TWI251129B - Lithographic apparatus and integrated circuit manufacturing method - Google Patents

Description

1251129 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影投影裝w，甘—上 &夏，其包括一支撐結構， 其係被建構成用以固定圖案化構侏， 再1千，使其被一投影光束照 射以圖案化該投影光束；—投影系統，其係被建構及配置 成用以將該圖案化構件上被照射的部份成像於—美板的目 標部份之上；以及一決定組件，用來決定該 對於該投料、統的μ位置，該組件⑽m單元，其 具有數個感測器，足以決定該空間位置。 【先前技術】 上面採用的術語「圖案化構件」應廣義解釋為可用以賦 予進入輻射光束-已圖案化剖面的構件，該已圖案化❹ 係對應於欲在該基板目標部份中所產生的圖案；本文中亦 使般而言’該圖案將會對應到欲在該 目標部份處被產生之-元件（諸如積體電路或其它元件）中 的—特殊功能層（參見下文）。此等圖案化構件的範例包括： -光罩。光罩的概念在微影術中廣為人知，而且光罩的 種類包括二元式、交替式相移、衰減式相移、以及各種混 合的光罩類型。將此種光罩置放在該輕射光束中會導致照 射在3亥光罩上的輻射依據該光罩上的圖案作選擇性透射 (於透射光罩的情況中）或反射（於反射光罩的情況中）。在光 罩的[月况中，4支撐結構一般是一光罩工作接，其可確保 a光罩被固定於進入的輻射光束中的預期位置處，並且可 於必要時相對於該光束作移動。 93868-94092l.doc 1251129 二可程式面鏡陣列。此種元件的其中一種範例為一可矩 陣疋址表面，該表面具有一伸縮控制層及一反射表面。此 種亵置的基本原理為(例如)該反射表面的已定址區域會將 入射光反射為繞射光，而未定址區域料將人射光反二為 非繞射光4用—適當㈣^，可濾、掉該被反射光束中 未繞射的光線，而僅留下該繞射光線；依此方式，該光束 便可根據該可矩陣定址表面的定址圖案來進行圖案化。可 程式面鏡陣列的替代具體實施例係使用—由複數個小面鏡 所組成的料配置，藉由施加—料的局部電場或運用壓 電致動構件，便可讓各個面鏡相對於_轴產生傾斜。同樣 地，該等面鏡為可矩陣定址式，因此該等已定址面鏡會以 不同方向將進人的輻射光束反射至未定址的面鏡；依此方 式’該反射光束便可根據該等可矩陣定址面鏡較址圖案 ^進行圖案化。可使㈣當的t子構件來執行必要的矩陣 定址。在上述的兩種情形下，該圖案化構件可能包括一個 以上的可程式面鏡陣列。舉例來說’關於本文所述的面鏡 陣列的更多資料可參閱美國專利案第5,29M9i號及第 5,523，193號及PCT專射請案第w〇 _⑽號及第觸 則3096號，本文以弓丨用的方式將其併心在可程式心 陣列的情況中’舉例來說’該支撐結構可能係框架或； 工作檯，視需要可以係固定式或是移動式。 -可程式LCD陣列。此類構造的範例在美國專利案》 5,229,8725虎中有提及，本文以弓丨田认+ 尽又以引用的方式將其併入。如J 所述，此情況中的支撐結構可具現為—框架或是工作棱 93868-940921.doc .1251129 舉例來說，視需要可以係固定式或是移動式。 為簡化起見，本文的其餘部份在特定的地方將會專門探 时涉及光罩及光罩工作檯的實例；不過，在這歧實例中所 討論的通用原理都應被視為適用於上述所提及之廣義 案化構件中。 〃 舉例來說’微影投影裝置可運用於積體電路（ic)的製造 上。於此情況中，該圖案化構件會產生一與該即固別層相 對應的電路圖案’而且此圖案會成像在已經塗佈一層輻射 敏感材料（光阻）的基板（石夕晶圓）上的M票部份（例如:有田一 個以上的晶粒)。一般而言，單-晶圓將會含有-由複數個 相鄰目標部份所構成的整體網絡，該等相鄰目標部份可經 由該投影系統逐個地進行連續照射。在目前的裝置中，藉 由光罩工作檯上的光罩進行圖案化，可能會在兩種不㈣ 機益之間產生差異。在其中—種微影投影裝置中，係藉由 同時曝光該目標部份上所有的光罩圖案以照射每個目標部 份’此類裝置通常稱為晶圓步進機或步進·反覆裝置。於一 替代裝置中-通常稱為步進.掃描裝置_係藉由在既定參 考方向中（掃」方向）以該投影光束漸進地掃描該光罩圖 案以照射每個目標部份’同時以與此方向平行或是反向平 行的方向同步掃描該基板工作檯；因為，-般來說，該投 7/系、、…、有放大因數Μ (通常小於丄），因此該基板工作擾 的知為速度V會是該光罩工作檯掃描速度的Μ倍。舉例來 說’在美國專利案第Μ46,792號中可以獲得更多關於本文 所述之U影TL件的資訊’本文以引用的方式將其併入。 93868-940921.doc ,1251129 在利用微影投影裝置的製程中，會在—基板上成像一圖 案（舉例來說，於一光罩中），該基板至少有一部份會被轄射 敏感材料（光阻）覆蓋。在此成像步驟之前，該基板會經過各 種處理&序’例如’前置處理，《阻塗佈以及軟烘烤。在 ‘光之後σ亥基板便會再經過其它的處理程序，例如後曝 光烘烤（ΡΕΒ)、|員影、硬烘烤以及已成像特徵的測量/檢查。 此系列耘序可作為圖案化一元件（例如，ic)之個別層的基 礎。接著，此一已圖案化層便會再接受各種處理程序，例 如，蝕刻、離子植入（摻雜）、金屬化、氧化、化學_機械研 磨等，全部步驟都是為了對個別層進行拋光處理。如果需 要數層的話，那麼便必須對每一新層重複進行整個程序， 或是其變化程序。最後，將會在該基板（晶圓）上呈現一由複 數個元件所組成的陣列。接著可利用類似切割（dicing)或是 鋸切（sawing)的技術將這些元件彼此分離，然後將個別的元 件安置在一與接針相連的載體之上。舉例來說，關於此等 處理的進一步資訊可以從peter van zant所著之「Micr〇chip

Fabrication : A Practical Guide to Semiconductor Processing」第三版中獲 得，其係由 McGraw Hill Publishing Co·於 1997 年發行，ISBN 0-07-067250-4，本文以引用的方式將其併入。 為簡化起見’下文中將該投影系統稱為「透鏡」；不過， 此術語應該作廣義的解釋以涵蓋各種投影系統，例如，包 含折射式光學系統、反射式光學系統以及反折射式系統。 該輻射系統可能還包含根據任何設計類型來操作的組件， 用以導引、整形或控制該輻射投影光束，而且此等組件於 93868-940921.doc 1251129 下文中亦可以統稱或單獨稱為「透鏡」。另外，該微影裝置 可能係一種具有兩個以上基板工作檯（及/或兩個以上光罩 工作檯）的類型。在此等Γ多級」元件中，會同時使用該等 頟外的工作檯，或是在一個以上工作檯之上進行製備步 驟，同時利用—個以上其它工作檯來進行曝光。舉例來說， 在US 5,969,441及W0 98/40791中便提及雙級的微影裝置， 本文以引用的方式將其併入。 雖然於製造1C時可特別參考本文中根據本發明之裝置的 使用方式，但必須明白的係，此裝置具有許多其它可能的 應用。舉例來說，可運用於製造整合光學系統'磁域記憶 體之導引及4貞測圖案、液晶顯示器面板、薄膜磁頭等。熟 、、束的技術人員將會發現，在此等替代應用内文中所使用的 任何術^私線」、「晶圓」或「晶粒」都應該視為可分別 由更通用的術語「光罩」、「基板」及「目標部份」來取代。 在本文件中，術語「輻射」以及「光束」係用以涵蓋所 有種類的電磁輻射，其包含紫外線（UV)輻射（例如波長 3 65’ 248’ 193’ IN或是126 nm)以及遠紫外線（EUV)輻射（例 如波長範圍5-20 nm);以i粒子|，例如離子束或電子束。 舉例來說，從美國專利案第6,359,678號中便可得知一種 U〜技衫衣置，其具有一決定組件，用於決定該圖案化構 件相對於该投影系統的空間位置。不過，US 6,359,678中所 揭不之組件的問題係，測量該圖案化構件相對於該投影系 、先的位置日寸不夠精確。此不精確結果的其中一項原因係因 溫度變化造成該組件尺寸的變動（從而會導致熱機械應力） 93868-940921.doc -10· 1251129 及/或震動都將會影響該圖案化構件相對於該投影系統的 ，量結果。明確地說，該投影系統及該等感測器之間 、兀者X軸及/或y軸的相對旋轉便會產生測量錯誤。因為高度 的局部變化及小角度反射的關係，利用一感測器直接於該 圖案化構件上進行測量會導人其它不精確的結果。 一；1年11月的1賺0f Research Disclosure中便揭示一種決 疋組件，用於決定圖案化構件相對於_投影[统的空間位 置:其中有-個感測器直接位於該投影系統之上。雖然此 :不中所呈現的解決方式可解決和該投影系統及該等個別 之測器間之相對旋轉有關的某些問題，不㊣，利用此已提 出之解決方式卻僅能部份補償該圖案化構件相對於該投影 系統的動態移動情形。 【發明内容】 一所以’本發明的目的係提供一種微影投影裝置，其包括 Γ決定組件’用於更精確地決定圖案化構件相對於-投影 糸統的位置。明確地說，本發明的目標係提供一種含有此 件的微影投影裝置’其比較不會受到熱機械應力以及動 怨運動所造成之旋轉變化的影響。 用如申咕專利粑圍第i項之微影投影襞置便可達成該 目的。該裝置包括：-輻射系統’用於提供一輻射投影 、: 肖用以支撐®案化構件，該圖案化構件 係用以根據-預期圖案來圖案化該投影光束；—投影系 統’用於將該已圖幸^卜&忠占 .、 Q茶化的先束投影至—基板的-目標部份 、及决疋組件，用於決定該圖案化構件相對於該 93868-940921.doc -11 - 1251129 投影系統的空間位置，該組件包括一測量單元，其具有數 個感測器，足以決定該空間位置，其中該等數個感測器係 安裝於該投影系統之上。相較於目前的技術，此組件並不 需要額外的構造排（MF排），其可產生數項優點。該組件於 真空下具較佳的效能，而且承擔較少的污染風險。同時， 该组件售價較便宜。再者，用於安裝該投影系統之框架的 擺動並不會於位置偵測中造成像差。該組件具有較佳的短 時間穩定性。該組件的複雜度較低。再者，不需要進行任 何的框架參考測量。除此之外，冑空腔室中的部件大量地 減少，因此會導致較低的除氣速率。該投影系統上的熱負 載較低，m胃著並不需要冷卻水，如此便可減低動態干 擾作用力的存在情形。於該投影系統附近或上方，佈置空 間會大幅地增加。利用所有此等優點，該微影裝置設定令 的差異便非常微小。 舉例來說，可利用螺检及/或夾鉗方式來安裝該感測器 該感測器至少會將其光學組件安裝於該投影系統之上。 於另一具體實施例中，本發明的特徵係該測量單元包^ 一 6個自由度的干涉計測 、里糸、冼。干涉計測量技術經證實/ 可罪、完整而且精確。 、 於另一具體實施例中， ^ 本备月的特徵係該等感測器中j ^其中一者會於該圖案化椹

F ^ 位於該圖案化構件之圖I &域外的一反射部件上 ^田射先束。此作法的優點〇 位置測$中所使用的輻 宰的旦彡變射了犯不會受到該圖案化構件之a 系的衫響。由於該圖荦

木中局部拓樸以及於該局部拓樸上J 93868-940921.doc -12- 1251129 生反射後的關係會產生波前變化，所以可能會發生測量# 誤。 於另一具體實施例中，本發明係關於一種如上述般的微 影投影裝置，該微影投影裝置中的圖案化構件會沿著一掃 描方向被照射，其中，可利用一第一平面（該第一平面與掃 描方向會形成某種角度）中至少三個測量點、一第一直線（其 亚不位於該第一平面中）上至少兩個測量點、以及不在該第 平面中且不在該第一直線上之至少一個測量點來決定該 圖案化構件相對於該投影系統的空間位置。如此便可精確 地決定該圖案化構件的六個自由度。 本發明還關於-種利用微影製程來製造—積體電路⑽ 的方法，其包括： 提仪輻射系統，以便從一輻射源所發出的輻射中來形 成一投影輻射光束， 束照射的圖案化構件，以 提供一基板工作檯，其係 及 曰 支撐、、、°構，其係被建構成用以固定欲被該投影光 ’以便圖案化該投影光束， 其係被建構成用以固定一基板， 提供一投影系統，

特徵為： 至少決定一

其係被建構及配置成用以將該圖案化 於一基板的目標部份之上，其 置運作期間利用該支撐結構位置的測量 化構件相對於該投影系統的位置。 93 868-940921 .doc -13- 1251129 【實施方式】 圖1為根據本發明一特殊具體實施例的微影投影裝置i的 概略圖式。 該裝置包括： -一輻射系統Ex、IL,用以供應輻射投影光束PB(例如波長 為11-14 nm的遠紫外線（EUV)輻射）。在此特殊情況下， δ玄幸s射系統亦包括一幸I射源LA ; -一第一物件工作檯（光罩工作檯）MT，其具有一光罩固定 器’用以固定光罩MA(例如，標線），並且會被連接到第 一定位構件PM，用以精確地將該光罩放置在相對於符號 PL的位置處； 一第二物件工作檯（基板工作檯）WT，其具有一基板固定 為’用以固定基板W(例如已塗佈光阻的矽晶圓），並且會 被連接到第二定位構件PW，用以精確地將該基板放置在 相對於符號PL的位置處；以及 "一投影系統（「透鏡」）PL，用以將該光罩MA中被照射的 部份成像於該基板W的目標部份C(例如包括一個以上的 晶粒）之上。如此處所述，該裝置係一反射類型（即具有 一反射光罩）。然而，一般而言，其亦可能係一透射類型 (具有一透射光罩）。或者，該裝置可運用另一種圖案化 構件，例如上述類型的可程式面鏡陣列。 該輻射源LA(如雷射生成電漿或放電電漿遠紫外線（EUV) 輻射源）會產生一輻射光束。此光束會直接或在穿過調整構 件（諸如光束放大器Ex)之後被饋送至一照明系統（照明 93868-940921.doc -14- 1251129 器）IL之中。該照明器il可能包含調整構件AM，用以設定 該光束中之強度分佈的外徑及/或内徑範圍（一般分別稱為 σ-外及σ-内）。此外，其通常包括各種其它組件，例如積分 器IN及聚光^|C0。依此方式’射在該光罩MA上的光束PB 便會於其剖面上具有預期的均勻度與強度分佈。 於圖1中應注思的疋’该輕射源L A可能位於該微影投影 裝置的外殼内（舉例來說，該輻射源LA係水銀燈泡時，便經 常係這種情況），但是亦可以與該微影投影裝置相隔一段距 離’其所產生的輻射光束則會被導入至該裝置中（例如借助 於適當的導向面鏡），當輻射源LA係準分子雷射時則通常會 是後面的情況。本發明及申請專利範圍涵蓋此兩種情況。 貫貝上’ S亥光束PB會搁截被固定於一光罩工作樓JyJT之上 的光罩MA。穿過該光罩MA之後，該光束PB便會穿過該透 鏡PL，該透鏡會將該光束ρβ聚焦於該基板w的目標部份c 之上。藉由該第二定位構件pw(以及干涉測量構件if)，便 可以精確地移動該基板工作檯w τ，以便在該光束p B的路徑 上定位不同的目標部份C。同樣地，該第一定位構件pM可 用以將該光罩MA精確地放置在相對於該光束pBi路徑的 位置上，舉例來說，在以機器方式從光罩庫取出該光罩MA 之，或是在掃描期間。通常，該等物件工作檯Μτ、 的移動可以藉由長衝程模組（粗略定位）以及短衝程模組（細 微定位）來達成，圖1中並未清楚圖解。不過，在晶圓步進 機的情況中（與步進-掃描裝置相反），該光罩工作檯Μ 丁可能 僅會被連接到短衝程致動器，或是可能係固定的。可利用 93868-940921.doc 15 1251129 光罩對齊標記Μ卜M2以及基板對齊標記PI、P2來對齊光罩 MA和基板w。 上述裝置可用於兩種不同模式中·· K 於步進模式中，基本上該光罩工作檯ΜΤ係保持不動， 而整個光罩影像則會一次（也就是，單「閃光」）全部被投影 至一目標部份c之上。接著該基板工作檯WT便會在X及/或y 方向中移動，致使該光束pB可以照射不同的目標部份C ; 以及 2.於掃描模式中，基本上具有相同的情境，但是卻不會 於單「閃光」下曝光一既定的目標部份C。取而代之的係， 该光罩工作檯1^1^可以在既定的方向中（所謂的「掃描方 向」例如y方向）以速度v移動，因此該投影光束pB會在光 罩影像上掃描，同時，該基板工作檯WT會以速度 相同或是相反的方向上移動，其中_該透鏡凡的放大倍 率（通吊’ M=1/4或1/5)。依此方式，便可曝光非常大的目標 部份C，而不會損及解析度。圖i中顯示—衫組件12，用 來決定該圖案化構件相對於構成«彡投影裝置丨之一部份 的投景》系統的空間位置。 見在將參考圖2來進一步解釋組件 於後面的解釋中，會使用到笛卡兒座標框， 微影投影展置丨中的掃描方向。 /、y方向 圖2中係根據目前技術⑽_B1_6,359 件12,用來決定 m ^ )木顯不決 學凡件之部件丨丨的办恶 3百才又 置。部件11亦可稱為投影系統 93868-940921.doc -16 - 1251129 鏡j組件11。標線23係安裝於標線級13的下方。圖2中並未 看見標線23,因此係以虛線來描緣。2方向中，源°自感測器 21的雷射光束15會從部件〗〗被導向至標線幻。X方向中，★ 射光束17會被導向至部#11及標線㈣。y方向中，雷射光 束19會被導向至部件u及標線13。圖2中顯示出，雷:光束 17及19係成對被導向至組件12。理論上，亦可使用單一光 束17、19,不過基於實務的理由，所使用的係一對光束。 標線23相對於部件n的位置可直接由標線23上的z測量 值來决疋。標線23h方向及7方向中相對於部件η的位置 可從雷射光束17及19的測量值中推導出來。這係因為標線 ㈣上之標線23在叮平面中的位置係已知的。發出雷射光 束1 7及19的該等感測器並非位於部件丨1之上。 圖3中係根據本發明來顯示圖丨之決定組件12，用來決定 標線23相對於一含有投影光學元件之部件u的位置。部件 u之上安裝著感測器27及25’其可直接測量標線㈣的位 置。該些測量使用的係雷射光束26及28。兩道成對的雷射 光束組成一個測量點。為清楚起見，僅以-條線來表示此 成對的雷射光束’如同感測器25的雷射光束28(即共有4道)。 於圖3的配置中’組件12包括一感測器21、其不同於圖2 中所示之感測器2卜感測器21，會產生三對雷射光束而非兩 對。該些三對雷射光束中其中兩對係被導向至標線Μ上的 兩條反射細帶’而另一對則係被導向至標線級⑽端上的 條反射細贡33，下文將參考圖4作進一步解釋。再者，感 心25會產生兩對雷射光束28 ’而感測器則會產生三對 93868-940921.doc -17- 1251129 雷射光束26，下文將參考圖5來詳細解釋。 於該微影投影裝置運作期間，會一輻射源照明該標線 2 3。感測器21'的配置方式係其會使用其雷射光束丨5來決定 標線23及標線級1 3的z位置。依此方式，便可利用直接被連 接至部件11的感測器來測量標線級丨3的X、y及z位置。因為 標線23相對於標線級13的位置係已知的，所以從此測量 中，標線23相對於透鏡組件11的\及7位置亦可遵循。於一 具體實施例中，藉由測量至少一次與該輻射光束外面及該 已圖案化區域外面之一部份標線23的相隔距離，便可決定 標線23相對於部件11的2位置。接著，本文進一步假設標線 23相對於標線級13的z位置於掃描期間並不會改變。因此， 並不需要於微影投影裝置1運作期間持續地監視標線23的z 位置。 热習的人士將會明白，利用位置不同於圖3所示的感測器 25及27亦可推導出和標線23之位置有關的資訊。舉例 來4，可將感測器25及27整合成一個感測器，其能夠決定 和該等個別感測器2 5及2 7相同的位置資訊。 為標線級夾盤（RS夾盤）31的仰視圖。RS夾盤31包括反 射4件33、35及37。附著至Rs夾盤31的係標線23，其係以 =身所知的方式來進行。於標線23上有兩個額外的反射細 3 係位於光罩區域之外。標線23之上呈現出一 ^%件付號為45 ’而元件符號47表#的則係-沿著 圖案45來掃描的輻射光束’如熟習本技術的人士所知般。 必須強調的係 與圖2之目前技術相反的係，所有反射細 93868-940921.d〇i 1251129 帶33、41、43都係位於該圖案之外，所以係位於運作期間 被投影光束PB照明的區域之外。如此便可防止該圖案對該 等二對雷射光束1 5造成會影響到由該等光束所推導出來之 資訊之測量精確度的任何不利效應。 違等感測态2 1f、2 5、2 7會將其個別的雷射光束1 5、2 8、 26導向該等反射部件33、35及37。該等經反射的雷射光束 可提供和RS夾盤31相對於圖3之投影系統u之位置有關的 資訊。戎等反射部件33、37及35會分別於參考座標框之z、 X及y方向中來反射光。 圖5為標線級夾盤31之透視圖。此圖係用於進一步闡述本 發明工作的方式。於x方向中，反射細帶37係附著至標線級 夾盤31。於y方向中，箭頭39所示之掃描方向、呈現點狀形 狀的反射表面35會附著至標線級夾盤31。供z方向中傳播之 光來使用的反射細帶33會附著至標線級夾盤3丨的底部，於 圖5之透視圖中並無法直接看見，其係以虛線來表示。其同 樣可套用至標線23本身以及標線23上的反射細帶似…y 方向中之反射表面35為複數個細點的原因係，標線級夾盤 3/於微影投影裝以運作期間在X方向中的移動將會非常地 微小。相反地，X方向中則需要有反射細帶37，因為該標線 、、夾k在y方向中的移動非常地大。該等反射細帶3 7必須覆 1非#廣大的私動範圍，以確保在曝光之光出現於該光罩 之週’月期間被導向至該些反射細帶37的雷射光束Μ會有 正確的反射結果。曝光光出現於該光罩上的長度為y方向中 的圖案長度及狹縫長度之總和。 93868-940921.doc -19- 1251129 因為總共使用六對雷射光束，所以必須提供一6個自由度 6 D0F)的干涉計測量系統。因為以向中有三對雷射光束 且X方向中有兩對，所以該等雷射光束28及26除了會一起提 ^和標線級U在X方向及y方向中之位置有關的資訊，還會 k供和X方肖中之傾斜（Ry，也就是繞著y轴旋轉）及y方向令 =斜（Rx’也就是繞著x軸旋轉）以及繞著部Z)旋轉有關 一貝心為達此目的，該等三個反射部件35可能並非位於 落=直線上。較佳的係’其係位於一直角三角形的三個角 = 6a、6b及6e為標線級夾盤31之概略剖面圖。其分別為乂 ΙΓ/χ方向、以及y方向的圖式，用以定義可用於計算標 =之確實位置的各項參數及變數。圖中之參數及 思義如下： X1由兩對光束28中其中—者所測得的X位置； X2=由兩對光束28中另-者所測得的X位置； ::、y3 =分別由三對光束％中其中一者所測得的丫位置； Z被導向至反射細帶33之光束15所測得的z位置； Γ此Γ置導向至反射細帶41、43⑽15所測錄位置； Μ二位置都係非即時測得的。 al 、 a2 、 bl 、 el 、 β 、 設常數。 ΖΧ、―、仏及6c中所定義的預 之位置x、y、z可依照下面的通用公式，從 二：=5、28、26所測得之相對於-參考點的距離 …屬的係理想的情況。利用反射細帶/表面，必 93868-940921.doc -20- 1251129 須加入小額的餘弦相依修正·· x = xl+Ry * al y={(yl+y2)/2} + {Rx * (al+a2)/2} z = zl+Rx * zy+Ry * ζχ Rx = (yl-y3)/bl Ry=(xl-x2)/bl Rz = (yl-y2)/(el+e2) 該等雷射光束可能具有一共同的原點，或 4I 1旎係由獨

立的個別雷射源所產生。 以利用該等額外的反射細帶41及43以非即時的方式來決定 標線39本身相對於該參考點在2方肖中的位置以及々方位、。疋 因為X方向及z方向中有限衝程的關係，反射部件h也可 能係由3個立方角所組成，作為反射器。 【圖式簡單說明】 上面已經配合附圖來解釋本發明，纟僅係顯示範例而非 限制本發明的範疇，以及其中：

圖1為一微影投影裝置之概略通用圖。 圖2為根據目前技術之圖1之微影投影裝置-部份的細部 圖式。 圖3為根據本發明之圖2所示之微影投影裝置相同部份的 圖式。 圖4為根據本發明之具有_標線的標線級（RS)夹盤。 圖5為根據本發明之標線級夾盤的透視圖。 圖6a、6bhc為前面圖式中所示之標線級的側面圖。 93868-940921.doc -21- 1251129 【主要元件符號說明】 LA 輻射源 Ex 光束放大器 IL 照明器 AM 調整構件 IN 積分器 CO 聚光器 ΜΑ 光罩 MT 光罩工作檯 Ml 光罩對齊標記 M2 光罩對齊標記 IF 位置感測器 PB 輻射投影光束 PL 透鏡 PM 定位構件 PW 定位構件 WT 基板工作檯 W 基板 PI 基板對齊標記 P2 基板對齊標記 C 目標部份 1 微影投影裝置 11 投影系統 12 決定組件 13 標線級

93868-940921.doc -22- 1251129 15 雷射光束 17 雷射光束 19 雷射光束 21 感測器 2Γ 感測器 23 標線 25 感測器 26 雷射光束 27 感測器 28 雷射光束 31 標線級夾盤 33 反射細帶 35 反射部件 37 反射部件 39 掃描方向 41 反射細帶 43 反射細帶 45 圖案 47 幸昌射光束 93868-940921.doc 23-

Claims (1)

1. r…I .更)正本I -i I 、申請專利範ait- -種微影投影裝置⑴，其包括一輻射系統，用以供應一 投影輻射光束；一支撐結構（MT)’用以支撐圖案化構件， 。亥圖案化構件會根據一預期圖案來圖案化該投影光束 (PB); —投影系統（PL)，用以將已圖案化之光束投影於一 :板的目標部份之上；以及一決定組件，用來決定該圖 案化構件相對於該投影系統（PL)的空間位置，該組件包括 測里單疋，其具有數個足以決定該空間位置之感測 益，其特徵為該等數個感測器係安裝於該投影系統 之上。 ' 2. ^請專利範圍第i項之微影投影裝置⑴，其特徵為該微 影投影裝置⑴會配合—遠紫外線（Euv)$|射源來運作。 3. 如申請專利範圍第1或2項之微影投影裝置（1)，其特徵為 該測量單元包括一 6個自由度的干涉計測量系統。， 4. 如申請專利g圍第_項之微影投影裝置⑴，其特徵為 該等感測器中至少其中一者會於該圖案化構件；位二該 圖案化構件之圖案區域外的一反射部件上使用一雷射光 束0 5. 如申請專利範圍第鴻2項之微影投影裝置⑴，該微影 影裝置⑴中的圖案化構件會沿著—掃描方向被昭射， 特徵為可利用一第一平面中至少三個測量點、一第一 :上：少兩個測量點、以及不在該第一平面中且不在. 弟一直線上之至少-個測量點來決定該圖案化構件相 於該投影系統(PL)的空間位置，其中該第—平面盘掃描 93868-940921.doc 1251129 向會形成某種角度，該第一直線並不位於該第一平面中。 6·如申請專利範圍第5項之微影投影裝置（1)，其特徵為該等 測量點係位於該支撐結構（MT)之上。 7 ·如申請專利範圍第1或2項之微影投影裝置（丨），其特徵為 至少有兩個測量點係位於該圖案化構件上位於該圖案化 構件之圖案區域外的位置處。 8· 一種利用微影製程來製造一積體電路（IC)的方法，其包 括： 〆、 -提供一輻射系統（3、4)，以便從一輻射源（6)所發出 的輻射中來形成一投影輻射光束（6)， ▲-提供一支撐結構（MT)，其係被建構成用以固定欲被 以又影光束照射的圖案化構件，以便圖案化該投影光束， •提供一基板工作檯（WT)，其係被建構成用以固定一 基板，以及 -提供-投影系統(5)’其係被建構及配置成用以將該 圖案化構件上被照射的部份成像於-基板的目標部份之 上，其特徵為： 至v决疋一 一人该圖案化構件相對於該支撐結構的位 置， -於该微影投影農置運作期 < # J間利用該支撐結構位置的 測量值來決定該圖案化構件相 干相對於該投影系統的位置。 93868-940921.doc