TWI284671B - Polyquinoline copolymer and organic electroluminescence element using the same - Google Patents

Polyquinoline copolymer and organic electroluminescence element using the same Download PDF

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Description

1284671 玖、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關一種聚喹啉共聚物以及使用此之有機電 激發光元件。 【先前技術】
電激發光元件取代例如所謂的白熾燈、氣體充填燈, 而在大面積固態(solid state)光源之用途上受到矚目。另一 方面’在平面顯示器(flat panei display,PFD)領域中,能夠 取代液晶顯示器之最有力的自發光顯示器(出叩1叮)亦受到 矚目。特別是,利用有機材料以構成元件材料之有機電激 發光(EL)元件,這種稱作低耗電量型的全彩(fullc〇1〇r)FpD 正朝商品化邁進。其中特別也有利用高分子材料構成有機 材料的高分子型之有機EL元件,與必須在真空系統中成 膜的低分子型之有機EL元杯比較之下,因為能夠進行印 刷、喷墨(ink-jet)等簡易成膜等,是今後大晝面有機乩顯 示器不可或缺的元件。 m 至今為止’高分子型有機EL元件中,可使用此輛 (conjugation)聚合物(p〇lymer)例如聚笨撑乙婦撐 (p-phenylene-vinylene)(例如參考國際公開第90/Π148號手 冊)以及非共輛聚合物(參考I. Sokolik·等人,應用物理期°刊 (J.AppLPhys· 1993· 74, 3584))中任一聚合物材料。然而元 件的發光壽命很低,成為建構全彩顯示器上的障礙。 為解決上述問題,近年,雖然提出使用各種聚苟 (polyfluoenen)型以及聚對_笨撑(ρ-phenylene)型的政鼬取人 物之高分子型有機EL元件,但在安定性方面,並未發& 13567pif 5 1284671 能夠有所滿足。 【發明内容】 ^有鑑於上述固有的問題,本發明的目的是提供一種安 疋1 生優良的發光聚合物材料。本發明的再一目的是提供一 種能滿足優越的發光壽命的有機el元件。 本發明者專讀討後的結果,發現了含有哪誘導体 ii开i唾料体的共聚物,可作為安定性優良的發光聚 合物之材料,而完成本發明。 ,就是說:本發明的目的是提供—種含有嗤啉單體單 =,,开二唾單體單兀的聚卿共聚物。_單體單元及 本开***單體單元也可以具有取代基。 # -本發明提供—種聚_共聚物,含有以式(1)所 表不的喹啉單體單元: 、^ 〇
Xa A-
⑴ HX是各自獨立的表示從—Rl、—0R2、—SR3、 :H=〇〇R5或一 _ R7 r8(但是,r1〜r8各自獨 立的表不石灭數為1〜22個的 者是碳數為2〜2(M_苦其+鍵衣狀或支鏈之烧基,或 、方土或雜芳基)所構成的族群之中選 13567pif 1284671 代基各自相同或不同皆可,並且是與 取代位置結合的取代基,“各自獨立的 成的族〜中選二基==^^^ c(0)——s(〇)——_——w— ;:〇—!w、「 〜Rn,π ρ〇, Ar 〜、-Ra-Ar,-、 Γ R W —C(〇)〇 —如,—、—以,,〇) : —、: (〇)—Ra—、—Ar,-c(〇)-Ar,-、—
Het Ar 〜s —Ar,——Ar,—s(〇) 〜卿-Ar,i及—Ar,—Q— 族群:A: 選出之2價的基’其中R_,Ar,是芳ί之 個獨立軌撑’芳撐以舰撐/芳觀合 =^ 出的基,伽,是雜絲,Q是含有續碳的群中, 可具有取代基的苯并三唾單體單元,其二丄以及 單體單元結合的基,是以式(11)表示:、”則述各 (D)b- (Π) 式(II)中,D為一〇 —、一SiR2 —0~SiR2—以及 NR-
CR2、、— SiR ,〜入—SiR厂〇〜s blR2 —(此處,R各自獨立的表示碳數為丨〜22個2:〇〜SiR2 或支鏈之烷基,或者是碳數2〜2〇個的芳美 鏈、環狀 b是0〜1的整數)。 ’、方基),且 而且,本發明提供—種前述聚喹琳 具有取代基的苯并***單體單元是以式’其中,可 13567pif 7 1284671
2 (III) (、式。ϋ各自獨立的5表示鹵素原子、-R1、—0R2、-SR3、 碳數 〜CO〇R以及一SiR6R7R8(但是,R1〜R8表示 _ 為2、1〜22個的直鏈、環狀或支鏈之烧基,或者是碳數 ^個的芳基或雜芳基)所組成的族群中選擇出的取代 ^严自可為相同或不同的基,並且是與苯并***結構之 中衣、可取代位置結合的取代基,Ρ表示0〜2的整數。式 的族群2可具有取代基眺基、綠以及雜芳基所構成 餐群中所選出來的基)。 的χΐ發供一種前述聚嗤琳共聚物’其中’前述式⑴ 自獨Γ表干石:2自獨立的表示0〜3的整數(但是,R1是各 或者是1〜22個的直鏈、環狀或支鏈之烧基, Α數為2〜20個的芳基或雜芳基)。 _ 本發明提供一種前述聚嗤琳北 的Υ是·~^,Ρ表示α〜’其中,前述式(111) 基(但是,Ri各自獨立表示碳之,二可具有取代基的苯 支鏈之燒基,或者是碳數為2 =〜22 _直鏈、環狀或 本發明提供-種制^雜芳基)。 件,此電激發光元件以具有一對^林Ά物的電激發光元 的—層以上的有機層為佳,=^在此電極之間形成 關於本發明的聚喹啉共聚物。 幾9中至少一層係含有 8 1 3567pif 1284671 刺申的内容與細年4月18时請的日本專 健中所記載的主題相關,藉由引 用將垓些發明的内容納入本發明中。 為,本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 文特舉一較佳實驗例,並配合所附圖式,作詳細 說明如下。 【實施方式】
^發明之聚喹啉共聚物的特徵是包含可具有取代基的 喹啉單體(monomer)單元以及可具有取代基的苯并*** (benzotriazole)單體單元的共聚物。 各個喹啉單體單元以及苯并***單體單元之可取代位 置可被1彳只的有機殘基(residue)取代。
有機殘基,舉例而言,包括:脂肪族烴殘基、芳香族 經基、烧氧基(alkoxy)、芳氧基(aryi〇xy)、烷硫基(alkylthi〇)、 方石瓜基(arylthio)、醢氧基(aCyi〇Xy) '烧氧幾基 (alkoxycarbonyl)、芳氧幾基(ary!OXyCarb〇nyi)、烧基甲石夕烧 基(alkylsilyl)、芳基甲矽烷基(arylsilyl)、醯基㈨州、戊基 (amyl)、石肖基(nitro)、氰基(cyano)、鹵基(halogan)、經基 (hydroxy1)、巯基(mercapto)、甲酸基(formyloxy)、羧基 (carboxyl)、矽基(Silyi)、曱醯基(forniyl)、亞磺基(suiflno)、 續基(sulfo)等等。 脂肪族煙殘基,舉例而言,包括直鏈、環狀或支鏈之 燒基(alkyl)、烯基(alkenyl)、炔基(alkynyl)等,碳數是1〜22 者為佳。具體而言,包括:曱基(me1;hyl)、乙基(ethyl)、丙 基(propyl)、異丙基(isopropyl)、環丙基(cyclopropyl)、丁基 13567pif 9 1284671 (butyl)、異丁基(isobutyl)、環丁基(cyci〇butyl)、戊基 (pentyl)、異戊基(isopentyl)、新戊基(ne〇pentyl)、環戊基 (cyclopentyl)、己基(hexyl)、環己基(CyCi〇hexyl)、庚基 (heptyl)、環庚基(cycloheptyl)、辛基(octyi)、壬基(nonyl)、 癸基(decyl)、乙烯基(vinyle)、丙烯基(propenyi)、烯丙基 · (ally)、丙炔基(propynyl)、異丙炔基(isopropynyl)、丁烯基 , (butanyl)、戊烯基(pentenyl)等。 > 芳香族煙殘基,舉例而言,有芳基(aryl)、雜芳基 (heteroaryl)等碳數2〜20者為佳。具體而言,可列舉出苯基1 _ (phenyl)、曱苯基(ί〇ΐγ1)、二曱苯基(xylyl)、咪基(mesityl)、 枯稀基(cumenyl)、苯甲基(benzyl)、苯乙基(phenethyl)、曱 苄基(methylbenzyl)、二苯甲基(diphenylmethyl)、苯乙烯基 (styryl)、肉桂基㈦麵卿丨)、聯苯殘基(biphenyl)、聯三苯 殘基(terphenyl)、萘基(naphthyi)、蒽基(anthryl)、芴基 (fluorenyl)、呋喃殘基伽an)、噻吩殘基(thi〇phene)、σ比咯 殘基(pyrrole)、噁唑殘基(oxazole)、噻唑殘基(thiaz〇le)、咪 唑殘基(imidazole)…比啶殘基(pyridine)、嘧啶殘基 (pyrmHdme) “比嗪殘基(pyrazine)、三嗪殘基(triazine)、喹 _ 啉殘基(quinoline)、喹噁啉殘基(quin〇xaline)等。而本眘明 · 中,=謂芳基就是芳香族化合物殘基,芳香族化合物中, 含有單環芳钱化合㈣及純料族化合物;再者,乡 · ,芳香族化合物中包含二個以上的環狀結構結合的化合_ 物:二個以上的環狀結構縮合的化合物。而且,本發明中, 所谓雜芳基就是雜環化合物,而雜環化合物中包含單雜環 化合物以及縮合雜環化合物。 13567pif 10 1284671 烷氧基(alkoxy),舉例而言,包括:甲氧基(meth〇xy)、 乙氧基(ethoxy)、丙氧基(propoxy)、丁氧基(but〇xy)、第三 丁氧基(tert-butoxy)、辛氧基(octyi〇xy)、第三辛氧基 (tert_octyloxy)等。芳氧基(aryi〇Xy),舉例而言,包括:苯 氧基(口11611€^1)、4_第三丁苯氧基(4七11>131办1卩1^11〇\乂1)、1- 萘氧基(Ι-naphthyloxy)、2-萘氧基(2_naphthyloxy)、9-蒽氧 基(anthryloxy)等。烷硫基(aikylthio),舉例而言,有甲硫基 (methylthio)、乙硫基(ethylthio)、第三 丁硫基 (tert-butylthio)、己硫基(hexythio)、辛硫基(octylthio)等。 芳硫基(arylthio),舉例而言,包括··苯硫基(phenylthi〇)、 2-甲苯硫基(2-methylpnenylthio)、4-第三丁苯硫基 (4-tert-butylphenylthio)等。醯氧基(acyi〇xyl),舉例而言, 包括·乙醢氧基(acetoxy)、苯醯氧基(benzoyloxy)等。烧氧 羰基(alkyloxycarbonyl),舉例而言,包括··甲氧羰基 (methoxycarbonyl)、乙氧羰基(eth〇Xycarb〇nyl)、第三丙氧 Ik基(tert-butoxycarbonyl)等,芳氧幾基(aryi〇XyCarb〇nyl), 舉例而吕’包括·苯氧幾基(phenoxycarbonyl)、萘氧幾基 (napthyloxycarbonyl)。烷基曱矽烷基(alkylsilyl),舉例而 吕’包括·二曱基甲梦烧基(trimethylsilyl)、三乙基曱石>烧 基(triethylsilyl)等’芳基甲石夕烧基(aryisiiyi)可舉出的有三苯 基矽基(triphenylsilyl)等。稱為醯基(acyl)可舉出的有乙醯基 (acetyl)、丙醯基(propionyl)、苯曱醯基(benz〇yl)、曱苯醯 基(toluoyl)。胺基(amino)可舉出的有胺基(amino)、N-曱胺 基(N-methylamino)、N_ 乙胺基(N-erfiylamino)、N,N-二乙胺 基(N,N-diethylamino) 、 n,N-二異丙胺基 13567pif 1284671 (=,N-diispr〇Py丨amino)、二 丁胺基(N N_dibutylamin〇)、队 苯甲胺基(N-benzylamino)、n,N-二苯甲胺茂 (^N-dibenzylamino)、N-苯胺基(N_phenylamin〇)、N N= 苯胺基(N,N-diPhenyIamin〇)等。鹵素原子可舉出的有: 子、氯原子、溴原子、破原子等。 ^ 、本發明中,當喹啉單體單元有取代基時,以芳香族炽 殘基為佳,芳基亦佳’苯基更佳。而苯并三嗤單體單元^ =代基時’苯并三雜構的苯環之取代基,㈣肪族 j佳’烧基更佳。三哇(triaz〇le)環的取代基以芳香族炉 殘基為佳,芳基更佳,苯基又更佳。 二 而且’嘆啉單體單元或苯并三唾單體單元的取代基上 亦可再具有取代基,作為取代基的例子,舉例而言,包括 上述喹啉單料元或料三唾賴單元可具有的取代基。 f發明中,嗤啉單體單元於構成單體單元的主鍵上, 明、I %有f 了喹琳結構之外的其他2價的有機殘基。本發 二美中2有機殘基的例子’可舉出有從上述1價的有 個μ子而產生的2價之有機殘基、對應 芳香二基的2價有機殘基。這樣的有機殘基,以 ==魅為佳,雜更佳寺频‘phenyien ,所謂的卿單體單元,並不限於只有由一個喹 為主鍵而構成單體單元的情況,亦包含由二個以 時喹:結構結合作為主鏈而構成—個 =或結構結合而成的基,可以=鍵 、土或者是二個以上的有機殘基連結亦 13567pif 1284671 :其戶=有,基’以具有芳香族烴殘基或氧基(Gxy)的2 貝土為佳,苯基殘基、菲殘基(phenanthrene)、芴殘基 (fluoren)、碳烯殘基(carbaz〇le)、聯苯殘基 = 醚殘基(biphenyl ether)為佳。 、0各個單體單元結合的結合基,並沒有特別的限制,可 為單鍵結合或2價之有機殘基,而有機殘基以氧基為佳。 本發明的聚喹啉共聚物,至少含有一種上述之各單體 成分為佳,各單體單元也可以是無規律的包含在共聚物中 而I成所明的無規共聚物(random copolymer),或者各單體 單兀也可以是一部份特定的單體單元局部存在於共聚物中 而幵y成所谓的嵌段共聚物(block polymer)或接枝共聚物 (graft copolymer)。此外,構成上述共聚物的兩種單體單 元,可以分別是由一種的單體所構成,或者也可以分別是 由二種以上的單體組合而成。 本發明中所使用的喹啉單體單元較佳是表示於式⑴··
喹啉單體單元可以單獨使用之或組合二種以上而使用之。 式⑴中X是個別獨立的1價之有機殘基,A以及B是 個別獨立的單鍵結合或2價之有機殘基。 本發明的式⑴之喹啉單體單元中,單個或多個的X較 佳是表示一R1、一OR2、一SR3、一〇c〇R4、—c〇〇R5 或 13567pif 1284671 ~~SiR6R7R8,取代基χ是多個取代時,此χ分別是同一 取代基或不同種類的取代基皆可。Α是各個獨立表示〇〜3 的整數。 另一方面,取代基X中的ri~r8較佳是各自獨立表示 碳數為1〜22個的直鏈烧基、環烧基或支鍵之烧基,或碳 數2〜20個的芳基或雜芳基。這類的基,舉例而言,如甲 基、乙基、丙基、環丙基、丁基、異丁基、環丁基戊基、 =基、新戊基、環戊基、己基、環己基、庚基、環庚基、 土、壬基、癸基等碳數1〜22個的直鏈烷基、環烷基或 支,,基’或者是苯基、萘基、蒽基、努基、聯笨殘基、 聯三苯殘基、吱韻基、餅殘基、轉殘基、十坐殘基、 噻唾殘基、咪唾殘基、吼咬殘基、嘧咬殘基、〇比嗦殘基、 :嗪,基、’#殘基、轉殘基等碳數2〜2()個的芳基 雜方基。 取代基XJ^亦可再具有取代基。χ具有的取代基,可 I 8R、—〇r2、-sr3、-OCOR4、-COOR5 R表示的取代基’甚至還有-nr9r1g(但是, R各自獨立表示碳數為1〜22個的直鏈、環狀或支 件二f f者是碳數2〜20個的芳基或雜芳基。)當多個取 土存在時,多個取代基各自相同或不同皆可。 A,發明的式(I)之喹啉單體單元中,以是各自獨立的, 】^為0 ’也就是沒有取代時’ 是由—Rl所表示的貌 ς、方基直接取代時,以溶解性以及耐熱性觀點而言較佳。 且,取代基數目,包含未取代時,即3為0時,當3為 或2時以共聚反應性的觀點而言較佳。另外,—“以芳 14 1 3 567pif 1284671 基為佳’笨基更佳。 〇〇而且,式⑴之喹啉單體單元中,A各自獨立的表示 f鍵結合或芳撐(arylene)為佳,A以芳撐為佳,而鄰—苯 撑、間一苯撑、對—苯撑以共聚反應性觀點而言特別佳。 而且,式(I)之喹啉單體單元中,B是從單鍵結合、— 〇— s---c(〇)——S(0)——s(〇2)—、:;—、 —(~0 —w —)m—0 —(„!是卜3的整數)以及— 的族群之中選出2價的結合基為佳。上述w是由—Ra〜、 -Ar’ Ra_Ar,---Ra,—〇_Ra,——Ra,—C(〇)〇 ~Ra,---如,—NHCO - Ra’ ——Ra-C(0)-Ra___ Ar::c(0)—Ar,—、—m-Ar,-、—A: -S(O) —Ar·’---Ar,-S(〇2)-Ar,-HA — Ar,— Q — Arr, —所構成之群體之中選出2價的基,其中Ra是烷严 (alkylene) ’ Ar是芳樓’ Ra’是由各個獨立的炫撐 及燒揮/芳標混合基構成的群體中選出的基,此,是雜芳 基,Q是含有四級碳的2價基。B是單鍵結合,—〇—、 Ar或、—Ra’_〇 —Ra,較佳,苯殘基菲殘基、 ί而=基、聯苯殘基、聯苯_基因共聚购^ 式(I)中’以Α或Β表示的2價基亦可具有取代基,a 或B的取代基,可舉出如上述一R1、—0R2、—sr3 — f OR4、-COOR、—SiRVR8 或—nr9r1。表示的取: 土。夕個取代基存在時,多個取代基各自相同或不同皆可。 人杨,,啉單體單元的具體例子,包括下列表示的化 口物,但疋本發明並非僅限定於這些化合物。 13567pif 15 1284671
R
R
13567pif 1284671
R R
R R
R R
R R
13567pif 17 1284671
R R
R R
R R
13567pif 18 1284671
13567pif 19 1284671 此處,上述唼啉單體單元中 上述-R、―⑽、—sr3、二二為取,1V例如是 W或-NRY表示的取狀。—C〇〇R、-_ 子。取代基以自相同=可而且’R也可以是氣原 所表細料^單料元,以式⑽
(III) ίϊΐ指的苯并三哇频單元可翔制或組合兩種以上 而使用之。 1價以及2所表示的是各自獨立的氣原子,或 γ以^處自的iff坐單體料之式(111)中,取代基 以各自獨立的鹵素原子、—Ri、一 〇r2、— sr3、— 二⑽、—COOR5fSiR6 r7 r8(但是r1〜以表示碳數 〜=_直鏈、環狀或支鏈之烧基,或者是碳數2〜2〇個 、、方基或雜芳基)所組成的族群中選擇出的取代基,各自 ^相同或不_基,並鮮并三唾結構之苯環的可取代位 置結合的取代基,p表示〇〜2的整數。 取代基Y上亦可再具有取代基,取代基的例子 的有以上述—R1、—0R2、—SR3、_〇c〇r4、—c〇(^出 l3567pif 20 1284671 :SiR6R7R8或—Nr9ri。表示的取代基。多個取代基 時,多個取代基各自為相同或不同的基皆可。 此處所提到的取代基中,Yp為各自獨立的,當p是〇, 亦即未取代時,或Υ是以_R1表示的基為佳,雖然是以院 基直接取代,但由共聚反應性及耐熱性觀點而今 兀 而且,式(III)的苯并***單體單元中,z ^從可具右 取代基的烷基、芳基以及雜芳基所構成的族群中所選出 的基為佳。Z是可具有取代基的絲較佳 特 觀點而言特別好。 奇注的
z的取代基,可舉出的例子有以上述—Rl、〜、 -SR3、-0C0R4、— C〇〇r5、— SiR6 r7 r8 或一N R9 心 表示的取代基,甚至是鹵素原子或碳數U2個的直鏈、 環狀或支鏈烯基(alkenyl)。多個取代基存在時,多個沖 基各自為相同或不同的基皆可。 代 本發明的苯并***單體單元之具體實例,包括下 示的化合物,但是本發明並非僅限定於這些化合物。。
13567pif 21 1284671 表1 苯并*** 單體編號(No.) Υι γ2 Ζ (1) Η Η H3CCH3 HO y-CH3 Vch3 h3c ch3 (2) Η Η h3c ch3 H3CO^y-CH3 -Q ^^ch3 h3c ch3 (3) Η Η h3c C2H5 H3C〇JKCh3 h3c c2h5 (4) Η Η H3Cb 22 1 3567pif 1284671 表1(續) 單體編號 Υι γ2 Ζ (5) Η Η h3cwc2h5 C4H90^y-CH3 Λγ〇η3 h3c c2h5 (6) Η Η Q ^ H3CO N^Q ch3 ⑺ Η Η 0 ⑻ Η Η ^0~CH3 (9) Η Η h3co ~M ch3 (10) Η Η ^O^f (11) Η Η (12) Η Η ~〇"〇c2H5 (13) Η Η (14) Η Η Cl (15) Η Η (16) Η Η (17) Η Η P4H9 ^0. C4H9 (18) Η Η h3co\ CH3 13567pif 23 1284671 表1(續) 單體編號 Υι Y2 Z (19) Η H H3Cv^ch3 fACH3 (20) Η H C4H9 0 C4H9 (21) och3 〇CH3 c4H9 (22) P4H9 /=,0 C4H9 H (23) c4H9 /=,0 C4H9 H (24) P4H9 C4H9 H 〇^〇〇2H5 (25) Cl H h3c ch3 H3CO^y-CH3 -Q ch3 (26) ch3 H h3c ch3 H3CO^y-CH3 -Q ^ch3 h3c ch3 (27) ch3 ch3 —Q^c4h9 13567pif 24 1284671 表1(續)
單體編號 Υι Y2 Z (28) c4h9 /=,0 c4h9 H H3QCH3 H3CO^y-CH3 -Q ^όη3 h3c ch3 (29) P4H9 /=,0 ~V]rNv c4h9 H P4H9 _ 0 C4H9 (30) H H C6Hn (31) H H CH2-CH3 —CH 、ch3 (32) H H ch2-ch3 心ch、 (33) H H 〇4曰9><〇4"9 (34) H H C8Hi7^^C8H17 (35) H H (36) H H ch3 CH3 φ Φ (37) H H N-N h3c、ch3 (38) H H i!tcH3 (39) H H (40) H H <h (41) H H 1 3567pif 25 1284671 表1(續) 單體編號 Υι γ2 Ζ (42) Η Η (43) Η Η -〇CH3 (44) Η Η Q~ocH3 (45) Η Η 92Η5 (46) Η Η H3CyCH3 Φ (47) Η Η ^0 (48) sch3 Η H3QPH3 H3CO^y-CH3 ch3 (49) OCOCH3 Η (50) COOC4H9 Η ~OC2H5 (51) Si(CH3)3 Η -8 (52) Η Η H3CCH3 C4H9〇^y-CH3 -Q Vch3 h3c ch3 1 3567pif 26 1284671 一共聚單體單元也可由上述有基殘基取代。共聚單體單 元也可具有的取代基,舉例而言,包括以—Rl、—〇R2、 -SR、一〇COR4、-c〇〇R5、-SiR6 R7 R8 或一N r9 r10 表示的取代基。當多個取代基存在時,多個取代基各自 相同戒不同的取代基皆可。 馬 本發明$共聚單體單元之具體例子,包括下列表示的 化合物,但是本發明並非僅限定於這些化合物。 1284671
13567pif 29 1284671
13567pif 30 1284671
1 3567pif 3 1 1284671
包二之共3體單元中’作為取代基R,舉例而言’ ^R3' ~〇C〇R4' ~C〇〇R5' -s^6 或一NR R表示的取代基。而且,R也可以是氫原 子。取代基R各自相同或不同皆可。
接下來,本發明的聚喹啉共聚物中,作為與上述單體 單元結合的基,具有如式(II)所表示的結合基為佳: -(D)b- (II) 式(II)中,D為2價的有基殘基,以一〇—、一S—、 —NR —、一 CR2 一、一 S1R2 —、一 S1R2 — 〇 一 S1R2 —以及一 13567pif 32 1284671
SiR2 — 〇一S1R2一〇〜〇·ρ ^ . 的直鏈 或雜芳基。且b是0〜1的整數。 以單鍵二或-二為以的示單鍵結合。此處之結合基 且,R是碳數W個的言較佳。而 =點而言為佳’而碳數二支:二= 反應性的觀點而言特別佳。 Μ共來
本發明中,聚嗤啉共聚物較佳 J :嗤元與式剛示的苯并三唾以 Ιΐίί體單元結合的μ以式⑼表示的共二、。 本發明的聚喹啉共聚物中,全部 ^99%Ζ ^ ΐ、ΐ5=Ϊ。若喹啉單體單元不足1%’則有發光色度容易 4化,傾向’絲過99%,則有發光亮度變低的傾向。 - 的聚嗤琳共聚物中,全部單體單元總數中苯并 Γ 95=170所佔的莫耳分率以1〜"%為佳,3〜97%更佳, 5〜95/。取佳。若苯并***單體單元不足1%,則有笋光宾产 •變低Z向姻過99%,則有發光色度容易劣“傾^ 再者,在本發明的聚喹啉共聚物中可以共 私性的單體單元、取代或非取代基的雜環單體單元、具有 取代或非取代基之三苯胺結構的單體單元等之共聚單&單 元,以聚合物全部單體單元總數中的莫耳分率、而古,以 0〜=%為佳’ 〇〜5〇%更佳’ 〇〜30〇/〇又更佳。使用共&物單 體單元時,以聚合觀點而言為佳。而且,共聚單&單元之 I3567pif 33 1284671 含有量若超過80%,則有特性降低的傾向。 本發明的聚喹琳共聚物,可利用各種從業者所公知的 合成方法製造。例如,當沒有與各單體單元結合的基時, 也就是說,式(II)中b為0的時候,可使用如T. Yamam〇t〇 等人於日本化學協會會報(Bulletin of the Chemical Society ofJapan)51卷7號 2091 頁(1978)以及^I·Zembayashi等人 於四面體書函(Tetrahedron Letters)47 卷 4089 頁(1977)中記 載的方法。特別是’對於共聚物的製造而言,Suzuki於合 成情報(Synthetic Communications) 11 卷 7 號 513 頁(1981) 中所報告的方法為一般常用之方法。這個反應是在芳香族 硼酸(boronic acid)衍生物與芳香族鹵化物之間,產生把(pb) 觸媒化交叉偶合(cross-coupling)反應(一般稱為r鈴木反 應」),藉由與對應的芳香族環類結合之反應,可製造本發 明的聚喹啉共聚物。 而且,這個反應通常使用Pd(l£) (II)鹽或pd(0)錯合物 型態之可溶性鈀化合物。以芳香族反應物作為基準,〇 〇1〜5 莫耳百分率的Pd(PPh3)4(四三苯磷基化鈀)與3級膦配位基 (phosphine ligand)的Pd(OAc)2(二乙醯基化鈀)錯合物以及 PdCl2(dppf)(dppf=l,r—雙(二苯磷基)二茂鐵, 1,Γ—bis(diphenylphosphino)ferrocene)錯合物是一般較佳 的Pd來源。這反應中亦使用到驗基(base),以水溶性驗性 碳酸鹽(alkali carbonate)或碳酸氳鹽(bicarbonate)為最佳。 而且’使用相間移動觸媒’亦可以於非極性溶劑中促進反 應。而溶劑則可使用N,N —二曱基甲醯胺(N,N — dimethylformamide)、曱苯(toluene)、二甲氧基乙烧 1 3 5 6 7 p i f 34 1284671 (dimethoxyethane)、四氫P夫喃(tetrahydrofuran)等。 本發明的聚合物中,具體而言,如下式:
A—B(OF〇2 Xa^ Xa 或是 -A-B(OR')2
(R.〇)2B—A (式中R’為甲基、乙基、丙基等的低級烷基,或者是2個R’ 相結合而形成環狀的乙烯基、丙烯基等低級烯烴基,X以 及A、B、a如同前述定義)所表示的嗤琳衍生物如二刪酸 酯(diboric acid ester), 與二溴苯并三唾 (dibromobenzotriazole)衍生物,依照需要能夠共聚的共聚 單體如硼酸酯或為共聚單體的溴化物,於Pd(0)觸媒存在 下,利用水溶性鹼進行共聚合而製造之。而且,亦可使能 夠共聚的共聚單體,如硼酸酯與二溴喹啉 (dibromoquinoline)衍生物、二溴苯并***衍生物,於Pd(〇) 觸媒存在下,利用水溶性驗進行共聚合而製造之。 本發明的聚嗤啉共聚單體之具體實例,包括下列表示 的化合物,但是本發明並非僅限定於這些化合物。 13567pif 35 1284671 表2 單體 二硼酸酯單體 二溴單體 (1) 50mol% Br—^^-Br N’V'N H3Cv^x^s/*v^.CH3 H3C1h3 ^ 50mol% (2) 50mol% Br—Br NVN ^Y〇ch3 h3c^sJL^ch3 h3cTh3 25mol% C4H9 义 N0^Br 25m〇l% (3) 50mol% Br ΝΑ 々〇ch3 H3。ch3 ^Ha 25mol% CeHuv^CeH^ Br^O-OrBT 25mol% (4) Ά 50mol% Br—^^-Br Ο >Y0CH3 H3° ch3 c^H3 25mol% c4h9 C4H9 h3cX_Lch3 Βγ-Ό^Ό^Βγ 25mol% 13567pif 36 1284671 表2(續)
13567pif 37 1284671 表2(續)
13567pif 38 1284671 表2(續)
13567pif 39 1284671 表2(續)
13567pif 40 1284671 表2(續)
13567pif 4 1 1284671 表2(續)
13567pif 42 1284671 表2(續)
13567pif 43 1284671 表2(續)
13567pif 44 1284671 表2(續)
13567pif 45 1284671 表2(續) 單體 (34) ‘硼酸酯單體
25mol% 50mol%
(35) 50mol% h3c
N、k_
ch3 c^Ha 25mol% ~H3C>-CH3
ch3 lOmol% h3c
H3c.
,ch3 CH3 ^Smol% C4H9
15mol% 當與各單體單s結合的基為 中,D為—〇…而b為! 也就是說,式⑼ 之專利公報之特開平M36954 如日本專利早期公開 啉_UOr〇quinoline)單體與=報中所記載的’二氟喹 benzotriazole)衍生物 ^ 濟土笨并二唑(dlhydroxy .... . , 、二漠苯并二υ坐 (dlbr〇m〇benz〇_z〇ie)衍生物單體與二經基^ (dihydroxyq賺oline)單體,或者是二淳| = (dibmmoqumolme)皁體與二羥基苯并***竹生物單體,於 13567pif 46 1284671 鹼存在下,在極性溶劑中反應,藉此可製造本發明的聚嗤 啉。這個反應,是在鹼的存在下(二羥(dihydroxy)化合物脫 質子(proton)化之後所得到的鹼),進行製造本發明之喹啉 共聚物的反應。這樣的鹼是鹼(alkali)金屬以及鹼土族金屬 碳酸鹽以及氳氧化物,可舉出的例子有碳酸鉀、氫氧鉀、 碳酸鈉、氫氧化鈉等。二羥化合物的酸度低,氫氧化鈉脫 質子化不充分時,亦可使用較強的鹼例如氫化鈉等金屬氫 化物、丁基化鐘(butyllithium)、納胺(sodium amide)等金屬 胺等等。這樣的鹼與二羥化合物反應時,會生成水,可利 用共沸蒸餾將水去除。溶劑可使用前述種類。 具體的實例,如下式
(式中,X以及A、B、a如前述定義) 所表示的二就喹啉(difluoroquinoline)衍生物與二經基苯并 三嗤衍生物單體,在鹼的存在下,於極性溶劑中反應,藉 此可以製造聚喹啉共聚物。 3 再者,當本發明的聚喹啉共聚物含有其他的能夠共聚 合的共聚單體時,將前述之共聚單體當作是羥(hydr〇xy')單 體而與喹啉衍生物以及苯并***衍生物共聚合。本發明中 可以共聚之其他二羥單體,舉例而言,例如間苯二酚 13567pif 47 1284671 合的共聚單體時,將前述之共聚單體當作是羥(hydroxy)單 體而與喹啉衍生物以及苯并***衍生物共聚合。本發明中 可以共聚之其他二羥單體,舉例而言,例如間苯二酚 (resorcin)、對苯二紛(hydroquinone)、4,4’一二經基聯苯(4,4, -dihydroxybiphenyl) 、1,3 — 二羥基萘(ι,3 — dihydroxynaphthalene) 、2,6 —二經基萘(2,6 ~ dihydroxynaphthalene) 、2,7 —二經基萘(2,7 — dihydroxynaphthalene)、3,4’ 一二經基聯苯(3,4,— dihydroxybiphenyl)、3,3’ 一二羥基聯苯(3,3,— dihydroxybiphenyl)、2,4 —二羥基苯甲酸甲酯(2,4 — diphydroxymethylbenzoate)、異丙叉二苯(雙盼 A)isopropylidenediphenyl(bisphenol) 、 盼歌 (phenolphthalein)、酚紅(phenol red)、1,2—二(4—羥基苯) 乙烧(I,2 — di(4 — hydroxyphenyl)ethane)、二(4—經基苯)曱 烧(di(4 — hydroxyphenyl))methane)、4,4’ 一二經二苯曱酮 (4,4,一cHhydroxybenzophenone)、N,N—雙(4—經基苯)一n _ 苯基胺(N,N - bis(4 - hydroxyphenyl) - N — phenylamine)、N,N’一雙(4—羥基苯基)一N,N’一雙(3—甲 基苯基)一 [1,1,一二苯基]-4,4,一二氨队:^,一|^(4-hydroxyphenyl) — N5N9 — bis(3 — methylphenyl) — [lj5 _ biphenyl] —4,4’一diamine)等。 經單體上亦可以再有取代基,作為取代基的例子,包 括上述以一R1、-OR2、一 SR3、一OCOR4、一COOR5、-
SiR R R或—NR9R1G表示的取代基。當多個取代基存在 時’多個取代基各自為相同或不同皆可。 … 1 3 5 6 7 p i f 48 1284671 本發明的羥單體之具體實例,包括下列表示的化合 物,但是本發明並非僅限定於這些化合物。
RR RR RR RR RR
13567pif 49 1284671
1 3567pif 50 1284671
1 3567pif 51 1284671
上述 R、OR、— SR3、— 〇c〇r4、一 上作為 ,舉例而言,可以是以
尺7118或-财91110表示的誠其 —SlR 子。取代基R各自為二者,R也可以是氮原 利用上述方法所得到的聚嘆啉共聚物之分子量以 10,000〜1,000,000 為佳,3〇,〇〇〇〜8〇〇,_ 10.000, 薄膜(版)形成的能力有降低的傾向。 1.000. 000,則溶解性冑㈣。 明㈣11啉共聚物是用於作為魏發光元件之活 所謂層,是在電場中使用時會發光的層》 ίΛ’Λ二良電荷之注人或者是電荷之移動的層(電 何注入層或電何移動層)。此處所指之電荷為負或正電荷。 活性層的厚度,可考慮發光效率等而做適當的設定, 以10〜30奈米(nm)為佳,而20〜200nm更佳。當不足i〇nm 時,則有產生針孔(pinhole)等薄膜缺陷的傾向,當超過 300nm時,則有特性降低的傾向。 13567pif 52 1284671 電子注入以及/或電子移動層中,舉例而言,含有U惡二 唾(oxadiazole)衍生物、鳴唾(oxazole)衍生物、苯并噪口坐 (benzooxazole)衍生物、苯g昆(benzoquinone)衍生物、喹啉 衍生物、喹噁啉(quinoxaline)衍生物、噻二唑(thiadiazole) 衍生物、苯并二唾(benzodiazole)、三唾(triazole)衍生物、 - 金屬螯合(chelate)錯合物等等的材料。 / 電洞(hole)注入以及/或電洞移動層中,舉例而言,含 ♦ 有肽花青銅(copper phthalocyanine)、三苯基胺衍生物、三 苯基甲烷(triphenylmethane)衍生物、二苯基乙烯(stilbene) 孀 糸化合物、腺(hydrazone)系化合物、碳烯(carbazole)系化合 物、南分子量芳基胺、聚苯胺(polyaniline)、聚嗟吩 (polythiophene)等的材料。 為了將本發明的聚合物用於作為電激發光元件之活性 層材料,將溶液塗佈於基質(substrate)上,亦可以在基質上 薄膜形狀的活性層。可使用熟習此技藝者所習知的方法, 例如噴墨(inl_jet)、鑄造(cast)、浸潰、印刷或旋轉塗佈(spin coating)等形成積層而達成。印刷法之中,有凸版印刷、凹 版印刷、平版(offset)印刷、平板印刷、凸版反轉平版(0ffset) 1 印刷、網版(screen)印刷、照相凹版(gravue)印刷等。這樣 的積層方法,一般可於一20〜+ 300°C溫度範圍中實施,而 ~ 以10〜lOOt:為較佳,以15〜50°C為特別佳。而且,形成積 層之聚合物溶液一般可實施常溫乾燥、利用加熱板(hot ' plate)之加熱乾燥等。 用於聚合物溶液中的溶劑,可使用氯仿(chloroform)、 一氣曱烧(mettiylene chloride)、二氯乙烧(dichloroethane)、 13567pif 53 1284671 四氫呋喃(tetrahydrofuran)、甲苯(toluene)、二甲苯(xylene)、 均三曱苯(mesitylene)、苯曱醚(anisole)、丙酮(acetone)、曱 乙酮(methyl ethyl ketone)、乙酸乙酯(ethyl acetate)、乙酸 丁酯(butyl acetate)、乙基溶纖乙酸酯(ethylcell〇s〇lve acetate) 等。 本發明的聚合物溶液亦可與上述以外之材料混合使 用。而且,使用本發明之聚合物溶液的電激發光元件,含 有上述聚合物以外之材料的層亦可含有本發明聚合物之活 性層與積層。亦可與本發明聚合物混合使用之材料,可使 用電洞注入及/或電洞移動材料、電子注入及/或電子移動 材料、發光材料、黏結劑聚合物(binder polymer)等習知的 材料。混合的材料可為高分子材料或低分子材料。 可使用於電洞注入及/或電洞移動材料上的化合物,舉 例而&,如丙稀胺(allylamine)衍生物、三苯基甲烧 (triphenylmethane)衍生物、二苯乙烯(stilbene)係化合物、 (hydrazone)糸化合物、碳烯(carbaz〇ie)系化合物、高分子 量丙烯胺、聚苯胺(polyaniline)、聚噻吩(p〇lythi〇phene)、 等的材料以及上述材料經高分子化後的材料。作為可使用 於電子注入及/或電子移動材料上的化合物,舉例而言,例 如噁一唑衍生物、苯并噁唑衍生物、苯醌衍生物、喹啉衍 生物、喹噪啉竹生物、嗟二唾(thiadiazole)衍生物、苯并二 峻(benzodiazole)衍生物、三峻(triaz〇ie)衍生物、金屬螯合 錯合物等的材料以及上述材料經高分子化後的材料。 作為可使用於發光材料上的化合物,舉例而言,包括 芳基胺(arylamine)衍生物、噁二唑衍生物、茈(perylene) ^ 1 3567pif 54 1284671 個以上的電子注入層及/或電子移動層的元件,然後在電激 發光層(發光層)與陽極之間能夠***一個以上的電洞注^ 層及/或電洞移動層的元件。 彳4 陰極的材料,以例如鋰(Li)、部(ca)、錤(Mg)、|呂(A1)、 銦ση)、鉋(Cs)、Mg/A卜氟化鋰(LiF)等金屬或金屬合金為 · 佳。陽極的材料,於透明基質(例如玻璃或透明聚合物)上、 · 使用金屬(例如金(Au))或具有金屬導電度的其他材料,例 · 如氧化物(如ITO :氧化銦/氧化錫)。 本發明的t嗤琳共聚物適用於作為例如有機El元件 屬 的材料。此處,本發明的聚喹啉共聚物特別是具有高發光 ,,良好的發光色純度以及安定性,再加上因為容易&膜 等’表示具有良好的薄膜形成能力。因此,表示使用了這
種聚喹啉共聚物的本發明之有機EL元件具有良好的發光 色純度以及安定性,而且生產力優越。 X 【實驗例】 雖利用以下的貫驗例說明本發明,但本發明並非僅限 定於於此些實驗例。 實驗例1嗤啉衍生物二硼酸酯之合成 礞 將6,6 —雙[2 —(4 —溴苯基)一3,4一二苯喹啉](6,6,一 bis[2 — (4 - bromophenyl) - 3,4 - diphenylquin〇line])(3〇 毫 ,耳,mmol)之四氫呋喊(thf,Tetmhydrofuran)溶液,於 氬氣氣流下,一面仔細攪拌一面徐徐添加於鎂(1·9克(幻、 80mm〇l)之THF混合物中,以調製成格林納試劑㈣^^ reagent)。將所得之格林納試劑於-”它之溫度下,一面仔 細攪拌一面以2小時的時間徐徐地滴入至三甲基硼酸酯 13567pif 56 1284671 (trimethylboric acid ester) (30mmol)之 THF 溶液中,之後於 室溫中攪拌2日。將反應混合物粉碎後,注入含冰的5〇/〇 稀硫酸中並攪拌。得到的水溶液以甲苯萃取,萃取物濃縮 之後’可得到無色的固體。所得之固體藉由從甲苯/丙酮(丨/2) 再結晶,結果可得到喹啉衍生物二硼酸(4〇%)之無色晶體。 得到之喹啉衍生物二硼酸(12mm〇l)與1,2—乙二醇(1,2 — ethanediol)(30mmol)於曱苯中迴流1〇小時後,從甲苯/丙酮 (1/4)中再結晶’結果可以得到喹啉衍生物二硕酸酯之無色 晶體(83°/〇) # 實驗例2喹啉衍生物與苯并***衍生物之共聚物的 合成⑴ 於下列結構式所表示的二溴苯并***化合物 (lOmmol)、以實驗例1的方法合成的喹琳衍生物二棚酸 醋(lOmmol)及Pd(0)(PPh3)4(〇.2mmol)之甲苯溶液中,在氬 氣氣流下,將2體積莫耳濃度(M)的碳酸鉀(K2C〇3)溶液加 入’一面激烈地授掉’ 一面進行48小時的迴流。
將反應混合物冷卻至室溫後,注入於大量的甲醇中, 使固體X澱。將析出的固體抽氣過濾並以甲醇洗淨,藉此 1 3567pif 57 1284671 以得到固體。將過濾取出的固體溶解於甲苯中之後,注入 至大量的丙酮中,使固體沉澱。將析出的固體抽氣過濾並 以丙酮洗淨,藉此以得到固體。然後,重複進行兩次上述 利用丙酮之再沉殿處理。之後,將得到的固體溶解於甲苯 中後,將陽離子•陰離子交換樹脂(日本奥加諾(Japan . Organo)製離子交換樹脂)加入,攪拌1小時後,抽氣過濾 · 並回收聚合物溶液。然後,重複進行兩次上述利用離子交 換樹脂之處理。將回收的聚合物溶液注入大量的甲醇中, 使固體沉澱。然後,得到之固體於索氏萃取器(s〇xhlet,s extractor)中利用丙酮萃取•洗淨24小時,得到喹啉衍生物 與苯并***衍生物之共聚物(1)。 實驗例3喹啉衍生物與苯并***衍生物之共聚物的合 成(2) 6,6’ 一雙[2 — (4一氟苯基)一3,4—二苯喹啉](6,6’一 bis[2 — (4 — fluorophenyl) — 3,4 — diphenylquinoline])( 1 Ommol)、以下列結構式所表示的雙 苯盼苯并三峻(bisphenolbenzotriazole)化合物(lOmmol)、碳 酸妈(15mmol)、無水NMP(N-曱基-2- D比口各咬, N-Methyl-2-Pyrrolidone)(40 毫升(ml))以及無水曱苯(20ml), 在氮氣氣流下,一面強烈的擾拌,一面加熱•迴流30小時。 · 於反應混合物中加入NMP(60ml)之後,冷卻至室溫。 13567pif 58 1284671
$所得之/谷液注入大量的蒸餾水中,使固體沉澱。將 析出的固體抽氣過濾、並簡顧水、甲醇、丙喊淨,藉此 以得fin體。將過濾取出的_溶解於甲苯中之後,注入 至大量的_中,使固體沉澱。將析出的固體抽氣過滤並 以丙酮洗淨,藉此以得到固體。然後,重複進行兩次上述 利用丙酮之再沉澱處理。然後,將所得之固體溶解於甲苯 =之後,加入陽離子•陰離子交換樹脂(日本奥加諾製離子 交換樹脂淡琥珀(amberlite)EG-290_HG),攪拌1小時後, 抽氣過濾並回收聚合物溶液。然後,重複進行兩次上述利 用離子交換樹脂之處理。將回收的聚合物溶液注入大量的 甲醇中,使固體沉澱。然後,將所得之固體於索氏萃取器 中利用丙酮,萃取•加熱24小時,以得到喹啉衍生物與苯 并***衍生物之共聚物(2)。 實驗例4嗤啉衍生物與苯并三嗤衍生物之共聚物的合 成(3) " 於下列結構式所表示的二溴苯并三唾 (dibromobenzotriazole)化合物(l〇mm〇l)、以實驗例 1 的方 法合成的喹啉衍生物二硼酸酯(l〇mm〇U、 Pd(0)(PPh3)4(0.2mmol)之甲苯溶液中,在氬氣氣流下,將2 體積莫耳遺度(M)的碳酸卸(K2C〇3)溶液加入,一面激烈地 13567pif 59 1284671 攪拌,一面進行48小時的迴流。 Br—Br
nVn 將反應混合物冷卻至室溫後,注入 使固體織。將析_目體減 過渡取出的固體溶解於甲== 以’使固體沉澱。將析出的固體抽氣過濾並 ==二以得到固體。然後,重複進行兩次上述 中^ 理。之後,將得到_體溶解於甲苯 中後’加场離子•陰軒交換 丨夕大的曱知中,使固體沉澱。然後,將 墓· n」、氏卒取器(S〇xhlet,s extractor)中利用丙酮 共聚物’(3$。小時,得到喹啉衍生物與苯并***衍生物之 實,例5有機EL元件的製作⑴ 生物:的方法所得到的喹啉衍生物與苯并***衍 ΙΤΟ(ί;^ t*^^#(wt〇/〇)), (氧化錮錫)圖案化成寬2毫米(_)的玻璃基板上,於 1 3567pif 60 !284671 #燥的氮氣環境下,以旋轉塗佈方式形成聚合物發光層 二m):然後,在乾燥的氮氣環境下,於加熱板上以航 二乾燥5刀|里。將得到的玻璃基板移到真空蒸發器中, 述發光層上以氟化鋰(LiF)(膜厚0.5nm)、Al(膜厚l〇〇nm) 之順序形成電極。將所得到的IT〇/聚合物發光層几删 ,件連接至電源,以ΙΤ〇為正極,UF/A1為陰極並施加電 堅’結果可觀測到發出大約5V(伏特)的綠色光(波長λ =52〇nm)。此綠色的光在25°C中經過500小時之後,也不 會發現其色調有所變化。 實驗例6有機EL元件的製作(2) 除了使用喹啉衍生物與苯并***衍生物之共聚合物(2) 來取代喹啉衍生物與苯并***衍生物之共聚合物(1)之 外,以與實驗例5相同的方法製作出IT〇/聚合物發光層 /LiF/Al元件。將所得到的ΙΤΟ/聚合物發光層/LiF/A1元件 連接至電源,以ITO為正極,LiF/Al為陰極並施加電壓, 結果可觀測到發出大約9V的綠色光(;l=522nm)。此綠色 的光在25°C中經過500小時之後,亦不會發現其色調有所 變化。 實驗例7有機EL元件的製作(3) 除了使用喹啉衍生物與苯并***衍生物之共聚合物 來取代喹啉衍生物與苯并***衍生物之共聚合物(1)之 外,以與實驗例5相同的方法製作出IT0/聚合物發光層 /LiF/Al元件。將所得到的ΙΤΟ/聚合物發光層/LiF/Al元件 連接至電源,以ITO為正極,LiF/Al為陰極並施加電壓, 結果可觀測到人約有5V(伏特)的綠色發光(又=525nm)。此 13567pif 61 1284671 綠色的光在25°C中經過500小時之後,亦不會發現其色士。 有所變化。 胃 比較例1 除了使用以下結構式所表示的聚喹啉來取代嘆u林衍生 物與苯并***衍生物之共聚合物(1)之外,以與實驗例^相 同的方法製作出ITO/聚合物發光層/Ca(鈣)/Α1元件。將戶§ 得到的ITO/聚合物發光層/Ca/Al元件連接至電源,以 為正極,Ca/Al為陰極施加電壓,結果可觀測到發出大約 10V的藍色光(又=430nm)。其發光的顏色會隨時間由齡辛 變成淡藍色。
比較例2 除了使用以下結構式所表示的二辛基$ (dioctylfluorene)/ 苯并噻嗤(benzothiazole)共聚物來取代 啉付生物與苯并三峻衍生物之共聚合物(丨)之外,以與實 例5相同的方法製作出IT〇/聚合物發光層/UF/A1元件^將 所得到的ITO/聚合物發光層/UF/A1元件連接至電源,以 ITO為正極,LiF為陰極並施加電壓,結果可觀測到發出 大約8V的黃色光(Xz=548nm)。其發光的顏色會隨時f 黃色變成白色。 13567pif 62 1284671
實驗例8二溴喹啉衍生物Q)之合成
將上示化合物⑴與乾燥的N,N —二曱基曱醯胺 2500ml裝入反應容器中,以吹入氬氣的方式進行脫氣操作 1小時)。在氬氣環境下,添入Ni(COD)2(重(1,5-環辛二烯) 鎳,bis(l,5-cyclooctadiene)Nickel)(0.3mol,l.Oeq·),在 50 13567pif 63 1284671 C中加熱擾拌3小時。反應溶液放冷至室溫後,投入至i〇l 的冷水中’以乙酸乙酯15L萃取2次。水洗後,以硫酸鎂 脫水,蒸餾去除溶劑並得到化合物(2)的粗生成物。添加 580ml的己烷至粗生成物中,進行15分鐘的加熱迴流,將 >谷液放冷並渡取析出之結晶,並加以乾燥,得到化合物 ⑵。回收率37%。 在反應器中加入化合物(2)(0.1 Omol)、演苯乙酮(4 — bromoacetophenone) (0.3mo卜 3.0eq)、二甲苯 400ml、一 水合對曱苯續酸(p-toluenesulfonic acid),進行2天的加熱 迴流。反應溶液放冷至室溫後,濾取析出的結晶。在得到 的粗結晶中加入氣仿5〇〇ml,加熱迴流3〇分鐘後放冷,渡 取並乾燦析出之結晶得到目標嗤琳衍生物(芝)。回收率 7〇%。已利用核磁共振光譜(NMR spectrum)、紅外線光譜 (IR spectrum)等確認喹啉衍生物⑶的構造。 實驗例9二溴喹啉衍生物(乏)之合成
13567pif 64 1284671 反應容器中放入上述化合物〇L)(2〇nimol)、二甲基二丁 基菲二棚酸醋(dimethyldibutylphenanthrene diboric acid ester) (lOmmol)、Pd(0)(PPh3)4(0.12mmol),以吹入氬氣方 式進行脫氣操作(1小時),在氬氣環境下,加入甲苯80m, 60% Aliquat(R)336(氣化曱基三辛醯基銨, 11^11>^1^&07171&111111〇11]111111〇111〇1:1(16)曱苯溶液(81111)、2體積 莫耳濃度(M)的碳酸鈉(Na2C03)水溶液60ml,並且一面激 烈地攪拌,一面於95°C迴流4小時。反應結束後,將反應 溶液注入大量的冷卻後的曱醇/蒸餾水(1/1)的溶液中,使固 體沉降。析出的固體經抽氣過濾並以冷卻的甲醇洗淨而得 到粗生成物。添加己烧至此粗生成物中,進行15分鐘的加 熱迴流,將溶液放冷並濾取析出之結晶,並加以乾燥,得 到化合物(£)(8.3mmol)。回收率37%。 在反應器中加入化合物⑷(8mmol)、4—漠苯乙_(4 — bromoacetophenone (24mmol ^ 3.0eq.)、二甲苯 40m卜一 水合對甲苯石黃酸(p — toluenesulfonic acid)(0.24mmol, 0.03eq) ’進行2天的加熱迴流。反應溶液放冷至室溫後, 濾取析出的結晶。在得到的粗結晶中加入氣仿5〇ml,加熱 迴流30分鐘後放冷,濾取並乾燥析出之結晶得到化合物 (芝)(5.2mmol)。回收率65%。已利用核磁共振光譜、紅外線 光譜等確認喹啉衍生物(乏)的構造。 實驗例10 一溴苯并***化合物(3)的合成··表丨(3) 13567pif 65 1284671
於容器中裝入汽巴精化有限公司(Ciba Specialty Chemicals Inc·)的 TINUVIN(R)328 (〇.2mol)、碳酸飼 (0.3mol)、脫水N,N—二甲基曱醯胺2000ml,以吹入氮氣 方式進行脫氣操作(1小時),在氮氣環境下,於65°C加入 峨化甲烧(methyl iodide) (0.4mol),再進行加熱授拌3小 時。將反應溶液放冷至室溫後,加入300ml的蒸餾水。在 得到的溶液中加入氯仿300ml並進行萃取,得到的萃取溶 液以蒸顧水洗淨後’得到濃縮且無色的粗結晶。將所得之 粗結晶從氯仿/己烧再結晶,得到中間產物曱烧化苯并三唾 化合物(O.lmol)。回收率50〇/〇。 於反應谷為中加入甲烧化苯弁三嗤化合物(〇. 1 m〇l)、 45%溴化氫的醋酸溶液(3〇〇ml),以吹入氮氣方式進行脫氣 操作(1小時),在氮氣環境下,於ll〇°C進行加熱攪拌}小 時。之後,以1小時的時間滴下溴(〇.4mol,4eq·)。滴完之 後,於110°C進行加熱攪拌3小時。將反應容器放冷至室 溫,加入300ml的蒸餾水,濾取析出的固體。將所得之固 體於500ml的氣仿中溶解,並以氫化鈉、碳酸氫鈉溶液中 和。所彳于之浴液〉辰縮之後,結果得到無色的粗結晶。所得 之粗結晶再從丙酮再結晶,並得到目標二溴苯并***化合 13567pif 66 1284671 物(3)(0.06mol)。回收率60%。已利用核磁共振光譜、紅外 線光譜等確認過二溴苯并***化合物(3)構造。 實驗例11喹啉衍生物與苯并***衍生物之共聚物的 合成(4):表2共聚聚合物(31)的合成
於反應容器中加入上述之二辛基苟二硼酸酯 (dioctylfluorenediboric acid ester) (5mmol)、以前述實驗例 8 後的固體溶解於甲笨後,注入大量的甲醇/丙酮(8/2)中,使 ,體沉殿。析出的固體經抽氣過濾、以甲醇、丙嗣洗淨, 藉,以得到固體。然後,姻上述甲醇/丙卿/2)重複操作 儿理。接著,將得到的固體溶於甲苯後,添加 I ΐ離子交換樹脂(日本奥加諾製離子交換樹脂), ^ '、日守後,抽氣過濾並回收聚合物溶液。然後,重; 進行2次上述離子交換樹脂的處理。將回㈣聚t 的方法合成的二>臭嘆啉衍生物Qj(2.5mmol)、以前述實驗例 10的方法合成的一 >臭苯并三唾化合物(3)(2.5mmol)、 Pd(0)(PPh3)4(0.06mmol) ’以吹入氬氣方式進行脫氣操作Q 小時)’在氬氣環境下,加入曱苯4〇π^、6〇%的Aliquat(R)336 曱苯溶液(4ml)、2 Μ的碳酸鉀(k2C03)水溶液30ml,並且 一面激,地攪拌,一面於95它迴流4小時。反應結束後, 將反應溶液注入大量的甲醇/蒸餾水(9/1)中,使固體沉降。 析出的固體經抽氣過濾並以曱醇洗淨而得到固體。將濾取 13567pif 67 1284671 溶液入的甲醇/丙酮(8/2)中,使固體沉澱。然後,以 索氏萃取器將得到的固體以丙酮萃取•洗淨24小時,藉此 得到喹啉衍生物與笨并***衍生物之聚合物(4)。 實驗例12唼啉衍生物與苯并***衍生物之聚合物的 合成(5):表2共聚聚合物(32)的合成
=笨二硼酸酯
:二溴三笨胺化合物 於反應谷器中加入上述之苯二蝴酸醋(bezene diboric acid ester)(5mmol)、以前述實驗例8的方法合成的二溴喹 啉衍生物QXlmmol)、以前述實驗例1〇的方法合成的二溴 苯并***化合物(3)(2.5mmol)、上述二溴三苯胺化合物 (1.5mmol)、Pd(0)(PPh3)4(0.06mmol),以吹入氬氣方式進 行脫氣操作(1小時),在氬氣環境下,加入甲苯4〇πύ、60% 的Aliquat(R)336曱苯溶液(4ml)、2 Μ的碳酸鉀(K2C03)水 溶液30m卜並且一面激烈地攪拌,一面於95°C迴流48小 時。反應結束後,將反應溶液注入大量的曱醇/蒸餾水(9Π) 中,使固體沉澱。析出的固體經抽氣過濾並以曱醇洗淨而 得到固體。將濾取後的固體溶解於甲苯後,注入大量的甲 醇/丙酮(8/2)中,使固體沉澱。析出的固體經抽氣過濾,以 曱醇、丙_洗淨,藉此以得到固體。然後,重複操作2次 13567pif 6 8 1284671 之再沉_理。接著,將得到的固 體/谷於甲本後’添加陽離子·陰離子交換樹脂(曰本奧加諾 製離子交換樹脂)’攪拌丨,丨、咖ρ、二1 ㈣ 、—十心么 免讦1 ]、時後,抽軋過濾並回收聚合物 令液、、、、後’再重贿行2次上述離子交換樹脂的處 理。將回收的聚合物溶液注入大量的甲醇/丙 使 固體沉澱。然後,再財氏萃取㈣得到的固體以丙酮萃 取•洗淨24小時,藉此得到卿衍生物與苯并三唾衍生物 之聚合物(5)。
實驗例13嗤啉衍生物與苯并三讀生物之共聚物的 合成(6):表2共聚聚合物(33)的合成
c4h9 :苯二硼酸酯
Br :二溴三苯胺化合物
於反應容器中加入上列所示之苯二硼酸酯(5mmol)·、以 前述實驗例9的方法合成的二溴喹啉衍生物泛)(lmmol)、 以前述實驗例10的方法合成的二溴苯并***化合物 (3)(2.5mmol)、前述二漠三苯胺化合物(l.5mmol)、 Pd(0)(PPh3)4(0.06mmol),吹入氬氣以進行脫氣操作(1小 時),在氬氣環境下,加入曱苯40ηύ、60%的Aliquat(R)336 曱苯溶液(4ml)、2 Μ的碳酸鉀(K2C03)水溶液30m卜並且 13567pif 6 9 1284671 一面激烈地授拌,一面於95〇c^ 將反應溶液注人大量的f醇/蒸‘ 8 =。反應結束後’ 析出的固體經抽氣過遽並以甲醇0)中’使固體沉殿。 將濾取後的固體溶解於甲笨德f净,藉此以得到固體。 中,使固體沉殿。析出的固體細^大=的甲醇/丙酮_ 洗淨,藉此以得到固體。然後過®’以甲醇、丙嗣 甲醇/丙_(8/2)的再沉殿處理。接,作2次上述利用 ^ , 筏耆,將得到的固體溶於甲 本後添加陽離子·陰離子交換樹 換樹脂),授拌1小時後,抽教m(本奥加法衣離子乂 接,真舌慮並回收聚合物溶液。然 ㈣中人你人述利用離子交換樹脂的處理。將回 收的^物浴液注入大量的甲醇/ 澱。,索氏萃取器將得到的固體以二 =、時’藉此得到_魅物與苯并三销生物之共聚物 實驗例14〜16有機乩元件之製作(4)〜⑹ 槎:乂备、1卜線/臭氧洗淨以2mm寬的1T〇(氧化錮鍚)為圖案 樣式之玻璃基板後,將聚噻吩/聚苯乙烯碏酸 (P〇lyStyrenesulfonic acid)水分散溶液(拜耳伽㈣ BAYTRONPCH_G)賤轉!|(spi耐)塗佈,並於加熱板 上以200C加熱乾燥15分鐘,以形成電洞(hGle)注入層 厚40nm)。之後,於乾燥氮氣環境中,將實驗例n〜實驗 例13的方法所得之喹啉衍生物與苯并***衍生物之共聚 物(4)〜(6)之甲苯溶液(丨· 5wt%)旋轉塗佈並形成聚合物發^ 層:膜厚8〇nm)。接著,於乾燥氮氣環境中,在加熱板丄以 80C加熱乾燥5分鐘。將得到的玻璃基板移入真空蒸發 13567pif 70 1284671 器’於上述發光層上形成以LiF(膜厚Q5nm)、ca(膜厚 20_、A職厚15Gnm)為卿的龍。麟_ ιτ〇/聚 合物發光層/UF/Ca/Al το件接上電源,卩ΙΤ〇為正極,
LlF/Ca/Al為陰極,並施加電壓,結果得到下表中所表示的 特性。且有機EL το件壽命評價的結果是,在坑經過5〇〇 小時之後,其發光色的色調亦不會有變化。 而且’除了上迭實驗例中表示的例子之外,使用上述 之本發明的種種賴單元時,可以得到具有優越的發光效 率等特性之聚喹啉共聚物。 表3 實驗例 聚合物 發光開始 電壓 伏特(V) 發光效率 燭光/安培 (cd/A) 發光尖峰 (peak)波長 奈米(nm) 實驗例14 共聚物(4) 2.5V 5.2cd/A 530nm_ 實驗例15 共聚物(5) 3.0V 5.4cd/A 525nm 實驗例16 共聚 2.5V 6.2 cd/A 530nm 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用以 限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神 和範圍内,當可作些許之更動與潤飾,因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 13567pif

Claims (1)

1284671 修正日期:95年11月1〇曰 爲第93110644號中文專利範圍無劃線修正本 拾、申請專利範圍: 1·一種聚喹啉共聚物,払抬啥啉單體單元及苯并*** 單體單元, 其中該喹啉單體單元以下述結構表示, 式⑴: •A- _A_ ν' 每一 或 (I) -A- 一 A- 中’ X各自獨立的表示從~Rl、—OR2、—sr3、 立的表示碳數或個=6 R7(但是,Rl〜R8各自獨 者是碳數為2〜個的—鏈、墩狀或支鏈之烷基,或 出的取·,基減純鱗之中選 喹啉殘基十义:為相同或不同,並且是與 表示。,整數,A是由口巧二^自獨立的 選出的基,B是由單鍵結:〇口及1所構成的族群中 —S⑼—、、S(〇2)—、— W、〇:;、—s—〜C(〇K、 是1〜3的整數)以 、—(~0 —W —)m〜〇 結合基(w是由、Ra—Q——^成的族群之_之2價的 c(o二 —、—Ra—C(〇),-、-〜)—Ar^ 13567pif 72 1284671 - Ar’ —S —Ar’ Ar,— S(0) —Ar,---Ar,—S(〇2) — Ar’一以及一Ar,一Q —Ar,一所構成之族群之中選出之二價 的基,其中Ra是簡,Ar,是芳樓,Ra,是由各個獨立的烧 撐,芳撐以及烷撐/芳撐混合基構成的族群中選出的基, Het’是雜芳基,Q是含有四級碳的2價基);以及 土 該苯并***單體單元也可具有取代基,並且,也可具 有取代基的該苯并三唾單體單元是以式(III)表示: 介 N z (III) ,中γ各自獨立的表示由鹵素原子、—r】、—〇R2、 —8SR、—〇C〇R4、—C00R5 以及-SiR6R7R8(但是, 自獨立的表示碳數為丨〜22個的直鏈、環狀或支鏈之 二者是碳數為2〜2〇個的芳基或雜芳基)所組成的族 =郝出的取代基,各自可為相同或不同的基,並且是 三销構之苯環的可取代位置結合的取代基,p表 I及雜,整數;式中,Z是從可具有取代基的炫基、芳基 及雜方基所構成的族群中所選出來的基, -mi +與各該些單體單元結合·,ί以式⑹表示: ⑴)bs (Π) -Sift式⑻中,D 為—〇~、—S—、—NR—、—CR2—、 SiR」、—SlR2 — 0 —SlR2—以及~SiR2 —〇-SiR2-〇 — 的^此自獨立的表示氫原子、碳數* 1〜22個 %狀或支鍵之院基,或者是碳數2〜2〇個的芳基 73 1 3 5 6 7 p j f 1284671 或雜芳基)所構成的族群中 整數。 選出之2價的基 ’且b是〇〜1的 2·如申請專利範圍第丨項所 大 式(I)的X是#,a各 έ 11之^轉共聚物,其中 基,或者规峨鍵之炫 L如範圍第1項所述之聚細共聚物,” 式(III)的Y是-Ri,p表示0〜2的整數,z曰_^具中 基的苯基(但是,R1各自獨立表示碳數為心;:取代 環狀或支鏈之燒基,或者是碳數為2〜2σ =直鏈、 基)。 9方基或雜芳 4· 一種有機電激發光元件,使用專利範圍第1 3項中任-賴述之聚u純絲物而製造的 ,至第 元件。 %电教發光 1 3 5 6 7 p i f 74
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