TWI351571B - Active device array substrate,transflective liquid - Google Patents

Description

P060543ALZ1TW 22584twf.doc/n 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種液晶顯示器，且特別是有關於一 種具有咼開口率的液晶顯示器及其液晶顯示面板、主動元 件陣列基板。 【先前技術】 自攸弟一台以陰極射線管(Cathode Ray Tube，CRT)為 工作模式的黑白電視機發明以來，顯示技術便以飛快的速 度不斷演進。然而，由於這種以陰極射線管模式工作的顯 示器具有體積大、重量重、輻射量高等缺點，因此新的平 面顯示技術便不斷地推陳出新。在這些平面顯示技術中， 以具有輕薄短小、省電、無輻射、全彩及方便攜帶等優點 的液晶顯示器技術最為純熟且普及化。舉凡手機、語言翻 澤機、數位相機、數位攝影機、個人數位助理(pDA)、筆 記型電腦甚至於桌上型顯示器都有其應用範圍。 一般的薄膜電晶體液晶顯示器可依照光源的利用方式 以及陣列基板(array)的差異而分為穿透式、反射式以及半 穿透半反射式三大類。穿透式的薄膜電晶體液晶顯示器 (transmissive TFT-LCD)主要是以背光源(backlight)作為光 源，其薄膜電晶體陣列基板上的晝素電極為透明電極以利 背光源穿透。 反射式薄膜電晶體液晶顯示器(ref|ective TFT-LCD)主 要是以前光源(front-light)或是外界光源作為光源，其薄膜 1351571 P060543ALZ1TW 22584twf.d〇c/n 電晶體陣列基板上的晝素電極為金屬或其他具有良好反射 特性材貝之反射電極，適於㈣光源或是外界光源反射。 半穿^半反射式薄膜電晶體液晶顯示器則可視為穿透式薄 膜電晶體液晶顯7F器與反射式薄膜電晶體液晶顯示器的整 合架構’其可以同時彻背光源錢前光源餅界光源以 進行顯示。 一圖1A為習知一種半穿透半反射式薄膜電晶體液晶顯 不面板的局部剖面圖。在單晶穴間距（singleCellGap)的 半穿透半反射式薄膜電晶體液晶顯示面板1〇〇a中，位於穿 透區104a的透明晝素電極12〇a及位於反射區1〇2a内的金 屬晝素電極110a的高度相當。 一般而言’在液晶顯示面板100a中，反射區102a内 的金屬畫素電極ll〇a會反射前光源或外界光源 ’而位於穿 透區104a内的透明晝素電極12〇a會讓背光模組(圖未示） 投射的光線穿過。 詳細地來說，前光源或外界光源在進入液晶顯示面板 l〇〇a後’入射至反射區102a的光線會被金屬畫素電極11〇a 反射後，再射出液晶顯示面板l〇〇a外。此外，背光模組提 供的光源會穿過透明晝素電極120a，再入射至穿透區i〇4a 後並穿透液晶顯示面板l〇〇a到達外界。 值得注意的是’光束在反射區102a的液晶層中的傳輸 距離大約是光束在穿透區104a的液晶層中的傳輸距離的 兩倍。因此，自反射區102a及穿透區l〇4a的液晶層對光 束造成不同的相位延遲量(phase retardation)。在這種情形 6 P060543ALZ1TW 22584twf.doc/n 下’半穿透半反射薄膜電晶體液晶顯示面板l〇〇a的顯示效 果不彳土。在對牙透區104a和反射區102a的液晶分子施加 相同的電壓時’因為光束在穿過穿透區1〇4a之後必須具有 半個光波長的相位延遲量，而光束在經過反射區i〇2a之後 必須具有四分之一個光波長的相位延遲量，才能夠達到最 佳的光電特性。 圖1B為習知另一種半穿透半反射式薄膜電晶體液晶 顯示面板的局部剖面圖。如圖1B示，為了改善上述之問 題’習知另一種方法是製作具有雙重晶穴間距(Dual Cen Gap)的半穿透半反射薄膜電晶體液晶顯示面板1〇〇b。 同樣地’前光源或外界光源在進入液晶顯示面板1〇〇b 後，入射至反射區l〇2b的光線會被金屬晝素電極11〇b反 射後，再射出液晶顯示面板l〇〇b外。此外，背光模組提供 的光源會穿過透明畫素電極120b，再入射至穿透區1〇4b 後並穿透液晶顯示面板l〇〇b到達外界。 在雙重晶穴間距的半穿透半反射薄膜電晶體液晶顯示 面板1_巾’穿透區祕的晶穴間距會是反射區廳 的晶穴間距的2倍。如此-來，由液晶顯示面板職前方 進入的光線在反射區l〇2b内的光程才會與由背光模組提 供的光線在？輕腿_光軸同，以避免光線在反射 區l〇2b與穿透區1_的液晶層中具有不同的光程，造成 兩區不同的光電表現。 1351571 P060543ALZ1TW 22584twf.doc/n 但是，雙重晶穴間距卻會增加液晶顯示面板1〇〇b的製 程複雜性及困難度。因此，如何以單晶穴間距來製作出半 穿透半反射式的液晶顯示面板便是目前亟欲解決的問題。 【發明内容】 本發明提供一種使用於具有單晶穴間距之半穿透半反 射式液晶顯示面板的主動元件陣列基板。 本發明提供一種具有單晶穴間距的半穿透半反射式液 晶顯示面板。 本發明提供一種具有單晶穴間距之半穿透半反射式液 晶顯示面板的液晶顯示器。 本發明提出一種主動元件陣列基板，其包括一基板、 N條掃描線、Μ條資料線、：^條次配線、多個晝素單元以 及多個第，主動70件。基板有—顯示區及—位於顯示區周 邊之非顯示區。掃描線及資料線配置於顯示區内，並延伸 至非顯示區，其中資料線與掃描線互相垂直排列，且^^與 Μ為大於等於丨的正整數。次配線配置於基板，其中掃描 線與次配線父錯排列且互相平行。 —晝素單元配置於顯示區内，其中每一晝素單元包括一 第-主動元件、-第—晝素電極、—第二主動元件、一第 二，素電極以及-第三主動元件。第—主動元件配置於晝 素單元内，且第一主動元件有一第一閘極、一第一汲極及 —第一源極，且第一閘極與第η條掃描線連接，而第一源 極與第m條資料線連接，其中η為〗到Ν的正整數而瓜 8 1351571 22584twf.doc/n

P060543ALZ1TW i 1 广整數。第一畫素電極配置於穿透區内，並鱼 Ϊ二連接夕二主動元件配置於畫素單元内，並 有第一閘極、一第二沒極及一第二源極 J第=線連接，而第二源極與第m條資料= 設置及與第二祕電性連接。 -素屯極並列 第三主動元件配置於非顯示區’且每—第三主

位=第續及第n+1條掃描線之間，而每_第三主動元件 有-第三閘極、—第三沒極與—第三源極，其三 與^條次配線連接，且第三沒極與第n條掃描線連=， 而第三閘極與第n+1條掃描線連接。 、在本發明之—實施例中，上述之第-晝素電極形成-穿透區，而第二畫素電極形成一反射區。 在本發明之一實施例中，上述之部份第二晝素電極位 於部份第一主動元件上

在^發明之一實施例中，上述之主動元件陣列基板更 包括彩色濾光層，且彩色濾光層覆蓋掃描線、資料線、 次配線及晝素單元。 本發明另提出一種半穿透半反射式液晶顯示面板，其 包括一上述之主動元件陣列基板、一對向基板以及一液晶 層。對向基板配置於主動元件陣列基板上，而液晶層配置 於主動元件陣列基板與對向基板之間。 在本發明之一實施例中，上述之對向基板為一彩色濾 光基板。 1351571 P060543ALZ1TW 22584twf.doc/n 本發明又提出一種液晶顯示器，其包括一背光模組以 及一上述之半穿透半反射式液晶顯示面板，其中半穿透半 反射式液晶顯示面板配置於背光模組上。 在本發明之一實施例中，上述之背光模組包括直下式 为光板組或側邊入光式背光模組。 在本發明之一實施例中，上述之液晶顯示器更包括一 配置於背光模組與液晶顯示面板之間的光學膜片。

在本發明之一實施例中，上述之光學膜片為稜鏡片、 擴散片或增光片。

本發明更提出-種半穿透半反射式液晶顯示面板的製 作方法，包括下列之步驟。首先，提供一基板，並於基板 上區分出一顯示區以及一非顯示區。然後，於基板上形成 多條第-金屬線以及多條第二金屬線，其中第—金屬線及 第二金屬線垂直交錯排列，且交錯的第一金屬線及第二金 屬線於基板的顯示區内形成多個第―、第二主動元件，而 於基板的非顯示區内形成多個第三主動元件。接著，於某 板的顯示區内形成多個第_、第二晝素電極，以形成二 動讀陣列基板'，提供—對向基板，並域合主動 基板與對向基板，㈣成—半穿透半反射式液晶 發明之—實施财，第—金屬線及第二金屬線相 互垂直排列以定義出多個晝素區域。 ^發明之—實施例中，^義出多個晝素區域後，更 已 使第一晝素電極形成穿透區，而第二晝素電極形 1351571 P060543ALZ1TW 22584twf.doc/n 成反射區。 在本發明之-實施例中，於基板之顯示區内形成晝素 ，極的步驟中’其中位於穿透區的晝素電極的材f為铜錫 氧化物’而餘反射區的晝素電極的材質為金屬或且有反 射率的高分子材料。 / 在本發明之-實施例中，於基板的顯示區内形成晝素 電極的步驟之後，更包括於基板上形成—彩找光膜廣。 在本發明之-實施例中，於壓合主動元件陣列基板與 對向基板的步歡前或之後’更包括料個液晶分子注入 主動元件陣列基板與對向基板之間。 在本發明之主動元件陣列基板中，將多個第三主動元 件配置在主動元件陣列基板的非顯示區，並搭配像素準位 多工的概念來控制反射區及穿透區的晝素電極。將此主動 元件陣列基板應用於半穿透半反射式液晶顯示面板，半穿 透半反射式液晶顯示面板只需要單一晶穴間，贺 ?之製成雙重晶穴間距的半穿透半反射式二= 早且谷易，進而降低成本。此外，使用此半穿透半反射式 液晶顯示面板的液晶顯示器也能夠具有良好的顯示效果。 為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特 舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。 【實施方式】 圖2為本發明一實施例之主動元件陣列基板的示意 圖。請參考圖2，本實施例之主動元件陣列基板2〇〇〇包括 11 1351571 P060543ALZ1TW 22584twf.doc/n 一基板2100、N條知描線2200、M條資料線2300、n條 次配線2400、多個晝素單元2500以及多個第三主動元件 2600，其中N及Μ為大於1的正整數。 基板2100有一顯示區21〇〇a以及位於顯示區21〇〇a . 周邊的非顯示區210〇b。掃描線2200及資料線23〇〇配置 於顯示區2100a内，且掃描線2200及資料線23〇〇都會延 伸至非顯示區2100b，其中掃描線2200及資料線2300互 # 相垂直地排列於基板·上。此外，次配線配置i 基板2100上’且次配線2400與掃描線22〇〇平行地交錯排 列。 圖3A為圖2之主動元件陣列基板局部剖面示意圖， 而圖3B為圖3A之主動元件陣列基板上，單一畫素單元的 電路圖。請同時參考圖2、圖3A及圖3B，晝素單元2500 配置於顯示區2100a内，而每一個畫素單元25〇〇包含第一 ^區及第二畫素區。於本實施例中，第—晝素區例如為 #透區25〇〇a’第二晝素區例如為反射區2500b。此外，每 個畫素單元2500包括一第一主動元件、一第一書 $二極2540、一第二主動元件256〇以及一第二晝素電極 . 請繼續參考圖从及圖3B，為了增加穿透區2篇的 • 幵〇率’因此我們可以將第—主動元件2520 g己置於反射區 〇b内。此外’上述之第一晝素電極254〇位於穿透區 〇〇a内’且第-主動元件252〇與第一晝素電極電 、接，其中第-畫素電極254〇的材質是透明的铜錫氧化 12 1351571 P060543ALZ1TW 22584twf.doc/n 物^TO)。每-個第一主動元件2520有一第一閉極2522、 -第-沒極2524以及-第一源極2526。請同時參考圖3A 及圖3B，第-閘極2522與第請掃福線22〇〇連接，而第 一源極2254與第m條資料線23〇〇連接，且第一汲極2524 與第-畫素電極254G電性連接，其中丨到N的正整 數’而m為1到Μ的正整數。 第二主動兀件2560與第二晝素電極258〇可配置於反 射區2500b内，且第二晝素電極删與第一晝素電極測 並列設置，並與第二主動元件256〇電性連接，其中第二晝 ，電極2580的材質為具有高反射率的金屬。詳細地來說^ 每一個第一主動元件2520有一個第二閘極2562、第二汲 極2564以及第二源極2566，其中第二閘極以^與第n條 次配線鳩連接’而第二源極2566與第m條資料線讓 連接，且第二汲極2564與第二畫素電極2580電性連接。 請繼續參考® 2，第三主動元件2600配置於非顯示區 2100b，且每一個第三主動元件26〇〇位於第n條掃描線 2200及第11+1條掃描線2200之間。每一個第三主動元件 2600有一個第三閘極2620、第三汲極2640以及—第三源 極2660，其中第三源極2660與第η條次配線2400連接， 第二及極2640與第η條掃描線2200連接，而該第三閘極 2620與第η+1條掃描線2200連接。 斤將此主動元件陣列基板2000應用於液晶顯示器中，可 對每個畫素單元25GG中的第-晝素區及第二晝素區分別 輸入不同的資料電壓，因此可以克服半穿透半反射式液晶 13 1351571 P060543ALZ1TW 22584twf.doc/n 顯示面板在穿透區2500a及反射區2500b具有不同光程差 的性質，而仍然可以在穿透區2500a與反射區25〇〇1)表現 出相同的灰階。如此-來，半穿透半反射式液晶顯示面板 2000只需要單一晶穴間距，因此製程較為簡單，可以節省 液晶顯示器的製作成本。 為了讓本技術領域熟習該項技藝者可依照本實施例據 以實施，因此以下將說明將上述之主動元件陣列基板應用 於液晶顯示面板’以形成—半穿透半反射式液晶顯示面板 的製作方法。 圖4A〜4D依序為本實施例之半穿透半反射式液晶顯 示面板的製作方法步驟流程圖。為了讓讀者能夠了解本實 施例之各個構件之間的連接關係，因此圖4A〜4C為上視 圖，而圖4D為剖面圖。首先如圖4A示，提供基板21〇〇， 並在基板2100上區分出_示區2i〇〇a及位於顯示區 2100a 周邊的非顯示區21〇〇b。然後如圖4B示，在基板2100上 先形成第一金屬線，其中第一金屬線包括位於顯示區 2100a内的平行交錯排列的掃描線22〇〇及次配線24〇〇，以 及第一閘極(示於圖3A)、第二閘極2562(示於圖3A)，還 有位於非顯示區21〇〇b内的第三閘極262〇(示於圖4C)。 然後如圖4C示，於基板21〇〇上形成第二金屬線，其 中第二金屬線包括位於顯示區21〇〇a内的資料線23〇〇、第 一汲極2524(不於圖3A)、第—源極2526(示於圖3A)、第 一汲極2564(示於圖3A)、第二源極2566(示於圖3A)以及 位於非顯示區2100b内的第三汲極264〇及第三源極 14 1351571 P060543ALZ1TW 22584twf.doc/n 2660 ’其中資料線2300與掃描線22〇〇垂直交錯而形成多 個晝素單元2500，而第一閘極2522、第一汲極2524及第 一源極2526形成第一主動元件2520，且第二閘極2562、 第二汲極2564與第二源極2566形成第二主動元件2560， 第三閘極2620與第三汲極2640及第三源極2660形成第三 主動元件2600。 如圖3A所示，在晝素單元25〇〇上分別形成第一畫素 電極2540及第二晝素電極2580，並使第一晝素電極2540 及第二晝素電極2580分別與第一主動元件2520及第二主 動το件2560電性連接，使得晝素單元25〇〇區分為第一畫 素區及第一晝素區，進而形成主動元件陣列基板。在 本實施例中，與第一汲極2524連接的第一晝素電極254〇 為透明的銦錫氧化物Pndium Tin Oxide ’ ITO)，而與第二 汲極2564連接的第二晝素電極258〇為具有反射光線功能 的金屬或南分子材料。 然後，如圖4D示，提供一對向基板3〇〇〇，並將對向 基板3000置放於主動元件陣列基板2〇〇〇上，然後壓合主 動元=陣列基板2000及對向基板3000，以形成本實二例 之半牙透半反射式液晶顯示面板5〇〇〇。在本實施例中，此 對向基板3000可以是一彩色濾光基板。 此外，此對向基板3000也可以是一個透明基板，且當 此對向基板3000為透明基板時’我們更可以在將對向基^ 3000置放於主動元件陣列基板2〇〇〇上之前，於主動^件 陣列基板2GGG上形成-彩色航膜層。此為本技術領域熟 15 1351571 P060543ALZ1TW 22584twf.doc/n 習該項技藝者可依照已公開的文件來據以實施的實施例， 因此便不再贅述。 值得注意的是’在壓合主動元件陣列基板2〇〇〇及對向 基板3000之前或之後的步驟中，需將液晶分子注入於主動 元件陣列基板2000及對向基板3000之間，例如是以滴下 式注入法(One Drop Fill，ODF)注入液晶分子，以使壓合主 動元件陣列基板2000及對向基板3〇〇〇時’液晶分子會形 成一液晶層4000。 圖5為使用上述之半穿透半反射式液晶顯示面板的液 晶顯示器的示意圖。請參考圖5，將上述之半穿透半反射 式液晶顯示面板5000組裝至一背光模組6000，以形成一 液晶顯示器8000。此背光模組6000例如是一侧邊入光式 背光模組’而在另一未繪示的實施例中，背光模组6〇〇〇 也可以是一直下式背光模組。熟習該項技藝者可以依照已 公開文件來製作及應用本貫施例之背光模組6〇〇〇，因此不 再贅述。 此外’為了讓液晶顯示器8000的顯示效果更為良好， 因此在背光模組6000以及半穿透半反射式液晶顯示面板 5000之間更可以配置一光學膜片7000,而此光學膜片7〇〇〇 可以是棱鏡片、擴散片或增光片，其中稜鏡片可用來調整 由背光模組6〇〇〇所出射之光線的方向’擴散片可使由背光 模組6000所出射之光線形成一亮度較均勻的面光源，而增 光片則可進一步提高由背光模組6000所出射的光線亮度。 為了讓潰者更為了解本發明之優點，因此以下將對本 1351571 P060543ALZ1TW 22584twf.doc/n 實施例之液晶顯不器的作動加以說明。 圖6為本實施例之液晶顯示器的訊號時序波形圖而 圖7為第n-2條〜第η條掃描線及第m_2條〜第瓜—丨條資 料線的電路示意圖。請同時參考圖6及圖7 ,其中第1_2 條掃描線對應的訊號時序波形為G(n_2)，第n l條掃描線 對應的訊號時序波形為G(n-l)，.··，以此類推。另外，為 了圖式說明方便，因此將第n-1條掃描線標示為G(n_i)二 第m-2條資料線2300標示為D(m-2)、第η_ι個第一主動 元件2520標示為T(n-l) ’第η_ι個第二主動元件256〇標 不為R(n-l)、位於第n-1條及第n條掃描線22〇〇之間的第 η 1個第二主動元件2600標不為s(n-1 )、…，以此類推。 此外’ G(n-2)、G(n-1)及D(m-2)共同驅動晝素p(n_2)， 而G(n-l)、G⑻及D(m-2)共同驅動晝素p(n-1)，…，以此 類推。 請同時參考圖6及圖7,當t = tl〜t2時，G(n-i)及G(n-2) 同時為高準位閘極驅動電壓訊號，因此S(n-2)會被開啟， 此時T(n-2)、T(n-l)及R(n-2)同處於開啟的狀態。在此同時 (約數微秒），D(m-2)資料訊號可經由T(n-2)、R(n-2)及T(n-1) 分別寫入晝素Ρ(η-2)的穿透區2500a及反射區2500b與晝 素P(n-l)的穿透區2500a。值得注意的是，於此—時間間 搞内，晝素P(n-2)及P(n-l)之穿透區2500a寫入的是錯誤 的訊號。 接著在t = t2〜t3時，G(n-l)為低準位閘極驅動電壓訊 號，T(n-2)仍是開啟的狀態，而T(n-l)及R(n_2)為關閉的狀 17 P060543ALZ1TW 22584twf.doc/n 態。此時，D(m-2)資料訊號可經由T(n-2)寫入晝素P(n-2) 的穿透區2500a，而更新畫素P(n-2)穿透區2500a的訊號為 正確的訊號。晝素P(n-2)此時顯示正確的圖像。 之後在t = t3〜t4時，G(n-2)為低準位閘極驅動電壓訊 號，T(n-2)及R(n-2)為關閉的狀態，晝素p(n-2)便不會更新 圖像資料。但是，此時G(n-l)及G⑻同時為高準位閘極驅 動電壓訊號，因此T(n-l)、S(n-l)、R(n-l)及T(n)皆開啟， D(m-2)資料訊號可經由T(n-l)、R(n-l)及Τ(η)分別寫入晝 素P(n-l)的穿透區2500a及反射區2500b與晝素Ρ⑻的穿 透區2500a。同樣地，此時晝素P(n-l)及P⑻之穿透區2500a 寫入的是錯誤的訊號。直到t = t4〜t5時，G(n)為低準位閘 極驅動電壓訊號，T(n-l)仍是開啟的狀態，而τ(η)及R(n-1) 為關閉的狀態。此時，D(m-2)資料訊號可經由τ(η-1)寫入 晝素P(n-l)的穿透區，而更新晝素p(n-l)穿透區的訊號為 正確的訊號。晝素P(n-l)此時顯示正確的圖像。 如此重複上述的寫入訊號動作，直到第N條掃描線 220的訊號寫入動作完成為止。 請參考圖6及圖7’利用如圖6示的時序訊號以及圖7 之第三主動元件2600的設置’本實施例的半穿透半反射式 液晶顯示面板5000可對每個晝素單元2500中的穿透區 2500a及反射區2500b分別輸入不同的資料電壓，因此可 以克服液晶顯示面板在穿透區及反射區具有不同光程差的 性質，而仍然可以在穿透區與反射區表現出相同的灰階。 故只需要單一的晶穴間距。相較於習知’半穿透半反射式 1351571 P060543ALZ1TW 22584tw£doc/n 液晶顯示面板5000的製程步驟較簡單容易，進而可以節省 液晶顯示器8000的成本。 雖然上述之實施例是以半穿透半反射式的液晶顯示面 . 板為例說明，但本技術領域熟習該項技藝者，在不違反本 • 發明精神之下，也可將此佈局及驅動方法使用於穿透式或 反射式的液晶顯示面板中。當然，也可以將其用以解決液 晶顯示面板大角度色偏(color shift)的問題。 綜上所述，本發明之主動元件陣列基板、使用此主動 兀件陣列基板的半穿透半反射式液晶顯示面板及液晶顯示 器至少具有下列之優點： 一、 主動元件陣列基板的佈局是配合單一晶穴間距的 液晶顯示面板來設計，因此製程步驟較為簡單容 易’可進而節省液晶顯示面板及液晶顯示器的成 本。 二、 第三主動元件配置於主動元件陣列基板的非顯示 區，因此不會影響到單一晝素單元原有的開口 # 率，進而讓液晶顯示面板及液晶顯示器有良好的 顯不品質。 三、 在此PL1V[的驅動方法架構下，此主動元件陣列 . 基板可以應用在穿透式、反射式或半穿透半反射 式的液晶顯示面板中’應用範圍廣，不會受到侷 限，因此具有產業利用性。 四、 使用此主動元件陣列基板搭配實施例中用以驅動 此液晶顯示面板的PLM方法，可以解決液晶顯 1351571 P060543ALZ1TW 22584twf.d〇c/, 示面板大角度色偏的問題。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在^ 脫離本發明之精神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾， 因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者 為準。 【圖式簡單說明】 一圖1A為習知一種半穿透半反射式薄膜電晶體液晶顯 示面板的局部剖面圖。 —圖1B為習知另一種半穿透半反射式薄膜電晶體液晶 顯示面板的局部剖面圖。 圖2為本發明一實施例之主動元件陣列基板的示音 圖。 μ 圖3Α為圖2之主動元件陣列基板局部剖面示意圖。 圖3Β為圖3Α之主動元件陣列基板上，單一畫素單元 的電路圖。 一 一圖4Α〜4D依序為本實施例之半穿透半反射式液晶顯 示面板的製作方法步驟流程圖。 圖5為使用上述之半穿透半反射式液晶顯示面板的液 日曰顯不的不意圖。 圖6為本實施例之液晶顯示器的訊號時序波形圖。 圖7為第n-2條〜第n條掃描線及第m_2條〜第 條資料線的電路示意圖。 20 1351571 P060543ALZ1TW 22584twf.doc/n 【主要元件符號說明】 100a、100b :半穿透半反射薄膜電晶體液晶顯示面板 102a、102b :反射區 104a、104b :穿透區 110a、110b :金屬晝素電極 120a、120b :透明晝素電極 2000 :主動元件陣列基板 2100 :基板 2100a :顯示區 2100b :非顯示區 2200 掃描線 2300 資料線 2400 次配線 2500 晝素單元 2520 第一主動元件 2522 第一閘極 2524 第一汲極 2526 第一源極 2540 第一晝素電極 2560 第二主動元件 2562 第二閘極 2564 第二汲極 2566 第二源極 2580 第二晝素電極 21 1351571 P060543ALZ1TW 22584twf.doc/n 2600 :第三主動元件 2610 :第三閘極 2640 :第三汲極 2660 :第三源極 3000 :對向基板 5000 :半穿透半反射式液晶顯示面板 6000 :背光模組 7000 :光學膜片 8000 :液晶顯示器 G(n-2):第n-2條掃描線 G(n-l):第n-1條掃描線 G(n):第η條掃描線 D(m-2):第m-2條資料線 D(m-l):第m-1條資料線 T(n-l):第n-1個第一主動元件 R(n-l):第n-1個第二主動元件 S(n-l):第n-1個第三主動元件2600 22

Claims (1)

1351571 P060543ALZ1TW 22584twf.doc/n 十、申請專利範圍： 1.一種主動元件陣列基板，包括： 一基板，有一顯示區及一位於該顯示區周邊之非顯示 . 區， . N條掃描線及Μ條資料線，配置於該顯示區内，並延 伸至該非顯示區，其中該些資料線與該些掃描線相互垂直 排列，且Ν與Μ為大於等於1之正整數； Ν條次配線，配置於該基板，其中該些掃描線與該些 Β 次配線交錯排列且互相平行； 多個晝素單元，配置於該顯示區内，其中每一晝素單 元包括： 一第一主動元件，配置於該晝素單元内，並有一 第一閘極、一第一没極及一第一源極，該第一閘極與 第η條掃描線連接，而該第一源極與第m條資料線連 接，其中η為1到N的正整數，而m為1到Μ的正 整數； φ 一第一晝素電極，配置於該晝素單元内，並與該 第一汲極電性連接； 一第二主動元件，配置於該晝素單元内，並有一 . .第二閘極、一第二汲極及一第二源極，該第二閘極與 第η條次配線連接，而該第二源極與第m條資料線連 * 接； 一第二晝素電極，配置於該晝素單元内，並與該 第一晝素電極並列設置及與該第二汲極電性連接；以 23 1351571 P060543ALZ1TW 22584twf.d0c/n 及 多個第三主動元件，配置於該非顯示區 — 线元件位於第η條掃描線及第n+1條掃插線之 -第三主動元件有—第：閘極、一第 ？母 t ιΐϊ原極與第n條次配線連接’該第三汲極盘 條知描線連接，三_與該第㈣條掃描線連 接。

2. 如申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列基板， 八中該弟晝素電極形成一穿透區，而該第二畫素電極形 成一反射區。 3. 如申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列基板， 其中部份該第二畫素電極位於部份該第一主動元件上。 4. 如申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列基板， 更包括一彩色濾光層，覆蓋該些掃描線、該些資料線、該 些次配線及該些晝素單元。 5. —種半穿透半反射式液晶顯示面板，包括：

一主動元件陣列基板，包括： 一基板’有一顯示區及一位於該顯示區周邊之非 顯不區； N條掃描線及Μ條資料線，配置於該顯示區内， 並延伸至該非顯示區，其中該些資料線與該些掃描線 相互垂直排列，且Ν與Μ為大於等於1之正整數； Ν條次配線，配置於該基板，其中該些掃描線與 該些次配線交錯排列且互相平行； 24 1351571 P060543ALZ1TW 22584twf.doc/n 元包^個4素單元’配置於賴示^内，每一晝素單 第-2 —主Ϊ元件’配置於該畫素單元内’並有-甲、一第一汲極及—第一源極，該第一閘極 ::描線連接，而該第一源極與第瓜條資料線連 整數n為1到㈣正整數，“為1到Μ的正 第-以3極’配置於該晝素單元内，並與該 第 第 接 η ，二主動元件，配置_畫素單元内，並有一 閘極、一第二汲極及一 條次配線連接，而該第二源極與第 第二源極，該第二閘極與 m條資料線連 第— ：：：晝素電極’配置於該晝素單元内’並與該 =素電極並列設置及與該第二汲 :個第三主動元件，配置於該非顯示區連;每一 二^動凡件位於第n條及第州條掃插線之間，而 三源ίτΐ:元件有一第三閘極、-第三汲極與-第 ::該第二源極與第η條次配線連接，該第 之間 基板’配置於該主動元件陣列基板上；以及 之晶層’配置於該主動元件陣列基板及該對向基板 25 1351571

P060543AL21TW 22584twf.doc/n 6·如申料職圍第5項所叙半穿透半反射式液金:面板，其中該第-晝素電極形成—穿透區，而該 思素電極形成一反射區。 ^如中請專觀圍第5項所述之半穿透半反射式液I 展，、板，其中該主動元件陣列基板上更包括—彩色渡光 9，覆蓋該些掃描線、資料線及該些晝素單元。 顯示!:如申料魏㈣5項所述之半穿透半反射式液 晶 晶 面板，其中該對向基板為一彩色濾光基板 9· 一種液晶顯示器，包括： 〜背光模組； 晶 上 包括 半穿透半反射式液晶顯示面板，配置於該背光模組 一主動元件陣列基板，包括： 基板，有一顯示區及一位於該顯示區周邊 之非顯示區；

n條掃描線及M條資料線，配置於該顯示區 内，並延伸至該非顯示區，其中該些資料線與該 些掃描線相互垂直排列，且1^與M為大於i 之正整數； 、、 N條次配線，配置於該基板，其中該些掃描 線與該些次配線交錯排列且互相平行； 多個畫素單元，配置於該顯示區内，1中备 一畫素單元包括： 一第一主動元件’包含一第一閘極、一第一 26 1351571 P060543ALZ1TW 22584twf.doc/n 汲極及一第一源極，亨笛^ λ* i技而访错 这弟一閘極與第η條掃描線 連接U-源極與第瓜條資料線連接，其中 η為1到Ν的正整數，而m為〗賴的正整數，· ，一旦素氣極’與該第-沒極電性連接； 第一主動元件’包含-第二間極、-第二 =及-第二源極’該第二閘極與第η條次配線 接’，該第二源極與第m條資料線連接；

7第二晝素電極’與該第—晝素電極並列配 置並與該第—(及極電性連接； 多個第三主動元件，配置於該非顯示區，且 每一第三主動元件位於第n條及第n+1條掃描線 ，間，而每-第三主動元件有一第三閘極、一第 一/及極與弟二源極，其中該第三源極與第n條 次配線連接，該第三汲極與第η條掃描線連接， 而該第三閘極與該第η+1條掃描線連接；

及 一對向基板，配置於該主動元件陣列基板上；以 一液晶層，配置於該主動元件陣列基板及該對向 基板之間。 10. 如申凊專利範圍第9項所述之液晶顯示器，其中該 第一晝素電極形成一穿透區，而該第二晝素電極形成一反 射區。 11. 如申請專利範圍第9項所述之液晶顯示器，其中該 主動元件陣列基板上更包括一彩色濾光層，覆蓋該些掃描 27 1351571 P060543ALZ1TW 22584twf.doc/n 線、資料線及該些晝素單元。 12. 如申請專利範圍第9項所述之液晶顯示器，其中該 對向基板為一彩色濾光基板。 13. 如申請專利範圍第9項所述之液晶顯示器，其中該 背光模組包括直下式背光模組或側邊入光式背光模組。 14. 如申請專利範圍第9項所述之液晶顯示器，更包括 一光學膜片，配置於該背光模組與該液晶顯示面板之間。 15. 如申請專利範圍第.14項所述之液晶顯示器，其中 該光學膜片包括稜鏡片、擴散片或增光片。 16. —種半穿透半反射式液晶顯示面板的製作方法包 括： 提供一基板，並於該基板上區分出一顯示區以及一非 顯不區， 於該基板上形成多條第一金屬線以及多條第二金屬 線，其中該些第一金屬線及該些第二金屬線垂直交錯排 列，且該些交錯的第一金屬線及第二金屬線於該基板之該 顯示區内形成多個第一、第二主動元件，而於該基板之該 非顯示區内形成多個第三主動元件； 於該基板之該顯示區内形成多數個第一晝素電極及多 數個第二晝素電極，以形成一主動元件陣列基板； 提供一對向基板；以及 壓合該主動元件陣列基板與該對向基板，以形成一半 穿透半反射式液晶顯示面板。 17. 如申請專利範圍第16項所述之半穿透半反射式液 28 1351571 P060543ALZ1TW 22584twf.doc/n 晶顯示面板的製作方法，該些第一金屬線及該些第二金屬 線相互垂直排列以定義出多個晝素區域。 18. 如申明專利圍第17項所述之半穿透半反射式液 . 日日日顯示面板的製作方法，包括使該些第-晝素電極形成穿 透區’而該些第二晝素電極形成反射區。 19. 如申咐專利範圍第18項所述之半穿透半反射式液 晶顯示面板的製作方法，於該基板之該顯示區内形成該晝 錢涵步财，其巾位賊穿透區找晝素電極的材質 為銦錫氧化物，而位於該反射區之該晝素電極的 屬或高分子材料。 、 20. 如申請專利範圍第16項所述之半穿透半反射式液 晶顯示面板的製作方法’於該基板之該顯示區内形成該竺 ^電極的步驟之後，更包括於該基板上形成—彩色渡光^ 曰21.如申請專利範圍第16項所述之半穿透半反射式液 板的製作方法’於壓合該主動元件陣列基板i該 響 ί向基板的步驟之前或之後，更包括將多個液晶分子注入 該主動元件陣列基板與該對向基板之間。 29