TW480624B - Method to structure the organic anti-reflection layer - Google Patents
Method to structure the organic anti-reflection layer Download PDFInfo
- Publication number
- TW480624B TW480624B TW089115998A TW89115998A TW480624B TW 480624 B TW480624 B TW 480624B TW 089115998 A TW089115998 A TW 089115998A TW 89115998 A TW89115998 A TW 89115998A TW 480624 B TW480624 B TW 480624B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- etching
- layer
- photoresist
- arc
- seem
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 36
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 9
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 39
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229920001688 coating polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
- H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
- G03F7/405—Treatment with inorganic or organometallic reagents after imagewise removal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
- H01L21/0276—Photolithographic processes using an anti-reflective coating
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
- Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
- Y10T428/24967—Absolute thicknesses specified
- Y10T428/24975—No layer or component greater than 5 mils thick
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480624 A7 B7_ 1 五、發明說明（） 本發明是有關一種方法，借助於DUV微影術實施抗反 射覆蓋層開放蝕刻步驟（ARC Open-Atzschritt)，而將 有機抗反射層結構化。其中此在光阻層下的抗反射層作 為中間層而形成，其由一種有機聚合物所構成，並且其 中在以下的步驟中實施對位於抗反射層下金屬層的蝕刻。 半導體結構通常具有多個平面的金屬層，其配備具有 相對應的導軌，其經由垂直的中間聯結而彼此連接，及 /或與半導體結構之活性或摻雜元件而連接。此導軌與 中間連接的製造，是於多個製程步驟中實施，其包括澱 積步驟，結構化步驟與蝕刻步驟。 通常一個雙平面金屬層的製造方法即在於此，首先製 造至半導體結構之各個功能元件之聯結。對於此借助於 微影術製程進行蝕刻步驟，而經由在半導體結構上的氧 化層産生一洞孔，因此此在第一金屬平面中之中間聯結 的位置被確定。此洞孔，其本身垂直經由半導體結構而 延伸，然後在一個例如是CVD或濺鍍方法之澱積製程中， 以一薄的黏貼層（還稱為線性層），例如是氮化鈦，以及 一種金屬例如是鎢，而镇満。因為此澱積製程可以不只 限於洞孔，而且是在半導體結構的整個表面上實施，所 以在表面上多餘的金屬必須經由例如一種所諝的C Μ P製 程（化學機械拋光），或是經由回蝕（etch back)而去除。 緊接著在現有的氣化層上塗佈一例如由鉛構成的金屬層 ，其然後以徼影術形成結構，以便建立所欲的導軌結構 。此實施經由以微影術而塗佈光阻以形成光阻蝕刻遮罩 -3 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----^------------^----訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480624 A7 _B7__ 五、發明說明（） ，因此然後可以經由蝕刻遮罩蝕刻，並且最後剩下導軌。 對此而根據標準而使用微影術方法，其中在光阻層之 下是一個由聚合物所構成的有機中間層，即，一種ARC (抗反射覆蓋層）聚合物所構成而作為抗反射層***，以 便照射光阻時將反射排除，並且因此將抗反射最小化， 並且因此將分解改善。這在此是有關於一種標準的光學 製程其用於具有DDV照射之次一 0.5毫米（mm)之技術。 其中根據微影術步驟以形成光阻蝕刻遮罩，而對於位 於中間層下的金屬層進行蝕刻，導致中間層（ARC聚合物） 的問題。此ARC聚合物層在微影術製程中没有打洞。因此 此用於將導軌結構化的蝕刻的蝕刻製程必須以抗反射層 覆蓋層開放蝕刻步驟（ARC-Open-Etch step)(聚合物蝕 刻）而開始。於是，此第二步驟是金屬蝕刻步驟（正常的 兩個步驟的製程）。 此外，一個良好的抗反射覆蓋層開放蝕刻（ARC-Open -e t c h )必須以不同的預設之物瑱滿。此預設之物的目的 在於實現少的光阻消耗。這是由於對於光阻（光阻蝕刻 遮罩）的厚度之相矛盾的要求，其藉由蝕刻製程與微影術 難以實現。對於微影術需要一儘可能薄之光阻層。並且 對於蝕刻需要一儘可能厚的的光阻層。此外必須保證良 好之結構可測性（即，良好的關鍵尺寸）與剩餘的自由度。 用於此ARC層（抗反射覆蓋層）的蝕刻是例如使用Ν 2， 〇 2或N 2，0 2與C 0。作為特別的缺點在此是所記錄的高 的光阻消耗與斜的光阻邊緣。還有藉由線條寬度下降與 線條終點成為尖角之結構化而産生拙劣的關鍵尺寸（C D : Critical dimension)表現 〇 - 4 _ —_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------------^----訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480624 A7 B7 五、發明說明（ 在蝕刻中是以 CHF3 /CF4 /〇2 /Ar 或 CHF3 /CF4 /〇2 氣 體（氣體流量 80/50/20/16 Seem， P=160mTorr， P= 600瓦 ,B = 2 (] G a u s s )，其關鍵尺寸（C D )表現非常低劣，即， 其線條寬度減少得太多。 本發明現在以此為基礎，其建立一種方法將有機抗反 射層結構化，其中以達成較小之光阻消耗，以及特別陡 峭的光阻側面，並且具有所達成在基本上改善之關鍵尺 寸（CD)表現。 根據本發明藉由CF4 ARC開放製程，而實施聚合物中 間層的蝕刻，其對於光阻有高的選擇性，其中此蝕刻在 蝕刻室中，以具有大約600瓦之RF功率之增強（enhanced) 電漿而進行。 為了提高蝕刻的選擇性，此抗反射覆蓋層（ARC)開放製 程，藉由一 C H F 3之成份，以及一較少的0 2成份而增強。 當抗反射覆蓋層（AR C )開放蝕刻具有所採用之以下製 程參數時，達成最佳的蝕刻選擇性。 請 先 閱 讀 背 面
I
頁 I 訂 C F 4 3 5 4 5 3 F Η 氺 / 2 ο 5 氺 / 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
Γ A u Γ 力 壓 β η u t s 率 功 8 氺 / 扭 耳 托 毫 /{\ Γ Γ ο T m 瓦 量 流 體 氣 表 代 氺 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480624 A7 B7_ 4 五、發明說明（） 根據本發明方法之優點是一小的光阻消耗與一陡蛸的 光阻側面。這使用儘可能較小的光阻厚度，因此微影術 的製程窗戶本身擴大。藉由此陡峭的光阻側面而達成一 個非常良好之關鍵尺寸（Critical dimension)的表現， 因為此線條寬度保持恒定，並且線條之端點保持其形狀。 還有在光阻側面上沒有留下多餘的所謂剩餘的牆壁。 本發明之其他優點可在此看出，其藉由此在蝕刻化學 中的F離子，而可能採用一種自動端點辨識。此端點辨 識避免防止過度蝕刻，並且因此不須要光阻蝕刻。 本發明以下對實施例作說明，在其所屬的圖式中顯示： 圔忒夕簡塱說明 第1圖以概要圖式説明一個以傳統方法所製造的光阻 蝕刻結構。 第2圖以概要圖式說明一個以根據本發明的方法製造 的蝕刻結構。 在第1圖中概要圔式說明一金屬層1，其應首先說明 此等晶圓的最上層。在此金屬層1上塗佈一個由聚合物 所構成的中間層，即，ARC (抗反射覆蓋層）聚合物，作 為抗反射層2。借助於此抗反射層2，在當照射光阻期間 ，其本身將在此抗反射層2之上的反射排除，並且因此 將反射光最小化。以此種方式而使得微影術之解析度改 善，並且保證光阻蝕刻遮罩3之高度的可測量性。因此 可以使用具有DUV照射而用於次0 . 5毫米（mm)技術之標準 光學製程。此種抗反射層2可以由有機或無機材料所構 成，其中此仍待描逑之方法是關於有機聚合物抗反射層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------------^----訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480624 A7 B7__ 5 ' 五、發明說明（） 之結構化。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在第1圖中此時是代表包括光阻蝕刻遮罩3之層的狀 態，因為此抗反射覆蓋層（A R C )之開放製程如同在習知 技術中通常所執行者。此光阻4之部份截面說明顯示在 ARC開放蝕刻之前之光阻之狀態。此明顯可看出，在此 發生很大的光阻消耗，並且達成拙劣之關鍵尺寸表現。 這因此造成，此光阻不僅是在其高度中而且在其寬度中 縮小，因此在ARC 2中的蝕刻溝渠較所提供為大。 若用於A E C層的蝕刻例如是使用N 2 , 0 2或是N 2，0 2 與C 0 ，因此在結果中産生高的光阻消耗與傾斜的光阻 邊線。還有線條之寬度減少，並且線條的終端形成尖角 的結構化。 還有在蝕刻中是具有CHF3 /CF4 /〇2 /Ar或CHF3 /CF4 /〇2 氣體（氣體流量 80/50/20/16 Seem，P(壓力）= 160 mtorr，P(功率）=600 瓦（w)，B(磁場）=20 高斯（Gauss)) ，其關鍵尺寸的表現是非常拙劣，即，此所製造成結構 之線條寬度是減少了太多。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 若與此相反的以根據本發明之配方蝕刻，因此是在光 阻上小的消耗，以及陡峭光阻側面的序列，如由第2圖 而清楚的概要圖式説明。因此其為可能，使用較小的光 阻厚度，因此此微影之製程窗戶擴大。藉由此陡蛸的光 阻側面而達成非常良好之關鍵尺寸之表現，即，蝕刻溝 渠5之測量性，因為線條寬度保持恒定，並且線條終端 保持其形狀。還有在光阻側面上沒有多餘的所謂牆剩下。 為了達成此所描逑的優點，即，最佳的蝕刻選擇性， - 7 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ""
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480624 A7 B7 6 五、發明說明（） 必須此抗反射覆蓋層（A R C )開放蝕刻，具有所採用之以下 之製程參數。 製程參數 數 值 單位 CF 4 35 . • · .4 5 S c c m / ^ CHF 3 17 · • · • 23 S c c m / 〇 2 5 . * • Ί S c c m / ^ A r 80 . • · .12 0 S c c in / ^ 壓力 8 0 . • · .12 0 m T o r r (毫托耳 功率 5 5 0 . • · .650 Watt (瓦） 磁場 0 Gauss (高斯） 氦反面冷 1 4 Tor r (托耳） 卻設備 / *代表氣體流量 符號之説明 1 .....金屬層 2 .....抗反射覆蓋層 3 .....光阻蝕刻遮罩 4 .....在ARC開放蝕刻前之光阻 5 .....在A R C中的蝕刻溝渠 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -n n ϋ n ϋ —ι ϋ m H ϋ > ϋ ϋ ϋ —ρ ^1 I H 一 -口τ I ϋ I ϋ >1·· 1· _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
Claims (1)
- 六、申請專利範圍 第89 1 1 5998號「有機抗反射層結構化之方法」專利案 (90年12月修正） Α申請專利範圍 1. 一種將有機抗反射層結構化之方法，其借助於DUV微影 術而實施ARC開放式蝕刻步驟，其中此抗反射（ARC層） 層在光阻之下形成作爲中間層（其由一種有機聚合物所構 成），並且其中在以下的步驟中，對位於此抗反射層下的 金屬層進行蝕刻，其特徵爲：此ARC聚合物中間層的蝕 刻是藉由對光阻具有高選擇性之CF4ARC(抗反射覆蓋層） 開放製程而實施。 2·如申請專利範圍第1項之方法，其中此蝕刻在蝕刻室中 以增強的電漿實施。 3. 如申請專利範圍第2項之方法，其中此蝕刻是以大約6〇〇 瓦（W)之RF功率實施。 4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之方法，其中此 CF4ARC開放製程，藉由CHF3之成份而實施。 5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之方法，其中此 CF4ARC開放製程，藉由一種〇2之成份而實施。 6. 如申請專利範圍第4項之方法，其中此CF4ARC開放製程， 藉由一種02之成份而實施。 7·如申請專利範圍第1至3項中任一項之方法，其中此等製 程參數是： C F 4 3 5....45 S c c m CHF3 17....23 Seem 480624 六、申請專利範圍 〇2 5....7 Seem Ar 80....120 Seem 壓力 80···. 120 毫托耳（mTorr) 功率 550…650 瓦（Watt) 〇 8.如申請專利範圍第5項之方法，其中此等製程參數是： cf4 3 5____4 5 Seem chf3 17....23 Seem 〇2 5____7 Seem Ar 80....120 Seem 壓力 80.··.120 毫托耳（mTorr) 功率 550…650 瓦（Watt) o -2-
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19937995A DE19937995C2 (de) | 1999-08-11 | 1999-08-11 | Verfahren zur Strukturierung einer organischen Antireflexionsschicht |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW480624B true TW480624B (en) | 2002-03-21 |
Family
ID=7918017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW089115998A TW480624B (en) | 1999-08-11 | 2000-08-09 | Method to structure the organic anti-reflection layer |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6559067B2 (zh) |
| JP (1) | JP4101516B2 (zh) |
| DE (1) | DE19937995C2 (zh) |
| TW (1) | TW480624B (zh) |
| WO (1) | WO2001013412A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100626743B1 (ko) | 2004-07-29 | 2006-09-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 패턴 형성 방법 |
| US7838432B2 (en) * | 2007-04-16 | 2010-11-23 | Applied Materials, Inc. | Etch process with controlled critical dimension shrink |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5302240A (en) * | 1991-01-22 | 1994-04-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device |
| US5656128A (en) * | 1993-03-26 | 1997-08-12 | Fujitsu Limited | Reduction of reflection by amorphous carbon |
| US5976769A (en) * | 1995-07-14 | 1999-11-02 | Texas Instruments Incorporated | Intermediate layer lithography |
| JP2674589B2 (ja) * | 1995-11-09 | 1997-11-12 | 日本電気株式会社 | レジストパターンの形成方法 |
| US5759746A (en) * | 1996-05-24 | 1998-06-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Fabrication process using a thin resist |
| US5804088A (en) * | 1996-07-12 | 1998-09-08 | Texas Instruments Incorporated | Intermediate layer lithography |
| US5773199A (en) * | 1996-09-09 | 1998-06-30 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Method for controlling linewidth by etching bottom anti-reflective coating |
| US6428894B1 (en) * | 1997-06-04 | 2002-08-06 | International Business Machines Corporation | Tunable and removable plasma deposited antireflective coatings |
| US5981398A (en) * | 1998-04-10 | 1999-11-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Hard mask method for forming chlorine containing plasma etched layer |
-
1999
- 1999-08-11 DE DE19937995A patent/DE19937995C2/de not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-08-09 TW TW089115998A patent/TW480624B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-08-10 WO PCT/EP2000/007781 patent/WO2001013412A1/de active Application Filing
- 2000-08-10 JP JP2001517415A patent/JP4101516B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-02-11 US US10/073,554 patent/US6559067B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020160618A1 (en) | 2002-10-31 |
| US6559067B2 (en) | 2003-05-06 |
| WO2001013412A1 (de) | 2001-02-22 |
| JP4101516B2 (ja) | 2008-06-18 |
| JP2003507886A (ja) | 2003-02-25 |
| DE19937995A1 (de) | 2001-03-01 |
| DE19937995C2 (de) | 2003-07-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI478232B (zh) | Substrate handling method | |
| US6645851B1 (en) | Method of forming planarized coatings on contact hole patterns of various duty ratios | |
| JP4953825B2 (ja) | 取外し可能ハードマスクを用いたレチクル製造 | |
| Moran et al. | High resolution, steep profile, resist patterns | |
| TW434827B (en) | Silicon oxynitride cap for fluorinated silicate glass film in intermetal dielectric semiconductor fabrication | |
| US20080206655A1 (en) | Mask blank, method of manufacturing an exposure mask, and method of manufacturing an imprint template | |
| JP2001526461A (ja) | 酸化窒化珪素と無機反射防止皮膜をエッチングするための方法 | |
| KR20150013412A (ko) | 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 그의 제조 방법 | |
| TW477007B (en) | Method and apparatus for high-resolution in-situ plasma etching of inorganic and metal films | |
| US8080473B2 (en) | Method for metallizing a pattern in a dielectric film | |
| JP6396611B2 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 | |
| US6753584B1 (en) | Antireflective coating layer | |
| KR101465107B1 (ko) | 플라즈마 에칭 방법 | |
| JP2008535280A (ja) | Ａｒｃ材料のｃｄ低減のためのエッチングプロセス | |
| US6811959B2 (en) | Hardmask/barrier layer for dry etching chrome films and improving post develop resist profiles on photomasks | |
| US5914277A (en) | Method for forming metallic wiring pattern | |
| JP2007005523A (ja) | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、ならびにこれを用いたパターン転写方法 | |
| TW480624B (en) | Method to structure the organic anti-reflection layer | |
| TW515042B (en) | Method to produce a conductor-structure for an integrated circuit | |
| JPH0794467A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| KR20070003336A (ko) | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 | |
| US6630397B1 (en) | Method to improve surface uniformity of a layer of arc used for the creation of contact plugs | |
| US6897153B2 (en) | Etching gas composition for silicon oxide and method of etching silicon oxide using the same | |
| White | Planarization phenomena in multilayer resist processing | |
| TW479323B (en) | Manufacturing method of dual damascene |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |