TWI267490B - Micro-electro-mechanical systems (MEMS) device and system and method of producing the same - Google Patents

Description

1267490 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 發明背景

[001] 在微機電系統（MEMS)的領域中，該裝置可以使用 5或包含非常地小的機械裝置。舉例來說，在目前的MEMS 技術方面’一薄膜體聲波諧振（FBAR)射頻（RF)濾波 器，係包含有一薄膜和一例如矽基材的支持基材。 L ]| [002] 某些MEMS裝置，舉例來說，適用於從射頻通信規 10格（也就是，***損耗規格）的FBAR濾波器，需要在操 作期間使射頻能的損失最小化。在此種裝置中，射頻能量 可月b會在濾波器的操作期間，因為在FBAR射頻濾波器與 其之矽基材之間的金屬導體之非所欲寄生電容而喪失。此 種導體可以通過該濾波器的該矽基材頂部，並且可藉由一 15裱氧基樹脂或一類似聚合物之薄介電層而與矽基材分離。 通常由相對地高導電性的金屬和矽所導致之非所欲的寄生 電容，時常係會明顯地造成該濾波器之全部能量損失。 【潑^明内容^】 [〇〇3]為了多少減少能量的損失，例如某些射頻滤 20波器之某些MEMS裝置，可以用高電阻性矽而非標準的 矽來生產。然而，高電阻性矽係顯然地比傳統的矽更加昂 貴。 圖式簡要說明 1267490 [004]本發明的標的係在發明說明書的總結部分中被特別 地指出並明確地說明。然而，對於本發明的結構和操作方 法以及其等之功能和優點，都可以在參照下列的詳細描述 並同時對照其之伴隨圖式而得到最佳的理解，其中： 5 [005]第1圖是依據本發明的典型具體例之減少基材 MEMS裝置的概要圖； [006] 第2A圖係為描述產生一依據本發明的典型具體例 之減少基材MEMS裝置的方法之概要流程圖； [007] 第2B圖是第2A圖的方法中之典型步驟的概要例 10示說明，其顯示對於了解該方法來說有用的典型組成步 驟，且 [008] 第3圖係為產生一依據本發明的典型具體例之減少 基材MEMS裝置的系統之概要例示說明。 I：實施方式：j 15 [009]要明白的是為了簡化與明確地例示，在圖式中所顯示 的元件並必然地是依比例繪製。舉例來說，為了明確地說 明某些元件的尺寸係相對於其他機械元件來的大。此外， 在適當的考量下，元件符號可以在該等圖式中被重複地用 來指示對應的或類似的元件。 20 發明詳述 [0010]雖然本發明並不限於此種態樣，在此所使用的 ’’MEMS裝置”這個術語可被理解為其包含有特別是任何 適當的微機電系統裝置，舉例來說，一薄膜體聲波諧振 (FBAR)濾波器、一 FBAR射頻（RF)濾波器、一射頻開 1267490 關、一可變電抗，一可調電容，或何可能與應用本發明的 原理有關的MEMS裝置。雖然本發明的典型具體例可以 包含一低耗損FBAR射頻濾波器，但是其在此僅係以一 用來表現將本發明的原理應用至一 MEMS裝置的實施例 5 來表現；本發明並不僅限於此，並且其之原理可被應用到 其他適當的MEMS裝置。 [0011] 此外，在此所使用的”支持基材，，這個術語可被理 解為其包含有例如矽之特別是任何適當的基材、材料、元 件或層次’其可能用來支持一 MEMS裝置及/或例如一薄 10 膜之MEMS裝置的一部分。 [0012] 可以瞭解的是”頂部”和"底部，，在此僅可被用於 例示說明某些元件的相對位置或設置，及/或指示一第一和 一第二元件。在此所使用的”頂部”和，，底部，，這些術語， 並不必然代表，，頂部”元件係位在”底部，，元件之上方，同 15樣地方向及/或元件可以快速移動、旋轉、在"中移動、 設置成-對角線的方位或位置中、水平地或垂直地設置， 或以類似方式修改。 [0013] 依據本發明的具體例，可以生產一具有減少基材的 裝置（RSMD)。在依據本發明的具體例中使用 2〇麵D的優點可以包含有例如減少或消除支持基材的能量 相失，減少物質的消耗及/或減少例如厚度之該裝置的尺 RSM可以包含一 MEMS裝置；一連 _4]依據本發明的典型的具體例的 包括有具有第一和第二側邊之薄膜的 1267490 與一連接至薄膜的第 接至薄膜的第一側邊的第一封裝墊； '邊的第一封裝部分。依據本發明的具體例，RSMD與 傳統的MEMS裝置比較起來，可以實質上沒有包含支持 5 10 15 基材、*有微量的支持基材、具有相對少$量或百分率的 支持基材、具有_經研磨A/絲刻的支持基材及/或具有減 少厚度的支持基材或不具有支持基材。 [5]第1圖是依據本發明的典型具體例之減少基材 Μ_裝置的概要圖’其可被用來例如作為一舰R射 頻濾波器。在本發明的一具體例中，RSMD 110可以包含 -頂部密封裝部份101和一底部密封裝部们〇2。頂部密 封裝部份1G1可能含_個頂部密封蓋12()及/或頂部密封 環130。底部密封裝部份1〇2可以包含一底部密封蓋⑽ 及/或底σ卩选封環190。在本發明的具體例中，RSMD 11〇 可以進步包含有薄膜160及/或導體170。可選擇地， RSMD110可以包含接觸14〇及/或晶圓通孔15〇。 [0016]習於此藝者將會瞭解，在本發明的具體例中，頂部 密封裝部❾101與底部密封裝部> 1〇2都不會包含一例 如係為矽之用於傳統的MEMS裝置的支持基材，譬如在 一傳統MEMS裝置的生產時所使用之支持基材。 [0017]頂部密封蓋12〇可以由例如一玻璃晶圓的絕緣材 料所形成。雖然本發明並不限於此—態樣，但是在本發明 的一典型具體例中，頂部密封蓋120的厚度可介於在25〇 和670微米之間，例如介於35〇和4〇〇微米之間。 20 1267490 5 10 15 [嶋]頂部密封_ 13〇可以由例如一聚合物或轴料玻璃 :製成:且其可以因應RSMDU〇的形狀極其之特殊效能 而求而製成配合的形狀及/或結構。雖然本發明並不限於此 一但是在本發明的—典型具體例t，頂部的密封環 厚度可介於100 ~ 500微米之間。應該要注意的 是’在本發明的-典型具體例中，—頂部密封m 130係足 以產生-適合於RSMD11G的有效操作㈣腔例如一個 適合於提供膜16G㈣的譬如沿著相對於膜⑽之垂直 軸線的自由移動（變位振幅）之腔穴。或者，超過_個的頂 部密封圈U0可被用來在RSMD n"產生所需要的腔 穴。 _9]接觸14G彳以由例如諸如金或金質合金之高度傳 導性金屬的適當導電性材料所製成。接觸刚可㈣於例 如將RSMD 110與任何的外部裝置及/或電路（未顯示） 連接，及/或將信號傳出及/或傳入RSMD 11〇内。在本發 明的一具體例中，接觸140 170相連接。此外或任擇地 可以包含例如金屬之傳導性 可被設置成使得其等係與導體 ，接觸140可運用一或更多的 晶圓通孔150，而延伸通過頂 部密封蓋120與頂部密封環13〇。 [0020]膜舉例來說可以由任何例如用於fbar裝置 中之紹氮化物的適當的材料，或例愿電材料之任何其他適 當的材料所形成。雖然本發明並不受限於這—方面，但是 在本發明之膜160的-典型具體例中，其可以具有介於2 和3微米之間的厚度。此外，在本發明的具體例中，膜⑽ 1267490 y *構成任何適當的形狀或形式，並且可以依據特定 例及/或設計上的需要而包含有转適當的元件。在 树明的一具體财，膜⑽可以包含有-側邊16〗和 側邊162。在太務日jg从 本發月的一具體例中，膜160的側邊161 可以使用在此技藝中戶斤立 〜 T斤知的任何適當附接及/或黏接技 術’而附接（例如黏接）至頂部密封裝部份101。在本發明 的-具體例中，膜⑽鴨16…使用在此技藝中 所知的任何適當附接及/或黏接技術，而職（例如黏接） 至頂部密封裝部份102。 10

_1]導體17〇可以由例如鋁之任何適當的金屬所形 成。在本發明的一具體例中，導冑17〇可例如使用接觸 及/或其他傳導性機械元件（未顯示），而將以购㈣ 連接到其他的元件及/或一與RSMD 11〇結合之裝置及/或 系統的電路。

[0022]底部密封纟18〇可以由例如一玻璃晶圓之絕緣材 料來形成。雖然本發明並不侷限於此一態樣，但是在本發 明的一典型具體例中，底部密封蓋130的厚度可介於25〇 和670微米之間，譬如介於35〇和4〇〇微米之間。已知 在本發明的一具體例中，底部密封蓋18〇和頂部密封蓋 120兩者都可以由相同的材料所形成，或者每個密封蓋 18〇與120可以由不同的材料所形成。同樣地，在本發明 的具體例中，密封蓋180和12〇可以實質上具有相同的 厚度’或者每個密封蓋180和120可以具有一不同的厚 度0 10 1267490 10 15 、，]底。卩役封缞19〇可以由例如一聚合物或釉料玻璃 材，所製成，且其可以因應RSMD 110的形狀極其之特殊 丈月匕而求而製成配合的形狀及/或結構。雖然本發明並不限 於此態樣，但是在本發明的一典型具體例中，底部的密 Μ 190厚度可介⑨5⑼微米之間。如在上述對 ;密封％ 130的解說，在本發明的—典型具體例中，一底 m係足以產生—適合於RSMD 11Q的有效操 股例如一個適合於提供膜16〇足夠的譬如沿著相 對於膜160之垂直軸線的自由移動（變位振幅）之腔穴。 或者，超過一個的底部密封圈190可被用來在R_11〇 中產生所需要的腔穴。 _4]在本發明的一典型的具體例中頂部封震部份⑻ ^或底部封裝部& 1〇2彳以被設置、安置及/或排列成使 什膜160疋被“央合”在頂部封裝部I 101與底部封裝 P刀102之間’及/或使得膜16〇可在橫向於膜⑽的 平面之方向上自由地共振及/或移動。 [0025]習於此藝者將會瞭解，雖然在上述對於第1圖中的 描述及/或概要說明’可描述一通常為平面之Μ刪裝 置及/或封裝墊及/或通常係為彼此平行設置的元件，本發 明並不限於此等態樣。本發明的具體例可以包含不是平面 的MEMS裝置及/或不是彼此平行或通常不是平行的元件 及/或封裝部件。 [0026]現在參考第2Α和2Β 產例如依據本發明的典型具體 圖。第2Α圖係為一用來生 例之 RSMD 11〇 之 rsmd 20 1267490 的概要流程圖。第2B圖是在第2A圖中之方法的典型步 驟’其顯示對於理解該方法來說有用的典型元件。 [0027] 雖然本發明並不侷限此一方面，”產生”這個術語在 此係參考一物件而特別被用來代表包括有製造或組合該物 5件、提供一預先製造的物件或加工處理一部分成形的物件。 [0028] 如第2A圖的方塊210中所示，該方法可以從產 生 MEMS裝置晶圓201開始。在本發明的一具體例 中，MEMS裝置晶圓201可以包含一具有一或更多的 则⑽裝置或數個MEMS裝置之晶圓。如在第犯圖的 10步驟⑴所示，MEMS裝置晶圓201可以包含_例如為 相對較厚之矽基材的基材299,以及導體17〇、薄膜⑽ 與晶圓通孔。 15 20

[0029]如第2A圖的方塊22〇所示，該方法可以繼續启 生頂部封震部份202,其可以包含一頂部密封蓋晶圓乃 心或頂部密封環13〇。如在第⑸圖的步驟⑺中所示， 上物作所產生之該頂部密封部份2G2的料，可以包含 二封盍晶® 251、頂部密封環13〇與任擇地接觸 [0030]如第2A圖的方塊23〇 MEMS裝置曰圓2〇“ 彳不，該方法可以_ Βθ 』接至頂部封裝部分202。該黎 二任何適當的方式來進行，舉例來說，利用環氧 子月曰黏膠或玻璃料原料來 " (3)中所- $仃黏接。如在第2Β圖的步 所不，上述操作所產生的部件-可以包含頂部 12 1267490 封蓋晶圓251、頂部密封圈130、接觸140、晶圓通孔 150、薄膜160、導體m與基材299。 [0031]依據本發明的具體例，如在第2A圖的方塊240 中所示，該方法可以繼續移除基材299。在本發明的一典 5型具體例中，基材299可加以部分或完全地蝕刻及/或研 磨。雖然本發明並不侷限於此一方面，但是基材299的蝕 刻及/或研磨作用，可以包含有藉著研磨而大略移除基材 299，及/或藉著蝕刻而精細地移除基材。此外或任擇 地，依據本發明的具體例之蝕刻作用可使用例如使用一諸 1〇如六氟化硫（SF6)的適當氣體之電漿增強蝕刻作用的乾 式蝕刻作用。如在第2B圖的步驟（4)所示，上述的基材 移除作用所產生之部件2G4可以包含有薄冑⑽、頂部密 封蓋晶圓251、頂部密封圈13〇、導體17〇、接觸14〇與 晶圓通孔15〇。 15 _2]如第2A圖的方塊25"斤示，該方法可能繼續產 生-底部封裝部份2〇5,其可以包含—底部密封蓋晶圓 M2及/或底部密封圈19〇。相對於頂部密封蓋晶圓251， f本發明的-典型具體射，其可能不需通過底部密封蓋 晶圓252巾***及/或設置接觸，冑然此種設計可任擇地 20依據特定的需求而加以使用。如在第⑶圖的步驟⑸所 不，在本發明的-具體例中，上述操作所產生的部件，第 二封裝部份2〇5,可以包含底部密封蓋晶圓252與底部密 封環190。 13 1267490 如第2A圖的方塊260所示’底部封裝部份205 可被黏接至頂部封裝部份2〇2。該黏接作用可以用 5 10 15

=來進行，舉例來說，使用環氧基樹脂、 =科的黏接作用。該黏接作用可以包含例如將頂部密封 2〇2和底部封裝部份2〇5對齊以使得薄臈⑽ '夾合"至其等之間。在本發明的-具體例中，薄膜 ⑽可以在橫向於該賴⑽的平面之方向中移動及/或 共振。如在f 2B圖的步驟⑹中所示，上述的操作所產 生的部件2〇6中可以包含頂部密封蓋晶圓251、頂部密封 圈130、接觸14〇、晶圓通孔15〇、薄膜⑽、導體wo、 底部密封圈190與底部密封蓋晶圓252。

[㈣在第2A时的方塊謂所示，該經黏接的晶圓 :使用例如在此技藝中所熟知的適當切割方法而切成數個 分離的晶粒。在本發明的_典型具體例中，該切割作用可 、使知π亥‘加工的晶圓分離為例如rSMds 207和208 的二或更多個RSMDs’如帛2圖步驟⑺所示。舉例來 •兒，所產生的RSMD 208可以包含頂部密封蓋12〇、頂部 猶封環130、接觸140、晶圓通孔15〇、薄膜16〇、導體 170、底部密封環19〇與底部密封蓋18〇。 2〇 [0035]在本發明的典型具體例中，第2A圖的方法可以不 同的操作順序來進行，舉例來說，頂部密封裝部份2〇2可 以在底部封裝部份205產生及/或黏接之後產生及/或黏 接，或反之亦然。習於此藝者將可以瞭解其他的加工方法 也可被用來產生依據本發明的具體例之更多的RSMDs。 14 1267490 [0036] 現在參照第3圖，，其係為系統3〇5的概略說明， 以產生例如依據本發明的典型的具體例之RSMD 110的 一或更多的RSMDs。系統305可以包含例如一移除單元 340、黏接單元33〇和36〇與鋸切單元37〇。此外，該系 5 統3可以選擇性地包含一遽波器產生單元（Fp_單元） 31〇、一頂部密封蓋產生單元（TCP-單元）32〇，及/或一底 部密封蓋產生單元（BCP-單元）350。雖然本發明並不限於 此一態樣，但是系統305可能被用於例如進行上述參照第 2A圖所詳細描述的生產程序，或者是任何其他依據本發明 10的具體例之適當的生產程序。 [0037] 移除單元340可以包含一用來藉著如上述參照第 2A圖中的方塊240所詳細描述的例如藉著研磨及/或餘 刻基材而將基材從一個MEMS裝置移除之單元。鋸切單 元370可以包含例如一如上述參照第2a圖中的方塊 15 27〇所詳細描述的將經黏接的晶圓鋸切成個別的晶粒及/ 或濾波器的單元。 [0038] 黏接單元330可以包含參照如上述第2A圖中的 方塊230中所述之例如一將一 MEMS裝置晶圓與頂部封 裝部份202黏接之單元。黏接單元360可以包含參照如 20上述第2A圖中的方塊26〇中所述之例如一將一頂部封 裝部份202與底部封裝部份2〇5黏接之單元。 [0039] 舉例來說，FP_單元31〇可以包含一如上述參照第 2A圖中的方塊210所詳細描述之產生一 MEMS裝置晶 圓201的單元。舉例來說，Tcp_單元32〇可以包含一如 15 1267490 上述參照第2A圖中的方塊220所詳細描述之產生一頂 部密封蓋晶圓251的單元。舉例來說，BCP_單元350可 以包含一如上述參照第2A圖中的方塊250所詳細描述 之底部密封蓋晶圓251的單元。 5 [0040]須瞭解的是本發明之具體例可以包含有可以彼此分 開或結合的單元及/或子單元，並且其可以使用此技藝所知 之特定的、多功能或一般裝置來實施。 [0041]雖然本發明的某些功能已經被在此例示說明並描 述’仍可能進行許多習於此藝者所知的修改、替換、變化， 10與其等之等效物。因此，可以了解的是隨附的申請專利範 圍係要涵蓋屬於本發明的實際精神中之所有的此等修改和 變化。 【囷式簡單說明】 第1圖是依據本發明的典型具體例之減少基材 15 MEMS裝置的概要圖； 第2A圖係為描述產生一依據本發明的典型具體例 之減少基材MEMS裝置的方法之概要流程圖； 第2B圖是第2A圖的方法中之典型步驟的概要例 示說明，其顯示對於了解該方法來說有用的典型組成步 20 驟；且 第3圖係為產生一依據本發明的典型具體例之減少 基材MEMS裝置的系統之概要例示說明。 16 1267490 【圖式之主要元件代表符號表】 101頂部密封裝部份 102底部密封裝部份 110 RSMD 120 頂部密封蓋 130頂部密封環 140接觸 150 晶圓通孔 160薄膜 161與162側邊 170 導體 180底部密封蓋 190底部密封環 201 MEMS裝置晶圓 202頂部封裝部份 203 部件 205第二封裝部份 207 和 208 RSMDs 210產生一 MEMS裝置晶圓 220產生頂部封裝部 230將MEMS裝置晶圓黏接 至頂部封裝部分 240移除基材 250產生一底部封裝部份 251頂部密封蓋晶圓 252底部密封蓋晶圓 260將底部封裝部份黏接至頂 部封裝部份 270將經黏接的晶圓切割成數 個分離的晶粒 299基材 305系統 340移除單元 330和360黏接單元 370鋸切單元 310 濾波器產生單元（FP-單 元） 320 頂部密封蓋產生單元 (TCP-單元） 350 底部密封蓋產生單元 (BCP·單元） 17

Claims (1)

1267490 b f 拾、申請專利範圍： 第093 108756號專利申請案申請專利範圍修正本 修正日期·· 95年6月 一種微機電系統（MEMS)裝置，其包含有： 一薄膜，其具有第一和第二側邊； 一第一封裝部分，其係附接至該薄膜的第—側邊； 與 ， 一第二封裝部分，其係附接至該薄膜的第二側邊， 10 2. 其中該等第一和第二封裝部分兩者都不包含一實 質上的支持基材。 只 如申請專利範圍第1項的裝置，其中該第一封裝部分 包含一蓋和一密封環。 如申請專利範圍第1項的裝置，其中該第二封裝部分 包含一蓋和一密封環。 如申請專利範圍第丨項的裝置，其進一步包含一與該 薄膜相連接之導體。 如申請專利範圍第i項的裝置，其包含有一薄膜體聲 波"白振濾波器（Film Bulk Acoustic Resonator filter)。 如申請專利範圍第5項的裝置，其中該薄膜體聲波諧 振據波器包含有一薄膜體聲波諧振射頻濾波器。 如申請專利範圍第1項的裝置，其中該等第一和第二 封裝部分兩者都不包含一實質上的矽支持基材。 如申請專利範圍第1項的裝置，其中該薄膜包含有壓 電材料。 18 1267490 .如申請專利範圍第1項的裝置，其中該薄膜包含有鋁 氮化物。 1項的裝置，其中該第一封裝部分 1項的裝置’其中該第一封裝部分 10.如申請專利範圍第 包含有絕緣材料。 11 ·如申請專利範圍第 包含有玻璃。 2·如申請專利範圍第1項的裝置，其中該第二封裝部分 包含有絕緣材料。 10 15 20 13.如申請專利範圍第1項的裝置，其中該第二封裝部分 包含有玻璃。 14· 一種微機電系統（MEMS)裝置，其包含有： 一薄膜，其具有第一和第二側邊； 一第一封裝部分，其係直接地附接至該膜的第一側 邊；與 一第二封裝部分，其係直接地附接至該膜的第二側 邊。 15. 如申請專利範圍第14項的裝置，其中該薄膜包含有 壓電材料。 16. 如申請專利範圍第14項的裝置，其中該薄膜包含有 銘氮化物。 17. 如申請專利範圍第14項的裝置，其中該第一封裂部 分包含有絕緣材料。 18·如申請專利範圍第14項的裝置，其中該第一封裝部 分包含有玻璃。 19 1267490 19’如申请專利範圍第14項的裝置，其中該第二封裝部 分包含有絕緣材料。 20.如申請專利範圍第14項的裝置，其中該第二封裝部 分包含有玻璃。 21·如申請專利範圍第14項的裝置，其包含有—薄膜體 聲波谐振遽波器。 22_ —種用以製造一微機電系統（MEMS)裝置的方法，該方 法包含將一微機電系統裝置的第一封裝部分附接至一 薄膜的一第一側邊之步驟，該薄膜具有一附接至其之 相對於第一側邊的一第二側邊之一支持基材。 认如申請專利範圍第22項的方法，其進一步包含移除 至少部分的該支持基材之步驟。 24·Μ請專利範圍第23項的方法，其進-步包含將該 I置的-第二封裝部分附接至該薄膜的第二侧邊之步 20 25. 26. 如申請專利範圍第 分的該支持基材之 材的步驟。 23項的方法，其中該移除至少部 步驟包含有實質上移除整個支持基 如申請專利範圍第 分的該支持基材之 基材。 23項的方法，其中該移除至少部 ^驟包含有蝕刻至少部分的該支持 27. 其中該移除至少部 至少部分的該支持 如申請專利範圍第23項的方 含有研磨 基材。 20 1267490 28.如申請專利範圍第23項的方法，其中該支持基材包 含有石夕。 29·如申請專利範圍第22項的方法，其中該第一封裝部 分包含有一蓋和一密封環。 5 3〇·如申請專利範圍第24項的方法，其中該第二封裝部 分包含有一蓋和一密封環。 31· —種用以製造一微機電系統（MEMS)裝置的方法，該方 法包含將一第一封裝部分附接至一晶圓，該晶圓容納 有具有一或更多的微機電系統裝置的薄膜。 10 32.如申請專利範圍第31項的方法，其進一步包含將至 少部分的一支持基材自該晶圓移除的步驟。 33.如申請專利範圍第32項的方法，其進一步包含將一 第二封裝部分附接至該晶圓相對於該第一封裝部分 處。 15 20 34.如申請專利範圍第33項的方法，其進一步包含將 晶圓鑛切成—或更多個分離的微機電系統裝置的 驟。 35. 如申請專利範圍第32 g 2項的方法，其中該移除至少部 分的該支持基材的步驟6# 驟I 3貝貝上移除整個該支持基 中該移除至少部 少部分的該支持 如申請專利範圍第32項的方法，其 分的該支持基材之步驟包含有_至 基材。 21 36. 1267490 37·如中請專利範圍第32項的方法，其中該移除至少部 刀的支持基材之步驟包含有研磨至少部分的該支持基 材。 3 8.如申请專利範園黛q 9 = 寸』乾W弟32項的方法，其中該支持基材包 5 含有矽。 39· -種用W製造一微機電系統（Mems)裝置的系統，該製 造系統包含—移除單元，該移除單元係可以將至少部 分的-支持基材自一晶圓移除，該晶圓容納有具有一 或更多的微機電系統裝置的薄膜。 10 40·如申請專利範圍帛39工員的系統，其進一步包含一黏 接單兀，该黏接單元係能夠將該一或更多的微機電系 統裝置的一封裝部分黏接至該薄膜。 41. 如申請專利範圍帛40工員的系統，其中該—或更多的 微機電系統裝置包含有一容納有複數個微機電系統裝 15 置之晶圓，且該製造系統進一步包含有能夠鋸切該晶 圓的一鋸切單元。 42. 如申請專利範圍第40項的系統，其進一步包含一蓋 產生單元，該產生單元可以產生該封裝部分。 43·如申請專利範圍第39項的系統，其中該支持基材包 20 含有秒。 44·如申請專利範圍第39項的系統，其中該移除單元包 含有一研磨單元，該研磨單元可以研磨至少部分的該 支持基材。 22 1267490 45.如申請專利範圍第39項的系統，其中該移除單元包 含有一蝕刻單元，該蝕刻單元可以蝕刻至少部分的該 支持基材。 23