TW447188B

TW447188B - Motor with electronic distributing configuration

Info

Publication number: TW447188B
Application number: TW087112243A
Authority: TW
Inventors: Makoto Gotou; Masaaki Ochi
Original assignee: Matsushita Electric Ind Co Ltd
Priority date: 1997-08-06
Filing date: 1998-07-27
Publication date: 2001-07-21
Also published as: CN1207608A; EP0896423A3; EP0896423A2; US6262557B1; US5982118A; CN1074207C

Description

447188 A7 ___—_________________ Β7· ____ 五、發明説明（1) ~ 本發明之背景本發明之範圍： 1 --It II 1- n D - · I— - n n _ . 丁 '-=φ (請先閱讀背而之注意事項再填艿本頁) 本發明有關於一種馬達，它藉使用多個電晶體而能電子式地改變電流路程。相關技藝之說明：近年來’甚多辦公室自動化裝置和視聽裝置之使用馬達者，藉使用多個電晶體電子式地改變電流路程。例如，有一馬達藉使用PNP型功率電晶體和NpN型功率電晶體兩者對繞組改變電流路程。第34圖顯示此類早期技藝之馬達，其操作將予以說明。一轉子20 U有一磁場部分由一永久磁鐵所形成。依照轉子2011之轉動，一位置探測塊2〇41產生兩對三相電壓信號 K1 ’ K2 ’ K3和K4 ’ K5 ’ K6。一第一分配塊2042產生三相下部傳導控制彳§號L1 ’ L2和L3相當於電壓信號κ 1，K2 和K3，並控制。低部NPN型功率電晶體2〇2卜2022和2023 1 之傳導。一第—分配塊204?產生三相上部傳導控制信號Ml . ，M2,和M3相當於電壓信號Κ4，Κ5和K6,並控制上部PNP 型功率電晶體2025 ’ 2026和2027。因此，三相驅動電壓係供應至三相繞組2012，2013和2014。不過’此一早期技藝馬達有下列各項問題。 (1)較大功率耗失：在此早期技藝架構中，NPN型功率電晶體2〇21，2〇22 和2023以及PNP型功率電晶體2025，2026和2027之射一集電Μ係呈類比方式地控制’藉以供應必要振幅之驅動電流本紙張尺度洎扣中國國家梯隼（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 4 4 471 8 8 A7 B7 經滴部中央標年局貝工消资合作社印¾ 五、發明説明（2) 至繞組2012，2013和2014。因此，在啟動期内橫越此功率電晶趙之殘餘電塵降變成較大，以及此一殘餘電麗降和功率電晶體之傳導電流造成一較大功率耗失。特別是，由於至此馬達繞組之驅動電流係較大，故功率耗失曾經足極端地大。其結果，馬達有一極低之功率效益。 (2) 昂貴之成本為了要減少馬達之叙造成本，非常有效者是要整體化電晶艎，電阻器，和類似者在一單一晶片上成為一積體電路。不過’一較大晶片區係需要以組成這些PNp型功率電晶體2025 ’ 2026和2027 ’由是而增加成本。此外，當這咏電晶體和電阻器係經結成整體在一積體電路晶片上時，由於寄生電容之效應，故吾人雖以實施PNP型功率電晶體之一快速操作。況且，功率電晶體之功率耗失和熱產生係亦太大而不能將其整體化成為一 IC。特別地是，由於對馬達繞組之驅動電流係較大，故此IC很可能地與一由自這些功率電晶片之熱產生所造成之熱崩潰相遭遇β如果—幅射板係經提供至此1C以便能防止此類熱崩潰，則成本係相對地大大增加。 (3) 較大馬達振動近年來’在光學碟片裝置中，諸如DVD-ROM以及磁鐵碟月裝置諸如HDD和FDD者，具有減小振動之馬達係強烈地需要，因為自此一碟片有較高密度之錄音（影）及/或在其上回播。不過’在早期技藝架構中’當一功率電晶體係突然地更迭時’一尖光電壓係在一繞組内產生，由是而本紙張尺度適用中阗拽家標唪〖rNS ) Λ4说格（21〇><297公釐） n Ϊ n»i n^i I i I 0¾ ，ve (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 5 4 4 7 18 8 A7 B7 五、發明説明（3 ) 脈振此驅動電壓。因此，馬達產生之力量係經脈振以及—

I 較大馬達振動發生。 •4人曾經強烈地希望來開發一種馬達，其令每一或所有這些問題係能解決> 因此，本發明之目的係在解決上述問題，各自地或同時地’並提供一馬達之有此架構適用以呈積體電路形態地來實施。本發明之概述本發明之馬達包含：一可移動構件；多相位繞組；電壓供應裝置用以供應一直流電壓，第—功率放大裝置之Q件（Q是一3或更多之整合體）各包括一第一 FET功率電晶體用以形成一電流路程於該電壓供應裝置之負極邊和該多相位繞組之一之間； ^ 第二功率放大裝置之Q件各包括一第二FET功率電晶體用以形成一電流路程於該電壓供應裝置之正極邊和該多相位繞組之一之間：經漪部中决標隼局Κ3ζχ消φ：合作衽印奴變更信號產生襞置，用以產;生多相位變更信號；第一分配控制裝置，用以控制回答以該變更信號產生裝置之輸出信號之第一功率放大裝置之卩件；第二分配控制裝置’用以控制回答以該變更信號產生裝置之輸出信號之第二功率放大裝置之Q件；以及

轉換操作裝置’用以促使該第一功率放大裝置之該Q 本纸張尺錢财關( 210X297^ ) 6 447 1 8 8 A7 B7 經漪部中央標挲局貝工消费合作社印策發明説明（4 ) 件和該第二功率放大裝置之該Q件之至少一件來實施高頻率轉換， 1 ά及其中該第一分配控制襞置和第二分配控制裝置包括用以供應至少一電流信號之裝置，至少在對第一功率放大裝置之 Q件和该第一功率放大裝置之q件之至少一件之傳導控制接頭邊之昇高及/或降下斜度中，穩定地或大體上穩定地變化。以上文提及之架構，某些第一功率放大裝置和第二功率放大裝置係被促使以執行高頻率轉換操作，俾使這些功率放大裝置之功率耗失可以顯著地減少。其結果，此馬達之功率效益係亦顯著地改進。在某些第一及第二功率放大執行高頻率轉換操作之情況t，電流路程至多相位繞組之平順變更操作可以藉供應一電流信號來達成，至少在昇高斜度部分，降下斜度部分及平坦部分之中，至少對功率放大裝置之傳導控制接頭邊之界高及/或降下斜度上平穩地‘ 或大體上平穩地變化。其結果，至多相位繞組之此驅動電流信號係平穩地改變，藉以減少此馬達之產生之轉矩之脈振或起伏。因此，一具有減少振動以及減少功率損耗之最佳馬達可以獲得。此外，第一和第二功率放大裝置之功率電晶體可以與其他電晶體及電阻器結成整體地置於一單一 1C晶片上。因此，上述馬達可以以低成本獲得。此外’依據本發明之另一架構之馬達包含：一可移動構件；太紙張尺度適则家獅（（:NS ) Λ4· ( 2ί〇χ297公薄) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝_ 訂 7 447188 A7 _______________Bf _ 五、發明説明（5 ) 多相位繞組；

I 電壓供應裝置，用以供應一直流電壓， έ 一功率放大裝置之Q件（Q是3或更多之整合體）各包括一第一 FET功率電晶體用以形成一電流路程於該電壓供應裝置之輸出接頭邊和多相位繞組之一之間，並用以放大對傳導控制接頭邊之一輸入電流；第二功率放大裝置之Q件各包括一第二FET功率電晶體用以形成一電流路程於該電壓供應裝置之另一輸接頭邊和該多相位繞組之一之間，並用以放大對傳導控制接頭邊之一輸入電流；第一分配控制裝置’用以供應第一 Q相位電流信號，並各有一有效電角度較360/Q度為大者，至第一功率放大裝置之每一該Q件之傳導控制接頭邊；第一分配控制裝置’用以供應第二Q相位電流信號，並各有一有效電角度較360/Q度為大者，至第二功率放大裝置之每一該Q件之傳導控制接頭邊；以及轉換操作裝置，用以造成至少要就是第一功率放大裝好滴部中央榡绛局ΚΪ；工消合作社印紫 -----------裝------訂 (請先閱讀背面之注意事項再填艿本頁) 置之Q件抑或該第二功率放大裝置之q件來實施高頻率轉換。以上文提及之架構，某些第一功率玟大裝置和第二功率放大裝置係被促使以執行高頻率轉換操作，俾使這些功率放大裝置之功率耗失可以顯著地減小。其結果馬達之功率效益係亦顯著地改進。此外，每—片第一和第二功率放大裝置係如此構形以放大一輸入電流至傳導控制接頭邊本紙張尺度场川中國國家標準{ CNS ) Λ4規格（2丨〇χ297公楚） 447188 A7 B7 五、發明説明（6 ) 。此第一Q相位電流信號，各有一有效電角度大於36〇/q 度者，係供應至第一功率放大裝置之Q件之傳導控制接頭邊。A第二q相位電流信號，各有一有效電角度大於36〇/q 度者’係供應至第二功率放大裝置之Q件之傳導控制接頭邊。其結果，對多相位繞組之電流路程之平穩變化操作即可以達成。例如，每一第一和第二Q相位電流信號可以是一至少在昇高或/及降下斜度上平穩或大體上平穩地變化之電流信號·>因此，至此繞組之驅動電流信號係平穩平改變’藉以減小馬達之所產生轉矩之脈振或浮動。因此，一優良之馬達具有減小振動及減少功率損耗者即可以獲得。依照本發明之另一架構之馬達包含： —可移動構件；多相位繞組；電壓供應裝置’用以供應一直流電壓，第一功率放大裝置之Q件（Q是3或更多之整合體）各包括一第一功率電晶體用以形成一電流路程於該電壓供應裝. 置之一輪出接頭邊和多相位繞組之一之間；第二功率放大裝置之Q件各包括一第二功率電晶體用以形成一電流路程於該電壓供應裝置之—輸出接頭邊和該多相位繞組之一之間；變更信號產生裝置，用以產生多相位變更信號；第一分配控制裝置，用以供應第一卩相位信號之各有一有效電角度大於360/Q度者，至回應以該變更信號產生裝置之輸出信號之第一功率故大裴置之每一該Q件之一傳本紙張尺度適用中因國象榡準（（:NS ) A4規格（2丨Ox 297公楚） η k, 閱讀背而之注意事項再旁 ^-漪部中央標準局貝工消资合作社印繁 9 4471 88 A7 B1 經满部中央標準局貝工消贤合作社印^ 五、發明説明（7 ) 導控制接頭邊；第一分配控制裝置’用以供應第二Q相位信號之各有

I 一有效電角度大於360/Q度者，至回應以該變更信號產生裝置之輸出信號之第二功率放大裝置之每一該Q件之一傳導控制接頭邊；以及轉換操作裝置’用以促使至少第一功率電晶體之Q件和該第二功率電晶體之Q件之一來實施高頻率轉換，並用以促使至少要就是第一功率放大裝置之Q件抑或第二功率放大裝置之Q件，在其傳導控制接頭邊回應以一單一脈衝信號之同一時間，來實施關斷操作。以此上文提及之架構，至少要就是，第—功率放大裳置’抑或第二功率放大裝置，係被促使以依照單一脈衝信號而實施高頻率轉換操作’俾使這些功率放大裝置之功率耗失可以顯著地減少'其結果，馬達之功率效益係亦顯著地改進》此外，某些或所有第一和第二功率電晶體係被促使以實施高頻率轉換操作'此第一 Q相位信號，各有一有效電角度較大於360/Q角度者，係供應至第一功率放大裝置之Q件之傳導控制接頭邊。此第二Q相位信號，各有一有效電角度較大於360/Q度者，係供應至第二功率放大裝置之Q件之傳導控制接頭邊。其結果，對多相位繞組之電流路程之平順變更操作即可以達成。例如彳，每一第一和第二Q相位信號可以是至少在昇高及/或降下斜度上平穩或大體上平穩地變化之一電士信號，由是而減小驅動電流信號之脈振和所產生之轉矩之波動。因此，一優良之馬達具有本紙張尺度递用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2t〇X2?7公釐） ^^1 ^^1 nt - 11 —^i. ! I— HI — If - - IK U3 、-'t (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 10 ^47 V8 8 A7 B"? 五 Μ濟部中央標準扃只工消費合作社印製、發明説明（8) ' ~---- 減小之振動及減少之功率耗失者”以獲得。此外，由於至少要就是第-功率放大裝置，;或第二功率放大裝置在同一4間地僅有一單一脈衝信號控制轉換操作，故吾人易於控制此轉換時間’由是而簡化馬達之轉換控制架構。依照本發明之另一觀點之馬達，包含：一可移動構件；多相位繞組；電壓供應裝置’用以供應一直流電壓，第一功率放大裝置之Q件（Q是3或更多之整合體）各包括一第一功率電晶體，用以形成一電流路程於該電壓供應裝置之一負極邊和多相位繞組之一之間；第二功率放大裝置之Q件各包括一第二功率電晶體，用以形成一電流路程於該電壓供應裝置之正極邊和該多相位繞組之一之間；變更信號產生裝置，用以產生多相位變更信號；第一分配控制裝置，用以控制回應以該變更信號產生裝置之輸出信號之第一功率放大裝置之該Q件，以及第二分配控制裝置，用以控制回應以該變更信號產生裝置之輸出信號之第二功率放大裳置之該Q件；以及其中該第一分配控制裝置和該第二分配控制裝置包括：用以供應至少一電流信號之裝置，該電流信號至少在昇高及/或降下斜度上平穩或大體上平穩地變化者，至在第一功率放大裝置之Q件和第二功率放大裝置之該Q件之 11 >紙張尺度速用中國國家標準（CNS ) ΛΊ現格（210Χ 297公釐）經漪部巾决標準局負工消贫合作社印製 447188 五、發明説明（9 ) 中，功率放大裝置之至少一件之了傳導控制接頭邊，以及用以供應至少一輔助信號之^置，該輔助信號有一有效期七該至少一個電流信號之傳導過程内該至少一電流信號之有效期為小者，至功率放大裝置之至少一件之傳導控制邊。以上文提及之架構，至為顯明者，當一輔助電流信號係經供應時，吾人即能顯著地減少由功率放大裝置之功率電阻器之接上電阻所造成之功率耗失。因此一馬達具有減少之功率耗失者即可以獲得。此外’藉供應一電流信號之在昇高及/或降下斜度上至少穩定或大體上穩定地變化者，此驅動電流信號之脈振即可以顯著地減小。其結果，優良之馬達具有減小之振動及減少之功率耗失者即可以獲得* u些及其他架構和操作將連同較佳實施例作詳細說明，附圊之簡要說明：第1圖係一略囷’顯示本發明之第1實施例之架構。第2圖係第一實施例内—變更信號產生部分34之電路圖。第3圖係第一實施例内一供應信號產生部分3 〇之電路圖。 ' 第4圓係第一實施例内分配信號產生部分36之一電路圈。第5圖係第一實施例内第一電流放大部分41，42和43 ( CNS ) mm ( 210X297/^* ) 1^1 —4^Γ Hi nn —« ^^^1 t^i^— If 4李 i ， (請先M讀背而之注意事項再填寫本f ) 12 447188 A7 B7 五、發明说明（10 ) —~^ 之電路圖。第6圖係第一實施例内第二電流放大部分45，46和47 ，以A—高電壓輸出部分之電路圖。第7圖係第一實施例内一轉換控制部分22之電路圖。第8圖係第一實施例内一積體電路之部分之橫載面圖〇第9圖係用以解釋第一實施例之操作之波形圖。第10圖係本發明之實施例内顯示功率放大部分之另一架構之一電路圖。第11圖係顯示本發明之實施例内功率放大部分之另一架構之一電路圖。第12圖係顯示本發明之實施例内轉換脈動電路之另一架構之電路圖。第13圖係一略圖，顯示本發明之第二實施例之架構。第14圖係第二實施例内—輔助供應部分5〇〇之電路圖 * ° 第15圖係第二實施例内一輔助變更信號產生部分5! 〇之電路圖。第16圖係用以解釋第二實施例内輔助變更信號產生部分510之操作之波形圖。第17圖係一波形圖，顯示第一輔助電流信號，第二輔助電流信號’第一放大電流信號，第二放大電流信號，第一混合電流信號，以及第二混合電流信號。第18圖係一略圖，顯示本發明之第三實施例之架構。本纸张尺度珀用中國國家榡率（（、NS ) Λ4現格（2】0X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本莨) 裝·

，1T 13 經滴部中央標準扃兵工消費舍作社印製 447 18 8 A7 五、發明説明（11 ) " 第19圖係第三實施例内一功率放大部分之電路圖。

I 第20圖係一電路圖，顯示本發明之實施例内功率放大部分1另一架構。第21圖係一略圖’顯示本發明之第四實施例之架構。第22圖係第四實施例内轉換控制部分7〇〇之一電路圖〇第23圖係一略圖’顯示本發明之第五實施例之架構。第24圖係第五實施例内一轉換控制部分800之電路圖〇第25圖係第五實施例内一輔助供應部分81〇之電路圖〇第26圖係第五實施例内第二電流放大部分845，846， 847之一電路圖。第27圖係第五實施例内第二功率放大部分之電路圖。第28圖係一電路圖，顯示本發明之實施例内第二放大部分之另一架構。第29圖係一略圖’顯示本發明之第六實施例之架構。第30圖係第六實施例内一關斷操作部分i〇〇〇之電路圖〇 , 第3 1圖係一電路圖，顯示本發明之實施例内分配之信號產生部分之另一架構。；第32圖係一電路圖，顯示本發明之實施例内功率放大部分之另一架構。第3 3圖係一電路圖’顯示本發明之實施例内功率放大本紙张尺㈣财目财料(('NS )_Λ4規格ϋ[297公廣)—* .H _1 ^1. I I I I ^^1 X. -β (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁〕 -14 - 447 8 8 A7 __ΒΤ_ 五、發明説明（12 ) 部分之另一架構。第34圖係一略圖，顯示一早期技藝之馬達之架構。 i發明之若干較佳實施例，將以第1圖至第33圖内所示之附圖為基準，詳細說明如下文。 [第一實施例] 第1圖至第8圖說明本發明之第一實施例内馬達之架構。第1圖顯示馬達之一综合架構。一可移動構件1，例如，係一轉子經裝设以一磁场部分’它由於一永久磁鐵產生多極之磁通量。在此一實施例中，可移動構件1之磁場部分係經指示以一雙極磁化之永久磁鐵。在本發明之一變更之實施例中，它可以自多極磁鐵或自甚多磁性極片建造。三相繞組2 ’ 3和4係放置在一定子上，各以電之12〇度自另— 個位移。此三相繞相2，3和4藉三相驅動電流信號j 1，12 和13而產生三相通量β此馬達藉相互作用於可移動構件工之磁場部分和驅動電流信號之間而產生一力量，並給予此 * 產生之力量至可移動構件1。~圓盤lb係安裝在可移動構件1上並與可移動構件1 一起轉動。 :漭部中央榡卑局消费合作，^-印狀 n n —r —r ti K n n n n I— _ _ _ T 、一δ (諳先閲靖背面之注意事項再填寫本頁；一一直流電源部分50，作為電壓供應部分者，有一負極面一和一正極面+。此負極邊係連接至接地線，以及此直流電源部分50供應一直流電壓Vcc於正極邊處。三個第— 功率放大部分11 ’ 12和13之電流輸出邊係經由一電流探測部分21而連接至直流電源部分5〇之負極邊。此第一功率放大部分11包括一第一 N波道金氧半場效應電晶體nm〇S-FET功率電晶體61和一第一功率二極體61 d呈並聯地連接本紙張尺度適川中國围家標苹（rNS 規格（2mx 297公势) 15 44718 8 A7 B7 五、發明説明（丨3) 並反向地至第一NMOS-FET功率電晶體61。此NMOS-FET 電晶體意指一場效應電晶體具有N波道金氧半之結構。此第一 liiMOS-FET功率電晶體61之電流輸出接頭邊係經由此電流探測部分21而連接至直流電源部分50之負極邊，以及其電流輸入接頭係連接至繞組2之電力供應接頭。此第一功率二極體61 d之電流輸入接頭邊係連接至第一 NM0S-FET功率電晶體61之電流輸出接頭邊，以及其電流輸出邊係連接至第一NM0S-FET功率電晶體61之電流輸入接頭邊。此第一功率放大部分11形成一第一場效應電晶體之功率鏡式電流電路之有此第一 NM0S-FET功率電晶體61和一 NM0S-FET電晶體71者，藉以放大一輸入電流信號至其傳導控制接頭邊。就此有關言，此FET功率鏡式電流電路意指一FET鏡式電流電路之有一 FET功率電晶體作為一功率輸出電晶體者。NMOS-FET功率電晶體61對NMOS-FET功 #ί淌部中央#準局β工消资合作社印繁率電晶體71之容器大小之比率係設定至！ 0〇倍，以及當此 FET功率電晶體61在其有效操作區内係正操作於半接上狀態令時此第一功率鏡式電流電路之電流放大比率係設定至 100倍。一 FET電晶體可在三個狀態中操作：全接上狀態 ’半接上狀態，和關斷狀態。在全接上狀態中，此FET電曰B體實施電輸入和輸出接頭之間之短路β在此半接上狀態中，此FET電晶體可在其有效操作區域内放大一輸入信號°在此全接上狀態或半接上狀態中，此FET電晶體係經啟動或有效。此FET功率電晶體61係經構形，例如，藉一 FET電晶體具有雙重漫射型波道金氧半結構者，以及本紙張尺度適用中國國家標埤（（:NS ) Λ4規格（210X29?公榮） 16 41 8 8 A7 B1 經满部中央標導局員工消贽含作社印來、發明説明（14 ) 寄生-極H裝置係自電流輸出接頭邊反向地相等地連接至FET功率電晶體61之電流輸入接頭邊。此一寄生二極體裝·置▲使用作為第一功率二極體6ia。以相同方式，此第一功率放大部分12包括一第一 NMOS-FET功率電晶體62和一第一功率二極體62d呈並聯地連接並反向地至第—NM〇s_FET功率電晶體62。此第一 NMOS-FET功率電晶體62之電流輸出接頭邊經由電流探測部分21而連接至直流電源部分5〇之負極接頭邊，以及其電流輸入接頭邊係連接至繞组3之電力供應接頭。此第一功率一極想62d之電流輸入接頭邊係連接至第一 nm〇s_fet 功率電晶體62之電流輸出接頭邊，以及其電流輸出接頭邊係連接至第一NMOS-FET功率電晶體62之電流輪入接頭邊。此第一功率放大部分12形成一第一FET功率鏡式電流電路之有此第一NMOS-FET功率電晶體62和NMOS-FET電晶體72者，並放大一輸入電流信號至其傳導控制接頭邊（容器大小之比率：100倍）。此第一 NM〇S_FET功率電晶體62 係經構形’例如’藉一 FET電晶體具有雙重漫射之N型波導金氧半結構’以及此第一 NMOS-FET功率電晶體62係使用作為一第一功率二極體62d。以相同方式，此第一功率放大部分13包括一第一 NMOS-FET功率電晶體63以及一第一功率丨二極體63d呈並聯地連接並反向地至第一NMOS-FET功率電晶體63。此第一 NMOS-FET功率電晶體63之電流輸出接頭邊係經由電流探測部分21而連接至直流電源部分50之負極接頭邊，以及本紙张尺度適州中國g家標苹（CNS ) Λ4規格（2i〇X297公#—) 裝------訂------\ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 17 447188 A7 ________B7_ 五、發明説明（I5 ) 其電流輪入接頭邊係連接至繞組4之電力供應接頭。第一 ί NMOS-FET功率二極體63d之電流輸入接頭邊係連接至第一N^OS-FET功率電晶體63之電流輸出接頭邊，以及其電流輸出接頭邊係連接至第一 NMOS-FET功率電晶體63之電流輸入接頭邊。此第一功率放大部分13形成一第一 FET功率鏡式電流電路之有第一 NMOS-FET功率電晶體63及 NMOS-FET電晶體73者；並放大一輸入電流信號至其傳導控制接頭邊（容器大小之比率：100倍）。此第— NMOS-FET 功率電晶體63係經構形，例如，藉一 feT電晶體具有雙重漫射之N型波道金氧半結構者，以及此第一 nm〇S-FET功率電晶體之一寄生二極體裝置係使用作為一第—功率二極體63d。經滴部中决標準局負工消費合作社印聚 H —.^ϋ tst n^i n-ί *n> m ^^1 n (請先閲讀背面之注意事項再填巧本頁) 第一功率放大部分11，12，13之每一第一功率鏡式電流電路放大一輸入電流信號至其各傳導控制接頭邊。轉換控制部分20之控制脈動信號Y1，Υ2和γ3控制第一 NMOS-FET功率電晶體61，62和63之接上/關斷，由是而實行高頻率轉換操作。此第一功率放大部分丨丨，12和π供應驅動電壓信號VI，V2和V3於高頻率轉換中至此三相繞組2，3 和4之電力供應接頭邊’俾使驅:動電流信號丨丨，12和13之負極電流部分係供應至這些繞組2，3和4。此一操作將詳細說明如后" \ 三個第二功率放大部分15，16和17之電流輸入接頭邊一般地係連接至直流電源部分5〇之正極接頭邊。此第二功率放大部分15包括一第二NMOS-FET功率電晶體65和一第本紙張尺度適用中國國家標準（（:NS ) Λ4規格（2iOx297公廣）

經消部中央橾準局員工消费合作杜印M _____B7_ 五、發明説明（W )

二功率二極體65d並聯地連接並回返地至第二NMOS-FET i 功率電晶體65。此第二NMOS-FET功率電晶體65之電流輪

I 入接巔邊係連接至直流電源部分5 0之正極接頭邊，以及其電流輸出接頭邊係連接至繞組2之電力供應接頭。第二功率二極體65d之電流輸入接頭邊係連接至第二NMOS-FET 功率電晶體65之電流輸出接頭邊，以及其電流輸出接頭邊係連接至第二NMOS-FET功率電晶體65之電流輸入接頭邊。此第一功率放大部分15形成一第二FET功率鏡式電流電路之有第二NMOS-FET功率電晶體65和NMOS-FET電晶體 75者，並放大一輸入電流信號至其傳導控制接頭邊。第二 NMOS-FET功率電晶體65對NMOS-FET電晶體75之容器大小之比率係設定至100倍’以及當此第二NMOS-FET功率電晶體6 5係正操作在其有效操作區域内之半接上狀態時，此第一功率鏡式電流電路之電流放大比率係設定至1 〇 1倍。此第一NMOS-FET電晶體65係經構形，例如，以一fet 電晶體具有雙重漫射之N型波道金氧半結構，以及一寄生二極體裝置係相等地自此電流輪出接頭邊倒反地連接至第二NMOS-FET功率電晶體65之電流輸入接頭邊。此一寄生二極體裝置係用作一第二功率二極體65(1。以相同方式，此第二功率放大部分16包括一第二 NMOS-FET功率電晶體66和一第二功率二、極體66d並聯地連接並倒反地至此第二NMOS-FET功率電晶體66 D此第二 NMOS-FET功率電晶體66之電流輸入接頭邊係連接至直流電源部分50之正極接頭邊，以及其電流輸出接頭邊係連接本紙乐尺錢财麵家辟("i：NS ) ( 210X 297/^ )--一 -19 - ^11 1---: It— mV Hat κ ^^^1 ^^^1 ^1.^1 ^^^1 U5T 、-0 (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) 447188 #ί•沭部中火扰^-^β·1-消贽合作社印裝 A7 B7- 五、發明説明（！7) 至繞組3之電力供應接頭。此第$功率二極體66d之電流輸入接頭邊係連接至第二NMOS-FET功率電晶體66之電流輸出接頭邊’以及其電流輸出接頭邊係連接至第：NM〇S-FET功率電晶體66之電流輸入接頭邊。此第二功率放大部分16形成一第二FET功率鏡式電流電路之有此第二nm〇S-FET功率電晶體66和此NMOS-FET電晶體66者，並放大一輸入電流信號至其傳導控制接頭邊（容器大小之比率：1〇〇倍）。此第二NMOS-FET功率電晶體66係經構形，例如，以一 FET電晶體具有雙重漫射之n型金氧半結構，以及第二NMOS-FET功率電晶體66之一寄生二極體裝置係使用作為一第二功率二極體66d » 以相同方式，此第二功率放大部分17包括一第二 NMOS-FET功率電晶體67和一第二功率二極體67d並聯地連接並倒反地至第二NMOS-FET功率電晶體67。此第二 • NMOS-FET功率電晶體67之電流輸入接頭邊係連接至直流電源部分50之正極接頭邊，以及其電流輸出接頭邊係連接至繞組4之電力供應接頭。第二功率二極體67d之電流輸入接頭邊係連接至第二NMOS-FET功率電晶體67之電流輸出接頭邊，以及其電流輸出接頭邊係連接至第：NM〇s_fet 功率電βη體6 7之電流輸入接頭邊。此第二功率放大部分17 形成一第二FET功率鏡式電流電路之有第二NM〇s_FET# 率電晶體67和NMOS-FET電晶體77者，並放大一輸入電流彳§號至其傳導控制接頭邊（容器大小之比率：1 〇〇倍）本紙張尺度適刖中國國家標準（CNS > Λ4規格（210X297公釐） 4^— * - a —^ϋ ^^^1 ^^^1 I ^^^1 n^i ，一eJ (#先聞讀背面之注意事項A填寫本頁) 20 447188 A7 Β7 五、發明説明（18 ) "^ 。此第二NMOS-FET功率電晶體_經構形，例如，藉一 FET電晶體具有雙重漫射之_波道之金氧半結構者，曰以及第丄NMOS-FET功率電晶體67之一寄生二極體裝置係使用作為一第二功率二極體67d。第二功率放大部分15，U和17之每一第二功率鏡式電流電路放大-輸入電流信號至其每一傳導控制接頭邊，俾使驅動電流仏號11，12‘ 13之正極電流部分係供應至三相繞組2，3和4。此一操作將詳細說明如後文。此第一功率放大部分1丨，12和13係並聯地連接，以及變更電流路程，各在繞組之每一電力供應接頭和直接電源部分50之負極接頭邊之間。在同一時間，此第二功率放大部分15，16和17係並聯地連接，以及變更電流路程各在繞組之每一電力供應接頭和直流電源部分5〇之正極接頭邊之間。一命令信號Ad自一命令信號產生部分2〇者係進入一供應信號產生部分30和一轉換控制部分22兩者内。此命令. 信號產生部分係經構形’例如，以一速度控制塊探測並控制可移動構形1之轉動速度至一目標值。因此，此命令信號Ad控制供應至繞組2，3和4之驅動電流信號和驅動電壓信號兩者，藉以命令對這些繞組之供應電力。此供應信號產生部分30輸出此第一供應電流信EC1 和第二供應電流信號C2，兩者相當於命令信號Ad。第3圖顯示供應信號產生部分30之架構。一電壓一電流換流電路 151輸出一換流之電流信號Bj對命令信號Ad成比例。此轉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

T 本纸浪尺度適爪中囤國家樣卒((:NS ) Λ4規格（210X 297公釐") ~ ~" ' 447188 A7 __________B7__ 五、發明説明（19 ) 換之電流信號Bj自一電壓一電流轉換電路151者係供應至包含電晶體171至173以及電阻器174至176之一鏡式電流電路，ά以產生兩個電流信號對轉換之電流信號Bj成比例在電晶體172和173之集極邊。電晶體172之集極電流信號係經由一包含電晶體181和182之鏡式電流電路而輪出。電晶體182之集極電流信號Bp 1係添加至一定流源1 83之第一指定之電流信號Qq 1 ’藉以輸出此添加之電流作為第一供應電流信號C1。隨後，Cl=Bpl+Qql。電晶體173之此集極電流信號Bp2係添加至定流源184之第二指定電流信號Qq2 ，藉以輸出此添加之電流作為第二供應電流信號C2。隨後’ C2=Bp2+Qq2。因此，第一供應電流信號C1和第二供應電流信號C2兩者係對此命令信號Ad成比例或大約地成比例。此外，每一第一供應電流信號C1和第二電流供應電流信號C2包括一每一定流源183和184之Qql或Qq2之一指定之偏壓電流。定流源183和184之此電流值Qq2及Qq2 係在需要時設定，並可以是零。經濟部中央標-"局貝工消贽合作社印來顯示於第1圖内之一變更信號產生部分34輸出三相變更電流信號Dl，D2和D3，這些信號平順地變化。第2圖顯示變更信號產生部分34之架構。在此一實施例中，此變更信號產生部分34係由一位置探測塊100和一變更信號塊 101所構形。、此位置探測塊100包括位置探測元件111和112，各包含一磁至電轉換元件（例如，一霍耳元件）以探測自此可移動構件1所產生之磁通量。有一 120度之電相位差在位置探 22 I I ί ^1 !· I I n I— n T (讀先閱讀背而之注意事項真填寫本其) 本紙悵尺度適用中囷囤家榡卑（（、NS ) M現格（2IOX297公梦) 447188 A7 B1 五、發明説明（20 ) 測元件111和112之間。此位置探測元件111和112輸出二相位置信號Jal和Jb 1以及Ja2和Jb2，各平穩地變化並依照可移動4件1之運動而呈正弦形態。在此一實施例中，Jal和 Ja2係互相為準地在相位上倒反（在它們之間有180度之電之相位差），以及Jb 1和Jb2係亦以相互為準在相位上倒反。相位倒反信號係不在新相位之數量上計數。此位置信號 Jb 1和Ja 1係藉電阻器113和114而複合以產生一第三位置信號Jcl，以及此位置信號Ja2和Jb2係藉電阻器115和116而複合以產生一第三位置信號Jc2。因此，此位置探測部分1 〇〇獲得三相位置信號Jal，Jbl和JcI(Ja2，Jb2和Jc2)，各有一相互間180度之電之相位差並呈正弦形態地變化。三個位置探測元件亦可以是被使用以產生三相位置信號。此變更信號塊101產生正弦變更電流信號Dl，D2和D3 ，相當於三相位置信號而平穩地變化。此電晶體122和123 依照第一相位位置信號Jal和Ja2之間之差壓而分配定流源 121之電流至其集極邊。電晶艘123之集極電流係藉自電晶' 體124和125所形成之鏡式電流電路而雙倍地放大。電晶體 125之集極電流係與定流源126之電流比較，隨後它們之間之差異電流係作為第一相位變更電流信號D1而輸出。因此’此變更電流信號D1依照位置信號jai而平穩地變化，俾使此電流信號D1在一 180度有效電角度\截面内流出（作為一正極電流部分），以及在下一 180度有效電角度截面内流入（作為一負極電流部分）。以相同方式，此變更電流信號 D2依照位置信號Jbl而平穩地變化，俾使此電流信號1)2在本紙張尺度ifi财賴家縣( CNS )八4祕（210X 297公楚） 1 I- - I — I —w I HI —1 - I - - - _ I _ 丁__ -5 (請先間讀背面之注意事項再4寫本頁) 經漪部中央標準局貝工消於合作社印^ 447188 好於部中夾榀卑而只T;消资合作社印繁 A7

BT 五、發明説明（21 ) 一180度有效電角度截面内流出（作為—正極電流），並在下一 180度有效電角度戴面内流入（作為一負極電流）。以相同方式，此變更電流信號D3依照位置信號Jci而平穩地變化，俾使電流信號D3在一 1 80度有效電角度截面内流出 (作為一正極電流部分），並在下一 1 80度有效電角度載面内流出（作為一負極電流部分），因此，此變更電流信號D! ，D2和D3變成正弦之相電流信號，各有一相互間之一特定相位差。第9a圈說明變更電流信號〇 1，D2和D3之波形。第9圖内之水平軸指示可移動構件1之轉動位置a 顯示於第1圖内之分配信號產生部分36包括一第一分配器37和一第二分配器38。此第一分配器37分配相當於變更信號產生部分34之三相變更電流信號Dl，D2和D3之供應信號產生部分30之第一供應電流信號ci，藉以產生三相第一分配電流信號El ’ E2和E3，各平穩地變化。此第二分配器38分配相當於變更信號產生部分34之三相變更電流信號D1 ’ D2和D3之供應信號產生部分30之第二供應電流信號C2，藉以產生三相第二分配電流信號Gl，G2和G3 ，各平穩地變化。第4圖顯示分配信號產生部分36之一架構。此第一分配器37之第一分離電路216輸出一第一分離信號Din相等於或相當於變更信號產生部分3 4之變更電流信號D1之負極電流部分。此第一分離電路217輸出一第一分離信號D2n 相等於或相當於變更信號產生部分34之變更電流信號]：)2 之負極電流部分。此第一分離電路218輪出一第一分離信本紙張尺度適圯中國國家標华（CNS > A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填艿本頁) 裝訂 24 經满部中史棉準局M.T.消t合作社印$; 4718 8 A7 — w__B7 五、發明説明（22 ) 號D3n相等於或相當於變更信號產生部分34之變更電流信號D3之負極電流部分。因此，第一分配器37之此第一分離電‘216，217，和2丨8獲得三相第一分離信號1)111，D2n 和D3n相等於或相當於三相變更電流信號di，D2和D3之負極電流部分。此第一分配器37之乘法電路2丨丨以第一反饋電路215之第一反饋信號E6乘此第一分離電路2丨6之第一分離信號 Din，以便能輸出對此乘積之結果成比例之第一分配電流信號E1 »以相同方式，此第一乘法電路212以第一反饋電路215之第一反饋信號Eb乘以第一分離電路217之第一分離信號D2n，以便能輸出對此乘積之結果成比例之第一分配電流信號E2。以相同方式，此第一乘法電路213以第一反饋電路215之第一反饋信號Eb乘以第一分離電路218之第一分離信號D3n，以便能輸出對此乘積之結果成比例之第一分配電流信號E3。此第一組成電路2 14加上第一分配電流信號El，E2和' E3之值，並輸出一相當於此總值之第一組成信號Ea。此第一反饋電路215獲得相當於第一組成電路214之第一組成信號Ec和供應信號產生部分3〇之第一供應電流信號ci之間之差異之第一反饋信號Eb。因此，此第一乘法電路211 ’ 212和213’此第一組成電路2U，以及第一反饋電路215 係組合以形成一反饋環路，俾使此第一組成信號以取一相菖於第一供應電流信號C1之一值。由於此第一組成信號Ea相當於三相第一分配電流信號Ei，E2和E3之總值，本紙張尺度適用中國國家標卑.（CMS ) Λ4規格（210X297公釐） ^^1 ^^^1 ^—1— (n n m I ^^^1 ^^^1 ^^^1 \ ’ -5 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 25 經濟部中夾樣準扃負工消费合作社印裝 447 18 8 A7 _______B7 五 '發明説明（23 ) 故此三相第一分配電流信號El，E2和E3係對三相第一分

I 離信號Din，D2n和D3n成比例。其結果，此三相第一分配器al7之三相第一分配電流信號El，E2和E3變成三相電流信號，此信號係藉分配大體上相當於變更信號產生部分 34之三相變更電流信號Dl，D2和D3之負極電流部分之供應信號產生部分30之第一供應電流信號C1而獲得。換言之，此三相第一分配電流信號El，E2和E3之放大係對第一供應電流信號C1成比例地改變。第9b圖說明三相第一分配電流信號El，E2和E3之波形》此第一分配器37依照可移動構件1之轉動分配此第一供應電流信號C1交替地至一相或兩相，由是而輸出此三相第一分配電流信號El，E2 和E3，各有一相互間120度之電相位差》此三相第一分配電流信號El，E2和E3係正極電流信號（流出電流信號）。第二分配器38之第二分離電路226輸出一第二分離信號Dip，相等於或相當於自變更信號產生部分34之變更電 • 流信號D1之正極電流部分。此第二分離電路227輸出一第二分離信號D2p，相等於或相當於自變更信號產生部分34 之變更電流信號D2之正極電流部分。此第二分離電路228 輸出一第二分離信號D3p，相等於或相當於自變更信號產生部分34之變更電流信號D3之正極電流部分。因此，此第二分配器38之第二分離電路226，227和《228獲得第二三相+分離信號Dip，D2p和D3p，相等於或相當於三相變更電流信號Dl，D2和D3之正極電流部分。此第二分配器38之第二乘法電路221以第二反饋電路 ^度ίϊ用中國國家標準((:吣）厶4規格（210\ 297公釐） ~7 -----------裝------訂-------^ (#先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 4 A7 B7 五 J 經漪部中央樣準局貝工消f合作社印製 8 8 發明説明（24 ) 22 5之第二反饋信號Gb乘第二分離電路226之第二分離信

I 號Dip，以便能輸出對此乘積之結果成比例之第二分配電流信iGl。以相同方式，此第二乘法電路222以第二反饋電路225之第二反饋信號Gb乘第二分離電路227之一第二分離信號D2p ’以便能輸出一對乘積之結果成比例之第二分配電流信號G2 «以相同方式，此第二乘法電路223以第二反饋電路225之第二反饋信號Gb乘第二分離電路228之一第二分離信號D3p，以便能輸出一對此乘法之結果成比例之第二分配電流信號G3。此第二組成電路224加上三相第二分配電流信號G1， G2和G3之值，並輸出相當於總值之第二組成信號Ga。此第二反饋電路225獲得相當於第二組成電路224之第二組成信號Ga和供應信號產生部分30之第二供應電流信號C2之間之差異之第二反饋信號Gb。因此，此第二乘法電路221 ，222和223 ’此第二組成電路224，以及第二反饋電路225 係經結合以形成一反饋環路，俾使此第二組成信號Gb取用一相當於第二供應電流信號C2之值。由於此第二組成信號Ga相當於三相第二分配電流信號〇 1，G2，和G3之一總值，故此三相第二分配電流信號Gl，G2和G3係對三相第二分離信號Dip，D2p和D3p比例。其結果，此第二分配器3 8之三相第二分配電流信號G1，G2和G3變成三相電流信號，此等信號係藉分配大體上相當於自變更信號產生部分34之變更電流信號D1，D2和D3之供應信號產生部分 30之第二供應電流信號C2所獲得。換言之，此三相第二本紙張尺度適圯中圃國家標卒（CNS ) Λ4说格（210X297公釐） ^裝訂^ (銪先閱讀背而之注f項再填寫本頁) 27 A7 447188 _____B7 _ 五、發明説明（25 ) 分醉電流信號Gl，G2和G3之放大係對第二供應電流信號 C2成比例地改變。第9c圖說明三相第二分配電流信號〇 1 ，G2‘ G3之波形。此第二分配器38依照可移動構件1之轉動而交替地分配此第二供應電流信號C2至一相或兩相，藉以輸出此三相第二分配電流信號Gl，G2和G3，相互間各有一電之相位差120度者。此第二三相分配電流信號g 1 ，G2和G3係負極電流信號（流入電流信號）。在第一分配電流信號E1和第二分配電流信號G1之間有180度之一相位差，以及此信號E1和G1係平穩地並互補地變化（要就是E1抑或G1係經常為零）。以此相同方式，有一 180度之相位差在第一分配電流信號E2和第二分配電流信號G2之間’以及此信號E2及G2係平穩並互補地變化（要就是E2抑或G2係經常為零）。以此相同方式，有一丨8〇度之相位差在第一分配電流信號E3和第二分配電流信號G3 之間，以及此信號E3和G3係平穩並互補地變化（要就是E3 * 抑或G3係經常為零" 顯示於第1圖内之第一分配器37之第一分配電流信號 E1 ’ E2和E3係分別地進入此第一電流放大部分41，42和43 内。此第一電流放大部分41 ’ 42和43以一預定因數放大此第一分配電流信號E1 ’ E2和E3，藉以分別產生第一放大之電流信號FI，F2和F3。第5圖顯示第一電流放大部分41，42和43之架構。此第一電流放大部分41係藉一第一放大部分鏡式電流電路所構形’它包括由電晶體231和232組成之第一級鏡式電流電本紙張尺度诚州中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公廣） ---„---.1---裝------訂---------知 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經淌部中史梂準局貝工消費合作社印來 447188 A7 B7 五、發明説明（26 ) ~~ 路’以及由電晶體233和234以及電阻器235和236所組成之

I i^i ^^^1 I ml n _|: I (請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) 下一級之鏡式電流電路。電晶體23ί和232兩者之射極區係相等t設定，以及第一級鏡式電流電路之放大因數係設定為1。電晶趙233至電晶想234之射極區比率係設定為5〇倍，以及電阻器236至電阻器235之電阻比率係設定為50倍，以便能在下一級之鏡式電流電路中以50倍之因數來放大一電流信號。以此相同方式’此第一電流放大部分42係以一由電晶體241，242 ’ 243和244 ’以及電阻器245和246所組成之第一放大部分鏡式電流電路構形，以藉50倍之一預定因數以放大一電流信號。以此相同方式，此第一電流放大部分43係以一由電晶體251，252，253和254，以及電阻器 255和256所組成之第一放大部分鏡式電流電路所構形，以一 50倍之預定因數以放大一電流信號。因此，此第一電流放大部分41，42和43分別以一 50倍之預定因數，放大此三相第一分配電流信號E1，E2和E3，藉以產生此三相第一 * 放大電流信號FI，F2和F3。經漭部中央標隼局員工消费合作社印t 顯示於第1圖内之第二分配器38之第二分配電流信號 G1，G2和G3係分別地進入第二電流放大部分45，46和47 内。此第二電流放大部分45 ’46和47以一預定因數放大此第二分配電流信號Gl ’ G2和G3，藉以產生第二放大電流信號Η1，H2和H3。一高壓輸出部分5 1依照一高頻率脈衝信號而充電上行轉換之電容器，並產生一高位準電位V〇之較直流電源部分50之正極接頭邊電位Vcc為高者。此第二放大電流信號HI，H2和H3係自高電壓輸出部分51之高本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4规格公釐} 經漪部中夾榇準局員工消贽合作社印製五、發明説明（27 ) 位準點Vu供應至第二功率放大部分15，丨6和17之第二fet 功率鏡式電流電路之傳導控制接頭邊3因此，第二電流放大部分45 ’ 46和47之輸出電晶體係經防止其不會飽和，以及此第二NMOS-FET功率電晶體65，66和67係被充分地導電。第6圖顯示第二電流放大部分45，46和47，以及高電壓輸出部分5 1之架構。此第二電流放大部分45係以包含電晶體261和262 ’以及電阻器263和264之第二放大部分鏡式電流電路而構形》電晶體261對電晶體262之射極區比率係設定為50倍，以及電阻器264對電阻器263之電阻比率係設定為50倍，俾使此第二電流放大部分45以50倍放大此電流信號G1。以此相同方式，此第二電流放大部分46係以包含電晶體271和272，以及電阻器273和274之第二放大部分鏡式電流電路而構形，以放大此電流信號G2以50倍。以此相同方式，此第二電流放大部分47係以包含電晶體281 和282，以及電阻器283和284之第二放大部分鏡式電流電路而構形，以放大此電流信號G3至50倍。因此，此第二電流放大部分45，46和47分別地放大此三相第二分配電流信號Gl，G2和G3，藉以輸出此三相第二放大電流信號H1 ，H2和 H3 〇此高電壓輸出部分51有一脈衝產生電i路421，它輸出大約ΙΟΟΚΗζ之脈衝信號Pa ; —第一上行變換電容器411; 一第二上行變換電容器412; —第一電壓限制電路包含二極體425至428者；以及一第二電壓限制電路之包含一二極本紙張尺度適中國國家標率（C:NS ) Λ4規格（2IOX297公瘦） ^^1 ^^^^1 — en·— i *1^ ^inr - Tf tn. I nft— —fit \ (請先閱讀背面之注意i項再填寫本頁) 30 447188 447188 經漪部中央標準局員工消合作社印氣 A7 ----- _ B7 五、發明説明（28 ) 體429者。反相器422之位準係依照脈衝產生電路42丨之脈衝信號Pa而數位地改變.當反相器422之位準係“L”時（低，或4，例如，直流電源部分5〇之負極接頭邊電位），此第一上行變換電容器411係經由二極體423充電。當此反相器422改變至“H”時（高，或在，例如，直流電源部分5〇之正極接頭邊電位）’此貯存在第一上行變換電容器41丨内之電荷係經由一極體424而傳遞至第二上行變換電容器412。因此，此第二上行變換電容器412係經充電。因此，此高位準電位Vu係在第二上行變換電容器412之一接頭處輸出。此電位Vu係較直流電源部分5〇之正極接頭邊電位Vce為高-此高位準電位Vu係聯結至第二電流放大部分45，46 和47 〇如果此第二上行變換電容器412係繼續地予以被充電時，此高位準電位Vu上昇太高，因此在一積體電路中之電晶體和二極體可能遭遇到電壓潰決。為了要避免此一問題，因此，包含二極體425和428之一第一電壓限制電路係經k供以限制此高位準電位Vu於一特定值内。如果預期沒有電壓潰決時，此第—電壓限制電路係可省略。此第一放大電流信號Η1，H2以及H3操作以便能放電貯存於第二上行變換電容器4丨2内之電荷。如果一較大電操作係繼續一長時間，例如，當開動此馬達時’此第二上行變換電容器412係放電很多時，因此電位^^^有時顯著地下降。為了要避免此一問題，因此，包含一二極體429 之第二電壓限制電路係經提供以防止高位準電位Vu不會本紙张尺細家料.（【’NS ) 2H)x2m、f )------ -31 - ---.---r---. 裝------訂 (讀先閱讀背面之注項再填寫本頁) 447 1 8 8 A7 B7 五、發明説明（29) 過量地下降。此第二電壓限制電路不會在其中電流位準之較小之正常速度控制之狀態中作用s如果電位Vu變化小時，‘第二電壓限制電路係可省略。顯示於第1圖内之電流探測部分21探測自直流電源部分50所供應之傳導電流信號ig ’並輸出相當於傳導電流信號Ig之一電流探測信號Ag。此轉換控制部22比較此命令 k说Ad與電流探測信號Ag ’並依照比較結果而接上/關斷此控制脈動信號Yl，Y2和Y3，藉以促使第一功率放大部分11 ’ 12和13之第一 NMOS-FET功率電晶體61，62和63來實施高頻率轉換操作。此轉換控制部分22和電流探測部分 21—起形成一轉換操作塊體。第7圖顯示此電流探測部分21和轉換控制部分22之架構。此電流探測部分21係以一電流探測電阻器3 11嵌入直流電源部份50之一電流供應路程中而構形，以及此直流電源部分50之傳導電流信號Ig係由電阻器3 11之電壓降所測得，由是而輸出此電流探測信號Ag。此轉換控制部分22包括一轉換脈衝電路330，它獲得一轉換控制信號W1。轉換脈衝電路330之一比較電路33 1 比較此電流探測信號Ag與命令信號Ad，並獲得一比較之輸出信號Cr。一觸發產生電路332輸出大約ΙΟΟΚΗζ之高頻率觸發脈衝信號Dp以便能以一短時程重覆地觸發一狀態保持電路333。此狀態保持電路333在觸發脈動信號Dp之上昇邊緣改變轉換控制信號W1之狀態至“Lb”（低電位狀態），以及在比較輸出信號Cr之上昇邊緣至“Hb”（高電位狀本紙張尺度適用中阐國家標準（CNS > Λ4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填苟本頁) 裝- M滴部中央橾準局兵工消贽合作社印策 32 A7 B7 447188 五、發明説明（30) i —l·----- ^^^1. Λ 1 - - 士及| - I {請先閱讀背面之注意事項再填本頁) 態）。當轉換控制信號W1之狀態轉至“Lb”時’此控制電晶體341，342和343係在同一時間或同時操作地關斷’俾使此控+丨脈動信號Yl，Y2和Y3係關斷（無傳導狀態）。在此一時刻，此第一功率放大部分11，12和13放大此第一放大電流信號F1，F2和F3，由是而形成電流路程用以供應驅動電流信號之負極電流部分至繞組2，3及4。當此轉換控制信號W1之狀態轉至“Hb”時，此控制電晶體341，342 及342係於同一時間地或同時操作地接上，俾使此控制脈動信號Yl，Y2及Y3係接上（導電狀態）。其結果，至第一功率放大部分Π，12及13之傳導控制接頭邊之輸入電流信號係旁通。因此，此第一功率放大部分11，12，13之第一 NMOS-FET功率電晶體61，62和63係均在同一時間地關斷。因此，此第一功率放大部分11，12及13係在由此轉換控制信號W1之一單一脈動信號之一高頻率轉換操作時受控制。此驅動電壓信號VI，V2和V3變成相當於轉換控制信 1 號w而可脈動，以及傳導電流信號Ig相當於驅動電流信號經濟部中央摞準局員工消资合作社印策 11，12和13之組成之供應電流信號者係由轉換控制信號双1 所控制，由是而控制相當於命令信號Ad之對繞組2，3和4 之驅動電彳a 11 ’ 12和13。下文中，此一梓作將予以更詳細地說明。如果狀態保持電路333之轉換控制信號评丨之位準係改變至“Lb”於觸發脈動信號Dp之昇高邊緣時，此第一功率放大部分11，12和13之第一 NMOS-FET功率電晶體係依照第一放大電流信號FI，F2和F3而傳導，它相當於由第一本紙张尺度適爪中國國家標苹(CNS >八4故格（17^ 291公釐) ----- " -33 - 經漪部中央標率局貝工消费合作社印製 447 18 8 A7 _______ B7 五、發明説明（31 ) 分配器37所選擇及分配之第一分配電流信號E1，£2及£3 。例如，當僅此第一分配電流信號E1以及隨後此第一放大電流信號F1係被選擇時，此第一功率放大部分u之第一NMOS-FET功率電晶體61係被接上。用以充分地供應驅動電流信號II之負極電流部分至繞組2，此第一 NMOS-FET 功率電晶體61變成在全接上狀態中。FET電晶體之全接上狀態中’電晶體之電流輸入和輸出接頭邊之間之電壓降由於較小之接上電阻而變得非常小。驅動電流信號n之負極部分至繞組2者由於繞組2感應而係逐漸地增大。因此，此組成之供應電流信號4和電流探測部分21之電流探測信號 Ag係亦增大。以及，在電流探測信號Ag之值超過命令信號Ad之值之一刻’比較電路331之比較輸出信號（^產生一昇起邊緣’由是而使狀態保持電路333之轉換控制信號W1 轉至“Hb”。隨後’此控制電晶體341，342和343變為接上，以及第一功率放大部分11，12及13之傳導控制接頭邊係連接至直流電源部分5 0之負極接頭邊，藉以促使所有之第一 NMOS-FET功率電晶體61，62和63在同一時間地或共存地關斷。此傳導電流信號Ig變成零。一FET電晶體之關斷狀態意指在此狀態中沒有電流自輸入接頭邊流動通過此電晶體至輸出接頭邊。在此一時刻，繞組2之感應脈動地增大此驅動電壓VI，由是而形成一電流路程傳送通過第二功率放大部分15之第二功率二極體65d。其結果，此驅動電流信號II之負極電流部分至繞組2者繼續地流動。驅動電流信號U至繞組2之負極電流值係逐漸地減小。隨後，本纸張尺度適州中國國家標率（OMS ) Λ4规格（2】〇Χ 297公釐） i I !) - ij I I j - _ I (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) 訂 -34 - 4 4 7 18 8 A7 _ _____ B7' 五、發明説明（32) 在一短時間内，觸發脈動信號Dp之下一昇起邊緣出現，因此’能使此轉換操作一如上文所述地予以重覆。因此，此觸各脈動信號Dp分別地使此第一功率放大部分來實施咼頻率轉換操作。由於此一轉換操作係以大約工實施’故驅動電流信號之轉換漣波係非常小。直流電源部分50之傳導電流信號〗g，它係相等於此組成之供應電流至繞組者，係依照命令信號Ad而控制，藉以繼續地控制此驅動電流信號至繞組2，3和4 ^此啟動之第一 NMOS-FET功率電晶體之傳導電流永不超過直流電源部分5 0之傳導電流信號I g 〇因此，吾人可能確實地藉依照命令信號Ad供應此第一放大電流信號至此啟動之第一功率放大部分之傳導控制接頭邊而促使啟動之第一功率放大部分之第一功率電晶體來實施一在狀態上之轉換操作。經满部中*標準局負工消費合作社印衆 II I ·"- -II I -*^-- - - —-I -1 ^^1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 與可移動構件1之運動一致者，此第一分配器37分配此第一供應電流信號C 1交替地並平順地至一個或兩個第一分配電流信號，以及至繞組之電流路程係平穩地變更。. 例如’假設該第一分配電流信號E1和E2以及第一放大電流信號F1和F2係經供應。如果狀態保持電路333之轉換控制信號W1係改變至“Lb”於一觸發脈動信號Dp之昇起邊緣處時，此第一功率放大部分U之第一 NMOS-FET功率電晶想61以及第一功率放大部分12之第一 NT]V1〇s_Fet功率電晶體62係在同一時間地轉至有效。在此一時刻，此第一 NMOS-FET功率電晶體6丨依照第一放大電流信號!；丨而係有效（全接上或半接上狀態），藉以形成一電流路程用以供應本紙張尺度適用中國國家標卒（ΓΝ5 ) Λ4说格（210X 297公楚） 35 447188 A7 B7. 五、發明説明（33 ) — ' 此驅動電流信號11之負極流部分至繞組2。此第一 NMOS-FET功率電晶體係依照此第一放大電流信號^而係有效（全接i或半接上狀態）’藉以形成一電流路程用以供應此驅動電流信號12之負極電流部分至繞組3。在此一時刻，至少第一 NMOS-FET功率電晶體61及62之一係在全接上狀態中’以及最多第一NMOS-FET功率電晶體61及62之一係在半接上狀態中。當一功率電晶體係操作於半接上狀態中時’在一功率放大部分内之FET功率鏡式電流電路以一指定之放因數放大此輸入電流信號至傳導控制接頭邊β此直流電源部分50之傳導電流信號1§變為等於由總計驅動電流信號11 ’ 12和13至繞組2 ’ 3和4之負極電流部分所獲得之組成之供應電流。繞組之感應逐漸地增大此傳導電流信號 Ig。當此電流探測信號Ag超過命令信號Ad時’此比較輸出信號Cr產生一昇起邊緣，並藉以使此轉換控制信號W1 係改變至“Hb”。此控制電晶體341，342和343係因此接上。因此，此第一功率放大部分n，12和；^之傳導控制接頭邊係並存地連接至直流電源部分5 〇之負極接頭邊，藉以使此第一NMOS-FET功率電晶體61 , 62和63係在同一時間地關斷"此傳導電流信號Ig變成零。繞組2之感應脈動地增大此驅動電壓仏號，藉以形成一電流路程傳送通過第二功率放大部分15之第二功率二極體65d，以便能繼續地流動此驅動電流信號Π之負極電流部分至繞組2。驅動電流信號II至繞組2之負極電流係逐漸地減小。同時繞組3之感應脈動地增大驅動電壓信號V2,由是而形成一電流路程傳本紙张尺度遶用中國國家標率（rNS ) Λ4規格（2丨OX 297公龙） --—- - - ^ΙΓ ^^1 - _-士^. - n^i 1^1 ^J. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中决標準局員J-消合作社印$f 36 711 五 4 - 4 經济-部中央榡率局貝工消贽合作社印$!- _ 扪__ 、發明説明（34) 送通過第二功率放大部分16之第二功率二極體66d，以便能繼續地流動此驅動電流信號12之負極電流部分至燒组3 。驅知電流信號12至繞組3之負極電流部分逐漸地減小。立刻，觸發脈動信號Dp之下一昇起邊緣出現，因此能使轉換操予以如上文所述地重覆。依照可移動構件1之運動，此第一分配電流信號E1和E2，以及此第一放大電流信號F1和F2可以變化，藉‘以平穩地改變驅動電流信號^和^ 至繞組2和3之負極電流部分。以相同方式，至繞組之電流路程係平穩地變更。由於三相第一放大電流信號之振幅係在此一實施例中對命令信號Ad成比例地或大約成比例地變化’故此電流路程即令足當命令信號Ad係改變時亦可以平穩地變更。此第二功率放大部分15 ’ 16和17之第二NMOS-FET功率電晶體係依照第二放大電流信號HI，H2和H3而啟動，這些信號相當於由此第二分配器38所選擇及分配之第二分配電流信號G1 ’ G2和G3。例如，當僅此第二分配電流信‘ 號G2以及隨後此第二放大電流信號H2係經選擇時，此第二功率放大部分16之第二NMOS-FET功率電晶體66係接上。用以充分地供輸驅動電流信號12之正極電流部分至繞組 3，此第二NMOS-FET功率電晶體66變成在全接上狀態中。由於此直流電源部分50之傳導電流信號丨g以及至繞組之組成之供應電流彳g號係配合命令信號Ad而控制一如上文所述’驅動電流信號12至繞組3之正極電流部分係亦相當於命令信號Ad地而被控制《因此，吾人可能確實地藉依. 本紙張尺度洎用中國國家榡肀（（，NS ) Λ4規格（210X297公龙） ---^---^---— 裝------訂------^ (請先閱誚背面之注f項再填寫本頁) 經满部中次榡準局負工消費合作社印來 447188 五、發明説明（35) 照命令信號Ad而供應此第二放大電流信號至第二功率放大部分之傳導控制接頭邊而促使此啟動之第二功率放大部分之余二功率電晶體來在此全接上狀態中實施。與可移動構件1之運動一致者，此第二分配器38交替地及平穩地配此第二供應電流信號C2至一個或兩個第二分配電流信號，以及至繞組之電流路程係平穩地變更。例如’假設設第二分配電流信號G2和G3，以及此第二放大電流信號H2和H3係經供應。在此一時刻，此第二功率放大部分16之第二NMOS-FET功率電晶體66和第二功率放大部分17之第二NMOS-FET功率電晶體67係被啟動。此第二 NMOS-FET功率電晶體係依照第二放大電流信號H2而有效（全接上或半接上）’藉以形成一電流路程用以供應驅動電流信號12之正極電流部分至繞組3。此第二NMOS-FET 功率電晶體6 7係依照第二放大電流信號η 3而有效（全接上或半接上），藉以形成一電流路程用以供應驅動電流信號13 之正極電流部分至繞組4。在此一時刻，至少第二NMOS-' FET功率電晶體66和67之一係在全接上狀態，以及最多第二NMOS-FET功率電晶體66和67之一係在半接上狀態，在功率放大部分内之此FET功率鏡式電流電路藉一指定之放大因數放大此輸入電流信號至傳導控制接頭邊。此第二分配電流信號G2和G3，以及此第二放大電流信號H2和H3依照可移動構件1之運動而變化，藉以穩定地改變至繞組3和 4之駐動電流信號12和13之正極電流部分。以相同方式，至繞組之電流路程係平穩地變更。由於三相第二放大電流本紙悵尺度中國围家標肀（ΓΝ5 ) Λ4規枋（210X297公f ) 1^ ^^1 『-- I '^衣 -. n^i (讀先閱讀背而之注意事項再填寫本頁} 38 A7 B.7 1 8 8 五經濟部中央標隼局貞X消贫AC作社印¾ 發明説明（36) ^^^1 ^il^i 111 \ ^^^^1―" (誚先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 信號之振幅在此一實施例中係對命令信號Ad成比例地或大略地呈比例地變化，故此電流路程即令當此命令信號Ad 係改^時亦可以平穩地變更。第一功率放大部分11 ’ 12和13之第一 NMOS-FET功率電晶體61 ’ 62和63顯示於第1圖内，以及第二功率故大部分15，16和17之第二NMOS-FET功率電晶體65，66和67係絕緣之接面’以便能在一連同電晶體，電阻器等之半導體元件一起在一單一晶片矽基體上結成整體，供命令信號產生部分20，電流探測部分21，轉換控制部分22，供應信號產生部分30，變更信號產生部分34，分配信號產生部分36 ，第一電流放大部分41 ’ 42和43，第二電流放大部分45 , 46和47,以及高電壓輸出部分51使用。第8圖顯示如此一積體電路之結構之範例。各種不同電晶體係藉漫射形成，需要N+層，N-層，P+層，P-層等進入—p型矽基體内β代號191指示一雙重漫射NMOS_Fet電晶體，它係使用作為一第一NMOS-FET功率電晶體或一第二NMOS-FET功率電，晶體。此一雙重漫射NMOS-FET電晶體之寄生二極體裝置係使用作為一第一功率二極體或一第二功率二極體。代號 192指示一 ΝΡΝ型雙極電晶體，它係使用作為一信號放大電晶體。代號193指示一 ΡΝΡ型雙極電晶體，它係使用作為一 k號放大電晶體’代號194指示一互補金氧半場效應電saa體之P型波道及N型波道者，它係用來處理邏輯信號。母一電晶體係藉P層而自另一個接面地絕緣，此p層之電位係與連接至接地電位0 V之碎基體之電位完全相同。本紙浪尺度適用中國國家梯率（rNS 規格（210X297公釐） 39 Α7 Β7 44Ή 8 8 五、經滴部中央標华局負工消f合作社印^ 發明説明（37 ) 1 1 S -In tH ^^^^1-1J. . --° (讀先閲讀背而之ii4^項再填筠本頁j 一絕緣接面積體電路可藉使用低成本製造方法而整合甚多功率電晶體裝置和信號電晶體高密度地在一小型單_晶# 基體丄。換言之，此積體電路可以一低成本製造。一特殊掩蔽計劃係一種設計項目，如此詳細之對此計劃之解釋將在此省略》其次，顯示於第1圖内之馬達之操作將予以說明。此變更信號產生部分34產生三相變更電流信號Dl，D2和D3 平穩地變化並供應此等信號至分配信號產生部分36之第— 及第二分配器37和38。此第一分配器37輸出三相第一分配電流信號El ’ E2和E3，依照此三相第一分離信號Dln，D2n 和D3n而對此第一供應電流信號Cl成比例。此第一電流放大部分41，42和43藉放大此第一分配電流信號e卜E2及E3 而分別地輸出此第一放大電流信號F1，F2及F3，藉以供應此第一放大電流信號FI，F2及F3至第一功率放大部分n ’ 12和13之傳導控制接頭邊=此第一功率放大部分11，I〗和13之第一NMOS-FET功率電晶體6!，62和63藉控制相當於自轉換控制部分22之轉換控制信號w 1之控制脈動信號 Yl，Y2及Y3而實施高頻率之接上/關斷轉換。當此轉換控制信號W1係接上在“Lb”位準時，此第一功率放大部分η ，12和13放大此第一放大電流信號F1，F2&F3，藉以形成電流路程，用以供應驅動電流信號U，12和13之負極流部分至三相繞組2’3和4。當此轉換控制信號W1係轉至“Hb，，位準内時’此第一功率放大部分u，12和13之第一 NMOS-FE丁功率電晶體61，62和63係均在同一時間關斷。本紙張尺度珀扪中國國家標舉（CNS〉Λ4規格（2彳0X297公餐 40 447188 Α7 Β7 經濟部中央標牟局負工消费合作社印11 五、發明説明（38) 在此一時刻，用以供應驅動電流信號Π，12和13之負極電流部分至三相繞組2，3和4之電流路程係由第二功率放大部分1^ ’ 16和17之第二功率二極體65d，66d和67d之一個或兩個所形成’因此，至繞組之驅動電流信號可以很平穩地變化，即令是當此第一功率放大部分11，12和13係實施高頻率轉換操作時亦然。因此，此第一功率放大部分11， 12和13可平穩地變更此電流路程至繞組。此電流探測部分2 1，探測直流電源部分50之傳導電流信號Ig，並輸出相當於傳導電流信號Ig之電流探測信號Ag 。此轉換控制部分22比較自此命令信號產生部分2〇之命令信號Ad與電流探測部分21之電流探測信號Ag ,藉以依照比較結果而改變此轉換控制信號W1，並隨後促使第一功率放大部分11，12和13之第一 NMOS-FET功率電晶體61， 62和63(以及第一功率鏡式電流電路）依照轉換控制信號 W1之改變而在同一時間地關斷。因此，第一功率放大部分11，12和13之第一 NMOS-FET功率電晶體61，62和63之一個或兩個FET功率電晶體依照單一脈衝信號|丨而實施高頻率接上/關斷之轉換，由是而控制直流電源部分5〇之導電流信號Ig，俾使至繞組之驅動電流信號之組成供應電流係依照此命令信號Ad而控制。此供應信號產生部分3〇，第一分配器37，和第一電流放大部分41“ 42和43一起形成一第一分配控制塊，它控制第一功率放大部分u，12和 13之第一 NMOS-FET功率電晶體61 , 62和63之傳導期。此轉換控制部分22和電流探測部分2丨一起形成此轉換操作塊 -----.----裝------訂------...Λ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本祕尺度@巾關諸彳.(C.'NS ) (TlOX 297^|f ) — " -41 - 經濟部中央標準局KK工消費合作社印¾ A7 B7 五、發明説明（39 ) ’它控制第一功率放大部分11，12和13之第一NMOS-FET 功率電晶體61，62和63之轉換操作。臭一方面，此第二分配器％輸出此第二三相分配電流信號G卜G2和G3’依照第二三相分離信號Dlp, D2p和D3p 而對第一供應電流信號C2成比例=> 此第二電流放大部分45 ，46和47藉放大此第二分配電流信號gi，和G3而分別地輸出此第二放大電流信號ΗI ’ H2和H3，藉以供應此第一放大電流信號G1，G2和G3至第二功率放大部分15，16 和17之傳導控制接頭邊。此第二功率放大部分15，16和17 刀別地放大此第二放大信號Η1 ’ Η2和Η3，藉以供應驅動電流信號11 ’ 12和13之正極電流部分至三相繞組2，3和4 ’即令是當此第一功率放大部分丨丨，12和13實施高頻率接上/關斷轉換時亦然°因此，此第二功率放大部分15，16 和17可平穩地變更至繞組之電流路程。此供應信號產生部为30，第二分配器28，以及第二電流放大部分45 , 46和47 起形成一第一分配控制塊，它控制第二功率放大部分1 $ ，16和17之第二NMOS-FET功率電晶體65，66和67之傳導期。此第一功率放大部分11 ’ 12和13放大此三相第一放大電流信號F1，F2和F3，在昇起及/或降下斜度中平穩地變化，供應至其傳導控制接頭邊，並以轉換控制部分22之控制脈動信號Υ1，Υ2和Υ3而在其傳導控制接頭邊實施接上/ 關斷轉換。因此，它變成可能來平穩地變更驅動電流信號 Π ’ 12和13至繞組2，3和4之負極電流部分，同時此第一. 本紙張尺度ii用中國國家標率（CNS ) Λ4規格（210X297公釐)一""'' " -42 -

---^---:----- Η------ίτ------J. (誚先閱讀背面之注意事項再填寫本頁J 經湳部中决標準局另工消费合作社印製 447188 五、發明説明（4Q ) NMOS-FET功率電晶體6丨，62和63實施相當於單一轉換控制信號W1之高頻率接上/關斷轉換操作。 ib功率放大部分15，16和17放大此三相第二放大電流信號HI，H2和H3，在昇起及/或降下斜度中平穩地變化，供應至其第一功率放大部分15，16和17之傳導控制接頭邊。因此’它變成可能來平穩地變更驅動電流信號至繞组2 ，3和4之正極電流部分。因此，此第一功率放大部分11，12和13，以及此第二功率放大部分15，16和17可平穩地變更驅動電流信號11， 12和13至繞組2，3和4之波形。馬達之產生力量之漣波可因此在尺寸上係顯著地減小’由是而獲得一高性能馬達之具有減小振動及聲波噪音以及減少功率之損耗者。此外，此三相第一放大電流信號係對命令信號Ad成比例地或大略呈比例地改變，以便能供應三相輸入電流信號適當地至第一功率放大部分之傳導控制接頭邊。因此，即令當此驅動電流信號至繞組者係相當於命令信號Ad而‘ 改變時，此驅動電流信號仍可以平穩地變更。此至繞組之電流路程可因此而經常是平穩地變更。此外，此三相第二放大電流信號係對命令信號Ad成比例地或大約呈比例地改變，以便能供應三相輸入電流信號適當地至第二功率放大部分之傳導控制接頭邊。因此，即令當此驅動電流信號至繞組者係相當於命令信號Ad而改變時，此驅動電流信號仍可以平穩地變更。至繞組之電流路程可因此經常地平穩地變更。本紙張反度適州中因國家標?( CNS ) Λ4規格（210X297公釐） ---- I n - n - ^ I _ I a— _ —丁---n I _ If - . i-^, (邻先閱讀背而之注意事項再填寫本萸) 43 447188 A7 B*7 五、發明説明（41 ) (請先閱讀背面之注意事項再填艿本頁) 此外’依照第一分配器37和第二分配器38之操作，在同—相位之第—分配信號和第二分配信號係互補地流動。因此，第一功率放大部分之第一 NM〇S FET功率電晶體和第一功率放大部分之第：NM〇s_FET功率電晶體之在同一相位者互補性地作用。因此，在同一相位中之第一功率放大4刀和第二放大部供應平穩地變化之雙向驅動電流信號 ’且不使一短電路電流通過它們之中。一如上文所述’此實施例有一馬達架構，可適用以減 ^'功率放大部分之損耗，並改進功率效益。在此一實施例中’第一功率放大部分之第一 NMOS-FET功率電晶體係在一尚頻率處接上/關斷。因此，第一功率放大部分之功率損耗變為較小，以及’由於第二功率放大部分之第二 NMOS-FET功率電晶體在供輸一較大電流上係接上，故第二功率放大部分之功率損耗亦變小。因此，此一實施例可提供一具有優良功率效益之馬達。此外，由於此第一和第二放大電流信號係相當於命令信號Ad而改變，故由對第，一和第二功率放大部分之傳導控制接頭邊之輸入電流信號所造成之功率損耗係亦變小。

此外，在此一實施例中’此三相第一放大電流信號F1 ，F2和F3(作為第一三相電流信號）係供應至三個第一功率放大部分之傳導控制接頭邊。以及，此第一三相電流信號 F1 ’ F2及F3在昇起及降下斜度中係穩定地變化。因此，驅動電流信號11，12和13至繞組2，3和4之負極電流部分在第一放大部分11，12和13之一個或兩個第一NMOS-FET 本紙張尺度適用中國國家摞率（CNS ) A4規格（210X297公釐） 44 447188 A7 _____ B'7 五、發明説明（42 ) - 功率電晶體6卜62和63係以-高頻率接上/關斷之同時係平穩地變更。以相同方式，此二相第二放大電流信號H丨，作為第二二相電流信號）係供應至三個第二功率放大部分之傳導控制接頭邊。此第二三相電流信號m，^^和出在昇起及降下斜度中係平穩地變化。因此，驅動電流信號151 ，12及13至繞組2, 3和4之正極電流部分於第二放大部分15 ，16及17之一個或兩個第一NM〇s_FET功率電晶體65，砧和67係轉至有效（全接上或半接上）之同時係平穩地變更。吾人因此可能來平穩地變更電流路程，藉以減少驅動電流信號和產生之力量兩者上之漣波。其結果，馬達之振動及聲波噪音可以顯著地減少。此外，由於至少第一及第二三相電流信號之斜度係相當於命令信號Ad而改變，故電流路程之變更操作即令當此馬達負載係變化時亦可平穩地達成。供應至每一功率放大部分之傳導控制接頭邊之電 * 流信號可以是至少在昇起及/或降下斜度上平穩地或大約' 平穩地變化之一電流彳g號。例如，此電流信號可以是一電流信號其值係分段式地變化者。經漪部中央標準局β工消费合作"印製 n^i ί ^^^1 m i ^^^1 ^TJ '^-^T'卩 (諳先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外，電流探測部分21在此一實施例中獲得相當於來自直流電源部分50之傳導電流信號ig之電流探測信號Ag 。因此此電流探測信號Ag係相當於至三相繞組之三相驅動電流之負極或正極部分之組成供應電流。此轉換控制部 22比較此命令信號Ad與自電流探測部分21之輸出信號Ag ，並促使三個第一功率放大部分11，12和13之第一本紙乐尺度適XI中國國家標牟（rNS ) Λ4規格（210Χ297公釐） 45 經濟部中央橾準局負工消费合作社印製 4 4 7 18 8 A7 ____B7 五、發明説明（43 ) NMOS-FET功率電晶體61 , 62和63來依照比較結果脈動地實施接上/關斷轉換操作。因此，此傳導電流信號Ig和此蚯成供應電流可以與命令信號八3一致地被控制，以及此二相驅動電流信號可以平穩地變更，即令是當此命令信號 Ad改變時亦然。其結果，本發明之馬達可相當於命令信號Ad而精確地控制所產生之轉矩並顯著地減小振動。此外，一個或兩個第一功率放大部分係在觸發脈動信號之重覆定時處傳導，以及三個第一功率放大部分係藉一單一脈動信號（轉換控制信號W1)而在同一時間地關斷^因此，馬達之架構變成非常簡單。換言之，雖然一個或兩個第一功率放大部分係當可移動構件1係移動時接上，但它係僅在一個或兩個第一功率放大部分11，12和1 3係依照一單一脈衝信號以一高頻率接上/關斷時需要，藉以使馬達之架構非常簡單《此外’由於僅有一單一脈動信號係使用來決定高頻率轉換之定時，故此轉換定時控制係容易，同時電流探測操作和電流控制操作兩者變為穩定。此轉換操作塊. (此轉換控制部分22和電流探測部分21)控制功率放大部分之轉換操作。在此一實施例中，一馬達架構係可適合於呈積體電路形態地實現。由於功率電晶體之寄生二極體使用作為功率二極體’這些功率組件可以結成整體地在t小晶片上。此外’吾人可能來整合半導體裝置諸如電晶體和電阻器，為命令信號產生部分20，電流探測部分21，轉換控制部分22 ’供應信號產生部分30，變更信號產生部分34，分配信號本紙張尺度適用中國园家椋準（（?NS) Λ4規格（2H5X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 J· 46 A7 B.7 電 447188 五、發明説明（44 ) 產生部分36(第一分配器37和第二分配器38)，三個第流放大部分41，42和43，以及三個第二電流放大部分45 46和47，以及高電壓輸出部分51所需要者，連同功率電晶體一起進入一晶片上之積體電路中。此外，功率裝置之熱或功率損耗係做成得充分地小以整合它們進入一 1C中，因為此第一 NMOS-FET功率電晶體係以一高頻率作接上/關斷轉換，以及此第：Nm〇s_fet 功率電晶體係接上。因此，即令是當這些功率裝置經整合入一晶月上之1C中時’此1C時亦不遭遇到熱潰決。此外，沒有幅射板是需要。此外，此一實施例可防止寄生電晶體裝置之操作，各係組合以有一基極接頭在絕緣接面部分處.一如第8圖内所示’使用一絕緣接面技術之高密度IC可以一低成本製造。不過，此一 1C有缺點，即甚多寄生電晶體裝置，各有此基極接頭在絕緣接面部分處者，係經形成，因此絕緣接面部分係連接至直流電源部分50之負極接頭邊（大地一電位）. 。通常地，這些寄生電晶體係倒反地被偏壓，俾使其作用係被解能β不過，如果一整合之電晶體之接頭電位以大於一二極體之前向電壓降落下至大地電位以下時，此寄生電晶體開始作用，藉以促使此寄生電晶體自整合之電晶體（不是一寄生電晶體）流入電流。當一較大電流係供應至— 有感應剛好像一馬達内者之繞組時，如果一寄生電晶體開始作用’它可能顯著地干擾整合之電晶體之功能。特别是，當一切率電晶體供應一較大驅動電流信號至一繞組者係· 木紙張尺廋適州中國國家標準（C:NS ) Λ4規格（2ίΟΧ297公釐） —1 m —Μ - - I -1- ί -rΛ>^------- n I- I、1T (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經消部中央標準局貝工消资合作社印製 47 五經漪部中次標準局兵工消费合作社印焚 4 4 7 18 8 ΑΊ ____ Β.7 發明説明（45 ) ' 以一高頻率作接上/關斷轉換時，此功率電晶體脈動式地改變，繞組電壓或驅動電壓信號’以及其寄生電晶體係傾向於開始作用，由是而有很大之可能性來顯著地干擾正常之電路操作。在此一實施例中，僅有此第一 NMOS-FE丁功率電晶體係脈動式地轉換以便能供應驅動電流信號至繞組。以及，由於此第一 NMOS-FET功率電晶體之電流輪出接頭邊係連接至直接電源部分之負極接頭邊，故在第—NM〇S FET功率電晶體之電流輸入和輸出接頭邊兩者處之電位係未下降至大地電位以下。此外，雖然在每一第一NM〇s_FET功率電晶體之電流輸入接頭邊處之電位越過直流電源部分5 〇之正極接頭電位，但沒有干擾整合之電晶體之寄生電晶體轉變為作用。因此，即令是當此第一 NM0S_FET功率電晶體係用於高頻率轉換時，仍沒有寄生電晶體干擾電路操作。此外，第二NMOS-FET功率電晶體平穩地變更其電流路程。因此，即令是當第二NMOS-FET功率電晶體變更電. 流路程，至每一繞組之電源接頭之電位永遠不會低於直流電源部分50之負極接頭電位。因此’即令是當第一和第二NMOS-FET功率電晶體係連同其他晶體被整合在一晶片上時，寄生電晶體在此jC中者係完全地被防止來干擾電路操作。吾人因此可能來整合此馬達電路在一單一晶片基體上而不必耽憂有關寄生電晶體裝置之操作。此外，在此一實施例中每一第一功率放大部分係由. 本紙张尺度適用屮國國家標唪（rNS ) Λ4規格（21 ΟΧ 297公楚） I I —^.--<'-----1 I. .-*^1 - ti n —i I τ ^-0 (請先閱婧背而之注^一^項再填寫本頁) 48 經濟部中夾樣準局員工消費合作社印製 447188 A7 --—-— —B7__ 五、發明説明（46 ) 一第一 FET功率鏡式電流電路所構形，以及第一第二功率放大部分係由一第二FET功率鏡式電流電路所構形，藉以在第一和第二功率放大部分U，12，13，14，15，16和17 之中顯著地減小電流放大增益之變化。此外。相當於變更信號之此第一三相電流信號F1，F2和F3係供應至三個第一功率放大部分11，12和13之傳導控制接頭邊。每一三相電流信號FI，F2和F3至少在昇起和降下斜度上係平穩地或大體上平穩地變化。此外，此第二三相電流信號Η1，H2 和Η3相當於變更信號者係供應至三個第二功率放大部分 15 ’ 16和17之傳導控制接頭邊。每一第二三相電流信號H1 ’ H2和H3至少在昇起及降下斜度中係平穩地或大體上平穩地變化。三個第一 FET功率電晶體6丨，62和63，以及三個第二FET功率電晶體65，66和67係因此能於第一 FET功率電晶體61 ’ 62和63係用作高頻率轉換之同時平穩地變更其電流路程。其結果，驅動電流信號之漣波係減少，以及一具有減少脈動之產生之轉矩可以獲得。由是而顯著地減，小馬達之振動及聲波噪音。此外，由於此FET功率電晶體係經整合入一 1C内’放FET功率鏡式電流電路之電流放大因數已成功地減少。此一實施例亦有一優點，即它可減少第一功率放大部分及第一分配控制塊之總增益之變化，以及第二放大部分和第二分配控制塊之總增益之變化。此外，此供應電流產生部分30之第一供應電流信號C丨和第二供應電流信號C2 係與命令信號Ad —致地改變，藉以改變相當於此命令信才、紙浪尺度適用中阀國家標咚（rNS )加規格（m><297公釐） n ml —II I I— I — n —II i 士^·-二 n > I ^^1 ^^1 If 1^1 ^^1 ^^1 ^^1 ^^1 ^1. (請先閱讀背而之注項再填寫本頁) -49 A7 B.7 經满部中央榡準局兵Η消費合作社印製五、發明説明（47) 號Ad之第一及第二三相電流信號。當三個第一nmOS-FET 功率電晶艘之至少一個係操作於高頻率轉換在全接上及關斷之ώ之同時，至繞組之電流路程之變更操作可因此而平穩地達成。此外’當三個第二NMOS-FET功率電晶體之至少一個係全接上而無降落之同時，至繞組之電流路程之變更操作可因此而平穩地達成。每一第一三相電流信號有一適當之斜度要予以平穩或大體上平穩地變化，並係供應至每一第一功率放大部分之傳導控制接頭邊。每一第二三相電流信號有一適當之斜度要予以平穩或大體上平穩地變化，並係供應至每一第二功率放大部分之傳導控制接頭邊。此第一和第二三相電流信號係相當於命令信號Ad地改變，它指令一供應電力至繞组’以便能使此組成之供應電流在一啟動期時較大而在一速度控制期時較小。其結果，至繞組之電流路程係平穩地變更並產生有一減小脈動之轉矩。因此馬達之振動和聲波噪音可以顯著地減小，即令當命令信號係已改變時亦然。由於要加寬每一三相第一電流信. 號FI，F2和F3之有效電角度或有效電角寬大於12〇度電角以便能平穩地變更電流路程係極為重要，故此有效電角度應該是180度或大約180度最為適當。不過，150度或以上之有效電角寬亦將是相當地有效。以及，由於加寬每一三相第二電流信號HI ’ H2和H3之有效電角、寬大於120度電角度以便能平穩地變更電流路程係極為重要，故此有效電角度寬應該是以180度或大約180度最為恰當。不過，15〇度或多於150度之有效電角寬亦將是相當地有效。本紙張尺度遶扣中國因家標肀（CNS ) Λ4*!1格（21〇><297公* ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ^· 訂 • J— 50 經滴部中央標率历Μ工消fr合作社印製 447188 A7 ____Β·7 五、發明説明（48 ) 此外，此第一相位之第一三相電流信號以和第二三相電流信號H1有一 180度電角之差異，並互補地流動。此第二;ί目位之第一三相電流信號F2和第二三相電流信號H2 亦有一180度之電角度差異，並互補地流動。此第三相位之第一三相電流信號F3和第二三相電流信號H3亦有一丨8〇電角度之差異’並互補地流動。因此，相同相位之第一功率放大部分和第二功率放大部分係永不同時傳導。因此，沒有短電路電流通過它們係發生於此1C内。由是而沒有電流潰決’也沒有熱故障發生於任何功率電晶體内。在此一實施例中，用以供應驅動電流信號至三個負載 (繞組2，3和4)之驅動電路係藉下列各部分而構形：第一功率放大部分11 ’ 12和13 ;第二功率放大部分15，16和17 ;命令信號產生部分20 ;電流探測部分21 ;轉換控制部分 22 ;供應信號產生部分30 ;變更信號產生部分34 ;分配信號產生部分36(第一和第二分配器37和38);第一電流放大部分41 ’ 42和43 ;第二電流放大部分45，46和47 ;以及高，電壓輸出部分5 1。在此一實施例中之變更信號產生部分34係以位置探測部分100之有兩個磁鐵~電子轉換元件而構形.不過，三個磁電子轉換元件亦可以使用以產生三相位置信號於變更信號產生部分34内。此外，此三相變更信號可以產生而沒有上文提及之元件’例如，藉探測在繞組2，3和4内所產生之回行電動勢。此第一三相電流信號F1，F2和F3或者第二三相電流本紙張尺度谪州中國國家樣唪（（'NS ) Λ4規格（210x297公嫠） I. n _ ___丁____ _ A Λν-$-- (請先閱請背面之注意事項再填寫本頁) 51 447 1 8 8 經濟部中次榡準局負工消费合作社印聚 A7 B.7 五、發明説明（49) 信號HI ’ H2和H3可以以大體上在昇起及降下斜度中之一時間斜度作變化。因此’驅動電流信號Π，12和13係亦以一時斜度在昇起及落下斜度中平穩地變更。此外，一驅動電流信號之一電流值應該是適當地繼續變化。不過，亦可提供一時間’在其中一驅動電流信號變成零。馬達之振動可以藉設定每一第一 NMOS-FET功率電晶趙之傳導角寬大於120度電角度（適當地為15〇度或更大），並提供一時期 ’在此時期中兩個第一 NMOS-FET功率電晶體係在同一時間地或並存地傳導。馬達之振動亦可以藉設定每一第二 NMOS-FET功率電晶體之傳導角寬大於12〇度電角度（較適當者為150度或超過）而減小，並提供一時期，在此時期中兩個第二NMOS-FET功率電晶體係在同一時間地或並存地傳導。最恰當者，每一此第一及第二NMOS-FET電晶體之傳導角寬應該是設定為180度或接近地大約ι80度。此外’每一此第一和第二功率放大部分丨〖，12，13， 15，16和17在此一實施例中係不限於第1圖内所示之架構. 。此架構係自由地變更。例如，取代每一第一及第二功率放大部分11，12，13，15，16和17者，為功率放大部分450 包括一 FET功率鏡式電流電路之由FET功率電晶體45 1，一功率二極體4Sld ’以及一 FET電晶體452和一電阻器453組成者。此一FET功率鏡式電流電路係經構形，俾使fet功率電晶體451之控制接頭邊係連接至feT功率電晶體452之控制接頭邊（直接地或經由一元件，例如I諸如一電阻器） ’ FET電晶體452之電流路程接頭對之一接頭邊係經由一本紙浪尺度讁用中國國家標啤（（:NS ) Λ4規格（2!0X 297公釐） (請先閱讀背而之注項再填寫本頁} Γ 52 447188 Α7 Β.7 五好漪部中决榡準局負Τ;消"合作社印$! 發明説明（5〇 ) 電阻器），FET電晶體452之電流路程接頭對之一接頭邊係經由一電阻器453而連接至FET功率電晶體451之電流路程接頭▲之一接頭邊，FET電晶體452之電流路程接頭對之另一接頭邊係連接至功率放大部分450之傳導控制接頭邊（直接地或經由一元件），以及FET電晶體452之控制接頭邊係連接至功率放大部分450之傳導控制接頭邊（直接地或經由一元件）。此一;FET功率鏡式電流電路有一優點，即它有車乂NMOS-FET功率電晶體451和NMOS-FET電晶體452 之容器尺寸之比率為大之相當大之電流放大比率。因此，此功率放大部分4 5 0有一減小對功率放大部分之輸入電流之優點。就另一範例言，顯示於第U圊内之功率放大部分46〇可以使用以取代第1圖之每一第一和第二功率放大部分。此功率放大部分460包括由一 NMOS-FET功率電晶體461，一功率二極體461d，一 NMOS-FET電晶體462和一電阻器 453所組成之FET功率鏡式電流電路。此FET功率鏡式電流-電路係經構形，俾使FET功率電晶體461之控制接頭邊係連接至FET電晶體462之控制接頭邊（直接地或經由一元件），FET電晶體462之電流路程接頭對之一個接頭邊係經由電阻器453而連接至功率放大部分46〇之傳導控制接頭邊， FET電晶體之電流路程接頭對之另一接頭邊係連接至FET 功率電晶體461之電流路程接頭對之另一接頭邊（直接地或經由一元件），以及FET電晶體462之控制接頭邊係連接至功率放大部分460之傳導控制接頭邊（直接地或經由一元件) 本纸張尺度进川中國國家榡埤（CNS ) Λ4現格ί 2丨OX297公釐） ! ^1. ^1. (. . : I n _ «ϋ 丁 Ί n ____ ^ • -τI I I *7 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 53 經漭部中央橾苹局兵J-消費合作社印製 44^1 8 8 A7 ----——^ B，7 五、發明説明（51 ) -- 此一 FET功率鏡式電流電路當輪入電流至傳導控制接頭邊係小時有—預定之電流放大率。此輸入電流係增大時，此電流放大率係銳利地增加。因此，此FET功率鏡式電流電路有一優點，即對每一功率放大部分之輸入電流於一較大電流係供應至每一繞組時即可以減小，例如，當一馬達係啟動時，此NMOS-FET功率電晶體45丨和功率二極體 451d ’以及NMOS-FET功率電晶體461和功率二極體461d ，可以藉一FET功率電晶體之具有雙重漫射波道金氧半結構者以及其寄生二極體裝置者分別地構形，俾使這些電晶體和二極體可以很容易地整合於一 IC内。此外，顯示於第7圖内之轉換控制部分22之轉換脈動電路3 3 0之架構可以在此一實施例中自由地變更a例如，取代轉換脈動電路330者’顯示於第12圖内之轉換脈動電路480可以使用。轉換脈動電路48〇之比較電路481輸出由比較命令信號Ad與電流探測信號Ag所獲得之比較之輸出 •信號Cr。換言之，當電流探測信號Ag之值係較小於命令· 信號Ad之值時’此比較輸出信號Cr進入“Lb”狀態。當電流探測信號Ag之值係較大於命令信號Ad之值時，此比較輸出信號Cr進入“HV’狀態。此定時電路482產生一轉換控制信號W1於比較電路481之比較輸出信號Cr之一昇起邊緣處（當此狀態係自“Lb”改變至“Hb”）。此控制信號W1進入此“Lb”狀態僅有一預定時間間隔Wp。此一時間間隔Wp係由電容器483之充電/放電操作而決定。當此轉換控制信號W1係在“Lb”狀態時，此控制脈動本紙张尺度適川屮®國家核率（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐）：：----装------tr------J (請先閱讀背面之注意事項再填J5本S) 54 447 18 8 A7 B7 經濟部中央梂準局兵工消費合作社印裝五、發明説明（52) 信號Yl，Y2和Y3係關斷（非傳導狀態），以及此第一功率放大部分11，12和13依照第一放大電流信號FI，F2和F3 而接i(全接上或半接上狀態）。當此轉換控制信號W1進入“ Hb”狀態時，此控制脈動信號Yl，Y2和Y3係接上（傳導狀態），以及此第一功率放大部分11，12和13之第一 NMOS-FET功率電晶體61，62和63係在同一時間地或共存地關斷。因此，如果.電流探測信號Ag之值係較小於命令信號Ad 之值時，此轉換控制信號W1進入“Hb”狀態。因此，此第一功率放大部分係接上。當直流電源部分50之傳導電流信號Ig係增大，以及電流探測信號Ag之值變得較命令信號Ad 之值為大時，此比較輸出信號Cr進入“Hb”狀態。隨後，此定時電路482係在自比較電路481之比較輸出信號Cr之昇起邊緣處觸發，俾使此轉換控制信號W1僅在預定時間間隔Wp以内進入“Hb”狀態。其結果，此第一功率放大部分11 ，12和13係於預定時間間隔Wb時關斷。當第一放大部分1Γ ，12和13係關斷之後此預定時間間隔Wp係越過，此轉換控制信號W1進入“Lb”狀態，以及此第一功率放大部分係再次地接上。此第一功率放大部分11，12和13之第一 NMOS-FET功率電晶體61，62和63以如此方式實施高頻率接上/關斷轉換操作。此外，依照可移動構件I之運動，此至繞组2，3和4之電流路程係平穩地變更。 [第二實施例] 本發明之第二實施例中之一馬達將以第13圊至第15圖本紙ί長尺度適用中國國家標嗥（rNS ) ΛΊ規格（Ν0Χ297公釐> (請先閱请背面之注意事項再填寫本頁) J.. 裝*

*1T - 55 4471 8 8 經滴部中央標準局員了消於合作社印製 A7 B7 五、發明説明（53) 為準而說明。第13圖說明馬達之架構。在第二實施例中，一輔助供應部分500，第一混合部分81 ’ 82和83，以及第二混备部分85，86和87係新近添加者。在此另一架構中，類似於前述第一實施例之構件係貫以相同之代號，以及其詳細說明係被省略。第13圖内輔助供應部分500依照自變更信號產生部分 34之輸出信號而供應第—三相輔助電流信號F4，F5和F6 ’以及第二三相輔助電流信號H4 ’ H5和H6。第14圖顯示輔助供應部分500之一架構。此輔助供應部分500係由一輔助變更信號產生部分5 10和一輔助電流變更部分520所组成。此輔助變更信號產生部分5 10接收三相位置信號Jal，Jbl 和Jcl自變更信號產生部分34，並依照那些位置信號輸出輔助變更信號·Γ4至J9。第15圖說明輔助變更信號產生部分51〇之構形作為一範例。輔助變更信號產生部分510之比較器電路541，542 和543比較三相位置信號jai，Jbl和Jcl之兩相信號，並依· 照比較結果分別地輸出三相數位信號Jd，je和jf。第16a至第16c圖說明數位信號Jd，Je和Jf之波形之中之關係。這些數位信號Jd，Je和Jf係邏輯地復合於《反，，電路55 1，552和553 内以及“及”電路561至367内，藉以產生輔助變更信號J4至 J9。第16d至第16i圖說明輔助變更信號J4iJ9之波形之間之關係。母數位彳5威Jd ’ Je和jf於ig〇電角度或大約180 電角度中進入“Hb”狀態，並在其餘18()電角度中進入“Lb” 狀態。此外’每一數位信號jd，化和Jf變成一三相信號之本紙張尺度诚用中國國家橾中（rNS ) Λ4規格（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - 訂 ^ 56 447 18 8 A7 B7 五經濟部中夾樣枣为另工消费含作社印¾ 發明説明（54) 有一相互間120度之相位差者。每一輔助變更信號J4，J5 和J6在丨20電角度或大約120度中進入“Hb”狀態，並在其餘 240度1中進入“Lb”狀態。那些數位信號J4，J5和J6係改變順序之三相信號。每一輔助變更信號J7，J8和J9在120電角度或大約120度中進入“Hb”狀態，並在其餘240度中進入“Lb”狀態°那些數位信號J7，J8和J9係改變順序之三相信號。在第14圖内，此輔助變更信號J4至J9之自輔助變更信號產生部分5 10者係進入至一輔助電流變更部分520。此輔助電流變更部分520包括三個第一電流源521，522和523。三個第二電流源525，526和527，三個第一轉撤電路531， 532和533，及三個第二轉撤電路535，536和537。此第一電流源521，522和523，以及第二電流源525，526和527係連接至高電壓輸出部分51之高位準電位Vu之一接頭邊。此第一轉撤電路531，532和533係相當於輔助變更信號產生部分510之輔助變更信號J4，J5和J6之“Hb”狀態而' 分別地接上。因此，第一電流源521，522和523之電流信號係依照輔助變更信號J4，J5和J6而輸出，由是而供輸此三相第一輔助電流信號F4，F5和F6。此第二轉撤電路535 ’ 536和537係分別地相當於輔助變更信號產生部分5 10之輔助變更信號J7，J8和J9之“Hb”狀態而接土。因此，第二電流源525，526和527之電流信號係依照輔助變更信號J7 ，J8和J9而輸出，藉以供應此三相第二輔助電流信號H4， H5和H6。第17a至第17c圖說明第一輔助電流信號F4，F5 (請先聞讀背而之注意ί項再填寫本頁) 本紙張尺度適用肀國國家標嗥（（:NS ) Λ4規格（210X297公釐} 57 Α7 Β7 4 47 1 8 8 五、發明説明（55) 和F6之波形，以及第17d至第17f圖說明第二輔助電流信號 H4，H5，H6之波形。 -- * ^^^1 Hi - Β· n i-1— - tm - - - 1 ...... - m· 一 (锖先閱讀背面之注意i項#填寫本頁) 余一混合部分顯示於第13圖内者係簡單地包含一節點。此第一混合部分81加上並混合此第一電流放大部分41之第一放大電流信號F1以及第一輔助電流信號F4，以便能輸出一第一混合電流信號F1+F4。此第一混合部分82係簡單地以一節點組成。此第一混合部分82加上並混合第一電流放大部分42之第一放大電流信號F2以及第一輔助電流信號F5，以便能輸出一第一混合電流信號F2+F5。此第一混合部分83係簡單地以一節點組成。此第一混合部分83加上並混合第一電流放大部分43之第一放大電流信號F3以及第一輔助電流信號F4，以便能輸出一第一混合電流信號F3+F6。經"部中央標华局兵-"消贽合作社印^ 此第二混合部分85係簡單地以一節點組成。此第二混合部分85加上並混合第二電流放大部分85之第二放大電流信號H1以及第二輔助電流信號H4，以便能輪出一第二混合電流信號H1+H4。此第二混合部分86係簡單地以一節點組成。此第二混合部分86加上並混合第二電流放大部分46 之第二放大電流信號H2以及第二輔助電流信號H5，以便能輸出一第二混合電流信號H2+H5。此第二混合部分87係簡單地以一節點組成。此第二混合部分87加上並混合第二電流放大部分47之第二放大電流信號H3及第二輔助電流信號H6，以便能輸出一第二混合電流信號H3+H6。第17g圖說明第一放大電流信號F1 ’ F2，F3之波形’ 本纸张尺度琦爪中國國家標縛(哪）八4规格（210>；297公釐） _ 58 - 妗漪部中史樣準局工消合作社印取 44718 8 Α7 ! - Β7 五、發明説明（56) 以及第17h圖說明第二放大電流信號m，取和H3之波形。第171圖說明第一混合電流信號F1+F4，F2+F5及F3+F6

I 之波把’以及第17j圖說明第二混合電流信號hi+H4， H2+H5 ’及H3+H6之波形。此第一混合電流信號F1+F4，F2+F5，以及F3+F6係三相第一電流信號，各於一自零之一昇起斜度和至零之落下斜度中大約30度有效電角度時，分別地平穩地變化。以相同方式’此第二混合電流信號H1+H4，H2+H5，以及H3+H6 係二相第二電流信號，各於一自零之一昇起斜度和至零之落下斜度中大約30度有效電角度時，分別地平穩地變化β 此第一混合電流信號F1+F4，F2+F5和F3+F6係分別地供應至第一功率放大部分11，12和13之傳導控制接頭邊，藉以控制第一NMOS-FET功率電晶體61 , 62和63之傳導期。此第一 NMOS-FET功率電晶體61，62和63依照第一混合電流信號而平穩地變更至繞組之電流路程，同時在轉換控制部分22和電流探測部分21之轉換控制下實施高頻率之接_ 上/關斷轉換。以相同方式，此第二混合電流信號Η1+Η4 ’ Η2+Η5和Η3+Η6係分別地供應至第二功率放大部分15， 16和17之傳導控制接頭邊，藉以控制第二NMOS-FET功率電晶體65，66和67之傳導期。此第二NMOS-FET功率電晶體65，66和67相當於第二混合電流信號而平穩地變更至繞組之電流路程。其餘之架構及操作係類似如上述第一實施例中者，因此其詳細解釋將在此省略。本紙悵尺度適圯中國阄家標卑（（，邪）八4现格（210乂 297公绝> (誚先閱請背面之注意事項再填窍本頁) 装. 44718 8 A7 ____B7 五、發明説明（57 ) 經濟部中央榡準扃只工消灸合作社印1:1 在此一實施例中，母一三相第一混合電流信號（一如母一第一三相電流信號）供應至每一第一功率放大部分之傳導ά制接頭邊者係至少在昇起及降下斜度中平穩地變化 ’藉以平穩地變更至繞組之三相驅動電流信號。在此一時刻，一輔助電流信號係被包括於一第一混合電流信號中，藉以減少一第一 NMOS-FET功率電晶體之接上電阻（此電阻主要地供應驅動電流）。其結果，第一 NMOS-FET功率電晶體之功率耗失係滅少。此外，每一第一功率放大部分之傳導控制接頭邊係以轉換控制部分之控制脈動信號Y1 ，Y2和Y3而接上/關斷’藉以促使每一第—nm〇s_fet功率電晶體來實施高頻率轉換。因此，此第一 NMOS-FET功率電晶體確實地以此第一輔助電流信號來實施轉換，藉以顯著地減少功率耗失& 以相同方式，每一三相第二混合電流信號（一如每一第二三相電流信號）供應至每—第二功率放大部分之傳導控制接頭邊者，係分別地至少在昇起及落下斜度中平穩地變化’藉以平穩地變更至繞組之三相驅動電流信號。在此一時刻’ 一第二辅助電流信號係被包括於一第二混合電流信號中，藉以減小一第二NMOS-FET功率電晶體之接上電阻（此電阻主要地供應驅動電流）。其結果，第：nm〇s_fet 功率電晶體之功率耗失係大大地減少。、因此’每一第一和第二NMOS-FET功率電晶體之功率耗失可以顯著地減少，藉以顯著地改進馬達之功率效益。此外，至繞組之驅動電流信號之漣波可以減少，由是而顯本紙張尺度適扣中國围家榡準（（^5)/\4規格（2!0父297公釐） (請先聞讀背而之注意事項再填巧本頁) 裝- 訂 • L—--b. 60 447188 A7 ------- B7 五、發明説明（58 ) 著地減少馬達之振動和聲波噪音兩者。在上述實施例之情況中，每一第一混合電流信號之有效角4設定為180度或大約180度，每一第一輔助電流信號之有效角係设定為120度或大約12〇度，平穩變化之昇起角度之有效角係設定為3〇度或大約3〇度，以及平穩變化之落下斜度之有效角係設定為3〇度或大約3〇度。因此，至繞组之電流路程可以平順地變更，以及由每一第一 nm〇s fet 功率電晶體之接上電阻所造成之功率耗失係顯著地減小。此外，此三相第一輔助電流信號F4，F5和F6係有順序地供應，俾使第一輔助信號之至少一個係經供應。它亦防止兩個或多個第一輔助電流信號係在同一時期令供應。以同一方式’每一第二混合電流信號之有效角係設定為180度或大約18〇度。每一第二輔助電流信號之有效角係設定為120度或大約12〇度，平穩變化之上昇斜度之有效角係設定為30度或大約3〇度，以及平穩變化之落下斜度之有 J 效角係没定為3 0度或大約3 〇度。因此，至繞組之電流路程. 經满部中央標卑局只工消贽合作社印製 ------------良-I- I__丁 --° {諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 可以平穩地變更，以及由每一第二NMOS-FET功率電晶體之接上電阻所造成之功率耗失係顯著地減小。此外，此三相第二輔助電流信號H4，H5和H6係有順序地供應，俾使第二輔助信號之至少一個係經供應。它係亦防止兩個或多個第二輔助電流信號係在同一期内供應。、另一方面，每一這些有效角度可以隨需要而改變。每一第一和第二混合電流信號之有效角，例如，可以是i 5〇度。雖然此操作性能在此一情況中係被降級，但每一第一本紙張尺度適州十國囹家標埤.（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） 61 A7 B7 4471 8 8 五、發明説明（59 ) 和第一輔助電流信號之有效電角度亦可有自120度變化。此一第二實施例可因此獲得一如上述第一實施例者之類似4點。 [第三實施例] 第18圖和第19圖說明本發明之第三實施例令之馬達。第1 8圖顯示此馬達之架構。在此第三實施例中，此輔助供應部分500供應此輔助電流信號至功率放大部分之傳導控制接頭邊》在其他架構中’類似於前述第1和第2實施例之構件係貫以同一代號’以及其詳細解釋係被省略。第18圖内’此第一功率放大部分611分別地自第一電流放大部分41經由其傳導控制接頭邊之第一接頭接收此第一放大電流信號F1，自輔助供應部分500經由其傳導控制接頭邊之第二接頭接收第一輔助電流信號F4，以及自轉換控制部分22經由其傳導控制接頭邊之第三接頭接收控制脈動信號Y1。以相同方式，此第一功率放大部分612分別地自第一電流放大部分經由其傳導控制接頭邊之第一接頭' 接收第一放大電流信號F2，自輔助供應部分500經由其傳導控制接頭邊之第二接頭接收第一輔助電流信號F4，自轉換控制部分22經由其傳導控制邊之第三接頭接收控制脈動信號Y2。以相同方式，此第一功率放大部分613分別地自第一電流放大部分43經由其傳導控制接頭邊之第一接頭接收第一放大電流信號F3，自輔助供應部分500經由其傳導控制接頭邊之第二接頭，接收第一輔助電流信號F6，以及自轉換控制部分22經由其.傳導控制接頭邊之第三接頭本紙張尺度適川中國园家標冷..（rNS ) Λ4現格< 210X297公釐） ---.---Μ---裝------訂-------\ (婧先閱请背而之注^^項存填寫本頁) 經濟部中吹樣if局負工消费合作社印製 62 44”88

五、發明説明（6〇)

’接收控制脈動信號Y3 D 另一方面’此第二功率放大部分615自第二電流放大部分45經由其傳導控制接頭邊之第一接頭，接收第二放大電流信號H1，自此辅助供應部分5〇〇經由其傳導控制接頭邊之苐三接頭，接收第二輔助電流信號H4。以相同方式，此第二功率放大部分616 ,自第二電流放大部分46經由其傳導控制接頭邊之第一接頭，接收第二放大電流信號H2 ，自輔助供應部分500經由其傳導控制接頭邊之第二接頭 ’接收第一輔助電流信號H5。以相同方式，此第二功率放大部分617，自第二功率放大部分47經由其傳導控制接頭邊之第一接頭，接收第二放大電流信號H3，以及自輔助供應部分500經由其傳導控制接頭邊之第二接頭，接收第二輔助電流信號H6。钍濟部中夾抒卑局貝工消货合作社印11 第19圖說明此功率放大部分62〇，它係相等於第一和第二功率放大部分611 ’ 612，613，615，616和617。在此一實施例中，此功率放大部分62〇係使用作為第一功率放-大部分611。此功率放大部分62〇包括一 FET功率電晶體621 ’ 一功率二極體621d，一NMOS-FET功率電晶體622，以及電阻器623和624。此功率二極體621d之電流輸入接頭邊係連接至NMOS-FET功率電晶體621之電流輪出接頭邊，以及其電流‘出接頭邊係連接至NMOS-FET功率電晶體 621之電流輸入接頭邊。一電阻器623係連接於功率放大部分620之傳導控制接頭邊之第一接頭和NMOS-FET電晶體622之電流路程接頭本紙張尺度珅川中國國家摞冷' ((、NS ) Μ規格（21〇χ297公釐） 63 A7 447188 B7 五、發明説明（61 ) 對之一接頭之間。一電阻器624係連接於其傳導控制接頭邊之第一和第二接頭之間。其傳導控制接頭邊之第三接頭係連4至NMOS-FET功率電晶體621之控制接頭邊。因此 ’此功率放大部分620之FET功率鏡式電流電路有一預定電流放大率，同時此第一放大電流信號F丨供應至傳導控制接頭邊之第一接頭者係微小。當第一放大電流信號？1 之值係增加時，此電流放大率則銳利地增大。此外，供鹿至傳導控制接頭邊之第二接頭之第一輔助電流信號料係用來減少NMOS-FET功率電晶體621之接上電阻。此外，此NMOS-FET功率電晶體621和功率放大部分62〇之FET功率鏡式電流電路藉供應至傳導控制接頭邊之第三接頭之控制脈動信號Y1而實施高頻率接上/關斷轉換。此NMOS-FET功率電晶體621係經構形，例如，以一 FET電晶體之具有雙重漫射N波道金氧半結構者，以及 NMOS-FET功率電晶體621之一寄生二極體裝置係用作一功率二極體621d。功率放大部分620之電阻器623或/及624. 可以省略而不會有操作上問題。此第一放大電流信號fi 和第一辅助電流信號F4係被複合於功率放大部分62〇内，以及此複合信號係供應至NM0S_FET功率電晶體62丨和功率鏡式電流電路。此第一功率放大部分62丨或623有如第i9圖内所示之相同架構。此第二功率放大部分615，616或617有相同架構，但除了避免至傳導控制接頭邊之第三接頭之連接。其餘之架構及操作係類似於上述第2或第I實施例中者 ((、NS ) 格[ΙΪΟΧ297公f ) ' -— -64 - (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

M濟部中央標率局兵工消汾合作社印製 4 4 7 1 B 8 A7 __ B7 五、發明说明（62) 。因此’其詳細解釋將在此省略。在此一實施例中，要予供應至每一第一功率放大部分之傳务控制接頭邊之第一接頭之此三相第一放大電流信號 (作為此第一三相電流信號），係至少在昇起及落下斜度中平穩地變化，藉以平穩地變更此三相驅動電流信號至繞組。此外，一第一輔助電流信號係供應至每一第一功率放大部分之傳導控制接頭邊之第二接頭，藉以減小每一 NMOS-FET功率電晶體之接上電阻，此將主宰式地供應大量驅動電流。此外’轉換控制部分之控制脈動信號係供應至每一第一功率放大部分之傳達控制接頭邊之第三接頭，俾使每一第一 NMOS-FET功率電晶體實施高頻率接上/關斷轉換。以相同方式，此三相第二放大電流信號（作為第二三相電流信號）要予供應至每一第二功率放大部分之傳導控制接頭邊之第二接頭者，係至少在昇起及落下斜度中平穩地變化，藉以平穩地變更至繞組之三相驅動電流信號。此外，一第二輔助電流信號係供應至每一第二功率放大部分 <傳導控制接頭邊之第二接頭，藉以減小每一第二 NMOS-FET功率電晶體之接上電阻，那將主宰地供應大量驅動電流。此一實施例可因此獲得類似如上述諸如實施例之優點〇在此一實施例中，此第一功率放大部分6丨丨，612和613 ，以及第二功率放大部分615，616及617係不僅限於顯示本紙张尺度请用中國國糸標今（（、NS ) Λ4規格（2】〇X 2P7公聲） (誚先閲讀背而之注意事項再填寫本頁) 裝_ 65 - A7 44?188 __B7__ 五、發明説明（63)

於第19圖内之功率放大部分620。它們可以自由地變更。第20圖說明可使用作為每一第一功率放大部分6n，612和 613 ’以及第二功率放大部分615，616及617之另一放大部分640之架構。在此一實施例中，此功率放大部分64〇包括一由NMOS-FET功率電晶體641，一功率二極體641d，一 NMOS-FET電晶趙642 ’和電阻器643及644:所組成之FET 功率鏡式電流電路。功率二極體641 d之輸入接頭邊係連接至NMOS-FET功率電晶體641之電流輪出接頭邊，以及其電流輸出接頭邊係連接至此NMOS-FET功率電晶體641之電流輸入接頭邊。功率放大部分640之傳導控制接頭邊之第一接頭係連接至NMOS-FET電晶體642之電流路程接頭對之一接頭，一電阻器643係連接sNm〇S-FET電晶體642之電流路程接頭對之另一接頭和NMOS-FET功率電晶體641之電流路程接頭對之一接頭，以及一電阻器644係連接於其傳導控制 J 接頭邊之第一和第二接頭之間。其傳導控制接頭邊之第三. 接頭係連接至NMOS-FET功率電晶體641之控制接頭邊。因此，當此功率放大部分64〇係使用作為第一功率放大部分621時，功率放大部分64〇之FET功率鏡式電流電路能大大地放大一輸入電路，諸如第一放大電流信號F1或此第一輔助電流信號F4。此外’此第一輔助電流信號F4至傳導控制接頭邊之第二接頭者係使用以減小nM0S_fet功率電晶體641之接上電阻。此外，此NMOS-FET功率電晶體641 和功率放大部分64〇之FET功率鏡式電流電路藉供應至傳

巧張尺細1^?^7^7^( 2I0X29_J I It - --1 — ι·τ^. ^^1 11 "I I HI ^^1 I {請先閱請背面之i±意事項再填寫本頁) 衂濟部中央標準局兵-τ·消奸合作社印" 66 Λ471 8 8 A7 ________B7 五、發明説明（64 ) ~~ ------.----策-- (諳先閲讀背面之注項再填寫本頁) 導控制接頭邊之第三接頭之控制脈動信號γι而實施高頻率接上/關斷轉換。此NMOS-FET功率電晶體641係經構形，例i，藉一 FET電晶體具有雙重漫射波導金氧半結構者，以及NMOS-FET功率電晶體641之寄生二極體裝置係使用作為功率二極體641 d。此功率放大部分640之電阻器643或/及644可以省略而無操作問題。 [第四實施例] 第21和第22圖說明本發明之第四實施例中之馬達。第 21圖顯示馬達之一架構。在第四實施例中，轉換控制部分 700供應控制脈動信號Y1至Y6。此轉換控制部分700可促使此第一和第二功率放大部分之第一和第二NMOS-FE丁功率電晶體來實施高頻率接上/關斷轉換。在其他架構中，構件之類似於前述第1 ’ 2及3實施例者係貫以相同之代號，以及其詳細解釋係省略。第21圖内之轉換控制部分700產生控制脈動信號γι， Υ2 ’ Υ3，Υ4 ’ Υ5及Υ6係依照比較命令信號Ad與自電流、探測部分21之電流探測信號Ag之結果，以便能促使第一功率放大部分611，612和613以及第二功率放大部分615， 616和617來實施高頻率之接上/關斷轉換。每一第一功率放大部分611 ’ 612和613以及第二功率放大部分615，616 和617之架構係如說明於第19圖内之功率放大部分620或者說明於第20圖内之功率放大部分640者係相同〇因此，其詳細解釋將在此省略。第22圖顯示轉換控制部分700之架構。在轉換控制部本紙悵尺度进用中國围家標率（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） 67 經濟-部中夹標牟局只工消費合作社印$ί 447188 五、發明説明（65) 分700内轉換脈動電路330之比較器電路331藉比較此命令 "is號Ad與電流探測信號Ag而獲得一比較輸出信號Cr。此觸發;k生電路332輸出一大約ΙΟΟΚΗζ之高頻率觸發脈動信號Dp。狀態保持電路333改變轉換控制信號W1之狀態至 “Lb”(低電位狀態）於觸發脈動信號Dp之昇起邊緣處，並改變此轉換控制信號W1之狀態至“Hb”（高電位狀態）於比較輸出信號Cr之一昇起邊緣處。當轉換控制信號W1係轉動至“Lb”狀態時，此控制電晶體741，742，743，744，745 和746係並存式地關斷，以及控制脈動信號γι，γ2，Y3 ，Y4 * Y5及Y6係關斷（無導電狀態）。在此_時刻，此第一功率放大部分611，612和613放大第一放大電流信號F1 ’ F2和F3 ’以便能形成電流路程用以供應驅動電流信號II ，12和13之負極電流部分至繞組2，3和4 ^此第二功率放大部分615，616和617放大第二放大電流信號Η1，H2和H3 ，以便能形成電流路程用以供應驅動電流信號11，12和13 之正極電流部分至繞組2，3和4。當此轉換控制信號W1係轉動至“Hb”狀態時，此控制電晶體741，742，743，744 ’ 745和746係共存式地接上，以及此控制脈動信號γ卜Y2 ，Y3，Y4，Y5和Y6係接上（導電狀態）。在此一時刻，不僅第一功率放大部分611，612和613之第一 NMOS-FET功率電晶體’而且第二功率放大部分615，616和617之第二 NMOS-FET功率電晶體’均係在同一時間地關斷。此第一功率放大部分611，612和613以及第二功率放大部分615， 616和617係經控制，以便能依照單一轉換控制信號W1以本紙張尺度讨州中國(¾家標埤（CNS ) μ規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注^事項再填寫本頁) 丁 4 47188 A7 _____ B7 五、發明説明（66) 關斷，俾使至繞組之驅動電流信號係相當於命令信號Ad 而控制。下文中，此一操作將予說明。經濟部中央榡枣局只工消货合作社印^ 嗇狀態保持電路3 3 3之轉換控制信號w i係在觸發脈動 .信號Dp之昇起邊緣處改變至“Lb”時，一個或兩個第一功率放大部分係依照第一放大電流信號F丨，F2和F3而傳導，以及一個或兩個第二功率放大部分係亦在此一時刻依照第一放大電流信號Η1，H2和H3而傳導。例如，如果僅此第一放大電流信號F丨和第二放大電流信號Η2係被選擇時 ’此第一功率放大部分611之第一 NMOS-FET功率電晶體係依照第一放大電流信號F 1而傳導，藉以形成一電流路程用以供應驅動電流信號11之負極電流部分至繞組2 β以及，依照第二放大電流信號Η2 ’此第二功率放大部分616 之第二NMOS-FET功率電晶體係傳導，藉以形成一電流路程用以供應驅動電流信號12之正極電流部分至繞組3。此第一功率放大部分611之第一 NMOS-FET功率電晶體和第二功率放大部分616之第二NMOS-FET功率電晶體係在此· 一時刻轉動至全接上以供應足夠之驅動電流信號至繞組2 和3。驅動電流信號11和12之值由於繞組之感應而逐漸地增大。因此，自直流電源部分50之傳導電流信號Ig係增大以便能増大對繞組之組成之供應電流。當電流探測部分21 之電流探測信號Ag之值超過命令信號Ad之值時，比較電路331之比較輸出信號Cr產生一昇起邊緣，由是而改變狀態保持電路333之轉換控制信號W1至“Hb”。其結果，控制脈動信號Y1至Y6係接上，藉以造成第一功率放大部分611 69 I i^i I 1 I m I I I 1-1 I - - n -- _ I I i~» (誚先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙张尺度埤用中國®家標净（CNS ) Λ4规格（2〗OX297公釐）經湳部中次棵埤^13;工消资合作社印5!4 447 18 8 A7 ________ B7 ...... — ____ 五、發明説明（67) ，612和613之第一：^1^〇8-|^丁功率電晶體和第二功率放大部分615，616和617之第二NMOS-FET功率電晶體在同一時間地予以關斷。在此一時刻，繞组2之感應脈動式地增大驅動電壓VI，藉以形成一電流路程傳送通過第二功率放大部分615之第二功率二極體β其結果，此驅動電流信號11之負極電流部分至繞組2者繼績地流動。以及繞組3之感應脈動式地增大此驅動電壓V2,藉以形成—電流路程傳送通過第一功率放大部分6丨2之第一功率二極體。其結果’至繞组3之驅動電流信號12之正極電流部分繼續地流動。因此’至繞組2和3之驅動電流信號1丨和12由於繞組之感應在量上逐漸地減小》以及立刻地觸發脈動信號Dp之下一昇起邊緣出現，由是而使能上文所述之轉換操作予以重覆。因此，直流電源部分50之傳導電流信號ig之峯值係相當於命令信號Ad而被控制，藉以控制至繞組2，3和4之驅動電流信號。此第一輔助電流信號F4至第一功率放大部分611之傳導控制接頭邊可減小第一功率放大部分6丨丨之· 第一 NMOS-FET功率電晶體之接上電阻。此第二輔助電流信號H5至第二功率放大部分6 16之傳導控制接頭邊可減小第二功率放大部分616之第二NMOS-FET功率電晶體之接上電阻。此外’由於此第一放大電流信號係隨，可移動構件1係移時而平穩地變更，故以第一功率放大部分611，612和613 之電流路程可以平穩地變更。在此一情況中，第一功率放大部分611’612和613之第一NMOS·FET功率電晶體係被本紙張尺度埤用中國國家標準（（'NS ) Λ4規格（2i〇X297公釐） 70 ----------.裝------訂------冰 (誚先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 447188 B7 五、發明説明（68 ) 促使來實施高頻率轉換操作一如上文所述。以及’由於此第二放大電流信號係隨可移動構件1係移動而平穩地變更，故ά此第二功率放大部分615，616和617之第二NMOS-FET功率電晶體之電流路程可以平穩地變更。在此一情況中，此第二功率放大部分615，616和617之第二NMOS-FET 功率電晶體係被促使以實施高頻率轉換操作如上文所述。因此，此驅動電流信號係平穩地變更，以便能減小電流信號内之漣波，藉以顯著地減小馬達之振動和聲波嗓音。由於此第一放大電流信號FI，F2和F3以及第二放大電流信號HI，Η2和Η3係設定至相當於命令信號Ad之最小必需值，故對繞組之電流路程之變更操作可以平穩地達成，即令是當命令信號Ad係改變時亦然。以及同時，由此第一和第二放大電流信號所造成之功率耗失可以減少。由於此第一和第二功率放大部分分別地包括第一和第二功率FET功率鏡式電流電路，故吾人可能減小電流放大率之變化，並依序地穩定地獲得上述效果。其餘之架構和操作係類似於第一，二和三實施例中者故其詳細解釋將在此省略。在此一實施例中’此第一和第二功率放大部分之第一和第二NMOS-FET功率電晶體實施高頻率轉換，以及這些功率電晶體之功率耗失係顯著地減小，在此一時刻，由於第一和第二功率放大部分係依照單一轉換控制信號W1而接上/關斷，故用以控制高頻率轉換操作之馬達之架構可以大大地簡化。

本錄尺錢財_丨料(_^M^'2)OX297；v#~T I _ · - - - -J-·· ...... -It · 士文 1 . - - n^i (讀先閱讀背而之注^^項再填寫本頁) 經漪部中火标率扃負工消费合作社印製 447188 A7 B7 五、發明説明（69) 此一實施例因此獲得類似如上述各實施例之那些優點〇 [第五1實施例] 第23至第27圖說明本發明之第五實施例中之此馬達。第23圖顯示馬達之一架構。在此第五實施例中，每一第二功率放大部分815，816和817有一第二P型金氧半場效應電晶體（PMOS-FET)功率電晶體。此外，此轉換控制部分800 ’輔助供應部分810，第二電流放大部分845，846和847係已改變。在其他架構中，類似於前述第1，2，3和4實施例之構件係貫以相同代號，以及其詳細解釋係經省略。时消部中"枒準历β-τ消贽合作杜印11 在第23圖内’此第一功率放大部分611分別地自第一電流放大部分4丨經由其傳導控制接頭邊之第一接頭接收第一放大電流信號F1，自輔助供應部分81〇經由其傳導控制接頭邊之第二接頭接收第一輔助電流信號F4，自轉換控制部分800經由其傳導控制接頭邊之第三接頭接收控制脈動信號Y1。以相同方式，此第一功率放大部分612，分別. 地自第一電流放大部分42經由其傳導控制接頭邊之第一接頭接收第一放大電流信號F2，自輔助供應部分81〇經由其傳導控制接頭邊之第一接頭接收第一輔助電流信號f $，以及自轉換控制部分800經由其傳導控制接頭邊之第三接頭接收控制脈動信號Y2。以此相同方式，此第—功率放大部分613 ,分別地自第一電流放大部分43經由其傳導控制接頭邊之第一接頭接收第一放大電流信號打，自輔助供應部分810經由其傳導控制接頭邊之第二接頭接收第一本紙張尺度进州中阈國家標苹（（，NS )八衫見格（210Χ297公楚） 72 勉满部中央標準扃爲工消费合作社印^ 447183 Α7 ____ B? 五、發明説明（7〇 ) 輔助電流耗號F6，以及自轉換控制部分8〇〇經其傳導控制接頭邊之第二接頭接收控制脈動信號Y3。 ώ示於第19圖内之功率放大部分620在此一實施例中係使用作為每一第一功率放大部分6】丨，6〗2和6〗3。第！ 9 圖内之功率放大部分620顯示第一功率放大部分611之範例，一如上文所述。此第二功率放大部分8丨5，分別地自第二電流放大部分845經由其傳導控制接頭邊之第一接頭接收第二放大電流信號Η1，自輔助供應部分81 〇經由其傳導控制接頭邊之第二接頭接收第二輔助電流信號Η4，以及自轉換控制部分800經由其傳導控制接頭邊之第三接頭接收控制脈動信號Υ4。以此相同方式，此第二功率放大部分8丨6，分別地自第二電流放大部分846經由其傳導控制接頭邊之第一接頭接收第二放大電流信號Η2，自輔助供應部分810經由其傳導控制接頭邊之第二接頭接收第二放大電流信號Η5，以及自轉換控制部分800經由其傳導控制接頭邊之第三接' 頭接收控制脈動信號Υ5。以此相同方式，此第二功率放大部分817，分別地自第二電流放大部分847經由其傳導控制接頭邊之第一接頭接收第二放大電流信號Η3 ,自輔助供應部810經由其傳導控制接頭邊之第二接頭接收第二輔助電流信號Η6 ’以及自轉換控制部分800經由其傳導控制接頭邊之第三接頭接收控制脈動信號Υ6。第27圖說明一功率放大部分900相等於每一功率放大部分815 ’ 816和817之架構。在此一實施例中，此功率放 - -1 : I . : ---- (谇先閱讀背面之注意事項再填寫本I) 本紙张尺度適汛中國國家標苹（（'那）44規格（210乂297公釐） 4 A7 B7 經消部中夾標;r局Hhi消资合作社印*''木五、發明説明（大部分900係使用作為第二功率放大部分815。此功率放大部分900包括一FET功率鏡式電流電路之由一：PMOS-FET功率電A體905 ’ 一功率二極體905d，一 PMOS-FET電晶體906 ’以及電阻器907和908所組成者=此功率二極體9〇5d之電流輸入接頭邊係連接至PMOS-FET功率電晶體905之電流輸出接頭邊’以及其電流輸出接頭邊係連接至PMOS-FET 功率電晶體905之電流輸入接頭邊。—電阻器907係連接於功率放大部分900之傳導控制邊之第—接頭和pM〇s_FET 電晶體906之電流路程接頭對之一個接頭之間，以及一電阻器908係連接於其傳導控制接頭邊之第一和第二接頭之間。傳導控制接頭邊之第三接頭係連接至PM〇S_FET功率電晶體之控制接頭邊。因此，功率放大部分之FET功率鏡式電流電路有一預定電流放大率，同時第二放大電流信號H1之值供應至傳導控制接頭邊之第一接頭者係微小。當第二放大電流信號H丨之值係增大時，此電流放大率係銳利地增大。供應至傳導控制接頭邊之第二接頭之第二‘ 輔助電流信號Η4減小PMOS-FET功率電晶體9〇5之接上電阻。此PMOS-FET功率電晶體905和功率放大部分9〇〇之ρΕτ 功率鏡式電流電路，在供應至傳導控制接頭邊之第三接頭之控制脈動信號Y4係在高頻率處接上/關斷之情況令實施高頻率接上/關斷轉換。此PM0S-FET功和電晶體9〇5係經構形，例如，以-FET電晶體已具有雙重漫射㈣波道金氧半結構者，以及PMOS-FET功率電晶體9〇5之一寄生二極體裝置係使用作為-功率二極趙9{)5dtj功率放大部分_ 木纸張尺錢财關料.((、NS ) Λ4^格（2H^7公赛· --I IJ - - —I - - I ------1__訂 (诗先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 74 447188 A7 £7___ 五、發明説明（72 ) 之此電阻器907或/及908係可予省略而無操作問題。第23圖内之第二電流放大部分845，846和847藉放大此第丄分配電流信號Gl，G2和G3而分別地產生第二放大電流信號HI，H2和H3。此第二放大電流信號HI，H2和H3 係分別地供應至第二功率放大部分815，816和81 7之傳導控制接頭邊之第一接頭》第26圊顯示第二電流放大部分845，846和847之一架構。此第二電流放大部分845係包含一第二放大部分鏡式電流電路，它有第一階段鏡式電流電路由電晶體95 1和952 組成，以及下一階段鏡式電流電路由電晶體953和954以及電阻器955和956所組成。此第二電流放大部分845以一 50 倍之預定電流放大率放大此輸入電流G1。以相同方式，此第二電流放大部分846係包含一第二放大部分鏡式電流電路之由電晶體961，962,963和964,以及電阻器965和966 組成者。此第二電流放大部分846以一 50倍之預定電流放大率放大此輸入電流G2 »以此相同方式，此第二電流放' 大部分847係包含一第二放大部分鏡式電流電路之由電晶體971 ’ 972，973和974以及電阻器975和976所組成者。此第二電流放大部分847以一50倍之預定電流放大率放大輸入電流G3。因此，此第二電流放大部分845，846和847分別地放大此三相第二分配電流信號，藉以產生三相第二放大電流信號HI，H2和H3。第23囷内之轉換控制部分800促使第一功率放大部分 611，612和613及/或第二功率放大部分815，816和817來

(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁J 訂

• 1 I -I 本紙依尺度通用中國國家榡苹（CNS > Μ说格（2丨0X297公嫠） 75 447188 A7 B) 五、發明説明（73 ) ' " ~—~* 實尚頻率接上/關斷轉換。第24圖顯示轉換控制部分8〇〇之架構。轉換控制部分800之轉換脈動電路330之架構係一如第7圖内所示電路之架構相同。此轉換脈動電路輪出轉換控制信號W1。當調定轉換電路840係連接至Ga —邊時，此調定轉換信號Sf係在“Lb”狀態中。因此，及電路83〇之輸出進入“Lb，，狀態’以及控制電晶體835 ’ 836和85 1仍保持關斷。因此，此控制脈動信號Y4，Y5和Y6係亦保持關斷。此外，控制電晶體83 1，832和833係依照此轉換控制信號wi而接上 ’關斷。其結果’此第一功率放大部分611，612和613之第一 NMOS-FET功率電晶體依照控制脈動信號，丫2和丫3 而實施面頻率接上/關斷轉換》由於在此一時刻此控制脈動信號Y4，Y5和Y6係關斷，故此第二功率放大部分815 ，816和817係依照第二電流放大部分845,846和847之第二放大電流信號Η1，H2和H3而受控制（無高頻率轉換係實施）。當此調疋轉換電路840係連接至Gb —邊時，此調定轉換信號Sf係在“Hb”狀態中，因此，此控制電晶體835，836 和8 3 7係亦依照此轉換控制信號W1而接上/關斷。因此，此控制電晶體831 ’ 832 ’ 833 ’ 835 ’ 836和837產生此控制脈動信號Yl ’ Y2，Y3，Y4，Y5和Y6，每一此等信號係依照轉換控制信號W1而接上/關斷。其結果，第—功率放大部分6Π，612和613之第一 NMOS-FET功率電晶體依照此控制脈動信號Yl，Y2及Y3而實施高頻率接上/關斷轉換本紙張尺度湳州中國周家樣卒ί (:NS〉Λ4規格（2丨〇x2W公釐） I- n^i —I- I --- 1 —f^i ^^^1 *1^— *一aJ· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 76 447188 妗漪部中火榀iv-^h T:消贽合作赵卬製 A7 B? 五、發明説明（74 ) " ’以及第一功率放大部分815，816和817之第二PMOS-FET 功率電晶體依照控制脈動信號Y4，Y5和Y6而實施高頻率接上/關斷轉換。此調定轉換電路840係固定於要就是Ga邊抑或Gb邊，但此電路可能隨需要而改變。第23圖内之輔助供應部分8丨〇依照自變更信號產生部分34之輸出信號而供應此三相第一輔助電流信號|^4，F5 和F6至第一功率放大部分611，6丨2和613之傳導控制接頭邊’並依照自變更信號產生部分34之輸出信號而供應此三相第二輔助電流信號H4，H5和H6至第二功率放大部分815 ，816和817之傳導控制接頭邊。第25圖顯示輔助供應部分 810之架構。辅助供應部分81〇之輔助變更信號產生部分51〇之架構係如第14及第15圖所示者相同。因此，為部分5 1〇之詳細解釋將在此省略。此輔助電流變更部分85〇包括三個第一電流源871 ’ 872和873，三個第二電流源875，876 和877 ’三個第一轉換電路881，882和883，以及三個第二轉換電路885 ’ 886和887。此第一電流源871，872和873係‘ 連接至直流電源部分50之正極接頭邊，以及此第二電流源 875，876和877係連接至直流電源部分50之負極接頭邊。此第一轉換電路881，882和883係依照輔助變更信號產生部分510之輔助變更信號】4，】5和了6之“1^1)”狀態而分別地接上，藉以供應第一電流源871，872和873之電流信號作為第一輔助電流信號F4, F5和F6。此第二轉換電路885 ’ 886，和887係依照輔助變更信號產生部分510之輔助變更信號J7，J8和J9之“Hb”狀態而分別地接上，藉以供應第本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 77 ----------- 衣------訂 (誚先閱讀背面之注意事項再填寫本茛)

A7 BT 447188 五、發明説明（75 ) 二電流源875，876和877之電流信號作為第二輔助電流信號 H4，H5 和 H6。余一放大電流信號F1，F2和F3以及第一輔助電流信號F4 ’ F5和F6之間之波形之關係係如第17g圖以及17a至c 圖内所說明者相同。第二放大電流信號Η1，H2和H3以及第二輔助電流信號Η4，Η5和Η6之間之波形之關係係如第 17h圖及第17d至f圖内所說明者相同。其餘之架構及操作係類似如第一、二' 三或四實施例者。因此’其詳細解釋將在此省略。在此一實施例中，由於此第一功率放大部分之第一 NMOS-FET功率電晶體實施高頻率接上/關斷轉換，此第一功率放大部分之功率耗損係微小。此外，由於第二功率放大部分之第二PMOS-FET功率電晶體係全接上或實施高頻率接上/關斷轉換’故第二功率放大部分之功率耗失係微小因此，此一實施例可提供一具有優良功率效率之馬達。此外’此第一和第二放大電流信號係與命令信號Ad 一致地在量上改變，由是而減少由至第一和第二功率放大部分之輸入電流所造成之功率耗失。經部中央標苹 X 消女, 合社印 t 此外，由於第一 NM0S-FET功率電晶體係使用於第一功率放大部分内，以及第二PMOS-FET功率電晶體係使用於第二功率放大部分内，故沒有高電壓輸出部分係被使用並沒有電壓源部分，除了讓直流電源部分5G係用來控制此功率電晶體以外。因此，此馬達之架構可以簡化得甚多。在此一實施例中，當一 NMOS-FET功率電晶體和一 78 447 1 8 8 A7

_____________ ___BT 五、發明説明（76) PMOS-FET功率電晶體有不同之非線性電壓放大增益時，

第和第一功率放大部分之電流放大率之變化可以藉F£T 功率鏡式電流電路之架構在它們之中而顯著地減小。此外，由於此第一放大電流信號（作為第一三相電流信號）’和第二放大信號（作為第二三相電流信號）係與命令信號Ad —致地在量上改變，故至繞組之電流路程之變更操作可以平穩地達成，即令是當命令信號係改變時亦然〇此一實施例可因此有如類似於上述實施例之那些優點〇此外，在此一實施例中，每一第一功率放大部分611 ，612和613可以自由地變更。例如，此功率放大部分64〇之顯示於第20圖内者可以使用作為每一此第一功率放大部分611 ， 612和613 。此外’每一第二功率放大部分8丨5，816和817可以自由地變更。例如，第28圖說明功率放大部分92〇之另一架構可使用作為每一第二功率放大部分815，816和817。在此一實施例中’此功率故大部分920係使用作為第二功率放大部分815。此功率放大部分92〇包括由PM〇s_FET功率電晶體925之一功率二極體925d，一 PMOS-FET電晶體 9之6 ’以及電阻器927和928所組成之FET功率鏡式電流電路。此功率二極體925d之電流輸入接頭邊係連接至 PM0S-FET功率電晶體925之電流輸出接頭邊，以及其電流輸出接頭邊係連接至PM0S-FET功率電晶體925之電流本紙張尺度適州中國國家榡準（CMS ) A4規格（2丨0X297公釐） /^1 ^11 - - I .1 - -I --- I ( : 1— 1 ^^^1 1- - 1 '1-5、 (誚先閲讀背面之注意事項再填寫木頁) 79 447 18 8 A7 p——---~~____________B7 五、發明説明（77 ) i i I II Hi - - _··1 ; -^^I- -ί - I : I (#先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 輸入接頭彡I力率放大部分92G之傳導控制接頭邊之第一接頭係連接至PMQS植電晶體926之電流路程接頭對之一接頜，以及一電阻器927係連接sPM〇s_FET電晶體926 之電/爪路私接頭對之另一接頭和pM〇s_FET功率電晶體 925之電机路程接碩對之一接頭之間以及一電阻器”以系連接於其傳導控制接頭邊之第―和第二接頭之間。傳導控制接頭邊之第二接頭係連接至PM〇S FET功率電晶體925 之控制接碩邊。因此，此功率放大部分92〇之FET功率鏡式電流電路有-可觀地大電流放大率^此外，第二輔助電流信號H4供應至傳導控制接頭邊之第二接頭者減少由 PMOS-FET功率電晶體之接上電阻所造成之功率耗失。此 PMOS-FET功率電晶體925和功率放大部分920之FET功率鏡式電流電路於控制脈動信號¥4供應至傳導控制接頭邊之第二接頭者係接上/關斷時實施高頻率接上/關斷轉換。此PMOS-FET功率電晶體925係經構形，例如，藉一 FET電晶體之具有雙重漫射P形波道金氧半結構者，以及此 PMOS-FET功率電晶體925之一寄生二極體係使用作為一功率二極體925d。此功率放大部分92〇之電阻器927及/或 928係可省略而無操作問題。 [第六實施例] 第29和第30圖說明本發明之第六實施例中之馬達。第 29圖顯示一馬達之架構。在此第六實施例中，一關斷操作部分1000係新近地提供。在其他架構中，類似於前述第一、二、三、四及五實施例之構件係貫以相同代號，以及其本紙张尺度適川中國闯家標坪( (’NS ) Λ4規格{ 2Ϊ0Χ 297公楚） Λ471 8 8 A7 B1 五、發明説明（78 詳細解釋係省略。在第29圖内’此第一功率放大部分61ι ,分別地自第一電▲放大部分經由其傳導控制接頭邊之第一接頭接收第一放大電流信號F1，自輔助供應部分5〇〇經由其傳導控制接頭邊之第二接頭接收第一輔助電流信號F4，以及自轉換控制部分22經由其傳導控制接頭邊之第三接頭接收控制脈動彳s號Y10以相同方式，此第一功率放大部分612，分別地自第一電流放大部分42經由其傳導控制接頭邊之第一接頭接收第一放大電流信號F2，自輔助供應部分5〇〇經由其傳導控制接頭邊之第二接頭接收第一輔助電流信號F5 ，以及自轉換控制部分22經由其傳導控制接頭邊之第三接頭接收控制脈動信號Y2 >以此相同方式^此第一功率放大部分613，分別地自第一電流放大部分43經由其傳導控制接頭邊之第一接頭接收第一放大電流信號F3，自輔助供應部分500經由其傳導控制接頭邊之第二接頭接收第一輔助電流彳§號F6，以及自轉換控制部分22經由其傳導控制接頭邊之第三接頭接收控制脈動信號Y3。此第二功率放大部分615，分別地自第二電流放大部分4 5經由其傳導控制接頭邊之第一接頭接收第二放大電流信號H1，自辅助供應部分5〇〇經由其傳導控制接頭邊之第一接頭接收第一輔助電流信號H4 ,以及自關斷操作部分 100經由其傳導控制接頭邊之第三接頭接收關斷電流信號 Z4。以相同方式，此第二功率放大部分616，分別地自第二功率放大部分46經由其傳導控制接頭邊之第一接頭接本紙張尺Si請巾關I；料{_(:NS ) Λ4規格（2丨0X297公f ) -----~~~ -81 - --- --- !^·*ί - -- L ...... . -- _ I \—> (請先閱讀背而之注項再填寫本頁) A7 B7' 447188 五 '發明説明（79 ) 第二放大電流信號H2，自輔助供應部分500經由其傳導控制接頭邊之第二接頭接收第二輔助電流信號^^，以及自關斷操作部分1000經由其傳導控制接頭邊之第三接頭接收關斷電流信號Z5。以相同方式，此第二功率放大部分617 ，分別地自第二功率放大部分47經由其傳導控制接頭邊之第一接頭接收第二放大電流信號H3，自輔助供應部分5〇〇經由其傳導控制接頭邊之第二接頭接收第二輔助電流信號 H6，以及自關斷操作部分1000經由其傳導控制接頭邊之第三接頭接收關斷電流信號Z6。關斷操作部分1〇〇〇之關斷電流信號Z4促使第二功率放大部分61 5於第一功率放大部分6丨〖係實施高頻率轉換時予以關斷。當此第二功率放大部分615變成傳導時’此斷電流信號Z4進入無信號狀態（零電流），俾使第二功率放大部分615係依照對傳導控制接頭邊之輸入電流信號而受控制。以相同方式，關斷操作部分1 之關斷電流信號Z5 促使第二功率放大部分616於第一功率放大部分612係實施尚頻率轉換時予以關斷。當此第二功率放大部分616變成傳導時，此關斷電流信號Z5進入無信號狀態（零電流），俾使第二功率放大部分616係依照對傳導控制接頭邊之輪入電流信號Z6受控制。以相同方式’關斷操作部分1〇〇〇之關斷電流信號Z6促使第二功率放大部分617於第一功率放大部分613係實施高頻率轉換時予以關斷。當此第二功率放大部分617變成傳導時，此關斷電流信號Z6進入無信號狀態（零電流），俾使此第二功率放大部分6丨7係依照對傳本紙中闼囤家摞準（CNS ) A4規格（210X29^^7" (讀先閱讀背面之注意事項再填艿衣頁)

'II 好溁部中央樣^-ijh.t..消资合作社印11 82 - 4 A7 B1 17 18 8 一 _ _ 五、發明説明（80 控制接頭邊之輸入電流信號而受控制。第30圖說明關斷操作部分1000之架構。關斷操作部分 loooi—比較器1010比較變更信號產生部分34之一輸出信號Jal與一預定電壓，以便能依照此比敉結果來接上/關斷 NMOS-FET功率電晶體1012。其結果，此關斷電流信號Z4 係輸出’由是而確實地關斷第二功率放大部分615。以相同方式，關斷操作部分1〇〇〇之另一比較器1〇2〇比較變更信號產生部分34之一輸出信號几1與預定電壓，以便能依照此比較結果來接上/關斷NMOS-FET電晶體1022。其結果，此關斷電流信號Z5係輸出，由是而確實地關斷第二功率放大部分626。以此相同方式，關斷操作部分1〇〇〇之另一比較器1030比較變更信號產生部分之一輸出信號Jcl與預定電壓’以便能依照此比較結果來接上/關斷此NMOS-FET電晶體1032。其結果，此關斷電流信號Z6係輸出’由是而確實地關斷第二電流放大部分6丨7 β 其餘之架構及操作係類似如第三、二，及一實施例中者。因此，其詳細解釋將在此省略。在此一實施例中，當每一導電之第一功率放大部分實施高頻率轉換時，相同相位之每一第二功率放大部分係藉來自關斷操作部分1000之每一關斷電流信號而關斷。因此 ,即令是當每一驅動電壓信號係一具有較大量之高頻率脈動電壓時’吾人仍可能防止不必要之電流通過每一第二功率放大部分之應該在關斷狀態甲者。特別是，當每一第二功率放大部分包括一 FET功率鏡式電流電路時，此類不必才、紙浪尺度诮用中國國家榡準(cns ) Λ4^ ( 210X297^^.) ----Γ - I-- —I - II , 策 t— n - —ϊ --"、1Τ (請先聞读背而之注意事項再填寫本頁) Μ满部中夾標準局爲-τ消费合作社印製 83 447188 A7 B7 五、發明説明（幻） M满部中决標準局另工消介合作社印緊要之電流總疋要流動通過它。因此，此關斷操作部分1 〇〇〇係非常有效地來防止此類不需要之電流。表上述架構中，僅此第一功率放大部分實施高頻率轉換。不過，第一和第二功率放大部分兩者可實施高頻率轉換。況且，當一第一功率放大部分保持關斷時，此第一功率放大部分可以由來自關斷操作部分之另一關斷信號強迫式地保持關斷。此一實施例可因此獲類似於上述實施例中之那些優點 ° 0 在每一前述實施例之詳細架構中，各種不同之變更均屬可能。例如，各相位之繞組可以藉多個局部繞組呈串聯或並聯地連接而構形。此三相繞組係不限於星式連接架構 ’但一二角形連接架構亦可以使用。一般而言，一馬達之有多相位繞組者可以實現。此外，可移動構件之磁場部分係不限於所說明之一種。一馬達有多個磁極者可以實現。一般而言，此磁場部分供應此繞組以磁通量，此磁通量依' 然可移動構件之運動而變化。此外，此磁場部分可以作各種變更。各種馬達’諸如無電刷馬達’永久磁鐵步級電動機，磁阻步級電動機，以及拼合步級電動機，以及諸如此類者’可以依照本發明來構形，以及因此這些馬達係亦在本發明之範圍内。此外’可移動構形之運動係不限於一旋轉運動，而一線性運動炙馬達亦可以實現D轉換控制部分 ’電流探測部分，分配信號產生部分，以及每一第二電流放大部分之架構係不限於僅對上文所述之一種。所有或部，本纸浪尺㈣财酬家料(CNS ) Λ4規格（21DX 297公楚） (請先閲請背面之ii意事項再填寫本頁)

447188 A7 五、發明説明（82) 分之轉換控制部分之功能，以及其他預定功能亦可以使用微處理機而數位化地執行。此分配信號產生部分係不限於上文所說明之一種。第 31圖說明在另一種架構中之分配信號產生部分1136，此部分將予以說明。此分配信號產生部分1136包括第一分配器 1137和第二分配器1138。此第一分配器1137依照自變更信號產生部分34之三相變電流信號Dl，D2和D3而分配供應信號產生部分30之第一供應電流信號C1，並產生第一三相分配電流信號E1，E2和E3，各平穩地變化此第二分配器依照自變更信號產生部分34之三相變更電流信號 Dl ’ D2和D3而分配供應信號產生部分30之第二供應電流信號C2，並產生第二三相分配電流信號G1，G2和G3，各平穩地變化。鯉漪部中央橾準局員工消赀合作社印繁 ^^1 ...卜 -X 1-- t I —I— ^—J. 5» *va (誚先M靖背而之注意事項再填寫本頁) 此第一分配器1137係由三個第一輸入電晶艘1201， 1202和1203，以及三個第一分配電晶體1205，1206和1207 所組成。每一第一輸電晶體1201，1202和1203之電流路程接頭對之傳導控制接頭和信號輸入接頭係連接至分配信號產生部分1136之電流輸入一輸出接頭邊，每一三相變更電流信號Dl，D2和D3係自此變更信號產生部分34進入此分配信號產生部分内。第一輸入電晶體1201，1202和1203之電流路程接頭對之信號輸入接頭係共同地連接。第一分配電晶體1205，1206和1207之電流信號輸入接頭邊係共同地連接，俾使供應信號產生部分30之第一供應電流信號C1 係進入共同連接之接頭邊。第一分配電晶體1205，1206和本紙張尺廋试用中闽國家標啤.（（:阳）八4規格（210'乂 297公釐） 85 447 18 8 A7 B7 赶湳部中央椋準局負τ_消费合作社印衆五、發明説明（83) 1207之傳導控制接頭邊係連接至分配信號產生部分113 6之電流輸入/輸出接頭邊’而三相變更電流信號Dl，D2和D3 係分i1〗地對此部分進入。因此，此三個第一分配電晶體丨205 ’ 1206及1207自其電流信號輸出接頭邊輸出三相第一分配電流信號E1’E2及E3。此第一輸入電晶體120卜 1202和1203 在種類上完全相同於第一分配電晶體1205，1206及1207。在此一實施例中’一 PNP雙極電晶體係為每一第一輸入電晶體12〇1，1202和1203，以及為每一第一分配電晶體1205 ，1206及1207而使用。每一第一輸入電晶體之傳導控制接頭係此基極接頭’電流路程接頭對之信號輸入接頭係此集極接頭，以及電流路程接頭對之信號輸出接頭係此射極接頭。每一第一分配電晶體之傳導控制接頭係此基極接頭，電流信號輸入接頭係此射極接頭，以及電流信號輸出接頭係集極接頭。此第二分配器113 8係由三個第二輸入電晶體1211， 1212和1213，以及三個第二分配電晶體丨215，1216及1217 所組成。每一第二輸入電晶體〗211，1212及1213之電流路程接頭對之傳導控制接頭和信號輸入接頭係連接至分配信说產生部分1136之電流輸入一輪出接頭邊，而每一三相變更電流信號D1，D2和D3係自變更信號產生部分34進入此分配信號產生部分内。第二輸入電晶體1211，1212及1213 之電流路程接頭對之信號輸出接頭係共有地連接。第二分配電晶體1215 ’ 1216及1217之電流信號輸入接頭邊係共有地連接’俾使供應信號產生部分3〇之第二供應電流信號C2 I n ι· n K^n n « 艮— _ J! .^1 I n T T,-v 、ve (請先M讀背而之注意聿項再填疼本頁) 本纸張ΧΛi!則，關丨料(rNS )，\4職（21GX297公楚） 86 4 4 7 18 8 A7 ___ B1 經湞部中夾標準/ΓΟ貝工消资合作杜印製五、發明説明（84 ) 係進入此共有連接之接頭邊。此第二分配電晶體丨215, 1216 及1217之傳導控制接頭邊係連接至分配信號產生部分1136 t 之電流輸入一輸出接頭邊，三相變更電流信號D1，D2和 D3係分別地進入此分配信號產部分内。因此，此三個第二分配電晶體1215，1216和1217自其電流信號輸出接頭邊輸出三相第二分配電流信號G1，G2和G3。此第二輸入電晶趙1211 ’ 1212和1213在種類上係完全相同於第二分配電晶體1215，1216和1217。此外，第二輸入電晶體1211 ’ 1212 和1213之種類係不同於第一輸入電晶體丨2〇1，12〇2及丨2〇3 之種類。在此一實施例中’一NPN雙極電晶體係為每一第一輪入電晶體12U，1212和1213，以及為每一第二分配電晶趙1215 ’ 1216和Π17而使用。每一第二輸入電晶體之傳導控制接頭係此基極接頭，電流路程接頭對之信號輸入接頭係此集極接頭’以及電流路程接頭對之信號輪出接頭係此射極接頭。每一第二分配電晶體之傳導控制接頭係此基極接頭’電流信號輸入接頭係射極接頭，以及電流信號輸‘ 出接顛係此集極接頭。此外，·-基準電壓源丨220和電晶體 1221及1222 —起形成一預定電壓之供應塊。此預定電壓之供應塊供應一第一直流電壓至第一輸入電晶體1201，1202 及1203之共同連接之接頭，以及一第二直流電壓至第二輸入電晶體1211，1212和1213之共同連接之接頭。因此，當此變更電流信號D1係一負極電流部分時，此第一輸入電晶體1201係導電以及此第二輸入電晶體丨211 係不導電》當此變更電流信號D1係一正極電流部分時， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂本紙張尺度適用中國國家榡肀（（，NS ) A4規格（2】〇><297公嫠〉 87 4 4 7 1 8 8 A7 B7 五、發明说明（85) __ _*__''___4- ^^^1 ϋι— ^^^—9 n^— ^^—^1 ϋ (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此第二輸入電晶體1211係導電以及此第一輸入電晶體係不導電。換言之，依照變更電流信號D1之極性，一平順電流係呈互補方法地供應至第一及第二輸入電晶體！ 2 〇丨及 1211。因此’一電流係永遠不會在同一時間地流入第一和第二輪入電晶體1201及1211兩者内。以此相同方式，當此變更電流信號D2係一負電流部分時，此第一輸入電晶體 1202係導電。當此變更電流信號D2係一正電流部分時，此第二輸入電晶體1212係導電。以此相同方式，當此變更電流信號D3係負電流部分時’此第一輸入電晶體12〇3係導電。當此變更電流信號D3係正電流部分時，此第二輸入電晶體1213係導電。第一分配器1137之第一分配電晶體1205，1206及1207 依照流入第一輸入電晶體1201，1202及1203之三相電流而分配第一供應電流信號C1至電流信號輸出接頭邊，藉以產生此三相第一分配電流信號El，E2及E3。因此，此三 • 相第一分配電流信號El，E2及E3係依照三相變更電流信鯉沪部中央ίτ4,Λ:^工消处合作拉印氣號Dl，D2及D3之負電流部分而平穩地變化，俾使分配電流信號El，E2及E3之總和值變成相等於第一供應電流信號C1之值。以此相同方式，此第二分配器113 8依照流入第二輸入電晶體1211，1212及12 13内之三相電流而分配此第二供應電流信號C2至此電流信號輸出接頭邊，藉以產生三相第二分配電流信號Gl，G2及G3。因此，此三相第二分配電流信號Gl ’ G2及G3係依照三相變更電流信號D1 ，D2及D3之正電流部分而平穩地變化，俾使此分配電流本紙張尺度適州t國國家標準（CNS ) A4吼格（210X297公袭） 88 經漓部中戎標準局兵工消费合作社印掌 4 47188 a? B1 五、發明説明（86) 號G1 ’ G2及G3之總和值變成相等於第二供應電流信號C2 之值。此三相第一分配電流信號E1，E2及E3以及三相第二分t電流信號Gl ’ G2及G3之波形變為相同於苐9圖内所示者。

此外’使用一眾所習知之半導體處理之各類型單一晶片1C技術可以使用以整合上述馬達之部分進入一 1C内。例如，有一種技術可使用於各類型之單一晶片1C。此技術可使用單一型或多型FET電晶體具有雙重漫射金氧半結構以及FET電晶體具有互補金氧半（CMOS)結構者。勿論係單一型或多型電晶體係被使用，1C之副直通可連接至一直源電源之負極接頭邊之一電位（接地線電位），藉以整合電晶體’電阻器或某些其他構件於一高密度中。此項技術係不限於上文提及之_種，但一種電介質絕緣技術亦可以使用以整合電晶體及電阻器。此特殊電晶體規畫於此晶片内係一項設計事務，因此詳細解釋將在此省略Q 功率放大部分之功率二極體在一1C中可以與功率電晶‘ 體一起放置，但它們可以於需要時被放置在IC之外邊。例如’一Schottkey障壁式功率二極體可以倒反地呈並聯地連接至每一功率電晶體。每一第一電流放大部分之第一放大部分鏡式電流電路和每一第二電流放大部分之第二放大部分鏡式電流電路可以裝設以非線性之電流放大特性，俾使當一電流係增加時，此電流放大率係亦增大。此轉換控制部分，藉依照一電流探測信號和—命令信號之間之比較結果而控制各功率放大部分之轉換操作，已本紙张尺廋洎ffl中阒國家標肀（rNS ) Λ4規格（21〇X297公釐） —^^1 —^^1 — 」-I - ^^^1 1- - ^^^1 ^^^1 I {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 89 Λα 47188 A7 r________ 五、發明説明（87) 能使電流之高度精確控制。不過，本發明係不僅限於此一架構。各種不同之變更係亦可能。例如，此轉換控制部分

I 可促使第一功率放大部分和第二功率放大部分之任一個或兩者依照一單一轉換控制信號來實施轉換^此外，第一功率放大部分和第二功率放大部分之任一個或兩者可依照多相位轉換控制信號而實施轉換。此電流探測部分可以被嵌入直流電源部分之正極接頭邊内。此電流探測部分係不僅限於用以直接地探測自流電源之供應電流之方法；各種眾所熟知之方法均可應用於此電流探測部分之電流探測方法。例如，此電流探測部分可以經組成以包含一相當於各FET功率電晶體之傳導電流之信號。輔助供應部分之架構係不€限於用以輪出一輔助電流信號之一種。例如，吾人亦可決定以便能供應一輔助電壓 k號至每一功率放大部分之傳導控制接頭邊。此輔助供應部分之輔助信號可減小各功率放大部分之F E τ功率電晶體 ' 之接上電阻，藉以減小由此接上電阻所造成之功率耗失而. 不會干擾各電流路程之平穩變更操作。 Μ滴部中夾標苹局只工消Φ;合作社印^ ^^1 - · ίι— -I t /1 I- ί .^n \eJ (誚先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 每一繞組可以經組成以接收單向及雙向電流之任一種。供應至各繞組之電流可以隨需要而在雙向及單向之間作轉換。此第一功率放大部分和第二功率放大部分係不限於所說明之架構，但各種不同之變更係屬可能。在前述實施例中，一功率放大部分之有FET功率電晶體之—功率鏡式電流電路者係經顯示為一較佳範例，但本發明係不受限於此本紙張尺度 4 2,〇x^iT-—- 447188 A7 --— _ B7 _ 五、發明説明（88 ) 經濟部中央樣隼扃貝工消费合作"印^ I J ' 1 Ϊ , » » I— —I- I 於 -_ (誚先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 一架構。例如，一絕緣柵雙極電晶體（】gBT)或電導調變場效應電晶體（COMFET)係一種複合FET功率電晶體之有一非線彳k電壓放大特性者，並係用作一接上/關斷轉換裝置 ’因為放大特性之較大變化之原故。不過，由於此IG]3T 電晶體係一複合FET電晶體之有—FET電晶體在輸入邊，一 FET功率鏡式電流電路可以藉使用此IGBT電晶體而構形’藉以構形一功率放大部分它包括一 IGBT功率電晶體並有一電流放大特性者。藉供應一電流信號，至少在昇起及/或落下斜度部分平穩地或大體上平穩地變化者，至此一功率放大部分傳導控制接頭邊，那將變成可能來平穩地變更此電流路程。雖然此複合FET電晶體有甚多缺點（較大接上電壓，在放大增益上有較大變化等），但顯示於本發明中之各種效果仍可獲得依此，在本發明中之此FET 電晶體包括IGBT電晶艘或複合FET電晶體之有一 FET電晶雜在輸入邊者。第32圖顯示一功率放大部分19〇〇有一複合 FET功率電晶體191〇諸如此IGBT電晶體者之一範例。在. 此一架構中，此功率放大部分1900係用作第一功率放大部分611。以此複合FET功率電晶體1910，一 FET電晶體1911 和電阻器1912和19Π之連接，一 FET功率鏡式電流電路係同等地形成。以此一架構，對此功率放大部分1 9〇〇之傳導控制接頭邊之輸入電流係被放大，以及此驅動電流係通過複合FET電晶體1910之電流路程接頭對而輸出^ 一功率二極體1910d係*-寄生二極體同等地並倒反地呈並聯地連接至複合FET功率電晶體1910之，電流路程接頭對此複合fet 本纸張尺度诮州中圉國家標？f (「NS ) Λ4規格（2IOX297公釐） 91 447188 A7 B? 五、發明説明（89 功率電晶體19[0以一包括一電壓之偏壓值之壓降實施一全接上操作。此功率放大部分19〇〇藉此轉換控制部分可實施 i 高頻奉轉換，並可依照至少在昇起及落下斜度中平穩地變化之輸入電流信號而平穩地變更電流路程。此功率放大部分1900可以使用來取代每一第一及第二功率放大部分。此電阻器1912和1913可以是零，並因此可省略。第33圖顯示功率放大部分1950之有一複合FET功率電晶體196〇諸如 IGBT電晶體者之另一範例a以此複合FET功率電晶體196〇 ’ 一FET電晶體1961，以及電阻器1962和1963之連接，一 FET功率鏡式電流電路係同等地形成。就顯示於前述實施例中之直流電源部分5〇言，各種不同之變更係亦屬可能，只要是一直流電壓和一直流電流可以供應即可。例如，一電池電源，一交流線路之二極體整流電源等，均可使用。此外，一優良之圓盤裝置具有極大減小一產生轉矩之脈動及減少之振動者，亦可依照本發明而獲得。至為顯明者，在不背離本發明之範圍下各種其他變更係仍可能’以及此類變更將係亦包括於本發明之範圍内。 H^J ·ΙΙ^ >^^^1 1 .H ^^^1 »^—^1 —^ϋ I-1* ^Jvt (諳先閱讀背而之iif項再填寫本頁) 經消部中央枒率局貞^消资合作社印^ 本紙張尺度读川中囤國家榇嘹（rNS > Λ4規格（210X 297公釐） 92 447188

五、發明説明（9G A7 B7‘ 元件標號對照好济部屮夾樣^/:JH-T消抡合作打印^ 1…可移動構件 lb…圓盤 2、3、4…多相位繞組 11、12、13…第一功率放大部分 15、16、17…第二功率放大部分 20…命令信號產生部分 21…電流探測部分 22···轉換控制部分 30…供應信號產生部分 34…變更信號產生部分 36…分配信號產生部分 37…第一分配器 38…第二分配器 41、42、43…第一電流放大部分 45、46、47·.·第二電流放大部分 50…直流電源部分 51…高壓輸出部分 61、62、63…功率電晶體 61d、62d、63d···功率二極體 65、66、67…功率電晶體 65d、66d ' 67d…功率二極體 71、72、73…電晶體 75、76、77…電晶體 81、82、83…第一混合部分 85、86、87…第二混合部分 100…位置探測塊 101…變更信號塊 111、112·"位置探測元件 113、114…電阻器 115、116…電阻器 121…定流源 122、123…電晶體 124、125…電晶體 126…定流源 15l···電壓-電流換流電路 17卜172、173…電晶體 174、175、176·.·電阻器 181、182…電晶體 183、184…定流源 191…雙重漫射NMOS-FET電晶體 192_··ΝΡΝ型雙極電晶體 193…ΡΝΡ型雙極電晶體 194…互補金氧半電晶體 21卜212、213…乘法電路 214…第一組成電路 (請先閱讀背面之注意事頊再填寫本頁) 、1Τ 本紙張尺度適扣中囤國家標準（CNS ) A4規格（2!〇X297公釐） 93 447 18 8 at B7 經消部中央標舉局只T,消先合作社印製五、發明説明（91 ) 215…反饋電路 216、217、218…第一分離電路 22卜2'22、223···乘法電路 224…第二組成電路 225…反饋電路 226、227、228…第二分離電路 231-234…電晶體 235、236·"電阻器 241-244…電晶體 255、256…電阻器 261 ' 262.··電晶體 263、264···電阻器 271、272…電晶體 273、274…電阻器 281、282.，·電晶體 283、284…電阻器 311…電流探測電阻器 330···轉換脈動電路 331…比較電路 332…觸發產生電路 333…狀態保持電路 341-343…控制電晶體 41l···第一上行變換電容器 412…第二上行變換電容器 421···脈動產生電路 422…反相器 425-429…二極體 450…功率放大部分 451…功率電晶體 451d…功率二極體 452—FET電晶體 453…電阻器 460···功率放大部分 46L·*·功率電晶體 461 d…功率二極體 462...FET電晶體 463···電阻器 480…轉換脈動電路 481"·比較電路 482…定時電路 483…電容器 500…輔助供應部分 510…輔助變更信號產生部分 520…輔助電流變更部分 521、522、523…電流源(第一) 525、526、527…第二電流源 53卜532、533…轉撤電路 .535、536、537…轉撤電路 (請先閱讀背而之注意事項再填寫本I) 訂本紙张尺度ill川中國國家標枣（「NS ) ΛΛ規格（210/ 297公嫠} 94 447 1 8 8五、發明説明（92) 經淌部中夾榡準而努工消赀合作社印$! 54卜542、543…比較電路 551、552、553…反電路 561-56*7···反電路 611 ' 612'613 …第一功率放大部分 615、616、617 …第二功率放大部分 620···功率放大部分 621…功率電晶體 621d…功率二極體 622…FET電晶體 623、624···電阻器 640…功率放大部分 641…功率電晶體 64 Id…功率二極體 642…FET電晶體 643、644…電阻器 700·.·轉換控制部分 741-746…控制電晶體 800···轉換控制部分 810…輔助供應部分 815、816、817 …第二功率放大部分 830…電路 83卜832、833…控制電晶體 835、836、837…控制電晶體 840…調定轉換電路 845 ' 846 > 847 …第二電流放大部分 850…輔助電流變更部分 87卜872、873…電流源(第一） 875、876、877…電流源(第二） 881、882、883…第一轉換電路 885、886、887.··第二轉換電路 900···功率放大部分 905···功率電晶體 905d…功率二極體 906—FET電晶體 907、908"·電阻器 920…功率放大部分 925.·.功率電晶體 925(1…功率二極體 926—FET電晶體 927、928···電阻器 95；1、952···電晶體 953、954···電晶體 955、956…電阻器 % 1-964…電晶體 (請先閱讀背面之注意事項再填湾本萸) " 打本紙張尺度进用中國國家標卑（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） 95 447188 A7 B1 經漪部中央榡萆局負工消贽合作社印狀五、發明説明（93 ) 965、966…電阻器 971-974…電晶體 975 ' ^76…電阻器 1000…關斷操作部分 1010···比較器 1012…FET電晶體 1020···比較器 1022…FET電晶體 1030…比較器 1032—FET電晶體 1036…信號產生部分 1137…第一分配器 1138…第二分配器 1900."功率放大部分 1910…功率電晶體 1910d…功率二極體 1911". FET電晶體 1912、1913···電阻器 1950…功率放大部分 1960…功率電晶體 1961…FET電晶體 1962、1963···電阻器 1201 、 1202 、 1203 …輸入電晶體 1205 ' 1206 ' 1207 …第一分配電晶體 1211 ' 1212 ' 1213 …輸入電晶體 1215 ' 1216 ' 1217 …第二分配電晶體 1220···電壓源 1221、1222…電晶體 2011…轉子 2012-2014…三相繞組 2021-2023…NPN型功率電晶體 2025-2027 ...PNP型功率電晶體 2041…位置探測塊 2042*.-第一分配塊 2043···第二分配塊 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本！) " 訂本紙張尺廋適州中國國家標苹（〔NS ) Λ4規格（2】0Χ297公釐） 96

Claims

經濟部智慧財產局員工消費合作杜印制农第87112243號申請案申請專利範圍修正本9〇.5.18. 一種具電子配電架構之馬達，包含：一可移動構件；多相位繞組；電壓供應裝置用以供應一直流電壓；第一功率放大裝置之Q件（Q係3或更多之整體），各包括一第一 FET功率電晶體用以形成一電流路程於該電壓供應裝置之負極接頭邊和該多相位繞技之一之間；第二功率放大裝置之Q件各包括一第二FET功率電晶體Μ以形成一電流路程於該電壓供應裝置之正極接頭和該多相位繞組之一之間；變更信號產生裝置用以產生多相位變更信號；第一分配控制裝置，用以控制回應以該變更信號產生裝置之輸出信號之第一功率放大裝置之Q件；第二分配控制裝置，用以控制回應以該變更信號產生裝置之輸出信號之第二功率放大裝置之Q件；以及轉換操作裝置，用以促使第一功率放大裝置之Q件以及第二功率放大裝置之Q件中之一或更多件來實施高頻率轉換，以及其中該第一分配控制裝置及第二分配控制裝置包括用以供應一個電流信號之裝置，在昇起及落下斜度中平穩地或大體上平穩地變化者，至第一功率放大裝置之Q件及第二功率放大裝置之Q件之一件以及第二功率放大本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 97 I I I I» II I ϋ n I I I · I If I I I I *1 n I ϋ Ml I. .1 («先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 4 8 8 A8B8C8D8 六經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製申請專利範圍裝置之Q件之一傳導控制接頭邊。 2·依據申請專利範圍第1項之馬達，其中該第一分配控制裝置包括用以供應第一 Q相位電流k號之裝置，此等信號各在昇起及/或落下斜度中平穩地或大體上平穩地變化者，至第一功率放大裝置之每一該Q件之傳導控制接頭邊。 3·依據申請專利範圍第1項之馬達，其中該第二分配控制裝置包括用以供應第二Q相位電流信號之裝置，此等信號，各在昇起及/或落下斜度中平穩i也或大體上平穩地變化者，至第二功率放大裝置之每一該Q件之傳導控制接頭邊β 4. 依據申請專利範圍第1項之馬達，其中該第一分配控制裝置和該第二分配控制裝置包括 :為對應於命令一供應電力至多相位繞組之一命令信號 ’用以變化該電流信號之一斜度之裝置。 5. 依據申請專利範圍第1項之馬達，其中該轉換操作裝置包括電流探測裝置，用以獲得一相當於對該多相位繞組之一組成供應電流之一電流探測信號，以及轉換控制裝置，用以比較該電流探測裝置之輪出信號與一命令信號，藉以促使第一功率放大裝置之 Q件或第二功率放大裝置之Q件之任一該Q件來實施關斷操作並同一時間地回應以一比較結果° 6. 依據申請專利範圍第1項之馬達，其中該轉換操作裝置包括轉換控制裝置，用以促使第一 {諝先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) k*-------訂·！----r--線 _ 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS)A4规格<210 X 297公釐） 98 447188 κ 匕ο ____ D8 六、申請專利範圍功率放大裝置之Q件或第二功率放大裝置之Q件之任一件來在其傳導控制接頭邊實施轉換操作而回應以一單一脈動信號。 7. 依據申請專利範圍第1項之馬達，其中該轉換操作裝置包括轉換控制裝置，用以促使第一功率放大裝置之Q件在其傳導控制接頭邊來實施轉換操作而回應以一單一脈動信號。 8. 依據申請專利範圍第1項之馬達，其中該第一分配控制裝置和該第二分配控制裝置包括輔助k應裝置，用以供應一辅助信號至第一功率玫大裝置之Q件和第二功率放大裝置之Q件之一件之一傳導控制接頭邊： 9_依據申請專利範圍第8項之馬達，其中該輔助信號有一有效電角度相等於或大體上相等於360/Q度。 10.依據申請專利範圍第1項之馬達，其中經濟部智慧財產局員工消费合作社印製該第一分配控制裝置包括輔助供應裝置，用以供應第一Q相位辅助信號至第一功率放大裝置之Q件之傳導控制接頭邊。 U.依據申請專利範圍第1項之馬達，其中該第二分配控制裝置包括輔助供應裝置，用以供應第二Q相位輔助信號至第二功率放大裝置之q件之傳導控制接頭邊。 12.依據申請專利範圍第1項之馬達，其中本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4规格（210 X 297公釐） 99 447188 頜 ___a -__ 六、.申請專利範圍第一功率放大裝置之Q件以及第二功率放大裝置之Q件之一件包括用以實施一輸入電流之電流放大操作至傳導控制接頭邊。 13.依據申請專利範圍第1項之馬達，其中第一功率放大裝置之Q件及該第二功率放大裝置之Q件之一件包括一 FET功率鏡式電流電路之有一 FET 功率電晶髏者，藉以實施一輸入電流之電流放大操作至傳導控制接頭邊》 14_依據申請專利範圍第1項之馬達，其中讀電流信號係經構形以有一 150度或以上之有效電角度。 15.—種具電子配電架構之馬達，包含：一可移動構件；多相位繞組；電壓供應裝置用以供應一直流電壓；第一功率放大裝置之Q件（Q係3或更多之整合體） ’各包括一第一 FET功率電晶體用以形成一電流路程於該電壓供應裝置之輸出接頭邊和該多相位繞組之一之間；第二功率放大裝置之Q件，各包括一第二FET功率電晶體，用以形成一電流路程於電壓供應裝置之另一輸出接頭邊和該多相位燒組之一之間；變更信號產生裝置用以產生多相位變更信號；第一分配控制裝置，用以控制回應以該變更信號產本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I.^—1— 訂 -------線 * 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 100 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 447 1 8 8 § D8 ' 六、.申請專利範圍生裝置之輸出信號之第一功率放大裝置之Q件；第二分配控制裝置，用以控制回應以該變更信號產生裝置之輸出信號之第二功率放大裝置之Q件；以及轉換操作裝置’用以促使該第—功率放大裝置中之一或更多件來實施高頻率轉換，以及其中該第一分配控制裝置包括用以供應Q相位電流信號之裝置，此信號在昇起及/或落下斜度上平穩或大體上平穩地變化者，至每一第一功率放大裝置之Q件之傳導控如】接頭邊。 16.依據申請專利範圍第15項之馬達，其中該第一分配控制裝置包括，為對應於命令供應電流至多相位繞組之一命令信號’用以變化該電流信號之一斜度之裝置- 17·—種具電子配電架構之馬達，包含：一可移動構件：多相位竣組；電壓供應裝置用以供應一直流電壓；第一功率放大裝置之Q件（Q係3或更多者之整合體），各包括一第一FET功率電晶體用以形成一電流路程於該電壓供應裝置之一輸出接頭邊和該多相位繞組之一之間；第二功率玫大裝置之Q件各包括一第二FET功率電晶體用以形成一電流路程於該電壓供應裝置之另一輸本紙張尺度適用中國國家標準（CNSU4规格⑽χ 297公爱 (請先Μ讀背面之注意事項再填窝本頁) - ---- -訂·！---

經濟部智慧財產局員工消f合作杜印製六、.申請專利範圍出接頭邊和該多相位繞組之一之間；變更信號產生裝置用以產生多相位變更信號；第一分配控制裝置，用以控制回應以該變更信號產生裝置之輸出信號之第一功率放大裝置之Q件；第二分配控制裝置’用以控制回應以該變更信號產生裝置之輸.出信破之第二功率放大裝置之Q件；以及轉換操作裝置’用以促使該功率放大裝置中之一或更多件來實施高頻率轉換，以及其中該第二分配控制裝置包括用以供應Q相位電流信號之裝置，此等信號，各在昇起及/或落下斜度中平穩地或大體上平穩地變化者’至每一該第二功率放大裝置之Q件之一傳導控制接頭邊。 18.依據申請專利範圍第π項之馬達，其令該第二分配控制裝置包括，為對應於命令供應電流至多相位繞組之一命令信號，用以變化該電流信號之一斜度之裝置。 19. 一種具電子配電架構之馬達，包含：一可移動構件：多相位繞組；電壓供應裝置用以供應一直流電壓；第一功率放大裝置之Q件（Q係3或更多者义整合體） ’各包括一第一 FET功率電晶體用以形成一電流路程於該電壓供應裝置之，一輸出接頭邊和該多相位繞組之一本紙張尺度適用中S國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) - — — — —111 i I I I I Γ I I 1 102 44718 8 頜 C8 ___ D8 — 六、申請專利範圍之間，並用以放大一輸入電流至傳導控制接頭邊；第二功率放大裝置之Q件各包括一第二FET功率電晶體，用以形成一電流路程於該電壓供應裝置之另一輸出接頭邊和該多相位繞組之一之間，並用以放大一輪入電流至傳導控制接頭邊：第一分配控制裝置用以供應第一 Q相位電流信號 ’此等信號各有一大於360/Q度之有效電角度者，至每一該第一功率放大裝置之Q件之傳導控制接頭邊；第二分配控制裝置用以供應第二Q相位電流信號，此等信號各有一大於360/Q度之有效電角度者，至每一該第二功率放大裝置之Q件之傳導控制接頭邊；以及轉換操作裝置，用以促使第一功率放大裝置之Q件或第二功率放大裝置之Q件中之二或更多、件來實施高頻率轉換。 20·依據申請專利範圍第19項之馬達，其中該第一分配控制裝置包括用以供應該第一 Q相位電流信號之裝置，此電流信號，在昇起及/或落不斜度中平穩或大艘上平穩地變化者，係供應至第一功率放大裝置之Q件之傳導控制接頭邊：以及該第二分配控制裝置包括用以供應該第二Q相位電流信號之裝置，此電流信號，在昇起及/或落不斜度上平穩地或大體上平穩地變化者，係供應至第二功率放大裝置之Q件之傳導控制接頭邊。 21.依據申請專利範圍第19項之馬達，其辛本纸張尺度適用中B a家標翠（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之沒意事項再瑱寫本頁) ^!---—訂---------線經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 103 4 4 六

<请先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 該第一分配控制裝置和該第二分配控制裝置包括為對應於命令一供應電力至多相位繞組之一命令信號而用以變化該第一Q相位電流信號或該第二Q相位電流信號之某些部分之裝置β 22.依據申請專利範圍第19項之馬達，其中該第一分配控制裝置和該第二分配控制裝置包括輔助供應裝置，用以供應一個輔助信號至第一功率放大裝置之該Q件及第二功率放大裝置之該Q件之—件之一傳導控制接頭邊。 23—種真電子配電架構之馬達，包含：一可移動構件·，多相位繞組；電壓供應裝置用以供應直流電壓；第一功率放大裝置之Q件（Q係3或更大者之一整合體），各包括一第一 FET功率電晶體用以形成一電流路程於該電壓供應裝置之一輸出接頭邊和該多相位繞組之一之間；經濟部智慧財產局員X消費合作杜印製第二功率放大裝置之Q件，各包括一第二FET功率電晶體用以形成一電流路程於該電壓供應裝置之另一輸出接頭邊和該多相位繞组之一之間；變更信號產生裝置用以產生多相位變更信號；第一分配控制裝置，用以控制對應以該變更信號產生裝置之輸出信號之第一功率放大裝置之Q件；第二分配控制裝置，用以控制對應以該變更信號產 104 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）震°8 44?18 8 '申請專利範圍生裝置之輸出信號之該第二功率放大裝置之Q件；以及轉換操作裝置，用以促使第一功率放大裝置之Q件及該第二功率放大裝置之Q件令之一或更多件來實施高頻率轉換，以及其中藉該轉換操作控制裝置實施高頻率轉換之功率放大裝置之一件係經構形，以便能包括一FET功率鏡式電流電路之有該FET功率電晶體者，藉以放大一輸入電流至傳導控制接頭邊。 24. 依據申請專利範圍第23項之馬達，其中該FET功率鏡式電流電路包括該FET功率電晶體，一 FET電晶體及一電阻器；該FET功率電晶體之控制接頭邊係連接至FET電晶體之控制接頭邊；該FET電晶體之電流路程接頭對之一接頭邊係經由該電阻器而連接至功率放大裝置之一件之傳導控制接頭邊；該FET電晶體之電流路程接頭對之另一接頭邊係連接至該FET功率電晶體之電流路程接頭對之一接頭邊；以及該FET功率電晶體之控制接頭邊係連接至功率放大裝置一件之傳導控制接頭邊。 25. 依據申請專利範圍第23項之馬達，其中該FET功率鏡式電流電路包括該FET功率電晶體，本紙張尺度適用中國固家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）丨！ — 丨丨 — ·!Γ- in----訂---ιί.--_線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 105 A8B8C8D8 447188 ------- 六、申請專利範圍 —FET電晶體以及一電阻器；該FET功率電晶體之一控制接頭邊係連接至該FET 電晶體之控制接頭邊；該FET電晶體之電流路程接頭對之一接頭邊係連接至該FET功率電晶韹之電流路程接頭對之一接頭邊；該FET電晶體之電流路程接頭對之另一接頭邊係連接至功率放大裝置之該一件之傳導控制接頭邊；以及該FET功率電晶體之控制接頭邊係連接至功率放大裝置之該一件之傳導控制接頭邊。 26.依據_請專利範圍第23項之馬達，其中該第一分配控制裝置和該第二分配控制裝置包括用以供應在昇起及/或下降斜度中平穩地或大體上平穩地變化之一電流信號至該功率放大裝置之一件之傳導控制接頭邊之裝置。 27_種具電子配電架構之馬達，包含：一可移動構件；多相位繞組；電壓供應裝置用以供應一直流電壓；第一功率放大裝置之Q件（Q係3或更大者之一整合想）’各包括一第一功率電晶體用以形成一電流路程於電壓供應裝置之一輸出接頭邊和多相位繞組之一之間；第二功率放大裝置之Q件各包括一第二功率電晶體，用以形成一電流路程於該電壓供應裝置之另一輸出接頭邊和該多相位繞組之一之間；本紙張尺度適用中固國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公；^ ) .~ I 1 i ί I i I · I — I I II.— — -----I ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 106 447188 黨08 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製六、申請專利範圍變更信號產生裝置用以產生多相位變更信號；第一分配控制裝置，用以供應第一Q相位信號之各有一大於360/Q度之有效電角度者，至回應以該變更信號產生裝置之輸出信號之事一功率放大裝置之每一該 Q件之傳導控制接頭邊；第二分配控制裝置，用以供應第二q相位信號之各有一大於360/Q度之有效電角度者，至回應以該變更信號產生裝置之輸出信號之第二功率放大裝置之每一該 Q件之傳導控制接頭邊；以及轉換操作裝置’用以促使該第一功率電晶體之Q件和該第二功率電晶體之Q件中之一或更多件來實施高頻率轉換，並用以促使第一功率放大裝置之Q件或該第二功率放大裝置之Q件之一件來實施關斷操作，在同一時間地於其傳導控制接頭邊回應以一單一脈動信號。 28. 依據申請專利範圍第27項之馬達，其中該第一分配控制裝置包括用以供應第_Q相位電流信號作為第一Q相位信號之裝置，此等信號各有一較大於360/Q度之一有效電角度，供應至第一功率放大裝置之每一該Q件之傳導控制接頭邊；以及該第二分配控制裝置包括用以供應第二Q相位電流信號作為第二q相位信號之裝置，此等信號各有一較大於360/Q度之一有效電角度，供應至第二功率放大裝置之每一該Q件之傳導控制接頭邊。 29. 依據申請專利範圍第28項之馬達，其中 ------------ * I — ！| I —^· 1 I — 1 I I I -'^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用+ 0 S家鮮(CNSM4規格⑵0><297公釐） 107 A8 B8 C8 D8 六經濟部智慧財產局員工消费合作社印製申請專利範圍該第一分配控制裝置和該第二分配控制裝置包括為對應於命令一供應電力至多相位繞組之一命令信號而用以變化該第一 Q相位電流信號或該第二Q相位電流信號之某些部分之裝置。 30. 依據申請專利範圍第27項之馬達，其中該轉換操作裝置包括電流探測裝置，用以獲得一相當於組成供應電流至該多相位繞組之電流探測信號，以及轉換控制裝置’用以比較該電流探測裝置之一輸出信號與一命令信號’藉以促使第一功率故大裝置之Q件或該第二功率放大裝置Q件之任一件來實施關斷操作，在同一時間地回應以一比較結果。 31. 依據申請專利範圍第27項之馬達，其中該第一分配控制裝置和該第二分配控制裝置包括輔助供應裝置’用以供應一偏輔助信號至第一功率放大裝置之該Q件及第二功率放大裝置之Q件之—件之傳導控制接頭邊。 32. 依據申請專利範圍第27項之馬達，其中第一功率放大裝置之該q件和第二功率放大裝置之Q件之一件包括一 FET功率鏡式電流電路之有一 FET 功率電晶體者’藉以實施一輸入電流信號之電流放大操作至傳導控制接頭邊。 33. 依據申請專利範圍第27項之馬達，其十每一該第一 Q相位信號係經構形以有一 15〇度或更大之有效電角度；以及本紙張尺度適用中國a家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 108 A8B8C8D8 447 18 8 六、.申請專利範圍每一該第二Q相位信號係經構形以有一 15〇度或更大之有效電角度》 34.—種具電子配電架構之馬達，包含：一可移動構件；多相位繞組；電壓供應裝置用以供應一直流電麼；第一功率放大裝置之Q件（Q係3或更大者之—整合體），各包括一第一功率電晶體用以形成一電流路程於該電壓供應裝置之負極接頭邊和多相位繞組之一之間；第二功率放大裝置之Q件，各包括一第二功率電晶體用以形成一電流路程於該電壓供應裝置之正極接頭邊和多相位繞組之一之間；變更信號產生裝置用以產生多相位變更信號；第一分配控制裝置，用以控制該回應以變更信號產生裝置之輸出信號之第一功率放大裝置之Q件；以及第二分配控制裝置，用以控制該回應以該變更信號產生裝置之輸出信號之第二功率放大裝置之Q件；以及其中該第一分配控制裝置和該第二分配控制裝置包括：用以供應一個電流信號之裝置，此信號在昇起及/ 或落下斜度中平穩地或大體上平穩地變化者，係供應至第一功率放大裝置之Q件和第二功率放大裝置之Q件之中功率放大裝置之一個Q件之一傳導控制邊；以及一裝置用以供應一個輔助信號之有一有效期較該本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） — — — — — — — — — ΙΓ . i ί I---I ^ « — — — — 111 — ^ (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消t合作社印製 109 A8B8C8D8 六經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 447 1 8 8 申請專利範圍一電流信號之傳導期間内該一電流信號之有效期為小者，至功率放大裝置之一件之傳導控制邊。 35. 依據申請專利範圍第27項之馬達，其中該第一分配控制裝置包括一種裝置，用以供應在昇起及/或落下斜度中平穩地或大體上平穩地變化之第一Q相位電流信號，至第一功率放大裝置之該q件之傳導控制接頭邊，以及輔助裝置，用以供應第一Q相位輔助信號，至第一功率放大裝置之該Q件之傳導控制接頭邊。 36. 依據申請專利範圍第34項之馬達，其中該第二分配控制裝置包括一種裝置，用以供應在昇起及/或落下斜度中平穩地或大體上平穩地變化之第二Q相位電流信號，至第二功率放大裝置之該Q件之傳導控制接頭邊’以及辅助裝置，用以供應第二Q相位輔助信號，至第二功率放大裝置之該Q件之傳導控制接頭邊。 37. 依據申請專利範圍第34項之馬達，其中該第一分配控制裝置和第二分配控制裝置，為回濟命令供應電力至多相位繞組之一命令信號，包括用以變化一電流信號之一斜度之裝置。 38‘依據申請專利範圍第34項之馬達，另包含轉換操作裝置 ’用以促使第_功率放大裝置之該Q件和第二功率放大裝置之該Q件之一件來實施高頻率接上/關斷之轉換。 39.依據申請專利範圍第38項之馬達，其令本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ίιι — 1 — — — — — — in---I ( I---^---^ ί砑先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 110 8 8 in 7 4 d- ASB8C8D8 夂、'申請專利範圍該轉換操作裝置包括電流探測裝置，用以獲得一相當於至該多相位繞組之組成供應電流之電流探測信號，以及轉換控制裝置用以比較該電流探測裝置之輪出信號與一命令信號，藉以促使第一功率放大裝置之該Q件或第二功率放大裝置之該Q件之任一個來實施關斷操作而在同一時間地回應以一比較結果。 4〇.依據申請專利範圍第34項之馬達，其中該第一分配控制裝置和該第二分配控制裝置包括 — 用以混合該一電流信號與該一輔助信號，藉以供應一混合信號至該功率放大裝置之一件之傳導控制接頭邊。 41. 依據申請專利範圍第34項之馬達，其令第一功率放大裝置之Q件和第二功率放大裝置之Q 件之一件包括一 FET功率鏡式電流電珞之有一fet功率電晶體者，藉以放大一輸入電流信號至傳導控制接頭邊〇 42. 依據申請專利範圍第34項之馬達，其中該一個辅助信號有一有效電角度相等於或大體上相等於360/卩度。 43. 依據申請專利範圍第34項之馬達，其中該一個電流信號有一有效電角度為15〇度或更大。 44. 一種具電子配電架構之馬達，包含：一可移動構件；多相位竣組：電壓供應裝置用以供應一直流電壓：本紙張尺度適用辛國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公龙） f琦先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 裝經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 111 4 4 8 8 A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製六、·申請專利範圍苐一功率放大裝置之Q件（Q係3或更大者之一整合想），各包括一第一 FET功率電晶體，用以形成一電流路程於該電壓供應裝置之輸出接頭邊和該多相位繞組之一之間；第二功率放大裝置之Q件各包括一第二FET功率電晶體，用以形成一電流路程於該電壓供應裝置之另一輸出接頭邊和該多相位繞組之一之間；變更信號產生裝置用以產生多相位變更信號；第一分配控制裝置，用以供應第一Q相位信號之各有一有效電角度較360/Q度為大者，至回應以該變更信號產生裝置之輸出信號之第一功率放大裝置之每一該 Q件之一傳導控制接頭邊：第二分配控制裝置用以供應第二Q相位信號之各有一有效電角度較360/Q度為大者，至回應以該變更信號產生裝置之輸出信號之第二功率放大裝置之每一該 Q件之一傳導控制接頭邊；以及轉換操作裝置包括：電流探測裝置用以獲得一相當於該電壓供應裝置之傳導電流信號之一電流探測信號 :以及轉換控制裝置用以比較該電流探測裝置之一輸出信號與一命令信號，並轉換該第一 FET功率電晶體之Q 件和第二FET功率電晶體之Q件中之一或更多個FET功率電晶體於一預定時間間隔處至接上狀態，以及當該電流探測裝置之輸出信號變成相當於此命令信號之一值時之一時刻至關斷狀態，藉以促使該一或更多個FET功 — — — — — — —---- 1 ίϋί· — ! — !— 訂-- ----I-- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國圉家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 112 Μ380808 447188 六、申請專利範圍率電晶體來回應以一比較結果而實施高頻率轉換。 45_依據申請專利範圍第44項之馬達，其中該第一分配控制裝置包括用以供應第—Q相位電流信號作為該第一Q相位信，號之裝置，此信號各有—有效電角度較360/Q度為大者，供應至第一功率放大裝置之每一該Q件之傳導控制接頭邊；以及該第二分配控制裝置包括用以供應第二Q相位電流信號作為該第二Q相位信號之裝置，此信號各有一有_ 效電角度較360/Q度為大者，供應至第二功率放大裝置之每一該Q件之傳導控制接頭邊。 46. 依據申請專利範圍第45項之馬達，其中該第一分配控制裝置和該第二分配控制裝置，包括為回應於命令一供應電力至多相位繞組之一命令信號而用以變化該第一Q相位電流信號或該第二Q相位電流信號之某些部分之裝置》 47. 依據申請專利範圍第44項之馬達，其中第一功率放大部分之Q件和第二功率放大部分之Q 件之一件包括一 FET功率鏡式電流電珞之有一 FET功率電晶體者，藉以放大一輸入電流信號至此傳導控制接頭邊。本紙張尺度適用t國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） {請先Μ讀背面之注意事項再填窝本頁) ' — Ilf — I I — 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 113