TW499606B - Signal line repairing structure and forming method thereof - Google Patents

Description

499606 五、發明說明（υ 發明領域 本案係為一種信號線修補結構及其形成方法，尤指設 置於一薄膜電晶體液晶顯示器中之信號線修補結構及其形 成方法。 發明背景 隨著製造技術之日益進展，液晶顯示器（L i qu 1 d C r y s t a 1 D i s p 1 a y，L C D )已經是一種被廣泛應用的顯示元 件，而其工作原理主要利用電場來改變液晶之排列狀態， 使得通過液晶之光線產生路線改變之現象，進而達成明暗 變化之顯示效果。 請參見第一圖，其係一薄膜電晶體液晶顯示器 (TFT-LCD )之佈局（Layout )示意圖，其中薄膜電晶體 結構1 0係受閘極導體結構1 1之掃描線電壓控制而於導通狀 態及關閉狀態間切換，而資料導體結構1 2於薄膜電晶體結 構處於導通狀態時加一資料線電壓於液晶兩側之透明電極 1 4，用於改變液晶之排列狀態，進而控制該液晶之透光程 度，使得光源所發出之光線到達觀看者眼中之強度產生變 化，用以達成明暗變化之顯示效果，並藉由與閘極導體結 構11同時定義完成之遮光結構所完成之黑色矩陣（Black matrix ) 15，來遮蔽液晶不受控制區域所透出之光線，而 儲存電容1 3係用以加強元件之特性。 而一薄膜電晶體顯示器（T F T L C D )係為一顯示面板上 大量製作上述單元所構成。但是在製作過程中，很可能因

第4頁 499606 五、發明說明（2) 為發生某些錯誤或疏失而導致 資料導體結構斷線，即 會產生信號開路，進而導致該薄膜電晶體無法正常工作， 嚴重影響該顯示器之影像品質，而為能除去上述問題所造 成之影響，進而發展出一種薄膜電晶體液晶顯示器信號線 修補結構及其形成方法，係為本案之一主要目的。 發明概述 設置於一薄膜電晶體 一第一導體修補結構， 之閘極導體結構時同時 導體修補結構之上方； 成該溥膜：電晶體液晶顯 其形成於該絕緣層之上 由該絕緣層之隔離而與 重豐區域，其係當該貧 斷線時，破壞該兩個重 補區域和第二導體修補 之工作。 中該等導體修補區域之 鉬、鋁與銅中之一或組 中該絕緣層係為溥膜電 氧化矽、氮化矽或氮氧 本案係為一種信號線修補結構 液晶顯示器中，該修補結構包含： 其於形成该溥膜電晶體液晶顯不為' 形成；一絕緣層，其形成於該第一 以及一第二導體修補結構，其於形 示器之資料導體結構時同時形成， 方並連接至該資料導體結構’且措 該第一導體修補結構間具有複數個 料導體結構於該等重疊區域間發生 疊區域中之絕緣層，使第一導體修 區域形成電性連接，進而達成修補 根據上述構想，信號線修補結構 材質係選自鉻、鉬化鎢、钽、鈦、 合所完成。 根據上述構想，信號線修補結構 晶體之閘極絕緣層，其材質係選自 化矽中之一或組合所完成。

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499606 五、發明說明（3) 根據上述構想，信號線修補結構中係以雷射光破壞該重 疊區域中絕緣層，進而造成第一導體修補區域和第二導體 修補區域間之電性連接。 根據上述構想，信號線修補結構中該第一導體修補區域 係做為一黑色矩陣（B 1 a c k m a t r i X )，用來遮蔽液晶不受 控制區域所透出之光線。 本案之另一方面係為一種信號線修補結構之形成方 法，該修補方法包括下列步驟：形成一第一導體修補結 構，其於形成該薄膜電晶體液晶顯示器之閘極導體結構時 同時形成；形成一絕緣層，於該第一導體修補結構之上 方；於該絕緣層之上方形成一第二導體修補結構，其於形 成該薄膜電晶體液晶顯示器之資料導體結構時同時形成， 並連接至該資料導體結構，且藉由該絕緣層之隔離而與該 第一導體修補結構間具有複數個重疊區域，當資料導體結 構於該等重疊區域間發生斷線時，破壞該兩個重疊區域中 之絕緣層，使該第一導體修補結構和該第二導體修補結構 形成電性連接，進而達成修補之工作。 根據上述構想，信號線修補結構之形成方法中該等導體 修補結構之材質係選自鉻、纟目化鶴、钽、鈦、鉬、銘與銅 中之一或組合所完成。 根據上述構想，信號線修補結構之形成方法中該絕緣層 係為該薄膜電晶體之閘極絕緣層，其材質係選自氧化矽、 氮化矽或氮氧化矽中之一或組合所完成。

499606 五、發明說明（4) 根據上述構想，信號線修補結構之形成方法中係以雷射 光破壞該重疊區域中絕緣層，進而造成該第一導體修補結 構和該第二導體修補結構間之電性連接。 根據上述構想，信號線修補結構之形成方法中該第一導 體修補結構係作為一黑色矩陣（B 1 a c k m a t r i X )，用來遮 蔽液晶不受控制區域所透出之光線。 簡單圖式說明 本案得藉由下列圖示及詳細說明，俾得一更深入之了 解： 第一圖：其係一薄膜電晶體液晶顯示器（TFTLCD )之佈局 (Layout ) 示意圖 。 第二圖（a ):其係本案對於設置於薄膜電晶體液晶顯示 器（TFTLCD )之信號線修補結構及其形成方法所發展出之 較佳實施例之佈局（Layout )示意圖。 ❿ 第二圖（b ):其係本案對於設置於薄膜電晶體液晶顯示器 (TFTLCD )之信號線修補結構及其形成方法所發展出之較 佳實施例之剖面示意圖。 第三圖：其係本案對於設置於薄膜電晶體液晶顯示器 (TFTLCD )之信號線發生斷線時之修補結構及其形成方法 所發展出之較佳實施例之佈局（L a y 〇 u t )示意圖。

第7頁 499606 五、發明說明（5) 本案圖式中所包含之各元件列示如下： 10 薄 膜 電 晶 體 11 閘 極 導 體 結 構 12 資 料 導 體 結 構 13 儲 存 電 容 14 透 明 電 極 15 望 色 矩 陣 20 薄 膜 電 晶 體 22 閘 極 導 體 結 構 21 資 料 導 體 結 構 23 第 一 導 體 修 補結構 24 第 導 體 修 補結構 26 閘 極 絕 緣 層 較佳實施例說明 請參見第二圖（a )，其係本案對於設置於薄膜電晶體液 0 晶顯示器之信號線修補結構及其形成方法所發展出之較佳 實施例之佈局示意圖，其中該第一導體修補結構2 3其於形 成該薄膜電晶體液晶顯示器之閘極導體結構2 2時同時形 成；該第二導體修補結構24，其於形成該薄膜電晶體液晶 顯示器之資料導體結構2 1時同時形成，並連接至該資料導 體結構2 1，而該第二導體修補結構24和第一導體修補結構 2 3之重疊區域（A、B )間係具以該薄膜電晶體液晶顯示器 之閘極絕緣層2 6相隔（如第二圖（b )所示），而且該第 一導體修補結構2 3係可做為一黑色矩陣（B 1 a c k m a t r i X )，用來遮蔽液晶不受控制區域所透出之光線。 〇 如第三圖所示，當A和B間之資料導體結構2 1因某些錯誤 或疏失而造成斷線時’吾人便可利用雷射光分別聚焦於 A、B兩處，用以將該處閘極絕緣層2 6破壞而使該第一導體 修補區2 3和該第二導體修補區2 4形成電性連接，使信號經

第8頁 499606 五、發明說明（6) 由資料導體結構2 1傳輸到第二導體修補結構24，接著傳輸 到第一導體修補結構2 3，然後經由第二導體修補結構2 4再 傳回資料導體結構2 1，進而達成修補之工作，有效改善薄 膜電晶體液晶顯示器之影像品質，達成發展本案之發明目 的。 而該等修補結構係可選自鉻、鉬化鷂、组、鈦、钥、I呂 與銅中之一或組合所完成。至於該閘極絕緣層則可用選自 氧化矽、氮化矽或氮氧化矽中之一或組合所完成。 本案發明得由熟習此技藝之人士任施匠思而為諸般修 飾，然皆不脫如附申請專利範圍所欲保護者。 _

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Claims (1)

1. 499606 产’ 2、..:___ ,ί—六-、—申首奪村範圍 1. 一種信號線修補結構，設置於一薄膜電晶體 液晶顯示器中，該修補結構包含： 一第一導體修補結構，其於形成該薄膜電晶體液晶顯 示器之閘極導體結構時同時形成； 一絕緣層，其形成於該第一導體修補結構之上方；以 及 一第二導體修補結構，其於形成該薄膜電晶體液晶顯 示器之資料導體結構時同時形成，其形成於該絕緣層之上 方並連接至該資料導體結構，且藉由該絕緣層之隔離而與 該第一導體修補結構間具有複數個重疊區域， 其係當該資料導體結構於該等重疊區域間發生斷線 時，破壞該兩個重疊區域中之絕緣層，使第一導體修補結 _ 構和第二導體修補結構形成電性連接，進而達成修補之工 作。 …2.如申請範圍第1項所述之信號線修補結構，其中該等導 體修補結構之材質係選自鉻、鉬化鎢、钽、鈦、鉬、鋁與 銅中之一或組合所完成。 3. 如申請範圍第1項所述之信號線修補結構，其中該絕緣 層係為薄膜電晶體之閘極絕緣層，其材質係選自氧化矽、 氮化矽或氮氧化矽中之一或組合所完成。 4. 如申請範圍第1項所述之信號線修補結構，其中係以雷 射光破壞該重疊區域中絕緣層，進而造成第一導體修補結 構和第二導體修補結構間之電性連接。 5. 如申請範圍第1項所述之信號線修補結構，其中該第一

   第10頁 499606 六、申請專利範圍 導體修補區域係做為一黑色矩陣（B 1 a c k m a t r i X )，用來 遮蔽液晶不受控制區域所透出之光線。 6. —種信號線修補結構之形成方法，該修補方法包括下列 步驟： 形成一第一導體修補結構，其於形成該薄膜電晶體液 晶顯示器之閘極導體結構時同時形成； 形成一絕緣層，於該第一導體修補結構之上方； 於該絕緣層之上方形成一第二導體修補結構，其於形 成該薄膜電晶體液晶顯示器之資料導體結構時同時形成， 並連接至該資料導體結構，且藉由該絕緣層之隔離而與該 Φ 第一導體修補結構間具有複數個重疊區域， 當貢料導體結構於該等重豐區域間發生斷線時’破壞 該兩個重疊區域中之絕緣層，使該第一導體修補結構和該 第二導體修補結構形成電性連接，進而達成修補之工作。 7. 如申請範圍第6項所述之信號線修補結構之形成方法， 其中該等導體修補結構之材質係選自鉻、鉬化鎢、钽、 鈦、鉬、鋁與銅中之一或組合所完成。 8. 如申請範圍第6項所述之信號線修補結構之形成方法， 其中該絕緣層係為該薄膜電晶體之閘極絕緣層，其材質係 選自氧化矽、氮化矽或氮氧化矽中之一或組合所完成。 〇 9. 如申請範圍第6項所述之信號線修補結構之形成方法， 其中係以雷射光破壞該重疊區域中絕緣層，進而造成該第 一導體修補結構和該第二導體修補結構間之電性連接。 1 0.如申請範圍第6項所述之信號線修補結構之形成方法，

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