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經濟部智¾財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（1 ) 、 [發明所屬之技術領域] 本發明係關於一種具備有自發光元件的顯示裝置’尤 其是關於一種具備有電場發光元件及薄膜電晶體的顯示裝 置。 [習知技術] 近年來使用電場發光（Electro Luminescence :以下稱 為「EL」）元件的EL顯示裝置，以取代CRT或LCD之顯 示裝置為人所注目，例如，對於具備薄膜電晶體（Thin Film Transistor :以下稱為「TFT」）之EL顯示裝置以作為驅 動該EL元件之開關元件的研究開發也正在進展著》 第6圖係顯示習知之EL顯示裝置的平面圖，第7圖 係顯示沿著第6圖中之B-B線的截面圖。 如第6圖所示，在具備閘極11之閘極信號線51，與 汲極信號線52之交點附近具備有TFT。該TFT之汲極係 連接在汲極信號線52上，而閘極係連接在閘極信號線51 上’進而源極係連接在EL元件之陽極61上。 如第7圖所示’顯示像素110，係在由玻璃或合成樹 脂等所形成之基板或具有導電性之基板或是半導體基板等 的基板10上，依序層合形成TFT及有機EL元件。但是， 在使用具有導電性之基板及半導體基板時，係在該等基板 10上形成有Si02或SiN等的絕緣膜上形成TFT。 首先’在絕緣性基板10上形成由鉻（Cr)等之高溶點 金屬所形成的閘極11，且在該閘極11上面依序形成閘極 絕緣膜12及由p-Si膜所形成的主動層13。 -------------式--------訂---------線 (請先閱讀背面之注咅3事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國@家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） 1 310960 把 43938 7 A7 經濟部智慧財產局員工消貲合作社印制π _________BT^_ 五、發明說明（2 ) 、 在該主動層13上，設有閘極π上方的通道13c，以 及對此通道13c之兩侧’將通道13c上之阻擋絕緣膜14 當作光罩以進行離子摻雜，更進而利用光阻覆蓋閘極11 之兩側並進行離子摻雜，以在閘極11之兩側設有低濃度 區域13LD和於其外側設有高濃度區域的源極13s及汲極 13d。亦即，所謂的輕摻雜汲極LDD(Lightly Doped Drain) 構造。 然後，在閘極絕緣膜12、主動層13及阻擋絕緣膜14 之全面上，形成以Si02膜、SiN膜及Si02膜之順序所層 合的層間絕緣膜15，並在對應汲極13d而設的接觸孔 (contact hole)中充填鋁（A1)等的金屬以形成汲極電極16。 進而在全面上形成由例如有機樹脂所形成且表面呈平坦的 平坦化絕緣膜17。然後，在對應該平坦化絕緣膜1 7之源 極13s的位置上形成接觸窗，且介以此接觸窗將EL元件 之陽極61形成於平坦化絕緣膜17上，該EL元件之陽極 61係兼做由與源極13s接觸之氧化銦錫ITO(Indium Tin Oxide)所形成的源極電極者。 然後，在此陽極61上形成EL元件60。 有機EL元件60,係為一般的構造，其係依由氧化銦 錫ITO等之透明電極所形成的陽極61、由MTDATA(4,4’-雙（3-甲基苯基苯胺基）胼苯）所形成的苐一電洞傳輸層、 TPD(4,4’，4”-叁（3·甲基苯基苯胺基）三苯基苯胺）所形成的 第二電洞傳輸層、由含有喹吖啶酮（Quinacridone)介質之 Bebq2(10-苯并[h]喹啉酚鈹錯體）所形成之發光層及由 -------------^ ------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A*i規格（210x297公釐） 2 310960 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 i 4 j ^ 3 b 1 A7 -—__ _B7______五、發明說明（3 ) Bebq2所形成之電子傳輸層所形成的發光元件層66、鎂· 姻合金所形成的陰極67之順序層合形成的構造。 再且’有機EL元件60，係由陽極植入之電洞、由陰 極植入之電子在發光層之内部再結合，激發形成發光層之 有機分子以形成激發子（excit〇n)。在此激發子放射鈍化之 過程中光會從發光層放射出，且此光會從透明的陽極介以 透明絕緣基板朝外部釋出而發光。 [發明所欲解決之問題] 然而，如此地形成EL元件60時，形成於陽極61上 的發光元件層66由於其厚度一般會非常薄到約2000埃以 下’所以因陽極61之端部（以箭號所示之部位）與平坦化 絕緣膜17之高低差、及TFT之凹凸例如A1配線之厚度 而會使覆蓋範圍變差，最後使發光元件層66斷線，如此 在該斷線部位，設於上層的陰極67會與陽極61短路，而 有此顯示像素發生顯示缺陷的缺點。 由於電場會集中在陽極61之厚度所造成的高低差 上’尤其是會集甲在陽極61之周邊部的端緣上，所以也 會有促進發光屠劣化的缺點。 自發光元件層所發出的光，由於其一部分會到達設在 發光元件層之下層的TFT上’而TFT之漏洩電流會因該 光而增加而有無法獲得穩定的TFT，所以TFT之漏洩電 流會因該光而增加而有無法獲得穩定的特性及顯示之缺 點0 因此’本發明係有鑒於上述之習知缺點而成者，其目 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 3 310960 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _______B7 ___ 五、發明說明（4 ) 的在於提供一種防止起因於陽極厚度使發光元件層斷線而 造成陰極和陽極短路’同時抑制因陽極邊緣之電場集中所 造成的發光層劣化，使來自發光元件層之光不會到達 TFT ’而可獲得穩定顯示的el顯示裝置。 [解決問題之手段] 本發明之顯示裝置’係層合第—電極、發光元件層及 第二電極以形成發光區域者’其特徵為：在前述第一電極 端部上具備有絕緣膜以使前述第—電極和發光元件層或第 二電極隔開者。 上述之顯示裝置’係在前述第一電極和第二電極之間 具備有絕緣膜者。 前述絕緣膜在前述第一電極上具有端部，而該端部具 有傾斜部。 如申請專利範圍第3項之顯示裝置，其令前述傾斜部 之角度，相對於前述第一電極之表面的仰角為20度至8〇 度。 前述絕緣臈係在前述第一電極之全周邊上與前述第— 電極重疊者。 再且’前述第一電極、發光元件層及第二電極之層合 構造係電場發光元件者。 前述第一電極，係就各像素隔離形成，而前述第一電 極係連接在薄膜電晶體者。 再者’在前述薄膜電晶體之上層具有絕緣膜，而在該 絕緣膜上具備有第一電極。 I— --------^--------訂------1!^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用t舀國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 310960 A? 把439387 五、發明說明（5 ) 前述絕緣膜為平坦化絕緣膜。 前述絕緣膜係被著色者。 [發明之實施形態] 以下將本發明之顯示裝置應用於el顯示裝置之情況 加以說明。 <第一實施形態> 第1圖係顯示有機EL顯示裝置之顯示像素附近的平 面圖’第2圖（a)係顯示沿著第1圖中之A-A線的截面圖， 第2圖（b)係顯示沿著第1圊中之B-B線的截面圖。 如第1及2圖所示，在由閘極信號線51和汲極信號 線52所圍住的區域上形成有顯示像素11()，且配置成矩 陣狀。 在此顯示像素1〗0上，配置有自發光元件的有機EL 元件60 ;用以控制對此有機El元件60供給電流之時間 的開關用TFT30 ;對有機EL元件60供給電流的驅動用 TFT40 ;以及保持電容。另外’有機EL元件6〇，包含有 由第一電極之陽極61和發光材料所構成的發光元件層 66、以及第二電極之陰極67。 亦即’在兩信號線51、52之交點附近具備有開關用 TFT之第一 TFT30’而該TFT3〇之源極33s係兼做在與 保持電容電極線54之間成為電容的電容電極55，同時連 接在EL·元件羅動用TFT之第二TFT4〇的閘極ο，而第 二TFT之源極43s係連接在有機EL元件之陽極61， 另一方之汲極43d係連接在作為供給至有機EL元件6〇 5 ---------—--1' · I I I I ! I 訂·-------- f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNs)A4規格（210 X 297公釐） 310960 3 7 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（6 ) 之電流源的驅動電源線5 3。 並且’與閘極信號線51平行配置有保持電容電極線 54。此保持電容電極線54係由鉻等材料所形成，而在經 由間極絕緣12與TFT之源極33s相連接之電容電極55 之間儲存電荷以構成電容。此保持電容，係為了保持施加 在第二TFT40之閘極電極41上的電壓而設者β如第2圖 所示，有機EL顯示裝置’係在由玻璃或合成樹脂等所形 成之基板或具有導電性之基板或是半導體基板等的基板 10上’依序層合形成TFT及有機EL元件。但是，在使 用具有導電性之基板及半導體基板以作為基板1〇時，係 在該等基板10上形成Si〇2或SiN等的絕緣臈之後，形成 第一、第二TFT及有機EL元件。任一個TFT，皆為開極 介以閘極絕緣膜位於主動層上方之所謂的頂部閘極（t〇p gate)構造。 首先，就開關用TFT之第一 TFT30加以說明。 如第2圖（a)所示’在由石英玻璃、無鹼性玻璃等所 形成的絕緣性基板10上’將非晶矽膜（以下稱為「a，Si膜」) 利用CVD法等予以成膜’並在該a-Si膜上照射雷射光以 使之熔融再結晶化以形成多晶矽膜（以下稱為「p_Si臈」）， 將之當作主動層33。在該主動層33上形成Si〇2膜、SiN 膜之單層或層合體以作為閘極絕緣膜12。更在其上面具 備兼做由Cr、Mo等高嫁點金屬所形成之閘極31的閘極 信號線51，以及兼做由A1所形成之没極電極16的汲極 信號線52，且配置有作為有機EL元件之驅動電源且由A】 J ^ ---ίι — t — I--1-- <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國圃家標準（CNSM4規格（2】0 X 297公釐） 6 310960 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 --—-----SZ_ 五、發明說明（7 ) 所形成的驅動電源線53。閘極31係由二個電極所構成之 所謂的雙閘極構造。第一 TFT30因具有開關功能，以抑 制截止電流所以採用此構造。 在該主動層33上，設有閘極31下方的通道33c，以 及對此通道33c之兩側，將通道33c上之閘極31當作光 罩以進行離子摻雜，更進而利用光阻覆蓋閘極3 1之兩側 並進行離子摻雜’以在閘極之兩侧設有低濃度區域3 3LD 和於其外側設有高濃度區域的源極33s及汲極33d〇亦即， 所謂的輕摻雜汲極LDD(Lightly Doped Drain)構造。 然後’在閘極絕緣膜32及主動層33之全面上，形成 以Si〇2膜、SiN膜及Si02膜之順序所層合的層間絕緣膜 15’並在對應汲極33(1而設的接觸孔中充填鋁（A1)等的金 屬以形成没極電極36。進而在全面上形成由有機樹脂所 形成且表面呈平坦的平坦化絕緣膜17。 其次，就有機EL元件之驅動用TFT之第二TFT40 加以說明。 如第2圖（b)所示，在由石英玻璃、無鹼性玻璃等所 形成的絕緣性基板10上，依序形成有由對a-Si膜照射雷 射光以使之多晶矽化之p-Si膜所形成的主動層43、閘極 絕緣膜12及由Cr、Mo等高熔點金屬所形成之閘極41， 而在該主動層43上設有通道43c ’以及對此通道43 c之 兩侧設有源極43s及汲極43d。然後，在閘極絕緣膜 及主動層43之全面上，形成以Si02膜、SiN膜及Si02膜 之順序所層合的層間絕緣膜1 5 ’並在對應汲極43d而設 i I I ---^i!--—訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 7 310960 把439387 Δ7 B7 經濟耶智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（8 接觸孔中配置有充填鋁（A1)箅的金M w▲ 寻扪金屬以連接驅動電源的驅 動電源線53。閘極41雖係顯示雙閘極構造之情況，但是 由於其為具有對EL元件60供給電流之功能的驅動用 TFT40’所以閘極亦可為—個的單閘極構造。更進而在全 面上形成例如由有機樹脂所形成且表面呈平坦的平坦化絕 緣膜17。然後，在對應該平坦化絕緣膜17之源極43s的 位置上形成接觸孔，且介以此接觸孔將由與源極43s相接 觸的ITO所形成的透明電極，即有機EL元件之陽極 設在平坦化絕緣膜】7上。此陽極61係在各顯示像素上隔 離形成島狀》 然後，如第1圖之斜線所示，使其端部位於陽極61 之周邊部的方式配置絕緣臈19。亦即，在陽極61之全周 邊上絕緣骐19係與陽極61重疊，換言之係將在對應陽極 61之一部分的區域上，即第1圖中之斜線部以外的區域 上具有開口部68的絕緣膜19形成於陽極及平坦化絕緣膜 17上。因而，在陽極61之端部，陽極61之端部和發光 元件層66及陰極67’皆由此絕緣膜19所隔開。另外， 絕緣膜19只要是在不因陽極61之厚度所產生的高低差而 使發光層斷線，或在陽極周緣之角部上發生電場集中的情 況下形成即可。或是與陽極61之端部因絕緣膜19而只要 使發光元件層66及陰極67之任一方隔開即可。又，絕緣 膜19只要為由Si〇2膜、SiN膜單層或該等之層合體所形 成的絕緣膜即可。或使為由SOG膜所形成的平坦化膜即 可，或為由感光性樹脂所形成之平坦化絕緣膜即可。由於 -------------^i------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21G X 297公釐） 8 310960 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ----------- Β7___ 五、發明說明（9 ) 使之形成平坦化絕緣膜即可使形成於其上方的陰極67平 坦且可防止斷線，故作成平坦化膜較佳。 此絕緣膜19,係在陽極（51之端部對陽極61之表面 呈傾斜。此仰角（9 1)，係以形成於陽極61上之發光元件 層66不斷線的角度為佳。當仰角過小時覆蓋陽極61之面 積就會變大而發光之面積就會變小，而當仰角過大時由於 發光元件層66會斷線，所以此仰角（01)係被設定在2〇 度至80度。該仰角Θ1較佳者為30度至70度，更佳者 為30度至60度’再更佳者為40度至50度。當仰角過小 時覆蓋陽極61之面積就會變大，而當仰角過大時發光元 件層66就會斷線。 此絕緣旗之傾斜，係使用濕姓刻法或氣系蚀刻劑氣體 並藉由乾蝕刻即可形成》 並且’層合由絕緣膜〗9露出的陽極61，及形成於絕 緣膜19上的發光元件層66及第二陰極67。 此時’絕緣膜19，非為透明而是被著色者。例如藉 由塗佈彩色光阻等的樹脂即可形成。並且，其所著色的顔 色雖是只要可遮蔽所發出之光的顏色即可。但是較佳者為 黑色。藉由著成黑色，由發光元件層66所發出的光，就 可吸收朝向由金屬所形成之陰極67前進而反射來的光。 例如為高精細之EL顯示裝置的情況，雖然其鄰接之顯示 像素非常接近，但是此時也可防止來自其鄰接之顯示像素 之發光元件層的光當作來自陰極之反射光而繞射進來。 對絕緣膜之著色，係在具有黏性樹脂的光阻上，藉由 I --^ i --------------- (諳先闓讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2]0 X 297公釐） 9 310960 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（ω ) 混入例如黑色的顏料予以塗佈即可實現著色。 亦即，絕緣膜19之接觸孔的開口部68，係為第i圖 中之斜線部以外的白色部分。陽極61和絕緣膜19，係在 陽極61之周邊部重疊的形狀。 有機EL元件60,係依由IT〇等之透明電極所形成 的陽極61，纟MTDATA等所形成的第一電洞傳輸屠62, 由TPD等所形成的第二電洞傳輸層63，由含有喹吖啶酮 (Quinacrid〇ne)介質之Bebq2所形成之島狀發光層M及由 Bebq2所形成之電子傳輸層65所形成的發光元件層66， 氟化鋰（LiF)和A1之層合體、或八丨和以之合金、或是鎂（Mg) 和銀（Ag)之合金所形成的陰極67之順序層合形成的構 造。該發光元件層66之發光材料藉由選擇使預定顏色發 光之材料*構成使各自顏色發光之顯示像素，且將各色的 顯示像素配置成矩陣狀即可獲得有機EL顯示裝置。來自 發光元件層之光’係在第2圖（b)中朝下方方向射出。 當來自閘極信號線51之閘極信號施加在閘極31時， 開關用TFT30就會導通。因此，汲極信號會從汲極信號 線52經由開關用TFT30供給至驅動用TFT40之閘極41， 而該閘極41之電位係形成與汲極信號線52之電位同電 位。然後相當於供給至閘極41之電流值的電流會從與堪 動電流連接的驅動電源線53供給至EL元件60 ^依此EL 元件60就會發光。如以上所述，藉由在陽極之端部上 形成絕緣膜19，即可防止起因於陽極6〗之厚度所產生的 南低差使發光元件層66斷線而造成陽極61和陰極67短 4-----------------Μ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） 10 310960 «54 3 93 8 ? 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（11 ) 路之現象。又’可抑制因在陽極61之邊緣產生電場集中 而依此使發光元件層66提前劣化的現象。 再者’藉由將已著色的絕緣膜19，設在透明電極之 陽極的周邊部及包含TFT之全面上，由於從發光元件層66 所發出的光不會到達位於發光元件層66之下層的TFT 上，所以可防止TFT之漏洩電流增大之現象》 <第二實施形態> 第3圖係顯示具偫本發明實施形態之有機el元件及 TFT之EL顯示裝置之一個像素的平面圖，第4圖係顯示 沿著第1圖中之A-A線的載面圖。 本實施形態與第一實施形態之差異點，係在於驅動EL 元件60之TFT只有一個，以及將陽極61形成於層間絕 緣膜15上之點。 如第3及4圖所示，在閘極信號線51和汲極信號線 52交點附近形成TFT30，而該TFT30之源極13s係連接 在有機EL元件60之陽極61。 如第4圖所示，顯示像素11〇，係在由玻璃或合成樹 脂等所形成之基板或具有導電性之基板或是半導體基板等 的基板10上，依序層合形成TFT及有機EL元件。但是， 在使用具有導電性之基板及半導體基板以作為基板10 時，係在該等基板10上形成Si02或SiN等的絕緣膜之後 形成TFT。 如第4圖所示，在由石英玻璃、無驗性玻璃等所形成 之絕緣性基板10上，形成由Cr、Mo等之高熔點金屬所 -------------4.------1— 訂----I I I I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2i0 X 297公釐） 11 310960 ξ43 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（12) 形成的閘極11及具備閘極丨1的閘極信號線51。 然後’依序形成閘極絕緣膜12及由p_Si膜所形成的 主動層13。 在該主動層13上，設有閘極n上方的通道nc，以 及對此通道13c之兩側，將通道13c上之阻擋絕緣膜14 當作光罩以進行離子摻雜’進而利用光阻覆蓋閘極η之 兩側並進行離子摻雜，以在閘極丨丨之兩侧設有低濃度區 域13 LD和於其外側設有高濃度區域的源極ns及汲極 亦即，所謂的輕摻雜汲極ldD構造。 然後，在閘換絕緣膜12’主動層13及阻擋絕緣膜14 之全面上，形成以Si〇2膜、SiN膜及Si02膜之順序所層 合的層間絕緣膜15 » 在此層間絕緣膜15上形成由ITO等之透明導電性枯 料所形成之透明電極的陽極61。然後在對應汲極13d及 源極13s而設的接觸孔中充填A1等的金屬以形成汲極電 極16及源極電極18。此時源極電極18係與透明電極之 陽極61相接觸。 然後’為了覆蓋該等之陽極61、源極電極18、汲極 電極16及層間絕緣膜15之全面而形成由樹脂所形成且使 表面呈平坦的平坦化絕緣膜17。在此平坦化絕緣膜17上， 於對應陽極61之位置上形成接觸孔。此時，該接觸孔， 係如第3圖之斜線部所示與陽極61之周邊部重疊形成。 亦即’平坦化絕緣膜17之接觸孔的開口部68，係為 第3圖中之斜線部以外的白色部分。陽極61和平坦化絕 彳--- (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ί Γ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 公釐 12 310960 經濟部智慧財產局員工消費合作社印$取 «=4 3 93 8 7 A" _________B7__ 五、發明說明（13 ) 緣膜17，係在陽極61之周邊部重疊的形狀。 此時，平坦化絕緣膜17,非為透明而是被著色者。 例如藉由塗佈彩色光阻等的樹脂即可形成D又，其所著色 的顏色雖是只要可遮蔽所發出之光的顏色即可，但是較佳 者為黑色。藉由著成黑色’由發光元件層66所發出的光， 就可吸收朝向由金屬所形成之陰極67前進而反射來的 光’例如為高精細之EL顯示裝置的情況，雖然其鄰接之 顯不像素非常接近，但是該情況也可防止來自其鄰接之顯 不像素之發光元件層的光當作來自陰極之反射光而繞射進 來。 對平坦化絕緣膜之著色’係在具有黏性樹脂的光阻 上’藉由愿入例如黑色的顏料予以塗佈即可實現著色。 如此’藉由將已著色的平坦化絕緣膜17，設在透明 電極之陽極的周邊部及包含TFT之全面上，由於從發光 元件層66所發出的光不會到達位於發光元件層66之下層 的TFT上’所以可防止TFT之漏洩電流增大之現象。 在此平坦化絕緣膜17 ’係在陽極61之端部對陽極61 之表面呈傾斜。亦即，係對陽極61傾斜成仰角 此仰角，係以形成於陽極61上之發光元件層66不斷 線的角度為佳。當仰角過小時覆蓋陽極61之面積就會變 大而發光之面積就會變小：當仰角過大時由於發光元件層 66會斷線’所以此仰角（61 〇係被設定在度至8〇度。 該仰角0 1，較佳者為30度至70度，更佳者為3〇度至6〇 度，再更佳者為40度至50度。當仰角過小時復蓋陽極η ^ I I--I----^ i I-----^ · I---I--- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNSM4規袼（2〗0 X 297公餐） 13 310960 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（U) 、 之面積就會變大，而當仰角過大時發光元件層66就會斷 線。 此絕緣膜之傾斜，係使用濕蝕刻法或氣系蝕刻劑氣體 並藉由乾蝕刻即可形成。 又’有機EL元件60，係依由形成於平坦化絕緣膜17 之下層之ITO等之透明電極所形成的陽極61，由MTDATA 等所形成的第一電洞傳輸層，由TPD等所形成的第二電 洞傳輪層，由含有嗤π丫咬網（Quinacridone)介質之Bebq2 所形成之發光層及由Bebq2所形成之電子傳輸層所形成 且介以設在平坦化絕緣膜17上之接觸孔而連接陽極61上 的發光元件層66’由鎂·銦合金所形成的陰極67之順序 層合形成的構造。 有機EL元件係由陽極植入之電洞、以及由陰極植入 之電子在發光層之内部再結合’而激發形成發光層之有機 分子以產生激發子（exciton)。在此激發子放射鈍化之過程 中光會從發光層釋放出，且此光會從透明的陽極經由透明 絕緣基板朝外部釋出而發光。本實施形態之情況，EL元 件之發光係朝圖式之下方方向射出。 如以上所述，藉由在陽極61之端部上形成平坦化絕 緣膜17，即可防止起因於陽極61之厚度所產生的高低差 使發光元件層66斷線而造成陽極61和陰極67短路之現 象。並且，可抑制因在陽極61之邊緣產生電場集中而依 此使發光元件層66提前劣化的現象。再且將已著色的平 坦化絕緣獏17設在透明電極之陽極的周邊部及包含Μι Μ氏張尺度適用㈣國家標準（CNS)A4規格⑵G X 297公爱) ------- 14 310960 -------------衣-------一訂----------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 !------B7__ 五、發明說明（15 ) 之全面上，使從發光元件層66所發出的光不會到達位於 發光元件屠66之下肩的TFT上，即可防止TFT之漏线電 流增大之現象。 <第三實施形態> 第5圖係顯示本發明之第三實施形態之EL顯示裝置 的截面圖。另外’此截面圖係沿著第3圖之A-A線者。 在同圖中，其與第二實施形態之差異點，係在於在設 於層間絕緣膜15之接觸孔中充填A1等的金屬，以形成汲 極電極16及源極電極18之後’形成使表面呈平坦的平坦 化絕緣骐17’且在對應源極電極之位置的平坦化絕緣臈17 上設置接觸孔以形成由ITO等之透明導電材料所形成的 透明電極61，進而重疊於透明電極之周邊部且在全面上 設置絕緣膜19 »亦即，將陽極η形成於平坦化絕緣膜17 上以形成達至該陽極61之端部的絕緣膜之點為主要之不 同之處。更換言之，係經由平坦化絕緣膜17在與汲極電 極16及源極電極18不同的上層上設置透明電極61之點 與第一實施形態不同。 並且’此絕緣膜19’係在陽極η之端部對陽極61 之表面呈傾斜。此仰角係以形成於陽極61上之發光元件 層66不斷線的角度為佳。當仰角過小時覆蓋陽極μ之面 積就會變大而發光之面積就會變小；而當仰角過大時由於 發光元件層66會斷線，所以此仰角⑷)係被設定在2〇 度至80度。該仰角0 !較佳者為3〇度至7〇度更佳者 為30度至60度，再更佳者為4〇度至切度。當仰角過 --------^----------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張K料財關家標準（CN^V1麟(210 x^T^F) 15 310960 «4393 8 7

五、發明說明（l6 ) 時覆蓋陽極61之面積就會變大，而當仰角過大時發光元 件層66就會斷線。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 更且，此時絕緣膜19非為透明而是被著色者。例如 藉由塗佈彩色光阻等的樹脂即可形成。並且，其所著色的 顏色雖是只要可遮蔽所發出之光的顏色即可，但是較佳者 為黑色。藉由著成黑色’由發光元件層66所發出的光， 就可吸收朝向由金屬所形成之陰極67前進而反射來的 光。例如為高精細之EL顯示裝置的情況，雖然其鄰接之 顯示像素非常接近’但是該情況也可防止來自其鄰接之顯 不像素之發光元件層的光當作來自陰極之反射光而繞射進 來。 對絕緣膜19之著色，係在具有黏性樹脂的光阻上， 藉由混入例如黑色的顏料予以塗佈即可實現著色。 亦即’絕緣膜19之接觸孔的開口部，係為第3圖中 之斜線部以外的白色部分。陽極61和絕緣膜19是在陽極 61之周邊部重疊的形狀。 另外，絕緣膜19亦可為Si02膜、SiN膜單層或由該 等之層合體所形成的絕緣膜，可為由SOG膜所形成的平 坦化膜’或可為由感光性樹脂所形成之平坦化絕緣膜。由 於使之形成平坦化絕緣膜即可使形成於其上方的陰極67 形成平坦且可防止斷線，故以平坦化為較佳。 在本實施形態中，亦與第二實施形態相同，可防止起 因於EL元件之陽極之透明電極61的厚度使發光元件層66 斷線而造成陰極67和陽極61短路之現象。若依據本實施 I -------Ά--------^ I I I--- I 1^. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規袼（210x297公釐） 16 310960 C 0 C 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（ 形態，則由於在TFT上也斗使之平坦，故可將透明電極61 形成於TFT上。並且，可抑制因在陽極61之邊緣產生電 場集中而依此使發光元件層66提前劣化的現象。再者， 將已著色的絕緣膜19設在透明電極之陽極的周邊部及包 含TFT之全面上’則從發光元件層66所發出的光不會到 達位於發光元件層66之下層的TTFT上，所以可防止TFT 之漏洩電流增大之現象。 另外’在上述各實施形態中，雖係就各TFT為將閉 極設在主動層之下方之所謂底部閘極型（bottom gate type) 之TFT的情況’及頂部閘極（top gate type)構造之情況加 以說明’但是本發明即使採用其中任一種構造亦可獲得同 樣的效果。再且，雖係使用p-Si膜當作主動層，但是亦 可使用微晶矽膜或非晶矽。 在上述之各實施形態中，雖係顯示將絕緣膜19、層 間絕緣膜17著色的情況’但是關於用以防止起因於陽極 之厚度使發光元件層斷線而造成陰極和陽極短路之現象， 同時抑制因在陽極之邊緣產生電場集十而使發光層劣化之 現象的絕緣膜’即使為透明者亦可獲得該效果。 [發明之效果] 若依據本發明’則可獲得可防止起因於陽極之厚度使 發光元件層斷線而造成陰極與陽極短路之情形，同時可抑 制因陽極邊緣之電場集中而造成發光層之劣化，更可防止 因來自發光元件層之光而使TFT之漏洩電流増大，同時 來自發光元件層之光不會因對陰極反射而繞彎入射於其 — II — I - I —--I--^1111111 11111111 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格do x 297公髮） 17 310960 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（18 ) 接之顯示像素上的EL顯示裝置。 [圖式之簡單說明] 第1圖為顯示本發明之第一實施形態之EL顯示裝置 的平面圖。 第2圖（a)至（b)為顯示本發明之第一實施形態之EL 顯示裝置的戴面圖。 第3圖為顯示本發明之第二實施形態之EL顯示裝置 的平面圖。 第4圖為顯示本發明之第二實施形態之el顯示裝置 的載面圖。 第5圖為顯示本發明之第三實施形態之el顯示裝置 的載面圖。 第6圖為習知之EL顯示裝置的平面圖。 第7圖為習知之EL顯示裝置的載面圖。 -------------^ · I ---I--^--------•線 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) [元件編號說明] U，31,41 閛極 12 閘極絕緣臈 I3s,33s 源極 13d,33d 汲極 13c,33c 通道 16,36 汲極電極 17 平坦化絕緣膜 18 源極電極 19 絕緣膜 30 第一 TFT 40 第二 TFT 53 驅動電源線 60 有機EL元件 61 陽極（透明電極） 66 發光元件層 67 陰極 68 開口部 110 顯示像素 本紙张又度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 18 310960

Claims (1)

1. 經濟部中央標準局員工福利委員會印製

   本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )A4規格（210 X 297公董) ,：;24 3 93 8 7 j " -~—- 第88120396號專利申請案 申請專利範圍修正本 (90年I月20曰） 1. 一種顯示裝置，係層合第一電極、發光元件層及第二電 極以形成發光區域者，其特徵為：在前述第一電極端部 上具備有絕緣膜以使前述第一電極和發光元件層或第 二電極隔開者。 2. 如申請專利範園第丨項之顯示裝置，其令在前述第一電 極和第二電極之間具備有絕緣膜。 3. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其令前述絕緣膜在 前述第一電極上具有端部’而該端部具有傾斜部。 4. 如申請專利範圍第3項之顯示裝置，其令前述傾斜部之 角度，相對於前述第一電極之表面的仰角為2〇度至 度。 5. 如申請專利範圍第！項之顯示裝置，其中前述絕緣膜係 在前述第一電極之全周邊上與前述第—電極重叠者。 6. 如申請專利範圍第丨項之顯示裝置，其中前述第一電 極、發光元件層及第二電極之層合構造係電場發光元件 者。 7. 如申請專利範圍第6項之顯示裝置，其中前述第—電 極’係就各像素隔離形成，而前述第一電極係連接在薄 膜電晶體者。 8. 如申請專利範圍第7項之顯示裝置，其中前逑薄联電旁 體之上層具有絕緣膜’而在該絕緣膜上具備有第— 310960 極0 9. 如申請專利範圍第8項之顯示裝置，其中前述絕緣膜為 平坦化絕緣膜。 10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之顯示裝置，其中 前述絕緣膜係被著色者。 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )A4規格（210X 297公 2 310960