TWI226484B - Pixel for a fringe field switching reflective and transflective liquid crystal display - Google Patents
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Description
1226484 ___案號92121543_年月曰 _ 修正__ 五、發明說明(1) 登所屬之技術領域 本發明係關於一種彎曲電場液晶顯示器,特別是有 關一種具有奈米級粗縫面且不須另外多加光罩數之彎曲 電場液晶顯示器像素。 先前拮输 在習知的彎曲電場(Fringe Field Switching ;FFS) 液晶顯示器(liquid crystal display ;LCD)中,電極是 ιτο,且為穿透式設計,而一般反射式的RTN(Reflective Twisted Nematic) TFT-LCD之反射層係由金屬構成,故 其反射面平滑,當光線照射到該反射面時產生鏡面反 ^,因此,使得視角受限’若要增加散射效果則需在該 加一層!機材料,例如,樹脂,以使該反射 數糙r◦道'r罩數多增;j罩 耐熱性不Γ約攝氏2 50⑨,且所形成之粗楚 =南低落差過大,在〇.5um亂一之間,因而造成粗光梭 m〜8=間使得反射光致率的降低,由理想的降到 之- Ξι場:粗糙面且不須多加光罩 發明內交 一種具有奈米級粗糙面
本發明目的之一,在於 曲電場液晶顯示器的像素。
1226484 ----^-^21543 车月日 修正 五、發明說明(2) " : 一" 本發,目的之一,又在於一種減少光罩數之彎曲電 場液晶顯示器的像素。 ^ ^本發明,一種彎曲電場液晶顯示器的像素,其 利用結晶及材料本身特性的關係於一基底上形成一具有 奈米級粗链面之微散亂層,接著再於該微散亂層上方形 成一與該粗輪面共形之反射層,因而使該反射層之表面 亦具有奈米級粗糙面,故在製程上不須多加光罩便可使 該反射層具有散亂效果,進而降低成本,再者,該粗糙 面係奈米級’所以光程差的變化較小,使得反射光效率 的提升’而且在散亂效果方面會有較大的散亂角度和平 緩的效果’即反射率不隨視角做劇烈變化,也有很好的 抗炫光效果。 實施方法 圖一係反射式液晶顯示器的像素1 〇 〇剖面圖,其包括 一薄膜電晶體102在一基底104上,一由透明導電層106及 絕緣層1 0 8所構成之微散亂層,其中透明導電層1 〇 6在基 底104上,其可以是I TO層或IZO層,而絕緣層108在透明 導電層106上,一金屬層110在該絕緣層108上,且金屬層 11 0與薄膜電晶體1 0 2之源/汲極係同一層金屬,係由高反 射率金屬構成,一護層112覆蓋該薄膜電晶體102及金屬 層110,一反射層在該護層112上由多個高反射率之條狀 金屬114所構成,該多個條狀金屬114亦可以是彎曲的, 一光學疊層116以及一水平配向液晶層118在該反射層及
1226484 __鎌92121543_年月日 條正___ 五、發明說明(3) 光學疊層1 1 6之間,其中光學疊層丨丨6至少包括一彩色濾 光片120以及一偏光膜124在彩色濾光片120上,且在彩色 渡光片1 2 0的前端具有一由黑色樹脂構成的黑色矩陣 126,且該彩色濾光片12〇不具有ιτο,其中絕緣層1〇8的 材質係選自氮化石夕、氧化石夕及氮氧化石夕等。 在圖一中的絕緣層1 〇 8係由物理、化學氣相沈積法等 製程來形成,當絕緣層1 〇 8在透明導電層1 〇 6上形成時, 由於材料本身特性的關係,在絕緣層1 〇 8形成時,同時形 成奈米級之粗糙面,因此,接著形成在絕緣層丨〇 8上的金 屬層110與其粗糙面共形,因而使得金屬層11〇亦具有奈 米級之粗糙面,同理,護層112與金屬層11()的粗糙面共 形而具有粗糖面,而條狀金屬114又與護層112之粗链面 共形,故該條狀金屬1 1 4能在不增加光罩的情形下,具有 奈米級粗糙面以提高散亂效果,故可降低成本。 本發明彎曲電場液晶顯示器之奈米級粗糙面的起伏 僅在lnra到5 0 0 nm之間,而其起伏間距在1〇nn^,jl5〇〇nm之 間(傳統約在5 - 2 Oum之間),因而使散亂角度更廣更均 勻,而且光程差編的變化約在〇· 1到〇· 5uin之間,進而提 升反射光效率。該微散亂層亦可由一晶種層搭配絕緣層 108 ’並經長晶製程而形成。 如圖一所示,相鄰的條狀金屬1 1 4之間具有一間隙 L,且每一該條狀金屬1 1 4具有一寬度w及厚度η,其間隙L 及寬度W的範圍在0· 3到15um之間,其厚度η的範圍在〇· 〇1 到2um之間,而旬及^分別為光學疊層ι16到反射層114及 護層1 1 2的平均胞元間隙(c e 1 1 g ap),其中該d2的範圍在
1226484 修正 案號 92121543 五、發明說明(4) 3到4.8um之間,而該旬及^比值的範圍在〇 45到1之門, 此外護層112的厚度在〇· 15到311111之間,其係.由氮化^、’ 氧^石夕或氮氧化矽構成。金屬層丨丨〇係為銀、鋁或其合金 等高反射率金屬,此外,該金屬層110亦可以是半金 屬。由於條狀金屬1 1 4和金屬層1 1 〇之間夾置護層丨丨2 =因 而具有儲存電容的效果,故不須另外設計儲存^容, 得像素1 0 0的開口率不被犧牲。 參照圖一,當加一電壓至該像素i 〇 〇時,在金屬層 1 1 0及條狀金屬1 1 4之間將產生一彎曲電場1 3 〇,扭轉&曰曰 層118中的液晶分子128,圖二係圖一之上視圖,其中條 狀金屬1 1 4的排列方向1 3 2與液晶分子1 2 8之定向^ (rubbing)方向134具有一夾角0 ,若所注入之液晶為負 型液晶時,該夾角0範圍在3到30度之間,若所注入之液 晶為正型液晶時,該夾角0範圍在6 0到8 5度之間,其中 條狀金屬114亦可以是彎曲的,如圖三所示,條狀金屬 1 14具有一偏折角度0在3到30度之間。 在本發明的像素1 0 0中,所灌注之液晶層以負型液„曰 較佳,該負型液晶之介係數心為_ 2 · 5到-7之間,而其雙 折射率An在0 · 0 2 7到0 · 1 1之間。 圖四係穿透反射式液晶顯示器的像素2 〇 〇,其與圖一 之像素1 0 0相似,兩者同樣包括一薄膜電晶體1 〇 2、一基 底104、一透明導電層106、一絕緣層1〇8、一護層112、 一由條狀金屬1 1 4所構成之部分反射層、一水平配向液晶 層118、一彩色濾光片120以及一偏光膜124,不同之處在 於像素200使用一透明導電層202來取代圖一像素1〇〇中之
1226484 SS—92121543
五、發明說明(5) ΐϊ :110*。:二前述’當絕綠層108在透明導電層106上 ί i而ΐ:ΐ ϊ本身特性的關係,將形成奈米級之粗 導Λ層=共形,故與護層112共形後的條狀】ί =在效不果增加光罩的情形下,具有奈米級之一 同樣地’該粗糙面的起伏在lnm到5〇〇ηπι之間,起伏 間距在1 0 nm到1 5 0 〇 nm之間,光程差⑽變化約在〇 j到 0.5U,之間,相鄰的條狀金屬114之間具有一間隙[及寬度 W的範圍在0· 3到15um之間,其厚度Η的範圍在〇· 〇1到211111 之間,4層1 1 2的厚度在〇 · 1 5到3 u m之間,平均胞元間隙 d2的範圍在3到4· 8um之間,而胞元間隙旬及1比值的範圍 在0.45到1之間。如圖四所示當提供一電壓至像素2〇〇 時,在透明導電層2 0 2及條狀金屬丨丨4之間將產生一 f曲 電場1 3 0 ’扭轉液晶層1 1 8中的液晶分子1 2 8 ,其中所注入 之液晶可以是正型或負型液晶,較佳者為負型液晶。 同樣地’由於條狀金屬1 1 4和透明導電層2 〇 2之間夾 置護層112 ’因而具有储存電容的效果,故不須另外設計 儲存電容,使得像素2 0 0的開口率不被犧牲。 圖五係本發明穿透反射式液晶顯示器的像素的第二 實施例,該像素210包括一薄膜電晶體丨02、一基底1〇4、 一由透明導電層106及絕緣層108所構成之微散亂層、一 護層1 1 2、一由條狀金屬1 1 4所構成之反射層、一水平配 向液晶層1 1 8、一彩色濾光片1 2 0、一偏光膜1 2 4以及黑色 矩陣126。其中薄膜電晶體102與微散亂層係在基底丨04 Μ
IHI 第10頁 1226484 案號 92121543 修正 五、發明說明(6) 上,反射層1 1 4在該微散亂層上,且與薄膜電晶體1 0 2的 源/汲極係同一層金屬,護層1 1 2僅覆蓋薄膜電晶體1 〇 2, 液晶層1 1 8夾置在反射層1 1 4及彩色濾光片1 2 0之間,偏光 膜1 2 4在彩色濾光片1 2 0上,而黑色矩陣1 2 6則在彩色濾光 片120的前端,以遮敝薄膜電晶體102。如同前述,由於 材料本身特性的關係,沈積在透明導電層1 〇 6上之絕緣層 1 0 8形成一奈米級的粗糙面,條狀金屬1 1 4又與護層1 1 2共 形,所以條狀金屬1 1 4在不多加光罩的情況下可以具有奈 米級之粗糙面,以提昇散亂效果。 圖六係另一穿透反射式液晶顯示器的像素的第三實 施例,像素3 0 0包括一薄膜電晶體30 2在一基底3 0 4上、一 絕緣層306在基底304上、一由透明導電層308及絕緣層 3 1 〇所構成之微散亂層,其中透明導電層3 〇 8夾置在絕緣 層306及310之間,其與薄膜電晶體3〇2之汲極3022係同一 層金屬、一反射層312在絕緣層310上,由多個高反射率 之條狀金屬所構成、一光學疊層3 1 4以及一水平配向液晶 層316夾置在光學疊層314及反射層312之間,光學疊層 31 4至少包括一彩色濾光片3丨8以及一偏光膜3 2 2在彩色濾 光片318上,且在彩色濾光片318的前端有一黑色矩陣〜 3 2 4 ’其中絕緣層3 1 〇的材質係氮化石夕或氧化秒。 =樣地,絕緣層310可由過物理、化學氣相沈積法等 ^程來形成,當絕緣層310在透明導電層3〇8上形成時, i ί ί料本身特性的關係,因而形成奈米級之粗糙面, 金屬312與絕緣層31〇之粗糙面共形,因此,不須 加光罩,條狀金屬3 1 2亦具有奈米級之粗糙面。 、 第11頁 1226484 _案號92121543_年月日 絛正 _ 五、發明說明(7) 上述實施例中所使用之薄膜電晶體亦可為C Μ 0 S電晶 體,如圖七所示,此實施例係以低溫多晶矽(L〇w Temperature Poly-Si ;LTPS)之像素400 為4範例,其包括 一 CMOS薄膜電晶體402在一基底404上、一絕緣層406在基 底404上、一由透明導電層408夾置在護層410及412之 間,該I T 0層與護層4 1 2構成微散亂層、一由條狀金屬4 1 4 所構成之反射層在護層412上,由多個高反射率之條狀金 屬所構成、一光學疊層416以及一水平配向液晶層418夾 置在光學疊層416及反射層414之間,光學疊層416包括一 彩色渡光片42 0、一黑色矩陣42 6以及一偏光膜424。 ^ 本發明之反射式液晶顯示器及穿透反射式液晶顯示 二的像素可應用在薄膜電晶體(Thin Film Transistor ; 、低溫多晶矽、薄膜二極體(Thin Fi lm Diode ; ED)及石夕基液晶顯示器(Uquid Crystal 〇n Silicon ; LCOS)等類型的液晶顯示器上。 以上對於本發明之較佳實施例所作的敘述係為闡明 =目的,而無意限定本發明精確地為所揭露的形式,基 j以f的教導或從本發明的實施例學習而作修改或變化 =:旎的,實施例係為解說本發明的原理以及讓熟習該 術者以各種實施例利用本發明在實際應用上而選擇 j j,本發明的技術思想企圖由以 申請專利範圍 及其均等來決定。
1226484 _:_案號92121543_年月曰 修正_ 圖式簡單說明 對於熟習本技藝之人士而言,從以下所作的詳細敘 述配合伴隨的圖式,本發明將能夠更清楚地被瞭解,其 上述及其他目的及優點將會變得更明顯,其中: 圖一係本發明反射式液晶顯示器的像素剖面圖; 圖二為圖一之上視圖; 圖三為圖一之上視圖; 圖四係本發明穿透反射式液晶顯示器的像素之第一 實施例; 圖五係本發明穿透反射式液晶顯示器的像素之第二 實施例; 圖六係本發明穿透反射式液晶顯示器的像素之第三 實施例;以及 圖七係以CMOS為薄膜電晶體之像素剖面圖。 圖式標號說明 100 像素 102 薄膜電晶體 104 基底 106 透明導電層 108 絕緣層 110 金屬層 112 護層 114 條狀金屬 116 光學疊層
第13頁 1226484 _案號92121543_年月日 修正 圖式簡單說明 1 18 水平配向液晶層 120 彩色濾光片 124 偏光膜 126 黑色矩陣 128 液晶分子 130 電場 132 條狀金屬之排列方向 134 液晶分子1 2 8的定向方向 200 像素 210 像素 202 透明導電層 3 0 0 f 像素 302 薄膜電晶體 3 0 2 2 薄膜電晶體302之>及極 304 基底 306 絕緣層 308 透明導電層 310 絕緣層 312 條狀金屬 314 光學疊層 316 水平配向液晶層 318 彩色濾光片 322 偏光膜 324 黑色矩陣
第14頁 1226484 _案號92121543_年月日 修正 圖式簡單說明 4 0 0 像素 4 0 2 CMOS薄膜電晶體 4 0 4 基底 4 0 6 絕緣層 4 0 8 透明導電層 410 護層 412 護層 414 條狀金屬 416 光學疊層 418 水平配向液晶層 4 2 0 彩色濾光片 424 偏光膜 4 2 6 黑色矩陣
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Claims (1)
1226484 案號 92121543 年 月 曰 修正 六、申請專利範圍 1 . 一種彎曲電場反射式液晶顯示器的像素,包括: 一微散亂層,在一基底上,藉由材料本身特性具有 * 奈米級粗輕I面, 一金屬層,在該微散亂層上,與該微散亂層之粗糙 面共形而具有該粗糙面; 一反射層,在該金屬層上方,與該粗糙面共形而具 有該粗链面; 一光學疊層;以及 一水平配向液晶層,在該反射層及光學疊層之間。
2. 如申請專利範圍第1項之像素,其中該光學疊層至 少包括: 一彩色濾光片;以及 一偏光膜,在該彩色濾光片上。 3. 如申請專利範圍第1項之像素,其中該奈米級粗糙 面具有一起伏高度及間距。 4. 如申請專利範圍第3項之像素,其中該粗糙面的起 伏高度範圍在1 n m到5 0 0 n m之間。 5. 如申請專利範圍第3項之像素,其中該粗糙面的起 伏間距範圍在1 0 n m到1 5 0 0 n m之間。
6. 如申請專利範圍第1項之像素,其中該微散亂層至 少包括: 一透明導電層,在該基底上; 一絕緣層,在該透明導電層上,具有該奈米級粗糙 面〇
.第16頁 1226484 _案號92121543_年月 日 修正_ 六、申請專利範圍 7 .如申請專利範圍第6項之像素,其中該絕緣層係由 氮化矽、氧化矽或氮氧化矽構成。 8 .如申請專利範圍第6項之像素,其中該透明導電層 係 ITO 或 IZO 〇 9.如申請專利範圍第1項之像素,其中該微散亂層至 少包括一具有該奈米級粗糙面之絕緣層。 1 0.如申請專利範圍第9項之像素,其中該絕緣層係 由氮化矽、氧化矽或氮氧化矽構成。 Π .如申請專利範圍第1項之像素,其中該微散亂層 至少包括一晶種層及一具有該奈米級粗糙:面之絕緣層。 1 2.如申請專利範圍第1 1項之像素,其中該絕緣層係 經長晶製程形成。 1 3.如申請專利範圍第1項之像素,其中該反射層係 多個條狀金屬組成。 1 4.如申請專利範圍第1 3項之像素,其中每一該條狀 金屬具有一寬度在0. 3到15um之間。 1 5.如申請專利範圍第1 3項之像素,其中該相鄰條狀 金屬之間具有一間距在0 . 3到1 5 u m之間。 1 6.如申請專利範圍第1 3項之像素,其中該多個條狀 金屬係彎曲的。 1 7.如申請專利範圍第1 6項之像素,其中每一該彎曲 條狀金屬具有一偏折角度在3到3 0度之間。 1 8 ·如申請專利範圍第1 3項之像素,其中該多個條狀 金屬係高反射率金屬。
第17頁 1226484 __ 案號92121543_年月日 修正 _ 六、申請專利範圍 1 9.如申請專利範圍第1 3項之像素,其中每一該條狀 金屬具有一厚度在0 . 0 1到2 u m之間。 2 0 .如申請專利範圍第1項之像素,其中該金屬層係 由銀、紹或其合金之高反射率金屬。 2 1 .如申請專利範圍第1項之像素,其中該金屬層係 半透式金屬。 2 2 .如申請專利範圍第1項之像素,更包括一護層夾 置在該反射層及金屬層之間。 2 3.如申請專利範圍第2 2項之像素,其中該護層具有 一厚度在0 . 1 5到3 u m之間。 2 4.如申請專利範圍第2 2項之像素,其中該護層包含 氧化矽或氮化矽。 2 5.如申請專利範圍第1項之像素,其中該液晶層具 有一光程差在0.1到〇.5um之間。 2 6.如申請專利範圍第1項之像素,其中該液晶層係 負型液晶。 2 7.如申請專利範圍第2 6項之像素,其中該液晶層中 之液晶分子具有一定向方向在3到3 0度之間。 2 8.如申請專利範圍第1項之像素,其中該液晶層係 正型液晶。 2 9.如申請專利範圍第2 8項之像素,其中該液晶層中 .之液晶分子具有一定向方向在6 0到8 5度之間。 30.如申請專利範圍第1項之像素,更包括一薄膜電 晶體在該基底上,其源/汲極與該金屬層係同一層金屬。
第18頁 1226484 _;_案號92121543_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 3 1 .如申請專利範圍第2 6項之像素,其中該液晶層具 有一雙折射率在〇 . 〇 2 7到0 · 1 1之間。 3 2 .如申請專利範圍第2 6項之像素,其中該液晶層具 有一介電係數在-2 · 5到-7之間。 3 3.如申請專利範圍第2項之像素,更包括一由黑色 樹脂所構成之黑色矩陣於該彩色濾光片的前端。 34. 如申請專利範圍第22項之像素,其中該光學疊層 與反射層之間具有第一胞元間隙,該光學疊層與護層之 間具有第二胞元間隙。 35. 如申請專利範圍第34項之像素,其中該第一胞元 間隙與第二胞元間隙的比值在0. 4 5到1之間。 36·如申請專利範圍第34項之像素,其中該第二胞元 間隙的範圍在3到4 . 8 u m之間。 3 7.如申請專利範圍第2 2項之像素,其中該反射層、 護層及金屬層形成一儲存電容。 3 8. —種彎曲電場穿透反射式液晶顯示器的像素,包 括: 一微散亂層,在一基底上,藉由材料本身特性具有 一奈米級粗链面; 一部分反射層,在該微散亂層上方,與該粗糙面共 形而具有該粗縫面; 一光學疊層;以及 、一水平配向液晶層,在該部分反射層及光學疊層之 間0
1226484 _案號92121543_年月日 修正_ 六、申請專利範圍 3 9 .如申請專利範圍第3 8項之像素,更包括一透明導 電層該微散亂層及部分反射層之間,與該微散亂層之粗 糙面共形而具有該粗糙面。 4 0 .如申請專利範圍第3 9項之像素,更包括一薄膜電 晶體在該基底上,其源/汲極與該透明導電層係同一層金 屬。 4 1 .如申請專利範圍第3 8項之像素,更包括一薄膜電 晶體在該基底上,其源/汲極與該部分反射層係同一層金 屬。 4 2.如申請專利範圍第3 9項之像素,更包括一護層在 該部分反射層及透明導電層之間。 43. 如申請專利範圍第42項之像素,其中該護層具有 一厚度在0 . 1 5到3 u m之間。 44. 如申請專利範圍第42項之像素,其中該護層包含 氧化矽或氮化矽。 4 5.如申請專利範圍第3 8項之像素,其中該奈米級粗 糙面具有一起伏高度及間距。 46. 如申請專利範圍第45項之像素,其中該粗糙面的 起伏高度範圍在lnm到5 0 0 nm之間。 47. 如申請專利範圍第45項之像素,其中該粗糙面的 起伏間距範圍在1 0 n m到1 5 0 0 n m之間。 48. 如申請專利範圍第38項之像素,其中該微散亂層 至少包括: 一透明導電層,在該基底上;以及
第20頁 1226484 _案號92121543_年月日 修正_ 六、申請專利範圍 一絕緣層,在該透明導電層上,具有該奈米級粗糙 面〇 4 9 .如申請專利範圍第4 8項之像素,其中該絕緣層包 含氮化矽、氧化矽或氮氧化矽。 50.如申請專利範圍第48項之像素,其中該透明導電 層係ITO或IZO。 5 1 .如申請專利範圍第4 8項之像素,更包括一薄膜電 晶體在該基底上,其源/汲極與該透明導電層係同一層金 屬。 5 2.如申請專利範圍第3 8項之像素,其中該微散亂層 至少包括一具有該奈米級粗糙面之絕緣層。 5 3.如申請專利範圍第5 2項之像素,其中該絕緣層包 含氮化矽、氧化矽或氮氧化矽。 54.如申請專利範圍第38項之像素,其中該微散亂層 至少包括一晶種層與一具有該粗糙面之絕緣層; 5 5.如申請專利範圍第5 4項之像素,其中該絕緣層係 經長晶製程形成。 5 6.如申請專利範圍第3 8項之像素,其中該部分反射 層包含多個條狀金屬。 5 7.如申請專利範圍第5 6項之像素,其中每一該條狀 金屬具有一寬度在0.3到15um之間。 5 8.如申請專利範圍第5 6項之像素,其中該相鄰條狀 金屬之間具有一寬度在0 . 3到1 5um之間。 5 9.如申請專利範圍第5 6項之像素,其中每一該條狀
第21頁 1226484 _案號92121543 年月日 修正_ 六、申請專利範圍 金屬具有一厚度在0.01到2um之間。 6 0 .如申請專利範圍第5 6項之像素,其中該多個條狀 金屬係彎曲的。 6 1 .如申請專利範圍第6 0項之像素,其中每一該條狀 金屬具有一偏折角度在3到3 0度之間。 6 2 .如申請專利範圍第5 6項之像素,其中該多個條狀 金屬係高反射率金屬。 6 3.如申請專利範圍第3 8項之像素,其中該液晶層具 有一光程差在0 · 1到0 . 5 um之間。 6 4.如申請專利範圍第3 8項之像素,其中該液晶層係 負型液晶。 6 5.如申請專利範圍第6 4項之像素,其中該液晶層中 之液晶分子具有一定向方向在3到30度之間。 6 6.如申請專利範圍第3 8項之像素,其中該液晶層係 正型液晶。 6 7.如申請專利範圍第6 6項之像素,其中該液晶層中 之液晶分子具有一定向方向在6 0到8 5度之間。 6 8.如申請專利範圍第3 8項之像素,其中該部分反射 層包括: 一反射區,與該光學疊層之間具有第一胞元間距; 以及 一透光區,與該光學疊層之間具有第二胞元間距。 69.如申請專利範圍第64項之像素,其中該第一胞元 間距與第二胞元間距的比值範圍在0. 45到1之間。
第22頁 1226484 _案號92121543 _年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 7 0 .如申請專利範圍第6 4項之像素,其中該第二胞元 間距的範圍在3 u m到4 . 8 u m之間。 7 1 .如申請專利範圍第6 4項之像素,其中該液晶層具 有一雙折射率在〇 . 〇 2 7到0 · 1 1之間。 7 2 .如申請專利範圍第6 4項之像素,其中該液晶層具 有一介電係數在_ 2 · 5到-7之間。 7 3.如申請專利範圍第3 8項之像素,其中該光學疊層 至少包括: 一彩色濾光片;
一黑色矩陣,由黑色樹脂構成,在該彩色濾光片的 前端;以及 一偏光膜,在該彩色濾光片上。 74.如申請專利範圍第2 2項之像素,其中該反射層、 護層及金屬層形成一儲存電容。
第23頁
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