TWI354400B - Antenna structure and antenna radome thereof - Google Patents

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TWI354400B TW097108291A TW97108291A TWI354400B TW I354400 B TWI354400 B TW I354400B TW 097108291 A TW097108291 A TW 097108291A TW 97108291 A TW97108291 A TW 97108291A TW I354400 B TWI354400 B TW I354400B
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Description

1354400 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於-種天線結構及其天線罩，且特別是 有關於-種具有高增益結構之天線結構及其天線罩。 【先前技術】 近年來自於無線通訊技術高速發展，無線區域網路 (Wireless LAN)或是個人無線網路（驗以奶pAN)已深入辦 公室或家庭之中。然而’將各無線網路所串聯起來的仍以 有線網路為主，如數位用戶迴路(DigitalSubscriberUne， DSL)等。為了將大都會間的網路加以無線化，並以更低的 成本佈建城鄉之間的骨幹(backbone)網路設施，於是提出 IEEE 802.16a的全球互通微波存取協定（w〇rldwide
Interoperability f〇r Microwave Access ’ WiMAX) ’ 其傳輪 速度為70 Mbps，將比現有T1網路的1.544 Mbps快約45 倍以上’其佈建成本也較T1低廉。 由於骨幹網路基地台的佈建，通常以長距離及點對點 的方式構成’因此必須以高指向性天線為主，以提昇等欵 等向性輻射功率（Effective Isotropically Radiated Power， EIRP) ’利用更低的功率達成遠距離傳輸的目的，同時較 集中的輻射波束亦可以避免對鄰近區域造成干擾。傳統高 指向性天線分為碟型天線以及陣列天線兩大類別。碟型天 線雖然具有極高的指向性增益，但本身佔有極大的體積， 不僅架設困難也易受外界氣候的影響。 6 1354400 陣列天線則隨著所需天線指向性增益的增加，其陣元 數以倍數成長，天線面積大為增加’材料成本亦大幅提 昇。同時，構成天線陣列重要元件之一的饋入網路急劇複 雜化。饋入網路除了負責將每一個天線陣元的能量收集至 輸出端之外，也須確保輸出端至每一個天線陣元間之相位 無偏差。因此將造成相位準確性以及傳輪能量消耗的問 題，進而導致天線增益無法隨陣元數增加而增加。 於2002年，G. Tayeb等人提出超穎材料小型高增益 Φ 天線”(Compact directive antennas using metamaterials，12th
International Symposium on Antennas，Nice，12-14 Nov. 2002) ’揭露一種具有多層金屬網柵之超穎材料天線罩設 3十，利用電磁能隙技術，於14GHz之操作頻段下，大幅降 低微带天線的半功率束徑寬(僅約為10度左右），因此具有 極高之指向性增益。然而，基於e=fxA的公式，當應用 於刼作頻段為3.5GHz〜5GHz之WiMAX系統時，由於頻率 =降低，故波長大幅增加，是故天線罩相對應地將需要 係;^厚度，天線整體體積增加。同時，此多層金屬網栅 於天線輻射場之遠場(far_field)，整個天線結構變 使得實用性受到了限制。 【發明内容】 天線、纟^"於此，本發明之一實施範例提供一種具天線罩之 材料，^其提高增益之方法，利用具有金屬圖形之介電 °同時將材質為超穎材料之天線罩置放於天線結構 1354400 之輻射場之近場，除了可集中天線結構之輻射波束之束徑 寬以增加天線結構之增益外，更可以大幅減少天線結構之 • 體積。 - 本發明之另一實施範例提出一種天線結構，包括輻射 元件以及天線罩。天線罩具有至少一層介電材料，介電材 料之上表面具有多個分離的單一 s形金屬圖形，下表面具 有相對應於該些分離的單一 S形金屬圖形之多個分離的單 一反S形金屬圖形。其中，該些分離的單一 S形金屬圖形 • 與相對應之該些分離的單一反S形金屬圖形互相耦合以集 中輻射元件所發出之輻射波束。 本發明之另一實施範例又提出一種天線結構，包括輻 射元件以及天線罩。天線罩具有至少一層介電材料，至少 一層介電材料之上表面具有多個金屬圖形，下表面具有相 對應於金屬圖形之多個反向金屬圖形。其中，金屬圖形之 間距係介於輻射元件之共振頻率之波長的0.002倍至0.2 倍之間，反向金屬圖形之間距係介於輻射元件之共振頻率 • 之波長的0.002倍至0.2倍之間。其中，金屬圖形與相對 應之反向金屬圖形互相耦合以集中輻射元件所發出之輻 射波束。 本發明之另一實施範例再提出一種天線罩，包括至少 一層介電材料、多個分離的單一S形金屬圖形以及多個分 離的單一反S形金屬圖形。分離的單一 S形金屬圖形係印 刷或钱刻於至少一層介電材料之上表面。分離的單一反S 形金屬圖形係相對應於分離的單一 S形金屬圖形，並印刷 8 1354400 或#刻於至少一層介電材料之下表面。其中，分離的單一 S形金屬圖形與相對應之分離的單一反S形金屬圖形係互 ‘相耦合以集中一輻射元件所發出之輻射波束。 • 本發明之另一實施範例另提出一種天線罩，包括至少 一層介電材料、多個金屬圖形以及多個反金屬圖形。金屬 圖形係印刷或钱刻於至少一層介電材料之上表面。反金屬 圖形，係相對應於金屬圖形，並印刷或蝕刻於至少一層介 電材料之下表面。其中，金屬圖形之間距係介於一輻射元 • 件之共振頻率之波長的0.002倍至0.2倍之間，反向金屬 圖形之間距係介於此輻射元件之共振頻率之波長的0.002 倍至0.2倍之間。金屬圖形與相對應之反向金屬圖形係互 相搞合以集中輕射it件所發出之輻射波束。 本發明之另一實施範例再提出一種提高天線結構增 益之方法，係應用於天線結構，方法包括，首先，提供一 輻射元件。接著，置放天線罩於輻射元件之上以集中輻射 元件所發出之輻射波束。其中，天線罩具有至少一層介電 ® 材料，至少一層介電材料之上表面印刷或餘刻有多個分離 的單一 S形金屬圖形，至少一層介電材料之下表面印刷或 蝕刻有相對應於分離的單一 S形金屬圖形之多個分離的單 一反S形金屬圖形。分離的單一 S形金屬圖形與相對應之 分離的單一反S形金屬圖形係互相耦合以集中輻射元件所 發出之輕射波束。 就低形貌（low profile)考量，輕射元件或可使用一平 面反置 F 天線(planar inverted-F antenna ; PIFA)。就製作上 9 介線罩或可包含由玻璃纖維(例如FR4)製作的三層 1:=，且該三層介電材料之厚度比介於1:1.3:1至 丄.7. 1。另外，輕 以供雔也,A 件或可為一槽孔天線（slot antenna) 供又側輻射的應用。 為讓本發日月> u、4_. 转與眷^ 上述特徵、和優點能更明顒易懂，下文 特舉實施範例（非限 ！月匕文月顯隸卜又 下： 並配s所附圖式，作詳細說明如 【實施方式】 益之方'提供—種具天線罩之天線結構及其提高增 置放於天具有金相形之介，同時將天線罩 之輕射波束場之近場，以集中天線結構所發出 锖灸日„ 仫寬，增加天線結構之增益。 !士椹夕：：第1圖，其繪示乃依照本發明實施範例之天線 罩12Π 丁 -、圖。天線結構1〇0包括輻射元件 110以及天線 以》 5射疋件U〇包括輻射主體111、介質元件112 天線饋入端113,輻射主體U1位於介質元件IK上， ^用天線饋入端113饋人訊號。輻射元件1H)可為各種形 式之天線’並不限定於特定型式之天線。 線罩1之材質例如為超穎材料(metamaterails)， :、八有至少一層介電材料，本實施範例係以三層介電材料 為例做說明’分別為介電材料12卜介電材料122及介電 材料123’然並不限定於三層介電材料。介電材料121〜123 之上表面具有多個分離的單一 S形金屬圖形212〜218，下 表面具有相對應於該些分離的單一 s形金屬圖形212〜218 1354400 之多個分離的單一反S形金屬圖形222〜228。天線罩120 亦可以視為由多個陣元13〇所組成。請參照第2A圖，其 繪示乃依照本發明實施範例之天線結構之單一陣元之正 面金屬圖形之示意圖。陣元13〇包括介電材料121，其上 表面131具有分離的單一 s形金屬圖形212。請參照第2b 圖，其繪不乃依照本發明實施範例之天線結構之單一陣元 之背面金屬圖形之示意圖。陣元13〇包括介電材料121， 其下面表133具有分離的單一反s形金屬圖形222。 天線罩120中，該些分離的單一 s形金屬圖形 212〜218之間距係介於輻射元件11〇之共振頻率之波長的 0.002倍至〇.2倍之間。該些分離的單一反s形金屬圖形 222〜228之間距係介於輻射元件11〇之共振頻率之波長的 0.002倍至〇·2倍之間。該些分離的單一 s形金屬圖形 212〜218與該些分離的單一反δ形金屬圖形222〜228係印 刷或蝕刻於介電材料121上，結構簡單，可採用現有之印 刷電路板製程(PCB)製作，大幅降低生產成本。 請參照第3Α圖，其繪示乃依照本發明實施範例之天 線結構之上視圖。天線結構100於本實施範例中以1〇χ1〇 個陣元組成為例，但並不限縮於此。於本實施範例中，係 以頻率位於6.5GHz時為例，此時，輻射元件11〇之大小 約為13mmxl0mm(約為0.2倍波長），天線饋入端113位於 輻射元件110上。此外，陣元130之大小約為5 5画（約為 0.11倍波長）x3mm(約為〇.〇6倍波長），故當天線結構 具有10x10個陣元時，接地端114之大小約為55mm(約為 11 1354400 1.1倍波長)x30mm(約為0.5倍波長）。請參照第3B圖，其 繪示乃依照本發明實施範例之天線結構之單一層陣元之 • 上表面及下表面之示意圖。天線結構100之單一層陣元之 • 上表面係具有多個分離的單一 S形金屬圖形，下表面係具 有多個分離的單一反S形金屬圖形。 本發明所提供之提高天線結構增益之方法，係附加天 線罩120於輻射元件110以集中輻射元件110所發射之輻 射波束。其中，天線罩120係置放於輻射元件110所建立 • 之電磁場之近場位置，利用該些分離的單一 S形金屬圖形 212〜218與相對應之該些分離的單一反S形金屬圖形 222〜228上下互相耦合，藉以集中輻射元件110所發出之 輻射波束，使得輕射波束之束徑寬減少，天線結構110的 增益得以增加。請參照第4圖，其繪示乃依照本發明實施 範例之天線結構之增益頻率響應示意圖。此圖中輻射元件 110係以微帶天線為例，42為單一微帶天線之增益頻率響 應曲線，44為本發明之天線罩加微帶天線之增益頻率響應 • 曲線。由第4圖可知，單一微帶天線於6.4GHz具有最大 增益5.07dBi，而本發明之天線罩加微帶天線於5.8GHz具 有最大增益8.61dBi，增加約3.54dB的增益值。請參照第 5圖，其繪示乃依照本發明實施範例之天線結構之輻射場 型示意圖。第5圖中所提供之輻射場型係由第1圖中之天 線結構100為基準量測而得，51為單一微帶天線之輻射特 性，52為本發明之天線罩加微帶天線之輻射特性。由第5 圖中可知，加上金屬天線罩之後，本實施範例於x-z平面 12 1354400 產生集中輕射之場型’相當適合於指向性天線之實際應 用。 上述本發明所揭露之天線結構100，其介電材料 12W23上之金屬圖形並不限於該些分離的單—s形金屬 圖形與該㈣義單-反S形金屬_，凡間距介於輻射 元件110之共振頻率之波長的_2倍至0.2倍之間之金 屬圖形’且上下表面之金屬圖形能夠互鴻合者，皆可應 用於本發明所揭露之天線結# 1〇〇。此外，天線結構⑽ 其中介電材料121〜123之介電常數可不相等，導磁係 數亦可不相等。舉例來說’介電材料i2i和介電材料123 =導磁係數彼此相等’但不相等於介電材料122之導磁係 ，或者介電材料121〜123之導磁係數三者各不相等。介 電材料121〜123之介電常數亦然。唯當介電材料121〜123 之"電常數及導磁係數不相等時，該些分離的單一 s形金 屬圖形與該些分離的單一反S形金屬圖形之間距需要做些 微的調整，但仍介於輻射元件11〇之共振頻率之波長的 0-002倍至〇.2倍之間。 一實施範例中，第1圖之介電材料121、122和123 或可使用Roger 5880基板，惟成本高且不易形成一層板。 因此，較便宜的玻璃纖維（如FR4)或可加以使用以降低成 本。另外’該輻射元件110或可使用一如第6圖所示之平 面反置 F 天線(Planar Inverted-F Antenna;PIFA)以得到一低 形貌之天線結構。該PIFA可由一金屬板直接壓製形成， 因此PIFA相較於貼片天線(Patch Antenna)其製造上具低 1354400 成本效益，且其重量較輕。該PIFA天線110設置於天線 罩120下，且包含一訊號饋入端135、一短路構件136、 一輻射導體137及一接地平面138。該天線罩12〇包含三 層介電材料121、122及123 ’其可由玻璃纖維(如fr4)形 成。分離的單一 S形金屬圖形212與分離的單一反s形金 屬圖形222係形成於介電材料121和123之上下表面以形 成一陣列元件130。該天線罩120或可由多個陣列元件13〇 組成。一實施範例中，三層介電材料12卜122和123的
厚度比約1 : 1.5 : 1。應用上，根據實際調整之厚度比可 介於1 : 1.3 : 1至1 : 1.7: 1。因不同介電材料之不同介電 常數將影響到金屬圖形之電氣特性，為了使用玻璃纖維(例 如FR4)作為介電材料’介電材料的厚度可如上述進行調整 而具有相同的電氣特性。 第7圖繪示相應於PIFA及具有天線軍之piFA之頻率 的返回損失(RetUmU>SS)°可見到的是’本實施範例中， 具有天線罩的PIFA相較於PIFA具有較小的返 第8圖繪示天線增益及頻率間的關係 ' 3.501^’？1?八有4.44；^的夭綠描2 右”增益’而具有天線罩的腿 有7.撤的天線料。對於具天線
2.8dBi的天線增益。因此，八有曰加約 有較高的天線增益。具天線罩的咖相較請A 第9圖繪示具參考座標的天線結構 H)圖繪示及具天線罩 二圖，第 平面及y-z平面之電磁輪射場开卜構1〇1)於Η 耵眾也不思圖。具天線罩之ρπ?Α 1354400 相較於PIFA不論是於x-z平面或y-z平面有較高的指向 性。 由於接地平面134的限制，PIFA係一側輻射。因此 PIFA不適於關於無線通訊之強波(Repeat of line-of-sight) 或中繼站（Relay Station)之應用。 本發明亦提供一雙侧輻射之天線結構。第11圖中， 一天線結構102包含一輻射元件110及一天線罩120，該 輻射元件110和天線罩120間之間隔約3.5mm。本實施範 φ 例中，該天線結構100之長度約100mm、寬度約86mm。 該輻射元件110使用一包含槽孔圖案116之槽孔天線，其 係低形貌、寬頻及雙側輻射，以得到兩側輻射之能力。該 天線罩120包含三層介電材料12卜122及123，且該介電 材料121和123的上表面139和下表面140係設有S形金 屬圖案及反S形金屬圖案。根據模擬結果，該天線罩120 可增加天線指向增益約4.6dBi。 第12圖繪示一雙侧輻射之天線結構示意圖。一天線 • 結構包含一輻射元件110及位於該輻射元件110兩側之兩 個天線罩120。根據模擬結果，該天線罩120可增加天線 指向增益約2.5dBi。 第13圖中，一天線結構包含一輻射元件110(例如一 槽孔天線）、一天線罩120及一共振腔350。一槽孔圖案116 係形成於該輻射元件110。該共振腔350係設置於該槽孔 天線110下方以減少背側方向增益，藉此得到單一指向天 線之特定輻射圖案。 15 1354400 一般而言，該介電材料121、122或123之介電常數 介於1和100之間，而其導磁係數介於1和1〇〇之間。 第14圖繪示第11圖之天線結構1〇2之三維圖形示意 圖。該槽孔天線110包含一槽孔圖案116。本實施範例中， 該槽孔圖案116係I形或Η形，該槽孔圖案116的中央連 接〆訊號饋入端例如一微帶線(microstrip)。該天線罩12〇 係設置於該槽孔天線110之近場（near-field zone)。該槽孔 天線110或可形成於金屬導波管之表面、半導體基板、或 • 一同轴電纜之外金屬層，其係一洩漏同軸電纜(Leaky
Coaxial Cable ; LCX)。 第15圖中，一無天線罩之槽孔天線於兩侧之增益約 6dBi。若該槽孔天線於兩侧設有兩天線罩（雙侧增強），該 ^線増益於2.5GHZ可增加至8.5dBi。雖然具有一側天線 〜之天線（單側增強）之增益可增加4.6dBi，其增益僅見於 側。因此，具雙侧天線罩之槽孔天線非常適合於使用於 _ 中繼站。 第16A、16B及16C圖分別繪示槽孔天線示意圖、單 側增強天線及雙側增強天線於最大增益頻率之輻射場 /，其中顯示雙側增強天線之兩侧於x_z戋y_z平面有高 的指向性。 古 本發明上述實施範例所揭露之天線結構、天線罩及提 向天線結構增益之方法’係於介電材料上印刷或蝕刻互相 耦s之金屬圖形’並將天線罩置放於天線結構之輻射場之 近％ ’以集中天線結構所發出之輻射波束之束徑寬，進而 16 1354400 增加天線結構之增益。其中，金屬圖形具有結構簡單之特 點，可採用現有之印刷電路板製程製作，大幅降低生產成 本。此外，由於天線罩係置放於天線結構之近場處，使得 • 整個天線結構之體積能夠變得更小，提高實用性。 綜上所述，雖然本發明已以實施範例揭露如上，然其 並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知 識者，在不脫離本發明之精神和範圍内，當可作各種之更 動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利 • 範圍所界定者為準。
17 1354400 【圖式簡單說明】 第1圖繪示依照本發明實施範例之天線結構之示意 . 圖。 • 第2A圖繪示依照本發明實施範例之天線結構之單一' 陣元之正面金屬圖形之示意圖。 第2B圖繪示依照本發明實施範例之天線結構之單一 陣元之背面金屬圖形之示意圖。 第3A圖繪示依照本發明實施範例之天線結構之上視 • 圖。 第3B圖繪乃依照本發明實施範例之天線結構之單一 層陣元之上表面及下表面之示意圖。 第4圖繪示依照本發明實施範例之天線結構之增益 頻率響應示意圖。 第5圖繪示依照本發明實施範例之天線結構之輻射 場型不意圖。 第6圖繪示依照本發明一實施範例之天線結構之示 參 意圖。 第7及8圖繪示依照第6圖實施範例之天線結構的功 效示意圖。 第9圖繪示加入參考座標之本發明實施範例之天線 結構示意圖。 第10圖繪示第9圖之天線結構之輻射場形示意圖。 第11至13圖繪示本發明其他實施範例之天線結構示 意圖。 18 1354400 第14圖繪示加入參考座標之本發明一實施範例之天 線結構不意圖。 第15圖繪示本發明一實施範例之天線結構之增益頻 率關係曲線示意圖。 第16A、16B及16C圖繪示第14圖之天線結構之輻 射場形示意圖。 【主要元件符號說明】 100、101、102 :天線結構 110 ： 輻射元件 111 ： 輻射主體 112 ： 介質元件 113 : 天線饋入端 114 ： 接地端 116 ： 槽孔圖案 120 ： 天線罩 121〜123 :介電材料 130 :陣元 212〜128 :分離的單一 S形金屬圖形 222〜228 :分離的單一反S形金屬圖形 131 :上表面 133 :下表面 135 :訊號饋入端 1354400 136 ·•短路構件 137 :輻射導體 138 :接地平面 139 :上表面 140 :下表面 350 :共振腔 42 :單一微帶天線之增益頻率響應曲線 44:本發明之天線罩加微帶天線之增益頻率響應曲線 51 :單一微帶天線之輻射特性 52 :本發明之天線罩加微帶天線之輻射特性
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Claims (1)

1354400 十、申請專利範圍：
1. 一種天線結構，包括： 一平面反置F天線；以及 一天線罩，具有至少一層介電材料，該至少一層介電 材料之上表面具有複數個分離的單一 s形金屬圖形Y該至 少一層介電材料之下表面具有相對應於該些分離的單一 § 形金屬圖形之複數個分離的單一反s形金屬圖形； 其中該些分離的單一 S形金屬圖形分別與相對應之
該些分離的單-反S形金屬圖形互相麵合，以集中該輕射 元件所發出之輻射波束。 2.如申請專利範圍第丨項所述之天線結構，其中該 些分離的單-S形金屬圖形之間距係介於該轄射元件之 振頻率之波長的0.002倍至0.2倍之間。 '、
3·如申請專利範圍第丨項所述之天線結構，其中該 ，分離的單-反S形金屬圖形之間距係介於該輻射元狀 八振頻率之波長的〇.〇〇2倍至〇 2倍之間。 4·如申請專利_第丨項所述之天線結構，其中該 ::罩包含三層介電材料，該些層介電材料之導磁係數係 5.如申請專利範圍第4項所述之天線結構其中該 一層介電材料係由玻璃纖維製成。 項所述之天線結構，其申該 1:1.3:1 至 mi 〇 6.如申請專利範圍第4 二層介電材料之厚度比介於
如申請專利範圍第1項所述之天線結構，其中該 21 1354400 平面反置F天線包含： 一輻射導體； • 一饋入端，連接於該輻射導體； • 一接地平面；以及 一短路構件，連接該輻射導體和接地平面。 8. —種天線結構，包括： 一輻射元件；以及 一天線罩，具有相同導磁係數之三層介電材料，該介 φ 電材料之上表面包含複數個分離的單一 S形金屬圖形，該 介電材料之下表面包含相對應於該些分離的單一 S形金屬 圖形之複數個分離的單一反S形金屬圖形； 其中該些分離的單一 S形金屬圖形分別與相對應之 該些分離的單一反S形金屬圖形互相耦合，以集中該輻射 元件所發出之輻射波束。 9. 如申請專利範圍第8項所述之天線結構，其中該 些分離的單一 S形金屬圖形之間距係介於該輻射元件之共 • 振頻率之波長的0.002倍至0.2倍之間。 10. 如申請專利範圍第8項所述之天線結構，其中該 些分離的單一反S形金屬圖形之間距係介於該輻射元件之 共振頻率之波長的0.002倍至0.2倍之間。 11. 如申請專利範圍第8項所述之天線結構，其中該 三層介電材料係由玻璃纖維製成。 12. 如申請專利範圍第11項所述之天線結構，其中 該三層介電材料之厚度比介於1:1.3:1至1:1.7:1。 22 1354400 13.如申請專利範圍第8項所述之天線結構，其中該 輻射元件係平面反置F天線。 • 14. 一種天線結構，包括·· 一槽孔天線；以及 至少一天線罩，具有至少一層介電材料，該介電材料 之上表面包含複數個分離的單一 S形金屬圖形，該介電材 料之下表面包含相對應於該些分離的單一 S形金屬圖形之 複數個分離的單一反S形金屬圖形； Φ 其中該些分離的單一s形金屬圖形分別與相對應之 該些分離的單一反S形金屬圖形互相耦合，以集中該輻射 元件所發出之轄射波束。 15. 如申請專利範圍第14項所述之天線結構，其中 該槽孔天線包含至少一槽孔。 16. 如申請專利範圍第14項所述之天線結構，其中 該槽孔天線係建構於金屬導波管之表面、半導體基板、或 同轴電鏡之外金屬層。 • 17.如申請專利範圍第14項所述之天線結構，其中 兩天線罩係設置於該槽孔天線之兩側。 18. 如申請專利範圍第14項所述之天線結構，其中 該至少一層介電材料之介電常數介於1至100之間。 19. 如申請專利範圍第14項所述之天線結構，其中 該至少一層介電材料之導磁係數介於1至100之間。 20. 如申請專利範圍第14項所述之天線結構，其中 該天線罩係設置於該槽孔天線之近場。 23 1354400 21. —種天線罩，包括： 二層介電材料'其具有相同的導磁係數， • 複數個分離的單一 S形金屬圖形，係形成於該介電材 - 料之上表面；以及 複數個分離的單一反S形金屬圖形，係相對應於該些 分離的單一 S形金屬圖形，並形成於該介電材料之下表面； 其中該些分離的單一 S形金屬圖形分別與相對應之 該些分離的單一反S形金屬圖形互相耦合，以集中一輻射 Φ 元件所發出之輕射波束。 22. 如申請專利範圍第21項所述之天線罩，其中該 天線罩係由玻璃纖維組成。 23. 如申請專利範圍第21項所述之天線罩，其中該 些分離的單一 S形金屬圖形之間距係介於該輻射元件之共 振頻率之波長的0.002倍至0.2倍之間。 24. 如申請專利範圍第21項所述之天線罩，其中該 些分離的單一反S形金屬圖形之間距係介於該輻射元件之 • 共振頻率之波長的0.002倍至0.2倍之間。 25. 如申請專利範圍第24項所述之天線罩，其中該 三層介電材料之厚度比介於1:1.3:1至1:1.7:1。 24
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