TWI295771B - Faulty storage area self markup access control method and system - Google Patents

Description

1295771 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本叙明係有關於一種電腦 種損毁儲存區自動標示式^寸別是有關於一 於搭配至一資料儲存單：工：方法及系統，其可應用 快取記憶體（cache)、外部 mem〇ry)、 A ^ 4-r 4Ί λλ ^ σ之记‘丨思體（例如為快閃記憶體）、 提供一心計「^財1置’用以對該資料儲存單元 -客戶：Ϊ = 動標示式之存取控制功能，藉此而讓 元進—料二 部之微處理器)欲對該資料儲存單 =^貝料存取程序時，可避開該資料儲存單元中的損毁 ，區，而僅針對良好儲存區來進行資料存取動作。 【先前技術】 系統晶MSystem 〇n Chlp，就）為—種全功能式之 I片模組，其係將—整個微電腦系統所需之所有的功能元 、’包括中央處理單元、記憶體單元、輸出入介面單元、 以及其它所有各式之輔助電路單元，全部整合於單—個晶 片之中’藉此而讓使用者方便地僅利用單_個晶片即可實 現多種微電腦系統操控功能。於實務應用上，此些整合二 系統晶片中的功能元件即稱為嵌入式元件（embedded com山P〇nents)。舉例來說，系統晶片中所整合之記憶體即稱 為敗入式記憶體（embedded memory)。 。然而於實際應用時，系統晶片中的嵌入式記憶體的儲 存區常有可能有一部分會發生損毀狀況而無法再被應用來 5 18584 1295771 儲存資料。若系統晶片中的嵌入式記憶體的儲存區發生損 .毁狀況，則會使得資料存取動作產生可靠性的問題。但由 於嵌入式記憶體係已固定地整合於系統晶片之中，因此不 像一般之電腦主機板可於記憶體發生損毀狀況時方便地隨 時更換新且良好的記憶體。換言之，若系統晶片中的嵌入 式記億體的儲存區發生損毁狀況，則於維修上便有需要更 換整個的晶片’亦即包括其它良好而未發生損毁狀況的中 央處理單元、輸出入介面單元、和輔助電路單元。然而此 0作法的缺點顯然在於極為不符合經濟成本效益。 上述問題的一種解決方法在於採用一種可自動修復 . 記憶體損毁儲存區的電路技術，例如為美國專利申請案號 20040225912 之’’MEMORY BUILT-IN SELF REPAIR (MBISR)CIRCUITS/DEVICES AND METHOD FOR REPAIRING A MEMORY COMPRISING A MEMORY BUILT-IN SELF REPAIR (MBISR) STRUCTURE”和美國專利申請案號20030196143之 φ n POWER-ON STATE MACHINE IMPLEMENTATION WITH A COUNTER TO CONTROL THE SCAN FOR PRODUCTS WITH HARD-BISR MEMORIES”。此些專利申請中的電路技術均可自動修復記 憶體中的損毁儲存區。 然而上述之可自動修復記憶體損毀儲存區的電路技 術於具體實施上的一項缺點在於其電路的複雜度較高且需 要額外的電路佈局空間，因此其具體實施上的成本也相對 地較高。 此外，由於目前深次微米（Deep Sub-Micron，DSM)技 6 18584 1295771 術的快速發展，因此嵌入式記憶體（embedded mem〇ry)在晶 片型系統（System on Chip, SoC)所佔的比重也愈來愈大， 因此其目前為半導體業界的一項重要且熱門的技術。 【發明内容】 鑒於以上所述先前技術之缺點，本發明之主要目的便 是在於提供一種損毀儲存區自動標示式存取控制方法及系 統，其可自動檢查及標示喪入式記憶體中損毀儲存區的存 取控制系統’藉此讓存取動作可避過已損毁的儲存區，而 僅針對良好儲存區來進行資料存取程序，使得系統晶片中 的嵌入式記憶體的儲存區發生損毁狀況時，可 „厂 y_>— ί J ^ VX 日日 片而讓正肢之系統晶片仍可維持正常運作。 本發明之另一目的在於提供一種損毁儲存區自動標 控制方法’其於具體實施上可使用複“ =枯广路佈局空間較小的電路來實施，使得應用上較先 則技術具有更佳的成本經濟效益。 本發明之損毀儲存區自動標示式存 編_、用於搭配至一資料儲存單 f…所整合之以式記：體“ embedded me耐y)、快取記憶體（咖⑻ 、 (例如為快閃芍恃；、、气甘— P之。己丨思肢 用以它任何類型的資料儲料^ 用乂對该肷入式記憶體提供—損 入式記憶體中的損毅儲存區’而僅針對良好财 =: 18584 1295771 資料存取動作。 本發明之損毀儲存區自動標示式存取控制方法至少 包含：（1)回應一測試啟動事件而對該資料儲存單元進行 -儲存區測試程序，藉此而_出該資料儲存單元中的各 個儲存區的堪用狀態；⑵記錄所偵測到之該資料儲存單 凡中的各個儲存區的堪用狀態，並將各個損毁儲存區的位 址指定為轉換至一良好儲存區的位址，藉此而建立—損毀 :二”聯區位址對應表’· (3) ☆一客戶端單元對該資： 儲存早元發出一存取要求訊息時，檢視該存取要求訊自中 :::::止是否包括損毀儲存區的位址；若是，則依據該 貝知至良好料區位㈣應表來將存取要求 ，毀儲存區的存取位址轉換成良好儲存區的位址；以及=) = = 胃轉換後的良好儲存區位址進行其所要求 架?ί，本發明之損毁儲存區自動標示式存取 m模組，討於回應一 U㈣事件而對該資料儲存單元進行—儲存區測試程 狀萌错^ Γ ^測出該資料儲存單元中的各個儲存區的堪用 dim冑存區堪用狀態記錄模組，其可記錄該儲存 組所::測到之該資料儲存單元㈣ 好計;Γ 各個損毁儲存區的位址指定為轉換至-良 應表;子二位：’藉此广建立-損毀至良好儲存區位址對 Μ料儲存取管控模組，其可接收一客戶端單元對 4储存早元所發出的存取要求訊息，並檢視所接收到 18584 8 1295771 之存取要求讯息中的存取位址是否包括損毁儲存區的位 若是，則依據該儲存區堪用狀態記錄模組所建立之損 毁至良好儲存區位址對應表來將存取要求訊息中對應至損 =儲存區的存取位址轉換成良好儲存區的位址，令^客^ =早兀對轉換後的良好儲存區位址進行其所要求的存取動 本發明之損毁儲存區自動標示式存取控制方法及系 統的特點在於可對其所搭配之資料儲存單元進行一儲存區 測減程序’藉此而預先侧出損毁之儲存區及良好儲存 區，使得客戶端單元對該資料儲存單元進行存取程序時， 可避開損毁儲存區而僅針對良好儲存區來進行存取動作 使得系統晶片中的嵌入式記憶體的儲存區發生 、又狀况日寸，可不必更換晶片而讓整體之系統 持正常運作。 门U」、、隹 【實施方式】 以下即配合所附之圖式，詳細揭露本發明之損 區自動標示式存取控制方法及系統之實施例。 =圖即顯示本發明之損毀儲存區自動標示式存取控 如標號ΠΚ)所指之虛線框所包含之部分)的應用方 動广^基本架構。如圖所示，本發明之損毀儲存區自 動“式存取控制系統⑽於實際應用上係搭配 =存單S 2G ’例如為—系統晶片（System加Chip，SoC) i〇 所整合之歲入式記憶體（embedded卿㈣）、快取吃情雕 (CaChe)、外部之記憶體(例如為快閃記憶體)、或其；：： 18584 類型的資料儲存穿 玫储存區自動資料健存單元㈣供-損 內部之客戶端覃一 予技制功能，藉此而讓一外部或 資料健存單元2〇"°例如為一内部之微處理器30)欲對該 單元2〇中的損it亍;料存取程序時， 存取動作。 子°°°而僅針對良好儲存區來進行資料 士第1圖所示，本發明之 一 控制系、統100之内部丨储存區自動標示式存取 模組110 . (to —#+土木冓 > 包含：（a)一儲存區測試 ，（b) —儲存區堪用狀態記 一存取管控模組13〇。於且“ η ) 區自動桿亍¥ 4於^、脰只鈀上，本發明之損毁儲存 元2〇 Γ整㈣例如連同議储存單 自動試模組11 〇可於回應—測試啟動事件201而 程序單元2〇中的所有的儲存區進行一測試 二猎：㈣該資料儲存單元2〇中的各個儲存㈣^ 用狀怨，亦即偵測各個儲存區是否有發生損毁狀況；若是， 則取得所有的損毀儲存區的位址。於具體實施上，該則 啟動事件2〇1的誘因例如可.為系統晶片1〇的電源開啟事 二三系統晶片10的重啟事件（reset)、閒置未用後經過一 身寸疋之時間後所預設發出的啟動信號、等等。 儲存區堪用狀態記錄模組丨2〇即用以將上述之儲存區 測試模組110所偵測到之該資料儲存單元2〇中的各個儲存 區的堪用狀態記錄至一儲存區堪用狀態記錄表；並將其中 各個損毀儲存區的位址改為轉換至至一良好儲存區的位 18584 1295771 .址，藉此而建立一例如第2圖所示之損毁至良好儲存區位 址對應们21。於具體實施上，此儲存區堪用狀態記錄模 組120所記錄之儲存區堪用狀態記錄表可為一損毀儲存區 記錄表或為一良好儲存區記錄表來記錄該資料儲存單元 20中的各個儲存區的堪用狀態；其中該損毁儲存區記錄表 係僅記錄該資料儲存單元20中的損毀儲存區的位址，而該 -良好儲存區記錄表則僅記錄該資料儲存單元20中的良好 -籲儲存區的位址。舉例來說，假設資料儲存單元2〇中的位址 為[ 1 000]的儲存區發生損毁狀況、但位址[1〇〇1]以下的的 .儲存區均為良好狀況，則儲存區堪用狀態記錄模組120即 -會將此損毁儲存區的位址值[ 1000]記錄至損毁至良好儲 存區位址對應表121，並將該損毀儲存區位址值[1000]指 疋為對應至一良好儲存區的位址，例如為位址[1 〇 〇 1 ] Ο 存取管控模組130可接收一外部或内部之客戶端單元 (例如為系統晶片10内部之微處理器3〇)對該資料儲存單 參元20所發出的存取要求訊息，並檢視所接收到之存取要求 訊息中的存取位址是否包括損毀儲存區的位址；若否（亦即 所要求存取之位址均為良好儲存區），則存取管控模組13〇 即直接依據所接收到的位址來對資料儲存單元20進行所 要求的存取動作；反之若是（亦即存取位址包括了損毀儲存 區）’則存取管控模組13〇即依據上述之儲存區堪用狀態記 錄模组12 〇所纪錄之損毀至良好儲存區位址對應表121來 將存取要求訊息中對應至損毀儲存區的存取位址轉換成良 好儲存區的位址，再接著依據轉換後的位址來對資料儲存 11 18584 1295771 單元20進行所要求的存取動作。若資料儲存單元 ㈣己憶體且所要求之存取位址包括了損毁儲存區，則存取 :控杈組130會回應地發出-未中訊息(miss)。舉例來 說，假設微處理哭训所至士、令六 _麵1 取位址包括損毁館存區位 ’則根據第2圖所示之損毁至良好儲存區位址對 應^2卜此損毁儲存區位址[1〇〇〇]已預先由儲存區堪用 狀悲§己錄模組12〇指定為對應至良好儲存區位址π〇， 因此存取管控模組13G即據此來將存取要求訊息 損毀儲存區的存取位址__換成良好儲存區的位二 ΠΟΟΠ ’令存取動作改而針對轉換後的良好儲存區位址 [1001]，因此不會因[1000]發生損毀而無法進行存 請同時參閱第1圖和第2圖，於實際應用時，系統晶 片1 〇即可預設為例如於電源開啟時、#重啟時、 : 用後經過-料之時間後，自動回應地發出—測試啟動S 件2(Π ’令本發明之損毁儲存區自動標示式存取控制*** 100中的儲存區測試模組110回應地對系統晶片1〇中的次 料儲存單元20進行-儲存區測試程序，藉此_出該資: 儲存單元2G中的各個儲存區的堪用狀態，亦即偵測各個儲 存區是否有發生損毀狀況；若是’則取得所有的損毁儲 區的位址，亚接著令儲存區堪用狀態記錄模組1別記錄下 該儲存區測試模組110所偵測到之損毀儲存區和良好儲< 疒 區的位址，並將各個損毁儲存區的位址改為轉換至至一戸子 好儲存區的位址。舉例來說，假設資料儲存 又 丨丁干兀ζ υ中的位 址為[1 0 0 0 ]的儲存區發生損毀狀況、但位址[1⑽1 ]以、 下的 18584 12 1295771 .的儲存區均為良好狀況，則儲存區堪用狀態記錄模組i2〇 *即會將此損毀儲存區的位址值[ 1 000 ]如第2圖所示般地記 錄至該損毀至良好儲存區位址對應表121，並將該損毀儲 存區位址值[ 1000]指定為對應至一良好儲存區的位址，例 如為位址[1001 ]。 爾後當有-外部或内部之客戶端單元，例如為内部之 、，處理器30 ’欲對該資料儲存單s 2G進行存取動作時， _春j處理态30所發出的存取位址即會首先傳送至存取管控 杈組130，令存取管控模組13〇檢視所要求的存取位址是 有損㈣存區的位址。若否，則存取管控模組13〇 .Z直接讓微處理！|3G對㈣儲存單元2()進行其所要求的 之若是(假設存取位址包括了損毀儲存區位址 :二存取管控模組13〇即依據第2圖所示之損毁至 : 存區位址對應表121來將存取要求訊息中對岸至損 蟲=區Γ子取位址[1_轉換成良好儲存區的位二 ποοη ’’ ΐ存取動作改而針對轉換後的良好儲存區位址 作。此即可2會因[1〇〇〇]發生損毁而無法進行存取動 [则丄:Γ 序避開資料儲存單元2°中位址為 好，二改轉換為針對位址為[1001]的良 標示式存取控制方7種新1 貝之損毁儲存區自動 - ^ 及乐統，其可搭配至一資料儲在罝 = 料储存單元提供—損毁料區自動_干气 之存取控制功能;且其特點在於可對其所搭配之= 18584 13 1295771 =元進行-儲存區賴程序，藉此而減_出損毁 存區及良好儲存區，使得客戶端單元對該㈣儲 行存取程糾，可㈣損毁儲存區㈣針對㈣儲存區= 進仃存取動作。此特點即可使得㈣晶片中的“ 體的儲存區發生損毁狀況時，可不必更換晶片而讓整體: 糸統晶片仍可維持正常運作。本發明因此具有極佳井 性及實用性。 ^ —以上所述僅為本發明之較佳實施例而已，並非用以限 疋本务明之貫^技術内容的範圍。本發明之實質技術内容 係廣義地定義於下述之巾請專利範圍中。若任何他人所完 成之技術實體或方法與下述之中請專利範圍所定義者為完 全相同、或是為-種等效之變更，均將被視為涵蓋於本發 明之申請專利範圍之中。 【圖式簡單說明】 )第1圖為一系統架構示意圖，其中顯示本發明之損毀 儲存區自動;^不式存取控制系統的應用方式及其内部基本 架構； 第2圖為一賁料結構示意圖，用以顯示本發明之損毁 儲存，自動標示式存取控制純所採狀儲存區堪用狀態 己錄模、、且所。己錄之-損毁至良好儲存區位址對應表的資料 結構。 【主要元件符號說明】 10 系統晶片（SoC) 20 資料儲存單元（嵌入式記憶體） 18584 1295771 30 客戶端單元（微處理器） 100 本發明之損毀儲存區自動標示式存取控制系統 110 儲存區測試模組 120 儲存區堪用狀態記錄模組 121 損毁至良好儲存區位址對應表 130 存取管控模組 201 測試啟動事件 15 18584

Claims (1)

1295771 申請專利範園： ι· 一種相毁儲存區自動標示式存取 -資料儲存單元，用以對該資料儲;， 存區自動標示式之存取控制功能.提供一損毀儲 =㈣存區自_示式絲㈣ 回應-測試啟動事件而對該資料錯‘二· 儲存區測試程序，藉此而 進仃 個儲存區的堪用狀態，· 亥-貝料儲存單元令的各 的堪谓？1J之該資料儲存單元中的各個儲存區 位的位址’藉此而建立一損毁至良好儲存區 序的：：客！端單元對該資料儲存單元發出-存取程 時，檢視該存取要求訊息中的存取位址是 損毀儲存區的位址；若是，則依據該損毀至良好 ^子區，址對應表來將存取要求訊息中對應至損毀儲 存區的存取位址轉換成良好儲存區的位址；以及 —令對於該存取程序所要求之損毀儲存區的位址之 存取改而針對轉換後的良好儲存區位址來執行。 2. 如申請專利範圍第丨項所述之損毀儲存區自動標示式 存取控制方法’其中該資料儲存單元為一系統晶片中所 整合之嵌入式記憶體。 3. 如申請專利範圍第丨項所述之損毁儲存區自動標示式 存取！工制方法’其中該資料儲存單元為__快取記憶體。 18584 16 1295771 ,- 4. 如申請專利範圍f i項所述之損毁儲 5. 二二請專利範圍第2項所述之損毀儲存區自動標示式 子=制方法，其中該測試啟動事件的誘因為該系統晶 片的電源開啟事件。 6. 二二請專利範圍第2項所述之損毁儲存區自動標示式 子=制方法，其中該測試啟動事件的誘因為該 月的重啟事件。 申請專利範圍第2項所述之損毁儲存區自動標示式 片子，其中該測試啟動事件的誘因為該系統晶 二置未用後經過-収之時間後所預設發出的一啟 動1吕號。 、一種損毁儲存區自動標示式存取控制系統，其可搭配至 :::儲”元，用以對該資料儲存單元提供一損毁儲 子區自動標示式之存取控制功能； 此損毁儲存區自動標示式存取控制系統至少包含. 2存區職模組，其可於回應―測試啟動事件而 ^亥貢料儲存單元進行—儲存區職程序，藉此而伯測 出忒處料儲存單元中的各個儲存區的堪用狀態； 一儲存區堪用狀態記錄模组，其可記錄該儲存區測 试拉组所制到之該資_存單S中的各個儲存區的 堪用狀態，並將各個損毁儲存區的位址指定為轉換至一 良好儲存區的位址，藉此而建立一損毁至良好儲存區位 18584 17 1295771 ， ， 址對應表；以及 ' ▲ 存取笞控模組，其可接收一客戶端單元對該資料 儲存早兀所發出的一存取程序要求訊息，並檢視所接收 /之存取要求讯息中的存取位址是否包括損毁儲存區 的位址；若是，則依據該儲存區堪用狀態記錄模組所建 立之損毁至良好儲存區位址對應表來將存取要求訊息 、 中對應至損毀儲存區的存取位址轉換成良好儲存區的 • 位址，令對於該存取程序所要求之損毀儲存區的位址之 存取改而針對轉換後的良好儲存區位址來執行。 • 9·如申請專利範圍第8項所述之損毀儲存區自動標示式 >存取控制系統，其中該資料儲存單元為-系統晶片中所 整合之嵌入式記憶體。 10.如申請專利範圍帛8項所述之損毀儲存區自動桿示式 存取控制系統，其中該資料儲存單元為—快取記憶體。 •如申請專利範圍第8項所述之損毀儲存區自動標示式 • 存取控制系、、統’其中数資料儲存單元為一外部之記情 •如申請專利範圍第9項所述之損毀儲存區自動標示式 存取控制系統，其中該測試啟動事件的誘因為該丁系統£ 片的電源開啟事件。 μ' •如申請專利範圍第9項所述之損毀儲存區自動標示式 存取控制系統，其中該測試啟動事件的誘因為該系統£ 片的重啟事件。 /… Ε •如申請專利範圍第9項所述之損毁儲存區自動標示 12 13 14 18584 18 1295771 存取控制系統，其中該測試啟動事件的誘因為該系統晶 片閒置未用後經過一特定之時間後所預設發出的一啟 動信號。 錢 19 18584