TW312745B - - Google Patents

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^12745 Λ 6 __Π6__ 五、發明説明（L) 本發明偽關於形成於半導體基板上之氧化膜之金屬不 純物的分析方法，具體的說偽關於適用為鐵及鋁之不純 物分析，為用於大型積體電路（Large Scale integrated circuit, LSI)製造工程上主要洗淨製程之品質管制方 面之金屬不純物的分.析方法。 [已往的技術] 已往，是利用二次離子質量分光檢測法（Secondary ionmass spectrometry, SIMS)或全反射X射線螢光法 (Total Reflectior X-ray Fluorescence:TRKRF)等方 法以分析半導體基板之表面層之金屬不純物。 但是，這些分析方法需要真空的分析装置且體積大價 昂，無法簡易作分析。 (發明的概述） 本發明的目的傜為解決已往技術之缺點而提供一種半 導體基板之表面氧化膜之金屬不純物的分析方法，其偽 利用低成本小型且不必真空之方式，而其檢測精確度更 可達到，1 0 11原子/公分2之程度。 (請先閲讀背而之注意事項再塡寫本頁) 經濟部中央櫺準局S3：工消伢合作社印製 體固相之 於 導之之膜 成 半成量化 。形 於生荷氧量出 在所電面之求 存物定表物偽 定純固之純徵 測不述象不特 像屬前對屬其 徵金與析金 , 特之物分之法 其中純被中方 ,膜不藉膜析 法化屬傜化分 方氣金關氧 2 析面述關該第 分表前相定之 1 之出此測明 第成求據以發 之形，根量本 明> 所量 ，荷 ， 發上荷傜電外 本板電關定另 基定關固 本紙張尺度逍用中a a家標準(CNS)甲4規格（210x297公 五、發明説明（2) 矽基板上之熱氣化膜的縱深方向的距離與由前述熱氧化 膜中之金羼不純物所生成之固定電荷量之相蹰蘭僳，再 另外求出別的熱氧化膜中之金靥不純物及其所生成之固 定電荷量的相關關傜，最後根據這些相關闊偽可求出前 述熱氣化膜之前述金羼不純物之濃度分佈。 再穷外，本發明的第3分析方法，其待激偽根據從自 然氣化膜移動至熱氣化膜之鐵及鋁之中，只有鋁有帶電 茴之現象事先測定自然氧化膜中之固定電荷量，並比較 檢討此被测出之固定電荷量與熱氧化膜中由鋁所生成之 固定電荷量以對自然氧化膜之鐵或鋁作定性分析。 本發明之分析方法，其特徽像在於利用半導體基板之 表面氣化膜中所含之特定金屬不純物於該表面氣化膜中 具有電荷之現象，藉測定此電荷量以對前述之金屬不純 物施行定性定量分析。特別是，鐵在自然氧化膜中具有 負電荷的現象及自然氧化膜中之鐵及鋁擴散至形成於該 自然氣化膜上之熱氣化膜中時镦不再具有電荷而只有鋁 才帶電荷之這種現象像由本發明之發明者首先發現並確 認者，並以這些現象作為本發明之基礎（base)。 經濟部屮央標準局员工消资合作杜印51 (請先間讀背而之注意事項再填寫本頁) 對氣化膜中凡是帶有電荷的不純物，本發明之分析方 法皆可適用。屬於這種特定之金颶不純物現階段經確認 者有鐵及鋁。至於銅及鎳經確認並不具有這種特性。 另外，很有興趣的現象是於自然氣化膜中鐵及鋁兩者 皆帶有電荷’但是在熱氣化膜中時則只有鋁才帶有電荷 -4- 本紙張尺度遑用中Η Η家«毕(CNS) «Ρ4規怙（2丨0x297公;Jt) Λ 6 Η 6 312745 五、發明説明（3) (請先閲讀背而之注意事項^填寫本頁) ，這種現象也經確認無誤。 這裡，所諝之自然氣化膜偽包括大氣中等在活性矽的 表面上經常生成之氧化膜或是所謂RCA洗淨時所作之氧 化處理之際所形成之化學氣化膜，而一般是指後者之氣 化膜，其膜厚通常約為10埃（Angstrom)者。另外，前述 之熱氣化膜偽指譬如在800〜1208 υ之高溫氣化爐内， 在氣氣存在下因氣化所形成之氧化膜，其膜厚約為100 埃。 本發明的第1分析方法係藉事先求出存在於由自然氣 化膜或熱氣化膜所形成之表面氣化膜中之金羼不純物量 及由金屬不純物所生成之固定電荷量之相關關偽，據以 求出取樣（sampling)之基板的表面氧化膜中之固定電荷 最即可簡單地求出金屬不純物之濃度。 經濟部屮央榣準局KX工消伢合作社印奴 另外，本發明之第2分析方法傺於矽基板上形成熱氧 化膜，經測定此熱氣化膜中之固定電荷量後藉誓如是餽 刻（e t c h i n g )等方法除去前述熱氣化膜之表面層，再測 定此階段剩下之熱氣化膜中之固定電荷量。重複數次這 樣的流程（process)可求出前述熱氣化膜之縱深方向的 距離及g此熱氣化膜中之金屬不純物所生成之固定電荷 最的相關關偽。與這同時，求出於前述第1發明裡所說 明者同樣的相關關傺，即求出熱氧化膜中之金屬不純物 與其所生成之固定電荷量之相關關偽。利用這些相關關 偽可求出前述之不純物之濃度與前述熱氧化膜之縱深方 -5 - 本紙張尺度边用中a Η家標毕(CNS) T4規格(210x297公;a) Λ 6 ____Η6_ 五、發明説明（4) 向之距離的相關關傜而可明白前述金屬不純物之熱氧化 膜中之濃度分佈。其次利用此濃度分佈求出取樣之基板 的熱氣化膜中之固定電荷量，藉此以求出金屬不純物 (鋁）之濃度。 再另外，本發明之第3分析方法係根據從自然氧化膜 移動至熱氣化膜中之鐵及鋁之中只有鋁才帶有電荷之現 象，比較檢討事先測定之自然氣化膜中之固定電荷量及 由熱氣化膜中之鋁所生成之固定電荷量，藉此可確認自 然氯化膜中之鐵或鋁的存在。 如上述那樣，藉本發明之分析方法，僅由測定表面氧 化膜中的固定電荷量的簡易方法可定出特定之金屬不純 物的種類，更進一步可很精確地檢出其濃度。 (圖商的簡單説明） 圖〗示出自然氧化膜或熱氧化膜中之鐵的濃度及固定 電荷景之相關關偽。 圖2示出熱氣化膜之縱深方向之鐵的分佈。 圖3示出於自然氣化膜上形成熱氧化膜時之鋁的濃度 及固定電荷景的相關關偽。 經济部中央標準局员工消赀合作社印^ (請先閲讀背而之注意事項#填寫本頁) 圖4示出相對於熱氧化膜之縱深方向之鋁的固定電荷 鼉的分佈f. 圖5示出為求出圖4之相關圖之取樣的形成及測定之 流程圖。 圖6示出熱氣化膜之縱深方向之鋁的濃度分佈。 -6- 本紙張尺度边用中8 8家榣毕（0胳）〒4規格（210父297公龙） Λ 6 Η 6 五、發明説明（5 ) (本發明良好實施例之說明） 以下將以實施例詳細說明本發明。 圖1示出形成於矽基板表面上之自然氧化膜中之鐵不 純物濃度（atoms· c ηΤ2 )與固定電荷量（xl01:lci· c m_2 ) 之相關闊偽（曲線1)，及熱氣化膜中之鐵不純物濃度 (a t 〇 ra S · c «Γ2 )與固定電荷量（X 1 0 11 q ♦ c )之相關關 傜（曲線2) „ 欲求曲線]所示之相關闘偽，首先需作前處理的工作 ，即需藉第1洗淨方法（以下稱此方法為SC-1)對η形矽 基板上部作洗淨。此第1洗淨方法偽以下述步驟進行。 (a) 用HF洗淨水作蝕刻（HF:水=1:10) 3分鐘 (b) 用純水淋洗（rinse) 3分鐘 (c) 用氣化劑洗淨（HCL:H2 :水=1:1:6)6010 3分鐘 (d) 用純水淋洗 3分鐘 藉上述第〗洗淨方法行濕洗淨而於前述矽基板上形成 約1 0埃左右之自然氧化膜（化學的氧化鍥）。另外前述含 有HCL之氣化劑可有效地除去基板上之金屬不純物。 (請先閲讀背而之注意事項#填寫本頁) 裝- 訂_ 線_ 經濟部中央橾準局EX工消"合作社印製 之轉 t 化圖及 定旋 U 氣如度 氧 濃諝 然偽濃 定所I自0鐵 既藉其es其 有即jiie)(t出 含，^1驗求 將上Manl試各 面膜_(3之本 方化Μ 本本樣 一 氧 ^ 樣樣種 板然 Μ 之此三 基自 得對之 述¾¾¾所。度 前前?r樣鐵濃 轉於 $ 這之同 旋滴)?。度不 面液at燥濃有 方溶CO乾定含 一 水 η 之既對 ,,之Ρ1將有， 次子(S#含示 其離佈.h中所. 鐵塗膜物 1 本紙張尺度边用中a Η家榣準(CNS) T4規格（210x297公釐) '45 Λ 6 Π6 五、發明説明（6 ) 由鐵所生成之自然氧化膜中之固定電荷量。在此，測定 點取得愈多愈能獲得正確之不純物量對固定電荷量之相 關曲線。 這裡，前述之自然氧化膜中之鐵濃度傜藉不含鐵離子 及鋁離子之純淨（clean)HP水溶液（HF:水=1:200)對該自 然氧化膜作蝕刻以將該自然氣化膜中之鐵完全溶解於前 述HF水溶液中後將該溶液回收再依原子吸光法以作定量 分析者。 至於前述自然氣化膜之固定電荷量傺藉一方面收變直 流偏壓（bias)以測定因發光二極體（LED)之斷缠發光所 産生之依半導體空泛層寬度成比例變化之表面光電壓 (SPV),並測定直流偏壓V與空泛層電容C之闞僳（C-V) 以求出者。用SPV法以测定C-V時偽採用反轉（Inversion) 電壓（η形矽基板倒最初僳加上正直流偏壓）。另外，前 述之SPV法傺掲露於文獻：E Kamieniecki, SEMIC0M/ EUR0PA 91 TECHNICAL PROCEEDINGS P. 85-95, March 5 - 6 (1 9 9 1) ··上之測定方法。 經濟部屮央標準局κχ工消费合作社印^ (請先閲讀背而之注意事項#填寫本頁) 從圖1的曲線1可明白隨著矽基板上之自然氧化膜中 之鐵不純物量的增加，該自然氧化膜中之負電荷也隨之 增加。即，只要鐵一進入自然氧化膜中刖必有負電荷産 生之現象已被確認。 另外，利用這種方法，鐵的量在1 0 11 a t 〇 a s · c JT2附 近也可測出電荷。即，可確認從利用前述S P V所作之 本紙51尺度边ffl中a Η家樣準(CNS)甲4規格(210x297公;¢) Λ 6 Η 6 經濟部中央榣準局员工消#合作社印製 五、發明説明（7 ) C-V分析可檢出矽基板表面之自然氧化膜中之鐵濃度至 10 11 atoms ♦ c'in·2 的程度。 其次，曲線2所示之熱氣化膜中的鐵濃度與固定電荷 量之相開關像是以下述方法求出。 即，欲求出這種相關關傜，偽用和為求出前述曲線1 所形成之樣本完全相同的方法以形成被鐵所污染之自然 氣化膜，再於此自然氧化膜上形成熱氧化膜。此自然氣 化膜僳於氣氣環境中將基板於9001下加熱15分鐘以形 成，其約有95埃之膜厚。接著，用前述相同的方法求出 前述氣化膜中鐵的濃度與固定電荷量。 從圖1的曲線2很明顯地可確認在熱氧化膜中鐵德與 濃度無關幾乎無負電荷。 圖2示出熱氧化膜縱深方向之鐵的分佈情形。此分佈 情形偽用下述方法求出。 本試驗所用之樣本俗藉前述第1洗淨方法將矽基板相 淨後再利用前述旋轉塗佈法將鐵以lxl014atoms* cnf2 之濃度摻雜（doping),之後在900 Ό濃度下加熱15分鐘 以行乾氧化而形成之熱氧化膜（膜厚：約95埃）。 利用ώ樣本於熱氣化膜的縱深方向的多數個地點藉 TRXRF法求出鐵的濃度。具體的説首先偽藉前述之 TRXRF法求出熱氧化膜表面上之鐵濃度。其次，用HF溶 液對此熱氧化膜作浸蝕以除去熱氧化膜的表面層，這時 再度測定鐵的濃度，重複這種操作多次之後可得出熱氧 -9- (請先閲讀背而之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逍用中囲Η家標準(CNS)甲4規格(210X297公*) Λ 6 _ Β6_ 五、發明説明（8 ) 化膜上鐵的分佈。 參考這樣得出之曲線3，可確認鐵原子之分佈傜隨熱 氣化膜之深度而不同，即愈深愈增多而於熱氧化膜與矽 基板的境界附近達到最多（peak)。 從前述曲線2及3可確認在熱氧化膜中之鐵係分佈在 矽基板附近而且不帶負電荷。 ' 圖3僳示出熱氣化膜中之鋁濃度與固定電荷量的相關 關係。 本試驗所用之矽基板的前處理作業有下述三種： (a)藉旋轉塗佈法將鋁原子摻入藉前述苐1洗淨方法 作濕洗淨後之基板上部之作業（SC-1+A1 spin coat) (b) 利用下示之洗淨液及步驟之第2洗淨方法（SC-2) 作濕洗淨作業。 HF:水（1:10) 3分鐘 用純水淋洗 3分鐘 NH* 0H:H2 〇2 :水（1 :1:6)6013 3分鐘 用純水淋洗 3分鐘 (c) 利用下示之洗淨液及步驟之第3洗淨方法（SC-3) 作濕洗淨作業。 經沭部中央櫺準局貝工消费合作社印利4 (請先閲讀背而乏注意事項再填寫本頁) HF:水（1:10) 3 分鐘 用純水淋洗 3分鐘 ΝΗ* 0H:H2 0:水（l:l:6)60t： 3分鐘 HF :水（1 : 300) 1 -2分鐘 -10- 本紙張尺度边用中a B家標準(CNS)甲4規格(210x297公；it) Λ 6 ____Π_6_ - 五、發明説明（9 ) 圖3所示之相關曲線4是以下述步驟求出。 首先，實施含有對矽基板作濕洗淨之前述前處理作業 之任一種作業。籍此前述前處理作業而於矽基板上因化 學的氣化而形成自然氧化膜。 其次，在900 Ϊ!之下加熱15分鐘作乾氣化以形成膜厚 約9 5埃之熱氣化膜。 接著利用前述SPV法求出此熱氧化膜之固定電荷量， 另外與前述鐵濃度的情形一樣用原子吸光法求出前述熱 氣化膜中之鋁濃度。 將如此所得出之各樣本的測定點繪製（ρ 1 〇 t)於圖3時 即可得出鋁濃度與氣化i中之固定電荷量的相關關偽。 從這曲線4示出的結果可確認存在於自然氧化膜中之 鋁俗擴散進入熱氣化膜中且具有負電荷，更甚者，當鋁 的濃度超過1 0 11 a t 〇 m s ♦ c πΓ2時，負的電荷隨著濃度的 增加幾乎作直線的增加。 另外，積極地將鋁摻入（S C - 1 + A 1 s p U c 〇 a t)自然氣 (請先閲讀背而之注意事項#填寫本頁) 經濟部中央橾準局员工消tv合作社印製 洗也熱業 定的 2 時至作 固鋁 第業散理 與之 作作擴處f)向 在理會前 ^ 方 是處也之. π 深 就前鋁法 ^縱 ，).^之方 _之 散3)中淨 i 膜 擴C-S 洗ibii化 内(S化 2a{fc氧 膜法氧第(«熱 化方然行 C 厚出 氧淨自當高膜示 然洗於其最的即 自3 含尤說膜 ， 於第且驗可化傜 9S 及物試度氣關 使2)純本濃熱關 會C-不 C 物出相 然(S傜内純示之 當法到膜不 4 最 膜方認化鋁圖荷 化淨確氣時 電 本紙張尺度边用中a困家«準（CNS) T4規格（210X297公¢) Λ 6 Η 6 五、發明説明（Ε) 分佈狀態。 本試驗之樣本偽採用於作完屬於前處理作業之前述第 1洗淨方法之後於基板表面用濃度約為1012 (atoms · cb_2 ) 之鋁摻雜（AC-1 + A1 spin coat)及利用靨前處理作業之 前述第2洗淨方法（SC-2)。 圖4所示之相關曲線5，6偽各別依圖5所示之流程圖 (flow chart)求出。卽，對η形矽基板施予前述各前處 理作業後再在900 "C之溫度下行15分鐘之乾氧化處 (dry oxidation treatment)以形成熱氣化膜。其次對 此熱氣化膜藉既述的方法測定固定電荷量及鋁的濃度。 接箸用HF溶液以蝕刻方式將約2埃膜厚之熱氧化膜表面 靥除去，之後對此除去表面層之熱氧化膜再作一次固.定 霄荷景與鋁濃度之測定。另外再重複數次前述之蝕刻處 理及測定處理。 可以確認經如此過程所得到之相關曲線5 (藉S C - 1 + A 1 s p ί η n 〇 a i:法所測得者）及相關曲線6(藉$(：-2所測得者） 經濟部屮央標準局貝工消t合作社印製 (請先閲讀背而之注意事項#填寫本頁) 具有幾乎同樣的相關關偽。而且從相關曲線5及6可明 白於熱氣化膜表而約2埃的領域内幾乎金部分佈著因鋁 所生成i負電荷。如此可確認存在於藉前述前處理作所 形成之自然氣化膜（化學的氧化膜）中之鋁的一部份偽於 熱氧化後擴散移動至熱氧化膜表面附近。 圖β傜示出熱氧化膜的膜厚（熱氧化膜之縱深方向的 距離）與鋁濃度之相關關傜。本試驗偽採用實施屬前處 -12-本紙張尺度边用中S困家標準(CHS)甲4規格（210X297公龙) 經泳部中央櫺準局員工消费合作社印製 312745 Λ 6 ____ η β_ 五、發明説明（11) 理作業之SC-l + AI spin coat及SC-2之兩種樣本。 測定方法如下述。即，對前處理作業之不同前述兩種 測定對象，分別用同樣條件形成測定點及同樣數目之樣 本基板。另外，對SC-2之前處理作業另外形成只有自然 氣化膜而非熱氣化膜之樣本基板。 其次，對各不同膜厚之熱氧化膜之樣本測定各各鋁濃 度，具體的説以SC-1+A1 spin coat之情形為例說明的 話，則首先用一値樣本基板以測定熱氣化膜之鋁濃度。 有關鋁濃度的测定是使用前述之原子吸光法。其次使用 另外不同之樣本基板，並用HF溶液對熱氧化膜表面厚僅 約6埃的部份施予蝕刻除去，之後對剩餘之熱氣化膜測 定其鋁濃度。將經這樣過程所得之結果繪製曲線則得相 關曲線7 。 同樣，將蒈施S C - 2所得之結果繪製成相關曲線8 。另 外藉S C - 2所得之自然氣化膜中鋁的濃度傺如曲線9所示 從謂6所示之相關曲線7及8可實際確認存在於自然 氣化膜中之鋁傜移動至熱氣化膜並分佈在其極表面之部 份，可#為圖4所示之結果的見證。另外也確認藉偽屬 前處理作業之洗淨處理（SC-2)將鋁作為雜質摻入自然氧 化膜中，此雜質再擴散進入熱氧化膜中成為污染原因， 更甚者，觀察S C - 2的情形，可明白存在於自然氣化膜中 之鋁（濃度Ca )的約40¾(濃度（CB )偽移動擴散至熱氧化 -13- (請先閲讀背而之注意事項#填寫本頁) 裝- 線_ 本紙51尺度逍用中8國家《準(CNS) T4規格（210x297公;¢) 經球部中央標準局员工消赀合作社印製. 312745 A 6 ___Π6_五、發明説明（12ί) 膜中。 也確認鐵在熱氧化膜中不具有電荷，及由圖4及圖6 所示之結果，熱氣化膜中之電荷量係因鋁而生成的，且 鋁是分佈在熱氧化膜之極表面層。而由鋁所生成之固定 電荷量傜嵌在蝕刻深度為0之狀態，即熱氧化膜的縱深 方向的距離為0之情形的電荷量Qa與除去表面層（為具 有2〜6埃深度之層）之狀態的電荷量QB之差Qc而定。 因此，可根據圖3所示之鋁濃度-電荷量之相關曲線， 依前述固定電荷量Qc求出熱氣化膜中之鋁濃度。 再者，事先對依前述前處理作業（濕洗淨）所形成之 自然氧化膜測定其電荷量，再將此電荷量與前述熱氧化 膜中之電荷景比較檢討可作前述自然氧化膜中之鐵及鋁 的定件分析.、即，鐵及鋁兩者從自然氧化膜移動至熱氧 化膜中，但因於熱氣化膜中只有鋁才有帶電荷，所以要 檢出熱氣化膜中之固定電荷之際會顯示自然氧化膜中含 锅之事，.，另外，藉事先測出自然氧化膜中鋁有多少百分 hh的景擴散進入熱氧化膜中，可對自然氧化膜中之鋁濃 度（鋁電荷景）作出某種程度的預測。而藉比較此鋁電 荷最與_然氧化膜中之合計電荷量，可對自然氧化膜中 是否有鐵存在及其數量作出某種程度之推定。 如以上說明那樣，依本發明可作下述情形之定量及定 件分析。 Π )可求出形成於矽基板上之自然氧化膜之鐵及鋁之 -14- (請先閲讀背而之注意事項#填寫本頁) 袭· 線- 本紙張尺度边用中a Η家榣準(CNS) T4規格(210X297公;¢) Λ 6 ___Π_6_ 五、發明説明（ 總和濃度。 (2) 藉於前述自然氧化膜上再形成熱氧化膜，可測出 前述自然氣化膜擴散進入熱氣化膜之鋁濃度之量。 (3) 藉檢討上述（1)之自然氧化膜中之鐵及鋁之總和 濃度及上述（2)之熱氧化膜中之鋁濃度，可確認前述自 然氣化膜中之鐵及鋁的存在，其百分比也可推定。 依本發明可檢出於大型積體電路之製造流程，尤其是 於RCA洗淨等之各種洗淨作業上最會産生污染之鋁原子 及鐵原子，其檢出之精度可逹leHatoms· cnf2之階段 。另外本發明之分析方法因偽使用SPV法，故裝置可小 型化且可作低成本及簡易的分析。 另外，已確認金屬不純物之中，鎳，銅之原子在矽氣 化膜中並不生成固定電苘，故依本發明之金屬不純物之 分析方法是無法檢出。 (請先閲讀背而之注意事項#填寫本頁) 裝< 訂_ 線. 經濟部中央櫺準局貝工消伢合作社印m 本紙張尺度边用中B國家«準(CMS) T4規格(2丨0X297公釐）

Claims (1)

1. 經濟部中央標準局負工消費合作社印装 六、申請專利範圍 第80109236號「半導臑基板之表面氣化膜之金^P純 物之分析方法」專利案 (84年10月24日修正） 巧申請專利範圍： ΓΤ. 一種半導鱧基板之表面氣化膜之金羼不純物之分析方 法，其待擞為測定經由含有氳氣化銨及遇氧化氫之洗 淨液水洗後之半導體基板上所形成之表面氣化膜中所 存在之鐵及鋁的至少一種金屬所引起之固定電荷量， 求出該金屬不純物量及固定霄荷量之相鼷鼷傜，根據 此相鼷闋像並藉由被分析對象之表面氣化膜之固定罨 荷置，施行該氣化膜中之鐵及鋁之至少一種金屬不純 物之以10峻丨 OBs/c·2數量级以上之定量分析。 2. 如申請專利範圍第1項之半導腥基板之表面氣化膜之 金羼不純物之分析方法，其中表面氣化膜像自然氣化 膜。 3. 如申請專利範圍第2項之半導體基板之表面氧化膜之 金屬不純物之分析方法，其中金屬不純物偽指鐵及鋁 Ο 4. 如申請專利範圍第1項之半導體基板之表面氧化膜之 金屬不純物之分析方法，其中表面氣化膜為熱氣化膜 Ο 5. 如申請專利範圍第4項之半導體基板之表面氣化膜之 金屬不純物之分析方法，其中金屬不純物為鋁。 本坼張尺度適用中國國家標準（CNS > Λ4規格（210X297公釐） ---------敫-----^--訂------铲 (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印裝 312745 b8 C8 _ D8_ 六、申請專利範園 6. 如申謓專利範圔第1項之半導醱基板之表面氧化g之 金屬不純物之分析方法，其中存在於表面氧化膜中之 金屬不純物所生成之固定電荷量係以藉一方面改變對 半導體基板之直J|姨E , —方面檢測舆發光二極體之 斷續發光所産生之與半導體空泛層寬度成比例之表面 光電壓（SPV),以激定直流镰壓v與空泛層電容C之關 係（c-ν)之方式求得。 7. 如申請專利範圍第1項之半導體基板之表面氧化膜之 金靥不純物之分析方法，其中表面氣化膜中之金屬不 純物量係使用不含金屬不純物之純淨氟化氫溶液溶解 該表面氣化膜，將此溶解液回收後藉原子吸光法求得。 —種半導體基板之表面氣化膜之金屬不純物之分析方 法·其持擞為求出形成於矽基板上之熱氣化膜之縱深 方向的距離與熱氣化膜中之鋁所生成之固定電荷量間 的相朗關僳，另外求出氣化膜中之鋁量與其所生成之 固定電荷量間的相開蘭像，然後根據逭些相關關係求 出熱氣化膜之鋁之濃度分佈。 9. 一種半導體基板之表面氣化膜之金屬不純物之分析方 法，其特徽為根據從自然氧化膜移動至熱氣化膜之鐵 及鋁之中只有鋁才帶有電荷之現象，將事先測得之自 然氧化膜中之固定電荷量與熱氣化膜中之鋁所生成之 固定電荷量予以比較及檢討，藉此對自然氣化膜中之 鐵及鋁施行定性分析。 -2- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂-