TWI393962B - A method of manufacturing a retardation film and a retardation film produced by the method, and a polarizing plate obtained by using the polarizing plate and the liquid crystal display device - Google Patents
A method of manufacturing a retardation film and a retardation film produced by the method, and a polarizing plate obtained by using the polarizing plate and the liquid crystal display device Download PDFInfo
- Publication number
- TWI393962B TWI393962B TW094136558A TW94136558A TWI393962B TW I393962 B TWI393962 B TW I393962B TW 094136558 A TW094136558 A TW 094136558A TW 94136558 A TW94136558 A TW 94136558A TW I393962 B TWI393962 B TW I393962B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- group
- film
- ring
- och
- retardation
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/18—Manufacture of films or sheets
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C55/00—Shaping by stretching, e.g. drawing through a die; Apparatus therefor
- B29C55/005—Shaping by stretching, e.g. drawing through a die; Apparatus therefor characterised by the choice of materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C55/00—Shaping by stretching, e.g. drawing through a die; Apparatus therefor
- B29C55/02—Shaping by stretching, e.g. drawing through a die; Apparatus therefor of plates or sheets
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
- B29D7/00—Producing flat articles, e.g. films or sheets
- B29D7/01—Films or sheets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L1/00—Compositions of cellulose, modified cellulose or cellulose derivatives
- C08L1/08—Cellulose derivatives
- C08L1/10—Esters of organic acids, i.e. acylates
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/30—Polarising elements
- G02B5/3083—Birefringent or phase retarding elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/13363—Birefringent elements, e.g. for optical compensation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2001/00—Use of cellulose, modified cellulose or cellulose derivatives, e.g. viscose, as moulding material
- B29K2001/08—Cellulose derivatives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2301/00—Characterised by the use of cellulose, modified cellulose or cellulose derivatives
- C08J2301/08—Cellulose derivatives
- C08J2301/10—Esters of organic acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2203/00—Applications
- C08L2203/16—Applications used for films
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polarising Elements (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Shaping By String And By Release Of Stress In Plastics And The Like (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
本發明係有關相位差薄膜及其製造方法,與使用其之偏光板與液晶顯示裝置。
已知之擴大液晶顯示裝置之視野角的方法如,以具有適當相位差之纖維素酯薄膜為偏光板保護薄膜。又,發現纖維素酯薄膜之相位差深受纖維素酯之醯基取代度影響,一般已知纖維素酯之總醯基取代度愈小所發現之相位差愈大,因此對液晶顯示裝置之擴大視野角薄膜又以降低纖維素酯之醯基取代度為佳。但纖維素酯之低取代度化會增加薄膜之濕透度,而喪失對偏光子之保護機能。為了解決該問題曾提出取代度較高之纖維素酯添加阻滯上升劑之方法(例如參考專利文獻1、2、4、5)。
但阻滯效率增加的同時會使相位差之均勻性混亂,而造成液晶顯示裝置之視野角斑,因此解決該問題成為重要課題。
又,將使用阻滯上升劑之偏光板接著於液晶顯示裝置時,會因偏光板對液晶單元之應力而使液晶單元之間隙產生變化,而造成顯示不均勻。
為了解決該課題曾提案,控制流延時之膜厚的方法,及控制阻滯上升劑之分布的技術(參考專利文獻3)。但該提案之方法中,製膜後薄膜幅度方向之組成會不同,因此既使於偏光板化過程對幅度方向進行鹼化處理仍有不均勻問題產生,故需求改善。
[專利文獻1]特開2002-131538號公報[專利文獻2]特開2003-057444號公報[專利文獻3]特開2002-341144號公報[專利文獻4]特開2005-134863號公報[專利文獻5]特開2005-179638號公報
有鑑於上述事情,本發明之目的係提供,改善薄膜幅度方向之阻滯值分布及鹼化處理分布的均勻性之相位差薄膜與其製造方法,以及使用其之偏光板與貼合偏光板後改善液晶單元之反撓量而得優良顯示均勻性的液晶顯示裝置。
本發明之目的可由下列各項達成。
1.一種相位差薄膜之製造方法,其特徵為,含有0.1至15質量%之至少由2個芳香族環所形成的阻滯上升劑,且進行延伸處理時下列式(I)所示之Ro為20至300nm,下列式(II)所示之Rt為70至400nm的相位差薄膜之製造方法中,至少符合下列(1)至(3)之製造條件中任一條件,(1)延伸範圍為最大延伸時之應力對破裂點應力為50至98%(2)延伸範圍為最大延伸時之應力絕對值為5至50MPa(3)延伸範圍為最大延伸時之應力斜度為0.4至0.8MPa/%式(I)Ro=(nx-ny)×d 式(II)Rt={(nx+ny)/2-nz}×d[式中,nx為薄膜面內折射率最大之方向的折射率,ny為垂直於nx之方向的薄膜面內折射率,nz為薄膜厚度方向之折射率,d為薄膜之厚度(nm)。
2.如前項1的相位差薄膜之製造方法,其特徵為,相位差薄膜之主成份為纖維素酯。
3.如前項2的相位差薄膜之製造方法,其特徵為,纖維素酯之總醯基取代度為2.7至2.95。
4.一種相位差薄膜之製造方法,其特徵為,如前項3之相位差薄膜的製造方法中,將纖維素酯溶解於溶劑中流延於金屬支持物後,由支持物剝離薄膜再延伸薄膜時,延伸方向垂直於流延製膜方向。
5.一種相位差薄膜,其特徵為,由如前項1至4中任何一項的相位差薄膜之製造方法製造。
6.一種偏光板,其特徵為,具有如前項5之相位差薄膜。
7.一種液晶顯示裝置,其特徵為,具有如前項6之偏光板。
本發明可提供改善薄膜幅度方向之阻滯值分布及鹼化處理分布的均勻性之相位差薄膜及其製造方法,與使用其之偏光板及貼合偏光板後改善液晶單元之反撓量而得優良顯示均勻性之液晶顯示裝置。
下面將詳細說明實施本發明之最佳形態,但本發明非限於此。
以下詳細說明本發明。
首先說明本發明的相位差薄膜之製造方法。
本發明之相位差薄膜所使用的薄膜易製造,但以具有光學均勻性及光學透明性為佳。具有該性質之薄膜如,纖維素酯系薄膜、聚酯系薄膜、聚碳酸酯系薄膜、聚烯丙酸酯系薄膜、聚碸(包含聚醚碸)系薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、玻璃紙、纖維素二乙酸酯薄膜、纖維素乙酸酯丁酸酯薄膜、聚偏氯乙烯薄膜、聚乙烯醇薄膜、伸乙基乙烯醇薄膜、間規聚苯乙烯系薄膜、聚碳酸酯薄膜、降茨烯樹脂系薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚醚酮薄膜、聚醚酮醯亞胺薄膜、聚醯胺薄膜、氟樹脂薄膜、尼龍薄膜、環烯烴聚合物薄膜、聚甲基甲基丙烯酸酯薄膜或丙烯酸薄膜等,但非限於該例。又以使用溶液流延法或熔融流延法製膜之薄膜為佳。其中更佳為纖維素酯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚碸(包含聚醚碸)及環烯烴聚合物薄膜。就製造上、成本面、透明性、均勻性及接著性等觀點,本發明特佳為,主成份為纖維素酯之纖維素酯薄膜。
本發明製造纖維素酯薄膜用之方法為,將溶解纖維素酯而得之膠液流延於支持物(不銹鋼帶等)上,製膜後由支持物剝取(剝離)所得薄膜,再以張力延伸幅度方向,其後送入乾燥區乾燥之溶液流延製膜法。下面將說明本發明之製造方法有關的溶液流延製膜法。又,長度方向(簡稱MD)係指機械搬運方向及膠流延方向,幅度方向(TD)係指薄膜面內垂直於長度方向之方向。
下面將依序說明溶液流延製膜方法之(a)溶解步驟、(b)流延步驟、(c)溶劑蒸發步驟、(d)剝離步驟及(e)乾燥步驟。又,將說明(a)溶解步驟中一般偏光板保護薄膜用樹脂之纖維素酯,及製作膠液時所使用之有機溶劑與添加劑用之阻滯上升劑、紫外線吸收劑、防氧化劑、褪光劑及其他添加劑。
(a)溶解步驟:將對纖維素酯(片狀、粉狀或顆粒狀)(平均粒徑較佳為100 μ m以上之粒子)為良溶劑之有機溶劑、纖維素酯及添加劑放入溶解釜中,攪拌溶解後形成膠液之步驟。溶解時可使用常壓下進行之方法、良溶劑之沸點以下進行之方法、良溶劑之沸點以上加壓進行之方法、以冷卻溶解法進行之方法、高壓下進行之方法等各種溶解方法。溶解後以濾器過濾膠液,脫泡後以唧筒送至下面步驟。
該膠液係指,纖維素酯及後述添加劑溶解於有機溶劑之溶液。
本發明所使用之纖維素酯的纖維素原料並無特別限制,可為棉花棉絨、木材紙漿、洋麻等、或各自以任意比率混合而得之纖維素酯。
有關本發明纖維素酯之纖維素原料的醯化劑為酸酐(乙酸酐、丙酸酐、丁酸酐)時,可使用乙酸般有機酸、二氯甲烷等有機溶劑,及硫酸般質子性觸媒進行反應。又,醯化劑為酸氯化物(CH3
COCl、C2
H5
COCl、C3
H7
COCl)時,可使用胺等鹼性化合物作為觸媒進行反應。具體之合成方法可參考特開平10-45804號所記載。纖維素酯係由醯基與纖維素分子之羥基反應而得,又,纖維素分子係由多數連結之葡萄糖單位所構成,且每個葡萄糖單位具有3個羥基,並將該3個羥基衍生之醯基數稱為取代度。例如纖維素三乙酸酯為葡萄糖單位之3個羥基均鍵結乙醯基。
本發明之纖維素酯薄膜所使用的纖維素酯並無特別限制,但以同時符合下列式(1)及(2)為佳。
(1)2.7≦X+Y≦2.95 (2)1.9≦X≦2.95
式中,X為乙醯基之取代基,Y為丙醯基及/或丁醯基之取代度。符合上述2式之物適用於製造本發明目的之具有優良光學特性的纖維素酯薄膜,且可得耐熱性優良及作為相位差薄膜時具有正確波長分散性之良好阻滯物。就延伸幅度時可得均勻光學特性,特別是阻滯分布斑較少之薄膜的觀點更佳為2.7≦X+Y≦2.9,最佳為2.7≦X+Y≦2.85。
本發明所使用之纖維素酯較佳為,纖維素乙酸酯丙酸酯、纖維素乙酸酯丁酸酯、纖維素乙酸酯丙酸酯丁酸酯與鏈結乙醯基以外之丙酸酯基或丁酸酯基的纖維素酯。又,丁酸酯基除了n-以外也包含iso-。丙酸酯基之取代度較大的纖維素乙酸酯丙酸酯具有耐水性優良之特徵。
測定醯基取代度之方法可依據ASTM-D817-96。
本發明所使用之纖維素酯的數平均分子量為60000至300000時,所得薄膜之機械強度較強而為佳。更佳為70000至200000。
纖維素酯之數平均分子量可以下列方法測定。
即,使用高速液體色譜法以下列條件測定。
溶劑:丙酮柱:MPW×1(東索(股)製)試料濃度:0.2(質量/容量)%流量:1.0 ml/分試料注入量:300 μ l標準試料:聚甲基丙烯酸甲酯(重量平均分子量Mw=188,200)溫度:23℃
適用於溶解纖維素酯形成膠液之有機溶劑如,氯系有機溶劑及非氯系有機溶劑。該氯系有機溶劑中,例如二氯甲烷適用於溶解纖維素酯,特別是纖維素三乙酸酯。但因現今環境問題而檢討使用非氯系有機溶劑,該非氯系有機溶劑如,乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸醯酯、丙酮、四氫呋喃、1,3-二茂烷、1,4-二噁烷、環己酮、甲酸乙酯、2,2,2-三氟乙醇、2,2,3,3-四氟-1-丙醇、1,3-二氟-2-丙醇、1,1,1,3,3,3-六氟-2-甲基-2-丙醇、1,1,1,3,3,3-六氟-2-丙醇、2,2,3,3,3-五氟-1-丙醇、硝基乙烷等。將該有機溶劑使用於纖維素三乙酸酯時,可使用常溫下之溶解方法,但以使用高溫溶解方法、冷卻溶解方法、高壓溶解方法等溶解方法時不溶解物較少為佳。對纖維素三乙酸酯以外之纖維素酯可使用二氯甲烷,但以乙酸甲酯、乙酸乙酯、丙酮為佳,特佳為乙酸甲酯。本發明中,將對上述纖維素酯具有良好溶解性之有機溶劑稱為良溶劑,又將主要為溶解效果且大量使用之有機溶劑稱為主有機溶劑或主要有機溶劑。本發明之良溶劑係指,25℃下溶劑100g可溶解5g以上之纖維素酯的溶劑。
本發明所使用之膠液中除了上述有機溶劑外,較佳為含有碳原子數1至4之醇1質量%至40質量%。其因為將膠液流延於金屬支持物後開始蒸發溶劑時,高醇比率可使纖維片凝膠化而易由金屬支持物安全剝離纖維片,故可作為凝膠化溶劑用,又,比率較少時可促進非氯系有機溶劑之纖維素酯溶解。碳原子數1至4之醇如,甲醇、乙醇、n-丙醇、iso-丙醇、n-丁醇、sec-丁醇、tert-丁醇等。其中又以膠液安全性優良、沸點較低、乾燥性良好且無毒性等之乙醇為佳。因該有機溶劑單獨使用時對纖維素酯缺乏溶解性,故納入弱溶劑範圍。本發明之弱溶劑係指,25℃下溶劑100g可溶解之纖維素酯低於5g的溶劑。
就提升薄膜面質觀點,又以膠液中纖維素酯之濃度調整為15質量%至40質量%,膠液黏度調整為10Pa.s至50Pa.s為佳。
本發明所使用之膠液中可使用下列各種素材。
膠液中可添加可塑劑、防紫外線劑、防氧化劑、染料、褪光劑、阻滯上升劑等,又,本發明之特徵為含有至少由2個芳香族環所形成的阻滯上升劑。
調製纖維素酯溶液時可同時添加該化合物、纖維素酯及溶劑,或調製溶液中或調製後再添加該化合物。除了阻滯上升劑外,又以添加賦予液晶畫面顯示裝置用耐熱耐濕性的可塑劑、防氧化劑、防紫外線劑等為佳。
本發明之相位差薄膜為,使用至少由二個芳香族環所形成之芳香族化合物。
芳香族化合物對纖維素乙酸酯100質量份之使用量較佳為0.1至15質量份,更佳為0.5至10質量%。又可併用二種以上之芳香族化合物。芳香族化合物之芳香族環中除了芳香族烴環外,可含有芳香族性雜環,特佳為含有芳香族性雜環,該芳香族性雜環一般為不飽和雜環。
芳香族化合物所具有之芳香族環數較佳為2至20,更佳為2至12,特佳為2至8,最佳為3至6。2個芳香族環之鍵結關係可區分為(a)形成縮合環、(b)以單鍵直接鍵結及(c)介由連結基鍵結(其為芳香族環,故不會形成螺旋鍵)。又,鍵結關係可為(a)至(c)中任何一種。
(a)之縮合環(二個以上之芳香族環的縮合環)如,茚環、萘環、薁環、芴環、菲環、蒽環、苊環、丁省環、芘環、吲哚環、異吲哚環、苯并呋喃環、苯并噻吩環、吲哚嗪環、苯并噁唑環、苯并噻唑環、苯并咪唑環、苯并***環、嘌呤環、吲唑環、色烯環、喹啉環、異喹啉環、喹啉嗪環、喹唑啉環、噌啉環、喹喔啉環、酞嗪環、喋啶環、咔唑環、吖啶環、菲啶環、呫噸環、吩嗪環、吩噻嗪環、吩噻噁環、吩噁嗪環及噻蒽環。其中較佳為萘環、薁環、吲哚環、苯并噁唑環、苯并噻唑環、苯并咪唑環、苯并***環及喹啉環。
(b)之單鍵較佳為二個芳香族環之碳原子間的鍵。又可以二個以上之單鍵鍵結二個芳香族環,而於二個芳香族環間形成脂肪族環或非芳香族性雜環。
(c)之連結基較佳為鍵結於二個芳香族環之碳原子上。該連結基較佳為伸烷基、伸鏈烯基、伸炔基、-CO-、-O-、-NH-、-S-或其組合基。組合形成之連結基例如下所示,又,下列連結基之左右關係可相反。
-CO-O、-CO-NH-、-伸烷基-O-、-NH-CO-NH-、-NH-CO-O-、-O-CO-O-、-O-伸烷基-O-、-CO-伸鏈烯基-、-CO-伸鏈烯基-NH-、-CO-伸鏈烯基-O-、-伸烷基-CO-O-伸烷基-O-CO-伸烷基-、-O-伸烷基-CO-O-伸烷基-O-CO-伸烷基-O-、-O-CO-伸烷基-CO-O-、-NH-CO-伸鏈烯基-、-O-CO-伸鏈烯基-。
芳香族環及連結基可具有取代基。該取代基如,鹵原子(F、Cl、Br、I)、羥基、羧基、氰基、胺基、硝基、磺基、胺基甲醯基、胺磺醯基、脲基、烷基、鏈烯基、炔基、脂肪族醯基、脂肪族醯氧基、烷氧基、烷氧基羰基、烷氧基羰基胺基、烷基硫基、烷基磺醯基、脂肪族醯胺基、脂肪族胺磺醯基、脂肪族取代胺基、脂肪族取代胺基甲醯基、脂肪族取代胺磺醯基、脂肪族取代脲基及非芳香族性雜環基。
烷基之碳原子數較佳為1至8,且鏈狀烷基比環狀烷基更佳,特佳為直鏈狀烷基。該烷基可另具有取代基(例如羥基、羧基、烷氧基、烷基取代胺基)。該烷基(包含取代烷基)如,甲基、乙基、n-丁基、n-己基、2-羥基乙基、4-羧基丁基、2-甲氧基乙基及2-二乙基胺基乙基。鏈烯基之碳原子數較佳為2至8,且鏈狀鏈烯基比環狀鏈烯基更佳,特佳為直鏈狀鏈烯基。該鏈烯基可另具有取代基。該鏈烯基如,乙烯基、烯丙基及1-己烯基。炔基之碳原子數較佳為2至8,且鏈狀炔基比環狀炔基更佳,特佳為直鏈狀炔基。該炔基可另具有取代基。該炔基如,乙炔基、1-丁炔基及1-己炔基。
脂肪族醯基之碳原子數較佳為1至10。該脂肪族醯基如,乙醯基、丙醯基及丁醯基。脂肪族醯氧基之碳原子數為1至10。該脂肪族醯氧基如乙醯氧基。烷氧基之碳原子數較佳為1至8。該烷氧基可另具有取代基(例如烷氧基)。該烷氧基(包含取代烷氧基)如,甲氧基、乙氧基、丁氧基及甲氧基乙氧基。烷氧基羰基之碳原子數較佳為2至10。該烷氧基羰基如,甲氧基羰基及乙氧基羰基。烷氧基羰基胺基之碳原子數較佳為2至10。該烷氧基羰基胺基如,甲氧基羰基胺基及乙氧基羰基胺基。
烷硫基之碳原子數較佳為1至12。該烷硫基如,甲硫基、乙硫基及辛硫基。烷基磺醯基之碳原子數較佳為1至8。該烷基磺醯基如,甲烷磺醯基及乙烷磺醯基。脂肪族醯胺基之碳原子數較佳為1至10。該脂肪族醯胺基如乙醯胺基。脂肪族胺磺醯基之碳原子數較佳為1至8。該脂肪族胺磺醯基如,甲烷胺磺醯基、丁烷胺磺醯基及n-辛烷胺磺醯基。脂肪族取代胺基之碳原子數較佳為1至10。該脂肪族取代胺基如,二甲基胺、二乙基胺及2-羧基乙基胺基。脂肪族取代胺基甲醯基之碳原子數較佳為2至10。該脂肪族取代胺基甲醯基如,甲基胺基甲醯基及二乙基胺基甲醯基。脂肪族取代胺磺醯基之碳原子數較佳為1至8。該脂肪族取代胺磺醯基如,甲基胺磺醯基及二乙基胺磺醯基。脂肪族取代脲基之碳原子數較佳為2至10。該脂肪族取代脲基如甲基脲基。非芳香族性雜環基如,哌啶基及嗎啉基。阻滯上升劑之分子量較佳為300至800。
本發明之芳香族化合物特佳為下列棒狀化合物或具有1,3,5-三嗪環之化合物。
本發明之光學薄膜較佳為,含有溶液時紫外線吸收光譜的最大吸收波長(λ max)比250nm短之棒狀化合物。
就阻滯值控制劑之機能觀點,該棒狀化合物至少具有二個芳香族環,又以具有直線性分子構造之棒狀化合物為佳。該直線性分子構造係指,熱力學上最安定構造之棒狀化合物的分子構造為直線性。該熱力學上最安定構造可由結晶構造解析或分子軌道計算求取。例如使用分子軌道計算軟體(例如WinMOPAC2000、富士通(股)製)進行分子軌道計算,可求取化合物之最小生成熱的分子構造,分子構造為直線性係指,計算所得之熱力學上最安定構造中,分子構造之角度為140度以上。該棒狀化合物較佳為具有液晶性,更佳為具有加熱之液晶性(具有熱帶液晶性)。液晶相較佳為向列相及蝶狀相。
上述棒狀化合物較佳為,下列一般式(1)所示反-1,4-環己烷二羧酸酯化合物。
一般式(1)Ar1
-L1
-Ar2
式(1)中,Ar1
及Ar2
各自獨立為芳香族基。本說明書中芳香族基係包含芳基(芳香族性烴基)、取代芳基、芳香族性雜環基及取代芳香族性雜環基。芳基及取代芳基又比芳香族性雜環基及取代芳香族性雜環基更佳。又,芳香族性雜環基之雜環基一般為不飽和狀。芳香族性雜環基較佳為5員環、6員環或7員環,更佳為5員環或6員環。芳香族性雜環一般具有最多雙鍵。雜原子較佳為氮原子、氧原子或硫原子,更佳為氮原子或硫原子。該芳香族性雜環如,呋喃環、噻吩環、吡咯環、噁唑環、異噁唑環、噻唑環、異噻唑環、咪唑環、附唑環、呋咱環、***環、吡喃環、吡啶環、噠嗪環、嘧啶環、吡嗪環及1,3,5-三嗪環。芳香族基之芳香族環較佳為苯環、呋喃環、噻吩環、吡咯環、噁唑環、噻唑環、咪唑環、***環、吡啶環、嘧啶環及吡嗪環,特佳為苯環。
取代芳基及取代芳香族性雜環基之取代基如,鹵原子(F、Cl、Br、I)、羥基、羧基、氰基、胺基、烷基胺基(例如甲基胺基、乙基胺基、丁基胺基、二甲基胺基)、硝基、磺基、胺基甲醯基、烷基胺基甲醯基(例如N-甲基胺基甲醯基、N-乙基胺基甲醯基、N,N-二甲基胺基甲醯基)、胺磺醯基、烷基胺磺醯基(例如N-甲基胺磺醯基、N-乙基胺磺醯基、N,N-二甲基胺磺醯基)、脲基、烷基脲基(例如N-甲基脲基、N,N-二甲基脲基、N,N,N'-三甲基脲基)、烷基(例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、庚基、辛基、異丙基、S-丁基、t-戊基、環己基、環戊基)、鏈烯基(例如乙烯基、烯丙基、己烯基)、炔基(例如乙炔基、丁炔基)、醯基(例如甲醯基、乙醯基、丁醯基、己醯基、月桂基)、醯氧基(例如乙醯氧基、丁醯氧基、己醯氧基、月桂氧基)、烷氧基(例如甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、庚氧基、辛氧基)、芳氧基(例如苯氧基)、烷氧基羰基(例如甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、丁氧基羰基、戊氧基羰基、庚氧基羰基)、芳氧基羰基(例如苯氧基羰基)、烷氧基羰基胺基(例如丁氧基羰基胺基、己氧基羰基胺基)、烷硫基(例如甲硫基、乙硫基、丙硫基、丁硫基、戊硫基、庚硫基、辛硫基)、芳硫基(例如苯硫基)、烷基磺醯基(例如甲基磺醯基、乙基磺醯基、丙基磺醯基、丁基磺醯基、戊基磺醯基、庚基磺醯基、辛基磺醯基)、醯胺基(例如乙醯胺基、丁醯胺基、己醯胺基、月桂醯胺基)及非芳香族性雜環基(例如嗎啉基、吡嗪基)。
取代芳基及取代芳香族性雜環基之取代基較佳如,鹵原子、氰基、羧基、羥基、胺基、烷基取代胺基、醯基、醯氧基、醯胺基、烷氧基羧基、烷氧基、烷硫基及烷基。又,烷基胺基、烷氧基羰基、烷氧基及烷硫基之烷基部分及烷基可另具有取代基。該烷基部分及烷基之取代基如,鹵原子、羥基、羧基、氰基、胺基、烷基胺基、硝基、磺基、胺基甲醯基、烷基胺基甲醯基、胺磺醯基、烷基胺磺醯基、脲基、烷基脲基、鏈烯基、炔基、醯基、醯氧基、芳氧基烷氧基羰基、芳氧基羰基、烷氧基羰基胺基、烷硫基、芳硫基、烷基磺醯基、醯胺基及非芳香族性雜環基。烷基部分及烷基之取代基較佳為鹵原子、羥基、胺基、烷基胺基、醯基、醯氧基、醯胺基、烷氧基羰基及烷氧基。
一般式(1)中,L1
為伸烷基、伸鏈烯基、伸炔基、二價飽和雜環基、-O-、-CO-及其組合基群中所選出的二價連結基。該伸烷基可具有環狀構造,環狀伸烷基較佳為環伸己基,特佳為1,4-環伸乙基。又,鏈狀伸烷基中,直鏈狀伸烷基比具有支鏈之伸烷基更佳。伸烷基之碳原子數較佳為1至20,又以1至15為佳,更佳為1至10,特佳為1至8,最佳為1至6。
伸鏈烯基及伸炔基具有鏈狀構造比具有環狀構造為佳,又,具有直鏈狀構造比具有支鏈之鏈狀構造更佳。伸鏈烯基及伸炔基之碳原子數較佳為2至10,又以2至8為佳,更佳為2至6,特佳為2至4,最佳為2(伸乙烯基或伸乙炔基)。二價飽和雜環基較佳為具有3員至9員雜環。雜環之雜原子較佳為氧原子、氮原子、硼原子、硫原子、矽原子、磷原子或鍺原子。該飽和雜環如,哌啶環、哌嗪環、嗎啉環、吡咯烷環、咪唑烷環、四氫呋喃環、四氫吡喃環、1,3-二噁烷環、1,4-二噁烷環、四氫噻吩環、1,3-噻唑烷環、1,3-噁唑烷環、1,3-二茂烷環、1,3-二四氫噻吩環及1,3,2-二噁硼烷環。二價飽和雜環特佳為哌嗪-1,4-二鳶尾烯、1,3-二噁烷-2,5-二鳶尾烯及1,3,2-二噁硼烷-2,5-二鳶尾烯。
組合形成之二價連結基如下所示。
L-1:-O-CO-伸烷基-CO-O- L-2:-CO-O-伸烷基-O-CO- L-3:-O-CO-伸鏈烯基-CO-O- L-4:-CO-O-伸鏈烯基-O-CO- L-5:-O-CO-伸炔基-CO-O- L-6:-CO-O-伸炔基-O-CO- L-7:-O-CO-二價飽和雜環基-CO-O- L-8:-CO-O-二價飽和雜環基-O-CO-
一般式(1)之分子構造中,挾持L1
之Ar1
與Ar2
所形成的角度較佳為140度以上。該棒狀化合物更佳為下列一般式(2)所示之化合物。
一般式(2)Ar1
-L2
-X-L3
-Ar2
一般式(2)中,Ar1
及Ar2
各自獨立為芳香族基。該芳香族基之定義及例示同一般式(1)之Ar1
及Ar2
。
一般式(2)中,L2
及L3
各自獨立為伸烷基、-O-、-CO-及其組合基群中所選出的二價連結基。該伸烷基以具有鏈狀構造比環狀構造為佳,又,具有直鏈狀構造比具有支鏈之鏈狀構造更佳。伸烷基之碳原子數較佳為1至10,又以1至8為佳,更佳為1至6,特佳為1至4,最佳為1或2(伸甲基或伸乙基)。L2
及L3
特佳為-O-CO或-CO-O-。
一般式(2)中,X為1,4-環伸己基、伸乙烯基或伸乙炔基。下面為一般式(1)所示化合物之具體例。
其中具體例(1)至(34)、(41)、(42)、(46)、(47)、(52)、(53)中、環己烷環之1位及4位具有二個不對稱碳原子。但具體例(1)、(4)至(34)、(41)、(42)、(46)、(47)、(52)、(53)不為賦予對稱內消旋型分子構造用之光學異構體(光學活性),而僅存在幾何異構物(反型及順型)。具體例(1)之反型(1-trans)及順型(1-cis)如下所示。
如上述該棒狀化合物較佳為具有直線性分子構造,因此反型比順型更佳。具體例(2)及(3)除了幾何異構體外,可含有光學異構體(合計4種異構體)。其中幾何異構體中反型比順型為佳,光學異構體中並無特別優劣型,可為D、L或外消旋型中任何一種。同上述理由其中反型比順型更佳。
又,可併用二種以上溶液中紫外線吸收光譜中最大吸收波長(λ max)比250nm短之棒狀化合物。該棒狀化合物可由文獻所記載之方法合成。該文獻如,Mol.Cryst.Liq.Cryst.,53卷、229頁(1979年)、同89卷、93頁(1982年)、同145卷,111頁(1987年)、同170卷、43頁(1989年)、J.Am.Chem.Soc.,113卷、1349頁(1991年)、同118卷、5346頁(1996年)、同92卷、1582頁(1970年)、J.Org.Chem.,40卷、420頁(1975年)、Tetrahedron、48卷16號,3437頁(1992年)。
另外本發明所使用之圓盤狀化合物較佳為具有1,3,5-三嗪環之化合物。
具有1,3,5-三嗪環之化合物中又以下列一般式(3)所示之化合物為佳。
一般式(3)中,X1
為單鍵、-NR4
-、-O-或-S-;X2
為單鍵、-NR5
-、-O-或-S-;X3
為單鍵、-NR6
-、-O-或-S-;R1
、R2
及R3
為烷基、鏈烯基、芳基或雜環基;R4
、R5
及R6
為氫原子、烷基、鏈烯基、芳基或雜環基。一般式(3)所示之化合物特佳為三聚氰胺化合物。
三聚氰胺化合物中,一般式(3)之X1
、X2
及X3
各自為一NR4
-、-NR5
-及-NR6
-、或X1
、X2
及X3
為單鍵,且R1
、R2
及R3
為氮原子具有游離原子價之雜環基。-X1
-R1
、-X2
-R2
及-X3
-R3
較佳為相同取代基。R1
、R2
及R3
特佳為芳基。R4
、R5
及R6
特佳為氫原子。
上述烷基中鏈狀烷基比環狀烷基為佳,直鏈狀烷基又以具有支鏈之鏈狀烷基更佳。
烷基之碳原子數較佳為1至30,又以1至20為佳,更佳為1至10,特佳為1至8,最佳為1至6。又,烷基可具有取代基。
該取代基之具體例如,鹵原子、烷氧基(例如甲氧基、乙氧基、環氧基乙氧基等各基)及醯氧基(例如丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基)等。上述鏈烯基中鏈狀鏈烯基比環狀鏈烯基為佳,直鏈狀鏈烯基又比具有支鏈之鏈狀鏈烯基更佳。鏈烯基之碳原子數較佳為2至30,又以2至20為佳,更佳為2至10,特佳為2至8,最佳為2至6。又,鏈烯基可具有取代基。
該取代基之具體例如,鹵原子、烷氧基(例如甲氧基、乙氧基、環氧基乙氧基等各基)及醯氧基(例如丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基等各基)。
上述芳基較佳為苯基或萘基,特佳為苯基。又,芳基可具有取代基。
該取代基之具體例如,鹵原子、羥基、氰基、硝基、羧基、烷基、鏈烯基、芳基、烷氧基、鏈烯氧基、芳氧基、醯氧基、烷氧基羰基、鏈烯氧基碳基、芳氧基羰基、胺磺醯基、烷基取代胺磺醯基、鏈烯基取代胺磺醯基、芳基取代胺磺醯基、胺磺醯基、胺基甲醯基、烷基取代胺基甲醯基、鏈烯基取代胺基甲醯基、芳基取代胺基甲醯基、醯胺基、烷硫基、鏈烯硫基、芳硫基及醯基。該烷基同上述烷基。
又,烷氧基、醯氧基、烷氧基羰基、烷基取代胺磺醯基、胺磺醯基、烷基取代胺基甲醯基、醯胺基、烷硫基及醯基之烷基部分的定義同上述。
前述鏈烯基同上述鏈烯基。
又,鏈烯氧基、醯氧基、鏈烯氧基羰基、鏈烯基取代胺磺醯基、胺磺醯基、鏈烯基取代胺基甲醯基、醯胺基、鏈烯硫基及醯基之鏈烯基部分同上述鏈烯基。
上述芳基之具體例如,苯基、2-萘基、β-萘基、4-甲氧基苯基、3,4-二乙氧基苯基、4-辛氧基苯基或4-十二烷氧基苯基等各基。
又,芳氧基、醯氧基、芳氧基羰基、芳基取代胺磺醯基、胺磺醯基、芳基取代胺基甲醯基、醯胺基、芳硫基及醯基之部分例同上述芳基。
X1
、X2
或X3
為-NR-、-O-或-S-時之雜環基較佳為具有芳香族性。
一般具有芳香族性之雜環基中的雜環基為不飽和雜環,但以具有最多雙鍵之雜環為佳。該雜環較佳為5員環、6員環或7員環,更佳為5員環或6員環,最佳為6員環。
雜環中之雜原子較佳為N、S或O等各原子,特佳為N原子。
具有芳香族性之雜環特佳為吡啶環(雜環基如2-吡啶基或4-吡啶基等各基)。該雜環基可具有取代基。雜環基之取代基例可同上述芳基之取代基例。
X1
、X2
或X3
為單鍵時,雜環基較佳為氮原子具有游離原子價之雜環基。該氮原子具有游離原子價之雜環基較佳為5員環、6員環或7員環,更佳為5員環或6員環,最佳為5員環。又,雜環基可具有複數氮原子。
另外雜環基中之雜原子可具有氮原子以外之雜原子(例如O原子、S原子),且雜環基可具有取代基。雜環基之取代基的具體例同上述芳基部分的取代基。
下面為氮原子具有游離原子價之雜環基具體例。
具有1,3,5-三嗪環之化合物的分子量較佳為300至2000。該化合物之沸點較佳為260℃以上。沸點可由市售之測定裝置(例如TG/DTA100、精工電子工業(股)製)測得。
下面為具有1,3,5-三嗪環之化合物的具體例。
又,式中複數之R為相同之基。
本發明所使用的具有1,3,5-三嗪環之化合物可為三聚氰胺聚合物。該三聚氰胺聚合物較佳由下列一般式(4)所示之三聚氰胺化合物與羰基化合物的聚合反應合成。
該合成反應流程中,R1 1
、R1 2
、R1 3
、R1 4
、R1 5
及R1 6
為氫原子、烷基、鏈烯基、芳基或雜環基。
該烷基、鏈烯基、芳基、雜環基及其取代基可同上述一般式(3)所說明之各基及其取代基。
三聚氰胺化合物與羰基化合物之聚合反應同一般三聚氰胺樹脂(例如三聚氰胺甲醛樹脂等)之合成方法。又,可使用市售之三聚氰胺聚合物(三聚氰胺樹脂)。
該三聚氰胺聚合物之分子量較佳為2千至40萬。三聚氰胺聚合物之重覆單位具體例如下所示。
本發明可使用組合上述二種以上重覆單位之共聚物,及可併用二種以上之均聚物或共聚物。
又,可併用二種以上具有1,3,5-三嗪環之化合物,及併用二種以上圓盤狀化合物(例如具有1,3,5-三嗪環之化合物及具有卟啉骨架之化合物)。
其他適用之阻滯上升劑較佳如安息香酸苯基酯化合物。
下面將詳細說明本發明所使用之一般式(5)所示化合物。
(式中,R0
、R1
、R2
、R3
、R4
、R5
、R6
、R7
、R9
及R1 0
各自獨立為氫原子或取代基,但R1
、R2
、R3
、R4
及R5
中至少1個為電子供給性基。)
一般式(15)中,R0
、R1
、R2
、R3
、R4
、R5
、R6
、R7
、R9
及R1 0
各自獨立為氫原子或取代基,該取代基適用後述之取代基T。
R1
、R2
、R3
、R4
及R5
中至少1個為電子供給性基,較佳為R1
、R3
或R5
中1個為電子供給性基,更佳為R3
為電子供給性基。
電子供給性基係指Hammet之σ p值為0以下之物,較佳為使用Chem.Rev.,91,165(1991)。記載之Hammet的σ p值為0以下之物,更佳為-0.85至0之物。例如烷基、烷氧基、胺基、羥基等。
上述電子供給性基較佳為烷基及烷氧基,更佳為烷氧基(較佳為碳數1至12,又以碳數1至8為佳,更佳為碳數1至6,特佳為碳數1至4)。
R1較佳為氫原子或電子供給性基,又以烷基、烷氧基、胺基及羥基為佳,更佳為碳數1至4之烷基、碳數1至12之烷氧基及羥基,特佳為烷氧基(較佳為碳數1至12,又以碳數1至8為佳,更佳為碳數1至6,特佳為碳數1至4),最佳為甲氧基。
R2
較佳為氫原子、烷基、烷氧基、胺基及羥基,又以氫原子、烷基及烷氧基為佳,更佳為氫原子、烷基(較佳為碳數1至4,更佳為甲基)、烷氧基(較佳為碳數1至12,又以碳數1至8為佳,更佳為碳數1至6,特佳為碳數1至4),特佳為氫原子、甲基及甲氧基,最佳為氫原子。
R3
較佳為氫原子或電子供給基,又以氫原子、烷基、烷氧基、胺基及羥基為佳,更佳為烷基及烷氧基,特佳為烷氧基(較佳為碳數1至12,又以碳數1至8為佳,更佳為碳數1至6,特佳為碳數1至4),最佳為n-丙氧基、乙氧基及甲氧基。
R4
較佳為氫原子或電子供給性基,又以氫原子、烷基、烷氧基、胺基及羥基為佳,更佳為氫原子、碳數1至4之烷基、碳數1至12之烷氧基(較佳為碳數1至12,又以碳數1至8為佳,更佳為碳數1至6,特佳為碳數1至4),特佳為氫原子、碳數1至4之烷基、碳數1至4之烷氧基,最佳為氫原子、甲基及甲氧基。
R5
較佳為氫原子、烷基、烷氧基、胺基及羥基,又以氫原子、烷基及烷氧基為佳,更佳為氫原子、烷基(較佳為碳數1至4,更佳為甲基)、烷氧基(較佳為碳數1至12,又以碳數1至8為佳,更佳為碳數1至6,特佳為碳數1至4),特佳為氫原子、甲基及甲氧基,最佳為氫原子。
R6
、R7
及R8
較佳為氫原子、碳數1至12之烷基、碳數1至12之烷氧基及鹵原子,更佳為氫原子及鹵原子,特佳為氫原子。
R0
為氫原子或取代基,R0
較佳為氫原子、碳數1至4之烷基、碳數2至6之炔基、碳數6至12之芳基、碳數1至12之烷氧基、碳數6至12之芳氧基、碳數2至12之烷氧基、碳數2至12之烷氧基羰基、碳數2至12之醯胺基、氰基、羰基或鹵原子。
一般式(5)中較佳為下列一般式(6)。
下面將詳細說明一般式(6)所示之化合物。
(式中,R1
、R2
、R3
、R4
、R5
、R6
、R7
、R9
及R1 0
各自獨立為氫原子或取代基,但R1
、R2
、R3
、R4
及R5
中至少1個為電子供給性基;R8
為氫原子、碳數1至4之烷基、碳數2至6之炔基、碳數6至12之芳基、碳數1至12之烷氧基、碳數6至12之芳氧基、碳數2至12之烷氧基羰基、碳數2至12之醯胺基、氰基、羰基或鹵原子)。
一般式(5)中,R1
、R2
、R3
、R4
、R5
、R6
、R7
、R9
及R1 0
各自獨立為氫原子或取代基。
R8
為氫原子、碳數1至4之烷基、碳數2至12之炔基、碳數6至12之芳基、碳數1至12之烷氧基、碳數6至12之芳氧基、碳數2至12之烷氧基羰基、碳數2至12之醯胺基、氰基、羰基或鹵原子,且視情況可具有取代基,該取代基適用後述之取代基T。又,取代基可再受取代。
R8
較佳為碳數1至4之烷基、碳數2至12之炔基、碳數6至12之芳基、碳數1至12之烷氧基、碳數2至12之烷氧基羰基、碳數2至12之醯胺基或氰基,又以碳數2至12之炔基、碳數6至12之芳基、碳數2至12之烷氧基羰基、碳數2至12之醯胺基或氰基為佳,更佳為碳數2至7之炔基、碳數6至12之芳基、碳數2至6之烷氧基羰基、碳數2至7之醯胺基或氰基,特佳為苯基乙炔基、苯基、p-氰基苯基、p-甲氧基苯基、苯醯胺基、n-丙氧基羰基、乙氧基羰基、甲氧基羰基或氰基。
一般式(6)中較佳為下列一般式(6-A)。
(式中,R1
、R2
、R3
、R4
、R5
、R6
、R7
、R9
及R1 0
各自獨立為氫原子或取代基;R8
為氫原子、碳數1至4之烷基、碳數2至12之炔基、碳數6至12之芳基、碳數1至12之烷氧基、碳數6至12之芳氧基、碳數2至12之烷氧基羰基、碳數2至12之醯胺基、氰基、羰基或鹵原子;R1 1
為碳數1至12之烷基。)
一般式(6-A)中,R1
、R2
、R3
、R4
、R5
、R6
、R7
、R9
及R1 0
各自同一般式(6),且較佳範圍相同。
一般式(6-A)中,R1 1
為碳數1至12之烷基,R1 1
所示之烷基可為直鏈或支鏈狀,且可另具有取代基,但較佳為碳數1至12之烷基,又以碳數1至8之烷基為佳,更佳為碳數1至6之烷基,特佳為碳數1至4之烷基(例如甲基、乙基、n-丙基、iso-丙基、n-丁基、iso-丁基、tert-丁基等)。
一般式中較佳為下列一般式(6-B)。
(式中,R2
、R4
、R5
、R6
、R7
、R9
及R1 0
各自獨立為氫原子或取代基;R8
為氫原子、碳數1至4之烷基、碳數2至12之炔基、碳數6至12之芳基、碳數1至12之烷氧基、碳數6至12之芳氧基、碳數2至12之烷氧基羰基、碳數2至12之醯胺基、氰基、羰基或鹵原子;R1 1
為碳數1至12之烷基;R1 2
為氫原子或碳數1至4之烷基。)
一般式(6-B)中,R2
、R4
、R5
、R6
、R7
、R8
、R9
、R1 0
及R1 1
同一般式(6-A),且較佳範圍相同。
一般式(6-B)中,R1 2
為氫原子或碳數1至4之烷基,較佳為氫原子或碳數1至3之烷基,又以氫原子、甲基或乙基為佳,更佳為氫原子或甲基,特佳為甲基。
一般式(6-B)中較佳為下列一般式(7)或(6-C)。
(式中,R2
、R4
、R5
、R1 1
及R1 2
同一般式(6-B),且較佳範圍相同;X為碳數2至7之炔基、碳數6至12之芳基、碳數2至6之烷氧基羰基、碳數2至7之醯胺基、氰基。)
一般式(7)中,X為碳數2至7之炔基、碳數6至12之芳基、碳數2至6之烷氧基羰基、碳數2至7之醯胺基、氰基,較佳為苯基乙炔基、苯基、p-氰基苯基、p-甲氧基苯基、苯醯胺基、碳數2至4之烷氧基羰基、氰基,更佳為苯基、p-氰基苯基、p-甲氧基苯基、碳數2至4之烷氧基羰基、氰基。
下面將說明一般式(6-C)。
(式中,R2
、R4
、R5
同一般式(6-B),且較佳範圍相同,但其中任一為-OR1 3
所示之基(R1 3
為碳數1至4之烷基);R6
、R7
、R8
、R9
、R1 0
、R1 1
及R1 2
同一般式(6-B),且較佳範圍相同。)
一般式(6-C)中,R2
、R4
及R5
同一般式(6-B),且較佳範圍相同,但其中任一為-OR1 3
所示之基(R1 3
為碳數1至4之烷基),較佳為R4
、R6
為-OR1 3
所示之基,更佳為R4
為-OR1 3
所示之基。
R1 3
為碳數1至4之烷基,較佳為碳數1至3之烷基,又以乙基、甲基為佳,更佳為甲基。
一般式(6-C)中更佳為一般式(6-D)。
(式中,R2
、R5
、R6
、R7
、R8
、R9
、R1 0
、R1 1
及R1 2
同一般式(6-C),且較佳範圍相同;R1 4
為碳數1至4之烷基。)
R1 4
為碳數1至4之烷基,較佳為碳數1至3之烷基,又以乙基、甲基為佳,更佳為甲基。
一般式(6-D)中較佳為下列一般式(6-E)。
(式中,R8
、R1 1
、R1 2
及R1 4
同一般式(6-D),且較佳範圍相同;R2 0
為氫原子或取代基。)
R2 0
為氫原子或取代基,該取代基適用後述之取代基T。又,R2 0
可取代直接鍵結之苯環喉的位置,但R2 0
不可複數存在。R2 0
較佳為氫原子或取代基中全部原子數去除氫後所得構成原子數為4以下之取代基,又以氫原子或取代基中全部原子數去除氫後所得構成原子數為3以下之取代基,更佳為氫原子或取代基中全部原子數去除氫後所得構成原子數為2以下之取代基,特佳為氫原子、甲基、甲氧基、鹵原子、甲醯基、氰基、最佳為氫原子。
下面將說明取代基T。
該取代基T如,烷基(較佳為碳數1至20,更佳為碳數1至12,特佳為碳數1至8,例如甲基、乙基、iso-丙基、tert-丁基、n-辛基、n-癸基、n-十六烷基、環丙基、環戊基、環己基等);鏈烯基(較佳為碳數2至20,更佳為碳數2至12,特佳為碳數2至8,例如乙烯基、烯丙基、2-丁烯基、3-戊烯基等);炔基(較佳為碳數2至20,更佳為碳數2至12,特佳為碳數2至8,例如炔丙基、3-戊炔基等);芳基(較佳為碳數6至30,更佳為碳數6至20,特佳為碳數6至12,例如苯基、p-甲基苯基、萘基等);取代或未取代之胺基(較佳為碳數0至20,更佳為碳數0至10,特佳為碳數0至6,例如胺基、甲基胺基、二甲基胺基、二乙基胺基、二苄基胺基等);烷氧基(較佳為碳數1至20,更佳為碳數1至12,特佳為碳數1至8,例如甲氧基、乙氧基、丁氧基等);芳氧基(較佳為碳數6至20,較佳為碳數6至16,特佳為碳數6至12,例如苯氧基、2-萘氧基等);醯基(較佳為碳數1至20,更佳為碳數1至16,特佳為碳數1至12,例如乙醯基、苯醯基、甲醯基、三甲基乙醯基等);烷氧基羰基(較佳為碳數2至20,更佳為碳數2至16,特佳為碳數2至12,例如甲氧基羰基、乙氧基羰基等);芳氧基羰基(較佳為碳數7至20,更佳為碳數7至16,特佳為碳數7至10,例如苯氧基羰基等);醯氧基(較佳為碳數2至20,更佳為碳數2至16,特佳為碳數2至10,例如乙醯氧基、苯醯氧基等);醯胺基(較佳為碳數2至20,更佳為碳數2至16,特佳為碳數2至10,例如乙醯胺基、苯醯胺基等);烷氧基羰基胺基(較佳為碳數2至20,更佳為碳數2至16,特佳為碳數2至12,例如甲氧基羰基胺基等);芳氧基羰基胺基(較佳為碳數7至20,更佳為碳數7至16,特佳為碳數7至12,例如苯氧基羰基胺基等);磺醯胺基(較佳為碳數1至20,更佳為碳數1至16,特佳為碳數1至12,例如甲烷磺醯胺基、苯磺醯胺基等);胺磺醯基(較佳為碳數0至20,更佳為碳數0至16,特佳為碳數0至12,例如胺磺醯基、甲基胺磺醯基、二甲基胺磺醯基、苯基胺磺醯基等);胺基甲醯基(較佳為碳數1至20,更佳為碳數1至16,特佳為碳數1至12,例如胺基甲醯基、甲基胺基甲醯基、二乙基胺基甲醯基、苯基胺基甲醯基等);烷硫基(較佳為碳數1至20,更佳為碳數1至16,特佳為碳數1至12,例如甲硫基、乙硫基等);芳硫基(較佳為碳數6至20,更佳為碳數6至16,特佳為碳數6至12,例如苯硫基等);硫醯基(較佳為碳數1至20,更佳為碳數1至16,特佳為碳數1至12,例如甲磺醯基、對甲苯磺醯基等);亞磺醯基(較佳為碳數1至20,更佳為碳數1至16,特佳為碳數1至12,例如甲烷亞磺醯基、苯亞磺醯基等);脲基(較佳為碳數1至20,更佳為碳數1至16,特佳為碳數1至12,例如脲基、甲脲基、苯脲基等);磷酸醯胺基(較佳為碳數1至20,更佳為碳數1至16,特佳為碳數1至12,例如二乙基磷酸醯胺基、苯基磷酸醯胺等);羥基;硫基;鹵原子(例如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子);氰基;磺基;羧基;硝基;氧肟酸基;亞磺基;肼基;亞胺基;雜環基(較佳為碳數1至30,更佳為1至12,該雜原子如氮原子、氧原子、硫原子,具體例如咪唑基、吡啶基、喹啉基、呋喃基、哌啶基、嗎啉基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基等);矽烷基(較佳為碳數3至40,更佳為碳數3至30,特佳為碳數3至24,例如三甲基矽烷基、三苯基矽烷基等)等。又,該取代基可另受取代。
另外含有二個以上取代基時可相同或相異,且視情況可相互連結形成環。
下面將詳細說明一般式(5)所示化合物之具體例,但本發明非限於下列具體例。
本發明一般式(5)所示之化合物可由取代安息香酸與苯酚衍生物之一般酯反應合成,又,可使用能進行酯鍵形成反應等之反應。例如,取代安息香酸受官能基轉換為酸鹵化物後與苯酚縮合之方法,或使用縮合劑或觸媒使安息香酸與苯酚衍生物脫水縮合之方法等。
就考量製造流程等較佳為,取代安息香酸受官能基轉換為酸鹵化物後,再與苯酚縮合之方法。
所使用之反應溶劑可為烴系溶劑(較佳為甲苯、二甲苯)、醚系溶劑(較佳為二甲基醚、四氫呋喃、二噁烷等)、酮系溶劑、酯系溶劑、乙腈、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺等。該溶劑可單獨或數種混合使用,其中較佳為甲苯、乙腈、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺。
反應溫度較佳為0至150℃,又以0至100℃為佳,更佳為0至90℃,特佳為20℃至90℃。
本反應又以不使用鹼為佳,但使用鹼時可使用有機鹼或無機鹼,其中較佳為有機鹼,例如吡啶、3級烷基胺(較佳為三乙基胺、乙基二異丙基胺等)。
本發明所使用之膠液為了提升機械性質、賦予柔軟性、賦予能吸水性、減少水蒸氣透過率、調整阻滯等,較佳為添加可塑劑用之已知化合物,例如磷酸酯及羧酸酯。又以使用特願2001-198450所記載之重量平均分子量500以上10,000以下由乙烯性不飽和單體聚合而得的聚合物、丙烯酸系聚合物、支鏈具有芳香環之丙烯酸系聚合物或支鏈具有環己基之丙烯酸系聚合物等。該磷酸酯如,三苯基磷酸酯、三甲酚磷酸酯、苯基二苯基磷酸酯等。羧酸酯如,酞酸酯及檸檬酸酯等,酞酸酯如,二甲基酞酸酯、二乙基酞酸酯、二環己基酞酸酯、二辛基酞酸酯及二乙基己基酞酸酯等,檸檬酸酯如,檸檬酸乙醯三乙酯及檸檬酸乙醯三丁酯。其他如,油酸丁酯、萞蔴醇酸甲基乙醯酯、癸二酸二丁酯、三乙酸甘油酯、三羥甲基丙烷三苯甲酸酯等。為了該目的可使用烷基酞醯烷基乙醇酸酯,又,烷基酞醯烷基乙醇酸酯之烷基為碳原子數1至8之烷基。該烷基酞醯烷基乙醇酸酯如,甲基酞醯甲基乙醇酸酯、乙基酞醯乙基乙醇酸酯、丙基酞醯丙基乙醇酸酯、丁基酞醯丁基乙醇酸酯、辛基酞醯辛基乙醇酸酯、甲基酞醯乙基乙醇酸酯、乙基酞醯甲基乙醇酸酯、乙基酞醯丙基乙醇酸酯、丙基酞醯乙基乙醇酸酯、甲基酞醯丙基乙醇酸酯、甲基酞醯丁基乙醇酸酯、乙基酞醯丁基乙醇酸酯、丁基酞醯甲基乙醇酸酯、丁基酞醯乙基乙醇酸酯、丙基酞醯丁基乙醇酸酯、丁基酞醯丙基乙醇酸酯、甲基酞醯辛基乙醇酸酯、乙基酞醯辛基乙醇酸酯、辛基酞醯甲基乙醇酸酯、辛基酞醯乙基乙醇酸酯等,其中較佳為甲基酞醯甲基乙醇酸酯、乙基酞醯乙基乙醇酸酯、丙基酞醯丙基乙醇酸酯、丁基酞醯丁基乙醇酸酯、辛基酞醯辛基乙醇酸酯,特佳為乙基酞醯乙基乙醇酸酯。又,該烷基酞醯烷基乙醇酸酯等可2種以上混合使用。
就發現目的之效果及抑制由薄膜溢流等觀點,該化合物之添加量對纖維素酯較佳為1質量%至20質量%。又,因延伸及乾燥中之加熱溫度今上升至200℃,故為了抑制可塑劑溢流,200℃下之蒸氣壓較佳為1333Pa以下。
本發明所使用之紫外線吸收劑如,氧化二苯甲酮系化合物、苯并***系化合物、水楊酸酯系化合物、二苯甲酮系化合物、氰基丙烯酸酯系化合物、鎳錯鹽系化合物等,但以著色較少之苯并***系化合物為佳。又可使用特開平10-182621號、特開平8-337574號所記載之紫外線吸收劑、特開平6-148430號所記載之高分子紫外線吸收劑。就防止偏光子及液晶變質之觀點,該紫外線吸收劑較佳為,對波長370nm以下之紫外線具有優良吸收功能,又,就液晶顯示性較佳為對波長400nm以上之可視光的吸收性較少。
適用於本發明之苯并***系紫外線吸收劑的具體例如,2-(2'-羥基-5'-甲基苯基)苯并***、2-(2'-羥基-3',5'-二-teRt-丁基苯基)苯并***、2-(2'-羥基-3',5'-二-teRt-丁基-5'-甲基苯基)苯并***、2-(2'-羥基-3',5'-二-teRt-丁基苯基)-5-氯苯并***、2-(2'-羥基-3'-(3",4",5",6"-四氫酞醯亞胺甲基)-5'-甲基苯基)苯并***、2,2-伸甲基雙(4-(1,1,3,3-四甲基丁基)-6-(2H-苯并***-2-基)苯酚)、2-(2'-羥基-3'-teRt-丁基-5'-甲基苯基)-5-氯苯并***、2-(2H-苯并***-2-基)-6-(直鏈及支鏈十二烷基)-4-甲基苯酚、辛基-3-[3-teRt-丁基-4-羥基-5-(氯-2H-苯并***-2-基)苯基]丙酸酯與2-乙基己基-3-[3-teRt-丁基-4-羥基-5-(5-氯-2H-苯并***-2-基)苯基]丙酸酯之混合物等,但非限於該例。又以使用市售品吉紐姆(TINUVIN)109、吉紐姆(TINUVIN)171、吉紐姆(TINUVIN)326(均為吉巴斯公司製)為佳。
二苯甲酮系化合物之具體例如,2,4-二羥基二苯甲酮、2,2'-二羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2-羥基-4-甲氧基-5-磺基二苯甲酮、雙(2-甲氧基-4-羥基-5-苯醯苯基甲烷)等,但非限於該例。
本發明適用之上述紫外線吸收劑中較佳為,具有優良防止偏光子及液晶變質之效果的苯并***系紫外線吸收劑及二苯甲酮系紫外線吸收劑,特佳為較少不必要著色之苯并***系紫外線吸收劑。將紫外線吸收劑加入膠液之方法可為,紫外線吸收劑可溶解於膠液中之方法,並無特別限制,但本發明較佳為使用,將紫外線吸收劑溶解於二氯甲烷、乙酸甲酯、二茂烷等纖維素酯之良溶劑,或良溶劑與低級脂肪族醇(甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等)般弱溶劑之混合有機溶劑後,將所得紫外線吸收劑溶液混入纖維素酯溶液而得膠液之方法。因所得膠液溶劑組成與紫外線吸收劑溶液之溶劑組成相近而為佳。紫外線吸收劑之含量較佳為0.01質量%至5質量%,特佳為0.5質量%至3質量%。
所使用之防氧化劑較佳為阻胺苯酚系化合物,例如2,6-二-t-丁基-p-甲酚、季戊四醇-四[3-(3,5-二-t-丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、三乙二醇-雙[3-(3-t-丁基-5-甲基-4-羥基苯基)丙酸酯]、1,6-己二醇-雙[3-(3,5-二-t-丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、2,4-雙-(n-辛硫基)-6-(4-羥基-3,5-二-t-丁基苯胺基)-1,3,5-三嗪、2,2-硫基-二伸乙基雙[3-(3,5-二-t-丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、十八烷基-3-(3,5-二-t-丁基-4-羥基苯基)丙酸酯、N,N'-六伸甲基雙(3,5-二-t-丁基-4-羥基-氫化肉桂醯胺)、1,3,5-三甲基-2,4,6-三(3,5-二-t-丁基-4-羥基苄基)苯、三-(3,5-二-t-丁基-4-羥基苄基)-三聚異氰酸酯等。特佳為2,6-二-t-丁基-p-甲酚、季戊四醇-四[3-(3,5-二-t-丁基-4-羥基苯基)丙酸酯、三乙二醇-雙[3-(3-t-丁基-5-甲基-4-羥基苯基)丙酸酯]。又可併用N,N'-雙[3-(3,5-二-t-丁基-4-羥基苯基)丙醯基]肼等肼系之金屬不活性劑,及三(2,4-二-t-丁基苯基)磷酸酯等磷系加工安定劑。該化合物之添加量對纖維素酯之質量比較佳為1ppm至1.0%,更佳為10ppm至1000ppm。
本發明之纖維素酯薄膜中含有褪光劑時易搬運及捲取。該褪光劑又以微粒子物為佳,例如二氧化矽、二氧化鈦、氧化鋁、氧化鋯、碳酸鈣、高嶺土、滑石、燒成矽酸鈣、水合矽酸鈣、矽酸鋁、矽酸鎂、磷酸鈣等無機微粒子及交聯高分子微粒子。其中較佳為能減少薄膜霧化之二氧化矽。
二氧化矽等微粒子多半經有機物之表面處理,而所得物可降低薄膜霧化故為佳。
表面處理用之有機物較佳如,鹵矽烷類、烷氧基矽烷類、矽胺烷、矽氧烷等。微粒子之平均粒徑較大時滑性效果較大,相反地平均粒徑較小時透明性較優良。又,該微粒子之二次粒子平均粒徑為0.05 μ m至1.0 μ m,微粒子之二次粒子平均粒徑較佳為5nm至50nm,更佳為7nm至14nm。該微粒子於纖維素酯薄膜中可使纖維素酯薄膜表面生成0.01 μ m至1.0 μ m之凹凸狀故為佳。纖維素酯薄膜中微粒子含量對纖維素酯較佳為0.005質量%至0.3質量%。
該二氧化矽微粒子如,日本艾洛西(股)製之艾洛西(AEROSIL)200、200V、300、R972、R972V、R974、R202、R812、OX50、TT600等,較佳為艾洛西200V、R972、R972V、R974、R202、R812。又,該微粒子可2種以上併用,併用2種以上時混合比率可隨意。例如使用平均粒徑及材質不同之微粒子艾洛西200V及R972V時,其質量比可為0.1:99.9至99.9:0.1。
塗設配向層及液晶層時,褪光劑所造成的凹凸會阻礙配向,因此可僅於單面表層含有褪光劑、或塗設含有褪光劑及纖維素酯(二乙醯纖維素、纖維素乙酸酯丙酸酯等)之塗佈液以降低摩擦係數,而改善滑性。
其他可添加高嶺土、滑石、矽藻土、石英、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鈦、氧化鋁等無機微粒子、或鈣、鎂等鹼土類金屬之鹽等熱安定劑。又,可添加防靜電劑、難燃劑、滑劑、油劑等。
(b)流延步驟:經由加壓型定量齒輪泵將膠液送入加壓模頭中,再由加壓模頭將膠液流延於無限移送之無端的金屬帶,例如不銹鋼帶,或回轉之金屬轉筒等金屬支持物上的流延位置之步驟。其中金屬支持物之表面的鏡面。其他流延方法如,以刮板調節流延之膠膜膜厚的刮漿刀法、或以逆轉滾軸調節之逆輥塗法等,但以能調整模頭部分之縫隙形狀而易得均勻膜厚之加壓模頭為佳。該加壓模頭如,衣架型模頭及T模頭等,可隨意使用。為了提升製膜速度可於金屬支持物上設置2座以上加壓模頭以切割膠量及重疊。
(c)溶劑蒸發步驟:將金屬支持物上之纖維網(將膠液流延於金屬支持物而得之膠膜稱為纖維網)加熱至溶劑蒸發,而可由金屬支持物剝離纖維網為止之步驟。使溶劑蒸發之方法可為,對纖維網側吹風之方法及/或以液體由金屬支持物之背面傳熱的方法,或以輻射熱由表裏傳熱之方法等,但就乾燥效率又以背面液體傳熱之方法為佳。又,可組合使用該方法。
為了提升製膜速度可使用提升金屬支持物上之纖維網溫度的方法。但因過多的熱量供給會使纖維網所含之溶劑於纖維網內部產生氣泡,故需因應纖維網之組成規定較佳乾燥速度。又,為了提升製膜速度較佳為使用於帶狀金屬支持物上進行流延之方法。使用帶狀支持物進行流延時,帶長愈長流延速度可愈快。但擴增帶長時會因帶重量而助長彎性,而使製膜時產生震動造成流延時膜厚不均,故帶長較佳為40m至120m。
(d)剝離步驟:由剝離位置剝離金屬支持物上溶劑蒸發後之纖維網的步驟。其次將剝離後之纖維網送至下列步驟。剝離時纖維網之殘留溶劑量太多時將難剝離,相反地充分乾燥後由金屬支持物上剝離時纖維網易剝裂。
提升製膜速度之方法(儘可能保有溶劑殘留量下進行剝離以提升製膜速度)為凝膠流延法。
該方法如,對膠液中纖維素酯添加弱溶劑後進行流延而凝膠化之方法,或降低金屬支持物之溫度而凝膠化的方法等。於金屬支持物上凝膠化後可提升剝離時之膜強度,故易剝離而可提高膜強度。
本發明又以將金屬支持物上剝離位置之溫度調整為10℃至40℃為佳,更佳為調整至15℃至30℃。又,剝離位置之纖維網的殘留溶劑量較佳為5質量%至120質量%。本發明之殘留溶劑量可如一般式(1)所示。
於帶狀支持物上製膜時,提升速度會助長帶物震動,因此考量剝離時之溶劑殘留量及帶長下,製膜速度較佳為10m/分至120m/分,更佳為15m/分至60m/分。
本發明中將對纖維網全幅之溶劑殘留量稱為平均溶劑殘留量或中央部溶劑殘留量,又,將纖維網兩端部之溶劑殘留量稱為局部性溶劑殘留量。
(e)乾燥步驟:剝離後一般係使用,由交互通過千鳥狀配置之滾軸運送的乾燥裝置,及/或以夾子把持纖維網兩端運送之拉幅乾燥裝置進行乾燥。乾燥方式一般可由纖維網雙面吹熱風,又可使用微波爐加熱法。但急速乾燥易損傷薄膜平面性,因此通過整體之乾燥溫度一般為30至250℃。又,所使用之溶劑會使乾燥溫度、乾燥風量及乾燥時間不同,故需因應溶劑種類及組合適當選擇乾燥條件。
本發明之步驟D0係指,剝離流延薄膜後運送之拉幅部分的步驟。步驟D0中為了控制延伸時薄膜之溶劑殘留量,較佳為控制溫度。又,步驟D0中薄膜之溶劑殘留量會使膜不易向搬運方向延伸時,為了調整溶劑殘留量,溫度較佳為20℃至70℃,更佳為20℃至68℃,特佳為20℃至40℃。
就提高步驟D0中薄膜之均勻性觀點,又以薄膜面內垂直於薄膜搬運之方向(以下稱為幅度方向)中存在較佳的薄膜環境溫度分布。步驟D0之溫度分布較佳為±5℃以內,更佳為±2℃以內,最佳為±1℃以內。
就由支持物剝離之條件及步驟D0中防止住搬運方向延伸之觀點,步驟D0之薄膜搬運張力又以存在下列條件為佳。
步驟D0之薄膜搬運張力會受膠液物性、剝離時及步驟D0之溶劑殘留量、步驟D0之溫度等影響,但以30N/m至300N/m為佳,更佳為57N/m至284N/m,特佳為57N/m至170N/m。
為了防止薄膜搬運時延伸,需規定較佳之良溶劑與弱溶劑比率。即,步驟D0終點時之弱溶劑質量/(良溶劑質量+弱溶劑質量)×100(%)較佳為95質量%至15質量%,更佳為95質量%至25質量%,特佳為95質量%至30質量%。
(f)延伸步驟(亦稱為拉伸步驟)下面將以圖2說明本發明之延伸步驟(拉幅步驟)。
圖2中步驟A為,把持未圖示之薄膜搬運步驟D0運送之薄膜的步驟,其次步驟B為,如後述圖1所示之延伸角度延伸薄膜之幅度方向(垂直於薄膜進行方向之方向),步驟C為結束延伸後把持薄膜之狀態下運送的步驟。
本發明之相位差薄膜為,進行本發明之延伸處理時下列式(I)所示之R0為20至300nm,式(II)所示之Rt為70至400nm的纖維素酯薄膜。
式(I)Ro=(nx-ny)×d 式(II)Rt={(nx+ny)/2-nz}×d
[式中,nx為薄膜面內折射率最大之方向的折射率,ny為垂直於nx方向之薄膜面內的折射率,nz為薄膜厚度方向之折射率,d為薄膜厚度(nm)。]
即,本發明之相位差薄膜的特徵為,如申請專利範圍第1項延伸範圍為,最大延伸時之應力對破裂點應力為50至98%。
最大延伸時之應力可由把持薄膜用拉幅器之夾子部分附設測力傳感器等方法測得。本發明係依下列順序設定最大延伸時之應力。首先測定增加幅度方向之薄膜延伸倍率下薄膜破裂時之荷重,並以所得值為破裂點應力。其次以返回第一次測定值方式由無延伸狀態逐步增加拉幅器之延伸倍率,再以最大延伸時之荷重對第一次測得之值符合本發明範圍之方式設定薄膜延伸倍率。
延伸薄膜幅度方向時可以2階段性以上複數次延伸過程逐次延伸,及連續改變延伸速度。2階段性以上逐次延伸時較佳為,各階段中任一延伸過程的最大延伸時之應力對破裂點應力為50至98%,最佳為各階段的最大延伸之應力對破裂點應力均為50至98%。又以連續改變延伸速度調整最大延伸時之應力為佳。此時最大延伸時之應力以外的延伸途中階段性測定最大應力點之延伸應力較佳為,調整至對破裂點應力為50至98%。
延伸力為最大延伸時之應力對破裂點應力低於50%時將無法表現相位差,且會增加上述幅度方向之阻滯值偏差,相反地延伸力超過98%時易於延伸時產生霧化。
具體而言較佳為將對破裂點應力控制於60至95%,更佳為控制於70至95%,最佳為控制於80至95%。
又如申請專利範圍第1項其特徵係延伸範圍為,最大延伸時之應力絕對值為5至50MPa。
最大延伸時之應力可由上述測定荷重之方法、延伸時之薄膜厚度及夾子間距算出。又,以薄膜厚度及夾子間距除以最大延伸時之荷重而得的值為最大延伸時之應力絕對值,並以MPa單位表示。
以幅度方向延伸薄膜時,延伸過程可為2階段性以上之複數逐次延伸,及連續改變延伸速度。2階段性以上之逐次延伸時較佳為,各階段中任一延伸過程的最大延伸時之應力絕對值為5至50MPa,最佳為各階段的最大延伸時之應力絕對值均為5至50MPa。又以連續改變延伸速度調整最大延伸時之應力絕對值為佳。此時最大延伸時之應力以外的延伸途中階段性測定最大應力點之延伸應力絕對值較佳為,調整至5至50MPa。最大延伸時之應力絕對值低於5MPa時將無法表現相位差,且會增加上述幅度方向之阻滯值偏差,又超過50MPa時也會增加幅度方向之阻滯值偏差,及依條件而產生破裂。
具體而言較佳為,將最大延伸時之應力絕對值控制於10至40MPa,更佳為控制於15至30MPa,最佳為控制於18至25MPa。
如申請專利範圍第1項其特徵係延伸範圍為,最大延伸時之應力斜度為0.4至0.8MPa/%。最大延伸時之應力斜度可由,以幅度方向延伸薄膜時,測定把持薄膜用夾子部分附設測力傳感器時之經時荷重,再由此時之延伸倍率及測定薄膜厚度求取。具體而言即可由X軸二延伸倍率(%)、Y軸=延伸時加重(MPa)之斜度求取。
以幅度方向延伸薄膜時可為,延伸過程為2階段性以上之複數逐次延伸,及連續改變延伸速度。2階段性以上逐次延伸時較佳為,各階段中任一延伸過程的最大延伸時之應力斜度為0.4至0.8MPa/%,最佳為各階段的最大延伸時之應力絕對值為5至50MPa。又以連續改變延伸速度調整最大延伸時之應力斜度為佳。此時最大延伸時之應力斜度以外超越屈服點之延伸區間較佳為,將途中階段性測定最大應力點之延伸應力斜度調整為0.4至0.8MPa/%。
最大延伸時之應力斜度低於0.4MPa/%時將無法表現相位差,且會增加上述幅度方向之阻滯值偏差,又超過0.8MPa/%時也會增加幅度方向之阻滯值偏差。
具體而言較佳為,將最大延伸時之應力斜度控制於0.45至0.75MPa/%,更佳為控制於0.45至0.7MPa/%,最佳為0.45至0.55MPa/%。
破裂點應力可由延伸用薄膜材料、延伸時之溫度、延伸速度、拉幅器內之乾燥風量(控制壓力)等之延伸條件調整。
延伸用薄膜材料為纖維素酯時,會增加纖維素酯之分子間氫鍵結性的影響力,而該減弱效果之要素會傾向降低破裂點應力。具體而言即,提高纖維素酯之總取代度而增加X與Y比率中Y比率而使分子量降低時,會傾向降低破裂點應力。又,添加劑含有具氫鍵結性之部位時會減弱分子間力量,而傾向大幅降低破裂點應力。另外混入纖維素酯分子間而會加長分子間距之容積較高的添加劑,也會傾向降低破裂點應力。
所使用之有機溶劑會增加延伸時薄膜所含之溶劑量而減少弱溶劑比率時,將傾向降低破裂點應力。
又,延伸條件中延伸溫度太高或延伸速度較慢時,會傾向減少破裂點應力。因此調整上述要素可達成本發明。
延伸時之應力可由薄膜延伸時之溫度、薄膜中之溶劑殘留量、薄膜延伸倍率、薄膜之延伸速度、拉幅器內之乾燥風量(靜壓)等控制。即,控制破裂點應力之調整要素及最大延伸時之調整要素時可達成本發明。又,為了有效率發現相位差較佳為,以較低溫度及低溶劑殘留量進行延伸。但該條件以較低之延伸倍率及較低風量進行延伸時,易使薄膜之幅度方向產生相位差斑紋,而影響均勻性。另外重視薄膜之相位差均勻性時,以較高溫、高溶劑殘留量、高風量為延伸條件時,會有降低發現相位差之效率的問題。因此本發明中適當調整該條件以控制最大延伸時之應力、最大延伸時之應力及破裂點應力、最大延伸時之應力斜度時,可得均勻性優良之相位差薄膜。
如上述般本發明之纖維素酯薄膜中薄膜面內方向的阻滯值(Ro)較佳為20nm至300nm,更佳為30nm至200nm,特佳為40nm至150nm,最佳為40nm至75nm。
又同上述理由本發明之纖維素酯薄膜中薄膜厚度方向的阻滯值(Rt)較佳為70nm至1000nm,更佳為70nm至500nm,特佳為70nm至250nm。
另外以幅度方向延伸纖維素酯薄膜時特佳為,控制幅度方向之配向角分布範圍下進行延伸。於幅度方向之任何測定點測得的配向角較佳為,全部測定點之平均配向角的角度±2°以內,更佳為±1°,最佳為±0.5°。
本發明之配向角係指,纖維素酯薄膜面內之遲相軸方向(對流延製膜時之幅度方向的角度),又,可利用自動雙折射率KOBURA-21ADH測定配向角。
造成幅度延伸後纖維素酯薄膜之配向角混亂的原因之一推測為,薄膜之長度方向產生意圖不明的延伸情形。該長度方向出現意圖不明之延伸情形時,會出現長度方向含遲相軸之面內阻滯值,且會提高薄膜厚度方向之阻滯值,而使配向角變差。為了使薄膜出現幅度方向含遲相軸之面內阻滯值,而必需取消長度方向含遲相軸之面內阻滯值時,會更進一步提高薄膜厚度方向之阻滯值。因此均勻控制配向角時可使面內及厚度方向具有均勻阻滯值。
為了使液晶顯示器具有擴大視野角機能,需使液晶單元內之液晶零件具有適當阻滯值。本發明之纖維素酯薄膜中薄膜面內方向阻滯值(Ro)較佳為20nm至300nm,更佳為30nm至200nm,特佳為40nm至150nm,最佳為40nm至75nm。
又同上述理由本發明之纖維素酯薄膜中薄膜厚度方向阻滯值(Rt)較佳為70nm至400nm,更佳為70nm至300nm,特佳為70nm至200nm。
測定相位差之步驟如下所示。首先以阿貝折射率測定試料之平均折射率,再以自動雙折射率KOBRA-21ADH(王子計測機器(股)製)測定23℃、55%RH環境下波長590nm的,試料以遲相軸為軸傾斜時之光量的相位差。其後利用所得相位差算出薄膜面內方向之阻滯值(Ro)及膜厚方向之阻滯值(Rt)。
本發明之纖維素酯薄膜的面內方向阻滯值(Ro)分布較佳調整為5%以下,更佳為2%以下,特佳為1.5%以下。又,薄膜厚度方向之阻滯值(Rt)分布較佳調整為10%以下,更佳為2%以下,特佳為1.5%以下。
該阻滯值分布之數值係指,每隔1cm測定所得薄膜之幅度方向阻滯值後求得的所得阻滯值之變動係數(CV)。測定時可利用自動雙折射率KOBURA.21ADH(王子計測器(股)製),於23℃,55%RH之環境下以波長590nm測定試料每間隔1cm之幅度方向的3次元雙折射率,再以各自之(n-1)法計算所得面內及厚度方向之阻滯值的標準偏差。其後以下列所示之變動係數(CV)作為阻滯值分布指標。又,實際測定時將n設定為130至140。
變動係數(CV)=標準偏差/阻滯值平均值
就有效利用背光及顯示鮮明化之觀點,液晶顯示器用之相位差薄膜較佳為低霧化,且延伸後之薄膜霧化值較佳為2%以內,更佳為1.5%以內,特佳為1%以內。
依據JIS K-6714以霧化計器(1001DP型,日本電色工業(股)製)測得之值可作為透明性指標。
減壓捕集含殘留溶劑之樣品中的殘留溶劑後,以氣相色譜儀測定使各溶劑定量。
50℃下以2.5M-NaOH處理試料2.5分鐘後,以純水洗淨2.5分鐘。以溫度23℃、相對濕度55%之條件將處理後之試料調濕24小時,再使用共和界面科學股份公司製拉觸角計CA-D型測定。
下面將說明本發明之相位差薄膜(亦稱為相位差板)。
本發明之纖維素酯薄膜本身適用為擴大液晶顯示裝置之視野角用的相位差薄膜(相位差板)。又,可直接或介由其他層於本發明之相位差薄膜上設置含有光學各向異性化合物之光學各向異性層,而得光學補償片。
下面將說明本發明之偏光板,及使用其之本發明的液晶顯示裝置。
本發明之偏光板用的偏光子可為已知物。例如以碘等雙色性染料處理聚乙烯醇等親水性聚合物後延伸所得之物,或處理氯乙烯等塑料薄膜而配向之物。其後將所得偏光子層壓於纖維素酯薄膜上。
該偏光板係由本發明之相位差薄膜至少單側層合偏光子所構成。
本發明之相位差薄膜適用為偏光板保護薄膜,就接著性觀點,偏光子使用聚乙烯醇時本發明之相位差薄膜特佳為纖維素酯。所得之偏光板可設置於液晶單元之單元側單面上,或設置於兩面。無論任何型態均可將本發明之相位差薄膜以偏光子靠近液晶單元之方式貼合,而得本發明之液晶顯示裝置。
液晶顯示裝置組裝本發明之偏光板時,可得具有各種優良視別性之本發明液晶顯示裝置。本發明之相位差薄膜適用於反射型、透過型、半透過型LCD及TN型、STN型、OCB型、HAN型、VA型(PVA型、MVA型)、IPS型等各種驅動方式之LCD。
液晶顯示裝置設置本發明之光學補償薄膜時,一般係由位於驅動用液晶單元之兩側的一對基板上下設置上側偏光子及下側偏光子所構成,此時係於基板與上側或下側偏光子中任何一方之間、或基板各自與上側及下側偏光子之間設置至少1枚本發明之光學補償薄膜,但就低成本化及有效發現本發明目的之觀點,又以作為顯示裝置時觀察者側之偏光板與驅動液晶側之基板間設置,於本發明之光學補償薄膜為佳。
特別是液晶顯示裝置為扭轉向列型(TN型)液晶顯示裝置時,於最靠近TN型液晶單元之基板上接觸該光學補償薄膜之纖維素酯薄膜支持物面的方向上貼合相位差薄膜,且相位差薄膜之最大折射率方向貼合於最靠近液晶單元之基板上實質與向列液晶配向方向垂直的方同時,可有效發現本發明之目的。該實質性垂直係指90°±5°,較佳為90°。
液晶顯示裝置含有貼合液晶單元及偏光板之構造,因此會受熱、濕度等環境變動的影響,及受該影響下會經時產生尺寸變化,而使液晶單元承受來自偏光板之應力。該來自偏光板之應力會傳至液晶單元之內,而使液晶單元之間隙產生變化而使顯示均勻性產生問題。本發明可以上述偏光板保護薄膜之製造方法及選擇阻滯上升劑之種類解決該問題。其中阻滯上升劑較佳為安息香酸苯基酯化合物,具有1,3,5-三嗪環之化合物或反-1,4-環己烷二羧酸酯化合物。
以吸收軸角度為45°之方式將偏光板切為234mm×310mm大小後,以丙烯酸系黏著劑貼合各偏光板及厚0.7mm之玻璃板(250mm×350mm),得評估用之層合物。其次於60℃,90%RH下加熱處理該層合物24小時,再將層合物置於平滑之測定平台上,測定層合物之4個角對測定台的反撓量(mm),即層合物之4個角是否蹺離測定台(空間距離),並以4個角中反撓量最大之值為最大反撓量(mm)。
又,實施例中之評估結果以◎、○、△、×表示。
◎:低於3mm○:3mm以上低於4mm△:4mm以上低於5mm×:5mm以上
下面將以實施例具體說明本發明,但本發明非限於該例。
(膠液組成)實施例最初使用之纖維素酯薄膜的膠液組成如下所示。
纖維素酯:乙醯基取代度2.71 100質量份阻滯上升劑:史密索TM165F(住友化學製) 1質量份溶劑:二氯甲烷 300質量份乙醇 28質量份可塑劑:三苯基磷酸酯 8質量份乙基酞醯乙基乙醇酸酯 2質量份紫外線吸收劑:Ti326(吉巴斯(股)製) 0.3質量份Ti109(吉巴斯(股)製) 0.5質量份Ti171(吉巴斯(股)製) 0.5質量份褪光劑:R972V(日本艾洛西(股)製) 0.2質量份
將上述組成之膠液投入加壓溶解桶中,加熱攪拌使其完全溶解後,以安積濾紙(股)製之安積濾紙No.244過濾,得膠液。
其次使用帶狀流延裝置,將膠液均勻流延於寬2m之不銹鋼帶狀支持物上。將不銹鋼帶狀支持物上之溶劑蒸發使溶劑殘留量為110%後,由不銹鋼帶狀支持物剝離。剝離時以張力使縱(MD)延伸倍率為1.0倍之方式延伸後,以拉幅器把持纖維網兩端,再以幅度(TD)方向之延伸倍率為1.25倍之方式延伸。又,以下列實施例之條件延伸後維持數秒該幅度狀態後,緩和幅度方向之張力再解放,其後將所得物送入設定為125℃之第3乾燥區內30分鐘,得寬1.5m且端部具有寬1cm、高8 μ m之壓花的膜厚80 μ m之相位差薄膜1至8。
向幅度(TD)方向延伸時,依下列表1所示條件變得最大延伸時應力/破裂點應力:A(%),再評估所得相位差薄膜之霧化值、阻滯值Ro及Rt偏差。
(霧化值)依據JIS K-6714使用霧化計器(1001DP型,日本電色工業(股)製)測定所得相位差薄膜試料1枚,再以下列方式區分評估霧化值。
◎:霧化值低於1%○:霧化值1%以上低於1.5%△:霧化值1.5%以上低於2%×:霧化值2%以上
(阻滯值Ro及Rt偏差)測定所得薄膜之幅度方向每隔1cm的阻滯值,再以所得阻滯值之變動係數(CV)表示。測定時係使用自動雙折射計ROBURA.21ADH(王子計測器(股)製)於23℃,55%RH環境下以波長590nm測定試料之幅度方向每隔1cm的3次元雙折射率,再各自以(n-1)法求取所得面內及厚度方向之阻滯值的標準偏差。又,以下列所求取之變動係數(CV)作為阻滯分布之指標。實際測定時n設定為130至140。
變動係數(CV)=標準偏差/阻滯平均值◎:偏差(CV)低於1.5%○:偏差(CV)為1.5%以上低於5%△:偏差(CV)為5%以上低於10%×:偏差(CV)為10%以上
由表得知本發明之相位差薄膜2至7之霧化值、阻滯值Ro及Rt之偏差比比較例優良。
除了將纖維素酯變更為乙醯基取代度2.73、丙醯基取代度0.2之物、及依下列變更延伸條件外,其他同實施例1製作相位差薄膜9至17。
依下列表2所示條件變更幅度(TD)方向延伸時之最大延伸時應力絕對值:B(MPa),再評估所得相位差薄膜之霧化值、阻滯值Ro及Rt偏差。
由表得知本發明之相位差薄膜10至16之霧化值、阻滯值Ro及Rt之偏差比比較例優良。
除了將纖維素酯變更為乙醯基取代度2.78之物,及將阻滯上升劑量變更為1.5質量份,且依下列變更延伸條件外,其他同實施例1製作相位差薄膜18至25。
依下列表3所示條件變更幅度(TD)方向延伸時之最大延伸時應力斜度:C(MPa/%),再評估所得相位差薄膜之霧化值、阻滯值Ro及Rt偏差。
由表得知本發明之相位差薄膜19至24的霧化值、阻滯值Ro及Rt比比較例優良。
除了將纖維素酯變更為乙醯基取代度1.9、丙醯基取代度0.82之物、及將阻滯上升劑量變更為0.5質量份,且依下列變更延伸條件外,其他同實施例1製作相位差薄膜26至27。
依下列表4所示條件變更幅度(TD)方向延伸時之最大延伸應力/破裂點應力:A(%),最大延伸時應力絕對值:B(MPa)、最大延伸時之應力斜度:C(MPa/%),再評估所得相位差薄膜之霧化值、阻滯值Ro及Rt偏差。
又,相位差薄膜26及27之阻滯值中Ro各自為57及55,Rt各自為148及126。
由表得知本發明之相位差27的霧化值、阻滯值Ro及Rt偏差明顯比比較例優良。
單軸延伸(溫度110℃、延伸倍率5倍)厚120 μ m之聚乙烯醇薄膜後,將其浸漬於碘0.075g、碘化鉀5g及水100g所形成的水溶液中60秒後,再浸漬於碘化鉀6g、硼酸7.5g及水100g所形成的60℃水溶液中。水洗後乾燥,得偏光膜。
其次依下列步驟1至5貼合偏光膜、上述相位差薄膜26、27及背面側之纖維素酯薄膜,得偏光板。又,以市售之纖維素酯薄膜可尼卡KC8UX(可尼卡(股)製)為背面側偏光板保護薄膜,各自製作偏光板。
步驟1:浸漬於60℃下2莫耳/L之氫氧化鈉溶液中,90秒後水洗、乾燥,再將貼合偏光子側鹼化,得相位差薄膜。
步驟2:將上述偏光膜浸漬於固體成份2質量%之聚乙烯醇接著劑槽中1至2秒。
步驟3:輕輕拭去步驟2附著於偏光膜上過剩之接著劑後,層合於步驟1處理過之相位差薄膜上。
步驟4:以壓力20至30N/cm2
、搬運速度約2m/分貼合步驟3層合所得之相位差薄膜試料、偏光膜及纖維素酯薄膜。
步驟5:80℃之乾燥機中將步驟4所得之偏光膜、纖維素酯薄膜及相位差薄膜貼合而得之試料乾燥2分鐘,得偏光板。各自使用相位差薄膜26、27製作偏光板26、27。
以下列方法製作評估視別性用之液晶板,再評估作為液晶顯示裝置用之特性。
剝離預先貼合於富士通製顯示器VL-150SD雙面之偏光板後,將所得之偏光板26及27各自貼合於液晶單元之玻璃面上。
此時偏光板之貼合方式為,相位差薄膜面位於液晶單元側,且使吸收軸朝向同預先貼合之偏光板的方向,各自製作液晶顯示裝置26及27。
以目視觀察所得液晶顯示裝置評估視別性,結果相對於本發明之液晶顯示裝置27具有均勻之優良視別性,比較例之液晶顯示裝置26有大量色斑故視別性不良。
(製作膠液)下面為纖維素酯薄膜之膠液組成。
纖維素酯:乙醯基取代度2.81 100質量份阻滯上升劑:一般式(5)化合物(A-2) 1.9質量份溶劑:二氯甲烷 300質量份乙醇 28質量份可塑劑:三苯基磷酸酯 8質量份乙基酞醯乙基乙醇酸酯 2質量份紫外線吸收劑:Ti326(吉巴斯(股)製) 0.3質量份Ti109(吉巴斯(股)製) 0.5質量份Ti171(吉巴斯(股)製) 0.5質量份褪光劑:R972V(日本艾洛西(股)製) 0.2質量份
使用上述膠液同實施例1製作棒狀液晶+取代度2.8之纖維素酯28至55。又,同實施例5使用纖維素酯28至55製作偏光板28至55。
所得纖維素酯、偏光板及其各自製作條件、評估結果如表5所示。
如表5所示本發明之相位差薄膜的霧化值、阻滯值Ro及Rt偏差、反撓量均比比較例優良。
又,具有良好反撓量評估之試料使用於液晶顯示裝置時可具有特別優良之顯示均勻性效果。
圖1為,說明延伸步驟之延伸角度圖。
圖2為,本發明用拉幅步驟之一例的概略圖。
Claims (7)
- 一種相位差薄膜之製造方法,其特徵為,含有0.1至15質量%之至少由二個芳香族環所形成的阻滯(retardation)上升劑,且延伸處理時下列式(I)所示之Ro為20至300nm之範圍,下列式(II)所示之Rt為70至400nm之範圍的相位差薄膜之製造方法中,其為測定應力於符合下列(1)至(3)之製造條件下進行延伸;(1)延伸範圍為,最大延伸時之應力對破裂點應力為50至98%(2)延伸範圍為,最大延伸時之應力絕對值為5至50MPa(3)延伸範圍為,最大延伸時之應力斜度為0.4至0.8MPa/%式(I)Ro=(nx-ny)×d 式(II)Rt={(nx+ny)/2-nz}×d[式中,nx為薄膜面內折射率最大之方向的折射率,ny為垂直於nx之方向的薄膜面內折射率,nz為薄膜厚度方向之折射率,d為薄膜之厚度(nm)]。
- 如申請專利範圍第1項之相位差薄膜的製造方法,其中相位差薄膜係以纖維素酯為主成份。
- 如申請專利範圍第2項之相位差薄膜的製造方法,其中纖維素酯之總醯基取代度為2.7至2.95。
- 一種相位差薄膜之製造方法,其特徵為,如申請專利範圍第3項之相位差薄膜的製造方法中,將纖維素酯溶解於溶劑後流延於金屬支持物上,再由支持物剝離薄膜,其次於薄膜延伸時使延伸方向垂直於流延製膜方向。
- 一種相位差薄膜,其特徵為,由如申請專利範圍第1至4項中任何一項之相位差薄膜的製造方法製造。
- 一種偏光板,其為於偏光子之至少單側面上層合相位差薄膜所得之偏光板,其特徵為,具有如申請專利範圍第5項之相位差薄膜。
- 一種液晶顯示裝置,其為於液晶單元面上設有偏光板之液晶顯示裝置,其特徵為,具有如申請專利範圍第6項之偏光板。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004312116 | 2004-10-27 | ||
JP2005271997A JP4710505B2 (ja) | 2004-10-27 | 2005-09-20 | 位相差フィルムの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200628936A TW200628936A (en) | 2006-08-16 |
TWI393962B true TWI393962B (zh) | 2013-04-21 |
Family
ID=36633072
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW094136558A TWI393962B (zh) | 2004-10-27 | 2005-10-19 | A method of manufacturing a retardation film and a retardation film produced by the method, and a polarizing plate obtained by using the polarizing plate and the liquid crystal display device |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4710505B2 (zh) |
KR (1) | KR101213292B1 (zh) |
TW (1) | TWI393962B (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090130344A1 (en) * | 2005-11-10 | 2009-05-21 | Masaki Okazaki | Composition, film and liquid crystal display |
JP5169828B2 (ja) * | 2006-07-05 | 2013-03-27 | コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 | 偏光板保護フィルムの製造方法 |
KR101115075B1 (ko) * | 2007-12-26 | 2012-02-28 | 주식회사 엘지화학 | 위상차 필름, 이를 포함하는 편광판 및 액정 표시 장치 |
JP4885890B2 (ja) | 2008-01-31 | 2012-02-29 | 富士フイルム株式会社 | 位相差フィルムの製造方法 |
JP5546489B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2014-07-09 | 富士フイルム株式会社 | 偏光板、及びそれを有する液晶表示装置 |
JP6202009B2 (ja) * | 2013-01-08 | 2017-09-27 | コニカミノルタ株式会社 | セルロースアシレートフィルムの製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20010026338A1 (en) * | 2000-03-03 | 2001-10-04 | Eiichiro Aminaka | Optical compensatory sheet consisting of one cellulose acetate film |
TWI583232B (zh) * | 2010-01-11 | 2017-05-11 | 皇家飛利浦電子股份有限公司 | 於無線網路中組態一傳輸模式之方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002014230A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光学補償シート、偏光板および液晶表示装置 |
JP4219538B2 (ja) * | 2000-07-19 | 2009-02-04 | 富士フイルム株式会社 | 光学補償シートの製造方法 |
JP4438270B2 (ja) * | 2001-05-30 | 2010-03-24 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | セルロースエステルフィルム、セルロースエステルフィルムの製造方法、位相差フィルム、光学補償シート、楕円偏光板及び表示装置 |
JP2003279729A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-10-02 | Konica Corp | 位相差フィルム及びその製造方法、偏光板、液晶表示装置及び光学補償フィルム |
JP2004151640A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-05-27 | Konica Minolta Holdings Inc | 光学補償フィルム、楕円偏光板及び液晶表示装置 |
-
2005
- 2005-09-20 JP JP2005271997A patent/JP4710505B2/ja active Active
- 2005-10-19 TW TW094136558A patent/TWI393962B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-10-24 KR KR1020050100108A patent/KR101213292B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20010026338A1 (en) * | 2000-03-03 | 2001-10-04 | Eiichiro Aminaka | Optical compensatory sheet consisting of one cellulose acetate film |
TWI583232B (zh) * | 2010-01-11 | 2017-05-11 | 皇家飛利浦電子股份有限公司 | 於無線網路中組態一傳輸模式之方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4710505B2 (ja) | 2011-06-29 |
KR20060049305A (ko) | 2006-05-18 |
TW200628936A (en) | 2006-08-16 |
JP2006154760A (ja) | 2006-06-15 |
KR101213292B1 (ko) | 2012-12-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7153552B2 (en) | Polarizing plate and display | |
TWI412797B (zh) | A manufacturing method of a polarizing plate, a polarizing plate, and a liquid crystal display device | |
TWI427337B (zh) | Phase difference film, polarizing plate and vertical orientation type liquid crystal display device | |
TWI411519B (zh) | A retardation film, a method of manufacturing a retardation film, a polarizing plate, and a liquid crystal display device | |
US20090135345A1 (en) | Polarizing Plate Protective Film, Film Producing Method, Polarizing Plate, and Liquid Crystal Display | |
JP4617593B2 (ja) | 位相差フィルムの製造方法 | |
JP2010058331A (ja) | セルロースアシレート積層フィルム、その製造方法、偏光板および液晶表示装置 | |
TWI393962B (zh) | A method of manufacturing a retardation film and a retardation film produced by the method, and a polarizing plate obtained by using the polarizing plate and the liquid crystal display device | |
JP2003170492A (ja) | セルロースエステルフィルム、セルロースエステルフィルムの製造方法、位相差フィルム、光学補償シート、楕円偏光板及び表示装置 | |
TWI425256B (zh) | 偏光板及液晶顯示裝置,以及面內具配向性之親水性聚合物薄膜之製造方法 | |
US7541074B2 (en) | Optical film and optical compensatory film, polarizing plate and liquid crystal display using same | |
JP2008026881A (ja) | 光学フィルム、光学フィルムの製造方法、光学補償フィルム、偏光板および液晶表示装置。 | |
KR20070065336A (ko) | 편광판 및 액정 디스플레이 | |
JP4844064B2 (ja) | 位相差フィルム、位相差フィルムの製造方法及び偏光板、液晶表示装置 | |
JP4931539B2 (ja) | 光学補償フィルム、偏光板、及び液晶表示装置 | |
JP2006349728A (ja) | 位相差フィルムの製造方法、位相差フィルム、偏光板及び液晶表示装置 | |
JP2017102436A (ja) | ポリビニルアルコール系フィルム、およびそれを用いた偏光膜、偏光板、ならびにポリビニルアルコール系フィルムの製造方法 | |
JP4552591B2 (ja) | 偏光板の製造方法 | |
JP2008115298A (ja) | セルロースアシレート溶液とその調製方法、セルロースアシレートフィルムとその製造方法、光学補償フィルム、偏光板および液晶表示装置 | |
JP2008239786A (ja) | セルロースアシレートフィルムとその製造方法、偏光板および液晶表示装置 | |
JP2006176736A (ja) | セルロースアシレートペレットおよびセルロースアシレートフィルム | |
JP4470476B2 (ja) | 光学補償フィルム及びその製造方法、並びにそれを用いた偏光板及び液晶表示装置 | |
JP5445273B2 (ja) | 位相差フィルムの製造方法 | |
JP2006169305A (ja) | セルロースアシレートフィルムおよびその製造方法 | |
JP2005157038A (ja) | 偏光板及び表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |