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經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 ---67 —_ 五、發明説明丨1 ) 憂之背景 本發明係有關一種在反應室之内部’以晶圓保持板支持 半導體晶圓’並在支持於該晶圓保持板之晶圓的下方，設 有加熱器’在加熱狀態下於晶圓表面進行氣相成長之氣相 成長裝置。 用技術之説明 每今爲止所使用之氣相成長裝置，例如係揭示於日本特 開平5-152207號中。此一氣相成長裝置，係以晶圓保持部 件支持晶圓’並利用配置於該晶圓保持部件下方之發熱體 進行加熱，而在晶圓表面形成氣相成長膜之氣相成長裝置 。例如’其係在基體之下面安裝朝上方延伸之中空圓筒禮 ，在其上端安装發熱體支持件。再者，於其上方配置姐狀 之反射板，於其内部收容發熱體，並在其上端安裝均熱板 。皿狀反射板之上端係位於均熱板之上方，此一上端處， 嵌固有環狀之晶圓保持板。該晶圓保持板之内周側形成有 埋頭孔’其内部配置有晶圓。 於此一氣相成長裝置中，反應室内係形成50·400 ^"之 減壓氛圍，由氣體導入口，係多量地導入二氣矽烷等之原 料氣體及氫氣等之攜帶氣體，如此進行氣相成長。此時， 晶圓係被1150ec左右之溫度加熱。 迄今爲止之氣相成長裝置中，加熱器之下側係設有鉬製 反射板，其對於加熱器會造成雜質污染，以致大幅降低加 ”，、器之壽命，疋爲其缺點。另一方面，當反射板係由SUS 或石英所形成之場合’在加熱處理後，以HN HF水溶液 ____ -4- ( CNS ) ( 2.0X29^57 I ^ 裝------訂--^丨~；--- (婧先M讀背面之注意ί項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局員工消费合作社印装 A7 ----------B7 五、發明説明（2 ) 無法洗淨。這是因爲，HN〇3_HF水溶液會侵蚀反射板表面 所致。 y 發明之概要 、本發明之㈣，係在提供__種使用在加熱處理後，反射 效率不會低落至習用之程度的反射板之氣相成長裝置；此 反射板可因應必要由HN〇3 _HF水溶液洗淨而使其表面回復 到最初之平滑狀態，而改善反射效率。 本發明係以申請專利範圍第〖項所記載之氣相成長裝置， 解決上述課題。 於本發明中，反射板係由玻璃狀碳所形成，保溫筒係由 玻璃狀碳或石英玻璃所形成。當反射板由玻璃狀碳形成時 ，其表面係形成平滑狀態（所謂之「光亮」狀態），反射效 率良好。特別是當反射板之粗糙度設成Ra 〇 〇〇1〇 〇5#m時 ，反射效率會變得顯著。 即使因加熱處理導致反射板之表面變得不平滑，而降低 反射效率’惟因該反射板係由玻璃狀碳所形成，因此可簡 單地以HN〇3_HF水溶液洗淨其表面。如此，可使反射板之 表面再度成爲良好之平滑狀態。 本發明中所使用之玻璃狀碳，係外觀爲玻璃狀之硬質碳 ’例如，可由熱固性樹脂之固相碳化所生成。較佳之玻璃 狀碳’其容積密度係1.50-1.60 g/cm3，當容積密度未達丨.50 g/cm3時’反射板之氣孔會增多，以致反射效率低落。另一 方面，當該容積密度超過1.60 g/cm3時，則會變成不爲硬質 碳’以致易於產生粒子，而使得晶圓之生產率劣化。此外 本紙张尺度it财gjg)家料（CNS ) A4^ ( 2敷297公廣） I 1'^ ^--卜裝------訂--------{綵 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 3〇S485 五、發明説明（3 ) ’上述玻璃狀碳’其抗彎強度係1〇〇 MPa以上，當未達1〇〇 MPa時，在數百片之晶圓處理中，反射板會撓曲裂開。另 外，上述玻璃狀碳之電阻率係4000_4400 μΩ(；ιη，開氣孔率 係0.1%以下，蕭氏硬度係10〇以上，熱傳導率係5_1〇 w/m • K，如此才宜作爲反射板。 以下，茲就玻璃狀碳製之反射板的製法，以其一例説明 之。首先，將作爲原料之樹脂（例如呋喃系樹脂或盼系樹脂 等）形成一定之形狀，而後，在非氧化性氛圍中在9 〇 〇乇下 實施燒成，藉此可使樹脂形成爲玻璃狀碳。更具體言之， 係在對吱喃系樹脂添加0.1份聚合促進劑下進行聚合，將其 在模具内壓鑄成形。在將該樹脂以1 00X：以下加熱硬化後 ，進行一次加工。而後，於非氧化性氛圍中實施约100(rc 之一次燒成及約2000°c之二次燒成，在二次加工後，以金 剛石磨光將其研磨成鏡面。繼之，將其在自素系氣體氛圍 中，作2000°C以上之純化處理。 反射板，由反射效率之觀點而言，至少宜使其對向於加 熱器側之表面，形成爲Ra0.0(H-0_05jum之表面粗糙度，當 未達Ra 0.001 am之程度時，反射效率中無法顯現有意義之 差，且加工成本會成爲數十倍。當超過Ra 〇.〇5 jam時加熱處 理後之反射板的表面粗糙度降低，以致反射效率顯著地降 低。 實施例 以下，茲佐以圖面將本發明之實施例説明之。 於囷1中，基體10之下面上，安裝有朝上方延伸之中空圓 -6 - 本紙張尺度適用中國國家榡準（€阳）人4規格（2丨0，;<297公釐} f請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印裝 A7 B7 經濟部中央梂準局身工消费合作社印褽 五、發明説明（4 ) 筒體11，其上端安裝有加熱器支持件12。加熱器支持件12 上’介以絕緣棒1 3、反射板1 4及絕緣棒1 5安装有加熱件 16。反射板14，係由前述之玻璃狀碳所形成，由圖1可知 ，其係由圓板狀之底部、以及在其外周一體形成之圓筒狀 側部所構成，具有淺容器之形狀。中空圓筒體Π之下端， 係由蓋子1 8所關閉’中空圓筒體丨丨之内部，設有貢通蓋子 18接續於加熱器16之供電用配線17。加熱器16可急速加 熱至1000eC以上之高溫。 又’中空圓筒體11之周圍，設有將其包圍之中空轉軸2〇 ，中空轉軸20係藉軸承21以與中空圓筒體無關之方式，旋 轉自如地安装於基體1〇。中空轉軸2〇上安装有皮帶輪22， 可介以皮帶23由圖未示之馬達旋轉驅動。 中空轉軸2 0之上端’係藉由只表示一部份之鐘罩2 4延伸 至基體10之上面上方所形成的反應室25内，其上端係介以 鍵26固定有碳製之支持圓盤27。支持圓盤”上，以與支持 圓盤27可一體旋轉之方式安裝有石英玻璃、碳或陶瓷製之 支持環28。 、支持環2 8係包圍加熱器支持件12、反射板14及加熱器16 之外周，較加熱器16更向上方延伸。

支持環28之上端形成有階部31，階部31上嵌固有環狀之 :¾圓保持板32,晶圓保持體32之上面偏内周處形成之階部 内，係供保持晶圓W。由晶圓保持體32所 ，係被置成與加熱器16具有一定之間隔。〜圓W 支持環28之外周，同心狀地配置有與其具有—定間隙之 表紙張尺度適用中國 ----^------( ' 裝------訂----„---ί·ν . · - . (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（5 圓筒狀的保溫筒40。保溫筒40係由石英玻璃或玻璃狀碳所 形成。 其次，茲説明上述氣相成長裝置之動作。 在對加熱器16供電進行加熱的同時，令中空轉軸2〇旋轉 ，而使晶圓保持體32及晶圓W旋轉。晶圓w與晶圓保持體 32係藉加熱器16加熱。 晶圓保持體3 2係以將間隔保持於一定値之方式支持晶圓 W，並由加熱器16所加熱，據此而將晶圓…之外周加熱， 抑制該外周之溫度降低’具有使晶圓W之中心以至外周爲 止之全區域’成爲均一之溫度分布的功能。 當將晶圓W急速加熱至一定之氣相成長溫度，例如丨〇〇〇 C以上時，係將反應氣體於圖1中自上方朝晶圓w流下，藉 此而實施氣相成長。此時，不只是晶圓w之表面，晶圓保 持體32之表面上也形成有氣相成長膜。作爲反射板之材質 ，將等向性碳與玻璃狀碳比較時發現，等向性碳之場合， 會產生塵埃，在第一片晶圓時，即不得不中止使用，而在 使用玻璃狀碳之反射板時，晶圓至少在一千片後，仍能使 用0 特別是800-1150°C爲止可作90秒之高速昇溫的氣相成長 裝置，若使用本發明玻璃狀碳製反射板，可使氣相成長膜 厚之產率提高。 _ 圖面之簡單説明 圖1係本發明實施例之概略斷面圖。 -8 - 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇X297公釐） ---^-----^裝------訂----^---C i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

1. Α8 Β8 C8 D8

   申請專利範圍 1. -種氣相成長裝置，係在反應室之内部以晶 持晶圓，並在由上述晶圓保持體所支持之晶圓的下 置加熱器，而在加熱狀態下於晶圓表面進行氣 Z， 其特徵係在： 成長; 設有將上述加熱器之至少朝下的熱予以反 4、久射板 ’上述反射板係由玻璃狀碳所形成者。 2. 根據申請專利範圍第1項之氣相成長裝置，其中該反射 板之表面中，至少朝向上述加熱器之部份的表面，具有 Ra(K〇〇l-〇.〇5//m之表面粗缺度者。 3·根據中請專利範圍第丨項之氣相成長裝置，其中該加熱 器係可急速加熱至1 〇〇〇。(：以上之高溫者。 4·根據申請專利範圍第丨項之氣相成長裝置，其中該玻璃 狀碳，其容積密度係1.50-1.60 g/cm3，抗彎強度係100 MPa以上者。 5.根據申請專利範圍第丨項之氣相成長裝置，其中該反射 板係由圓板狀之底部及圓筒狀之側部所構成，在由此等 部份所形成之圓筒空間内，係配置有上述加熱器者。 I I n n I ( 裝 I mu J ^ ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 -9 - 本紙張尺度逋用中國國家榡準（CNS ) ( 210X297公釐）