TWI292000B - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
TWI292000B
TWI292000B TW091116592A TW91116592A TWI292000B TW I292000 B TWI292000 B TW I292000B TW 091116592 A TW091116592 A TW 091116592A TW 91116592 A TW91116592 A TW 91116592A TW I292000 B TWI292000 B TW I292000B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
plating
tank
plating solution
plating treatment
glass
Prior art date
Application number
TW091116592A
Other languages
English (en)
Inventor
Keiichi Sawai
Hajime Oda
Original Assignee
Sharp Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Kk filed Critical Sharp Kk
Application granted granted Critical
Publication of TWI292000B publication Critical patent/TWI292000B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11—Manufacturing methods
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/02—Tanks; Installations therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01088—Radium [Ra]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

1292000 A7 B7 五、發明説明（彳） 技術領域 本發明係關於半導體積體電路等之製造裝置所用的電 鍍處理裝置。 背景技術 隨著攜帶資訊終端機等電子機器之小型輕量化的進行 ，呼應之，對於該等機器所組裝半導體積體電路本身，亦 要求其小型輕量化、高密度實裝化。 作爲達成半導體積體電路等（以下稱爲半導體裝置） 之小型化、高密度實裝化的有力方法，乃有在半導體裝置 表面之所定位置，利用電鍍技術以金（A u )予以形成所 謂凸塊電極，並使用該凸塊電極將半導體裝置直接安裝於 實裝基板之方法，則廣泛地利用。 圖3爲顯示習知所用電鍍處理裝置之槪要。 在圖3，5 1爲儲存槽、5 2爲電鍍處理槽、5 3爲 緩衝槽、5 4爲循環泵、5 5爲浮子式流量計、5 6爲過 濾器、5 7爲熱交換單元、5 8爲配管。儲存槽5 1、電 鑛處理槽5 2、緩衝槽5 3、熱交換單元5 7、配管5 8 之材料卻使用樹脂系材料。 在循環泵5 4加壓之電鑛液係流入於儲存槽5 1。注 入於儲存槽5 1之電鍍液，乃在儲存槽5 1被調整其流速 ’以所定流速（液體自重）流入於其次之電鍍處理槽5 2 。接著，電鍍液自電鍍處理槽5 2排出口流入於緩衝槽 5 3 ’再於循環泵5 4被加速，而流入於儲存槽5 1。 ，查紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) r 經*濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4 1292000 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（2) 在進行電鍍液循環時，有時由於循環泵5 4之空泡現 象會在電鍍液中發生氣泡。當該氣泡附著於基板表面時， 其爲原因被阻礙電鍍成長，最壞時竟發生電鍍異常（電鍍 厚度之異常或電鍍形狀不良）。爲消除該氣泡，例如將在 循環泵5 4加壓之電鍍液一旦予以流入儲存槽，經把液體 中之氣泡放出於大氣中後，未進行電鍍液加壓，即藉液體 自重使其流入於電鍍處理槽5 2。 進行電鍍時，爲了控制金屬析出速度及基板上之析出 速度均勻性、即控制電鍍厚度而言，電鍍液之流量控制、 電鍍液之溫度控制亦是重要的因素。 電鍍液之流量測定，乃在儲存槽5 1至電鍍處理槽 5 2之配管途中，裝設浮子式流量計5 5，以控制流量。 電鍍液之溫度控制，則在緩衝槽5 3中，設置熱交換單元 5 7 (將溫水循環於樹脂製捆綁之管子內予以間接性調溫 =溫度調節）以進行浸漬。 當進行電鍍時，有時由於電鍍液之性質，致基板上所 定位置以外、例如電鍍液循環配管、循環泵或電鍍槽本身 等亦會析出電鍍金屬。該等析出於所定位置以外之金屬一 部分，係自析出處所剝離成爲異物浮游於電鍍液中，並隨 著電鍍液之流動而移動於電鍍處理裝置中。當該異物附著 於基板表面時，其即成爲原因，最壞時會發生電鍍異常（ 電鍍厚度之異常、或電鍍形狀不良）。爲除去該異物’例 如在循環栗之後予以裝設過 '濾器5 6。又，如圖3所τ ’ 在電鍍處理槽5 2直前亦予以裝設過濾器5 6。 本二紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，裝· 訂 «- -5- 1292000 A7 ___B7 五、發明説明（3) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 浮游於電鍍液中之異物，雖使用過濾器加以除去，惟 沉積固結於電鍍處理槽等內壁之析出物卻無法在過濾器除 去之。該等析出物由於具有堵塞配管、發生異物數增加等 不妥之可能性，因此需使用鹵系藥液（王水、碘等），定 期性加以洗滌。 以往，乃如是有困難將電鍍處理中以異物所發生電鍍 物質之析出容易又有效地加以控制之問題。 發明之開示 本發明即鑑於上述問題予以開發者，其目的爲提供一 種：能容易且有效地抑制在電鍍處理中以異物所發生電鍍 物質之析出的電鍍處理裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 爲達成上述目的，本發明有關之電鍍處理裝置，係爲 在供應含電鍍物質之電鍍液，.藉該電鍍液接觸於電鍍對象 物以進行該電鍍對象物之電鍍，同時當非所盼位置析出電 鍍物質時即利用除去劑加以除去該電鍍物質之電鍍處理裝 置’而以：將電鍍處理裝置之與電鍍液接觸的至少一部分 ’使用促使除去劑作用時以相同條件測定之表面粗糖變化 率比樹脂低的材料所形成爲特徵。 藉上述構成，由於與電鍍液接觸的至少一部分，使用 促使除去劑作用時以相同條件測定之表面粗糙變化率比樹 脂低的材料所形成。 因此’在進行電鍍處理，於非所盼位置析出電鍍物質 時’促使上述除去劑作用時以如上述材料所形成之與上述 _氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ϊ*ϊ·Γν — -6 - 1292000 A7 B7 五、發明説明（4) 電鍍液接觸部分，其表面比起由樹脂形成時不易粗糙。且 由於表面不易粗糙，相對地可抑制因其表面粗糙所成凹凸 致使電鍍物質之析出加速。 是故，能容易且有效地控制在電鍍處理中以異物所發 生電鍍物質之析出。 又，本發明之電鍍處理裝置，除了上述構成外，更加 具有使電鍍對象物接觸於電鑛液之電鍍處理槽，且上述電 鍍處理槽壁面，由促使除去劑作用時以相同條件測定之表 面粗糙變化率比樹脂低的材料所形成爲特徵。 藉上述構成，由於電鍍處理槽壁面，使用促使除去劑 作用時以相同條件測定之表面粗糙變化率比樹脂低的材料 加以形成。因此，除了上述構成所致效果外，更加能容易 且有效地控制在電鍍處理中以異物所發生電鍍物質之析出 〇 又，本發明之電鍍處理裝置，除了上述構成外，更具 有使電鍍對象物接觸於電鍍液之電鍍處理槽、與向上述電 鍍處理槽輸送電鍍液之電鍍處理槽用配管，且上述電鍍處 理槽用配管之壁面，由促使除去劑作用時以相同條件測定 之表面粗糙變化率比樹脂低的材料所形成爲特徵。 藉上述構成，由於將電鍍處理槽用配管之壁面，使用 促使除去劑作用時以相同條件測定之表面粗糙變化率比樹 脂低的材料加以形成。因此，除了上述構成所致效果外， 更加能容易且有效地控制在電鍍處理中以異物所發生電鍍 物質之析出。 条|氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1292000 A7 B7 五、發明説明（5) 又，本發明之電鍍處理裝置，除了上述構成外，更具 有使電鍍對象物接觸於電鍍液之電鍍處理槽、與可儲存被 裝入於上述上述電鍍處理槽之電鍍液的儲存槽，且上述儲 存槽之壁面，由促使除去劑作用時以相同條件測定之表面 粗糙變化率比樹脂低的材料所形成爲特徵。 藉上述構成，由於將儲存槽之壁面，使用促使除去劑 作用時以相同條件測定之表面粗糙變化率比樹脂低的材料 加以形成。因此，除了上述構成所致效果外，更加能容易 且有效地控制在電鍍處理中以異物所發生電鍍物質之析出 〇 又，本發明之電鍍處理裝置，除了上述構成外，更具 有其內部被裝入上述儲存槽，且以熱傳導對儲存槽內之電 鍍液進行加熱的加熱槽爲特徵。 藉上述構成，由於以熱傳導加熱儲存槽內之電鍍液。 因此，不必爲溫度調節而以熱交換單元使用直接接觸於電 鑛液之構件。是故，可更加容易且有效地控制在電鍍處理 中以異物所發生電鍍物質之析出。 又，本發明之電鍍處理裝置，除了上述構成外，更具 有使電鍍對象物接觸於電鍍液之電鍍處理槽、與向上述電 鍍處理槽輸送電鍍液之電鍍處理槽用配管，且在上述電鍍 處理槽用配管一部分配置超音波式流量計，而上述電鍍處 理槽用配管中被配置上述超音波式流量計之部位的壁面， 由促使除去劑作用時以相同條件測定之表面粗糙變化率比 樹脂低的材料所形成爲特徵。 、夺^氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝·
、1T 經·濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -8- 1292000 A7 __B7 五、發明説明（6) 藉上述構成，由於上述電鍍處理槽用配管中被配置上 .述超音波式流量計之部位壁面，使用促使除去劑作用時以 相同條件測定之表面粗糙變化率比樹脂低的材料加以形成 。且上述超音波式流量計被配置於不會接觸電鍍液之位置 ’於是能將超音波信號抵觸於通過上述電鍍處理槽用配管 中之電鍍液，依據自電鍍液反射之信號加以測定電鍍液之 流量。是故，除了上述構成所致效果外，更加能容易且有 效地控制在電鍍處理中以異物所發生電鍍物質之析出。 本發明之其他目的、特徵、及優點，料能由以下所示 記載充分了解之。又，本發明之利益，料能由參照添附圖 面之其次說明明白之。 圖示之簡單說明 圖1爲本發明有關電鍍處理裝置之一構成例說明用顯 示圖。 圖2爲各材質之鹵系藥液（碘）所致表面粗糙變化率 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 。 知 圖習 示爲 顯 3 用圖 明 說 明 說 號 符 槽 彐二 理 槽處槽泵 存鍍衝環 儲電緩循 圖 示 顯 用 明 說 例 成 構 - 之 置 裝 彐二 理 處 鍍 冬紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9 - 1292000 A7 B7 五、發明説明（8) II----,--^--^裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 僅0 %〜1 0 %地非常之少。由於不可能完全防止基板上 所定位置（電鍍對象物之電鍍對象位置）以外之金屬析出 ，致無法避免使用鹵系藥液加以定期性洗滌，因此雖反覆 進行以鹵系藥液加以洗滌，亦需使用不致破壞電鍍處理裝 置內壁面（與電鍍液接觸之面）之材料。 電鍍厚度，在進行電鍍之基板上雖需呈均勻，惟爲此 ，如上述電鍍液之流量控制，電鍍液之溫度控制亦爲重要 因素。 流量測定，係使用習知之浮子式流量計。該型式之流 量計由於藉流量將浮子（浮動元件）加以浮游數値化，致 浮子本身成爲阻礙液流之主要原因。又爲裝設流量計所需 之配管配設相當複雜，因此增大電鍍液與配管之觸液面積 (與液體接觸之面積），在流量計內部或配管彎曲部易析 出金屬，浮子本身亦會發生析出，故隨著使用時間所累積 之析出物，而有無法以穩定進行正確之流量測定的可能性 〇 經‘濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以藥液流量之測定方法，卻有使用與液體非接觸亦可 測定之超音波方法。即將超音波信號抵觸於配管內之流體 ，以讀取其傳達信號，以正確測定流速·流量。惟，樹脂 製配管卻會被破壞配管內壁面，在其析出金屬，而無法正 確地收發傳達信號，.故在電鍍處理裝置不能使用。 電鍍液之溫度控制，雖在上述緩衝槽使用將樹脂製管 子加以捆綁之熱交換單元，但樹脂之熱傳導率不佳，致欲 進行所盼熱交換卻需增大觸液面積。因此亦與熱交換器之 .夹紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） U -11 - 1292000 Α7 Β7 五、發明説明（9) 構造相輔，易析出電鍍物質之金屬。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 電鍍液之溫度控制，雖在進入電鍍處理槽之直前加以 進行爲宜，但習知電鍍處理裝置，由於使用樹脂製熱交換 單元致易析出金屬。因此乃在緩衝槽進行溫度控制，並於 循環泵予以加壓，透過過濾器將電鍍液注入儲存槽。其結 果，配管變長，發生溫度下降，困難進行正確之溫度控制 。又，隨著觸液面積之增加，亦招惹更加析出金屬。 又，習知電鍍處理裝置，在圖3所示電鍍處理槽5 2 直前亦設有過濾器5 6。此爲除去自儲存槽5 1或流量計 5 5及儲存槽直到電鍍處理槽5 2之配管中所析出金屬異 物而設置。且藉過濾器進行除去異物時，雖需對藥液施加 所定壓力，惟在儲存槽5 1至電鍍處理槽5 2之間無法裝 5受爲防止空泡現象之加壓用水栗’故需利用藥液之落差（ 自重）進行加壓。而爲獲得所盼壓力，則需將儲存槽5 1 設置於相稱之高度，復由於過濾器之堵塞狀況（流量下降 )需更換過濾器。因此，有保養時間及費用增多之可能性 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 爲防止基板上所定位置（電鍍對象物之電鍍對象部位 )以外之金等金屬（電鍍物質）之析出，已知將與電鍍處 理裝置之電鑛液接觸部分的觸液面積抑制於最小限度，並 以鹵系藥液等、洗滌劑進行定期性洗滌時內壁面之粗糙度 亦不起變化之材料予以製作電鍍處理裝置頗爲有些。依據 之，乃可大幅度抑制電鍍處理裝置之異物發生，以削減除 去異物習知所需之過濾器數目，而能抑制更換過濾器有關 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ζ·ι·^· -12- 1292000 A7 ----- B7
五、發明説明（A 之保養時間及費用之發生。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 對於半導體積體電路之金（A u )的凸塊電極形成工 手壬槪要，雖擬容後再述，惟如已述，需要將配管或電鍍處 理槽等使用鹵系藥液（王水.碘等）加以定期性洗條。 如已說明，在圖2，係顯示有使用鹵系藥液加以洗滌 時之電鍍處理裝置所用樹脂系材料與玻璃系材料的表面粗 糙變化率’而洗滌前之表面粗糙（初期値），無論是樹脂 系材料或玻璃系材料，配管內之表面粗糙雖未見有意差異 ’但如浸漬於藥液（碘液）一週時，樹脂系材料之表面粗 糖對於初期値卻呈7 0〜1 5 8 %變化率之非常大幅度變 化。針對之，玻璃系材料時，可知變化率呈〇〜丨〇 %之 格外地小。該表面粗糙變化率愈小愈佳。 表面粗糙變化率高時、即內壁凹凸增加時，由於以其 爲核心變爲金屬易析出於各槽或配管之內壁，致每次進行 藥液洗滌、或每多次洗滌需要更換各槽或配管。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本實施形態，乃以雖反覆進行鹵系藥液之洗滌，其 內壁面亦不會發生粗糙、或極少粗糙之材料，而使用玻璃 構成電鍍處理裝置之各部分。因此，能抑制金屬之析出於 內壁面。 由於玻璃之熱傳導率比樹脂爲高，故藉使用玻璃構成 儲存槽，將儲存槽浸漬於加熱槽，而能進行電鍍液之溫度 控制。其結果，不需要熱交換單元，可大幅度減少與電鍍 液之觸液面積同時，尙能在更接近於電鍍處理槽之處所進 行電鍍液之溫度控制，以圖處理溫度之穩定化。 ^氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐1 -13- 1292000 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（A 由於將儲存槽與電鍍處理槽、及其間之配管全部以玻 璃系材料形成’可防止其間之金屬析出，致儲存槽與電鍍 處理槽之間不必用過濾器，而能削減定期性過濾器更換等 之保養費用·保養時間。且儲存槽與電鍍處理槽之落差， 只要形成有電鍍液流動所需之落差即可，乃能小型化電鍍 處理裝置。 又，藉將配管亦變更爲玻璃製，而可抑制配管內壁面 之金屬析出，故能導入與液體非接觸地測定流量之超音波 流量計，可使配管成爲單純之構造。 以下，就半導體積體電路之製造工程所用的電鍍處理 裝置，利用圖示詳細說明本發明之實施形態。 又，以下說明引用之藥液等，卻與通常之半導體積體 電路製造所用藥液或使用條件基本上相同，除了特殊情形 之外，則省略其詳細記述 首先，說明使用本實施形態有關電鍍處理裝置之半導 體積體電路製造方法、即半導體基板上之金（Au)電鍍 所致凸塊電極形成工程。 在本實施形態，以被電鍍基板（電鍍對象物）所使用 之上述半導體基板，係爲將多數半導體積體電路加以組裝 所成者，可由以下工程作成之。 在組裝有半導體積體電路之半導體基板、例如直徑8 英吋（約2 0 0 m m )之硅酮晶圓表面全面’堆積所定厚 度之S i〇2等絕緣膜，利用光蝕法技術及絕緣膜蝕刻法技 術，將該絕緣膜之所定位置加以開口。 -冬轉張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公釐） ilb _14_ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 絲 1292000 A7 ____B7_ 五、發明説明（? 0 . 2 // m 〇 接著，將光阻劑塗敷於晶圓全面，利用光蝕法技術除 去晶圓上所定位置、即表面保護膜開口部上方之光阻劑。 藉以上工程，在次段電鍍工程可形成成爲被電鍍基板 之半導體基板。又，晶圓上所殘留光阻劑可達成電鍍工程 之掩膜任務，電鍍金屬則析出於光阻劑之開口部。 更，就對於上述半導體基板由A u電鍍予以形成凸塊 電極之電鍍工程進行說明。本實施形態有關電鍍處理裝置 即爲進行該電鍍工程之裝置。 首先，在上述半導體基板之晶圓上所堆積基底金屬所 定位置予以連接電鍍處理裝置之陰電極。且，使上述半導 體.基板與未圖示之陽電極略呈平行對向，浸漬於電鍍處理 槽2所裝入電鍍液中。而在半導體基板與陽電極之間藉電 源予以施加所定電壓，由電解電鍍法使電鍍金屬析出於半 導體基板之所定位置、亦即光阻劑之開口部。 半導體基板與陽電極之間所施加之電壓，乃由半導體 基板之大小或電鍍速度等加以適當地設定即可。 上述電鍍工程之形成凸塊電極完妥半導體基板係被除 去光阻劑，況且，以該凸塊電極爲掩膜將不需部分之基底 金屬加以除去。然後，經過所定工程以完成半導體積體電 路電路。 其次，對本實施形態有關電鍍處理裝置進行詳細說明 -------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -16 - 1292000 A7 B7 五、發明説明（仏 〇 圖1爲本實施形態有關電鍍處理裝置之構成槪略圖。 在圖1，1爲儲存槽、2爲電鍍處理槽、3爲緩衝槽 、4爲循環泵、6爲過濾器、8爲配管（樹脂配管）、9 爲配管（玻璃配管）、1 0爲加熱槽、1 1爲超音波式流 量計（非液體接觸（非觸液）型）之各顯示。 各槽之大小，乃使用約4 0 0 m m (縱向）X 1 0 0 m m (橫向）X 3 0 0 m m (高）之儲存槽1，及約 3〇〇mmx 1〇〇mmx 3 0 〇mm之電鍍處理槽2 ，以 及約7 0〇mmx 5 0 Ommx 2 0 0mm之緩衝槽3。又 ，加熱槽10只要具有可容納儲存槽1之足夠底面積及高 度即可。 在圖1所示本實施形態有關電鍍處理裝置，儲存槽1 及電鍍處理槽2、以及緩衝槽3係由玻璃、即硬質玻璃或 石英玻璃予以製成，且，自過瀘器6至儲存槽1之配管9 、自儲存槽1至電鍍處理槽2之配管（電鍍處理槽用配管 )9亦由玻璃所製成。 由於過濾器6至電鍍處理槽2以玻璃所製成，致此間 之槽與配管的內壁面之金屬析出至爲極微量。 自電鍍處理槽2以下至電鍍處理槽2之間卻使用樹脂 製之配管。由使用樹脂製配管致配管內壁雖易於析出金屬 ，惟此間所析出之金屬異物則藉予以裝設過濾器6，而可 阻止其流入於儲存槽1。 將緩衝槽3以樹脂製形成亦無妨，惟由於會增大與電 .本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210><297公釐） ' ·; Γν (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ▼裝_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -17- 1292000 A7 _B7___ 五、發明説明（& 鍍液之觸液面積致金屬析出量亦增加，故會促成過瀘器6 之及早堵塞。因此，緩衝槽3亦呈玻璃製較佳。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 藉將自儲存槽1至電鍍處理槽2之配管設成玻璃製， 其內壁面所析出之金屬爲微量，於是可使用利用超音波之 流量計。異於習知浮子式流量計，其間之配管變爲非常單 純，與使用玻璃相輔，此間之金屬析出幾乎全無，其結果 ，可省略習知電鍍處理裝置所需之電鍍處理槽直前之過濾 器。在本實施形態有關之電鍍處理裝置，比起習知技術有 關之裝置係可削減過濾器數之約五分之一，除了能削減電 鍍處理裝置之保養所需費用及時間同時，更對電鍍處理裝 置之小型化亦有貢獻。 又，習知電鍍處理裝置由於使用樹脂系材料之配管， 致因配管內面之表面粗糙度增加而增加對於內壁之析出物 ，利用超音波等之非觸液流量計竟無法獲得安定之數値， 但在本實施形態，藉更換爲玻璃系材料之配管而可抑制對 於配管內之析出，使用非觸液流量計（超音波）亦能進行 穩定之計測。又，藉使用非觸液流量計（超音波），乃可 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 除去原來浮子等之配管內抵抗物，能獲得更加穩定之流量 〇 針對樹脂系材料、例如聚丙烯之熱傳導率爲4 . 2〜 4 · 5 X 1 0 ’ 4 ( c a 1 / c m · s e c · °C )，玻璃系 材料、例如硬質玻璃之熱傳導率爲2 6 . 〇〜3 0 . 〇 x 1 〇 · 4 ( c a 1 / c m · s e c · °C )，而比樹脂大一位 數。 夯紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18- 1292000 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（4 因此，將進行電鍍液之溫度控制所需熱交換單元設爲 玻璃製時，比起樹脂製時能大爲加以小型化。且，與熱交 換單元之小型化相輔可抑制金屬之析出，並將習知電鍍處 理裝置之僅在緩衝槽才能進行之電鍍液之溫度控制可在儲 存槽加以進行。其結果，可在更接近於電鍍處理槽之處所 實行電鍍液之更正確溫度控制。 以熱交換單元，雖將通常所用較細管子予以捆綁呈蜂 窩形狀者浸漬於儲存槽1之電鑛液亦可，惟本實施形態， 卻利用儲存槽1爲玻璃製其熱傳導率良好，如圖1所作例 示，將儲存槽1直接***於另途所設加熱槽1 0內亦可進 行所盼之溫度控制。此時，由於未將特殊情形之熱交換單 元浸漬於電鍍液中，致更能抑制金屬之析出。加熱槽1 0 內則可裝入例如溫水，以該溫水，藉熱傳導將儲存槽1內 之電鍍液予以保溫。 以上，係將自電鍍處理槽2至緩衝槽3之配管、及自 緩衝槽3經過循環泵4至過濾器6之配管，使用樹脂製配 管之例子加以說明。且將此間之配管形成爲玻璃製，自抑 制金屬析出觀點言之亦無特別之問題。惟泵浦近旁之配管 可料想由於泵浦之振動等促使玻璃破損等，故對於變更爲 玻璃系材料需作特別之考量。 藉將其他部位之配管.各槽之材質變更爲玻璃系材料 ’則可將相當於電鍍液之總觸液面積約9 0 %部分設成以 玻璃系材料爲之，其結果，能抑制半導體裝置表面所定位 ® (電鍍對象物之電鍍對象部位）以外之析出。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _裝· 訂 _# 2it紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐} -19- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1292000 A7 ____B7 __ 五、發明説明（Υ 在圖1 ，雖顯示自儲存槽1之電鍍液的流出口設於其 底面之例子，惟予以設於側面亦可。此時，亦能使用相同 之加熱槽1 0加以調溫。 又，同樣在圖1 ，雖顯示向電鍍處理槽2之電鍍液流 入口設於電鍍處理槽2側面之例子，但爲控制電鍍厚度予 以設於電鍍處理槽2底面亦可，又，當然亦可設置多數之 流入口。 藉如此構成，係可防止向電鍍處理裝置之裝置內部的 金屬析出。其結果，能減.低自裝置內剝離之金屬附著於半 導體基板而構成不良。於是可削減爲除去異物所使用之過 濾器數，進而能削減保養有關之費用及時間。 又，能將實行電鍍液溫度調節之處所移到更接近於電 鍍處理槽，以圖在進行電鍍之基板上實施正確的溫度控制。 在此，雖以洗滌液（除去劑）使用鹵系藥液，卻是金 (A u )電鍍時之一例示而已，其他，如爲C u電鍍，則 亦可使用濃硝酸或濃硫酸，如爲N i電鍍，則亦可使用濃 鹽酸或稀硝酸。 以上，即以半導體積體電路之電鍍處理裝置爲例，就 本發明詳細地加以說明，惟不必多言，本發明當然亦可適 用於半導體積體電路以外之半導體裝置、例如化合物半導 體製造工程所使用之電鍍處理裝置、或液晶面板製造工程 之電鍍處理裝置。 又，本發明，係在由電鍍液之儲存槽、與自儲存槽流 入電鍍液之電鍍處理槽、與自電鍍處理槽流入電鍍液之緩 批衣 訂 ^ IAW, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -20- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1292000 A7 ___ B7_五、發明説明（4 衝槽、與計測電鍍液流量之流量計、與實行電鍍液之溫度 控制的熱交換單元、與除去電鍍液中之異物的過濾器、與 促使電鍍液循環之泵浦、以及將各槽加以連結之配管所成 的半導體積體電路之電鍍處理裝置，把與電鍍液接觸部分 ，以伴隨鹵系藥液洗滌時之表面粗糙變化率爲初期値之 1 0 %以下的材料予以構成亦可。 又，在上述構成，將伴隨鹵系藥液洗滌時之表面粗糙 變化率爲初期値之1 0 %以下的材料，由硬質玻璃或石英 玻璃予以構成亦可。 又，在上述構成，將上述電鍍液之流量計，構成爲利 用超音波進行與電鍍液非接觸之計測亦可。 又，在上述構成，將連結上述各槽之配管一部分，由 硬質玻璃或石英玻璃加以構成亦可。 又，在上述構成，將電鍍液之溫度控制構成爲在上述 儲存槽予以進行亦可。 且，在「發明之最佳實施形態」的項目所記載之具體 實施形態或實施例，純粹僅在說明本發明之技術內容而已 ，不應只限定於該具體例以狹義解釋之，實際上在本發明 之精神與其次記載之申請專利範圍內，可作種種變化加以 實施。 產業上之可利用忤 本發明係關於半導體積體電路等之製作裝置等所使用 的電鍍處理裝置，特別是，可使用於被要求小型輕量化、 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 1«· -η参紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） … -21 _ 1292000 A7 B7 五、發明説明（^ 高密度安裝化之攜帶資訊終端機等電子機器所組裝之如半 導體積體電路的用途。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ▼裝·
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ，'务紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -22-

Claims (1)

1292000 f广年β月彳θέΙκ皮)正本 C8 ------D8 ------ 六、申請專利範圍 1 第9 1 1 1 6592號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國95年10月19日修正 1 . 一種電鍍處理裝置，係被供應含電鍍物質之電 鍍液，且藉由使電鍍對象物接觸於電鍍液而對該電鍍對 象物進行電鍍，並且在與電鍍液接觸的電鍍處理裝置中 的構成構件上析出電鍍物質時，以除去劑除去該電鍍物 質之電鍍處理裝置，其特徵爲： 具備有： 用來使電鍍對象物接觸於電鍍液之電鍍處理槽、 用來儲存被裝入於上述電鍍處理槽之電鍍液的儲存 槽、 將上述儲存槽裝入其中，且以熱傳導對儲存槽內之 電鍍液進行加熱的加熱槽、 以及向上述電鍍處理槽輸送電鍍液之電鍍處理槽用 配管； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 與上述電鍍液接觸的部分也就是上述儲存槽之壁面 ，是由：用與上述除去劑作用時的相同條件加以測定之 表面粗糙變化率較樹脂更低的材料，也就是玻璃所形成 5 在上述電鍍處理槽用配管的一部分，配置有超音波 式流量計， 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1292000 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 2 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 上述電鍍處理槽用配管之中，配置有上述超音波式 流量計之部位之壁面，是由：用與上述除去劑作用時的 相同條件加以測定之表面粗糙變化率較樹脂更低的材料 所形成。 2 ·如申請專利範圍第1項之電鍍處理裝置，其中 是具備有用來使電鍍對象物接觸於電鍍液之電鍍處理槽 ，且 上述電鍍處理槽的壁面，是由：用與上述除去劑作 用時的相同條件加以測定之表面粗糙變化率較樹脂更低 的材料所形成。 3 .如申請專利範圍第1項之電鍍處理裝置，其中 是具備有： 用來使電鍍對象物接觸於電鍍液之電鍍處理槽、 以及向上述電鍍處理槽輸送電鍍液之電鍍處理槽用 配管，且 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述電鍍處理槽用配管之壁面，是由：用與上述除 去劑作用時的相同條件加以測定之表面粗糙變化率較樹 脂更低的材料所形成。 4 ·如申請專利範圍第1項之電鍍處理裝置，其中 從上述儲存槽向上述電鍍處理槽輸送電鍍液之配管的壁 面是由玻璃形成，在該配管的途中，配置有測量電鍍液 的流量用的上述超音波式流量計， 配置有上述超音波流量計的部位、及上述電鍍處理 -2 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1292000 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 金 出 析 濾 過 供 有 設 未 咅 內 管 配 在 接 連 接。 直器 是濾 間過 之的 槽用 之 項 TX 第 圍 ο 範 离 利玻 專質 請 硬 申爲 如係 • 璃 5 玻 述 上 中 其 置 裝 彐二 理 處 鍍 中 其 置 裝 彐二 理 處 鍍 電 之 項 ΊΧ 第 圍 範 利 專 請石 申爲 如係 • 璃 6 玻 述 上 璃 玻 英 中 儲 其述 ， 上 置將 裝導 理傳 處熱 鍍藉 電 ， 之水 項溫 1 該 第以 圍 ， 範水 利溫 專入 請裝¾ ¢- Η鍍 如則電 •內之 7 槽內 熱槽 加存 溫 保 以 予 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -3-
TW091116592A 2001-07-25 2002-07-25 TWI292000B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001225130A JP4014827B2 (ja) 2001-07-25 2001-07-25 メッキ処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TWI292000B true TWI292000B (zh) 2008-01-01

Family

ID=19058174

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW091116592A TWI292000B (zh) 2001-07-25 2002-07-25

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20040206622A1 (zh)
JP (1) JP4014827B2 (zh)
KR (1) KR100591706B1 (zh)
CN (1) CN1292099C (zh)
TW (1) TWI292000B (zh)
WO (1) WO2003010366A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4295032B2 (ja) * 2003-07-22 2009-07-15 大日本スクリーン製造株式会社 めっき装置
JP4707941B2 (ja) * 2003-09-02 2011-06-22 アルメックスＰｅ株式会社 めっき処理装置およびめっき処理方法
BRPI0418677A (pt) * 2004-03-23 2007-06-05 Glomax S R L processo aparelho e planta para o revestimento eletrogalvánico de artigos metálicos
CN103834974B (zh) * 2012-11-20 2016-10-05 宝山钢铁股份有限公司 一种实现金属带镀层厚度均匀分布的水平式电镀槽装置
JP6180893B2 (ja) * 2013-11-13 2017-08-16 矢崎総業株式会社 メッキ装置
EP3000918B1 (de) * 2014-09-24 2018-10-24 topocrom systems AG Verfahren zum galvanischen aufbringen einer oberflächenbeschichtung
CN108350594B (zh) 2015-11-05 2020-09-11 托普克莱姆***公司 用于电化学施加表面涂层的方法和装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2446331A (en) * 1944-02-14 1948-08-03 William Marsh Rice Inst For Th Electrodeposition of aluminum
US4322281A (en) * 1980-12-08 1982-03-30 Olin Corporation Method for controlling foaming within gas-liquid separation area
JP2624703B2 (ja) * 1987-09-24 1997-06-25 株式会社東芝 バンプの形成方法及びその装置
JP2535454Y2 (ja) * 1992-06-29 1997-05-14 新日本製鐵株式会社 金属板の両面電解装置
JP3308333B2 (ja) * 1993-03-30 2002-07-29 三菱電機株式会社 電解メッキ装置，及び電解メッキ処理方法
US6042889A (en) * 1994-02-28 2000-03-28 International Business Machines Corporation Method for electrolessly depositing a metal onto a substrate using mediator ions
US5911865A (en) * 1997-02-07 1999-06-15 Yih; Pay Method for electroplating of micron particulates with metal coatings
US6010610A (en) * 1996-04-09 2000-01-04 Yih; Pay Method for electroplating metal coating(s) particulates at high coating speed with high current density
US6231728B1 (en) * 1996-11-22 2001-05-15 Hubert F. Metzger Electroplating apparatus
US6113769A (en) * 1997-11-21 2000-09-05 International Business Machines Corporation Apparatus to monitor and add plating solution of plating baths and controlling quality of deposited metal
US6151558A (en) * 1998-02-10 2000-11-21 Conant; James R Ultrasonic marine speedometer system
US6576110B2 (en) * 2000-07-07 2003-06-10 Applied Materials, Inc. Coated anode apparatus and associated method
US6413390B1 (en) * 2000-10-02 2002-07-02 Advanced Micro Devices, Inc. Plating system with remote secondary anode for semiconductor manufacturing

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040019355A (ko) 2004-03-05
KR100591706B1 (ko) 2006-06-20
CN1292099C (zh) 2006-12-27
WO2003010366A1 (fr) 2003-02-06
JP2003034897A (ja) 2003-02-07
JP4014827B2 (ja) 2007-11-28
US20040206622A1 (en) 2004-10-21
CN1535331A (zh) 2004-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI292000B (zh)
JP2888001B2 (ja) 金属メッキ装置
TW495800B (en) Circulation system for supplying chemical for manufacturing semiconductor devices, and driving method thereof
TW451350B (en) Wet-etching facility for manufacturing semiconductor devices
TWI310792B (zh)
JP2912538B2 (ja) 浸漬型基板処理装置
TW406181B (en) Cooling/heating device for semiconductor processing liquid
JP2000096264A (ja) エッチング装置および方法
TWI679696B (zh) 基板處理裝置與基板處理方法
JP2003202309A (ja) 水質測定装置
TWI240763B (en) Liquid phase deposition production method and device
KR100741475B1 (ko) 반도체 웨이퍼 습식 식각 및 세정 약품 가열용 인라인 히터
JP3366449B2 (ja) エッチング装置
TW514626B (en) Apparatus for manufacturing high-temperature extra-pure water and chemical processing apparatus having the same
KR100952179B1 (ko) Ｃｏｄ 측정기의 산화환원 전위차를 이용한 냉각관이 달린 ｏｒｐ 비교전극
US3911460A (en) Apparatus and method for automatically processing a batch of photographic elements
US6443167B1 (en) Gradient dragout system in a continuous plating line
JP3223020B2 (ja) 洗浄／エッチング装置およびその方法
KR101348208B1 (ko) 무전해 도금조용 열교환장치
Habuka et al. Water motion in carrierless wet station
KR100857551B1 (ko) 액체 공급 장치
JP2009019877A (ja) エッチング液成分の濃度測定装置および濃度測定方法
KR100635112B1 (ko) 액정 디스플레이 소자 제조 장치의 유체 공급 장치
CN219689439U (zh) 一种火电厂中电化学软化处理装置的供水***
JP3036043B2 (ja) エッチング装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees