TWI389365B - 有機電子裝置及其製造方法 - Google Patents

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Description

有機電子裝置及其製造方法
本發明係一種有機電子元件，這種有機電子元件具有一個基板、一個第一電極、一個位於第一電極之上的有機功能層、以及一個位於有機功能層之上的第二電極。
本專利申請要求享有德國專利申請10 2007 024 153.6及10 2007 019 081.8之優先權。
具有有機功能層的有機電子元件(例如有機發光二極體、有機太陽能電池、有機光電探測器)的效率及使用壽命取決於從電極到有機功能層或是從有機功能層到電極的電荷載體注入情況是否良好。
本發明的目的是提出一種具有較好之電極材料的有機電子元件，此種電極材料能夠改善電極和有功能層之間的電荷載體輸送。
採用具有申請專利範圍第1項之特徵的有機電子元件即可達到上述目的。申請專利範圍中其他附屬申請項目之內容為本發明之有機電子元件的各種有利的實施方式及一種製造有機電子元件的方法。
根據本發明的一種有利的實施方式，第一電極及/或第二電極含有錸化合物。這種有機電子元件具有一個基板、一個第一電極、一個位於第一電極之上的有機功能層、以及一個位於有機功能層之上的第二電極。
由於第一電極及/或第二電極含有錸化合物，因此可以改善有機電子元件之有機功能層及電極之間的電荷載體輸送，這對於改善有機電子元件的效率及延長使用壽命均有助益。
以位於第一電極之上的有機功能層為例，在層序列中所謂”位於....之上”的意思是有機功能層可以和第一電極直接接觸，但也可以是在有機功能層及第一電極之間還有其他的層存在。
錸化合物可以是一種錸－側氧－化合物，例如氧化錸。
根據本發明的一種改良方式，第一電極及/或第二電極是透明的。因此可以根據應用場合的需要，讓可見光穿過電極發射出去，或是讓光線穿過電極進入有機功能層。
根據本發明的另外一種實施方式，第一電極及/或第二電極含有聚合錸化合物。此外，這些聚合錸化合物可以是有機金屬氧化錸或有機錸－側氧－化合物。例如聚烷基三氧化錸、被置換或未被置換的聚環戊二烯基三氧化錸、具有至少一個芳香族置換物的聚三氧化錸都是聚合氧化錸的例子。聚合錸化合物可以是一種聚甲基三氧化錸(聚合MTO)。以上提及的化合物都很容易經由聚合反應製成，而且都具有很好的穩定性。此外，這些化合物都可以被用來取代傳統的電極製造材料。
此外，聚錸化合物也可以含有摻雜物質。摻雜物質可以提高錸化合物的固有導電性，例如四噻富瓦烯(TTF)、雙－(伸乙二硫醇)－四噻富瓦烯(BEDT－TTF)、SbF3 、V、Mo、或 W均可作為摻雜物質。此外，將錸化合物摻雜還可以改善電極和有機功能層之間的電荷載體輸送，例如改善從電極到有機功能層的電荷載體注入情況。
根據本發明的另外一種實施方式，在有機功能層及第一電極及/或第二電極之間設有一個摻雜的半導電層。這個摻雜的半導電層的摻雜物質含有錸化合物(例如錸－側氧－化合物)。
根據本發明的另外一種實施方式，摻雜物質含有一個ReO3 單元，一個可以是有機的M基連結在這個ReO3 單元上。由於ReO3 單元具有微小的氧化力，因此可以和有機基形成穩定的結合。M基可以用σ連結的方式連結在ReO3 單元上。由於ReO3 的氧化還原穩定性非常大，因此與一個σ連結之有機基的金屬有機化合物是很穩定的。此外，由於連結一個有機M基的ReO3 單元具有路易士酸的特性，因此能夠產生很好的摻雜作用。
M基可以是一種選自分枝或未分枝的飽和脂肪烴基、分枝或未分枝的不飽和脂肪烴基、芳香族、碳酸的陰離子、鹵化物、史丹尼基(Stanyl)、或甲矽烷基。例如飽和脂肪烴基可以是甲基、乙基、丙基，也可以是被置換的脂肪族，例如苯甲基脂肪族或氟化脂肪族。芳香族的例子包括苯基、茚基、(Mesityl)。醋酸鹽、三氟醋酸鹽、以及甲苯硫等都是碳酸或有機酸的陰離子的例子。矽烷基的一個例子是三甲基矽烷基，氯基·溴基、碘基均為鹵化物的例子。這些M基可以和ReO3 單元形成穩定的σ鍵結。此外，脂 肪烴基、芳香族、以及碳酸的陰離子都可以含有其他的置換物，而且最好是一種施體置換物，例如胺、膦(Phosphane)、或硫醇。這些置換物可以強化摻雜物質的p型摻雜作用。
根據本發明的另外一種實施方式，M基是以π連結的方式連結在ReO3 單元上。此外，M基可以含有未被置換或被置換的環戊二烯基。這個環戊二烯基的構造式為C5 Rx H5－x ，其中x＝1－5，R可以含有置換物，這些置換物可以含有一個烷基(例如甲基、乙基)或芳基(例如苯基)。帶有π連結之有機M基的錸氧化物也可以構成穩定的化合物，而且是路易士酸。
根據本發明的一種改良方式，半導電層的基質材料含有作為摻雜物質的錸化合物。此外，可以加入摻雜物質將這種基質材料p型摻雜。這樣就可以在基質材料中形成處於促成電荷載體輸送之量級的正電荷或部分電荷。在p型摻雜中，摻雜物質的最低未佔據分子軌道(LUMO)在能量上可以被局限在接近或甚至是位於基質材料的最高佔據分子軌道(HOMO)之下的範圍，因此基質材料之HOMO的電子會轉向摻雜物質的LUMO，因而在基質材料中形成正電荷或部分電荷。
根據本發明的另外一種實施方式，基質材料是一種空穴導電材料，這種材料可以含有氮、氧、硫、硒、磷、砷、以及這些成份的任意組合，但前提是要能夠將電子或負部分電荷輸送到p型摻雜物質。
此外，基質材料也可以是一種啡啉(Phenantrolin)衍生物、咪唑衍生物、***衍生物、噁二唑衍生物、含有苯基的化合物、含有凝結之芳香族的化合物、含有咔唑的化合物、茀衍生物、螺結茀衍生物、含有比啶的化合物、以及這些材料的任意組合。以下是以三芳胺及咔唑化合物為主要成份之基質材料的構造式的例子：－－N,N’－二苯基－N,N’－(三甲基苯基)－1－1’－聯苯－4,4’－二胺(TPD，構造式1)－－4,4’,4”－三(N－(3－三甲基苯基)－N－苯基－胺基)三苯胺(m－MTDATA，構造式2)－－2,9－二甲基－4,7－二苯基－1,10－啡啉(BCP，構造式3)－－4,4’,4”－三(N－(萘－1－基)－N－苯基－胺基)三苯胺(1－TNATA，構造式4)－－2,2’,7,7’－四(二苯胺)－9－9’－螺結茀(Spiro－TAD，構造式5)－－4,4’－N,N’－二咔唑聯苯(CBp，構造式6)－－N,N’－取(萘－1－基)－N－N’－双(苯基)聯苯胺(α－NPD，構造式7)
啡啉衍生物的一個例子是4,7－二苯基－1,10－啡啉(Bphen)，咪唑衍生物的一個例子是1,3,5－三－(1－苯基－1氫－苯并咪唑－2－基)－苯(TPBi)，***衍生物的一個例子是3－苯基－4－(1’－萘基)－5－苯基－1,2,4－***(TAZ)，噁二唑衍生物的一個例子是((2，4－聯苯)－5－(4－三－丁基苯基)－1,3,4－噁二唑(Bu－PBD)，含有苯基的化合物及含有凝結之芳香族的化合物的例子包括萘基－苯基－二胺(NPD)、(4,4’－双(2,2－二苯基－乙烯－1－基)－二苯基)(DPVBi)、紅螢烯、(N,N’－双(萘－1－基))－N－N’－双(苯基)聯苯胺(α－NPD)、(4,4’,4”－參(N－(萘－１－基)－N－苯基－胺基)三苯胺)(1－TNATA)、含有咔唑的化合物的例子包括(4,4’－双(9－乙基－3－咔唑乙烯基)1,1’－二苯基)(BCzVBi)及較小的咔唑衍生物，例如(4,4’－双(咔唑－9－基)双二苯基)(CBP)。這些化合物含有前面提及的電子施體，例如氮、氧、硫，這些施體都很適合與錸化合物(例如錸－側氧－化合物)摻雜。此外，錸化合物也可以是一種接收基質材料中的電子或負電荷及/或部分電荷的路易士酸，因此可以產生一種p型摻雜。
摻雜物質及基質材料可以結合成一種複合物。構造式8顯示一種可能的摻雜機制：
構造式8顯示ReO3 單元和σ連結或π連結之有機基的摻雜作用。R1 、R2 、R3 代表芳香族上的置換模式。置換物的數量也可以多於或少於構造式4顯示之置換物的數量。置換物種類並無任何限制。ReO3 單元也可以和σ連結或π連結之有機基可以形成穩定的複合物，此複合物是經由部分電荷δ＋ 及δ－ 與基質材料穩定的結合在一起。具有構造式8的複合物可以耐受400℃的溫度，因此即使是對在高溫下運轉的有機電子元件也能夠產生很好的摻雜作用。基質材料與摻雜物質的莫耳比可以在0.001至1之間變動。
根據本發明的另外一種實施方式，半導電層具有一個電荷輸送層/電荷注入層，或是半導電層具有電荷輸送層/電荷注入層的功能。半導電層能夠將電荷輸送至第一電極，或是從第一電極或第二電極獲得電荷。此外，電荷輸送層/電荷注入層可以是一種空穴輸送層/空穴注入層。在這種情況下，正電荷可以從第一電極被輸送到有機功能層，但前提是第一電極或第二電極是作為陽極。
根據本發明的另外一種實施方式，本發明的有機電子元件是一種場效應電晶體、太陽能電池、或光電探測器。
此外，本發明的有機電子元件也可以是一種發光二極體。對發光二極體的半導電層進行摻雜可以提高發光二極體的亮度、效率、以及使用壽命。
根據本發明的另外一種實施方式，發光二極體的有機功能層具有一個能夠發射從紅外線到紫外線之範圍的輻射發射層，例如一個能夠發射可見光波長範圍之光線的輻射 發射層(有機發光二極體)。將第一電極和電二電極與電場接通，使電致發光有機功能層經由空穴及電子的復合而發出光線(電致發光)。這個光線可以穿過第一電極及/或第二電極(視那一個電極是可以讓光線穿過的透明電極而定)向外發射出去。
此外，本發明還提出一種製造具有以上提及之特徴的有機電子元件的方法。這種方法的步驟是：A)準備一個基板，B)在基板上形成一個功能性層配置，這個層配置包括一個第一電極、一個位於第一半導電層之上的有機功能層、以及一個位於有機功能層之上的第二電極。第一電極及/或第二電極含有聚合錸化合物。根據本發明的另外一種實施方式，步驟B)分為：步驟B1)在基板上形成第一電極，B2)在第一電極之上形成一個有機功能層，B3)在有機功能層之上形成一個第二電極。
此外，可以在步驟B1)及/或步驟B3)將單體錸化合物凝結在基板及/或有機功能層上，然後加熱，以產生錸化合物的聚合反應，因而形成第一電極及/或第二電極。單體錸化合物是一種烷基三氧化錸、被置換或未被置換的環戊二烯基三氧化錸、或具有至少一個芳香族置換物的三氧化錸。此外，錸化合物還可以含有選自V、Mo、或W作為摻雜物質。錸化合物的摻雜物質含量應小於20%。
根據本發明的另外一種實施方式，可以在步驟B1)及/或步驟B3)將摻雜物質摻雜到聚合錸化合物中。所摻雜之摻雜物質是一種四噻富瓦烯、雙－(伸乙二硫醇)－四噻富瓦烯、 或SbF3 。加入摻雜物質可以進一步改善從電極到有機功能層(以及從有機功能層到電極)的電荷載體注入，以及提高電極的固有導電性。
根據本發明的另外一種實施方式，可以在步驟B1)及/或步驟B2)之後加上一個步驟C)，步驟C)是在第一電極及/或有機功能層之上形成一個半導電層。在步驟C)可以同時將作為摻雜物質的錸化合物及一種基質材料沉積在第一電極及/或有機功能層上。位於有機功能層及第一電極及/或第二電極之間的含有摻雜物質的半導電層的導電性大於未摻雜之半導電層的導電性·此外，可以在步驟C)利用錸化合物的沉積速率與基質材料的沉積速率的莫耳比來調整錸化合物與基質材料的莫耳比。基質材料與摻雜物質的莫耳比可以在0.001至1之間變動。此外，步驟C)在形成半導電層期間可以改變基質材料與錸化合物的莫耳比，以便在沉積層內形成一個基質材料與錸化合物的莫耳比梯度。這樣就可以利用厚度調整半導電層內的導電性。
根據本發明的另外一種實施方式，在步驟C)沉積出一個厚度為30 nm的半導電層。除了可以同時沉積出基質材料及錸化合物外，另外一種可行的方式是先沉積出一個純錸化合物層，然後再沉積出基質材料。這個純錸化合物層的厚度小於10 nm。錸化合物的摻雜作用主要是作用在第一電極及/或第二電極與半導電層之間的臨界面上。在這個臨界面上，一部分的基質材料可以進入第一電極及/或第二電極的聚合錸化合物中，並形成一夾插連接。
根據本發明的另外一種實施方式，可以在第一電極及/或第二電極之上另外沉積出一個由其他電極材料構成的電極層。例如金屬、合金、有機導電材料、金屬氧化物等均可作為這個電極層的材料。
根據本發明的另外一種實施方式，可以在步驟A)準備一個玻璃基板。此外，可以用第一電極作為陽極。根據本發明的另外一種實施方式，可以用第一電極作為陰極。如果有機電子元件是一種發光二極體，則輻射(例如可見光)就可以通過基板向外發出。
以下配合圖式及實施例對本發明的內容做進一步的說明。
第1圖：有機電子元件的一個側視圖。
第1圖以示意方式顯示本發明之有機電子元件的一種實施方式的側視圖。第一電極(2)位於基板(1)之上，第一半導電層(3)位於第一電極(2)之上，有機功能層(4)位於第一半導電層(3)之上，第二電極(5)位於有機功能層(4)之上。基板(1)可以是一種玻璃基板。第一電極及/或第二電極含有聚合錸化合物(例如錸－側氧－化合物)，這些聚合錸氧化物可以是聚烷基三氧化錸·被置換或未被置換的聚環戊二烯基三氧化錸、或具有至少一個芳香族置換物的聚三氧化錸。例如第一電極及/或第二電極的聚合錸－羰基－化合物是一種聚甲基三氧化錸(聚合MTO)。聚合錸－側氧－化合物可以含有摻雜物質，例如四噻富瓦烯、雙－(伸乙二硫醇)－四噻富瓦烯、 SbF3 、V、Mo、或W。此外，第一電極及/或第二電極還可以具有另外一個沉積層(未在圖式中繪出)，這個沉積層的材料可以是一種金屬及其合金、貴金屬及其合金、金屬氧化物、或摻雜聚合物。例如第一電極及/或第二電極的這個沉積層可以含有氧化銦錫(ITO)、鋁·或AlMg3 。第一半導電層(3)含有一種基質材料及一種摻雜物質。基質材料可以是具有電子施體功能的有機材料，例如啡啉衍生物、咪唑衍生物、***衍生物、噁二唑衍生物、含有苯基的化合物、含有凝結之芳香族的化合物、含有咔唑的化合物、茀衍生物、螺結茀衍生物、含有吡啶的化合物、或是這些材料的任意組合。這一類基質材料的例子包括Bphen、BCP、TPBi、TAZ、Bu－PBD、DPVBi、紅螢烯、α－NPD(NPB)、l－TNATA、CBP、BCZ VBi，其中紅螢烯及BCzVBi也可以作為輻射發射材料。摻雜物質可以是錸化合物、氧化錸、氧化錸的金屬有機衍生物、氧化錸鹵化物、或是這些化合物的混合物。此外，摻雜物質可以含有一個ReO3 單元，而且有一個可以是有機的M基連結在這個ReO3 單元上。M基可以用σ連結的方式連結在ReO3 單元上。在這種情況下M基可以是一種飽和脂肪烴基、不飽和脂肪烴基、芳香族、碳酸的陰離子、鹵化物、史丹尼基、或甲矽烷基。脂肪烴基、芳香族、以及碳酸的陰離子都可以含有其他的置換物。M基也可以用π連結的方式連結在ReO3 單元上。在這種情況下M基可以含有未被置換或被置換的環戊二烯基，這個環戊二烯基的構造式為C5 Rx H5－x ，其中x＝1－5，R可以分別是甲基、 乙基、或苯基。摻雜物質及基質材料構成一種複合物。這種複合物的特性是可以耐受400℃的高溫，而且容易升華及被加工處理。基質材料與摻雜物質的莫耳比可以視需要在0.001至1之間變化。此外，也可以改變半導電層(3)內的基質材料與摻雜物質的莫耳比，以形成梯度。半導電層(3)可以具有一個電荷輸送層/電荷注入層，例如一個空穴輸送層/空穴注入層。此外，第一電極(2)可以作為陽極。有機功能層(4)可以具有一個輻射發射層。第1圖顯示的有機電子元件可以是一個有機發光二極體(OLED)，也可以是一個場效應電晶體、太陽能電池、或光電探測器。如果是一個場效應電晶體，則具有一個源電極、一個門電極、以及一個汲電極(未在圖式中繪出)，其中源電極和汲電極均有摻雜，且在二者之間有設置一個有摻雜或未摻雜的半導體。
將錸化合物(例如錸－側氧－化合物)作為p型摻雜物質摻雜到半導電層(3)中，可以改善半導電層的導電性及形成穩定的p型摻雜，以提高有機電子元件的效率及使用壽命，而且可以任意選擇第一電極及/或第二電極的材料。
將聚合錸化合物(例如錸－側氧－化合物)摻雜到第一電極及/或第二電極中可以提高電極的導電性，以及改善從電極到半導電層或有機功能層(以及從半導電層或有機功能層到電極)的電荷載體注入，這對於提高有機電子元件的效率及延長使用壽命均有助益。
實施例1
這個實施例是以甲基三氧化錸(MTO)為材料製造電 極。在一個高真空容器(基本壓力<10－5 mbar)內安裝一個可以冷卻及加熱的基板轉盤(－30℃至－50℃至最高200℃)。經由一個預熱至60℃左右的進氣口將MTO導入容器內。另外一種方式是經由一種惰性載運氣體將MTO導入容器內。MTO會凝結在一片位於被冷卻至－30℃之基板轉盤上的玻璃片或石英片或塑膠膜上。在MTO層的厚度達到約150 nm後，導入乾燥的惰性氣體，使容器內的壓力從10 mbar升高到約900 mbar。接著以0.1至20 K/mln的速度慢慢的將半硬的固體加熱到高於熔點(108℃)並一直加熱到250℃。在這個過程中會在碳氫化合物(主要是甲烷)分解的情況下產生聚合反應。除此之外還可以將其他的物質(例如TTF、BEDT－TTF、SbF3 )摻雜到電極中。聚合反應結束後接著就會沉積出電極。必要時可以用140℃至250℃的溫度進行熱處理，以便使沉積出的電極變得更堅固。這種方法很適合用來在基板上沉積出第一電極，在其他的層也形成後，也可以利用這種方法沉積出第二電極。如果要製造的是發光二極體，利用這種方法可以製造出頂部發射的發光二極體及底部發射的發光二極體。
實施例2：
這個實施例是先將一個高真空容器(基本壓力<10－7 mbar)內的一個裝有玻璃板的基板轉盤冷卻到－10℃。接著經由一個預熱至60℃左右的進氣口將MTO導入容器內。在凝結在玻璃板上的MTO層的厚度達到150 nm後，接著導入乾燥的氬氣，使容器內的壓力升高到約250 mbar。然後以 3 K/min的速度慢慢的將半硬的固體加熱到高於熔點(106℃)並一直加熱到110℃，在這個過程中會在甲烷分解的情況下經聚合反應產生聚合MTO。聚合反應結束後接著就會沉積出電極。然後將基板從高真空容器中取出，並以光刻使基板結構化。將NPB裝到高真空容器內一個有蓋的電熱儲槽內，作為NPB源。接著將帶有結構化聚合MTO電極的玻璃板固定在基板固定架上與NPB源相距約25 cm的位置。這樣就可以使NPB及MTO同時沉積在電極上。以這種方式在電極上沉積出一個總厚度為30 nm的半導電層。接著再沉積出一層厚度10 nm的純NPB作為電子阻擋層。接著就可以繼續沉積出電子元件的其他層。在這個實施例中，半導電層的摻雜濃度可以達到50%。摻雜濃度也可以是只有1%。除了以NPB作為基質材料外，也可以用Bphen、TAZ、或萘－四碳酸氫化物作為基質材料。除了以MTO作為摻雜物質外，也可以用環戊二烯基三羥基－錸或五甲基環戊二烯基三羥基－錸作為摻雜物質。在半導電層中，基質材料與摻雜物質之莫耳比的摻雜梯度可以介於10：1至10000：1之問。電極材料的聚合反應結束後，可以加熱至130℃使電極變得更堅固。利用這種方法可以製造出頂部發射的發光二極體或底部發射的發光二極體。
第1圖顯示的例子及製造的實施例是可以任意變化的。另外必須注意的是，本發明的範圍並非僅限於以上所舉的例子及實施例，而是還包括其他未在此處說明的實施方式。
1‧‧‧基板
2‧‧‧第一電極
3‧‧‧半導電層
4‧‧‧有機功能層
5‧‧‧第二電極
第1圖：有機電子元件的－個側視圖。
1‧‧‧基板
2‧‧‧第一電極
3‧‧‧半導電層
4‧‧‧有機功能層
5‧‧‧第二電極

Claims (38)

  1. 一種有機電子元件，具有--一個基板(1)，--一個第一電極(2)，--一個位於第一電極(2)之上的有機功能層(4)，--一個位於有機功能層(4)之上的第二電極(5)，其特徵為：第一電極(2)及/或第二電極(5)含有錸化合物。
  2. 如申請專利範圍第1項的元件，其中第一電極(2)及/或第二電極(5)是透明的。
  3. 如申請專利範圍第1或2項的元件，其中第一電極(2)及/或第二電極(5)含有聚合錸化合物。
  4. 如申請專利範圍第3項的元件，其中聚合錸化合物是有機金屬氧化錸。
  5. 如申請專利範圍第4項的元件，其中聚合錸氧化物是一種聚烷基三氧化錸、被置換或未被置換的聚環戊二烯基三氧化錸、或具有至少一個芳香族置換物的聚三氧化錸。
  6. 如申請專利範圍第3項的元件，其中聚合錸化合物是聚甲基三氧化錸。
  7. 如申請專利範圍第3項的元件，其中聚合錸化合物含有摻雜物質。
  8. 如申請專利範圍第7項的元件，其中摻雜物質是一種四噻富瓦烯、雙-(伸乙二硫醇)-四噻富瓦烯、SbF3 、V、Mo、或W。
  9. 如申請專利範圍第1項的元件，其中在有機功能層(4)及第一電極(2)及/或第二電極(5)之間設有一個摻雜的半導電層 (3)。
  10. 如申請專利範圍第9項的元件，其中摻雜的半導電層(3)的摻雜物質含有錸化合物。
  11. 如申請專利範圍第10項的元件，其中摻雜物質含有一個ReO3 單元，而且有一個M基連結在這個ReO3 單元上。
  12. 如申請專利範圍第11項的元件，其中M基是以σ連結的方式連結在ReO3 單元上。
  13. 如申請專利範圍第11項或第12項的元件，其中M基係選自於分枝或未分枝的飽和脂肪烴基、分枝或未分枝的不飽和脂肪烴基、芳香族、碳酸的陰離子、鹵化物、史丹尼基、或甲矽烷基。
  14. 如申請專利範圍第13項的元件，其中脂肪烴基、芳香族、以及碳酸的陰離子含有其他的置換物。
  15. 如申請專利範圍第11項的元件，其中M基是以π連結的方式連結在ReO3 單元上。
  16. 如申請專利範圍第15項的元件，其中M基含有未被置換或被置換的環戊二烯基。
  17. 如申請專利範圍第9項的元件，其中半導電層(3)含有一種有摻雜錸化合物的基質材料。
  18. 如申請專利範圍第17項的元件，其中基質材料被錸化合物p型摻雜。
  19. 如申請專利範圍第17項或第18項的元件，其中基質材料是一種啡啉衍生物、咪唑衍生物、***衍生物、噁二唑衍生物、含有苯基的化合物、含有凝結之芳香族的化合物、含有咔唑的化合物、茀衍生物、螺結茀衍生物、含有吡啶的 化合物、或是這些材料的任意組合。
  20. 如申請專利範圍第17項的元件，其中錸化合物及基質材料結合成一種複合物。
  21. 如申請專利範圍第9項的元件，其中半導電層(3)具有一個電荷輸送層/電荷注入層。
  22. 如申請專利範圍第1項的元件，其中該元件是一種場效應電晶體、太陽能電池、或光電探測器。
  23. 如申請專利範圍第1項的元件，其中該元件具有發光二極體。
  24. 如申請專利範圍第23項的元件，其中有機功能層(4)具有一個輻射發射層。
  25. 一種製造如申請專利範圍第1項至第24項中任一項之有機電子元件的方法，其步驟為：A)準備一個基板(1)，B)在基板(1)上形成一個功能性層配置，這個層配置包括一個第一電極(2)、一個位於第一電極之上的有機功能層(4)、以及一個位於有機功能層之上的第二電極(5)，其中第一電極(2)及/或第二電極(5)含有聚合錸化合物。
  26. 如申請專利範圍第25項的方法，其中步驟B)分為：B1)在基板(1)上形成第一電極(2)，B2)在第一電極(2)之上形成一個有機功能層(4)，B3)在有機功能層(4)之上形成一個第二電極(5)。
  27. 如申請專利範圍第26項的方法，其中在步驟B1)及/或步驟B3)將單體錸化合物凝結在基板(1)及/或有機功能層(4)上，然後加熱，以產生錸化合物的聚合反應，因而形成第一電 極(2)及/或第二電極(5)。
  28. 如申請專利範圍第27項的方法，其中單體錸化合物是一種烷基三氧化錸、被置換或未被置換的環戊二烯基三氧化錸、或具有至少一個芳香族置換物的三氧化錸。
  29. 如申請專利範圍第28項的方法，其中錸化合物含有的摻雜物質是選自於V、Mo、或W。
  30. 如申請專利範圍第27項的方法，其中在步驟B1)及/或步驟B3)形成含有聚合錸化合物及摻雜物質的第一電極(2)及/或第二電極(5)。
  31. 如申請專利範圍第30項的方法，其中摻雜物質是一種四噻富瓦烯、雙-(伸乙二硫醇)-四噻富瓦烯、或SbF3 。
  32. 如申請專利範圍第26項的方法，其中在步驟B1)及/或步驟B2)之後加上一個步驟C)，步驟C)是在第一電極(2)及/或有機功能層(4)之上形成一個半導電層(3)。
  33. 如申請專利範圍第32項的方法，其中在步驟C)同時將作為摻雜物質的錸化合物及一種基質材料沉積在第一電極(2)及/或有機功能層(4)上，因而形成半導電層(3)。
  34. 如申請專利範圍第32項或第33項的方法，其中在步驟C)利用錸化合物的沉積速率與基質材料的沉積速率的莫耳比來調整錸化合物與基質材料的莫耳比。
  35. 如申請專利範圍第32項的方法，其中在步驟C)沉積出的半導電層(3)的厚度為30 nm。
  36. 如申請專利範圍第25項的方法，其中在步驟A)準備一個玻璃基板。
  37. 如申請專利範圍第25項的方法，其中以第一電極(2)作為陽 極。
  38. 如申請專利範圍第25項的方法，其中以第一電極(2)作為陰極。
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