TWI259301B - Magnetic garnet material and magnetooptical device using the same - Google Patents

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TWI259301B
TWI259301B TW089127542A TW89127542A TWI259301B TW I259301 B TWI259301 B TW I259301B TW 089127542 A TW089127542 A TW 089127542A TW 89127542 A TW89127542 A TW 89127542A TW I259301 B TWI259301 B TW I259301B
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Atsushi Ohido
Kazuhito Yamasawa
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1259301 五、發明説明（1 ) 本發明之技術領範圍 本發明係關於-種將磁性石榴石材料中之Bi (鉍） 土換成稀土族鐵的石榴石單結晶材料。又，本發明亦關於 種磁丨生石榴石材料而具有磁性光學效果之磁性光學 %件’特⑼是關於—種法拉第旋轉器。 習知技藝 經濟部智慧財產局員工消費合作社印
” 的光電通k是由使用波長13 lOnm或1550nm等的 單波長光之通化系統所構成。因為在習知的光電通信系統 中所用的光啟動部件中之光單向器，是使用上述之單波長 的光’所以構成光單向器之磁性光學元件中的法拉第旋轉 為’也被開發成可在波長為1310nm或1550nm等之單波長下 獲知優良特性者。例如，特公平3 —69847號公報揭示了一 種含有Tb之Bi置換稀土族鐵石榴石單結晶，若以此種磁性 石榴石材料製作法拉第旋轉器，即可在溫度特性方面獲得 改善之效果。因此，使用以Tb為主要構成元素之法拉第旋 轉器的光單向器遂被廣泛應用在光電通信系統中。 本發明所欲解決的課題 近年，由於網路等的普及，通信迴路中通信量的增加 可謂是突飛猛進。一種提出以供今後大容量光電通信使用 之裝置，即所謂多重光波長通信系統（以下稱為WDM通信 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2I0X297公釐） 1259301 A7 B7 五
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明說明（2) 系統）’是以一條光纖維同時傳送波長相異的複數個光信 號。用於WDM通信系統中的光放大器可以铒摻雜纖維作 為放大媒介而直接將光信號放大。WDM通信系統，舉例 言之係於L頻帶（波長1570nm〜162〇nm)之波長帶域内傳 送波長相異的複數個光信號。 因此，對光單向器、光活化劑與光複合模組等之光啟 動件而β此使用比習知波長1550nm高之波長帶域而具 有優良磁性光學特性者亦為所求。可是用含有刊㈣置換 稀土族鐵石榴石單結晶所製作之法拉第旋轉器，在比 155〇nm長之波長帶域時，***損失將變大。從而，由含有 Tb之法拉第__構叙啟動部件義人損失，在比 1550nm長之波長帶域之光下乃會變大。 —之乂几為主要組成份之法拉第旋轉器，要滿足界 DM通信系統中所利用之[頻帶的波長帶域内所要求之插 入損失特性，即在().ldB以下，是很困難的。 因此要在光電通信系統内確保一定的光量，即必 須加大光源之輸出，結果乃造成光電通信系統成本增大的 問題。 又，由於光的波長一旦變長，則法拉第旋轉係數（度 "m)就會降低’所以要得到以别置換稀土族鐵石權石 單結晶材料所製作的法拉第旋轉器所要求之45度法拉第旋 轉角’則其膜厚便須加厚。因此，在WDM通信系統之㈣ 表紙張尺度帽.鮮 I ------I I I----I-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1259301 A7 B7 五、發明說明（3) 帶等比習用波長長之波長帶域中使用之光單向器的法拉第 旋轉器，其必要之膜厚將比使用於1550nm單波長下的旋轉 器厚，所以就會以下種種發生以下種種問題，即在單結曰 膜生成時與對法拉第旋轉器進行研磨加工等時，裂縫將頻 仍發生，而構成成品率降低的原因。 ★本發明的目的在提供-種於單結#生成及研磨加 工等時不易產生裂縫之磁性石榴石材料。 又，本發明之磁性光學元件係於波長為λ (157此历： λ $ 1620nm)之光射入時可形成44度$ 0 $46度之法拉第 旋轉角θ，且於加工時不易產生裂缝，而抑制二 的情形。 为 解決課題的方法 上述目的以具有可以一般式表示 之磁性石榴石材料來達成。而，本發明之磁性石榴石則為可 以以下通式表示者，即BUMUewMZbO〗2,該式中的撾丨是選 自於Y，La，Eu，Gd，Ho, Yb，Lu，Pb中之至少一種元素， M2疋選自於Ga，人1’丁1，〇6,31，？绅之至少一種元素，旺 符合l.O^aS 1_5，b符合〇sb$〇.5。 上述本發明之磁性石榴石材料是以液相磊晶生長法生成 為其特徵。
1259301 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（4) 又，上述目的是藉由以預定波長又（介於 1620nm)之光射入時，可形成44度$ Θ $46度之法拉第旋轉 角Θ，及以上述本發明磁性石榴石材料所形成之磁性光學元件 來達成。 藉由上述本發明的磁性光學元件，前述波長為又的光於射 入之際所造成的***損失在O.ldB以下。 1 發明的實施形態 本發明之發明者係依以下條件檢討石榴石組成。 (1) 一般來說在比1550nm長之波長的L頻帶（ 1570〜 1620nm)之帶域内，法拉第旋轉器可以滿足***損失小於 O.ldB之要求。且， (2) 在磊晶膜生成中及法拉第旋轉器受到加工之際等 > 時，可得到裂縫少的單結晶。 結果發現，用由Y、La、Eu、Gd、Ho、Yb、Lu所組成之 稀土族元素與Bi量之比例在1·〇〜1·5之範囲内，可收到相當大 的效果。
Tb對於法拉第旋轉器之溫度係數（度/°C)的改善具 有很大的效果，又對於波長1550nm附近波長係數（度/nm) 之改善也具有效果，且是改善光單向器之諸特性的有用元素。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 7 --------------^ ml--—訂----I--1·線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1259301 A7 B7 五、發明說明（5 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因此，被利用為法拉第旋轉器的主要元素。但是，Tb在比 1550nm長之1800nm波長附近具有一個光的吸收峰，因此，用 Tb為主元素的法拉第旋轉器從靠近1550nm邊際之波長開始， 隨著光吸收的增加，***損失也為之增加，因此對於1570nm 以上波長的光，法拉第旋轉器無法滿足所要求之***損失在 O.ldB以下的特性。 因此，人們乃針對是否有一種組成可在此一光波長帶域内 吸收小，且作為法拉第旋轉器之主要元素時，其***損失亦可 在O.ldB以下者加以檢討。結果終於了解，Y、La、Eu、Gd、 Ho、Yb、Lu是在1550nm附近波長帶域内的光吸收較小之元 素，若使用這些元素，則1570〜1620nm波長帶域内之入損失 就會小於O.ldB以下。與Tb比較，這些元素在L頻帶的光吸收明 顯變小，因此可使***損失小於O.ldB以下。 又，添加Ga、Al、、Ge、Si等元素也可在L頻帶（1570〜 1620nm)得到***損失小於O.ldB以下之特性。這些元素以Fe 置換，會使法拉第旋轉係數（度///m)降低，以致旋轉器產 生飽和磁界變小的效果，藉此可使外部磁石變小的光單向器小 型化。但是，一旦F e的置換量增加，則法拉第旋轉係數（度/ #m)會因而減少，以致在法拉第旋轉角為45度處必須使膜厚 變厚而成為裂縫產生之原因，因此這些元素的置換量以小於 0.5以下為適當。 請 先 閱 讀， 背 之、 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 # I訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） .8 . 經濟部智慧財產.局員工消費合作社印製 1259301 A7 —--------- B7 _ 五、發明說明（6) " 、 Βι置換稀土族鐵石榴石單結晶材料中，光的波長變長，則 法拉第旋轉係數（度/#m)隨之變小，使用L·頻帶（ 1570〜 1620nm)的光之法拉第旋轉器，由於使用波長155此爪的光， ^ 而使所得之法拉第旋轉角45度處的膜厚變大。如以液相磊晶 ^ (LPE)法生成則置換稀土族鐵石榴石單結晶時，一般是使用
Gd與Ga為基本組成之單結晶晶圓為基板。 ^ 例如，以LPE法形成磁性石榴石單結晶膜時，可使用添加
Ca、Zr、MG之釓鉀石榴石（以下簡稱GGG)單結晶基板。可 是此添加Ca、Zr、MG之GGG基板以及磁性石榴石單結晶膜具 有相異的組成，因此基板與磊晶膜的熱膨張係數也是相異的。 磊晶膜的熱膨漲係數要比基板的熱膨張係數來得大。因此，在 磊晶膜生成及冷卻等時，成為裂縫發生的一項原因。特別是一 旦磊晶膜的膜厚變厚，則發生裂縫之機會就會大幅增加。由於 使用比1550mn長之波長的法拉第旋轉器，就必須使用較厚的 膜厚，因此裂縫發生的頻率也隨之增大，致使高成品率的製 胃造變得困難。 因此，乃有必要提高法拉第旋轉係數（度/^m)以使旋 轉器的膜厚變薄。要使法拉第旋轉係數變大，可經由增大蠢晶 膜組成之①量來達成。-旦蟲晶膜之⑴量發生變化，則膜的熱 膨張係數也將發生變化，因而發生裂縫之膜厚也隨之發生變 化。因此，人們乃針對是否有-触置換稀土族鐵石福石單結 晶的組成，可使法拉第旋轉H在成膜及研磨加王中進行蠢晶膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） . ^--------^---------^ f請先閱讀背面之注急事項再填寫本頁) 9 1259301 五、發明說明（7) 之育生成、冷卻及研磨加卫以為必要之增厚時，可在各步驟中 不發生裂縫。 在石榴石的組成式中Bi所占之量在1〇以下時，為製作在L 頻帶（ 1570〜1620nm)下使用之法拉第旋轉器，而欲製取必 要之膜厚時，則會在膜之育成及研磨加工中發生裂縫，而產生 成品率降低之情形。 又，LPE法是以過飽和狀態之液相在基板上析出如磊晶 生長之固相’所以也經常含有在磊晶膜以外析出固相之可能 性。此類的固相析出時，將於磊晶膜表面發生缺陷，或生長速 度明顯減少而引發問題。 再 頁 如果要育成石榴石之組成式中所佔Bi量是在1.5以上之磊 晶膜’則其原材料融液之過飽和狀態將不安定，而在磊晶生長 處以外的融液中發生鐵石榴石的析出。此結果，將使法拉第旋 轉器之製作無法得到必要之膜厚，以致於生成中發生裂縫及結 晶缺陷。 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由以上結果可知，將石榴石組成式中Bi所占之量限制在 1·0〜1·5間，即可製作用於L頻帶波長之法拉第旋轉器，而減 少在各步驟中所發生之裂縫。 又’舉例來說，例如以磁性光學元件為光單向器，為了除 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21G χ 297公髮） -10- 1259301 A7 B7 五、發明說明（8
去返回的光，法拉第旋轉器之旋轉角必須是45度，一旦法拉第 旋轉角偏離45度，分離特性就會降低。要確保充份的分離就必 須使法拉第旋轉角所成之範圍在44〜46度之間。從而構成使用 L頻帶之光單向器，在該帶域内之法拉第旋轉角必須是44〜46 度。 實施例 如以上之說明，使用稀土元素為Y、La、Eu、Gd、Ho、 Yb、Lu而Bi量在1.0〜1.5之間的Bi置換稀土族鐵石榴石單結晶 材料以製作磁性光學元件，不但可減少單結晶膜在生成及研磨 加工等時所產生之裂縫，同時並可得到在1570〜1620nm之波 長帶域内***損失在O.ldB以下的特性。 -------------裝--------訂· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
以下，以實施例1乃至4,配合比較例1乃至3，並一面參照 表1，一面說明本發明之磁性石榴石材料及使用該磁性石榴石 材料之磁性光學元件的具體實施例。 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實施例1 秤量3.315克的0(1203、8.839克的丫1)203、43.214克的 B2〇3、173.74克的 Fe203、1189.6克的 PbO、826.4克的 Bi203、 5·121克的Ge02，將之充填於Pt坩堝中，以約1000°C融解並 行攪拌至均質化後，以120°C/H之速率降溫為815°C之過飽和 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -11- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1259301 A7 --------- B7 五、發明說明（9) 狀悲下使溫度保持安定。接著以lOOr.p.m旋轉2吋之CaMGZr置 換GGG單結晶基板4〇小時，使其推磊生長磁性石榴石單結晶 膜’而得獏厚5〇5/zm之單結晶膜。該磁性石榴石單結晶膜之 表面是呈鏡面狀態且沒有裂縫產生。 以螢光X線法分析所得之單結晶的組成，結果如表1所示 tBll.2()Gd().78Yb〇.98Pb〇.〇4Fe4.96Ge〇.〇2Pt〇.〇2〇i2。又，將此磁性 石權石單結晶膜加以研磨，加工成於波長1600nm之光下法拉 第旋轉角為45度者，並將不反射膜貼附於兩面後，切成3mm 角’製作使用波長16〇〇nm之光的法拉第旋轉器。研磨加工 及切斷之步驟中單結晶膜也沒有產生裂縫。然後評估該法 拉第％轉器之法拉第旋轉係數、***損失及溫度特性，得 到膜厚為400 之法拉第旋轉係數為0.1125度//zm，插 入損失為最大〇.l〇dB、最小〇.〇6dB，溫度特性為0.066度/ °C之値。 實施例2 祥量 6.U9 克的 Ειΐ2〇3、8·245 克的 Lu2〇3、43.214 克的 β2〇3、0·614克的 La2〇3、156 4〇克的 Fe2〇3、i i 89 6克的 、 826.4克的312〇3、3.530克的11〇2，將之充填？1坩堝中，以 約1000七融解並行攪拌，至均質化後，以12〇〇C/H之速率 降/JHL，在820°C的過飽和狀態下使溫度保持安定。接著以 1(Κ)Γ·Ρ·ηι旋轉2对之CaMGZr置換GGG單結晶基板判小時， •-------------------訂---— — — — — — . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
1259301 A7 B7 五、發明說明（10)
使其推磊晶生長磁性石榴石單結晶膜，而得膜厚545 #mt 單結晶膜。該磁性石榴石單結晶膜之表面是呈鏡面狀態且 沒有裂縫產生。 以螢光X線法分析所得之單結晶的組成，結果如表1所示 之Bii.〇〇Eui 〇8Lu〇.83La〇.〇5Pb〇.〇4Fe4.96Ti〇.〇2Pt〇.〇2〇12。又，將該 磁性石權石單結晶膜研磨，加工成用於波長162〇nm的光之法 拉第旋轉角，進而將不反射膜貼附於兩面後，切成3mm角，製 作使用波長1620nm之光的法拉第旋轉器。研磨加工及切斷之 步驟中卓結晶膜並沒有產生裂縫。然後評估法拉第旋拉轉器之 旋轉係數、***損失及溫度特性，得到膜厚為455//m之法拉 第旋轉係數為0.0989度/ /z m，***損失為最大〇.1〇犯、最小 0.07dB，溫度特性為〇·〇62度/。(：之値。 實施例3 -------------裝--------訂· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 秤量 3.560 克的 Ho203、4·241 克的 γ2〇3、3416 克的 Lu203、43.214 克的 B2〇3、190.70 克的 Fe203、1189·6 克的 卩1)0、826.4克的則2〇3、5.598克的8丨〇2，將之充填於卩册竭 中，以約1000°C融解並行授拌，至均質化後，以i2〇°C / Η 之速率降溫’在850°C的過飽和狀態下使溫度保持安定。接 著以100r·ρ.m旋轉2吋之CaMGZr置換GGG單結晶基板35小 時’使其推蠢生長磁性石權石單結晶膜，而得膜厚430 β m 之單結晶膜。該磁性石榴石單結晶膜之表面是呈鏡面狀態 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 線 -13- 1259301 -- -B7____ 五、發明說明（11) 且沒有裂縫產生。 以螢光X線法分析所得之單結晶的組成，結果如表1 所示之BiMoHoowYo.siLuojoPbo.iMFeoGSio.c^Pto.MOu。又， 將此磁性石榴石單結晶膜加以研磨，加工成於波長1570nm之 光下法拉第旋轉角為45度者，並將不反射膜貼附於兩面後， 切成3mm角，製作使用波長1570nm之光的法拉第旋轉器。 研磨加工及切斷之步驟中單結晶膜並沒有產生裂縫。然後 評估該法拉第旋轉器之法拉第旋轉係數、***損失及溫度 特性得到膜厚為300 // m之法拉第旋轉係數為〇.1364度/ // m，***損失為最大0.09dB、最小〇.〇5dB，溫度特性為 0.070度/°C之値。 實施例4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 秤量 5.178 克的 Ho203、5.300 克的 Y2〇3、43.214 克的 Β203、177.35 克的 Fe203、9.401 克的 Ga203、3.409 克的 Al2〇3、1189.6克的PbO、826.4克的Bi203、5.850克的Ge02， 將之充填於Pt坩堝中，以約l〇〇〇°C融解並行授拌，至均質 化後，以I20°c/H之速率降溫，在801°C的過飽和狀態下 使溫度保持安定。接著以lOOrpm旋轉2忖之CaMGZr置換 GGG單結晶基板40小時，使其推磊生長磁性石榴石單結晶 膜，得膜厚465# m之單結晶膜。該磁性石榴石單結晶膜之 表面是呈鏡面狀態且沒有裂縫產生。 以螢光X線法分析所得之單結晶的組成，結果如表1 本紙張尺度顧+ @國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 14- 1259301 A7 B7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（I2) 所示之BiuoHoowYo 7lPb〇 〇4Fe4 46Ga〇 3〇A1〇 2〇Ge〇 〇2pt㈣2〇n 。又，將該磁性石榴石單結晶膜研磨，加工成用 於波長1570nm的光之法拉第旋轉角，進而將不反射膜貼阳 於兩面後，切成3mm角，製作使用波長157〇11111之光的法拍 第旋轉器。研磨加工及切斷之步驟中單結晶膜也沒有產生 裂縫。然後評估該法拉第旋轉器之法拉第旋轉係數、插λ 損失及溫度特性，得到膜厚為36〇//m之法拉第旋轉係數為 0.1268度/ β m ’***損失為最大〇 1〇dB、最小〇 〇8dB，温 度特性為0.082度/°c之値。 比較例1 秤量 4.446 克的 Tb2〇3、7·645 克的 Yb2〇3、43·214 克的 Β2〇3、173.74克的 Fe2〇3、1 i 89·6克的 Pb〇、826 4克的 Bi2〇3、 3.912克的Τι〇2,將之充填於pt坩堝中，以約1〇〇〇〇c融解並 行攪拌，至均質化後，以12(rC//H之速率降溫，在823它 的過飽和狀態下使溫度保持安定。接著以1〇〇r p m旋轉2吋 之CaMGZr置換GGG單結晶基板43小時，使其推磊生長磁 性石榴石單結晶膜，得膜厚52〇//m之單結晶膜。該磁性石 榴石單結晶膜之表面是呈鏡面狀態且沒有裂縫產生。 以螢光X線法分析所得之單結晶的組成，結果如表j 所示之 。又，將該磁性石榴石單結晶膜研磨，加工成用於波長 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（2^^1公髮 裝--- {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 15- 五、發明說明（13) 1620nm的光之法拉第旋轉角，進而將不反射膜貼附於兩面 後，切成3mm角，製作使用波長i62〇nm的光之法拉第旋轉 角。研磨加工及切斷之步驟中單結晶膜也沒有產生裂縫。 然後評估該法拉第旋轉器之法拉第旋轉係數、***損失及 溫度特性，得到膜厚為415/zm之法拉第旋轉係數為〇1〇82 度///m，***損失為最大〇.29dB、最小〇.25dB，溫度特 性為0.055度/°C之値。 比較例2 秤量 5.330克的 Eu2〇3、8.072克的 Lii2〇3、43.214克的 B2〇3 146.18 克的，Fe203、1189.6 克的 PbO、826.4 克的
Bi2〇3、4.294克的Ti〇2，將之充填於Pt掛堝中，以約1〇〇〇 C融解並行攪拌，至均質化後，以12〇π/Η之速率降溫， 835°C的過飽和狀態下使溫度保持安定。接著以1〇〇rp m旋 轉2吋之CaMGZr置換GGG單結晶基板48小時，使其推磊生 長磁性石榴石單結晶膜，得膜厚59〇//m之單結晶膜。但 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 是，該磁性石榴石單結晶膜之表面之外周發生多數的同心 圓狀裂縫。 以螢光X線法分析所得之單結晶的組成，結果如表i 所不之mowEuKnLuo.MPbowFqwTiowPto.MOu。又，將磁 性石榴石單結晶膜加工成用於波長162〇nm的光之法拉第 旋轉角，進而將不反射膜貼附於兩面後，切成3mm角，製 作使用波長1620nm的光之法拉第旋轉角。研磨加工及切斷 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(_21〇 X 297公釐）------ 16- 1259301
五、發明說明（14) 之步驟中亦有裂縫產生，所得到之3mm角法拉第旋轉器的 數量是未發生裂縫時所得數量的1/2程度。然後評估該法 拉第旋轉器之法拉第旋轉係數、***損失及溫度特性，得 到膜厚為490/zm之法拉第旋轉係數為〇 〇918度/#瓜，插 入損失為最大O.lOdB、最小〇·〇8(1Β，溫度特性為〇〇65度/ °C之値。
比較例3
經 濟 部 智 慧· 財 產 局 員 工 消 t 合 作 社 印 製 秤量 10.915 克的 Η〇2〇、7·664 克的 Lu2〇3、43 214 克的 B203、184·74克的 Fe2〇3、8·879克的 Al2〇3、i i89 6克的 pb〇、 826·4克的BiW3、4.294克的Ti〇2，將之充填於^坩堝中， 以約iooo°c融解並行攪拌，至均質化後，以12〇r/H之速 率降溫，786°C的過飽和狀態下使溫度保持安定。接著以 lOOr.p.m旋轉2对之CaMGZr置換GGG單結晶基板35小時， 以使磁性石權石早結晶膜蠢晶生長。但是，遙晶生長以外 處的融液中發生石榴石相的析出，只能得到膜厚28〇 A 單結晶膜。該磁性石榴石單結晶膜之表面雖無裂縫，但由 於融液中石權石之析出，而有許多缺陷。 以螢光X線法分析所得之早結晶的組成，结果如表1 所示之別1.6。11〇〇.7〇1^11().66?1)〇.〇41^4.46八1。5()丁1()。2?1()。2〇12。該單 結晶膜之膜厚不足’以致無法加工成用於L頻帶（波長 1570nm〜1620nm)之法拉第旋轉器。 I · ^ ·1111111 ^---II---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 17. A7
l2593〇l N發明說明（I5) 發明效果 綜上所述，由本發明可得到於單結晶膜生成及研磨加工 等時不易產生裂縫之磁性石權石材料，同時可得到在157〇， 〜1620nm之波長帶域内中使用且具有***損失在O.ldB以 下之特性的法拉第旋轉器。 轉 *------------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 組成 鼸 硏磨加工時 的裂縫 ***損失（dB) (波長> 實施例1 Bi κ2〇〇‘·7βΥΙ)|)·9βΡ1)。(j4Fe4.eeGe〇.MPt〇.〇，0 u 無 無 fl.06〜0.10 (1600η·) 實施例2 »·*·*%"* V Bii.〇〇Eul.〇iLu0.gaLa〇.〇RPb〇t〇4Fe4.9eTi〇.〇jPt〇；0j01j 無 無 0·07〜0.10 (1620πβ) 實施例3 ®il.4〇H〇0.4BY〇.SlLu〇ie〇Pb〇.〇4Fe4i9eSi〇.〇jPt〇.0jO|j 無 無 0.05〜0.09 ( 1570m) 實施例4 Bil.f.0Ho0.7RY〇.7!Pb〇.〇4Fe,.,eGa0.30Al0.10Ge〇.〇1Pt〇.〇J0lf. 無 無 0.08〜0·10 (1570η·) 比較例1 ®Ϊγ-20^| 〇aYb〇 73Pb0 〇4F64 90^0.03^^0.02^IJ 無 無 0·25〜0.29 ( 1620m) 比較例2 8^〇.9〇Eu1 2jLu0 l4Pb〇 04F e4.9eTi0 〇]Pt0<〇]012 有 有 0.08〜0·10 ( 1620m) 比較例3 .e〇Ho〇 7〇Lu0 eePb0 04Fε4 46Al〇 50Ti0 03Pt〇 〇2〇 12 無 不能硏磨 一 表1 Bi置換稀土類鐵石栖石單結晶膜的組成及評價結果總表 -18· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

  1. m
    安·
    丁 F 本
    更
    1259301
    六、申請專利範圍 第89127542號專利再審查案申請專利範圍修正本 修正曰期·· 93年2月 L 一種磁性石權石材料’其係可以以下通式表示，即： BiaM 13.aFe5，bM2|5〇12 l 其中’Ml包含Pb與選自於由Y、La Eu Gd、 Ho、Yb及Lu中之至少一種元素；M2包含Pt與選自於由Ga、A卜Ti、G^Si中之 至少一種元素；且 a 符合 l.O^ag u， b 符合 〇SbS〇.5。 2·如申睛專利耗圍第丨項之磁性石槽石材料，其係以液 相蠢晶生長法形成者。 3· —種磁性光學元件，係於一預定波長為λ (但i57〇nm $ λ S162〇nm)之光射入時，法拉第旋轉角0為44 度$ 0 S 46度，且其係以申請專利範圍第1或2項之 磁性石榴石材料所形成者。4.如申請專利範圍第3項之磁性光學元件，其於該波長 為λ之光射入時’***損失是在〇ldB以下。 本紙張聽顧 (210X297^) -15-
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