熱處理裝置35及切割裝置36，用以分別進行第六圖中的混合處理、塗佈層形成處理、烘乾處理、實密化處理、熱處理及切割處理，而在硫化鎘層上形成氧化鋅層，且混合裝置31包括粉體槽31A、溶劑槽31B及混合槽31C，其差異點在於，粉體槽31A係容置氧化鋅粉體。

此外，步驟S40的第二TCO層形成處理係與步驟S10的第一TCO層形成處理相同，係利用第二TCO鋅層形成裝置以進行依序之混合處理、塗佈層形成處理、烘乾處理、實密化處理、熱處理及切割處理，進而在氧化鋅層上形成第二TCO層，而第二TCO鋅層形成裝置的結構係相同於第三圖的第一TCO鋅層形成裝置，在此不作贅述。

因此，上述本發明的方法可完成在基板的背面電極層上具有依序由下而上堆疊的第一TCO層、銅銦鎵硒層與硫化鎘層、氧化鋅層及第二TCO層的太陽電池。

本發明的特點在於整合第一TCO層形成處理、銅銦鎵硒層與硫化鎘層形成處理、氧化鋅層形成處理及第二TCO層形成處理，而在非真空下以濕式方式進行，於背面電極層上依序形成第一TCO層、銅銦鎵硒層與硫化鎘層、氧化鋅層及第二TCO層，進而形成高轉換率的銅銦鎵硒(CIGS)太陽電池，適合大批量生產製作，同時降低製作成本，並簡化製作流程，提高產品良率。

以上所述者僅為用以解釋本發明之較佳實施例，並非企圖據以對本發明做任何形式上之限制，是以，凡有在相同之發明精神下所作有關本發明之任何修飾或變更，皆仍應包括在本發明意圖保護之範疇。

10．．．基板

11．．．混合裝置

11A．．．粉體槽

11B．．．溶劑槽

11C．．．混合槽

12．．．塗佈層形成裝置

13．．．烘乾裝置

14．．．實密化裝置

15．．．熱處理裝置

16．．．切割裝置

18．．．滾輪

21．．．混合裝置

21A．．．粉體槽

21B．．．溶劑槽

21C．．．混合槽

22．．．塗佈層形成裝置

23．．．烘乾裝置

24．．．實密化裝置

25．．．初級硫硒反應裝置

26．．．熱處理裝置

27．．．雜相清除裝置

28．．．後級硫硒反應裝置

29．．．硫化鎘層生長裝置

31．．．混合裝置

31A．．．粉體槽

31B．．．溶劑槽

31C．．．混合槽

32．．．塗佈層形成裝置

33．．．烘乾裝置

34．．．實密化裝置

35．．．熱處理裝置

36．．．切割裝置

S10．．．第一透明導電氧化層形成處理

S11．．．混合處理

S12．．．塗佈層形成處理

S13．．．烘乾處理

S14．．．實密化處理

S15．．．熱處理

S16．．．切割處理

S20．．．銅銦鎵硒層與硫化鎘層形成處理

S21．．．混合處理

S22．．．塗佈層形成處理

S23．．．烘乾處理

S24．．．實密化處理

S25．．．初級硫硒反應處理

S26．．．熱處理

S27．．．雜相清除處理

S28．．．後級硫硒反應處理

S29．．．硫化鎘層生長處理

S30．．．氧化鋅層形成處理

S31．．．混合處理

S32．．．塗佈層形成處理

S33．．．烘乾處理

S34．．．實密化處理

S35．．．熱處理

S36．．．切割處理

S40．．．第二透明導電氧化層形成處理

第一圖為本發明非真空濕式銅銦鎵硒太陽電池製作方法的示意圖。

第二圖為本發明方法的第一TCO層形成處理之示意圖。

第三圖為本發明方法的第一TCO層形成裝置之示意圖。

第四圖為本發明方法的銅銦鎵硒層與硫化鋅層形成處理之示意圖。

第五圖為本發明方法的銅銦鎵硒層與硫化鋅層形成裝置之示意圖。

第六圖為本發明方法的氧化鋅層形成處理之示意圖。

第七圖為本發明方法的氧化鋅層形成裝置之示意圖。

S10．．．第一透明導電氧化層形成處理

S20．．．銅銦鎵硒層與硫化鎘層形成處理

S30．．．氧化鋅層形成處理

S40．．．第二透明導電氧化層形成處理

Claims

一種非真空濕式銅銦鎵硒太陽電池製作方法，用以在非真空下以濕式方式製造銅銦鎵硒太陽電池的第一透明導電氧化層、銅銦鎵硒層與硫化鎘層、氧化鋅層及第二透明導電氧化層，該方法係包括以下依序進行之步驟：對具有背面電極層的基板，利用第一透明導電氧化層形成裝置，進行第一透明導電氧化層形成處理，該背面電極層係位於基板上，且該基板底下係由複數個滾輪支撐並向前帶動，該第一透明導電氧化層形成處理包括混合處理、塗佈層形成處理、烘乾處理、實密化處理、熱處理及切割處理，進而在該背面電極層上形成該第一透明導電氧化層；利用銅銦鎵硒層與硫化鎘層形成裝置，進行銅銦鎵硒層與硫化鎘層形成處理，包括混合處理、塗佈層形成處理、烘乾處理、實密化處理、初級硫硒反應處理、熱處理、雜相清除處理、後級硫硒反應處理及硫化鎘層生長處理，藉以在該第一透明導電氧化層上依序形成銅銦鎵硒層與硫化鎘層；利用氧化鋅層形成裝置以進行氧化鋅層形成處理，包括混合處理、塗佈層形成處理、烘乾處理、實密化處理、熱處理及切割處理，進而在該硫化鎘層上形成氧化鋅層；以及利用第二透明導電氧化層形成裝置，進行第二透明導電氧化層形成處理，包括混合處理、塗佈層形成處理、烘乾處理、實密化處理、熱處理及切割處理，藉以在該氧化鋅層上形成第二透明導電氧化層。
依據申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一透明導電氧化層形成裝置包括混合裝置、塗佈層形成裝置、烘乾裝置、實密化裝置、熱處理裝置及切割裝置，藉以分別進行混合處理、塗佈層形成處理、烘乾處理、實密化處理、熱處理及切割處理。
依據申請專利範圍第1項所述之方法，其中該銅銦鎵硒層與硫化鎘層形成裝置包括混合裝置、塗佈層形成裝置、烘乾裝置、實密化裝置、初級硫硒反應裝置、熱處理裝置、雜相清除裝置、後級硫硒反應裝置及硫化鎘層生長裝置，藉以分別進行混合處理、塗佈層形成處理、烘乾處理、實密化處理、初級硫硒反應處理、熱處理、雜相清除處理、後級硫硒反應處理及硫化鎘層生長處理。
依據申請專利範圍第1項所述之方法，其中該氧化鋅層形成裝置包括混合裝置、塗佈層形成裝置、烘乾裝置、實密化裝置、熱處理裝置及切割裝置，以分別進行混合處理、塗佈層形成處理、烘乾處理、實密化處理、熱處理及切割處理。
依據申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第二透明導電氧化層形成裝置包括混合裝置、塗佈層形成裝置、烘乾裝置、實密化裝置、熱處理裝置及切割裝置，藉以對透明導電氧化物粉體及至少一溶劑進行混合處理、塗佈層形成處理、烘乾處理、實密化處理、熱處理及切割處理。
依據申請專利範圍第2項至第5項中任一項所述之方法，其中該混合裝置包括粉體槽、溶劑槽及混合槽，該粉體槽係用以容置至少一粉體，該溶劑槽係用以容置至少一溶劑，該混合槽將該至少一粉體及該至少一溶劑均勻混合。
依據申請專利範圍第2項至第5項中任一項所述之方法，其中該塗佈層形成裝置包括用以進行噴塗處理的噴塗裝置、用以進行塗佈處理的塗佈裝置及用以進行浸泡處理的浸泡裝置的其中之一，且該噴塗裝置包括超音波噴頭、超音波控制器及氣壓流量控制器。
依據申請專利範圍第2項至第5項中任一項所述之方法，其中該烘乾裝置為加熱裝置，包括電熱絲、紅外線源及輻射源的至少其中之一，該輻射源包括微波輻射源。
依據申請專利範圍第2項至第5項中任一項所述之方法，其中該實密化裝置係包括用以進行滾壓處理的滾壓裝置、用以進行高壓噴液壓合處理的高壓噴液壓合裝置及用以進行高壓噴氣壓合處理的高壓噴氣壓合裝置的其中之一，且該滾壓裝置包括複數個滾輪，用以依序施加輕度壓力、中度壓力及重度壓力，藉以逐步達到密化。
依據申請專利範圍第2項至第5項中任一項所述之方法，其中該熱處理裝置包括利用加熱裝置及冷卻裝置，以進行依序的快速升溫結晶處理、多段恆溫結晶處理及多段降溫處理。
依據申請專利範圍第2項、第4項及第5項中任一項所述之方法，其中該切割裝置包括雷射及刮刀。
依據申請專利範圍第6項所述之方法，其中該第一透明導電氧化層形成裝置的粉體槽所容置的該至少一粉體包括氧化銦錫、氧化錫、氧化銦鈦及氧化鋁鋅的至少其中之一，該銅銦鎵硒層與硫化鎘層形成裝置的粉體槽所容置的該至少一粉體包括銅銦合金、銅銦鎵化合物、硒化銅銦、硒化銅銦鎵、硫化銅銦及硫化銅銦鎵粉體的至少其中之一，該氧化鋅層形成裝置的粉體槽所容置的該至少一粉體包括氧化鋅粉體，該第二透明導電氧化層形成裝置的粉體槽所容置的該至少一粉體包括氧化銦錫、氧化錫、氧化銦鈦及氧化鋁鋅的至少其中之一，該第一透明導電氧化層形成裝置、該銅銦鎵硒層與硫化鎘層形成裝置、該氧化鋅層形成裝置及該第二透明導電氧化層形成裝置的溶劑槽所容置的該至少一溶劑可包括醇類、胺類、分散劑、黏著劑及流平劑的至少其中之一。
依據申請專利範圍第3項所述之方法，其中該初級硫硒反應裝置係依序分別通入硫化氫及硒化氫，並在升溫下進行初級硫化反應及初級硒化反應。
依據申請專利範圍第3項所述之方法，其中該雜相清除裝置包括雜相清除劑，以清除雜相化合物，包括硒化亞銅及硫化銅的至少其中之一，該雜相清除劑包含氰化鈉、氰化鉀及溴化物的至少其中之一。
依據申請專利範圍第3項所述之方法，其中該後級硫硒反應裝置係依序分別通入硫化氫及硒化氫，並在升溫下進行後級硫化反應及初級硒化反應。
依據申請專利範圍第3項所述之方法，其中該硫化鎘層生長裝置包括含有硫及鎘的水溶液，使該銅銦鎵硒層浸泡於該水溶液中，而在該銅銦鎵硒層上形成硫化鎘層，且該水溶液包括氯化鹽、氨水及硫尿，該氯化鹽可包括氯化鎘、硫酸鎘、碘化鎘及二乙酸鎘的至少其中之一。