TW559953B - Substrate processing apparatus - Google Patents

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TW559953B
TW559953B TW091120134A TW91120134A TW559953B TW 559953 B TW559953 B TW 559953B TW 091120134 A TW091120134 A TW 091120134A TW 91120134 A TW91120134 A TW 91120134A TW 559953 B TW559953 B TW 559953B
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gas
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processing apparatus
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TW091120134A
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Takayuki Saito
Tsukuru Suzuki
Yuji Makita
Kaoru Yamada
Mitsuhiko Shirakashi
Original Assignee
Ebara Corp
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Description

559953 五、發明說明（1) ' ' [發明背景] [發明所屬之技術領域] 本發明係關於基板處理裝置與基板處理方法，而且更 北別地係關於適合高度潔淨地將半導體基板之外圍部份或 月面側#刻或清潔的基板處理裝置。 [先前技術] _近幾年來’注意力已經到例如將互連材料嵌入於半導 士亡板上之溝槽以开》成銅之金屬鑲嵌法（damascene )的 Ϊ ΐ。在該技藝中，已經同樣嘗試將具有高介電常數之電 谷器電極形成於半導體基板中。在任一情形中，將所希望 =金屬或金屬化合物藉由濺射或類似方式而澱積成薄膜於 一導體基板的表面上。此時，薄膜不僅澱積於半導體基板 的表面上，而且同樣地澱積於半導體基板之外圍部份以及 背面側的斜面部份。斜面部份與背面側之金屬或金屬化人 物的污染，導致自動控制支臂與閘盒的污染；該自動控制 支臂固持並移動半導體基板，而該閘盒則在傳送半導體基 板到下一加工處理步驟中的製程中，容納半導體基板。$ 後’金屬污染則遍及於全面L S I (大規模積體電路）的製 造製程。尤其是，因為銅具有到半導體基板上氧化石夕薄膜 内的高擴散係數，所以銅將造成極嚴重的問題於熱處理製 程中。 迄今為止’藉由從半導體基板的背面側，將氫氟酸或 氫氯酸以及過氧化氫的液體混合物供應到斜面部份，將氮 氣吹到半導體基板表面以預防液體混合物流到半導體基板
313977.ptd 第 10 頁 559953 五、發明說明（2) 表面，並且控制斜面部份之蝕刻深度，以清潔半導體基板 的斜面部份，已經成為習慣。 然而，上述製程的缺點是，必須供應大量氮氣以避免 液體混合物流到半導體基板表面，以及必須同樣地供應大 量的液體混合物以清潔斜面部份。由於水與氧氣的存在， 銅立即地形成了氧化物。銅形成氧化物的傾向在基板乾燥 的步驟中，變得更加特別地明顯。如此形成的銅氧化物主 要是氧化銅與碳酸銅的混合物，而且有可能會巨幅地增加 互連線的電阻率（比電阻）。 [發明内容] 本發明之目的乃在提供一基板處理裝置，係可有效地 處理基板的外圍部份，且可藉由供應相當小量的氣體來保 護基板。 本發明之另一目的乃在提供基板處理裝置，係可有效 地以相當小量的製程流體來處理基板的表面或背面側。 根據本發明之一態樣，本發明提供基板處理裝置，以 處理基板，包含：夾頭組件，用來握持並轉動基板；可關 閉箱室，收容夾頭組件於其中；氣體引入導管，用來將氣 體引入於箱室内；處理單元，一面將基板藉由夾頭組件來 轉動一面加工處理基板的外圍部份；以及第一供應通道， 用來將第一液體供應到處理單元。典型地，該基板是圓形 的。 該基板可以例如是半導體基板。可關明箱室典型地和 具有與外部空間隔絕之内部空間的箱室有關連。處理單元
313977.ptd 第11頁 559953 五、發明說明 應該較佳 面，外邊 面。第一 來清潔予 因為 可充填經 氣體時， 氣體替代 根據 處理基板 單元，用 轉動；第 平板，與 供應通道 保護基板 側與平板 平板 配置。平 低成相當 基板均勻 根據 可關閉箱 管，用來 箱室 (3) 地配置 緣及背 液體典 以蝕刻 可關閉 由氣體 箱室中 成處理基板之外部邊緣之同時處理其表 面。基板的外圍部份典型地架構成二^ 型地為蝕刻液體，但也包含蓋純 的基板。 M用 :J ί氣體引入導管，所以箱室内部就 而引入的氣體。當氣體包含惰性 虱虱就可予以沖除（移除）並且以惰性 本發明之另一 ，包含 來處理 一供應 基板表 ，用來 的氣體 之間的 可沿著 板對於 小的數 地接觸 本發明 室，將 將氣體 可具有 態樣，本發明提供基板處理裝置以 組件’用來固持與轉動基板；處理 外圍部份，將基板藉由夾頭組件來 用來將第一液體供應到處理單元； 背面側互相平行地配置；以及第二 基板外圍部份之第二液體以及用來 夕 方’供應到基板的表面或背面 表面與背面側的其中一者或兩者而 到間隙之第二液體或氣體的數量降 有效。平板也使第二液體或氣體與 的較佳態樣，基板處理裝置進一步包含： 夹頭組件收容於其中；以及氣體引入導 引入到箱室。 連接到氣體排放輸送管的氣體排放導管， :夾頭 基板之 通道， 面或者 將處理 中之至 間隙。 基板之 將供應 量而言
313977.ptd 第12頁 559953 五、發明說明（4) 並且同樣地具有在將基板裝入箱室以及從箱室卸除 動地開啟與關閉箱室之一部份的功能。 、、’自 基板處理裝置可具有用來將使用於處理單元中之 排放掉的液體排放導管，以及用來將供應到基板與平板間 之間隙之液體排放掉的液體排放導管。這些液體排放導管 可併成一支液體排放導管。 根據本發明的一較佳態樣，氣體引入導管包含：第一 氣體引入導管，係開啟於基板的表面；第一氣體喷嘴，係 連接到第一氣體引入導管；第二氣體引入導管，係開啟於 基板的背面側，而第一氣體引入導管與第二氣體引入導管 係各自獨立而彼此無關；以及第二氣體噴嘴，係連接到第 二氣體引入導管。 根據本發明之一較佳声矣 含：第一純水喷嘴，其係開 水喷嘴’係開啟於基板的背 純水喷嘴係各自獨立而彼此 述第一與第二氣體噴嘴而共 根據本發明之較佳態樣 酸的其中一者或兩者，或者 根據本發明之較佳態樣 酸的其中一者或兩者，或者 根據本發明之較佳態樣 的其中一者或兩者，以及交 根據本發明之較佳態樣 樣’基板處理農置進一步包 啟於基板的表面；以及第二純 面側’而第一純水喷嘴與第二 無關。這些純水噴嘴可藉著上 用。 ’第一液體包含無機酸與有機 氧化劑。 ’第二液體包含無機酸與有機 氧化劑。 ’该液體包含無機酸與有機酸 #供應的氧化劑。 ’該氣體包含惰性氣體。惰性
559953 五、發明說明（5) 氣體係氮氣或者譬如氬氣的貴重氣體（noble gas)。惰性 氣體係引入與基板接觸，以淨化氧氣，例如，以藉此保護 基板。 根據本發明之較佳態樣，處理單元蝕刻或清潔基板的 外圍部份。 根據本發明的另一態樣，本發明提供有處理基板之一 方法，包含：轉動基板；一面轉動著該基板而一面處理基 板的外圍部份；供應氣體於基板的四週；以及一面供應氣 體以圍繞基板而一面乾燥該基板。 應該較佳地在基板的表面、外部邊緣、以及背面側 上，同時地處理基板的外圍部份。該氣體應該較佳地供應 到基板的表面與背面側。當處理基板的外圍部份時，可將 包含無機酸與有機酸之其中一者或兩者的液體，供應到基 板的外圍部份。或者，可將包含氧化劑的液體供應到基板 的外圍部份。氧化劑包含水般的過氧化氫、臭氧水、或類 似物，而液體則包含這些氧化劑的至少其中之一者。氣體 可包含氮氣的惰性氣體，或者譬如氬氣的貴重氣體。 根據本發明的較佳態樣，該製程包含蝕刻或清潔基板 的外圍部份。 本發明之上述與其他目的、特徵、與優點則將參照作 為實例之本發明較佳具體實施例的附圖從以下的說明而變 得明顯。 [實施方式] 以下將參考附圖來說明根據本發明具體實施例而設計
313977.ptd 第14頁 559953 五、發明說明（6) 之基板處理裝置。在從 份係由類似或相同的參考數中而=或相同的部 說明太將，下文說明的較佳工：例 明；本發明並不受限於所1ΗΒ ΑΑ θ Α」/、係偟僅為了呪 d夕 爪於所祝明的具體實施例。 弟1圖係為一截面圖， &兮計的其榀_婶壯 ”，、員不根據本發明之具體實施例 ® %用於土其Γ太、置。在本具體實施例中，基板處理裝 置適用於一基板清潔袭i，以蝕刻並清潔譬如半導體曰圓 ,^ 衣1具有相室1 4，以及用來蝕刻盥清 潔放置於箱室14裡之晶圓的一機構。如第丨圖所示，箱室 1 4包含圓柱形的箱室外殼i 4a以及用來覆蓋箱室外殼i “上 端的箱室蓋子8。圓柱形的箱室外殼丨4a係垂直地延伸，而 箱室外殼14的下端則由底部面板14b所密封。箱室蓋子8具 有倒立杯子的形狀，並且覆蓋圓柱形箱室外殼丨4a上端。/、 圓柱形箱室外殼1 4a的上端以及箱室蓋子8的外部周圍係直 接地彼此接觸，從而將該箱室1 4的内部密封，以與外部空 間區別。 底部面板1 4 b係對於水平面而些微地傾斜。箱室1 4具 有一氣體/液體排放導管1 5，以將氣體與液體從箱室1 4排 放出來。氣體/液體排放導管1 5係連接到在底部面板1 4b之 連接部份的箱室外殼1 4a，以及箱室外殼1 4a，該導管係為 底部面板1 4 b傾斜的最低端。 箱室蓋子8具有一開口，係界定於其中央部份。箱室 1 4具有從界定於箱室蓋子8之中央開口垂直延伸的上軸桿 6。上軸桿6的凸緣6 a安裝在其上端。界定中央開口之箱室
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五、發明說明（7) ' -- 蓋；〇 石的上端，以及圓形凸後，总 性連拉如^ ^ y凸緣ba係經由波紋管形狀的撓 連接部7而以密封的方式彼此連接。 弓I入i車由=有一引入導管9,係界定為軸向地貫穿中心。 氣，^ 9適用於引入並供應一氣體進入箱室14,譬如氮 通道m氣：引入導管9亦可同樣地用作-供應 弓丨入邋S 1將月洗晶圓w之超純水供應到晶圓_表面。 官9的杈低端則當作面向晶圓w的喷嘴9 &。 此連:ί室ί t ΓΙ及上軸桿6係經由連接器（未顯示）而彼 垂直&，δ"連接裔允許箱室蓋子8以及上軸桿6能彼此相對 關巧”：卜連接器具有一促動器（未顯示），以相 波钕ΐ至盍子8而移動上軸桿6，以調整它們的相對位置。 :官形狀的撓性連接部7具撓性，以致於能吸 子8與上軸桿6之相對位置的改變。 與上上轴桿6具有為圓平盤型式的上圓盤1〇’該上圓盤係 下端轴彳干6之。下端水平地一體成形，或者安裝在上軸桿6之 曰 ^ °上圓盤1 〇的下表面水平地面對晶圓。較佳的形態 $上圓盤1 〇與晶圓w之間的間隙應該儘可能地小。間隙可 與彳曰】如從〇 · 5 m m至2 0 m m之間的範圍内做調整。在上圓盤1 〇 ^ M ^ ?之間的間隙係應該較佳地在從0 · 8至1 0 mm的範圍 ’或者更較佳地在從1至4mm的範圍内，以允許氮氣或超 、、水供給經過引入導管9，而均勻地流動遍及晶圓W的表 面 間隙之調整適合以相當小量的流體來處理或保護基板 的。該間隙可經由調整箱室蓋子8與上軸桿6的相對位 置而予以調整。
559953 五、發明說明（9) 的蝕刻單元，用來將圓形基板的斜面部份（亦即，外圍部 份）蝕刻。蝕刻單元的實例將於以下參考第2A圖至第2C圖 而來說明。第2 A圖係為一透視圖，係顯示滾筒夾頭1 a至1f 所固持的晶圓W與蝕刻單元2之間的關係，第2 B圖係為蝕刻 單元2的側視圖，而第2C圖係為蝕刻單元2的平面圖。第2B 圖與第2 C圖顯示蝕刻單元2以及靠近蝕刻單元2的一部份晶 圓W。 基板的外圍部份意味著在其周圍、不包含電路的區 域，或者在周圍、包含電路、但最終不當作晶片的區域。 典型地，在基板表面與背面側上外圍邊緣的角落則予以切 成斜角或作成圓角。因為斜角或圓角的外圍部份係成斜面 之型式，所以此部份則稱為基板的斜面部份。 如第2B圖所示，蝕刻單元2包含鉤狀的元件，以致於 能在晶圓W與鉤狀元件之間形成有間隙的狀態中，面對晶 圓W之外圍部份的表面與背面側。具體地，蝕刻單元2的上 懸臂2 a當作鉤狀元件的上水平部份，下懸臂2 c當作鉤狀元 件的下水平部份，而垂直接合2b則將上懸臂2a與下懸臂2c 互連，並且適用做鉤狀元件的垂直部份。因為鉤狀元件圍 繞晶圓W的外圍部份，所以就可在晶圓W之外圍部份的表面 上、外圍邊緣、以及背面側上同時將該晶圓W之外圍部份 予以I虫刻、清潔、乾燥，或者同時在其表面、外圍邊緣， 以及背面進行處理。當將晶圓W與鉤狀元件内部表面之間 的間隙設定為小，從蝕刻單元2所供應之加工流體的量就 可能減少，以致於它們將滲出到晶圓W上。
313977.ptd 第18頁 559953 五、發明說明（π) 的氧化還原電位差，武本 广 ςηπ w A者較佳地在對SHE (標準氫電極） 500mV(^伏）或更宾从― ^ ; 此情況下將之餘刻:生氣，還原，'差之酸性/境的如 SHE (標準氫電極）的冷液的乳化還原電位$大約為對 中，姓刻速率則甚至在^=因此’在只使用酸液的情形 j. ^ ^ 、日人 在0文》辰度增加的時候不會增加。盔认 如何，當酸混合氣仆為丨丨、，以 …、哬 痄目,1 4 ^ U ^ 增加氧化還原電位差時，蝕刻i# 度則會大幅地增加。^ ^ j迷 化劑之混合。酸盥盖各兔丨 又與虱 能為了相同目的；I:不一定要彼此互相混纟，但郤可 朴 卜 又4輪流地供應到金屬薄膜。 ^ % I二^ ，iA圖來做說明將酸與氧化劑當作液體而交替 輪流地施加到今凰、锋时，， ^ ^ 7 、 ’膜的結構。如第2A圖所示，做為開關 閥以供應酸液的電磁極 ϋ几如从♦义 钿作閥Sv 1，以及做為開關閥以供應 # 1q Μ 閥SV2糸彼此平行地放置於化學液體 導^吕的游側。電磁操作閥SV1以及電磁操作閥 由各/的供應通道，而共同地連接到化學液體 2 Ζ ^ ^ C。電磁操作閥SV1以及電磁操作閥SV2，係經由 電性連接$控制器30而控制用於開啟與關閉。 控制器30控制開啟與關閉電磁操作閥sn、sv2的時 間，以及開啟與關閉電磁操作閥SVb SV2的順序。所使用 之I液型恶與濃度，係取決於金屬薄膜的型態而選出。施 ^到蝕刻單元2之酸液與氧化劑的順序，以及施加酸液與 氧化剤到蝕刻單元2的時間，係設定於控制器3〇中，以致 使酸液與氧化劑可在希望的情形下替代地施加到蝕刻單元 2。控制器30可設定為同時地供應處於混合狀態的酸液與
559953 五、發明說明（13) 別之固定安裝在基座2 7上的支撐軸桿上。這些支撐軸桿延 伸經過界定在底部面板1 4b (未於第3圖中顯示）中的開 D 〇 中央滾筒夾頭1 b與其他滾筒夾頭1 a、1 c係分別經由驅 動皮帶1 9 a、1 9 b而可操作地予以連接。隨著此配置，當中 央滾筒夾頭1 b藉由馬達Μ而沿著一方向轉動時，滾筒夾頭 1 a、1 c則藉著驅動皮帶1 9a、1 9b而沿著相同方向轉動。馬 達Μ可耦合到滾筒夾頭1 a、1 c的任何一個，而非中央滾筒 夾頭1 b。 根據本發明另一具體實施例而設計之使用於基板處理 裝置的一蝕刻單元，將於以下參考第4A圖與第4B圖而說 明。 如第4A圖所示，蝕刻單元20包含上懸臂20a以及下懸 臂2 0 c，上懸臂2 0 a係水平地延伸並配置於晶圓W周圍部份 之上，下懸臂2 0 c係水平地延伸並配置於晶圓W周圍部份之 下。 如第4B圖所示，上懸臂20a的外部表面係連接到氣體 供應導管3a，以用來供應譬如氮氣之氣體而將晶圓W乾 燥，連接到超純水供應導管3b，以用來供應超純水而將晶 圓W清潔，並且連接到化學液體供應導管3 c，以用來供應 化學液體，例如氫氟酸或類似物，以將形成在晶圓W斜面 部份上的金屬薄膜蝕刻。氣體供應導管3 a、超純水供應導 管3b、以及化學液體供應導管3c係以沿著晶圓W轉動方向 上所謂逆流的順序而連續地予以配置，並且延伸經過上懸
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臂2 0a。這些供應導管3a、3b、3c的下端係各自地連接 五、發明說明（14) 面對晶圓W的氣體喷嘴3 1 a、超純水噴嘴3 1 b、以儿内 Λ及化學液 體喷嘴3 1 c。 如第4Α圖所示，與晶圓_隔遠之下懸臂20(：的外部表 面，係連接到液體棑放導管4，以將化學液體與超純水°的" 廢棄液體排放到箱室1 4的外部。液體排放導管4延伸經過 下懸臂2 0 c。 ^ ^ 上懸臂20a與下懸臂20C係藉著垂直接合（未顯示）而 互連，如在第2B圖中所示之蝕刻單元的例子。與晶Z物 隔遠之#刻單元2 0之垂直接合的外部表面，係經由轴桿 (未顯示）而連接到氣缸（類似第2 B圖中所示的氣缸f 。促動氣缸，以致於能經由軸桿而將蝕刻單元=朝向以 及遠離晶圓W地移動。隨著此種配置，當裝卸晶圓j钱 刻單元2 0可遠離晶圓界地縮回。 以下參考 實施例而設計 如第5A圖 形式的化學液 斜面部份而予 至1 f所支撐。 桿，伺服馬達 固持的此種狀 用來供應 多孔滾筒1 7之 弟5 A圖與 之使用於 與第5B圖 體塗抹器 以傾斜地 多孔滾筒 乃在多孔 態中，將 化學液體 上。化學 •八岭，十、设口77 - 六肢 基板處理裝置的蝕刻單元。 所夕不’刻單元具有為多孔滾筒Η 。夕孔K筒1 7係接觸圓形晶圓Ψ的 圓形晶圓係由滾筒夾頭U 、二有直接耦合到伺服馬達1 6的軸 f筒17與晶圓W之斜面部份接觸地 多孔滾筒1 7轉動。 的化學液體噴嘴18係垂直地配置於 液體噴嘴18將化學液體供應到多孔
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559953 五、發明說明（15) '~ -- 滾筒1 7 ’以致使化學液體浸潰於多孔滾筒1 7中。 起純水噴鳴2 2與氣體喷嘴2 1係以沿著晶圓爾動方 向、稱做多孔滚筒17順流之順序而連續地配置。超純水 嘴2 2與氣體喷嘴2 1係朝晶圓w之斜面部份來配置。超純水 噴嘴2 2將超純水供應到晶圓w，以將晶圓w清潔。氣體 2 1朝晶圓W喷出氮氣，以將晶圓w乾燥。 茲將開啟與關閉箱室1 4之機構的結構與操作參考第6 圖說明如下。如第6圖所示，垂直支臂2 6係安裝在箱室外 殼1 4a的底部面板1 4上，並從箱室外殼i 4a的底部面板丨4b 延伸向下。支臂26的水平板在其下端，該下端具有界定於 其中之内部帶螺紋的孔。外部帶螺紋的垂直桿條2 4延伸經 過在支臂2 6水平面板中内部帶螺紋的孔，並穿透其中。外 部帶螺紋之垂直桿條24的下端可轉動地連接到伺服馬達25 的驅動軸桿’該祠服馬達係固定地安裝在基座2 7上。 當外部帶螺紋的垂直桿條2 4藉由伺服馬達2 5而相對著 自己的軸轉動時，支臂2 6則可垂直地移動以將箱室外殼 1 4 a提上或降下。 箱室蓋子8係藉著支撐機構（未顯示）而固定到基座 2 7。當將箱室外殼1 4 a向下移動時，則在箱室蓋子8與箱室 外殼1 4a之間產生一空間。晶圓w可經由所產生的空間而裝 入箱室外殼1 4 a並從箱室外殼1 4 a卸下。 如以上所說明的，滾筒夾頭1 3至1 f之桿條延伸經過在 底部面板1 4b中所界定的各個開口，並且支撐在基座2 7 上。滾筒夾頭1 a至1 f以及底部面板1 4b係藉由各自之波紋
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五、發明說明（16) 管形狀的撓性連接 1 4内部密封，且使 而轉動之滾筒夾頭 由機械式密封（未 部2 3而彼此連接。 之與外部空間隔離 1 a至1 f之間的接合 顯示）所密封。 撓性連接部2 3將箱室 。在對著它們自己轴 以及撓性連接部2 3則 因此，甚至在箱室外殼1 4a向下移動時，晶圓w則藉由 滾筒爽頭1 a至1 f而固持於水平位置。因為滾筒夾頭丨3至丄f 係藉由撓性連接部23而連接到箱室外殼14a，所以晶圓佩 可避免受到外部空間污染物之污染。 在第6圖所示之配置中，箱室外殼1乜係在將箱室蓋子 8固疋放置的狀態中向下移動。無論如何，箱室外殼工4 &可 予以固定放置，箱室蓋子8與上軸桿9則可相關於箱室外殼 1 4 a而向上移動。 當將晶圓W的外圍部份蝕刻時，蝕刻單元2之供應導管 3c則可供應氫氟酸或過氧化氫的蝕刻液體以當作第一液 體’ Z且引入導管9則可將惰性氣體，典型地為氮氣，供 應到^圓W表面，以保護晶圓W表面避免受到蝕刻液體。引 入導官1 3將當作第二液體之氫氟酸或過氧化氫的蝕刻液體 供應到晶圓W的背面側，以蝕刻晶圓的背面側。在蝕刻晶 圓W之後’供應導管3b、9、丨3則供應超純水，以清潔晶圓 =。^之後’供應導管3 a、9、1 3則可將惰性氣體，典型地為 亂氣’供應到晶圓w，以將晶圓w乾燥。 、箱室蓋子8具有一安裝於其上的氧氣濃度感測器3 2， 電連接到氧氣濃度計量器3 3。惰性氣體係引入到箱室14 内’以將氧氣排出箱室1 4。箱室1 4的氧氣濃度係由氧氣濃
313977.ptd 第25頁 559953 五、發明說明（18) 純水所移除。予以移除的部份金屬或金屬化合物，係可藉 由超純水而予以腐#或侵姓。用作互連材料的銅已經較佳 地使用於該技藝中，因為其電阻率（比電阻）非常低，而且 對電遷移具有高的阻力。然而，常常觀察到的是，薄銅膜 係由施加以清洗晶圓的超純水所侵蝕，其乃因為酸與過氧 化氫混合物的噴霧抵達晶圓表面上的薄銅膜，而晶圓斜面 部份與背面側則予以蝕刻，並且同樣因為水與氧的共存是 不可避免的。因此，縱使將化學液體替代清潔液體，會同 樣不妥地產生水印（water marks)於施加喷霧之銅薄膜的 表面。根據本發明而設計之基板處理裝置則可將以上的缺 點免除。 併入上述的基板清潔裝置、將半導體基板電鑛以銅的 電鍍裝置，將於以下參考第7圖來做說明。如第7圖所示， 電鍍裝置係安裝於矩形的外殼單元1 1 0，以用來連續地電 鍍半導體基板。外殼單元1 1 0係藉由隔牆11 1而分成電鍍空 間1 1 2與清潔空間1 1 3。空氣可以施加到彼此無關的電鍍空 間1 1 2與清潔空間1 1 3，並且從電鍍空間1 1 2與清潔空間1 1 3 排出。隔牆1 1 1具有併入其中之可開啟/可關閉的檔板（未 顯示）。清潔空間1 1 3中的空氣壓力係較低於大氣壓力， 並較高於電鍍空間1 1 2中的空氣壓力，以致使清潔空間1 1 3 中的空氣不會流出外殼單元1 1 0，而且電鍍空間1 1 2中的空 氣不會流入清潔空間1 1 3。 清潔空間11 3覆蓋了兩閘盒平台1 1 5、兩清潔/乾燥裝 置116、固定型態之可轉動的第一傳送裝置（四軸自動控
313977.ptd 第27頁 559953 五、發明說明（19) 制裝置）11 7，閘盒平台用來放置基板儲存閘盒於其上， >月 >糸/乾知裝置用來以超純水清潔（沖洗）予以電鍵的基 板，隨後乾燥予以清潔的基板，第一傳送裝置則用來傳送 基板。各個清潔/乾燥裝置1 1 6包含將超純水供應到基板的 表面與背面側之具有清潔液體供應喷嘴的裝置，以及將基 板脫水並乾燥之以高速自旋基板的機構。 電鍍空間1 1 2收容了兩個預先處理單元1 2丨、四個電鑛 單元122、以及兩個第一基板平台123a、123b，以及活動 型恶的可轉動第二傳送裝置（四軸自動控制裝置）124， 預先處理單元1 2 1用來在電鍍製程之前預先處理基板，並 以各別的翻轉器1 2 0來倒轉預先處理的基板，電鍍單元則 在基板表面面向下的狀態下，以銅來電鍍基板的表面，第 一基板平台則用來放置並固持基板於其上，而第二傳送裝 置則用來傳送基板。 、 清潔空間1 1 3同樣地收容兩個基板清潔裝置1 2 5、兩個 第二基板平台126a、126b、以及固定型態之可轉動第三傳 送裝置（四軸自動控制裝置）1 2 7於其中，基板清潔裝置 1 2 5用來以化學液體，譬如酸性溶液或氧化劑溶液，清洗 予以電錢的基板，第二基板平台1 2 6 a、1 2 6 b係放置於基板 清潔裝置1 2 5與清潔/乾燥裝置1 1 6之間，第三傳送裝置1 2 7 則放置於基板清潔裝置1 25之間，用來傳送基板。 第一基板平台1 2 3 b與第二基板平台1 2 6 b的每一個均能 夠以水來沖洗基板’並且具有翻轉器1 2 0以用來倒轉基 板0
313977.ptd 第28頁 559953 五、發明說明（20) 第一傳送裝置1 1 7傳送基板於放置在閘盒平台n 5上之 閘盒、清潔/乾燥裝置116、以及第二基板平台126a、126b 之間。第二傳送裝置1 2 4傳送基板於第一基板平台1 2 3 a、 1 2 3 b、預先處理單元1 2卜以及電鍍單元1 2 2之間。第三傳 送裝置基板於苐一基板平台123a、123b、基板清潔裝置 125、與弟一基板平台126a、126 b之間。 外叙單元110同樣地包括放置於第一基板平台123 3下 方的一容器1 2 8，以容納試驗操作所用的基板。第二傳送 裝置1 2 4從容器1 2 8取出試驗操作用的基板，並在試驗操作 之後，將其歸還到容器128。藉此，因為外殼單元11〇包括 容器128於其中，以容納試驗操作所用之基板的話，那就 可避免受害於受污物以及產量的減少，假如試驗操作所用 的基板係從外殼單元i丨〇外面引入時，這種情形將會發 生。 曰又 只要可藉由任何傳送裝置而將試驗操作用之基板從容 器128取出/或者供應入容器128的話，容器128就可放置 於，设單元1 1 0中的任何角落。然而，假如將容器i 2 8放置 於第一基板平台1 23a之附近地區時，則使用試驗操作所用 之基板之，鍍裝置的試驗操作，係可從預先處理製程開 始，而後實施電鍍製程，而試驗操作所用的基板就可在清 潔與乾燥之後回到容器1 2 8内。 預先處理基板以改善電鍍製程之可濕性的預先處理單 元可予以省掉。預先電鍍基板，以在電鍍製程之前，加強 施加到基板之晶種層的預先電鍍單元，係可替代其中之—
第29頁 559953 發月（21) " " '~~~ --- 個電鍍單元或其中之一個預先處理單元地採用。在此種佟 改形式中，水沖洗單元係替代預先處理單元地配置，以用> 來在預先電鍍製程與電鍍製程之間，以及/或者電鍍製程 之後，以水沖洗基板。 在本具體實施例中，傳送裝置i丨7具有兩凹形的手 部，係個別地用來藉由凹處而支撐基板的外圍邊緣。上 部^操作乾燥的基板’下手部則用來握持濕的基板。傳 廷波置1 24與1 27的每一個皆具有兩凹形的手部，其係用來 握持濕的基板。傳送裝置的手部則不限於以上型態。 下文說明第7圖所示之電鍍裝置的操作順序 t面（半導體元件形成於上的表面，㈣是予以二 理的$面）面向下的狀態中，基板係由基板閘盒所容納， 而且容納此種基板之基板閘盒則放置於閘盒平台丨丨5上。 第一傳送裝置1 1 7從基板閘盒取出基板，移到第二基板平 台126a，並且將基板放置於第二基板平台ι26&上。 、、隨後，第三傳送裝置127將基板從第二基板平台126a 傳达到第一基板平台123a。之後，第二傳送裝置124接收 來自第一基板平台12 3a的基板，並將該基板傳送到預先處 理單元121。在預先處理單元121中完成基板之預先處理以 後，基板遂由翻轉器120所倒轉，以致於基板的表面面向 下，而且隨後往回傳送到第二傳送裝置124。第二傳送裝 置1 2 4將基板傳送到其中之一個電鍍單元1 2 2的頭部。 /在將基板電鍍，並將液體從電鍍單元丨22之基板移除 之後，基板係由第二傳送裝置i 2 4所接收，第二傳送裝置
313977.ptd 第30頁
559953 五、發明說明（22) 將基板傳送到第一基板平台123b。基板係由設置於第一基 板平台1 23b的翻轉器1 20所翻轉，以致使基板的表面面向 上，該基板隨後則經由第三傳送裝置1 2 7而傳送到基板清· 潔裝置1 2 5。在基板清潔裝置1 2 5中，基板係以化學液體清 洗，並以純水沖洗，隨後液體則藉由自旋而從基板移除。 以後，基板則藉由第三傳送裝置1 2 7而傳送到第二基板平 台126b。接著，第一傳送裝置117則接收來自第二基板平 台1 2 6 b的基板，並將該基板傳送到清潔/乾燥裝置1 1 6。在 /月潔乾燥裝置1 1 6中’基板係以純水沖洗，隨後並自旋地 乾燥。乾燥的基板則藉由第一傳送裝置i丨7而回到放置在 閘盒平台1 1 5上的基板閘盒。 預先處理單元1 2 1中的預先處理可予以省略。若裝有 ，先電鍍單元安裝時，從閘盒取出的基板則經由預先電鍍 早元來預先電鍍，用水沖洗或不用水沖洗，並且隨後藉著 f中之一個電鍍單元來電鍍。予以電鍍的基板隨後則用水 沖洗或不用水沖洗，並傳送到基板清潔裝置。 因為電鍍裝置結合基板清潔裝置125,所以就可有效 地 >糸電鍵晶圓的外圍部份，而仍可保—蔓某板。 根據本發明，如上所述，滾筒失頭可^持並轉動基板 W，而具有將氣體引入箱室之氣體引入導管的密閉密封箱 至，其係可將由滾筒夹頭所固持之基板w置於引入到箱 :内的氣體中。處理單元’亦即{，蝕刻單元，可蝕刻或 、;月潔基板的外圍部份，而基板卻由滾筒夾頭所轉動。連接 到處理單兀的液體供應導官’可將液體供應到處理單元。
313977.ptd 第31頁 559953 五、發明說明（23) 基板處理裝置從而可有效地加工處理基板的外圍部份，而 仍以所供應的氣體來保護基板。 雖然已經將本發明特定的較佳具體實施例詳細地顯示 並說明，但是應該瞭解到的是，種種的改變與變更可在不 背離附加申請專利範圍的範圍之下進行。 [工業應用性] 本發明適合使用於基板處理裝置，以用來在高度的潔 淨環境中，加工處理半導體基板背面側的外圍部份。
313977.ptd 第32頁 559953 圖式簡單說明 [圖式簡單說明] 第 1圖係為顯示基板清潔裝置< 的橫剖前視圖，係作為 根據 本 發明具 體實施 例而 設計之基 板 處 理 裝 置； 第 2A圖係 為顯不 滾筒 夾頭以及 顯 示 於 第 1圖之基板清 潔裝 置 裡之蝕 刻單元 的透 視圖， 第 2B圖係 為顯不 於第 2 A圖之餘 刻 單 元 的 側視圖； 第 2C圖係 為顯示 於第 2 A圖之钱 刻 單 元 的 平面圖； 第 3圖係為顯示第1圖 所示之基 板 清 潔 裝 置之滾筒夾頭 的透 視 圖； 第 4 A圖係 為顯不 根據 本發明另 一 具 體 實 施例而設計之 1虫刻 單 元的側 視圖； 第 4B圖係 為顯示 於第 4 A圖中之 刻 單 元 的透視圖； 第 5A圖係 為顯示 根據 本發明仍 另 一 具 體 實施例而設計 之1虫 刻 單元的 透視圖 第 5B圖係 為顯不 於第 5 A圖之钮 刻 單 元 的 側視圖； 第 6圖為- -橫剖面前視圖，其係顯示開啟與關閉第1圖 所示 之 基板清 潔裝置 之箱 室的機構 j 以 及 第 7圖係為顯示- -電鍍裝置的- 一平面圖， >該電鍍裝置 乃合 併 根據本 發明一 具體 實施例而 設 計 的 基 板清潔裝置。 la至 1: f滾筒夾頭 2 刻 單 元 2 a 上懸臂 2b 垂 直 接 合 部 2c 下懸臂 3 a 氣 體 供 應 導管 3b 超純水 供應導 管 3c 化 學 液 體 供應導管
313977.ptd 第33頁 559953 圖式簡單說明 4 液體排放導管 5 空氣缸 6 上軸桿 6a 凸緣 7 撓性連接部 8 箱室蓋子 9 引入導管 9a 喷嘴 10 上圓盤 11 下圓盤 12 低軸桿 13 引入導管（供應通道） 13a 喷嘴 14 箱室 14a 箱室外殼 14b 底部面板 15 氣體/液體排放導管 16 伺服馬達 17 多孔滾筒 18 化學液體喷嘴 19a 驅動皮帶 19b 驅動皮帶 20 蝕刻單元 20a 上懸臂 20c 下懸臂 21 氣體喷嘴 22 超純水噴嘴 23 撓性連接部 24 垂直桿條 25 伺服馬達 26 垂直支臂 27 基座 30 控制器 31a 氣體喷嘴 31b 超純水喷嘴 31c 化學液體喷嘴 32 氧氣濃度感應 器 33 氧氣濃度計量器 110 外殼單元 111 隔牆 112 電鍍空間 113 清潔空間 115 閘盒平台 116 清潔/乾燥裝置 117 第一傳送裝置 (四軸 自動 控制裝置） 120 翻轉器 121 預先處理單元
313977.ptd 第34頁

Claims (1)

  1. 案號 9Π20134
    修正 六、申請專利範圍 1. 一種基板處理裝置，係用來處理一基板的基板處理裝 置，包含： 夾頭組件，用來固持與轉動該基板； 可關閉箱室，將該夾頭組件容納於其中； 氣體引入導管，用於將一氣體引入於該箱室内； 處理單元，一面藉由該夾頭組件來轉動該基板一 面處理該基板的一外圍部份；以及 第一供應通道，用於將第一液體供應到該處理單 元。 2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該氣體引 入導管包含： 第一氣體引入導管，係開啟於該基板的該表面； 第一氣體喷嘴，係連接到該第一氣體引入導管； 第二氣體引入導管，係開啟於該基板的該背面 側，而該第一氣體引入導管與該第二氣體引入導管係 各自獨立而彼此無關；以及 第二氣體噴嘴，係連接到該第二氣體引入導管。 3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，進一步包含： 第一純水喷嘴，係開啟於該基板的該表面；以及 第二純水喷嘴，係開啟於該基板的該背面側，該 第一純水喷嘴與該第二純水喷嘴係各自獨立而彼此無 關。 4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該第一液 體包含無機酸與有機酸的其中一者或兩者，或者氧化
    313977修正版.ptc 第1頁 2003. 07. 08. 036 559953 /?/% _ 案號 91120134 9λ ---~~-- 六、申請專利範圍 5如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該第一液 體包含無機酸與有機酸的其中/者或兩者，或者氧化 劑，係交替地供應。 6. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該氣體包 含惰性氣體。 7. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該處理單 元蚀刻或清潔該基板的該外圍^ h 8. —種基板處理裝置，係用來處理基板的基板處理裝 置，包含’· 夾頭組件，用來固持並轉動一基板； 處理單元，一面藉由該夾頭組件來轉動該基板一 面處理該基板的一外圍部份； 第一供應通道，用於將第一液體供應到該處理單 元； 平板，與該基板的該表面和背面側平行地配置； 以及 第二供應通道，用來將處理該基板之該外圍部份 之一第二液體的至少其中一種，以及保護該基板的氣 體，供應到位於該基板表面或背面側與該平板之間的 間隙。 9. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，進一步包含： 可關閉箱室，容納夾頭組件；以及 氣體引入導管，用來將氣體引入到該箱室内。
    313977修正版.ptc 第 2 頁 2003.07.08.037 559953 _案號 91120134 %年？月厂曰 修正_ 六、申請專利範圍 1 0 .如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中該氣體引 入導管包含： 第一氣體引入導管，係開啟於該基板的該表面； 第一氣體喷嘴，係連接到該第一氣體引入導管； 第二氣體引入導管，係開啟於該基板的該背面 側，該第一氣體引入導管與該第二氣體引入導管則彼 此無關；以及 第二氣體喷嘴，係連接到該第二氣體引入導管。 1 1.如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中該氣體包 '含惰性氣體。 1 2 .如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，進一步包含： 第一純水噴嘴，係開啟於該基板的該表面；以及 第二純水噴嘴，係開啟於該基板的該背面側，該 第一純水喷嘴與該第二純水喷嘴係各自獨立而彼此無 關。 1 3 .如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中該第一液 體包含無機酸與有機酸的其中一者或兩者，或者氧化 劑。 1 4 .如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中該第二液 體包含無機酸與有機酸的其中一者或兩者，或者氧化 劑。 1 5 .如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中該液體包 含無機酸與有機酸的其中一者或兩者，以及氧化劑， 其係交替地供應。，
    313977修正版.ptc 第3頁 2003. 07. 08. 038 559953 案號 91120134 %年？月〜曰 修正 六、申請專利範圍 1 6 .如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中該製程單 元餘刻或清潔該基板的該外圍部份。 1 7 . —種基板的處理方法，包含： 轉動基板； 一面將該基板轉動而一面處理該基板的外圍部 份； 供應氣體，使之圍繞著該基板；以及 乾燥該基板，而卻供應該氣體，使之圍繞該基 板。 1 8 .如申請專利範圍第1 7項之基板的處理方法，其中該製 程包含蝕刻或清潔該基板的該外圍部份。
    313977修正版.ptc 第4頁 2003. 07. 08. 039
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Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3958539B2 (ja) * 2001-08-02 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2004128251A (ja) * 2002-10-03 2004-04-22 Elpida Memory Inc 塗布機及び塗布方法
JP2004335923A (ja) * 2003-05-12 2004-11-25 Sony Corp エッチング方法およびエッチング装置
US20050048768A1 (en) * 2003-08-26 2005-03-03 Hiroaki Inoue Apparatus and method for forming interconnects
WO2005043611A1 (ja) * 2003-10-30 2005-05-12 Ebara Corporation 基板処理装置及び基板処理方法
US7476290B2 (en) 2003-10-30 2009-01-13 Ebara Corporation Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2005183814A (ja) * 2003-12-22 2005-07-07 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US7799081B2 (en) 2004-09-14 2010-09-21 Aeolin, Llc System and method for spinal fusion
JP2006114884A (ja) * 2004-09-17 2006-04-27 Ebara Corp 基板洗浄処理装置及び基板処理ユニット
US7089687B2 (en) * 2004-09-30 2006-08-15 Lam Research Corporation Wafer edge wheel with drying function
JP5101813B2 (ja) * 2005-12-12 2012-12-19 株式会社ジェイ・イー・ティ べベル処理装置
US7938130B2 (en) * 2006-03-31 2011-05-10 Ebara Corporation Substrate holding rotating mechanism, and substrate processing apparatus
KR100777658B1 (ko) * 2006-06-12 2007-11-19 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판을 처리하는 방법
JP2008016660A (ja) * 2006-07-06 2008-01-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
US9202725B2 (en) * 2006-07-24 2015-12-01 Planar Semiconductor, Inc. Holding and rotary driving mechanism for flat objects
JP5309495B2 (ja) * 2007-01-04 2013-10-09 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
US8580078B2 (en) * 2007-01-26 2013-11-12 Lam Research Corporation Bevel etcher with vacuum chuck
JP5009053B2 (ja) * 2007-05-29 2012-08-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP4976949B2 (ja) * 2007-07-26 2012-07-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
TWI433251B (zh) * 2007-11-23 2014-04-01 Lam Res Corp 用於濕處理晶圓狀物件之周邊區域的裝置及方法
US20090217953A1 (en) * 2008-02-28 2009-09-03 Hui Chen Drive roller for a cleaning system
CN102371525B (zh) * 2010-08-19 2014-09-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 抛光装置
US9997379B2 (en) * 2010-11-30 2018-06-12 Lam Research Ag Method and apparatus for wafer wet processing
JP5490741B2 (ja) * 2011-03-02 2014-05-14 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置の位置調整方法、及び基板処理装置
JP5686261B2 (ja) * 2011-07-29 2015-03-18 セメス株式会社ＳＥＭＥＳ ＣＯ．， Ｌｔｄ 基板処理装置及び基板処理方法
JP5320455B2 (ja) * 2011-12-16 2013-10-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
TWI627667B (zh) 2012-11-26 2018-06-21 應用材料股份有限公司 用於高深寬比半導體元件結構具有污染物去除之無黏附乾燥處理
CN102988115B (zh) * 2012-11-26 2014-12-03 广州中国科学院先进技术研究所 用于牙种植体表面化学处理中局部保护的夹具
TWI597770B (zh) * 2013-09-27 2017-09-01 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
KR101673061B1 (ko) 2013-12-03 2016-11-04 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
WO2016007874A1 (en) 2014-07-11 2016-01-14 Applied Materials, Inc. Supercritical carbon dioxide process for low-k thin films
KR102055712B1 (ko) 2015-10-04 2019-12-13 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 감소된 용적의 처리 챔버
WO2017062135A1 (en) 2015-10-04 2017-04-13 Applied Materials, Inc. Drying process for high aspect ratio features
WO2017062134A1 (en) 2015-10-04 2017-04-13 Applied Materials, Inc. Small thermal mass pressurized chamber
KR102145950B1 (ko) 2015-10-04 2020-08-19 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 지지체 및 배플 장치
JP6942045B2 (ja) * 2017-12-25 2021-09-29 株式会社荏原製作所 基板処理装置、めっき装置、及び基板処理方法
CN110962280B (zh) * 2018-09-28 2021-09-03 比亚迪股份有限公司 金属树脂复合体及其制备方法和电子产品外壳
SE542591C2 (en) * 2018-10-24 2020-06-09 Nanosized Sweden Ab Method and arrangement for semiconductor manufacturing
TWI816968B (zh) * 2019-01-23 2023-10-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP2024010749A (ja) * 2022-07-13 2024-01-25 株式会社荏原製作所 基板保持装置、基板製造装置、および基板製造方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4544446A (en) * 1984-07-24 1985-10-01 J. T. Baker Chemical Co. VLSI chemical reactor
US5168886A (en) * 1988-05-25 1992-12-08 Semitool, Inc. Single wafer processor
US4857142A (en) * 1988-09-22 1989-08-15 Fsi International, Inc. Method and apparatus for controlling simultaneous etching of front and back sides of wafers
JPH02130922A (ja) * 1988-11-11 1990-05-18 Toshiba Corp 半導体基板エッチング装置
KR100284556B1 (ko) * 1993-03-25 2001-04-02 다카시마 히로시 도포막 형성방법 및 그를 위한 장치
KR100248565B1 (ko) * 1993-03-30 2000-05-01 다카시마 히로시 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치
US5608943A (en) * 1993-08-23 1997-03-11 Tokyo Electron Limited Apparatus for removing process liquid
JPH07211677A (ja) * 1993-11-30 1995-08-11 M Setetsuku Kk 基板のスクラビング方法とその装置
JP3407835B2 (ja) * 1995-03-09 2003-05-19 東京応化工業株式会社 基板端縁部被膜の除去方法及び除去装置
US6264752B1 (en) * 1998-03-13 2001-07-24 Gary L. Curtis Reactor for processing a microelectronic workpiece
US6027602A (en) * 1997-08-29 2000-02-22 Techpoint Pacific Singapore Pte. Ltd. Wet processing apparatus
JP3265237B2 (ja) * 1997-08-01 2002-03-11 東京エレクトロン株式会社 基板縁部の薄膜除去装置
US6156167A (en) * 1997-11-13 2000-12-05 Novellus Systems, Inc. Clamshell apparatus for electrochemically treating semiconductor wafers
JP3333733B2 (ja) * 1998-02-20 2002-10-15 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
US6632292B1 (en) * 1998-03-13 2003-10-14 Semitool, Inc. Selective treatment of microelectronic workpiece surfaces
JP4011218B2 (ja) * 1999-01-04 2007-11-21 株式会社東芝 基板処理装置及び基板処理方法
US6136163A (en) * 1999-03-05 2000-10-24 Applied Materials, Inc. Apparatus for electro-chemical deposition with thermal anneal chamber
US6585876B2 (en) * 1999-04-08 2003-07-01 Applied Materials Inc. Flow diffuser to be used in electro-chemical plating system and method
US6516815B1 (en) * 1999-07-09 2003-02-11 Applied Materials, Inc. Edge bead removal/spin rinse dry (EBR/SRD) module
US6309981B1 (en) * 1999-10-01 2001-10-30 Novellus Systems, Inc. Edge bevel removal of copper from silicon wafers
US6379235B1 (en) * 1999-10-27 2002-04-30 Strausbaugh Wafer support for chemical mechanical planarization
JP2001143330A (ja) * 1999-11-10 2001-05-25 Fuji Photo Film Co Ltd 情報記録媒体の製造方法
US6777338B2 (en) * 2001-03-14 2004-08-17 Nutool, Inc. Edge and bevel cleaning process and system
US6225235B1 (en) * 2000-02-18 2001-05-01 Horst Kunze-Concewitz Method and device for cleaning and etching individual wafers using wet chemistry
JP3405312B2 (ja) * 2000-02-25 2003-05-12 日本電気株式会社 塗布膜除去装置
US6827814B2 (en) * 2000-05-08 2004-12-07 Tokyo Electron Limited Processing apparatus, processing system and processing method
KR100877044B1 (ko) * 2000-10-02 2008-12-31 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 세정처리장치
US6546938B2 (en) * 2001-03-12 2003-04-15 The Regents Of The University Of California Combined plasma/liquid cleaning of substrates

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