TW581881B - Polarization-optical compensated objective - Google Patents
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Description
A7 五 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 v發明説明(/) 【發明背景說明】 本發明係有關一種偏据φ風舍 氺爲 > 掃先予補彳員物鏡。其特徵為在感 先g上進行尚解析度微結構曝光_, A Λ , Λ 〇, 〇 傅曝九時,以向數值孔徑(例如 〇· 6-0.8)最為適當有利。 轉對光之偏振_轴旋 疋仏白偏振(如德國專利抓195 35 392 ) 及圓偏振,以及非偏振光。 因會產生受方向左右的效果,線偏振光不適合使用於 物鏡上。但當偏振方向之目標調整至結構方向時,則為一 例外。 當光在入射平面偏振且垂直於入射平面時,由於電磁 場與反射界面的不同交互作用,偏向鏡顯現出相關之光偏 移及相位移。 對於具有反折射分光器之德國專利DE 196 39 586 A (美國專利序说08/929,913 )及其引述之前案不須顧慮此 問題’因為其中所設置之偏振分光器必須採用線偏振之光 束,(偏振僅能在分光器之後才能被改變,例如採用一四 分之一波長板改變偏振)。 但對於Schupmann消色差改良型反折射投影物鏡而 20言,例如歐洲專利EP 0 736 789 A2 ,則須考慮偏振的情 況。 例如,歐洲專利EP 0 736 789 A2圖6及圖9中分別 顯示兩偏向鏡(MQ,M2; M2,M3),其中一偏向鏡(m2; m3)係用 於分離射向凹面鏡(Μ。之光束,光·束再由該凹面鏡射回。 請 先 閲 讀 背 之 注
I 10 旁 訂 15 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4規格(210X297公釐) 581881
另偏向鏡(M〇;Ma)使光柵及晶圓得以平行設置。倘若這 二偏向鏡被一在入射平面偏振且垂直於入射平面混合光束 照射時,例如非偏振、圓偏振、橢圓偏振或徑向偏振的光, 1^ 0 — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、 約9 〇之偏向造成兩偏振方向相關光束的側偏。這種 It开y毛生在兩個鏡面,其結果是造成欲成像於晶圓的光束 產生光路變化及位移,而使像變劣。 該影響雖小,但對於反折射投影物鏡而言,它會干擾 〇· 5 μιη以下區域範圍之解析度,亦干擾到深紫外線之波長。 基本上,在凹面鏡中這種情況也會發生,.但由於偏向 10角較小,故影響較小。 【本發明的發明目的】
5 1A 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ο 2 本發明之目的在於’使具有偏向鏡之物鏡所產生之成 像品質不受到光偏振性質之影響,尤其使得偏振能旋轉對 稱的分布。本目的對於深紫外線投影物鏡尤其重要。 而本發明之目的由申請專利範圍第1項所述之反折射 物鏡而達成。 本發明之起因是,在考慮高水準物鏡之成像品質時,尤 其是微石版印刷投影物鏡之成像品質時,偏向物鏡之偏振 影響不可被忽視。光在偏向鏡之入射平面產生不同之偏振, 形成相之位移及側偏令人重視,因為它們會使成像受到干 擾。 一個旋轉對稱於光軸(徑向或圓偏振)之偏振至少必須 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 10 15 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 20 581881 五、發明説明(3 設置在最後-物鏡到成像之間的光路中—尤其在大數值 孔徑5或更大的隸的情料—否㈣合輸入感光層 時則會產生方位角度之改變。 為補償偏振之影響可採用歪斜設置的鏡及相-校正介質 層。 在反折射系統中,曲面鏡會產生小角度偏差而須校正 其成像,對該曲面鏡而言,此種偏振干擾作用極小。但偏 向鏡的情況則不同。 申請專利範圍第2項至第5項及第11JS再次反映相關 概念在多個不同之較佳具體實施例中。申請專利範圍第6 至第10項及第12項至第15項為附屬項,亦為較佳具體實 施例。這尤其相關於建構具有Schupmann消色差改良型之 中間成像的深紫外線微石版印刷投影物鏡。本發明應用於 該型投影物鏡特別有利。 申明專利範圍第16項提出一種投影曝光設備,其有利 之進一步設計參見申請專利範圍第17至20項。重要的是, 投影物鏡光偏振狀態可有多種選擇性。 【以下將依據附圖詳細說明本發明】 圖1係設有歪斜偏向鏡物鏡的示意圖。 圖2a,2b係具歪斜偏向面之三稜鏡的示意圖 圖3係具有相校正層之物鏡的示意圖。 圖4係本發明投影曝光設備的示意·圖。 (210x297;^)" -----:-----#1— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 581881 五、發明説明(夕 【本發明之實施例詳細說明 第1圖係顯示-設有微石版印刷光罩(光柵)之物平面 卜-透鏡2、一第一平面偏向鏡3、一第二平面偏向鏡4、 -透鏡組5、—凹面鏡6、—第三平面偏向鏡7 (其可與偏 向鏡4共面結合)、一第四平面偏向鏡8、_第二透鏡组9、 -居間像平面IMI、一第四透鏡組1〇 (折射部份物鏡)及 一像平面IM,可將待曝光之具感光層的晶圓置於其上。 除了偏向鏡4及7外,配置相當於上述之反折射物鏡, 如專利EP 〇 736 789 A2所提出者。 但根據本發明設置之偏向鏡4及7,其入射平面與偏 向鏡3及8之平面非同在一平面上。最好是,使偏向鏡4 及7之入射平面垂直於偏向鏡3及8之入射平面。光束於 是依序通過三個不同平面且最好是互相垂直的方向。而上 述所提及對偏振之補償作用,藉由與其相對應的偏向,於 是在偏向鏡3, 4, 7, 8上所形成。因此,物鏡可以應用多種 偏振光。 為使製造及調整更加容易,兩偏向鏡4及7最好設計 成一個同平面的偏向鏡組。 圖2a及2b顯示一波羅稜鏡20之俯視圖及側視圖,其 反射面21及23可取代偏向鏡3及8,面22可取代偏向鏡 4及7。反射面21,22,23最好是設有一保護層。 兄 圖3顯示Of fner型反折射物簪,其在微石版印刷領域 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 頁 訂 10 15 20 -—_ 五、發明説明(r ) 3應7用:ί — 1:1投影物鏡。該物鏡亦具兩平面偏向鏡33, 及曲2 —物平面卜一像平面ιμ及一由透鏡組%,奶 1 4’ 36構成的光學系統,而成為—實用有利的配 罝0 習知之相校正介質薄層331,371在此處藉由偏向鏡 W之反射而可對特有之偏振作—㈣,而不 反 射7L件。 但相校正介質層對於光發散度大且波長短的情況時, 則有製造上之困難。因此’一般採用增設歪斜偏向鏡(或 波羅稜鏡),如圖i或2a,2b。 圖4顯示本發明投影曝光設備之整體示意圖。一光源 LS (最佳採用深紫外線激生分子雷射)、一照明光學元件 IL、一習知之具有支撐調整掃瞄單元丨丨之遮蔽罩丨,再與 平面偏向鏡3及補償鏡4,之投影物鏡8組合,因而可將一 曝光圖案產生在像平面IM_t之一物⑽上(如微電子電路 晶圓)。物0B同樣的亦連結至一支撐、調整、掃瞄單元ui。 影像光束LB由投影物鏡8以方位角中射出,對曝光 最有利的情況則A,在物0B之入射平面,光偏振之方位角 皆相同。這-補償作用則藉由本發明中利用偏向鏡3, 及例中之偏向鏡4’的偏振特性而達成。 本舍明配置特別適用於微結構之次微米範圍之大孔徑 物鏡(NA > 0.5),即使物之入射角極陡,亦可避免光耦合 輸入瑕疵發生。 請 先 閱 丨讀 背 面 之 注
I 尝 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐〉 581881 A7 B7 五、發明説明(6 ) 【圖號說明】 經濟部中央標準局員工消費合作社印裂 1 物平面,光罩 2 透鏡 5 3 第一平面偏向鏡 4 第二平面偏向鏡 4, 補償鏡 5 第一透鏡組 6 凹面鏡 10 7 第三平面偏向鏡 8 第四平面偏向鏡,投影物鏡 9 第二透鏡組 10 第四透鏡組 11 支撐調整掃瞄單元 15 20 波羅稜鏡 21, 22,23反射面 32, 35透鏡組 33, 37平面偏向鏡 34, 36 曲面鏡 20 331, 371 介質薄層 IM 像平面 IMI 居間像平面 0B 物 LS 光源 8 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 581881 A7 B7五、發明説明(7 )IL 照明光學元件Φ 方位角 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21 〇 X 297公釐)
Claims (1)
- 581881l · 一種反折射故^物鏡,尤其是微顯影投影物鏡,+ 面偏向鏡(37)及/或偏向稜鏡,其特徵在於,偏向鏡(37) 及/或偏射棱鏡藉其相對應之偏向而使偏振被補償而不為 偏振之影響。 & 2· —種設有一偏向鏡(3)之物鏡,其特徵在於,第一 偏向鏡(3)後接有一具非平行入射平面的第二偏向鏡(4), 藉以補償偏振。 ’ 3· —種具有光軸(0A)偏向之投影物鏡,其特徵在於,光轴 (0A)至少偏向三個非共面的方向。 4· 一種至少設有一偏向鏡(33)或一具薄層(331)的偏向三 稜鏡之毯i物鏡,其特徵在於,薄層(331)使在入射平面 偏振且垂直於入射平面的光在光幾何及相方面產生相同的 反射。 、 5· —種至少設有一偏向鏡(33, 3)之投影物鏡,其特徵在 於,藉該偏向鏡之反射,物鏡不受入射光偏振狀態影響, 而在光幾何及相方面具相同的特性。 6 ·如申清專利耗圍第2項到5項中至少一項所述之物鏡,其 特徵在於物鏡是一反折射物鏡。第10頁 2002. 07. 02. 006 581881 SS 88119510 修正 六、申請專利範圍 7 ·如申請專利範圍第1項至第5項中至少一項所述之物鏡, 其特徵在於物鏡具一中間影像。 8 ·如申請專利範圍第7項所述之物鏡,其特徵在於該物鏡 是Schupmann消色差改良型物鏡。 9 ·如申請專利範圍第8項所述之物鏡,其特徵在於物鏡係 作為深紫外線微顯影投影物鏡,尤其是對於波長1 〇 〇 - 2 5 0 nm ° 10·如申請專利範圍第9項所述之物鏡,其特徵在於物鏡具 一大於0 · 5,最好是大於〇 · 6,在成像側之數值孔徑。 11· 一種至少設有一偏向鏡(3)之物鏡,其特徵在於,在偏 向鏡(3)反射時藉由該反射對特有偏振予以補償。 1 2·如申請專利範圍第1 1項所述之物鏡,其中對偏振之 移予以補償。 13·根據申請專利範圍第項所述之物鏡,其特徵在 於後接之第一偏向鏡(4)進行補償。 二 14.如申請專利範圍第13項所述之物鏡,其中第一及第 偏向鏡(3,4)之入射平面彼此並非平行。第11頁 2002· 07. 02. 007 581881 Q\ ^ ) _案號88119510_(I年/月7曰 修正_ 六、申請專利範圍 1 5.如申請專利範圍第1 1或1 2項所述之物鏡,其中偏向鏡 覆有對特有偏振補償之薄層。 1 6 . —種微顯影投影曝光設備,設有具偏向鏡(3 )之投影物 鏡(P),其特徵在於,投影物鏡(P)之光為非線偏振,且由 投影物鏡(P)射至像場(I Μ)之光束(LB)的偏振狀態對入射 平面的方位角(φ)而言皆相等。。 1 7.如申請專利範圍第1 6項所述之投影曝光設備,其中投 影物鏡(Ρ)之實施係依據申請專利範圍第1至1 3項中至少一 項。 1 8.如申請專利範圍第1 6或1 7項所述之投影曝光設備,其 中投影物鏡(Ρ)之光為非偏振。 1 9.如申請專利範圍第1 6或1 7項所述之投影曝光設備,其 中投影物鏡(Ρ)之光為徑向偏振。 2 0 ·如申請專利範圍第1 6或1 7項所述之投影曝光設備,其 中投影物鏡(Ρ)之光為圓偏振。第12頁 2002.07.02.008
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102830500A (zh) * | 2012-09-10 | 2012-12-19 | 上海激光等离子体研究所 | 光束偏振旋转装置及偏振旋转方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3985346B2 (ja) | 1998-06-12 | 2007-10-03 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、投影露光装置の調整方法、及び投影露光方法 |
DE10229614A1 (de) * | 2002-06-25 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Katadioptrisches Reduktionsobjektiv |
DE10240598A1 (de) * | 2002-08-27 | 2004-03-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches Abbildungssystem, insbesondere katadioptrisches Reduktionsobjektiv |
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DE10338983A1 (de) | 2003-08-20 | 2005-03-17 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv für die Mikrolithografie |
JP5588176B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2014-09-10 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 傾斜偏向ミラーを有する反射屈折投影対物器械、投影露光装置、投影露光方法、及びミラー |
DE102009048553A1 (de) | 2009-09-29 | 2011-03-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Katadioptrisches Projektionsobjektiv mit Umlenkspiegeln und Projektionsbelichtungsverfahren |
CN108351443B (zh) | 2015-09-03 | 2020-12-11 | Asml荷兰有限公司 | 分束设备 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5546706A (en) * | 1978-09-29 | 1980-04-02 | Canon Inc | Phase difference reflecting mirror |
JPS60232552A (ja) * | 1984-05-02 | 1985-11-19 | Canon Inc | 照明光学系 |
US4746202A (en) * | 1985-07-11 | 1988-05-24 | Coherent, Inc. | Polarization preserving reflector and method |
US5253110A (en) * | 1988-12-22 | 1993-10-12 | Nikon Corporation | Illumination optical arrangement |
US5475491A (en) * | 1989-02-10 | 1995-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
JP2847883B2 (ja) * | 1990-03-30 | 1999-01-20 | 株式会社ニコン | 反射屈折縮小投影光学系 |
JP3747951B2 (ja) * | 1994-11-07 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系 |
JP3747958B2 (ja) * | 1995-04-07 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系 |
JPH09311278A (ja) * | 1996-05-20 | 1997-12-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JPH0756090A (ja) * | 1993-08-17 | 1995-03-03 | Topcon Corp | 走査型投影光学系 |
DE19535392A1 (de) * | 1995-09-23 | 1997-03-27 | Zeiss Carl Fa | Radial polarisationsdrehende optische Anordnung und Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage damit |
DE19637563A1 (de) * | 1996-09-14 | 1998-03-19 | Zeiss Carl Fa | Doppelbrechende Planplattenanordnung und DUV-Viertelwellenplatte |
DE19807120A1 (de) * | 1998-02-20 | 1999-08-26 | Zeiss Carl Fa | Optisches System mit Polarisationskompensator |
-
1998
- 1998-11-10 DE DE19851749A patent/DE19851749A1/de not_active Withdrawn
-
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102830500A (zh) * | 2012-09-10 | 2012-12-19 | 上海激光等离子体研究所 | 光束偏振旋转装置及偏振旋转方法 |
CN102830500B (zh) * | 2012-09-10 | 2015-03-18 | 上海激光等离子体研究所 | 光束偏振旋转装置及偏振旋转方法 |
Also Published As
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---|---|
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KR20000034918A (ko) | 2000-06-26 |
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EP1365264A2 (de) | 2003-11-26 |
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MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |