TWI383349B - 參考電壓產生電路、顯示面板及顯示裝置 - Google Patents

Description

參考電壓產生電路、顯示面板及顯示裝置

本發明係關於一種參考電壓產生電路、顯示面板及顯示裝置。

隨著顯示科技的發展，顯示裝置及其產品已經廣泛地被人們使用。

請參照圖1所示，習知之一顯示裝置1係包含一系統電壓源11、一直流－直流電源轉換器(DC－DC converter)12、一參考電壓產生電路13、一驅動電路14及一畫素陣列15。

直流－直流電源轉換器12係將系統電壓源11所輸出之系統電壓V1_C (一般約為3.3V~5V)轉換為一升壓電壓V1_A (一般約9V~13V)，並分別將其提供至參考電壓產生電路13、驅動電路14及顯示裝置1之其他部件以作為運作時所需之電源。

請同時參照圖1及圖2所示，參考電壓產生電路13係具有複數個電阻器R1a~R1_k ，其係依序串聯形成一電阻串131。其中電阻串131係依據升壓電壓V1_A 而產生複數個參考電壓V1_{R a} ~V1_{R j} 以輸出至驅動電路14。驅動電路14係接收一影像資料，並依據與影像資料相對應之參考電壓以產生一驅動電壓V1_D 來驅動畫素陣列15顯示一畫面。

然而，隨著顯示畫面的不同，使得驅動電路14所產生之驅動電壓V1_D 亦不同，造成直流－直流電源轉換器12所對應的負載(loading)不一而導致升壓電壓V1_A 容易夾帶有雜訊。另外，直流－直流電源轉換器12將系統電壓V1_C 轉換為升壓電壓V1_A 的過程亦容易使升壓電壓V1_A 夾帶有雜訊，而使參考電壓產生電路13所產生之參考電壓V1_{R a} ~V1_{R j} 不穩定，導致顯示畫面出現干擾(crosstalk)等問題，而降低顯示裝置1之顯示品質。

為了解決上述問題，業者開發出具有穩壓功能之參考電壓產生電路。

請參照圖3所示，習知之參考電壓產生電路13’與上述之參考電壓產生電路13(如圖2所示)不同的是，參考電壓產生電路13’更包含一並聯穩壓器132’(shunt regulator)，以與電阻串131之一端E1₁ 電性連接，其中並聯穩壓器132’係由至少一稽納二極體(Zener diode)Z₁ 及二個電阻器R_{Z 1} 、R_{Z 2} 所組成以穩定電阻串131之一端E1₁ 的電壓值，俾使參考電壓產生電路13’所產生之參考電壓V1_{R a} ~V1_{R j} 穩定。其中，電阻串131之一端E1₁ 的電壓值可透過調整電阻器R_{Z 1} 、R_{Z 2} 的電阻值而改變。

然而，由於並聯穩壓器132’所消耗的電能大約與升壓電壓V1_A 的大小成正比，且升壓電壓V1_A 的大小係依據實際的設計而決定，並無法任意變更，所以導致顯示裝置1無法有效降低電能的損耗。

因此，如何提供一種可有效降低耗電之參考電壓產生電路、顯示面板及顯示裝置，正是當前顯示器產業的重要課題之一。

有鑑於上述課題，本發明之目的為提供一種可有效降低耗電之參考電壓產生電路、顯示面板及顯示裝置。

緣是，為達上述目的，依本發明之一種參考電壓產生電路其係與一第一電壓產生電路配合，其中第一電壓產生電路係產生一第一電壓，且參考電壓產生電路係包含一電流鏡及一分壓單元。第一電壓產生電路係產生一第一電壓；電流鏡係與第一電壓產生電路電性連接，並依據第一電壓產生一輸入電流及一輸出電流，其中輸出電流與輸入電流之間具有一固定比值；分壓單元與電流鏡電性連接，並依據輸出電流產生複數個參考電壓。

另外，為達上述目的，依本發明之一種顯示面板係包含一第一電壓產生電路、一第二電壓產生電路、一參考電壓產生電路、一畫素陣列及一驅動電路。第一電壓產生電路係產生一第一電壓；第二電壓產生電路係產生一第二電壓；參考電壓產生電路係具有一電流鏡及一分壓單元。電流鏡係與第一電壓產生電路電性連接，並依據第一電壓產生一輸入電流及一輸出電流，其中輸出電流與輸入電流之間具有一固定比值，分壓單元係與電流鏡及第二電壓產生電路電性連接，並依據輸出電流及第二電壓產生複數個參考電壓；驅動電路係依據一影像資料及該等參考電壓以驅動畫素陣列。

再者，為達上述目的，依本發明之一種顯示裝置係具有一顯示面板，而顯示面板係包含一第一電壓產生電路、一第二電壓產生電路、一參考電壓產生電路、一畫素陣列及一驅動電路。第一電壓產生電路係產生一第一電壓；第二電壓產生電路係產生一第二電壓；參考電壓產生電路係具有一電流鏡及一分壓單元。電流鏡係與第一電壓產生電路電性連接，並依據第一電壓產生一輸入電流及一輸出電流，其中輸出電流與輸入電流之間具有一固定比值，分壓單元係與電流鏡及第二電壓產生電路電性連接，並依據輸出電流及第二電壓產生複數個參考電壓；驅動電路係依據一影像資料及該等參考電壓以驅動畫素陣列。

承上所述，因依本發明之參考電壓產生電路、顯示面板及顯示裝置，其係利用電流鏡以依據輸入電流提供與輸入電流具有固定比值之輸出電流至分壓單元以穩定分壓單元之電壓，與習知具有並聯穩壓器之參考電壓產生電路中，並聯穩壓器因受升壓電壓大小的影響而無法降低電能消耗相較之下，本發明之參考電壓產生電路、顯示面板及顯示裝置中，可設計適當大小的第一電壓及固定比值以有效降低電流鏡所損耗電能，進而使本發明參考電壓產生電路、顯示面板及顯示裝置較為省電。

另外，由於電流鏡較並聯穩壓器便宜，所以本發明之參考電壓產生電路的成本可較習知具有並聯穩壓器之參考電壓產生電路低廉，進而可降低本發明之參考電壓產生電路、顯示面板及顯示裝置的成本。

以下將參照相關圖式，說明依本發明較佳實施例之參考電壓產生電路、顯示面板及顯示裝置。

[第一較佳實施例之參考電壓產生電路]

請參照圖4所示，本發明第一較佳實施例之參考電壓產生電路21係以一珈瑪(Gamma)參考電壓產生電路為例。參考電壓產生電路21係與一第一電壓產生電路22及一第二電壓產生電路23配合。其中，第一電壓產生電路22係產生一第一電壓V2_C ，且第二電壓產生電路23係產生一第二電壓V2_A 。參考電壓產生電路21係包含一電流鏡211以及一分壓單元212。

電流鏡211係與第一電壓產生電路22電性連接，並依據第一電壓V2_C 產生一輸入電流I2_I 及一輸出電流I2_O 。其中，輸出電流I2_O 與輸入電流I2_I 之間具有一固定比值。

分壓單元212具有複數個電阻器R2_a ~R2_k ，其係相互串聯。其中，電阻器R2_a ~R2_k 的個數可依照實際的狀況而不同。分壓單元212之一端E2₁ 係與第二電壓產生電路23電性連接，且分壓單元212之另一端E2₂ 係與電流鏡211電性連接以依據輸出電流I2_O 及第二電壓V2_A 產生複數個參考電壓V2_{R a} ~V2_{R j} 。其中，該等參考電壓V2_{R a} ~V2_{R j} 之間的電壓差係與輸出電流I2_O 的大小相關，且該等參考電壓V2_{R a} ~V2_{R j} 的電壓準位係與第二電壓V2_A 相關。

在本實施例中，電流鏡211係具有一第一電晶體Q_{2 1} 及一第二電晶體Q_{2 2} 。其中，第一電晶體Q_{2 1} 之閘極G_{2 1} 、第一電晶體Q_{2 1} 之汲極D_{2 1} 及第二電晶體Q_{2 2} 之閘極G_{2 2} 係電性連接至第一電壓產生電路22，第一電晶體Q_{2 1} 之源極S_{2 1} 及第二電晶體Q_{2 2} 之源極S_{2 2} 係接地，且第二電晶體Q_{2 2} 之汲極D_{2 2} 係與分壓單元212之另一端E2₂ 電性連接俾使輸出電流I2_O 流經分壓單元212及第二電晶體Q_{2 2} 。另外，固定比值係與第一電晶體Q_{2 1} 之通道區域寬長比及第二電晶體Q_{2 2} 之通道區域寬長比相關連。在本實施例中，第一電晶體Q_{2 1} 及第二電晶體Q_{2 2} 係為一N型金氧半電晶體(NMOS)。

承上，由於電流鏡211具有第一電晶體Q_{2 1} 及第二電晶體Q_{2 2} ，較並聯穩壓器132’(如圖3所示)便宜，所以參考電壓產生電路21的成本可較習知具有並聯穩壓器132’之參考電壓產生電路13’(如圖3所示)低廉。

另外，由於參考電壓產生電路21係利用電流鏡211依據輸入電流I2_I 而產生與輸入電流I2_I 具有固定比值之輸出電流I2_O 至分壓單元212以使各參考電壓V2_{R a} ~V2_{R j} 之間的電壓差固定，進而穩定分壓單元212所輸出之參考電壓V2_{R a} ~V2_{R j} 。除此之外，業者可設計適當大小的第一電壓V2_C 以及固定比值，以有效降低電流鏡211所損耗的電能。在本實施例中，第一電壓V2_C 之電壓值係小於第二電壓V2_A 之電壓值。舉例來說，第一電壓V2_C 之電壓值小於但不受限為2.5伏特，且第二電壓V2_A 之電壓值約為但不受限於9伏特~13伏特之間。此時，與習知具有並聯穩壓器132’之參考電壓產生電路13’(如圖3所示)相較之下，電流鏡211相對並聯穩壓器132’之耗能比約為第一電壓V2_C 之電壓值(2.5伏特以下)相對升壓電壓V1_A 之電壓值(9伏特~13伏特)。換言之，參考電壓產生電路21較參考電壓產生電路13’省電。

再者，業者可適當的選擇特定第一電晶體Q_{2 1} 之通道區域寬長比及特定第二電晶體Q_{2 2} 之通道區域寬長比，俾使輸入電流I2_I 盡可能地小於輸出電流I2_O ，以更減少電流鏡211所損耗的電能。當然，業者亦可於第二電晶體Q_{2 2} 並聯其它的電晶體，俾使輸入電流I2_I 降低以減少電流鏡211所損耗的電能。

舉例來說，請參照圖5所示，電流鏡211’更具有一第三電晶體Q_{2 3} ，在本實施例中，第三電晶體Q_{2 3} 係為一N型金氧半電晶體。第三電晶體Q_{2 3} 之閘極G_{2 3} 係與第一電晶體Q_{2 1} 之閘極G_{2 1} 、第一電晶體Q_{2 1} 之汲極D_{2 1} 及第二電晶體Q_{2 2} 之閘極G_{2 2} 電性連接，第三電晶體Q_{2 3} 之汲極D_{2 3} 係與第二電晶體Q_{2 2} 之汲極D_{2 2} 電性連接。其中，固定比值係與第一電晶體Q_{2 1} 之通道區域寬長比、第二電晶體Q_{2 2} 之通道區域寬長比及第三電晶體Q_{2 3} 之通道區域寬長比相關連。此時，業者可設計適當的第三電晶體Q_{2 3} 之通道區域寬長比以改變輸出電流I2’_O 與輸入電流I2’_I 之間的固定比值，進而降低輸入電流I2’_I 以減少電流鏡211’所損耗的電能。

此外，在此值得一提的是，第一電壓產生電路22可以包含一電壓源(例如一系統電壓源)及一穩壓電路。電壓源產生一原始第一電壓並輸出原始第一電壓至穩壓電路，然後穩壓電路依據原始第一電壓以輸出第一電壓V2_C ，其中，原始第一電壓與第一電壓V2_C 的電壓值可以相同亦可不同。當然，第一電壓產生電路22亦可僅包含一電壓源(例如一系統電壓源)。

同理，第二電壓產生電路23可包含一電壓源(例如系統電壓源)及一直流－直流電源轉換器。電壓源產生一原始第二電壓並輸出原始第二電壓至直流－直流電源轉換器，然後直流－直流電源轉換器將原始第二電壓升壓為第二電壓V2_A ，當然，第二電壓產生電路23亦可僅包含一電壓源。

承上所述，因依本發明之參考電壓產生電路係利用電流鏡以依據輸入電流提供與輸入電流具有固定比值之輸出電流至分壓單元以穩定分壓單元之電壓，與習知具有並聯穩壓器之參考電壓產生電路中，並聯穩壓器因受升壓電壓大小的影響而無法降低電能消耗相較之下，本發明之參考電壓產生電路中，可設計適當大小的第一電壓及固定比值以有效降低電流鏡所損耗電能，進而使本發明參考電壓產生電路較為省電。

另外，由於電流鏡較並聯穩壓器便宜，所以本發明之參考電壓產生電路的成本可較習知具有並聯穩壓器之參考電壓產生電路低廉。

[第二較佳實施例之參考電壓產生電路]

請參照圖6所示，本發明第二較佳實施例之參考電壓產生電路31係與一第一電壓產生電路32及一第二電壓產生電路33配合。其中第一電壓產生電路32係產生一第一電壓V3_C ，且第二電壓產生電路33係產生一第二電壓V3_A 。參考電壓產生電路31係包含一電流鏡311及一分壓單元312。

電流鏡311係與第一電壓產生電路32電性連接，並依據第一電壓V3_C 產生一輸入電流I3_I 及一輸出電流I3_O ，其中輸出電流I3_O 與輸入電流I3_I 之間具有一固定比值。

分壓單元312具有複數個電阻器R3_a ~R3_k ，其係相互串聯。分壓單元312係與第二電壓產生電路33電性連接，且分壓單元312係與電流鏡311電性連接以依據輸出電流I3_O 及第二電壓V3_A 產生複數個參考電壓V3_{R a} ~V3_{R j} 。其中，各參考電壓V3_{R a} ~V3_{R j} 之間的電壓差係與輸出電流I3_O 的大小相關，且各參考電壓V3_{R a} ~V3_{R j} 的電壓準位係與第二電壓V3_A 相關。

在本實施例中，電流鏡311係具有一第一電晶體Q_{3 1} 、一第二電晶體Q_{3 2} 、一第三電晶體Q_{3 3} 及一第四電晶體Q_{3 4} 。其中，第一電晶體Q_{3 1} 之閘極G_{3 1} 、第一電晶體Q_{3 1} 之汲極D_{3 1} 及第二電晶體Q_{3 2} 之閘極G_{3 2} 係電性連接至第一電壓產生電路32；第一電晶體Q_{3 1} 之源極S_{3 1} 與第二電晶體Q_{3 2} 之源極S_{3 2} 係接地；第二電晶體Q_{3 2} 之汲極D_{3 2} 係與第三電晶體Q_{3 3} 之閘極G_{3 3} 、第三電晶體Q_{3 3} 之汲極D_{3 3} 及第四電晶體Q_{3 4} 之閘極G_{3 4} 電性連接；第三電晶體Q_{3 3} 之源極S_{3 3} 及第四電晶體Q_{3 4} 之源極S_{3 4} 係電性連接至第二電壓產生電路33；第四電晶體Q_{3 4} 之汲極D_{3 4} 係與分壓單元312之一端E3₁ 電性連接，俾使輸出電流I3_O 流經分壓單元312及第四電晶體Q_{3 4} 。其中，固定比值係與第一電晶體Q_{3 1} 之通道區域寬長比、第二電晶體Q_{3 2} 之通道區域寬長比、第三電晶體Q_{3 3} 之通道區域寬長比及第四電晶體Q_{3 4} 之通道區域寬長比相關連。在本實施例中，第一電晶體Q_{3 1} 及第二電晶體Q_{3 2} 係為N型金氧半電晶體，而第三電晶體Q_{3 3} 及第四電晶體Q_{3 4} 係為P型金氧半電晶體(PMOS)。

承上，由於參考電壓產生電路31係利用電流鏡311以依據輸入電流I3_I 提供與輸入電流I3_I 具有固定比值之輸出電流I3_O 至分壓單元312以使各參考電壓V3_{R a} ~V3_{R j} 之間的電壓差固定及各參考電壓V3_{R a} ~V3_{R j} 之電壓準位，進而穩定分壓單元312所輸出之參考電壓V3_{R a} ~V3_{R j} 。

[較佳實施例之顯示面板]

請參照圖7所示，顯示面板4係包含一參考電壓產生電路41、一第一電壓產生電路42、一第二電壓產生電路43、一驅動電路44及一畫素陣列45。

第一電壓產生電路42係產生一第一電壓V4_C ，且第二電壓產生電路43係產生一第二電壓V4_A 。參考電壓產生電路41係具有一電流鏡411及一分壓單元412。

電流鏡411係與第一電壓產生電路42電性連接，並依據第一電壓V4_C 產生一輸入電流I4_I 及一輸出電流I4_O ，其中輸出電流I4_O 與輸入電流I4_I 之間具有一固定比值，分壓單元412係與電流鏡411及第二電壓產生電路43電性連接，並依據輸出電流I4_O 產生複數個參考電壓V4_{R a} ~V4_{R j} 以提供至驅動電路44；驅動電路44係依據一影像資料及參考電壓以驅動畫素陣列45。

本實施例之參考電壓產生電路41、第一電壓產生電路42及第二電壓產生電路43已於第一較佳實施例之參考電壓產生電路21、第一電壓產生電路22及第二電壓產生電路23及第二較佳實施例之參考電壓產生電路31、第一電壓產生電路32及第二電壓產生電路33(圖4至圖6所示)中詳述，在此容不贅述。

承上所述，因依本發明之顯示面板係利用電流鏡以依據輸入電流提供與輸入電流具有固定比值之輸出電流至分壓單元以穩定分壓單元之電壓，與習知具有並聯穩壓器之參考電壓產生電路中，並聯穩壓器因受升壓電壓大小的影響而無法降低電能消耗相較之下，本發明之顯示面板中，可設計適當大小的第一電壓及固定比值以有效降低電流鏡所損耗電能，進而使本發明參考電壓產生電路、顯示面板及顯示裝置較為省電。

另外，由於電流鏡較並聯穩壓器便宜，所以本發明之參考電壓產生電路的成本可較習知具有並聯穩壓器之參考電壓產生電路低廉，進而可降低本發明之顯示面板的成本。

[較佳實施例之顯示裝置]

請參照圖8所示，顯示裝置DA可為一電漿顯示裝置、一場發射顯示裝置、一液晶顯示裝置或一有機發光二極體顯示裝置等。在本實施例中，顯示裝置DA係以液晶顯示裝置為例，並包含一顯示面板4及一背光模組5。其中，顯示面板4已於較佳實施例之顯示面板(圖7所示)中詳述，在此容不贅述。

另外，背光模組5係提供一背光源至顯示面板4。

綜上所述，因依本發明之參考電壓產生電路、顯示面板及顯示裝置，其係利用電流鏡以依據輸入電流提供與輸入電流具有固定比值之輸出電流至分壓單元以穩定分壓單元之電壓，與習知具有並聯穩壓器之參考電壓產生電路中，並聯穩壓器因受升壓電壓大小的影響而無法降低電能消耗相較之下，本發明之參考電壓產生電路、顯示面板及顯示裝置中，可設計適當大小的第一電壓及固定比值以有效降低電流鏡所損耗電能，進而使本發明參考電壓產生電路、顯示面板及顯示裝置較為省電。

另外，由於電流鏡較並聯穩壓器便宜，所以本發明之參考電壓產生電路的成本可較習知具有並聯穩壓器之參考電壓產生電路低廉，進而可降低本發明之參考電壓產生電路、顯示面板及顯示裝置的成本。

以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。

1．．．顯示裝置

11．．．系統電壓源

12．．．直流－直流電源轉換器

13．．．參考電壓產生電路

13’．．．參考電壓產生電路

131．．．電阻串

132’．．．並聯穩壓器

14．．．驅動電路

15．．．畫素陣列

21．．．參考電壓產生電路

211、211’．．．電流鏡

212．．．分壓單元

22．．．第一電壓產生電路

23．．．第二電壓產生電路

31．．．參考電壓產生電路

311．．．電流鏡

312．．．分壓單元

32．．．第一電壓產生電路

33．．．第二電壓產生電路

4．．．顯示面板

41．．．參考電壓產生電路

411．．．電流鏡

412．．．分壓單元

42．．．第一電壓產生電路

43．．．第二電壓產生電路

44．．．驅動電路

45．．．畫素陣列

5．．．背光模組

D_{2 1} 、D_{2 2} 、D_{2 3} ．．．汲極

D_{3 1} 、D_{3 2} 、D_{3 3} 、D_{3 4} ．．．汲極

DA．．．顯示裝置

E1₁ 、E2₁ 、E3₁ ．．．一端

E2₂ ．．．另一端

G_{2 1} 、G_{2 2} 、G_{2 3} ．．．閘極

G_{3 1} 、G_{3 2} 、G_{3 3} 、G_{3 4} ．．．閘極

I2_I 、I2’_I 、I3_I 、I4_I ．．．輸入電流

I2_O 、I2’_O 、I3_O 、I4_O ．．．輸出電流

R1_a ~R1_k ．．．電阻器

R2_a ~R2_k ．．．電阻器

R3_a ~R3_k ．．．電阻器

R_{Z 1} 、R_{Z 2} ．．．電阻器

V1_C ．．．系統電壓

V1_D ．．．驅動電壓

V1_A ．．．升壓電壓

V2_C 、V3_C 、V4_C ．．．第一電壓

V2_A 、V3_A 、V4_A ．．．第二電壓

V1_{R a} ~V1_{R j} ．．．參考電壓

V2_{R a} ~V2_{R j} ．．．參考電壓

V3_{R a} ~V3_{R j} ．．．參考電壓

V4_{R a} ~V4_{R j} ．．．參考電壓

S_{2 1} 、S_{2 2} 、S_{2 3} ．．．源極

S_{3 1} 、S_{3 2} 、S_{3 3} 、S_{3 4} ．．．源極

Q_{2 1} 、Q_{3 1} ．．．第一電晶體

Q_{2 2} 、Q_{3 2} ．．．第二電晶體

Q_{2 3} 、Q_{3 3} ．．．第三電晶體

Q_{3 4} ．．．第四電晶體

Z₁ ．．．稽納二極體

圖1為一方塊圖，其係顯示習知之顯示裝置；圖2為一電路圖，其係顯示圖1之參考電壓產生電路；圖3為另一電路圖，其係顯示具有並聯穩壓器之參考電壓產生電路；圖4為一電路圖，其係顯示本發明第一較佳實施例之參考電壓產生電路；圖5為另一電路圖，其係顯示本發明第一較佳實施例之參考電壓產生電路；圖6為另一電路圖，其係顯示本發明第二較佳實施例之參考電壓產生電路；圖7為一方塊圖，其係顯示本發明較佳實施例之顯示面板；以及圖8為一方塊圖，其係顯示本發明較佳實施例之顯示裝置。

21．．．參考電壓產生電路

211．．．電流鏡

212．．．分壓單元

22．．．第一電壓產生電路

23．．．第二電壓產生電路

D_{2 1} 、D_{2 2} ．．．汲極

E2₁ ．．．一端

E2₂ ．．．另一端

G_{2 1} 、G_{2 2} ．．．閘極

I2_I ．．．輸入電流

I2_O ．．．輸出電流

R2_a ~R2_k ．．．電阻器

V2_C ．．．第一電壓

V2_A ．．．第二電壓

V2_{R a} ~V2_{R j} ．．．參考電壓

S_{2 1} 、S_{2 2} ．．．源極

Q_{2 1} ．．．第一電晶體

Q_{2 2} ．．．第二電晶體

Claims (37)

1. 一種參考電壓產生電路，其係與一第一電壓產生電路配合，其中該第一電壓產生電路係產生一第一電壓，且該參考電壓產生電路包含：一電流鏡，其係與該第一電壓產生電路電性連接，並依據該第一電壓產生一輸入電流及一輸出電流，其中該輸出電流與該輸入電流之間具有一固定比值；以及一分壓單元，係與該電流鏡電性連接，並依據該輸出電流產生複數個參考電壓。
2. 如申請專利範圍第1項所述之參考電壓產生電路，其中該分壓單元具有複數個電阻器，其係相互串聯。
3. 如申請專利範圍第1項所述之參考電壓產生電路，其中該電流鏡係至少具有一第一電晶體及一第二電晶體，該第一電晶體之閘極及該第一電晶體之汲極係與該第二電晶體之閘極電性連接。
4. 如申請專利範圍第3項所述之參考電壓產生電路，其中該第一電晶體之閘極、該第一電晶體之汲極、該第二電晶體之閘極係電性連接至該第一電壓產生電路，該第二電晶體之汲極係與該分壓單元電性連接俾使該輸出電流流經該分壓單元及該第二電晶體。
5. 如申請專利範圍第3項所述之參考電壓產生電路，其中該固定比值係與該第一電晶體之通道區域寬長比及該第二電晶體之通道區域寬長比相關連。
6. 如申請專利範圍第3項所述之參考電壓產生電路，其中該電流鏡更具有一第三電晶體，該第三電晶體之閘極係與該第一電晶體之閘極、該第一電晶體之汲極及該第二電晶體之閘極電性連接，該第三電晶體之汲極係與該第二電晶體之汲極電性連接。
7. 如申請專利範圍第6項所述之參考電壓產生電路，其中該固定比值係與該第一電晶體之通道區域寬長比、該第二電晶體之通道區域寬長比及該第三電晶體之通道區域寬長比相關連。
8. 如申請專利範圍第3項所述之參考電壓產生電路，其中該電流鏡更具有一第三電晶體及一第四電晶體，其閘極係相互電性連接，該第三電晶體之汲極係分別與該第二電晶體之汲極及該第三電晶體之閘極電性連接，該第三電晶體之源極及該第四電晶體之源極係電性連接至該第二電壓產生電路，該第四電晶體之汲極係與該分壓單元電性連接俾使該輸出電流流經該分壓單元及該第四電晶體。
9. 如申請專利範圍第8項所述之參考電壓產生電路，其中該固定比值係與該第一電晶體之通道區域寬長比、該第二電晶體之通道區域寬長比、該第三電晶體之通道區域寬長比及該第四電晶體之通道區域寬長比相關連。
10. 如申請專利範圍第1項所述之參考電壓產生電路，其係更與一第二電壓產生電路配合，其中該第二電壓產生電路係產生一第二電壓，並與該分壓單元電性連接，該分壓單元係依據該第二電壓及該輸出電流產生該等參考電壓。
11. 如申請專利範圍第10項所述之參考電壓產生電路，其中該第一電壓之電壓值係小於該第二電壓之電壓值。
12. 如申請專利範圍第1項所述之參考電壓產生電路，其中該第一電壓之電壓值實質上小於2.5伏特。
13. 如申請專利範圍第1項所述之參考電壓產生電路，其係為一珈瑪(Gamma)參考電壓產生電路。
14. 一種顯示面板，包含：一第一電壓產生電路，其係產生一第一電壓；一第二電壓產生電路，其係產生一第二電壓；一參考電壓產生電路，其係具有：一電流鏡，其係與該第一電壓產生電路電性連接，並依據該第一電壓產生一輸入電流及一輸出電流，其中該輸出電流與該輸入電流之間具有一固定比值，及一分壓單元，係與該電流鏡及該第二電壓產生電路電性連接，並依據該輸出電流及該第二電壓產生複數個參考電壓；一畫素陣列；以及一驅動電路，其係依據一影像資料及該等參考電壓以驅動該畫素陣列。
15. 如申請專利範圍第14項所述之顯示面板，其中該分壓單元具有複數個電阻器，其係相互串聯。
16. 如申請專利範圍第14項所述之顯示面板，其中該電流鏡係至少具有一第一電晶體及一第二電晶體，該第一電晶體之閘極及該第一電晶體之汲極係與該第二電晶體之閘極電性連接。
17. 如申請專利範圍第16項所述之顯示面板，其中該第一電晶體之閘極、該第一電晶體之汲極、該第二電晶體之閘極係電性連接至該第一電壓產生電路，該第二電晶體之汲極係與該分壓單元電性連接俾使該輸出電流流經該分壓單元及該第二電晶體。
18. 如申請專利範圍第16項所述之顯示面板，其中該固定比值係與該第一電晶體之通道區域寬長比及該第二電晶體之通道區域寬長比相關連。
19. 如申請專利範圍第16項所述之顯示面板，其中該電流鏡更具有一第三電晶體，該第三電晶體之閘極係與該第一電晶體之閘極、該第一電晶體之汲極及該第二電晶體之閘極電性連接，該第三電晶體之汲極係與該第二電晶體之汲極電性連接。
20. 如申請專利範圍第19項所述之顯示面板，其中該固定比值係與該第一電晶體之通道區域寬長比、該第二電晶體之通道區域寬長比及該第三電晶體之通道區域寬長比相關連。
21. 如申請專利範圍第16項所述之顯示面板，其中該電流鏡更具有一第三電晶體及一第四電晶體，其閘極係相互電性連接，該第三電晶體之汲極係分別與該第二電晶體之汲極及該第三電晶體之閘極電性連接，該第三電晶體之源極及該第四電晶體之源極係電性連接至該第二電壓產生電路，該第四電晶體之汲極係與該分壓單元電性連接俾使該輸出電流流經該分壓單元及該第四電晶體。
22. 如申請專利範圍第21項所述之顯示面板，其中該固定比值係與該第一電晶體之通道區域寬長比、該第二電晶體之通道區域寬長比、該第三電晶體之通道區域寬長比及該第四電晶體之通道區域寬長比相關連。
23. 如申請專利範圍第14項所述之顯示面板，其中該第一電壓之電壓值係小於該第二電壓之電壓值。
24. 如申請專利範圍第14項所述之顯示面板，其中該第一電壓之電壓值實質上小於2.5伏特。
25. 如申請專利範圍第14項所述之顯示面板，其中該參考電壓產生電路係為一珈瑪(Gamma)參考電壓產生電路。
26. 一種顯示裝置，其係具有一顯示面板，該顯示面板包含：一第一電壓產生電路，其係產生一第一電壓；一第二電壓產生電路，其係產生一第二電壓；一參考電壓產生電路，其係具有：一電流鏡，其係與該第一電壓產生電路電性連接，並依據該第一電壓產生一輸入電流及一輸出電流，其中該輸出電流與該輸入電流之間具有一固定比值，及一分壓單元，係與該電流鏡及該第二電壓產生電路電性連接，並依據該輸出電流及該第二電壓產生複數個參考電壓；一畫素陣列；以及一驅動電路，其係依據一影像資料及該等參考電壓以驅動該畫素陣列。
27. 如申請專利範圍第26項所述之顯示裝置，其中該分壓單元具有複數個電阻器，其係相互串聯。
28. 如申請專利範圍第26項所述之顯示裝置，其中該電流鏡係至少具有一第一電晶體及一第二電晶體，該第一電晶體之閘極及該第一電晶體之汲極係與該第二電晶體之閘極電性連接。
29. 如申請專利範圍第28項所述之顯示裝置，其中該第一電晶體之閘極、該第一電晶體之汲極、該第二電晶體之閘極係電性連接至該第一電壓產生電路，該第二電晶體之汲極係與該分壓單元電性連接俾使該輸出電流流經該分壓單元及該第二電晶體。
30. 如申請專利範圍第28項所述之顯示裝置，其中該固定比值係與該第一電晶體之通道區域寬長比及該第二電晶體之通道區域寬長比相關連。
31. 如申請專利範圍第28項所述之顯示裝置，其中該電流鏡更具有一第三電晶體，該第三電晶體之閘極係與該第一電晶體之閘極、該第一電晶體之汲極及該第二電晶體之閘極電性連接，該第三電晶體之汲極係與該第二電晶體之汲極電性連接。
32. 如申請專利範圍第31項所述之顯示裝置，其中該固定比值係與該第一電晶體之通道區域寬長比、該第二電晶體之通道區域寬長比及該第三電晶體之通道區域寬長比相關連。
33. 如申請專利範圍第28項所述之顯示裝置，其中該電流鏡更具有一第三電晶體及一第四電晶體，其閘極係相互電性連接，該第三電晶體之汲極係分別與該第二電晶體之汲極及該第三電晶體之閘極電性連接，該第三電晶體之源極及該第四電晶體之源極係電性連接至該第二電壓產生電路，該第四電晶體之汲極係與該分壓單元電性連接俾使該輸出電流流經該分壓單元及該第四電晶體。
34. 如申請專利範圍第33項所述之顯示裝置，其中該固定比值係與該第一電晶體之通道區域寬長比、該第二電晶體之通道區域寬長比、該第三電晶體之通道區域寬長比及該第四電晶體之通道區域寬長比相關連。
35. 如申請專利範圍第26項所述之顯示裝置，其中該第一電壓之電壓值係小於該第二電壓之電壓值。
36. 如申請專利範圍第26項所述之顯示裝置，其中該第一電壓之電壓值實質上小於2.5伏特。
37. 如申請專利範圍第26項所述之顯示裝置，其中該參考電壓產生電路係為一珈瑪(Gamma)參考電壓產生電路。