TWI249267B - Multi-band multi-layered chip antenna using double coupling feeding - Google Patents

Description

1249267 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本舍明係有關於多頻帶多層晶片天線，可安裝在行動 通訊用之全球定位系統（Global System for Mobile

Communication，GSM)、歐洲數位無線電話（Digital Europe

Cordless Telephone，DCS)和藍芽（Bluet〇〇th，BT)終端裝 置，且尤甚者係有關於使用雙耦合饋送之多頻帶多層晶片 天線，藉由在晶片天線中使用饋送輻射元件和雙寄生輻射 兀件而實現多頻帶特性，以便藉由調整雙寄生元件間之阻 抗，實現頻率和頻寬之控制、阻抗特性和輻射效率之提昇、 以及輻射元件間互感影響之降低。 【先前技術】 通常，在如GSM、DCS、BT等行動通訊終端裝置上 所使用的天線主要為在通訊終端裝置上形成向外突出物之 螺旋天線、或可收縮進人通訊終端裝置之㈣單極天線。 雖然此種㈣天線或線性單極天仙為是從終端裝置向外 突出而形成之外接式天線，所以具有無方向性㈣特性之 優點，但是可能會因為外力而致使天線外觀受損，而 致天線特性衰減，且這些天線更具有最近所提出之低特定 吸收率（Specific Absorption Rate，SAR)之問題。 、 同广最近對行動通訊終端裝置的要求為輕薄短小且 夕功…4 了滿足這些要求，在行動通訊終料 用的内建電路和元件也傾向於輕 2 薄短小且多功能的趨勢也是天：=/力能。這些輕 亢 '、果所必要的新趨勢，因為天 92662 6 1249267 --Ο 線為行動通訊終端裝置的重要元件之 省知内建式天線有 册· 平面倒F型天綠日 τ(·Γ〇灿】Ρ州叫天線、 :些内建式天線的方法。舉例而言，其 有以 特性之微帶天線的尺子^…、有相田间增盈和寬頻寬 ΤΜ〇ί模式的…佑二依據此方法，藉由塊狀微帶天線 I:式的Α分佈，電介質是沿著 下側電場分佈最高 PΠ播入τ邊

有效降低天二Π 可因為電介質常數增加而I 薄短小的天線。 乂天線〜-的衷減，因而提供輕 可疋’因為縮小目前可獲得 構，所以並縮Λ之方法疋依據平面結 助理㈣sonaI Dighal Assisiant， =曰加個人數位 安裝在個人數位助理上之空間的趨勢時，=、’卿天線 而有力之方法。 有必要提出更強 此^ ’雖然在f知天線中是使用倒( 為釦达型天線，但有鑑於空間 i寺作 型天線。 夏斤以有必要加強此饋送 第1圖係顯示習知多層晶片 如第！圖所顯示之習知圖。 帶天線之已縮小天線，在此二片之天第線 (1 adlatlon patch)3〇以及4〇是透過位於 =—幸田射片 邊緣的饋送部20而互相輕合，送'蜀板10上側 向輕合至接地金屬板10。 貝mo疋沿著垂直方 92662 7 !249267 定義天線上表面之第一輻射片30具有迷宮狀可折疊 狹長帶狀結構，且該第一輻射片30與接地金屬板1〇的上 側平面平行。 第二輻射片40是放置在第一輻射片30和接地金屬板 1〇之間，且同時與第一輻射片30以及接地金屬板1〇平 仃。第二輻射片40包括長度和寬度互不相同的複數個頻帶 41以及43 ’且各該頻帶41和43可設置在相同的平面上， 或可互相堆疊在一起。 ,饋送部2〇包括饋送圖案21、饋送圖案延伸件22、饋 送圖案接地部23等。饋送圖案21用於在pDA主體與天線 的第一以及第二輻射片3〇以及4〇之間傳送訊號，且垂直 耦合至设置在接地金屬板1〇側邊之饋送金 案延伸件22從饋送圖案21之特定部分垂直延伸至=圖圖 案21，且可以改變饋送圖案延伸件22之長度。饋送圖荦 ，地部23係、在饋送圖案延伸件22側邊朝接地金屬板 •幫曲，以便將接地金屬板1〇接地。 ⑼同日寸，雖然習知的多層晶片天線具有多頻功能且具有 Μ型化結構，但是仍具有下列問題。 百先，因為構成天線之第一輻射片30具有幾乎形成在 同-平面上之圖案，且第二輻射片40具有幾乎形成在另一 個平面上的其他圖帛，所以在料天料會有限制天線微 型化的問題。 此外’因為構成天線的第一和第二輕射片30和40之 圖案分別具有纽直㈣形狀，所以會有_天線微型化 92662 8 1249267 的問題。 除此之外，因為第一和第二輻射片30和40均是直接 口為=私又動有必要調整頻率，則頻帶的改變會對連接至 的另-個頻帶產生直接的影響，因而 變得很困難。 只卞私作 【發明内容】 為了解決上述問題業已完成本發明，且本發明之 二用雙耦合饋送之多頻帶多層晶片天線，利用晶 =:Γ輕射元件和雙寄生輕射元件實現多頻特性， k又寄生元件間阻抗調整，而實現頻率和,f之批 之降低。 田射效应之提昇、和輻射元件間互感影響 依據本發明的一個態樣，藉由設置使 r第帶多工晶.片天線可達成上述及其他目的二^ :妾二 =r二括一端連接至饋⑽^ 第一餹+ 人务饋运轅射元件係連接至 料㈣元件具有空間蛇行線 :構（S帅al meander 】ine st則㈣；帛二饋送 接至該第一饋送電極之位於與第—平： 上的部份，以令竽筮- 之弟一千面 構；第心 知达輻射元件具有平面蛇行線結 平面1=;:連接至該第-饋送電極之位於與第一 弟二平面上之部份；第—寄生輕射元件，電性 92662 9 1249267 耦接至第二饋送電極；以及第二寄生輻射元件，電氣麵接 至第一寄生輻射元件且包括複數個寄生圖案。 本發明之前述及其他目的和特徵將配合所附圖气 列更詳細之說明而更清楚易懂。 工 下 【實施方式】 以下參照附圖詳細說明最佳實施例。 具有相同結構和功能之相同元件將以 示 j〜汗付號表 本發明之多層晶片天線並不是一般的平面倒F ⑻anar i請rted F_type antennas, PIFA)，而是内 : 陶兗晶片天線’其中GSM頻帶基本上是利用設置 天線内之蛇行線和倒F型實現，而DCS頻帶則是利用: ^天線上層之寄生元件而實現。此外，本發明之多層^ 中天士具有可藉由修改用於調整在上層之寄生：： 結構實現施行三頻帶、調整 ° 率放大頻寬之優點。 音圖明之多層日日日片天線的結構之示 心0 而第3圖係第2圖中之容展a υ工μ 參考第2和笛h 夕層曰曰片天線的前視圖。 冰 苐3圖，依據本發明之多層晶片崎 連接至接料以接㈣讀且另一端 係沿著預定方向在 /弟饋达电極no 接至第一I-、，+ 千面形成，該第一饋送輻射元件連 行線結構；第十丄 饋射元件具有空間蛇 極"〇之位於與第一平面单"〃運接至5玄弟-饋达電 千仃之第二平面上之部份，以令 ]〇 92662 1249267 第一饋迗輻射元件200具有平面蛇行線結構；第二饋送電 極300,連接至該第一饋送電極11〇之位於與第一平面^ 行之第三平面上之其他部份；第一寄生輻射元件4⑼，電 性耦接至第二饋送電極300 ;以及第二寄生輻射元件， 電性輕接至第-寄生轄射元# 4〇〇且包括複數個寄 510 至 590 和 595。 ” 本發明之多頻帶晶片天線包括饋送輻射元件1〇〇和 2〇〇、以及雙寄生輻射元件400和5〇〇，藉此可分別產生 DCS、和BT之共振頻率。再者，本發明之多頻帶 晶片天線可藉由使這些共振頻率互相連接，而改善單一頻 率中之頻見。尤甚者，該多頻帶晶片天線包括具有用於提 供880至96〇佰萬赫茲（MHz)GSM頻帶和2.4至2.48千兆 赫兹（GHz)藍芽頻帶之蛇行線結構的第二饋送輻射元件 2〇〇、具有倒F結構和空間蛇行線結構之第一饋送輻射元 件1〇〇、以及用於提供1710至1880MHz Dcs頻帶之雙寄 生輻射元件400和500。 又 在此，第二饋送輻射元件200具有蛇行線結構，可藉 由控制此結構中線的寬度和空間而調整頻率。再者，第二 饋运輻射兀件100具有倒？結構和空間蛇行線結構，可藉 由控制在這些結構中線的寬度而調整操作頻率。 因此，可藉由兼具第二饋送輻射元件200之蛇行線結 構、以及第-镇送輻射元件⑽之倒F結構和蛇行線結構 的結合結構，提供8〇〇至96〇MHz GSM頻帶和2 4至 2.48GHz藍芽頻帶。 92662 11 1249267 弟4圖/糸本發明之第—饋送轄射元件的示意圖。 蒼考弟4圖，第-饋送輕射元件1〇〇係與 極U〇互相平行，且該第—饋送輕射元件_包括 距離隔開且互相平行之複數個帶狀線i2〇(i2〇a 、 將此複數個帶狀線120中與第-饋送電極no相鄰之帶狀 =、=至第一饋送電極U°之第一連接圖案131、以 個圖案仙至1321之第二連接圖…此 複數個圖案13 2 a至13 21得闲*人八 知用灰分別將複數個帶狀線120 中兩兩相敎帶狀線相連接，以藉此形成蛇行線結構。 在此連接圖案131和第：連接圖案⑴係與第 “兒面平^但形成於與第—平面不同之其他平面上。也就 :連接二2Γ弟4圖中所顯示，用於連接複數個帶狀線 連接圖案疋位於不同於形成帶狀線之第一平面㈣他平 ’ ^以^饋送輻射元件_可形成”蛇行線結構。 俨、二饋达輻射凡件1〇0之第一饋送電極110係將第- ‘：：ΐ:—端連接至饋送線’而其另一端是連接至接地 圖安11=饋达電極110包括與第一平面平行的兩個饋送 木 和112、以及用於連接饋送圖案ηι和112相 :端之饋送連接圖案113。第一饋送電極11〇具有倒^ 弗5圖係顯示第4圖中部份A的放大示意圖。 茶考第5圖，第一饋送輻射元件j 〇〇之第一 131包衽竹哲姓、、， 逐接N木 接回 弟一1貝达電極110 一端向上形成之第一垂直連 圖案υιι、從複數個帶狀線120&至i2〇m中與第一饋送 92662 ]2 1249267 2極相鄰之帶狀線12Ga -端向上形成之第二垂直連接圖 J312、以及在與第—平面平行但不同於第―平面之其他 平面上連接第一和第二垂直連接圖案ΐ3ιι 連接圖案1313。 千 此外，芩考第5圖，第一饋送輻射元件i⑼之第二連 接圖案132包括從複數個帶狀線咖至i2()m的每_:向 上形成之複數個垂直連接圖案132卜以及在平行於第一平 面的另一個平面上連接該複數個垂直連接圖帛1功中兩 :彼此相鄰垂直圖案以作為-對垂直圖案之複數個水平圖 案。此=數個水平圖案為複數個水平連接圖案助，不會 互相重疊及/或互相連接，而是以錯齒狀咖⑻互相分開曰。 二饋送輕射元件剛之複數個水平連接圖案1322

Si;有第二饋㈣射元件2〇0之第二平面和形成有第 、，貝达i極3GG之第三平面間的平面形成。此外，第一饋 送幸田射元件1 〇 〇之水平^卓接同安 非線性圖案形成。圖一可是以線性圖案或 第6圖係本發明之第二饋送輕射元件的示意圖。 2第6圖，第二饋送輕射元件細包括與第一鎮送 :極uo之-個圖案連接之饋送圖案21〇 電極110其他圖案連接之幸-。射„安99ω ”弟1貝达 έ士樓 延接之1 田射圖帛220’以便具有蛇行線 、、、σ 稱 〇 之二=第二饋送電極300係沿著與第-饋送電極m 不门貝木111相同方向平行之方向在與第-平面平行但 不同於弟一平面之其他平面上形成。 92662 ]3 1249267 第：圖係顯示本發明雙寄生輻射元件的示意圖。 弟7圖中所顯示，第—寄生輕射元件4⑼係是與第 一饋送電極3 0 〇垂直所形成，拉μ Ν ^…，人 S所七成減可與第二饋送電極300 化成弟-搞合。第二寄生輻射元件5〇〇係與 元件彻垂直所形成，#此 成第二輕合。 寄㈣兀件400形 第8圖係顯示第7圖部份B的放大示意圖。 安5=第二寄生輕射元件500之複數個寄生圖

”分別包括形成於第-寄生輻射元件400 下部與第一寄生輻射元件4〇 了兀仵4UU 仟㈧方向垂直之下側圖案502。 此外’除了形成於第一寄生輻射元件彻下部盥第一 寄生輻射元件400方向垂直的下側圖案5〇2之外，第 生輕射元件之複數個寄生圖案51〇至59〇和595的每 一個均包括：雙側圖案5Q1,包括以敎距離從第一寄生 轄射元件4〇0之兩側隔開而各有向與該第-寄生輕射元件 4〇〇成垂直方向形成之預定長度之第_圖案5仏和第二圖 案5〇lb;連接第-圖案5仏之_端與下侧圖案如之一 端之第-連接圖案503，該第—連接圖案5()3垂直 圖案及下側圖案⑽以及連接第二圖案5Glb之-端 與下側圖案⑽之-端之第：連接圖案⑽，該第二 圖案504垂直於第二圖案50lb及下側圖案5〇2。 在此’第二：生輕射元件5〇〇具有可用於實現第二叙 峨之結構。舉例而t，僅藉由垂直形成於第一寄生輕 射元件綱下部之下側圖案5〇2即可控制 92662 14 1249267 希望第二寄生輻射元件500復包括透過第一和第二連接圖 案503和504連接至下侧圖案5〇2的雙侧圖案5〇ι。藉由 具有上述結構之耦合，可以調整DCS頻帶之頻寬、輻射特 性、寄生輻射元件間之阻抗、以及天線的總阻抗。 在此，可將第二寄生輻射元件5〇〇之複數個寄生圖案 510至590和5 95等距離分開。 也就疋說，參考第7和第8圖，本發明之第一寄生輻 ^元件400和5〇〇為用於提供DCS頻帶之寄生輕射元件: 第一寄生輻射元件400是延伸於天線之縱向，而第二寄生 ，射元件500之複數個寄生圖案51〇至59〇和5%則是以 第-寄生輻射元件400為中心等距離分開並且 二 輻射元件400垂直。 /、 寄生輻射元件400係耦接至透過 文土处艰翔迗孔而連接 -饋送電極的第二饋送電極300,並且可在⑽頻帶 ::辰：在此可藉由控制第二寄生輻射元件500與第一寄, 件彻垂直之複數個寄生圖案間的距離以及第二j 田ί兀件500之寄生圖案的數目而調整中心頻率。 “再者’麥考弟7和第8圖，本發明之第-和第一寄, 輪射元件係用於實頭Drq相册 ^ 〇、、 現 頻帶之寄生輻射元件。不像用方 又據導體圖案（也就是，電_ ) 輻射 电级）之長度控制知作頻率之饋$ (也就是，電弟-寄生輪射…牛可利用耦名 . 电谷）凋正頻率，以便實現DCS頻帶。也就是观， 因為可利用相互麵合(第—麵合 ：广兒 400 φ ^ , 額达）在罘一寄生輻射元件 感應出電流’所以可藉由形成與第—寄生輕射元件 92662 15 1249267 第二寄生輻射元件調整電感，以便與第-寄生 作頻率。 “合’且因此可以此種方式調整操 當利用由第一 4〇 Μ 一^> ,L ν 雙寄生如射—放— 寄生輻射元件400和500組成之 送二赶=現DCS頻帶時，舉例而言，當利用與饋 ===射元件實現Dcs頻帶時，細射元件之 即可_易提供；2阻抗變形’且藉由輻射元件間之互感 元件時，不僅在只考声'由寄!元=當利用雙寄生輕射 透過寄生元件之結構修正(如大小、形狀、和:; 又侍中心頻率，同時亦可以利用搞合加寬頻寬。 ^匕夕卜至藉由改變第二寄生幸昌射元件·之複數個寄生 =;ΓΓ95的數目可調整頻寬，且藉由調整在 直方向形成之寄生輻射元件、以及 =寄生圖案一。和595間之空間=::: V、丰。舉例而言’在垂直方向形成之 距離可設定為在大約2/λ至8/λ間之範圍。^射兀件的 在本發明中，多層晶片天線之頻寬特性與耦一 。生輻射元件之第二寄生輻射元件 7 係顯示在第9a和第9b圖。 〇。之增加數量的關係 第，第9b圖係依據本發明之晶片天線的谓 性之不意圖。 了 Βτ ^發下?^天'㈣VSWR特性是在固定的㈣和 耵頻見下於貫際電視機㈣set)中安裝實現dcs頻寬之 92662 16 1249267 弟—和第二寄生輻射元件後量測 9a和第9b圖。今紝里B 一 且、力果係顯示於第 ^ w、、、°果絲頁示當將晶片夭靖立继+ ― 機上時，摔作噸i A天、、泉女裝在貧際電視 知作頻率可隨著各操 動。 π所叹疋之操作頻率變 弟9a圖係顯示當使 結果，從圖中可音+ + β之又寄生輻射元件時之 r J 耆出在點 VSWRM.i 14sm ,, 形成之頻率大約為7 · ]，由頻帶上極點 只千人、、勺為1.87GHz。在第9h闰士 直方向形成之第_ ^ έ 弟9b圖中，可發現當在垂 弟一幅射寄生元#赵 VSWR[2:1.2460]，由相册 件數目相加時，在點 1 91 sru ^v上極點形成之頻率大约為 1.915GHz，與第9a圖 、丰大力為 根攄此Μ 較，大約高4_z。 根據此、”。果’依據純至第 > 生輻射元件的增加數旦 。‘射疋件之第二寄 寬頻寬。 里可凋正夕層晶片天線的頻帶，並加 射元Γ:在：個晶片内同時實現饋送輻射元件和⑽ 射兀件，所以本發明之 吁生季田 特性，如在每—個H 片天線必須能夠調整不同的 身"士…： 内之互相輕合效應、互感、以及幸畐 、寸"Λ、’本發明將這些特性變成可應用位準。 GSI^tJT兄明报明顯可以得知，依據本發明，可安事在 GSM、DCS和BT终端奘罢L々 」女忒在 曰片夕於、、、袁 多頻帶多層晶片天線利用 二：件和雙寄生輻射元件所實現之多頻 们/ 的效果，所以頻率和頻寬之控制、阻抗 特性和輻射效率之增你、 — 抗 ★丄 輪射元件間之互感影響之降低均 可猎由調整雙寄生輕料- - ?田射兀件間之阻抗而獲得。 應了解的是，如上— 工所述貫施例和所附圖式僅是作為說 92662 17 1249267 明用且本發明係由下列由二主奎〜 歹J申巧專利乾圍所限定。此外，那些 所屬技術領域中具有诵堂知诉土 通吊知識者可在不背離本發明之範疇 與精神以及所附圖式中所姑山 飞r所棱出者之下進行不同的修改、附 加、和替代内容。 【圖式簡單說明】

弟1圖係顯示習知容爲B 咏 ^ ,夕層日日片天線之結構之示意圖； 弟2圖係顯示佑播士义 立θ · 康本舍明之多層晶片天線的結構之示 /¾•圖， 弟3圖係第2圖中之吝展曰 ^ 之夕層日日片天線的前視圖； 弟4圖係本發明之笼 咏 之乐一饋送輻射元件的示意圖； 弟5圖係顯示第4圖夕却 卜 Q之σ卩知A的放大示意圖； 第6圖係本發明之坌_ ^ 弟一饋迗輻射元件的示意圖； 第7圖係本發明之譬卑 _ ^ 又哥生兀件的放大示意圖； 弟8圖係顯示第7圖 hH S之。P伤B的放大示意圖；以及 弟9a和第9b圖係佑媸士㊇ 从 立 '依據本發明之晶片天線的VSWR书 性之示意圖。 ^ 〃 +， 【主要元件符號說明】 1021222330 接地金屬板 2〇 111、112、210饋送圖赛 饋送圖案延伸件 饋送圖案接地部 饋送部 第一輕射片 40 41、43 頻帶 第一饋送電極 100 第二輻射片 第一饋送輻射元件 饋送連接圖案 92662 18 113 110 1249267 第二連接圖案 第二饋送輻射元件 第二饋送電極 120、120a至120m 帶狀線 131、503 第一連接圖案 132、504 132a 至 1321 圖案 200 220 輻射圖案 300 400 第一寄生輻射元件 500 第二寄生輻射元件 第一圖案 下侧圖案 501 雙側圖案 501a 501b 第二圖案 502 510至590、595 寄生圖案 1311 第一垂直連接圖案 1312 第二垂直連接圖案 部份

1313、1322 水平連接圖案 1321 垂直連接圖案 A、B 19 92662

Claims (1)

1249267 十、申請專利範圍： 1. -種使用雙麵合饋送之多頻帶多層晶片天線，包括. 第-饋送輻射元件，包括一端連接至饋送線且另一 端連接至接地表面之第送電極，且 =著狀方向在第—平面形成，使該第—饋料= 件連接至第一饋送電極，以便令 弟饋运輻射元件且 有窆間蛇行線結構； 千/、 第二饋送輻射元件，連接至該第一 與該第-平面平行之第二平面上之二八饋：極之位於 、篆^ ^ 十囟上之邛知，以令該第二饋 k輻射兀件具有土面蛇行線結構； 、 第送電極，連接至該第—饋送電極之位於與該 弟一千面平行之第三平面上之部份； 以及弟寄生幸田射兀件，電性麵接至該第二饋送電極； 第二寄生輻射元件，電性耦接至該第一寄生輻射元 件且包括複數個寄生圖案。 2·如申請專利範圍第〗 該第一貞之夕頻T多層晶片天線，其中， 必乐饋达輻射元件包括： 以預定距離彼此隔開 複數個帶狀線；”開且^亥第一饋送電極平行之 ：連接圖案，將該複數個帶狀線中與該第-饋送 电極相鄰之帶狀線連接至第—饋送電極；以及 =一連接圖案’包括複數個圖案分別將該複數個帶 中兩兩相鄰之帶狀砷加 狀、、泉相連接，以形成該蛇行線結 92662 20 !249267 構。 3.'如申請專利第1項之多頻帶多層晶片天線，苴中， 该第-饋送輻射元件之第—饋送電極包括.’ :個饋送圖案，將該第—饋送圖案的一端連接至該 品、， 乐饋运圖案另一端連接至接地表 面，亚且係與該第一平面平行；以及 饋送連接圖案，用於連接該饋送圖案相鄰兩端，且 戎弟一饋送電極具有倒F形狀。 專利範圍第2項之多頻帶多層晶片天線，其中， "弟饋送輻射元件之第一連接圖案包括： 第一垂直連接圖案，係從該第—饋送電極—端向上 形成， 第一垂直連接圖案，係從該複數個帶狀線中與該第 -饋送電極相鄰之帶狀線—端向上形成；以及 —、，水平連接圖案’在與該第—平面平行但不同於該第 5 a :面之'、他平面上連接該第-和第二垂直連接圖案。 • ^青專利範圍第2項之多頻帶多層晶片天線，其中， 遠弟：饋送輻射元件之第二連接圖案包括： & '复數個垂直連接圖案，係從該複數個帶狀線的每一 端向上形成；以及 -複數個水平圖案’在與該第一平面平行但不同於該 I平面的另一個平面上連接該複數個垂直連接圖案 兩個彼此相鄰垂直圖案以作為—對垂直圖案，該複數 個水平圖案是互相分開而形成者。 92662 2] 1249267 • · 6 .如申睛專利II 該第iC多頻帶多層晶片天線，其中， 二饋送輕射平連接圖案係在形成有該第 極之第二平& 一平面以及形成有該第二饋送電 乐—十面間的平面形成。 7.如申請專利範圍第 該第-饋送幸H 曰片天線’其中， 成。 70牛之纟平連接圖案係以線性圖案形 申-月專利範圍第5 ㈣曰片天線，其中， 形成。 之水平連接圖案係以非線性圖案 9·如申請專利範 气宜^乾圍昂1項之多頻帶多層晶片天線，其中， 5亥弟二饋送輕射元件包括： 饋送圖案，與該第-饋送電極的—個圖案連接； 及 輕射圖案，盥兮笼 ^ 玄乐一 1貝迗電極其他圖案連接，以 有邊虼仃線結構。 10 ·如申請專利節 該第二於、、圍第3項之多頻帶多層晶片天線，其中 R安Γ貝达包極是沿著與該第—饋送元件的-個饋 圖案相同方向平行之方向形成。 口1貝 U_:;14專利範圍第1項之多頻帶多層晶片天線，其中 吁生輻射兀件係沿著與該第二饋送電極垂直 方向形成。 1 12.如申請專利範圍 斗μ 固弟1項之多頻π多層晶片天線，其中 田射兀件之複數個寄生圖案的每一個寄 92662 22 1249267 可王 回木包括位於該第一寄生輻射元鱼 輕射元件方向垂直之下側圖案。 一 士申。月專利|巳圍苐J項之多頻帶多層晶 导筮-令1 “ /、T ^弟一寄生輻射元件之複數個寄生圖案的每一個寄生 圖案均包括: _ 圖案，包括以預定距離從該第一寄生輻射元為

之兩側隔開而各有向與該第—寄生輻射元件成垂遣 方向形成之預定長度之第一圖案與第二圖案； =於該第一寄生輻射元件之下部而垂直於該第 。輻射兀件之方向之下侧圖案； 心連接圖案’連接該雙側圖案中之第—圖案之一 古而與该下側圖案之一姓 R ^ β ^ ^ 5亥第一連接圖案垂直於該第一 圖案及該下側圖案；以及 端盘t連接圖案，連接該雙側圖案中之第二圖案之-

-a:及：圖案之另—端，該第二連接圖案垂直於該第 —圖案及该下側圖案。 項之多頻帶多層晶片天線，其 件之複數個寄生圖案係等距離分 14 ·如申請專利範圍第13 中，该第二寄生輻射元 開0 92662 23