TWI220783B - A semiconductor device having a heat-dissipating structure - Google Patents
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Description
1220783 五、發明說明（1) [發明領域] 尤指一種具散熱件以 本發明係關於一種半導體裝置， 提升散熱效率之半導體裝置。 [發明背景] & 隨著半導體製程技術不斷進步，晶片的處理逮度與功 月曰b要求亦隨之提昇，伴隨而至之問題乃在於如何有效逸散 晶片運作時產生的熱量，以維繫半導體裝置之信賴性。以 球拇陣列封裝（BGA)之半導體裝置為例，如2D、3D%圖晶 片（Graphic Chip)、晶片組（Chipset)、中央處理器（cpu) 與主記憶裝置用記憶體上，均具有高數量之輸入/輸出 11 / 〇 )連結端以因應高度積集化之半導體晶片所需，如果 散熱問題未能有效解決，勢將嚴重影響此些裝置的使用效 能0 對BGA半導體裝置而言，傳統之散熱路徑係由晶片、 銀膠、基板至基板下方之導熱銲球（Therma丨Ban)而傳遞 至外界，或由晶片經由包覆晶片之封裝膠體（EncapsuUnt 〇r Molding Body)而傳遞至外界。是種散熱路徑甚長，且 政熱效率亦往往不足’為解決此散熱效率問題，一般在傳 統BG A半導體裝置結構上常增設一以銅或鋁製成的外露型 散熱件（Heat Slug)，如第7圖所示，以使晶片產生的熱量 付藉政熱件之外4表面而直接傳遞至外界，以提高封裝件 的散熱效能。 然上述没置有散熱件之半導體封裝件雖可有效改善散 熱效率，但傳統内傲式散熱件（Embedded Heat Sink)並
1220783 五、發明說明（2) 未與晶片直接接觸，導致晶片產生的熱量須要經過導熱性 差之封裝膠體才能傳遞至散熱件，是以此種型態之半導體 裝置其散熱效率仍緩不濟急。為解決此一問題，遂有使散 熱件與晶片直接接觸之半導體裝置之提出，以使晶片產生 之熱量可直接經散熱件散逸至外界，而毋須經由封裝膠體 ，遞。美國專利第5, 977, 626號案即揭示此種散熱效率較 高的半導體裝置，如第8圖所示，該半導體裝置大致上係 包括一基板31、接合於該基板31上之晶片32、黏著於該晶 片32上之散熱件33，以及用於包覆住基板31、晶片32與散 熱件33之封裝膠體34。由於以導熱性佳之材料製成的散熱 件33乃與該晶片32直接接觸，並具有外露出該封裝膠體34 =表面，故可將晶片32產生之熱量直接藉該散熱件33之外 路表面散逸至大氣，該散熱件33之表面上亦可外接熱管 (Heat Pipe)或風扇（Fan)等散熱裝置（未圖示），以進一步 提升散熱效率。 上述半導體裝置雖可大幅提昇散熱效率，惟在進行形 成該封裝膠體之模壓作業（Molding Process)中，如第9圖 所不’封裝模具（Mold)於合模後，若散熱件33頂面33〇 至基板31上表面310間之南度Η超過封裝模且35之模穴 (Mold Cavity) 35 0深度h，則封裝模具35之頂面51會壓迫 至散熱件33，而導致晶片32為散熱件33所壓裂；反之，若 散熱件33之頂面330至基板31之上表面31〇間之高度η小於 模穴35 0之深度h，則形成該封裝膠體34之封裝樹脂會溢膝 於該散熱件33之頂面330上’而影響製成品之外觀，並會
1220783 五、發明說明（3) 減少政熱之面積；且若予以溢膠（Flwh)去除之處理，則 會提高封裝成本並導致製程複雜度增加。再者，欲有效控 制散熱件3 3頂面3 3 0至晶片3 2上表面3 2 0間之高度η相當於 模穴350之深度h，則散熱件33之製作精密度則須提升，而 提高封裝產品的製造成本。故習知半導體裝置實仍存有亟 待改良之問題’如何使散熱件得直接與晶片接觸以提升散 熱效率’而又能避免上述問題之發生，乃成一亟待解決之 課題。 [發明概述] 因 接觸晶 露之表 本 接觸’ 本 無溢膠 為 半導體 體晶片 件；一 該第一 底面位 該第一 一與半 此，本 片，以 面而逸 發明之 而無晶 發明之 之虞的 達前述 裝置， ;多數 具有第 散熱件 於該半 散熱件 導體晶 發明之一目的即在提供一種 產生之熱 中的具散 該基板上 之上方， 半導體晶 觸之基部 量可直接 熱結構之 種散熱結 熱結構之 種散熱結 體裝置。 明所提供 一接合於 板與半導 熱件之散 ’而使該 以供該第 片間，且 ，以及多 使晶片所 散至大氣 另一目的在提供一 片碎裂之虞的具散 再一目的在提供一 具散熱結構之半導 及其它目的，本發 係包括：一基板， 用以電性連接該基 一散熱件及第二散 係接置於 導體晶片 之底面與 片直接接 經過散熱結構外 半導體裝置。 構與晶片之直接 半導體裝置。 構之外露表面上 之具散熱結構的 該基板上之半導 體晶片之導電元 熱結構，其中， 第一散熱件之_ 二散熱件夾置於 該第二散熱件具 數之一端係以可
1220783 五、發明說明（4) 撓方式連接至該基部上而另一端乃以可滑移方式抵接至第 一散熱件之底面上的翼部；以及一用以包覆該半導體晶 片、導電元件及散熱結構之封裝膠體，並使該散熱結構之 第一散熱件的一頂面外露出該封裝膠體。 該第二散熱件之翼部宜與其基部一體成型，且各翼部 之間彼此間隔一適當距離，以在該第二散熱件夾設於第一 散熱件之底面及半導體晶片間後，各翼部得各自相對於該 基邛而偏動，同時，各翼部宜由其與基部相連接之端向上 朝外傾斜延伸，以在該翼部受第一散熱件壓動時，翼部與 第一散熱件之底面抵接之端得能朝外微動，以釋除第一散 熱件傳遞而來之壓力，故可避免與第二散熱件直接黏接之 半導體晶片受損。亦即，藉由第二散熱件之翼部具可彈性 變形的特性，有效解決散熱結構因製造精度不足而導致與 之直接相接之半導體晶片於合模時受壓而裂損的問題，且 因無散熱結構之高製造精度的要求，亦可降低製造成本， 復可藉㈣二散熱件對第—散熱件之彈性支撐，使該第一 散熱件之頂面於模壓製程完成時無溢膠產生。 [發明之詳細說明] 以下錄以較佳具體例配合附圖詳細說明本發明之特點 及功效： 如第1圖所示，本發明 導體裝置1係包括一基板1〇 於該基板10之上表面100上 板1 0與晶片1 2間之金線1 3， 較佳實施例之具散熱結構的半 ’以銀膠等習用黏著劑1 1黏接 之晶片12，多數導電連接該基 分別與該晶片1 2及基板1 〇接連
1220783 五、發明說明（5) 之散熱結構14，包覆住該基板10、晶片12、金線13及部份 散熱結構14的封裝膠體15，以及多數之植接於該基板1〇之 下表面101上的錫球16。 該散熱結構14係由第一散熱件14a及第二散熱件14b所 構成者，且第一散熱件14a及第二散熱件14b均係由導熱性 佳之如銅或鋁等金屬材料製成者。該第一散熱件14a具有 供該第一散熱件1 4a接置於該基板10之上表面1〇〇上之支撐 部140a以及與該支揮部140a—體成型之平坦部141a，該平 坦部141a係由該支撐部140a撐起一預定高度，而使該平坦 部141a位於該晶片12之上，且不致接觸至金線13,並在該 封裝膠體15成形後，該平坦部141a之頂面142a得外露出該 封裝膠體15。而該第二散熱件14b則具有一與該晶片12相 接之基部1 4 0 b及多數片由該基部1 4 0 b侧邊朝上向外傾斜延 伸之翼部141b，如第1及2圖所示，以使該第二散熱件14b 藉該基部1 4 0 b以習用之絕緣導熱膠體1 7黏接至該晶片1 2上 後，各該翼部141b得可滑移地抵接至該第一散熱件1“之 平坦部141a的底面143a上，而使該第二散熱件14b央置於 晶片12與第一散熱件14a之平坦部141a的底面143a間，俾 供該晶片1 2所產生之熱量得經由與該晶片直接黏結之第二 散熱件14b的翼部141b傳遞至該第一散熱件14a，再從該第 一散熱件14a之平坦部14la外露出封裝膠體15的頂面142a 直接逸散至大氣中。此種封裝結構之散熱途徑毋須經過導 熱效果不佳之封裝膠體15，遂能有效提升散熱效率，而解 決習知BGA半導體裝置散熱效率不足之問題。
16903.ptd 第10頁 1220783 五、發明說明（6) 同時，該第二散熱件i 4b之翼部1 4 1 b彼此之間係間隔 一適當距離，因此相對於與其連結之基部14〇b得向外撓曲 變形’亦即，如第3圖所示，該第二散熱件1 4b藉其基部 14〇b黏接至晶片12上後，將第一散熱件14a黏接於基板1〇 之上表面100上時，若第一散熱件14a之平坦部141a的底面 143a至晶片12的上表面ι2〇間的距離^小於第二散熱件14b 與絕緣導熱膠17之高度和，則第一散熱件1“之平坦部 141a會施壓於與其底面143a抵接之翼部Ulb，使翼部Ulb 在保持與第一散熱件1 4a相接之狀況下朝外偏移；此種可 撓變形的特性提供一釋除第一散熱件1“傳遞壓力至晶片 12之機制’故可有效避免晶片12因受壓而裂損之狀況發 生。同理’如第4圖所示，當該基板1〇上已黏接有晶片12 及散熱結構14之結構體置於模具18之模穴18〇中進行形成 封裝膠體15之模壓作業時，若該第一散熱件1乜之平坦部 141a的頂面142a至基板1〇之上表面ι〇0的高度^略大於該 模穴180之深度H2’模具18之内頂面181即會下壓該第一散 熱件14a之平坦部141a，使平坦部141a亦會連帶地壓動與 之抵接之第二散熱件14b的翼部141b，而令該翼部141b會 再度朝外偏移’以釋除傳遞至該第二散熱件1“之壓力， 而不致使晶片1 2受損。因而，本發明之散熱結構丨4除能直 接黏結至晶片1 2上以有效逸散晶片J 2產生之熱量外，亦能 藉由該第二散熱件14b之翼片141b所具之可撓變形的特 性’在散熱結構14與基板1〇之接置作業或形成封裝膠體15 之模壓作業時’不致發生晶片丨2因受壓而裂損之問題。
16903.ptd 第11頁 1220783 五、發明說明（7) *該第二散熱件14b之翼部141b與第一散熱件ua相抵接 之端處復可形成一延伸部142b (如第2圖所示），以增加 與第一散熱件14a之底面143a接觸之面積，俾提升第一散 熱件14a與第二散熱件14b間之散熱效率。再者，該翼部 l4lb與第一散熱件14a之底面14 3a抵接之位置宜與第一散 ^件14a之支撐部140a及平坦部141a的相接連處相隔一適
當距離，以使該翼部141b撓彎變形時具有足夠之移位* 間。 I 該第二散熱件14b之基部140b的形狀除為圖示之方形 外’復可為其它如圓形、八角形等之幾何形狀，無特別限 制，而與該基部140b—體連結之翼部141b之數量則可隨^ 部140b之形狀予以變化。而該基部14〇b之大小亦無特^ & 制，但為增加散熱效率，宜增大晶片丨2與基部丨4〇b相接^ 之面積，然須以不干涉金線13與晶片12銲接之範圍為限。 此外，該翼部141b除圖示之朝基部i4〇b之外部傾斜 伸’亦可朝基部140b之内部伸展，只要其可撓變形之特 仍可發揮者均包含於此翼部141b之適用範圍。同時，如 5圖所示’該晶片12’與基板1〇’之電性連結亦可藉多數 錫凸塊（SolderBumps)13’為之。 該基板上復可黏置有兩個以上之晶片，如第6圖所 示’該基板10"上黏置有二晶片12a”、12b"，此時，該一 晶片1 2 an、1 2 bπ上則分別黏結有一第二散熱件丨4 b "，且談 第二散熱件14b”可共同彈性抵接至一第一散熱件14a"。一 以上所述者，僅為本發明之具體實施例而已，其它任
16903.ptd 第12頁 1220783 五、發明說明（8) 何未背離本發明之精神與技術下所作之等效改變或修飾， 均應仍包含在下述專利範圍之内。 IHiil 16903.ptd 第13頁 1220783 圖式簡單說明 [圖示簡單說明] 第1圖係本發明第一實施例之半導體裝置之剖視圖； 第2圖係第1圖所示之較佳實施例中，該散熱結構之上 視圖； 第3圖係第1圖所示之半導體裝置模壓前後之狀態示意 圖； 第4圖係本發明半導體裝置於模壓製程合模時之剖視 圖； 第5圖係本發明另一實施例之半導體裝置之剖視圖； 第6圖係本發明再一實施例之半導體裝置之剖視圖； 第7圖係習知具散熱結構之半導體裝置之剖視圖； 第8圖係美國專利第5, 9 77, 62 6號案之半導體裝置之剖 視圖，以及 第9圖係第8圖所示之半導體裝置於模壓製程中之剖視 圖。 [圖式符號說明] 1 半導體裝置 10 基板 1(Γ 基板 100 上表面 11 黏著劑 12 晶片 12a’ 晶片 12a” 晶片 12bf, 晶片 120 上表面 13 金線 13’ 銲錫凸塊 14 散熱結構 14a 第一散熱件 14an 第一散熱件 14b 第二散熱件
16903.ptd 第14頁 1220783
圖式簡單說明 14bn 第二散熱 件 140a 支撐部 140b 基部 141a 平坦部 141b 翼部 142a 頂面 142b 延伸部 143a 底面 15 封裝膠體 18 模具 180 模穴 31 基板 310 基板上表 面 32 晶片 320 上表面 33 散熱件 330 頂面 34 封裝膠體 35 封裝模具 350 模穴 51 頂面 Η 高度 h 深度 W! 距離 w2 南度和 16903.ptd 第15頁
Claims (1)
1220783 六、申請專利範圍 1. 一種具散熱結構之半導體裝置，係包括： 一基板； 至少一晶片，係電性連接至該基板； 一散熱結構，其由一第一散熱件及至少一第二散 熱件所構成，其中，該第一散熱件具有一頂面及一相 對之底面，以在該第一散熱件接置於基板上時，其底 面係位於該至少一晶片之上方，而該第二散熱件則具 有一基部及多數與該基部可撓地連接之翼部，以在該 第二散熱件之基部接置於該晶片上時，該翼部係可滑 移地抵接至該第一散熱件之底面上，而使該第二散熱 件夾置於該第一散熱件之底面及晶片間；以及 一封裝膠體，用以包覆該晶片及散熱結構，但使 該散熱結構之第一散熱件的頂面外露出該封裝膠體。 2. 如申請專利範圍第1項之具散熱結構之半導體裝置，其 中，該基板上復植接有多數之銲球以供該晶片與外界 電性導接。 3. 如申請專利範圍第1項之具散熱結構之半導體裝置，其 中，該第二散熱件之基部係與翼部一體成型者。
4. 如申請專利範圍第1項之具散熱結構之半導體裝置，其 中，該第二散熱件之翼部係由該基部之邊緣朝上向外 延伸者。 5. 如申請專利範圍第1項之具散熱結構之半導體裝置，其 中，該第二散熱件之翼部係由該基部之邊緣朝上向内 延伸者。
16903.ptd 第16頁 1220783 六、申請專利範圍 6. 如申請專利範圍第1項之具散熱結構之半導體裝置，其 中，該第二散熱件之各翼部與第一散熱件之底面抵接 之端處係形成有一延伸部。 7. 如申請專利範圍第1項之具散熱結構之半導體裝置，其 中，該第一散熱件係具有一平坦部及與該平坦部一體 連設之支撐部，以由該支撐部與基板相接後，將該平 坦部撐高於基板上之一預設高度，而使該第一散熱件 與晶片間形成一可收納該第二散熱件之空間。 8. 如申請專利範圍第1項之具散熱結構之半導體裝置，其 中，該第一散熱件及第二散熱件係由導熱性佳之金屬 材料製成者。 9. 如申請專利範圍第1項之具散熱結構之半導體裝置，其 中，該晶片係藉金線與基板電性連接。 10. 如申請專利範圍第1項之具散熱結構之半導體裝置，其 中，該晶片係藉銲錫凸塊與基板電性連接。 11. 如申請專利範圍第1項之具散熱結構之半導體裝置，其 中，該第二散熱件係藉絕緣導熱膠與晶片相連接。
16903.ptd 第17頁
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103811359A (zh) * | 2012-11-13 | 2014-05-21 | 矽品精密工业股份有限公司 | 半导体封装件的制法 |
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2002
- 2002-08-26 TW TW091119227A patent/TWI220783B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103811359A (zh) * | 2012-11-13 | 2014-05-21 | 矽品精密工业股份有限公司 | 半导体封装件的制法 |
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| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |