1379369 31570pifl 爲第98118028號中文說明書無劃線修正本 修正日期101年8月1〇日 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 晶片進行測試的測試系統 【先前技術】 本發明是有關於-種對半導體晶月進 統。特別是關於-種對半導體晶圓上所的j = 2糸 作為對在半導體晶圓上所形成的多個 測試的f置:已知有姻探針卡的裝置，該探針 圓上的多個谭塾(pad)電極統-接觸（例如 1)。在該農置中，是在使探針卡和被測試曰圓二=文獻 狀態下投人至檢查裳置中，進行高溫中的^查。-附的 獻1〕曰本專利早期公開之特開2〇〇6_ 圓及後:r試晶 =吸r探針卡上。亦即=== 針卡也必須從檢查裝置搬出。因此，在下—職中，必= 圓及探針卡間的對準和檢查裝置内的探針卡： 對準以者進仃調整。因此的效率會下 【發明内容】 因此’本發明的目的是提供一種能夠解決上述課題的 測試糸統。本發暇#㈣請糊麵_立韻記述= 特徵的組合輯成。而且，從屬魏定本發 的I艚彻早。 1379369 31570pifl 爲第98118028號中文說明書無劃線修正本 修正曰期101年8月10日 為了解決上述課題，本發明的第1形態提供一種測試 系統’為一種對半導體晶圓上所形成的多個半導體晶片進 行測試之測試系統，包括：反應室，其搬運半導體晶圓； 測試用晶圓，其固定在反應室内，設置有與多個半導體晶 片的焊墊統一進行電氣連接的多個凸塊；晶圓載台，其= 由在反應室内載置半導體晶圓並進行移動，而使半導體^ 圓移動到與測試用晶圓對向的位置上；測定部，其對晶^ •載台設置在規定的位置上，當為了將半導體晶圓載置在晶 圓載台上而使半導體晶圓對晶圓載台進行移動時，藉由掃 描半導體晶圓的表面的至少一部分，而偵測半導體晶圓上 所設置的對準標誌的位置；以及位置控制部， 其根據測定 部所測定的對準標誌的位置，對晶圓載台上所載置的半導 體晶圓的位置進行調整。 本發明的第2形態提供一侧試系統，為一種對半 體晶圓上所形成的多個半導體晶片進行測試之測試***， 包括：反應室，其搬運半導體晶圓；測試用晶圓，其固 •在反應室内，設置有與多個半導體晶片的焊魏m
日-日圓的位置進行調整。 5 1379369 31570ρϊΠ 爲第9811_號中文說明書無劃線修正本 修正日期101年8月1〇曰 另外，上述發明的概要並未列舉發明的必要特徵的全 部’它們的特徵群的子集(sub-combination)也可又形成發 明。 【實施方式】 以下，通過發明的實施形態來對本發明進行說明，但 以下的實施形態並不對關於申請專利範圍的發明進行限 定。而且，實施形態中所說明之特徵的組合的全部也未必 是發明的解決方法所必須者。 圖1所示為關於一實施形態的測試系統400的概要。 測試系統400對半導體晶圓300上所形成的多個半導體晶 片進行測試。而且，測試系統4〇〇可並列地對多個半導體 晶圓300進行測試。測試系統400具有控制裝置1〇、多個 反應至20、搬運部4〇及晶圓盒(cassette)6〇。 控制裝置10控制該測試系統400。例如，控制裝置1〇 可控制反應室20、搬運部40及晶圓盒6〇。反應室20依次 接收應測試的半導體晶圓300,並在反應室20的内部對半 導體晶圓300進行測試。各個反應室2〇可獨立地測試半導 體晶圓300。亦即，各個反應室2〇可不與其它的反應室2〇 同步地，對半導體晶圓300進行測試。 晶圓盒60存儲多個半導體晶圓300。搬運部40將應 測5式的多個半導體晶圓3〇〇依次搬運到各個反應室2〇(>例 如’搬運部40將晶圓盒60所存儲的各個半導體晶圓300， 搬運到空閒的某個反應室2〇内。而且，搬運部4〇可將測 5式結束的半導體晶圓300,從反應室20搬出並存儲在晶圓 31570pifl 修正曰期101年8月10曰 爲第98118028號中文說明書無劃線修正本 盒60中。 圖2為測試系統400的測試概要的說明圖。測試系統 400利用測試用晶圓100來對半導體晶圓3〇〇的各個半導 體晶片310進行測試。測試用晶圓1〇〇預先設置在圖i所 示的各個反應室20内。 測試用晶圓100可由與測試對象的半導體晶圓3〇〇相 同的半導體材料形成。例如，半導體晶圓可為圓盤狀 的半導體晶圓。更具體地說，半導體晶圓3〇〇可為矽、化 合物半導體等其它的半導體晶圓。 而且，測試用晶圓100可與測試對象的半導體晶圓3〇〇 具有大致相同的直徑。半導體晶圓3〇〇在反應室2〇内與測 試用晶圓100所對向的規定的位置對準。然後，藉由&半 導體晶1]進行義以與賴用晶UJ⑽4合，從而使測試 用晶圓100的多個晶圓侧連接焊墊J12和多個半導體晶片 310的檢查用的焊墊統一地進行電氣連接。 △例如，半導體晶目300在反應室2〇内被載置在晶圓載 台上，並利用晶圓載台而移動到與測試用晶圓⑽對向的 位置上。測試用晶圓100及晶圓載台的相對位置預先進行 ，整。因此，測試系統400可藉由將半導體晶圓獅載置 在晶圓載台表面的規定的位置上，而對測試用晶圓漏來 將半導體晶圓300與規定的位置進行對準。 在測試用晶圓100的與半導體晶圓3〇〇對向的面上， 可形成與半導體晶片31〇的各個料姆應㈣個焊塾。 另外，測試用晶圓100及半導體晶圓3〇〇可藉由直接接觸 1379369 31570pifl 修正日期101年8月10日 爲第98118028號中文說明書無劃線修正# 而進行電氣連接，而且，也可利用靜電結合、感應接合等 非接觸的結合而進行電氣連接。而且，測試用晶圓1〇〇及 半導體晶圓300也可經由光傳送路而收發信號。 測試用晶圓1〇〇可藉由與測試對象的半導體晶圓3〇〇 進行電氣連接，而在控制裝置1〇和半導體晶圓3〇〇之間傳 送信號。例如，半導體晶圓300可將控制裝置1〇所生成的 測試信號，供給到半導體晶圓300的各個半導體晶片31〇。 而且，測試用晶1〇〇可將各個半導體晶片31〇所輸出的信 號傳送到控制裝置10。 而且，測試用晶圓1〇〇可具有與多個半導體晶片310 相對應的多個電路部。例如，測試用晶圓可與多 個半導體晶片310 —對一對應地而具有多個電路部11()。 各個電路部110可生成供給到對應的半導體晶片31〇的信 號，而且’也可處理對應的半導體晶片31〇所輪出的信號二 各個電路部11〇可獨立地測試對應的半導體晶片31〇。在 逆種情況下，控制装置10可對各個電路部11〇供給電源電 力及控制信號等。 圖3所示為將半導體晶圓3⑻與晶圓載台41〇的對應 的位置進行對準之方法的-個例子。圖3所示為晶圓載台 410及半導體晶圓3〇〇的上面圖。本例的測試系統4⑻具 有測定部406，該敎部條預先確定對晶圓載台41〇的 相對位置。而且，在半導體晶圓細的預先確定的位置上 形成了對準標誌226。 測定部406在為了將半導體晶圓3〇〇載置在晶圓載台 1379369 31570pifl 修正日期101年8月1〇日 爲第981丨臟獅麵鴨罐線修正本 ^10 並使半導體晶圓300對晶圓載台41〇進行移動時， 藉，掃為半導體晶圓300的表面的至少一部分，從而偵 在半導體晶圓3GG上所設置的對準標誌的位置。例如，測 定部406能以拍攝半導體晶圓300所通過的區域的預先確 定的固定掃描位置之形態而設置，並藉由使半導體晶圓 300通過该掃描位置，從而掃描該半導體晶圓3㈨的表 的至少一部分。 两 例如，在半導體晶圓3〇〇令，如在與晶圓载台4ι〇對 向的面上形成對準標誌226，則測定部4〇6可設置在晶圓 載台410上，並對通過上方的半導體晶圓3〇〇進行攝像。 而且，在半導體晶圓300中，如在與晶圓載台41〇對向的 面的背面上形成對準標誌226，則測定部4〇6可設置在晶 圓載台410的上方，並對通過下方的半導體晶目3〇〇進= 攝像。 …另外，搬運部40對保持晶圓300並移動的處理機的對 半導體晶圓300之相對位置預先進行控制。因此，在半導 體晶圓300被搬運到反應室2〇内之前，半導體晶圓3〇〇 和日曰圓載台410的相對位置是大致進行調整，但測試系統 4〇〇在室内20内，利用測定部406對半導體晶圓3〇〇的位 置進行微調整。 测定部406設置在與對準標誌226的位置相對應的位 置上較佳。對測試系統400可預先賦予半導體晶圓3〇〇的 對準標誌226的位置。如上所述，半導體晶圓3〇〇和晶圓 載α 410的相對位置，可在半導體晶圓3〇〇被搬運到反應 9 1379369 31570pifl 修正曰期101年8月10曰 爲第98118028號中文說明書無劃線修正本 室20内之前大致地進行調整。 因此’如圖3所不，測定部4〇6可使對半導體晶圓3〇〇 的行進方向（以下稱作γ方向）成垂直之方向（以下稱作 X方向）上的攝像範圍，設定得較半導體晶圓·的直徑 還小。例如’測定部406的X方向上的拍攝範圍為對準標 誌、226的2〜3倍左右。測定部4〇6為了可偵測X方向上 的對準標諸226的位置，而具有沿著X方向按照規定的間 距(pitch)排列的多個攝像元件。 而且，測疋部406的X方向上的位置可變更地設置。 測試系統傷可根據預先所賦予的對準標就22 6的位置數 據，而變更測定部406的X方向上的位置。 而且測疋。卩406在X方向的軸上於不同的位置設置 有多個。在這種情況下，可债測多個對準標誌226的位置， 所以能夠精度更好地偵測半導體晶圓3〇〇的位置。 圖4所示為測定部406進行掃描之圖像的一部分。如 上所述，測定部406沿著x方向具有多個攝像元件4〇7， 所以可以與攝像元件407的間距相稱的解析度，偵測X方 ^的對準標諸226的位置。攝像元件407的間距較對準 標誌226的X方向上的寬度小時較佳。而且，攝像元件407 的間距較解誤差的容許範圍小較佳，其巾， =範圍是依據半導體晶圓_及測試用晶圓⑽的線端 ^度=確定°测試系統_從各個測定部406所拍攝的圖 像，偵測各個對準標誌220的X方向的位置。 而且，測試系統400的位置控制部可根據各個测定部 1379369 31570pifl 爲第98118028號中文說明書無劃線 修正日期10丨年8月丨〇曰 時的時序，來計算各 〜226的Y方向上的位置。例如， 羋心 定部406 _對準標諸226後，個测 上，來制將半導體晶請載圓载台410 對準標誌、226的γ方向位置。在㈣載台4U)上後的 而且’測試系、统400的位置控制部可根 法所偵測的各個對準標结226的乂方向的位置及 = 位置’來計算半導體晶圓3⑻的旋轉量。所說的 / 圓300的旋轉量’是表示在與晶圓载台平行的曰日 +導體晶圓300以中心為軸’從正規的位置進行 量。 例如，測試系統400的位置控制 ==的位置和預先所賦予的對準標 疋轉角。該旋轉角可求取χ方向及Υ方向上的、 對準U6的偵測位置與對準標諸226的正規位 =，及從半導體晶圓300的中心到對準標諸226為止的距 對測試請彻的位置控制部，可預先賦科導體曰 圓300的中心和對準標誌226的距離。 曰曰 測試系、统400的位置控制部可根據利用上述方法所偵 2對準標諸m的X方向上的位置、γ方向上的位置及 =轉量’來控制晶圓載台彻。晶圓載台410具有在載置 半導體晶圓300的狀態下’可對χ方向、γ方向及旋轉量 ^調整之水平載台。而且’測試系統400的位置控制部 可猎由根據測定部406所偵測的對準標誌226的位置以控 11 1379369 31570pifl 爲第98118028號中文說明書無劃線修正本 修正日期101年8月10日 制水平載台，而調整晶圓載台410所載置的半導體晶圓300 的X方向、Y方向上的位置及旋轉量。 圖5所示為反應室20的内部構造的一個例子。依次搬 運測試對象的半導體晶圓300至反應室20,並與反應室20 内所固定的測試用晶圓100進行電氣連接。在反應室20 的内部設置有測試用晶圓1〇〇、性能板4〇4、母板4〇2、晶 圓托架(tray)408、晶圓載台410、引導部420、載台支持部 418、測定部406及位置控制部450。 測試用晶圓1〇〇在反應室2〇内被固定。在本例中，測 試用晶圓100被固定在反應室2〇内的性能板4〇4上。性能 板404可為例如形成有配線的印刷基板。而且，性能板4〇4 可固定在反應室20内的母板402上。母板402經由性能板 404而在控制裝置10和測試用晶圓1〇〇之間傳送信號。如 上所述，在測試用晶圓100的與半導體晶圓3〇〇對向的面 上’設置具有多個凸塊(brnnp)的薄膜。測試用晶圓1〇〇利 用該多個凸塊，而與半導體晶圓3〇〇上所形成的多個半導 體晶圓300的焊墊統一地進行電氣連接。 、明圓载台在反應室20内，載置半導體晶圓3〇〇 ，使其移動。在本例中，半導體晶圓3⑻利用吸附等而固 定在晶圓托架408上，且晶圓載台410載置晶圓托架4〇8。 而且，晶圓载台410經由載台支持部418而與引導部42〇 連接’並沿著引導部420而移動。 例如’引導部420使晶圓載台410，在從搬運部4〇接 收半導體晶圓300的接收位置A、和與測試用晶圓1〇〇對 12 31570pifl 修正日期101年8月10日 爲第98118028號中娜牖無®線修正本 4°20 ^^、位置B之間’按照規定的路徑進行移動。引導部 曰^沿著該規定的路徑而設置的軌道。 ^圓載台41G移動到與測試用晶圓動對向的規定位 加導體晶圓沿著垂直方向進行移動並與測 ^jux)電氣連接。晶圓載台·具有水平載台412 及垂直载台416。 平載口 412載置晶圓托架樣，並對半導體晶圓細 的表面和水平面内的半導體晶圓遍的位置進行調整。水 412對該面内的χ方向及¥方向的半導體晶圓獅 以及該面内的半導體晶圓3〇〇的旋轉量進行調整。 藉此’可對半導體晶圓300的位置進行調整，以使半導體 晶圓300的各焊墊與測試用晶圓1〇〇的各焊墊進行電氣連 接0 ” 垂直載台416載置水平載台412，並對水平載台412 的垂直方向的位置進行控制。例如，垂直载台416可藉由 在與測試用晶圓1〇㈣向的位置上，使載置著半導體晶圓 300之狀態的水平載台412可與測試用晶圓1〇〇接近，從 而將半導體晶圓300及測試用晶圓100進行電氣連接 且，垂繼416可在使半導__對==1〇而〇 接近到規定的距離之後，將半導體晶圓3〇〇和測試用晶圓 100間的空間進行減壓，從而將半導體晶圓3〇〇和測試用 晶圓100電氣連接。而且，可在垂直載台416上固定著載 台支持部418。 位置控制部450如圖4所關聯說明的那樣，根據測定 U/9369 31570pifl 修正日期101年8月丨〇日 爲第981麵8獅文 :?6所拍攝的圖像，對晶圓载台410的位置進行控制。 =控制部450藉由控制水平載台4 體晶圓300的位罟推 > 袖杜 ,^ 夏而對+導 墊配置輕、㈣ 以使半導體晶® 的各烊 塾置在與測相晶圓⑽的各凸塊對應的位置上。 上，晶圓位置偵測部42戰在晶圓載台_ h、M用阳圓100的位置預先進行測定。例如 =^^部422可預先偵測對規定的位置B上所配 的曰曰圓载〇 410的、測試用晶圓1〇〇的 面内的相對位置。水平载台412由於水平 變動，所卿如圓㈣騎422設置;^直位載置台= 上佳 半二3,450為了精度良好地使測試用晶圓⑽及 +導體日日回300的終端進行連接’可還根據測 =測部422所測定的測試用晶圓的位置二 平載台412。 +役f」水 利用這種構成，可調整半導體晶圓 '。。的位置，能夠將半導體二=::= ==多個終端這行電氣連接。而且，本例的= 曰曰回的位置疋固定在反應室2〇 Θ，所以，測試用 ，置偵測部422在更接半導體晶圓3G0時，可不對二 ，圓100的位置進行測定。測試用晶圓位置债測部^在 ::規定期間，對測朗晶圓⑽的位置進行测定即可。 因此，可效率良好地對多個半導體晶圓3〇〇進行測試。 在以上的說明中，測定部406是在為了使半導體晶圓 1379369 31570pifl 修正曰期101年8月1〇日 爲第98118028號中文說明書無劃線修正本 3〇〇載置於晶圓载台410上而進行移動期間，伯 晶圓300的對準標言志226的位置。在另外的例子中，測定 部406也可在將半導體晶圓3〇〇載置在晶圓載台上， 位Γ期間’對半導體 :目，—加舰/ 的置進行偵測。在這種情況下， Z、1疋。P没置在晶圓載台410的移動路徑上，並對 一的=:t所載置之半導體晶圓的表面的至少 226=::r:::期:;偵測對额 斜贴細f 作马個例子，本例的測定部406 的測侧相圖:=::: 攄測定部406所偵測的圖像，來控制水平載:41。2根 標認=二在偵測對準 準標諸226的Y方向上的位置。從：『二 置二= 方向上的位置。 〃 了偵測對準標誌、226的丫 位置控制部450根據像這樣翻到的各個對準標諸 15 31570pifl 爲第98118028號中文說明書無劃線修正本 修正日期101年8月10日 226的X方向及γ方向上的位置， 向及Y方向的位置及旋轉量進行調整。這t 載台410的移動…貞測對準標諸226的=j 方向的位置，並對半導體晶圓3〇〇的位 向及 圖7所示為在晶圓載台410進行移動期严 測 才示諸226之另-例子的說明圖。本例的測 働 -個測定部概。而且，即使在關於圖3所說二 圓載台彻搬運半導體晶圓___ 2 ^ =下，也可同樣地利用一個測定部4〇6而偵；；= 在這種情況下，可在半導體晶圓細上，如圖 於X方向的軸上的大致相同的位置，設置多個卜 226。測定部406以可侧這些對準標總a㈣位 = =配置著。這樣的構成，也可_半導體晶圓3〇〇= X方向及Υ方向上的位置偏離及旋轉量。 另外’圖3至圖7中，所示為作為一個例子的矩形對 準杯達' 226，但對準標誌226的形狀並不限定於該形狀。 對準標誌226可具有十字等規定的形狀。而且，對準標誌 226也可具有沿著規定的形狀而排列的多個焊墊。 圖8所示為測試用晶圓1〇〇的剖面圖的—個例子。本 例的測試用晶圓100如上所述，在控制裝置1〇及半導體晶 圓300之間傳送信號。測試用晶圓100具有晶圓側連接= 墊112、裝置侧連接焊墊114、貫通孔116、中間焊墊 及配線117。 3l570pifl 修正日期101年8月1〇日 爲第98118028號中文說明書無劃線修正本 測試用晶圓100如圖8所示，具有晶圓連接面1〇2及 在晶圓連接面102的背面上所形成的裝置連接面·。晶 圓連接面102可以是指與半導體晶圓3〇〇對向的面。而且， 裝置連接面104可以是指與控制裝置1〇電翁拿 多個晶圓侧連接焊墊112形成在測試用晶圓1〇〇的晶 圓連接面102上。而且，晶圓側連接焊墊112對各個半導 體晶片310，至少在每一個上進行設置。例如，晶圓側連 ，焊墊112可對各個半導體晶片31〇的各個輸出入終端的 母一個進行設置。亦即，在各個半導體晶片31〇具有多個 輸出入終端的情況下，晶圓側連接焊墊112可對各個半導 體晶片310的每個設置多個。 各個晶圓侧連接焊墊112與半導體晶圓3〇〇的各個輸 出入終端以相同的間隔而設置，並與對應的半導體晶片 31〇的輸出入終端進行電氣連接。另外，所說的電氣連接， 可以是指在2個構件間能夠傳送電氣信號的狀態。例如， 晶圓側連接焊墊U2及半導體晶片31〇的輸出入終端可藉 由直接接觸或經由其它導體而間接地接觸，從而進行電^ 連接。本例的晶圓侧連接焊墊112經由後面的圖1〇所述的 ，膜，與半導體晶片31〇的輸出入終端進行電氣連接。在 薄膜的與各焊墊相對應的位置上形成有凸塊。 而且’晶圓侧連接焊墊112及半導體晶片31〇的輸出 入終端，也可像電容量結合（靜電結合）或感應結合7磁 結合）等那樣’以非接觸狀態進行電氣連接。而且，曰
日日 HJ 侧連接焊墊112及半導體晶片31〇的輸出入終端之間的傳 1379369 3l570pifl 修正日期101年8月1〇曰 爲第98118028號中文說明書無劃線修正本 送線路的一部分，也可為光學傳送線路。 多個裝置侧連接焊墊114形成在測試用晶圓1〇〇的裝 置連接面1〇4上且與性能板4〇4進行電氣連接。而且，裝 置侧連接焊墊114是與多個晶圓側連接焊墊112 一對一地 對應設置。在這裏，裝置侧連接焊墊114與性能板4〇4的 終端是以相同的間隔而設置。因此，如圖8所示，裝置側 連接焊墊114可以與晶圓侧連接焊墊112不同的間隔而設 置。 貝通孔116、中間焊墊150及配線17〇形成在測試用 曰曰圓100上，將對應的晶圓側連接焊塾及裝置側連接 焊墊114進行電氣連接。例如，中間焊墊150設置在裝置 連接面104的與晶圓侧連接焊墊112對向的位置上。貫通 孔116以一端與晶圓侧連接焊墊112連接，另一端與中間 焊墊150連接的形態，貫通測試用晶圓1〇〇而形成。'而且， 配線117在裝置連接面1〇4上，將中間焊墊15〇及裝置侧 連接焊墊114進行電氣連接。利用這種構成，可將排列間 隔不同的裝置侧連接焊墊114及晶圓侧連接焊墊112進行φ 電氣連接。 例如，晶圓側連接焊墊112為了與半導體晶片31〇的 各輸入終端進行電氣連接，而與各輸入終端以相同的間隔 ，配置。因此，晶圓侧連接焊墊112例如像圖2所示，在 每一半導體晶片310上’於預先確定的區域以微小的間隔 而設置。 對此，各個裝置侧連接焊墊114可以較1個半導體晶 1379369 31570pifl 修正日期101年8月10日 爲第98118028號中文說明書無劃線修正本 片310所對應的多個晶圓側連接焊墊112的間隔大之間隔 而設置。例如，裝置侧連接焊墊114在裝置連接面1〇4的 面内，以等間隔進行配置以使裝置側連接焊墊114的分佈 大致均等。 本例的測試用晶圓100與半導體晶圓3〇〇是以相同的 半導體材獅成，所以即使在周目溫度變耗情況下，也 可良好地維持測試用晶圓100和半導體晶圓300之間的電 氣連接。因此’即使在加熱半導體晶圓300並進行測試的 情況下，也可精度良好地對半導體晶圓則進行測試。 而且，由於測試用晶圓刚由半導體材料等形成，所 以可在測試用晶圓Η) 〇上容易地形成多個晶圓側連接焊塾 112等。例如，藉由曝光等的半導體製程可容易地 形成晶圓侧連接料112、裝置側連接焊墊丨14、貫通孔 116及配線117。因此’可在剩試用晶圓100上，容易地形 成與f個半導體晶片310相對應的多個晶圓側連接焊塾 荨。而且，職用晶圓丨⑻的終端可藉由在測試用晶 圓100上電鍍、蒸鍍導電材料等而形成。 =所示為電路部110的構成例。電 =部⑵、波形成形部13〇、驅動器132、比較器二圖 時序產生部136、邏輯崎部138、特 供給部142。另外，電路部⑽可在所連接的半導2片原 案產生部122具有圖_^^^案。本例的圖 題124、期待值記憶體126及 1379369 31570pifl 修正曰期101年8月10日 爲第98118028號中文說明書無劃線 ，效記憶體128。圖案產生部122可對圖案記憶體124輪 ，預先存儲的邏輯圖案。圖案記憶體]24可在測試開始前 存儲從控職置K)所舒的邏輯_。而且，圖案產 =也可根據縣賦料演算法(al細㈣*生成該 圖案。 波形成形部130根據從圖案產生部122所賦予的邏輯 圖案三形成測雜號⑽形。例如，波形成形部13〇可摔 叙的位兀期間輸出與邏輯圖案的各邏輯值相稱 的電壓，而形成測試信號的波形。 稱之器Γ輸出與從波形成形部l3G所賦予的波形相 ^之測试驅動器132可依據從時序產生部136所 予的時序錢，以輪_試信號。例如 出與時序信號相同週期的測試信號。媒動器?：= :信號經由切換部等而被供給到對應的半導體晶片 比較器134測疋半導體晶片31〇所輸出的響古。 二，Λ較二34可藉由依據從時序產生部136所。的 案依次偵測響應信號的邏輯值，而測定響 。。邏輯比，部138作為判定部而發揮機能，以根據比較 益134所測定的響應錢的賴 體晶片310的好壞。例如，、緖❹如”。Κ對應的+導 產生邛122所賊〜Γ 較部％可根據從圖案 :ΓΓ待值圖案和比較器134所债測的邏 _圖案疋否-致’而判定半導體晶片31〇的 20 1379369 31570pifl mm 98U 8028 修正日期10丨年8月l〇日 ί部二體126中所預先存儲的期待值圖 ^ 1讀比較部138。期待值記賴 裝置10所賦予的邏輯圖案。而且:圖 待值圖案。可根據預先所賦予的演算法，以生成該期 如，比較部138的比較結果。例 下，失憶體區域進行職的情況 儲邏輯ίίί 在半導體晶片31G的每—地址，存 t扣比較部138的好壞判定結果。控繼置料予 效5己憶體128所存儲的好壞判定社 貝 垾墊114可將失七？‘产萨」：：果。例如’裝置側連接 出到、㈣I 所存儲的好壞判定結果，輪 J測忒用日日圓100的外部的控制裝置1〇。 或電=、古Γ測定部140測定驅動器132所輸出的電壓 機” 140作為判定部而發
波形是否滿足規定的樣式，而判定半導體二I 31〇 祕轉半導體晶片 所睡將與職中從控制裝置10 3予=力相稱的電源電力，供給到半導體晶片勝 供給部142也可對電她 料11G具有這種構成，所以可實現 控制裝置!。的規模之測試系統姻。例如，作為控制農丄 1379369 31570pifl 修正日期101年8月1〇日 爲第98118028號中文說明書無劃線修正# 1〇 ’可利用通用的個人計算機等。 圖10所不為將測試用晶圓100及半導體晶圓300進行 電氣連接的構成例。本例的測試系統藉由將測試用曰 圓100及半導體晶圓300配置在密閉空間内，並對該: 空間内進行，而使測試用晶圓100及半導體晶圓300 接近並進行電氣連接。 、更具體地說，在固定有測試用晶圓100的性能板404 及載置半導體晶圓3GG的晶_架之間形成密閉空 間。而且’在性能板404、測試用晶圓1〇〇及半導體晶= 3〇〇之間分別設置異向性導電片。•然後，藉由對密閉 内進行減壓，而利制試用晶圓等來題異向性 片，使測試用晶15 1〇〇等進行電氣連接。因此，測 圓100以在垂直方向上可移動的形態，而固定在性能板Z 上。 而二且，測試用晶圓100在水平方向上可移動的範圍中 ，於，试用晶圓100及半導體晶圓3()()之間的對準誤差的 容許範圍内較佳。例如，測試用晶圓100在水平方向可移 動的範圍’與測試用晶圓觸及半導體晶圓3⑻ 度相比足夠小時較佳。 T見 測試用晶圓100利用支持部綱而固定在性能板4〇4 上。支持部204將裝置側異向性導電片212、裝置側密封 214 ' /則试用晶圓10〇、晶圓側異向性導電片218、 _ 222及固定環220固定在性能板404上。 ‘、 裝置側異向性導電片212由於設置在測試用晶圓1〇〇 22 1379369 3l570pifl 修正日期101年8月10曰 爲第98118028號中文說明書無劃線修正本 及性能板姻之間並受到按壓，所以將測試用晶圓削的 電極和性能板彻的電極進行電氣連接。測試用晶圓1〇〇 f壓裝置側異向性導電片212，並以可與性能板電氣 f接的程度，以對性能板偏的下面之垂直方向的位置可 在規定的範圍進行位移的形態而得到支持。 j置側密封部214沿著薄膜222的性能板彻側的面 =邊部而設置’並對薄膜222的性能板4〇4侧的面的周 能板404之間進行密封。裝置側密封部214可以 相._㈣健《向性導電片加*與性能板 4〇4導通的程度以利用具有彈性的彈性材料來形成。 異向性導電片218設置在測試用晶圓_及薄 膜22之間。晶圓側異向性電導電片218藉由按屋，而將 :則f用晶圓100的半導體晶圓3〇 側連接終端和薄膜222㈣塊終端進行電氣=置之b曰固 的玖端㈣^ 可具有凸塊終端，將半導體晶圓300 t固定^ 2== _的晶圓侧連接終端進行電氣連 ^ 寻膜222對裝置側密封部214進行固定。 幻如，固定環22〇可沿著薄膜您的半導體 周邊部呈環狀而設置。固定環22〇的内‘較晶 薄導電片218及半導體晶圓300的直徑還大。日日 且端具有大致相同直徑的圓形狀， ^ 壞0上。裝置側異向性導電片212、 =日日圓1〇〇及晶圓側異向性導電片218，配置在薄膜 23 丄:wy划 31570pifl 爲第98118028號中文說鴨無劃線修正本 修正日期101年8月1〇日 二t性旎板404之間’並利用薄膜222而對性能板404 ^、、規疋的位置上<•如圖1〇所示，在裝置側異向性導電 片212、測試用晶圓卿及晶圓側異向性導電片218和裝 置=封部214之間’可設置有間隙。利用這種構成，而 以+導體晶圓來按壓薄膜222，從而可將半導體晶圓 3〇〇和測試用晶圓100進行電氣連接。 、一支持部2〇4可藉由支持該固定環MO而對薄膜Μ2等 ，打支持。支持部204可以薄膜222對性能板4〇4的下面 月匕夠在規定的涵内接近之形態，而對測試用晶圓削進 行支持。例如’支持部204可以固定環22〇的下端從性能 板404的下面不離開規歧離以上的形態，而在從性能板 404的下面只離開規定距離的位置上，來對固定環的 下端進行支持。 晶圓託盤408在配置於規定位置的情況下，以與性能 板404形成密閉空間的形態而設置。本例的晶圓托架娜 2性能板404、裝置侧孔部214及晶圓側密封部224形成 密閉空間。而且’晶圓托架在該密閉空間側的面上載φ 置半導體晶圓300。 晶圓侧密封部224在晶圓托架408的表面上，沿著與 薄膜222的周邊部相對應的區域而設置，並對薄膜222的 晶圓托架側的面的周邊部及晶圓托架4〇8之間進行密封。 晶圓側密封部224在晶圓托架408的表面上可形成環狀。 而且，晶圓側密封部224形成唇(lip)狀，其隨著與晶 圓托架408表面的距離增大，環狀的直徑亦增大。晶圓側 24 3l570pifi •修正曰期101年8月1〇日 胃胃98118028號中文說明書無劃線修正本 密封部224在被按壓在_ 222 ±的情況下，依據該按壓 力而頂端撓曲，從而使薄膜222和半導體晶圓300的距離 接近。而且，晶圓側密封部224在未被按壓在薄膜222上 的狀態下，自晶圓托架408的表面的高度成為較半導體晶 圓300的高度還高。 圖5所關聯說明的垂直載台416使晶圓托架4〇8進行 移動，直至晶圓側密封部224的上端部與薄膜222緊宗 合的位置。藉由這種構成’可性能板:J = 、裝置側密封部214及晶圓側密封部224，而形成存儲 測η式用晶圓1 〇〇及半導體晶圓3〇〇的密閉空間。另外，水 平載台412在垂直載台416使晶圓托架408沿著垂直方向 進行移動之前，對半導體晶圓300的水平面内的位置及傾 斜進行調整較佳。 減壓部234對性能板404及晶圓托架4〇8之間的密閉 空間進行減壓，該密閉空間由性能板4〇4、晶圓托架4〇8、 裝置側密封部214及晶圓側密封部224形成。減壓部234 在晶圓載台410使晶圓托架408移動而形成上述的密閉空 間後，對該密閉空間進行減壓。 $ 藉此，減壓部234使晶圓托架408對性能板4〇4接近 到規定的位t。晶圓托架概藉由配置在該蚊的位置 上，而對裝置側異向性導電片212及晶圓側異向性導電片 218施加按壓力，使性能板404及測試用晶圓1〇〇進行電 氣連接，且使測試用晶圓1〇〇及半導體晶圓3〇〇進行電氣 1379369 3l570pifl 爲第98118028號中文說明書無劃線修正# 修正曰期101年8月丨0日 日日關㈣邵224可在固定環22〇的 斑 溥膜222相接觸。在這種情況下， ” 八*…… 况下袷閉空間由薄膜222而 刀割，能板4〇4_空間和晶圓托架4〇8側的空間。因 ^在薄膜222上設置將這些空間進行連接的貫通孔242 季父佳。 而且，在測試用晶圓100、裝置側異向性導電片212 及晶圓側異向性導電片218上，也設置貫通孔24〇、貫通 孔213及貫通孔219較佳。薄膜222、測試用晶圓1〇〇、裝 置侧^向性導電片212及晶圓側異向性導電片218上所設 置的貝通孔，在各個面内大致均等地分散配置較佳。藉由 XI種構成，在對密閉空間進行減壓的過程中所吸入的空 氣，利用多個貫通孔而分散流動。另外，貫通孔242、貫 通孔240、貫通孔213及貫通孔219可設置在對應的位置 上’而且，也可設置在彼此不同的位置上。 因此，在對密閉空間進行減壓的過程中，在裝置側異 向性導電片212及晶圓侧異向性導電片218上所施加的按 壓力，可在各個面内大致均等地分散著，大幅減小減壓過 程中的應力歪斜。因此，可防止測試用晶圓1〇〇的割裂、 異向性導電片的歪斜等。藉由這種構成，可利用一個減壓 部234，而對性能板404及薄膜222之間的空間和薄膜222 及半導體晶圓300之間的空間進行減壓。 而且，減壓部234可使半導體晶圓300吸附在晶圓托 架408上。本例的減壓部234具有密閉空間用的減壓器236 和半導體晶圓用的減壓器238。而且，在晶圓托架408上， 1379369 3l570pifl 修正曰期101年8月10日 爲第98118028號中文說明書無劃線修正本 形成有密閉空間用的吸氣路徑232和半導體晶圓用的吸氣 路徑230。 利用這種構成’可將性能板彻上所固定的測試用晶 圓100和半導體晶圓300進行電氣連接。如上所述，由於 職用晶圓100固定在性能板4〇4上，所以可容易地進行 測試用晶圓100及半導體晶圓300間的對準。 雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定 ί發明，任㈣屬技術領域中具有通f知識者，在不脫離 =明之射和範_，當可作些許之更動與潤飾 ^明之賴顏當狀冑請專· 【圖式簡單制】 ，1所禾為關於-實施形態的測試系統侧的概 圖2為測試系統4〇〇的測試的概要說明圖。 圖3為將半導體晶圓3〇〇與晶 進行對準之方法的-個例子。 秋口 的規疋位置 ::示=部.進行了掃据之圖 圖5所不為反應室20的内部構造的—個例子 載台彻進行移動㈣侧對準標諸 挪二進行移動期間偵測對準標諸 ::2測試用晶圓1 〇 〇的剖面圖的一個例子。 圖9所示為電路11〇的構成例。 圖1〇所示為將測試用晶圓⑽及半導體晶圓300進 27 1379369 修正日期ιοί年8月10曰 31570pifl 爲第98118028號中文說明書無劃線修正本 行電氣連接的構成例。 【主要元件符號說明】 10 :控制裝置 20 :反應室 40 :搬運部 60 :晶圓盒 100 ·測試用晶圓 102 .晶圓連接面 104 :裝置連接面 110 :電路部 112 :晶圓侧連接焊墊 114 :裝置侧連接焊墊 116 :貫通孔 117 :配線 122 :圖案產生部 124 :圖案記憶體 126 :期待值記憶體 _ 128 :失效記憶體 130 :波形成形部 132 :驅動器 134 :比較器 136 :時序產生部 138 :邏輯比較部 140 :特性測定部 28 1379369 31570pifl 爲第98118028號中文說明書無劃線修正本 修正日期101年8月10日
142 電源供給部 150 中間焊墊 204 支持部 212 裝置側異向性導電片 213 貫通孔 214 裝置側密封部 218 晶圓側異向性導電片 219 貫通孔 220 固定環 222 薄膜 224 晶圓側密封部 226 對準標誌 230 吸氣路徑 232 吸氣路徑 234 減壓部 236 減壓器 238 減壓器 240 貫通孔 242 貫通孔 300 半導體晶圓 310 半導體晶片 400 測試糸統 402 母板 404 性能板 29 1379369 31570pifl 修正日期ιοί年8月10日 爲第98118028號中文說明書無劃線修正本 406 :測定部 407 :攝像元件 408 .晶圓托架 410 :晶圓載台 412 :水平載台 416 :垂直載台 418 :載台支持部 420 :引導部 422 ·測試用晶圓位置Ί貞測部 450 :位置控制部
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