TWI365917B - A1-based alloy sputtering target and process for producing the same - Google Patents
A1-based alloy sputtering target and process for producing the sameInfo
- Publication number
- TWI365917B TWI365917B TW096142872A TW96142872A TWI365917B TW I365917 B TWI365917 B TW I365917B TW 096142872 A TW096142872 A TW 096142872A TW 96142872 A TW96142872 A TW 96142872A TW I365917 B TWI365917 B TW I365917B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- producing
- same
- based alloy
- sputtering target
- alloy sputtering
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C21/00—Alloys based on aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
- C22F1/04—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of aluminium or alloys based thereon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12229—Intermediate article [e.g., blank, etc.]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006313505A JP2008127623A (ja) | 2006-11-20 | 2006-11-20 | Al基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200902738A TW200902738A (en) | 2009-01-16 |
TWI365917B true TWI365917B (en) | 2012-06-11 |
Family
ID=38917707
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW096142872A TWI365917B (en) | 2006-11-20 | 2007-11-13 | A1-based alloy sputtering target and process for producing the same |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080223718A1 (zh) |
EP (1) | EP1932940A1 (zh) |
JP (1) | JP2008127623A (zh) |
KR (2) | KR20080045631A (zh) |
CN (1) | CN101220458B (zh) |
TW (1) | TWI365917B (zh) |
Families Citing this family (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3940385B2 (ja) * | 2002-12-19 | 2007-07-04 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示デバイスおよびその製法 |
JP4330517B2 (ja) * | 2004-11-02 | 2009-09-16 | 株式会社神戸製鋼所 | Cu合金薄膜およびCu合金スパッタリングターゲット並びにフラットパネルディスプレイ |
JP4579709B2 (ja) * | 2005-02-15 | 2010-11-10 | 株式会社神戸製鋼所 | Al−Ni−希土類元素合金スパッタリングターゲット |
JP4117001B2 (ja) | 2005-02-17 | 2008-07-09 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット |
JP4542008B2 (ja) * | 2005-06-07 | 2010-09-08 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示デバイス |
US7683370B2 (en) * | 2005-08-17 | 2010-03-23 | Kobe Steel, Ltd. | Source/drain electrodes, transistor substrates and manufacture methods, thereof, and display devices |
JP4283818B2 (ja) * | 2006-05-11 | 2009-06-24 | 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ | ローミング制御装置、移動通信端末、移動通信システム及びローミング制御方法 |
US7781767B2 (en) | 2006-05-31 | 2010-08-24 | Kobe Steel, Ltd. | Thin film transistor substrate and display device |
JP2008098611A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-04-24 | Kobe Steel Ltd | 表示装置 |
JP4280277B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2009-06-17 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示デバイスの製法 |
KR101043508B1 (ko) | 2006-10-13 | 2011-06-23 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 박막 트랜지스터 기판 및 표시 디바이스 |
JP4170367B2 (ja) | 2006-11-30 | 2008-10-22 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示デバイス用Al合金膜、表示デバイス、及びスパッタリングターゲット |
JP4355743B2 (ja) * | 2006-12-04 | 2009-11-04 | 株式会社神戸製鋼所 | Cu合金配線膜とそのCu合金配線膜を用いたフラットパネルディスプレイ用TFT素子、及びそのCu合金配線膜を作製するためのCu合金スパッタリングターゲット |
JP4705062B2 (ja) * | 2007-03-01 | 2011-06-22 | 株式会社神戸製鋼所 | 配線構造およびその作製方法 |
JP5143649B2 (ja) * | 2007-07-24 | 2013-02-13 | 株式会社コベルコ科研 | Al−Ni−La−Si系Al合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP4611417B2 (ja) * | 2007-12-26 | 2011-01-12 | 株式会社神戸製鋼所 | 反射電極、表示デバイス、および表示デバイスの製造方法 |
JP4469913B2 (ja) | 2008-01-16 | 2010-06-02 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス |
JP5231282B2 (ja) * | 2008-02-22 | 2013-07-10 | 株式会社神戸製鋼所 | タッチパネルセンサー |
JP5139134B2 (ja) | 2008-03-31 | 2013-02-06 | 株式会社コベルコ科研 | Al−Ni−La−Cu系Al基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP5432550B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2014-03-05 | 株式会社コベルコ科研 | Al基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
US20110008640A1 (en) * | 2008-03-31 | 2011-01-13 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel Ltd.) | Display device, process for producing the display device, and sputtering target |
JP5475260B2 (ja) | 2008-04-18 | 2014-04-16 | 株式会社神戸製鋼所 | 配線構造、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示装置 |
KR20100127290A (ko) * | 2008-04-23 | 2010-12-03 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 표시 장치용 Al 합금막, 표시 장치 및 스퍼터링 타깃 |
CN102077323A (zh) * | 2008-07-03 | 2011-05-25 | 株式会社神户制钢所 | 配线结构、薄膜晶体管基板及其制造方法、以及显示装置 |
JP2010065317A (ja) * | 2008-08-14 | 2010-03-25 | Kobe Steel Ltd | 表示装置およびこれに用いるCu合金膜 |
JP2010153365A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-07-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置 |
JP4567091B1 (ja) | 2009-01-16 | 2010-10-20 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示装置用Cu合金膜および表示装置 |
CN102356180B (zh) * | 2009-03-27 | 2013-11-06 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 溅射用镧靶 |
WO2010113638A1 (ja) | 2009-03-31 | 2010-10-07 | 日鉱金属株式会社 | スパッタリング用ランタンターゲット |
WO2011013683A1 (ja) | 2009-07-27 | 2011-02-03 | 株式会社神戸製鋼所 | 配線構造および配線構造を備えた表示装置 |
JP5547574B2 (ja) * | 2009-10-23 | 2014-07-16 | 株式会社神戸製鋼所 | Al基合金スパッタリングターゲット |
JP5681368B2 (ja) * | 2010-02-26 | 2015-03-04 | 株式会社神戸製鋼所 | Al基合金スパッタリングターゲット |
WO2012046768A1 (ja) | 2010-10-08 | 2012-04-12 | 株式会社神戸製鋼所 | Al基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP5723171B2 (ja) * | 2011-02-04 | 2015-05-27 | 株式会社神戸製鋼所 | Al基合金スパッタリングターゲット |
JP2012180540A (ja) | 2011-02-28 | 2012-09-20 | Kobe Steel Ltd | 表示装置および半導体装置用Al合金膜 |
JP5524905B2 (ja) | 2011-05-17 | 2014-06-18 | 株式会社神戸製鋼所 | パワー半導体素子用Al合金膜 |
JP2013084907A (ja) | 2011-09-28 | 2013-05-09 | Kobe Steel Ltd | 表示装置用配線構造 |
JP2013227632A (ja) * | 2012-04-26 | 2013-11-07 | Ulvac Japan Ltd | インジウムターゲット及びその製造方法 |
WO2015118947A1 (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-13 | 株式会社神戸製鋼所 | フラットパネルディスプレイ用配線膜 |
CN105525149B (zh) * | 2014-09-29 | 2018-01-12 | 有研亿金新材料有限公司 | 一种铝合金溅射靶材的制备方法 |
US9469566B2 (en) | 2015-03-20 | 2016-10-18 | Cardinal Cg Company | Nickel-aluminum blocker film low-emissivity coatings |
US9745792B2 (en) | 2015-03-20 | 2017-08-29 | Cardinal Cg Company | Nickel-aluminum blocker film multiple cavity controlled transmission coating |
US9752377B2 (en) | 2015-03-20 | 2017-09-05 | Cardinal Cg Company | Nickel-aluminum blocker film controlled transmission coating |
US11028012B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-06-08 | Cardinal Cg Company | Low solar heat gain coatings, laminated glass assemblies, and methods of producing same |
KR102329427B1 (ko) * | 2020-01-03 | 2021-11-24 | 와이엠씨 주식회사 | 배선전극용 합금 조성물 및 그의 제조방법 |
KR102329426B1 (ko) * | 2020-01-03 | 2021-11-24 | 와이엠씨 주식회사 | 배선전극용 합금 조성물 및 그의 제조방법 |
CN111926297A (zh) * | 2020-09-22 | 2020-11-13 | 爱发科电子材料(苏州)有限公司 | 一种铝及铝合金靶材坯料的制作方法 |
CN113125481A (zh) * | 2021-04-26 | 2021-07-16 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种AlSc溅射靶材EBSD样品的制样方法 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0681141A (ja) | 1992-08-31 | 1994-03-22 | Mitsubishi Kasei Corp | スパッタリングターゲット |
JPH06128737A (ja) | 1992-10-20 | 1994-05-10 | Mitsubishi Kasei Corp | スパッタリングターゲット |
JP2857015B2 (ja) * | 1993-04-08 | 1999-02-10 | 株式会社ジャパンエナジー | 高純度アルミニウムまたはその合金からなるスパッタリングターゲット |
JP2733006B2 (ja) * | 1993-07-27 | 1998-03-30 | 株式会社神戸製鋼所 | 半導体用電極及びその製造方法並びに半導体用電極膜形成用スパッタリングターゲット |
JP3358934B2 (ja) | 1996-03-15 | 2002-12-24 | 株式会社神戸製鋼所 | 高融点金属含有Al基合金鋳塊のスプレーフォーミング法による製造方法 |
JP3212024B2 (ja) | 1996-11-14 | 2001-09-25 | 日立金属株式会社 | Al系スパッタリング用タ−ゲット材およびその製造方法 |
JPH10147860A (ja) | 1996-11-15 | 1998-06-02 | Hitachi Metals Ltd | Al系スパッタリング用タ−ゲット材およびその製造方法 |
JP3365954B2 (ja) * | 1997-04-14 | 2003-01-14 | 株式会社神戸製鋼所 | 半導体電極用Al−Ni−Y 合金薄膜および半導体電極用Al−Ni−Y 合金薄膜形成用スパッタリングターゲット |
JP3081602B2 (ja) | 1998-02-23 | 2000-08-28 | 株式会社神戸製鋼所 | スパッタリングターゲット材料及びその製造方法 |
JP4458563B2 (ja) * | 1998-03-31 | 2010-04-28 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法およびこれを用いた液晶表示装置の製造方法 |
JP4663829B2 (ja) * | 1998-03-31 | 2011-04-06 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタおよび該薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置 |
JPH11293454A (ja) | 1998-04-14 | 1999-10-26 | Hitachi Metals Ltd | Al系スパッタリング用ターゲット材及びその製造方法 |
JP2001279433A (ja) | 2000-03-31 | 2001-10-10 | Hitachi Metals Ltd | 異常放電発生数が少ない純Alターゲットの製造方法 |
JP4783525B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2011-09-28 | 株式会社アルバック | 薄膜アルミニウム合金及び薄膜アルミニウム合金形成用スパッタリングターゲット |
JP3940385B2 (ja) * | 2002-12-19 | 2007-07-04 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示デバイスおよびその製法 |
JP4422975B2 (ja) * | 2003-04-03 | 2010-03-03 | 株式会社コベルコ科研 | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP2005303003A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Kobe Steel Ltd | 表示デバイスおよびその製法 |
JP4541787B2 (ja) * | 2004-07-06 | 2010-09-08 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示デバイス |
JP2006073337A (ja) | 2004-09-01 | 2006-03-16 | Advantest Corp | バイモルフ素子の製造方法 |
JP4330517B2 (ja) * | 2004-11-02 | 2009-09-16 | 株式会社神戸製鋼所 | Cu合金薄膜およびCu合金スパッタリングターゲット並びにフラットパネルディスプレイ |
JP4579709B2 (ja) * | 2005-02-15 | 2010-11-10 | 株式会社神戸製鋼所 | Al−Ni−希土類元素合金スパッタリングターゲット |
JP4117001B2 (ja) * | 2005-02-17 | 2008-07-09 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット |
US20060245618A1 (en) * | 2005-04-29 | 2006-11-02 | Honeywell International Inc. | Motion detection in a video stream |
JP2006313505A (ja) | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Chaosware Inc | 暗号化復号化システム、暗号化装置、復号化装置、暗号化方法、復号化方法、ならびに、プログラム |
JP4542008B2 (ja) * | 2005-06-07 | 2010-09-08 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示デバイス |
US7683370B2 (en) * | 2005-08-17 | 2010-03-23 | Kobe Steel, Ltd. | Source/drain electrodes, transistor substrates and manufacture methods, thereof, and display devices |
US7411298B2 (en) * | 2005-08-17 | 2008-08-12 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Source/drain electrodes, thin-film transistor substrates, manufacture methods thereof, and display devices |
CN101395296B (zh) * | 2006-03-06 | 2012-03-28 | 陶斯摩有限公司 | 溅射靶 |
US7781767B2 (en) * | 2006-05-31 | 2010-08-24 | Kobe Steel, Ltd. | Thin film transistor substrate and display device |
JP4280277B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2009-06-17 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示デバイスの製法 |
-
2006
- 2006-11-20 JP JP2006313505A patent/JP2008127623A/ja not_active Withdrawn
-
2007
- 2007-10-31 US US11/931,336 patent/US20080223718A1/en not_active Abandoned
- 2007-11-13 TW TW096142872A patent/TWI365917B/zh active
- 2007-11-14 EP EP07022151A patent/EP1932940A1/en not_active Withdrawn
- 2007-11-19 KR KR1020070117758A patent/KR20080045631A/ko active Application Filing
- 2007-11-20 CN CN2007101932198A patent/CN101220458B/zh active Active
-
2010
- 2010-06-23 KR KR1020100059636A patent/KR20100080890A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1932940A1 (en) | 2008-06-18 |
KR20080045631A (ko) | 2008-05-23 |
TW200902738A (en) | 2009-01-16 |
JP2008127623A (ja) | 2008-06-05 |
CN101220458A (zh) | 2008-07-16 |
CN101220458B (zh) | 2010-09-22 |
KR20100080890A (ko) | 2010-07-13 |
US20080223718A1 (en) | 2008-09-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI365917B (en) | A1-based alloy sputtering target and process for producing the same | |
TWI367266B (en) | Al-ni-la system al-based alloy sputtering target and process for producing the same | |
EP1887100A4 (en) | CATHODIC SPUTTER TARGET AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME | |
EP1865090A4 (en) | COPPER SPRAY TARGET IN A DEEP CUPETTE SHAPE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME | |
EP2284293A4 (en) | SINTERED OXIDE SPRAY TARGET AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF | |
AU2007292778A1 (en) | Magnesium alloy member and method for producing the same | |
EP2330231A4 (en) | SPUTTERING TARGET FOR HIGH-PURPOSE COPPER OR ALLOY WITH HIGH-PURPOSE COPPER, METHOD FOR PRODUCING THE SPUTTERING TARGET, HIGH-CREAM COPPER OR FILMING ALLOCATED TO A HIGH-PIP COPPER ALLOY | |
GB2455394B (en) | Magnesium alloy member and method for making the same | |
SG136144A1 (en) | Enhanced sputter target manufacturing method | |
EP2055797A4 (en) | IRON ALLOY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME | |
EP2003219A4 (en) | FORGED ALUMINUM ALLOY MEMBER AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME | |
TWI369406B (en) | Co-fe-zr based alloy sputtering target material and process for production thereof | |
HK1130945A1 (zh) | 數字合金及其形成方法 | |
EP1942204A4 (en) | sputtering Target | |
EP2037433A4 (en) | DISPLAY AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURE | |
EP1980223A4 (en) | STENT AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME | |
EP2034055A4 (en) | METAL COMPOSITE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR | |
EP1931812A4 (en) | TARGETS AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR | |
EP2085491A4 (en) | WEAR-RESISTANT ALUMINUM ALLOY MATERIAL WITH EXCELLENT SHAPING FEATURE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME | |
EP2143811A4 (en) | MAGNESIUM ALLOYS AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME | |
EP2008771A4 (en) | PROCESS FOR PRODUCING METALLIC ELEMENT AND STRUCTURAL ELEMENT | |
EP1876258A4 (en) | sputtering Target | |
EP1892315A4 (en) | TARGET FOR SPRAYING A RUTHENIUM ALLOY | |
EP2194100A4 (en) | POLYMER ALLOY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR | |
EP2006405A4 (en) | MAGNESIUM ALLOY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |