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經清部中央標準局男工消费合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（f ) 〔發明範蟠〕 本發明係是有關於粘附至一離子束植入器之内表面上 之污染材料之移去，更特定而言之’本發明係是有關於一 利用該離子束來將在一離子束植入器中之污染材料移去之 方法。 〔發明背景〕 離子束植入器係被用來植入或〃摻雜"雜質至矽晶片 上以產生η型或P型的不纯材料。該η型和p型不純材料 是被用在半導體積體電路之製造上。如其名稱所意指者* 該離子束植入器係在該矽晶Μ中來摻雜—特定種類的離子 Μ產生所須的不纯材料。自一例為銻、砷或磷之原始材料 所產生之植入離子，其係會產生一 η型的不純材料晶片。 假如要得到Ρ型不純材料晶片的話’自一例為硼、鎵或銦 之原始材料所產生之離子將會被植入° 該離子束植入器係包括有一離子源’該離子源係用來 自一可離子化原始材料來產生帶正電荷之離子。該被產生 之離子係被形成為一離子束，且其是沿著—至一植入站之 之預定離子路徑來被加速。該離子束植入器係包括有延伸 介於該離子源和該植入站間之離子形成和造形结構。該離 子形成和造形结構係維持該離子束，且其係圍繞出一長條 狀内部凹六區間，在此，該離子束係移動通過該内部凹穴 區間而到達該離子束植入站。當操作該離子束植人器時’ 該内部凹穴區間必須被形成為真空Κ減少離子因和空氣‘分 -3- 本紙張尺度適用中國國家標车（CNS ) A4規格（210X297公嫠） ---------^------1Τ--^---1^ (請先閣讀背面之注意事¾..^寫本頁) Γ866. ΑΊ B7 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 五、發明説明 ( 1 ) 1 1 I 子 相 撞 之 故 而 被 偏 向 離 開 該 預 定 的 離 子 束 路 徑 0 1 | 最 近 9 工 業 界 亦 官 試 使 用 離 子 束 植 入 器 來 製 造 平 板 顯 ••I | 示 器 0 平 板 顯 示 器 是 經 常 被 使 用 在 可 攜 式 個 人 電 腦 上 0 該 請 先 1 1 閱 I 攜 式 個 人 電 腦 之 顯 示 器 不 是 用 — 陰 極 射 線 管 來 顯 示 文 字 和 讀 背 I 塊 玻 A 1 圖 案 〇 取 而 代 之 > 其 是 使 用 一 覆 蓋 有 非 晶 質 矽 之 之 I 注 1 璃 基 板 » 該 非 晶 質 矽 塊 體 係 支 撐 一 用 來 驅 動 該 顯 示 器 之 不 意 1 I 連 壤 圖 像 元 件 ( 像 素 ) 之 電 極 陣 列 〇 在 製 造 期 間 該 玻 璃 1 1 寫 裝 1 是 被 覆 蓋 上 —* 圖 案 化 之 光 阻 材 料 m 後 9 其 是 被 插 入 —* 離 頁 子 植 入 室 中 藉 此 來 自 該 離 子 源 之 離 子 束 是 可 處 理 該 平 1 I 板 顯 示 器 〇 使 用 一 離 子 束 植 入 器 來 製 造 一 平 板 顯 示 器 其 1 | 係 須 要 大 較 大 斷 面 之 離 子 束 Μ 將 離 子 植 入 至 該 平 板 m 示 器 1 1 訂 之 整 個 寬 度 上 〇 1 對 於 現 存 之 高 電 流 離 子 束 植 入 器 而 在 該 離 子 植 入 I 站 上 之 晶 片 是 被 安 裝 在 — 旋 轉 支 撐 器 之 — 表 面 上 0 如 該 支 1 1 撐 器 旋 轉 時 該 晶 片 係 會 移 動 通 過 該 離 子 束 〇 沿 著 該 離 子 1 線 1 束 路 徑 來 移 動 之 離 子 其 係 和 該 旋 轉 的 晶 片 相 撞 後 來 被 植 人 至 該 晶 片 中 C- — 機 器 人 手 臂 是 白 一 晶 Η 匣 中 取 出 要 被 1 | 處 理 之 晶 片 妖 後 將 該 晶 片 置 放 在 __. 該 晶 片 支 撐 表 面 上 0 1 I 在 處 理 之 後 ， 該 mt m 器 人 手 臂 係 將 該 晶 片 自 該 晶 片 支 撐 表 面 1 1 上 移 去 tw\ 後 其 再 將 該 被 處 理 好 的 晶 片 重 新 置 回 該 晶 片 匣 .Ί 1 中 〇 在 使 用 一 離 子 束 植 入 器 來 製 造 平 板 顯 示 器 上 該 平 板 ：1 I 是 被 安 装 在 一 支 撐 器 上 > 該 支 撐 器 係 將 該 平 板 置 放 在 — 具 1 I 有 擴 大 區 域 的 離 子 束 中 9 其 中 4- • 該 具 有 擴 大 區 域 的 離 子 '束 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中囷國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作杜印策 A7 B7 五、發明説明（\) 是藉由在一離子源中之多重出口孔洞所形成° 一離子束植入器之操作係會造成一定污染物材料之產 生。這些污染物材料係粘附至該離子束植入器離子束形成 和造形结構鄰近該離子束路徑之表面上’及粘附至該晶片 支撐器面對該離子束之表面上。該汚染物材料係包括有被 產生在該離子源中之不受歡迎的離子種類’其是具有不正 確原子重量之離子。 另一種污染物材料之來源是起源於操作該離子束植入 器K在連讀的植入中來植入不同種類的離子。使用相同的 離子束植入器來達成不同離子的植入是為一普通的操作。 例如，該離子束植人器是可被用來植人一具有單位原子重 量（AMU，atomatic mass unit) 為1 1之砸離子至一多數的晶片中。在該硼雛子植入之後 ，吾人係可來植入一具有單位原子重量為7 5之砷雛子。 如此之有不同種類離子之連續植入•其會導至該第二次植 入晶片會有該第一次植入之離子之污染。這種污染是被定 義為〃交叉離子種類污染"。 另一種污染是為光阻材料。在該晶1=1離子束處理之前 ，光阻材料是被塗覆在該晶片表面上*該光阻材料是用來 界定在該完成積體電路上之電路。當離子撞擊在該晶片表 面上時，光阻材料鍍層之粒子會自該晶片上來被排出而掉 落至該晶片支撐器之表面上或是鄰近該離子束形成和造形 结構之内部表面上。 ' -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） ---------裝-- (請先閱讀背面之注意事t ..填寫本頁) 訂 線 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( ) 1 1 | 經 常 地 該 污 染 材 料 會 堆 積 在 該 離 子 束 形 成 和 造 形 结 1 搆 及 該 晶 片 支 撐 器 表 面 上 且 其 會 滅 少 該 離 子 束 植 入 器 之 y—V ••I | 效 率 和 該 被 處 理 之 晶 片 之 品 質 0 當 該 污 染 物 材 料 堆 積 在 該 請 先 1 閱 I 離 子 束 植 入 器 之 元 件 表 面 上 時 9 該 污 染 物 材 料 之 上 層 係 會 讀 背 1 因 撞 擊 在 該 污 染 物 上 之 離 子 束 而 剝 落 或 脫 離 該 剝 m 或 脫 面 之 注 1 I 離 之 污 染 物 會 產 生 放 電 及 污 染 該 晶 片 之 雛 子 植 入 0 有 些 脫 意 1 I 離 的 污 染 材 料 係 會 沿 著 該 離 子 束 路 徑 來 移 動 到 達 該 植 入 站 1 1 上 m 後 被 植 入 該 晶 片 中 〇 如 此 之 污 染 材 料 係 改 變 該 晶 片 之 % 本 頁 裝 1 電 氣 特 性 〇 甚 至 當 —- 少 童 的 污 染 物 材 料 亦 可 能 會 造 成 該 被 1 I 植 入 之 晶 片 無 法 被 適 用 在 其 所 欲 達 成 之 巨 的 上 用 在 積 體 1 1 1 電 路 之 製 造 0 1 1 除 此 之 外 污 染 物 在 該 離 子 植 入 器 之 内 部 表 面 上 之 堆 訂 1 積 其 將 會 降 低 某 些 特 離 子 束 形 成 和 造 形 元 件 之 效 率 〇 1 例 如 該 離 子 束 係 移 動 通 過 一 離 子 束 中 和 裝 置 其 係 部 分 1 1 I 地 中 和 該 m 正 電 荷 之 離 子 束 使 得 該 被 植 入 之 晶 片 不 會 由 因 丨 該 離 子 束 之 作 用 而 帶 電 荷 〇 該 離 子 束 中 和 裝 置 係 產 生 二 次 線 1 電 子 發 射 以 在 當 該 離 子 束 通 過 該 離 子 束 中 和 装 置 時 來 部 分 1 I 地 該 帶 正 電 荷 之 離 子 束 0 污 染 材 料 在 該 離 子 束 中 和 裝 置 表 1 1 1 面 上 之 堆 積 其 係 會 妨 礙 該 二 次 電 子 發 射 過 程 0 1 1 該 被 沈 積 在 該 離 子 束 植 入 器 内 部 表 面 上 之 污 染 物 必 須 1 1 被 週 期 性 地 清 除 〇 自 該 離 子 束 形 成 和 造 形 结 構 上 來 除 去 污 I 染 材 料 係 須 要 來 分 解 該 離 子 束 植 入 器 C 該 被 污 染 的 元 件 是 1 1 I 白 該 離 子 束 植 入 器 上 來 被 拆 下 6- 在 此 因 為 某 些 摻 雜 材 料 為 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨OX297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 Α7 Β7 五、發明説明（ς ) 有毒之故，該被拆下之受污染元件是被送至一清潔站中來 被清理。該受污染元件之表面是Μ溶劑和磨料來擦拭之’ 藉此Κ移去該污染物材料。然後，該離子束植入器是被重 新組裝和測試以再來進行晶片處埋。 以植入器停機時間來視之，此一清潔程序係意眛著重 大的經濟成支出。除此之外，清潔該元件所須之時間及重 新組合該離子束植入器是為一緩慢的過程。該離子束植人 器元件必須被精確地對齊以使該植入器可正確地操作。除 此之外，在重新操作前，在該植入器內部區間中之真空必 須被重新地建立。最後•在此為一標準操作程序，直到該 植入器是藉由對試測晶片來植入離子和對該試測晶片來作 評估而重新確認該植入器可來重新進行離子植入後，該植 入器才可重新進行生產。 〔發明揭示〕 本發明係提供在原有位置上來移去粘附至一離子束植 入器之内部表面上之污染物材料。在本發明之離子耒植入 器中，離子是自一原始材料中來被引出，然後形成一離子 束沿著一離子束路徑來移動。來自該離子東之離子係使該 污染物材料自植入器之一真空區間上脫離，然後，該污染 物是自該植入器中來被移去。 依據本發明之一個實施例，該離子植入器係包括有一 質量分析磁_用來產生一磁場，該離子束在其移動到達一 植入隔室之路徑上係可通過該磁場。該質量分析磁鐵是1為 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Α4規格（210X297公釐} 請先閱讀背面之注意事項^也寫本頁 .裝* 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（〇 可旋轉κ改變該離子束移動通過該磁場之方向。一個植入 器控制器係藉由稍微地偏調該質量分析磁鐵來造成該離子 束來撞擊在該離子束植入器之内部表面上。 該植入器亦包括有一姐的電極被置放來環繞該離子束 路徑之一部分，該電極是可調整地被通Μ電流Μ當該離子 束移動通過該成組的電極時來改變該離子束之方向。該控 制器係藉由調整該電極電位來造成該離子束撞擊在該離子 植入器之内部表面上。 較佳地，該控制器係Κ 一選定的重覆模式來改變該質 量分析磁鐵之調整•其中，該模式之一例係為該離子束重 覆地掃過該要被清潔的表面。同樣地，該電極電位是可被 重覆地改變Μ使該離子束在該要清潔的表面上來重覆地掃 描。 該控制機構亦包括有離子束中和裝置，其係產生一二 次電子發射磁場，其中，該電子束係移動通過該二次電子 發射磁場。該中和裝置是被通過電流以在當該離子束移動 通過該電子場時來增加該離子束之分散度，藉此Μ造成在 該離子束中之離子來撞擊該中和裝置之下游表面和該晶片 支撐器面對該離子束之表面。 一依據本發明之一簧施例來構建之離子束植入器，其 係包括有一用來自一離子源隔室發射離子之離子源，該離 子源隔室係有一或多數的出口孔洞。該離子是藉由電極來 自該離子源隔室中來被吸引而出*其中，該電極是相對'於 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉Α4規格（210X297公釐） ---------裝— 請先閱讀背面之注意事,换寫本頁) 訂 線 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（q ) 該離子源隔室之該為一或多數的出口孔洞來被置放’ 3亥電 極係造成該離子來離開該離子源隔室而形成一離子束。離 子束界定结構係環繞一真空區間’該真空區間係界定一來 自該電極结構之離子束移動路徑° 一離子束植入隔室係、包 括有—用來支撐一工件之结構，該工件係和移動通過自該 離子源至該植入隔室之·離子束移黢5路徑然後進人該植人隔 室中之離子束相交。 __離子源係導引材料進入該離子束植入器中，該材料 係和汚染物材料交互作用’在W離子束來處理工作期間’ 該污染物材料係和環绫該離子束植人器之真空區間之结構 相接觸。一植，入控制器係在當該離子束自該難子源經由真 空區間移動至該植入隔室中時來控制該離子束。一幫浦係 自該離子束植入器之真空區間來移出該被脫離的污染物材 料 較佳地，一離子源材料是被利用來產生離子和該被脫 離的污染物材料化學地相结合，藉此K形成具揮發性種類 之污染物材料，該具揮發性之污染物材料是可藉由該幫浦 來被抽出移去。 本發明之上述和其它目的、優點和特色，其將藉由；Φ; 發明以下之一較佳實施例之詳细揭示而被更佳地了解，其 中，該實施例是藉由參考所附圖式來被揭示。 〔圖式簡述] 圖式1是為一頂視、部分剖面圖，其顯示一離子束'植 (請先閱讀背面之注意事埃寫本頁 -裝 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 298661 A7 B7 五、發明説明（欠） 入器，該離子束植入器係包括有一離子源、一離子束形成 和造形结構及一植入隔室； (請先閱讀背面之注意事^¼寫本頁) 圖式2是為圖式1之該離子束植入器總成之一四路傳 輸總成之一放大的頂視圖； 圖式3是為圖式2之該四路傳輸總成自圖式2之線3 一 3所指示之平面看去所得到之一離子束分解平板之一前 方正視圖； 圖式4是為圖式2之該四路傳輸總成自圖式2之線4 -4所指示之平面看去所得到之一四路傳輸總成之一四路 傳輸總成護罩； 圖式5是為圖式1之該離子束植入器之一離子束中和 裝置之一放大頂視圖； 圖式6是為一離子束植入器之一頂視圖，其中，該離 子束植入器是被用來植入離子至一平板中，該平板是用在 平板顯示器中； 經濟部中央標隼局員工消費合作社印繁 圖式7是為一離子束植入器之一正視圖，其中，該離 子束植入器是被用來植入離子至一平板中，該平板是用在 平板顯示器中；及 圖式8是為一離子束植入器隔室之一部分之一放大剖 面視圖，該隔室中係有電極用來在該離子束植入器隔室中 實施燁光放電清洗。 〔實施本發明之最佳模式〕 〔離子束植人器之操作〕 ' -1 0 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A7 __ B7 _ ~ · ~ 五、發明説明（) 現在請參考圖式’圖式1係揭示一大致以參考標號工 ◦來指示之離子束植入器，該離子束植入器係包括有〜離 子源1 2，一大致从參考標號i 3來指示之用來形成和造 型一雛子束1 4之结構和一植入站i 6。控制電子裝置工 1係監視和控制由該晶片所接收到之離子劑量，其ψ ,該 晶片係位在一在該植入站1 6上中之植入室1 7中。在該 離子束中之離子係M —在圖式中以參考標號D之指示之預 定、要求的路徑來移動。當該離子束移動通過介於該離子 源1 2和該植入站1 δ間之距離時，該離子束路徑〇係會 有不同的離子束分散量。由離子束分散所造成之該預定離 子束路徑D之〃限制〃，其係分別在圖式丨中K D ,和D 〃來標示之。 該離子源1 2係包括有一電漿室丨8 ,該電漿室丄8 係界定一内部區間’離子源材料是被噴入該内部區間中。 該離子源材料係可包括有一可離子化的氣體或是可被蒸發 的離子源材料。Μ固態形式存在之離子源材料是被置放在 一成對的蒸發器1 g之間。然後，該被蒸發的離子源材料 是被噴射進入該電漿室中。假如須要一 n型雜質的晶片材 料的話，該離子源材料將會使用硼、鎵或銦。鎵和絪是為 固體的離子源材料’而硼是Μ —氣體的狀態來被噴射進入 該電獎室1 8中，一般而言，硼蒸氣是會以三氟化硼或是 乙砸院之型式存在，此是因為砸的蒸氣壓太低而無法在一 可使用的壓力下僅藉由加熱它來獲得砸蒸氣之故。 ‘ -U - 本纸張尺度ϋ財DU家私（GNS ) Μ· ( 2丨。Χ297公釐》 ~ .—r 請先閱讀背面之注意事項t %寫本頁 -裝- 訂 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ΚΊ Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印袈 五、發明説明（ 1 C ) 1 1 | 假 如 要 產 生 一 Ρ 型 的 雜 質 材 料 的 話 > 則 就 須 選 用 銻 、 1 J I 砷 或 m 來 作 為 該 固 體 離 子 源 材 料 0 能 量 是 被 施 加 至 該 離 子 1 源 上 在 該 電 漿 室 中 來 產 生 帶 正 電 的 離 子 〇 該 市 正 電 的 離 請 1 1 子 係 經 由 一 在 一 覆 蓋 板 子 2 0 中 之 一 橢 圓 形 圓 弧 细 縫 來 離 閱 ft 背 1 1 開 該 電 漿 室 的 内 部 其 中 該 覆 蓋 平 板 2 〇 係 覆 蓋 該 電 漿 ί? 之 注 1 1 室 1 8 之 一 開 放 側 邊 0 意 事 1 % —. 利 用 微 波 能 量 來 使 離 子 源 材 料 離 子 化 之 離 子 源 其 r 埃r I 是 被 揭 示 在 美 國 專 利 申 請 案 第 〇 8 / 3 1 2 1 4 2 號 案 % 本 頁 裝 1 中 ( 串 請 曰 為 1 9 9 4 年 9 月 2 6 曰 且 其 是 被 受 諶 予 本 1 1 案 之 受 讓 人 ) 0 該 美 國 專 利 串 請 案 第 〇 8 / 3 1 2 1 4 1 1 I 2 號 案 是 整 個 被 併 入 本 案 中 Κ 作 為 參 考 用 0 該 離 子 束 1 4 I 1 係 移 動 通 過 一 自 該 離 子 源 1 2 至 該 植 入 室 1 7 間 之 為 真 空 訂 1 的 路 徑 在 此 該 植 入 室 1 7 亦 是 為 真 空 的 C- 該 離 子 束 路 I 徑 之 真 空 是 由 真 空 幫 浦 2 1 來 達 成 之 1 1 I 在 該 電 漿 室 1 8 中 之 離 子 是 藉 由 多 數 的 電 極 2 4 來 被 1 吸 引 通 過 在 該 電 漿 室 覆 蓋 平 板 2 0 中 之 弧 形 细 縫 和 被 加 速 線 1 移 動 朝 向 一 質 量 分 析 磁 鐵 2 2 其 中 該 多 數 的 電 極 2 4 1 I 係 鄰 近 該 電 漿 室 覆 蓋 平 板 2 0 C 該 電 極 2 4 係 白 該 電 漿 室 1 1 1 之 内 部 來 吸 引 該 離 子 ， 並 且 使 該 離 子 加 速 移 動 進 入 一 由 該 1 1 質 量 分 析 或 解 析 磁 鐵 2 2 所 環 繞 的 區 域 中 η 該 成 組 的 電 極 1 2 4 係 包 括 有 __· 抑 制 電 極 2 6 和 一 吸 引 電 極 2 8 > 該 吸 引 I 電 極 2 8 係 藉 由 一 成 組 的 三 個 圓 球 狀 m 緣 器 3 0 來 和 該 抑 I 1 | 制 電 極 2 6 間 隔 相 距 ( 其 中 只 有 一 個 圓 球 狀 絕 緣 器 3 ◦ '可 1 1 - 12 - 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐〉 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印袈 五、發明説明（ ιί ) 1 1 1 見 於 圖 式 1 中 ) 0 在 該 離 子 束 植 入 器 之 操 作 期 間 » 該 抑 制 1 I 電 極 2 6 是 被 通 Μ 一 負 電 壓 的 電 流 藉 此 以 使 離 開 該 電 漿 1 \ 1 | 室 1 8 之 離 子 回 流 的 可 能 性 減 至 团 m 小 t:， 該 電 漿 室 1 8 是 藉 請 先 1 1 由 該 控 制 電 子 裝 置 1 1 來 通 Μ 具 有 高 正 電 壓 的 電 流 9 而 該 閱 讀 背 1 1 吸 引 電 極 2 8 則 是 被 接 地 藉 此 白 該 電 漿 室 1 8 中 來 吸 面 1 1 引 m 正 電 的 離 子 〇 每 — 個 電 極 2 6 2 8 係 包 括 有 相 互 配 事 1 | 合 的 半 圓 形 的 圓 盤 半 部 各 圓 盤 半 部 間 係 間 隔 相 距 以 界 定 1 1 —- 間 隙 在 此 離 子 係 通 過 該 間 隙 0 % 本 頁 裝 1 沿 著 該 離 子 束 路 徑 1 4 來 移 動 之 離 子 其 係 白 該 離 子 '—- 1 I 源 1 2 來 移 動 進 入 一 由 該 質 量 分 析 磁 m 2 2 所 構 成 之 磁 場 1 1 1 中 〇 該 質 量 分 析 磁 m 是 為 該 離 子 束 形 成 和 造 型 结 構 1 3 之 1 1 訂 1 一 部 分 且 其 是 被 支 撐 在 一 具 有 磁 性 的 殻 體 3 2 中 C 該 磁 場 之 強 度 和 方 向 是 由 該 控 制 電 子 裝 置 1 1 來 控 制 之 0 該 質 I 量 分 析 磁 鐵 2 2 係 包 括 有 一 磁 場 繞 組 ( 未 被 顯 示 ) 所 環 繞 1 1 1 之 磁 軛 ( 未 被 顯 示 ) 該 磁 場 強 度 是 藉 由 調 整 流 過 該 磁 場 V 1 m 組 2. 電 流 來 控 制 之 沿 著 白 該 質 量 分 析 磁 锁 2 2 至 該 植 線 1 入 站 1 6 離 子 束 移 動 路 徑 » 該 離 子 束 1 4 是 被 更 進 __· 步 1 1 地 造 形 和 估 定 0 因 為 自 該 量 分 析 磁 鐵 15 體 3 2 之 商 電 壓 1 1 I 至 該 接 地 之 植 入 室 1 7 電 位 降 該 離 子 是 被 加 速 C' 1 1 該 質 量 分 析 磁 鐵 2 2 係 造 成 僅 有 那 Jib 具 有 正 確 質 量 之 1 離 子 到 達 該 離 子 植 入 站 1 6 中 C 該 離 子 源 材 料 在 該 電 漿 r 1 1 室 1 8 中 之 離 子 化 係 會 產 生 — 種 具 有 — 須 要 原 子 量 之 帶 正 1 1 I 電 離 子 0 i \ »v 而 1 除 了 這 些 須 要 的 離 子 外 1 該 離 子 化 過 程 亦 1 1 - 13 - 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2)0Χ297公釐） A7 B7 會產生 有原子 被植入 由 離子束 來使僅 之離子 中0 該 地來言 "包絡 斥力量 的離子 在 五、發明説明（ 一部分的離子’其並不會具有該正確的原子量°具 量高於或低於該正確原子質子之離子’其不適合來 ，且其是為不受歡迎種類的離子° 該質量分析磁鐵2 2所產生之磁場’其係造成在該 中之離子Μ一彎曲的軌跡來移動。該磁場是被建立 有具有一原子質重相同於該所須離子種類之原子量 會移動通過該離子束路徑而到達該離子植入室1 7 所須種類之離子會沿著該路徑D來移動’或更正確 之，其係會在由D'和D 〃所界定之該離子束路徑 ，'中來移動，此是因為帶相同電荷離子間之相互排 之结果，該離子束缌是會有某一程度的分散（所有 皆是帶正電）。 圖式1中，一由參考標號"Η "所指不之路徑，其 請 閱 讀 背 ¢7 之 注 意 1. 填 % 裝 本衣 頁 -訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印策 一 種" 進重較類 _ 來 此要號行子是種磁 k , 須考所質约要析 D 中之參子 一 大須分徑 其入由離有 ί 該量路 , 植一 之是量 於質束 徑被。迎子子重該子 路該 丨歡雛原遠過雛 跡於%受之之或經要 軌重 ο 不迎子於在須 之遠 L0 一 歡離輕其的 進 量重另 受之遠，定 行重較明不類量子預 所子是說一種子離該 子質約是另要原迎離 離一大其此須 I 歡偏 之有 ί - ，之 有受地 迎是量徑中人些不度 歡子子路其植 這之輻 受離原之，被。量Λ 不 之 之示徑該丨.子係 一 迎子指路於 ％ 原時 明歡離所跡輕 ο 之場 說受之 Ϊ 軌遠 5 子磁 是不類 L 之量重離之 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X29?公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ ) 1 1 1 撞 擊 在 該 質 量 分 析 磁 m 之 殼 體 3 2 上 0 1 I 該 離 子 束 形 成 和 造 型 结 構 1 3 進 — 步 係 包 括 有 —* 四 路 1 ••1 1 傳 輸 總 成 4 〇 一 樞 接 的 法 拉 弟 杯 狀 物 4 2 和 — 離 子 束 中 請 先 1 1 和 器 4 4 0 該 四 路 傳 輸 總 成 4 0 係 包 括 有 一 組 的 磁 m 4 6 閲 讀 背 1 1 被 等 向 來 環 繞 該 離 子 束 1 4 > 該 組 磁 鐵 4 6 是 藉 由 該 控 制 冬 1 1 電 子 裝 置 ( 未 被 顯 示 ) 來 選 擇 性 地 通 以 電 流 藉 此 Μ 調 整 意 1 1 | 該 離 子 束 1 4 之 高 度 0 該 四 路 傳 輸 總 成 4 〇 是 被 支 撐 在 一 1 1 殼 體 5 0 中 該 殼 體 5 〇 是 位 在 介 於 該 隔 室 1 7 和 該 磁 m 本 頁 裝 1 2 2 之 間 0 1 I 一 離 子 束 解 析 平 板 5 2 是 被 耦 連 至 該 四 路 傳 輸 總 成 4 1 1 1 〇 -X. 一 端 部 上 而 面 對 該 法 拉 弟 杯 狀 物 4 2 〇 該 離 子 束 解 析 1 1 平 板 5 2 是 由 玻 璃 狀 石 墨 所 構 成 且 其 是 被 顯 示 在 圖 式 3 iT 1 中 0 該 解 析 平 板 5 2 係 包 括 有 一 長 條 狀 的 孔 洞 5 6 當 在 I 該 離 子 束 1 4 中 之 離 子 離 開 該 四 路 傳 輸 總 成 4 0 時 該 離 1 1 1 子 束 1 4 係 會 移 動 牙 過 該 長 條 狀 孔 洞 5 6 0 該 解 析 平 板 5 1 2 亦 包 括 有 四 個 埋 頭 孔 5 8 0 螺 絲 ( 未 被 顯 示 ) 係 將 該 解 線 1 析 平 板 5 2 固 定 至 該 四 路 傳 輸 總 成 4 0 上 0 在 該 解 析 平 板 1 | 5 2 上 該 離 子 束 由 包 絡 D / 、 D // 之 寬 度 所 界 ί-»— 疋 之 分 散 1 1 | 程 度 其 是 由 — 最 小 值 亦 就 是 說 該 D 、 D // 間 之 寬 度 1 1 在 該 離 子 束 1 4 移 動 通 過 該 解 析 平 板 孔 洞 5 6 的 地 方 有 一 ；1 1 t5f 取 小 的 值 〇 ：| I 該 解 析 平 板 5 2 係 和 該 質 量 分 析 磁 鐵 2 2 一 起 作 用 來 1 1 1 減 少 來 自 該 離 子 束 1 4 之 不 受 歡 迎 的 離 子 種 類 j 其 中 ，'該 1 1 - 15 一 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 五、發明説明（a) 不受歡迎的離子種類係有一原子量接近於（但不相等於） 該為所須種類離子之原子量。如Μ上所說明者，該質量分 析磁鐵磁場之強度和方向，其是由該控制電路1 1來建立 之，因此，只有該具有一原子量相同於該須要種類離子之 原子量之離子，其才會移動通過該預定的須要離子東路徑 來到達該植人站1 6中。有一原子量遠大於或遠小於該須 要離子原子量之離子，其係會被大輻度地偏射來撞擊至該 殼體5 0上。 然而，假如一不受歡迎的離子之原子量是"接近〃該 須要種類離子之原子量的話，該不受歡迎之離子之移動軌 跡將只會自該要求的離子束路徑D上來被稍微地偏離一小 距離。如此之自該要求的離子束路徑D有一稍微偏離之不 受歡迎離子，其將撞擊該解析平板5 2之一面對上游的表 面。長久如此，該撞擊該解析平板5 2之不受歡迎種類之 離子將會堆積在該解析平板5 2上。 例如，Κ硼離子來產生Ρ型雜質材料之離子植入晶片 ，其係為一典型的離子束植入器操作。該所須之植入離子 種類係為一包括硼1 1之離子，亦就是具有一為1 1個原 子質量單位之質量之硼離子。然而，經驗告訴我們，在該 電漿室1 8中之包括硼蒸氣之離子化原始材料，其亦會產 生其它的硼同位素，硼1 0 ，其係為一具有質量為1 0個 原子質量單位之硼。包括硼1 〇之離子是為不受歡迎種類 之離子。 ' -1 6- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X29?公釐） ---------裝— 請先閱讀背面之注意事填寫本頁 、?τ 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 經濟部中央標準局員工消費合作社印策 A 7298661__b7 五、發明説明（k) 因為該二同位素（硼10和硼11)之原子量係僅有 1 0%之差別，包括該硼1 〇同位素之不受歡迎種類離子 之軌跡，其係接近該須要之硼1 1離子束路徑D之軌跡" 然而，因為該質量差，包括硼1 0之離子是會稍微地脫離 該要求的離子束路徑D，因而撞擊在該解析平板5 2上。 包括該硼1 0同位素之離子，其是由該解析平板5 2來被 防止到達該植入站1 6中和來被防止植入在一晶片上° 該四路傳輸總成4 0是由一支撐托架6 0和一支撐平 板6 2所支撐。該支撐托架6 0是被耦連至該殼體5 0之 —内部表面上，同時，該支撐平板6 2是藉由一多數的螺 絲來被耦連至該殼體50之一端部上（由圖式2中可以看 出，二個螺絲6 3係連结該支撐平板6 2至該殼體5 0上 )。一個四路傳輸缌成之護罩平板64 (被顯示在圖式4 中）是被附接至該支擋平板6 2上。該四路傳輸總成護罩 平板6 4係是由玻璃狀石墨所構成，且其係包括有一長方 形孔洞6 6和四個埋頭孔6 8。該埋頭孔6 8係用來接納 螺絲，該螺絲係將該四路傳輸總成護罩平板6 4固定至該 支撐平板62上（由圖式2中可Μ看出，二個螺絲70係 延伸通過二個埋頭孔6 8而來進入該支撐平板62中）。 該四路傳輸總成護罩平板6 4係保護該四路傳輸總成 4 0使其不會受到不受歡迎之離子之撞擊，藉此Μ避免該 不受歡迎之離子在通過該質量分析磁鐵之磁場後來撞擊該 骰體5 0，其中，該不受歡迎離子係有一原子量相當地 -1 7- (請先閲讀背面之注意事^ 4填寫本頁) -裝 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（2丨0 X 297公釐） ΑΊ Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印褽 五、發明説明（ Ο 1 1 1 接 近 該 須 要 種 類 離 子 之 原 子 量 j m 其 又 相 當 地 不 同 於 該 1 I 須 要 種 類 離 子 之 原 子 量 使 得 其 是 會 被 該 磁 場 來 偏 向 程 度 1 \! 1 此 一 偏 向 程 度 係 大 於 那 些 撞 擊 該 解 析 平 板 5 2 之 離 子 被 請 1 1 偏 向 之 程 度 〇 在 該 離 子 束 植 入 器 1 0 之 操 作 期 間 » 撞 擊 在 閱 讀 背 1 1 該 四 路 傳 輸 總 成 護 罩 平 板 6 4 面 對 上 游 之 表 面 上 之 鱷 子 ， 1 1 其 係 會 堆 積 在 平 板 6 4 上 0 1 ;真 1 | 由 圖 式 1 中 可 看 出 該 法 拉 第 杯 狀 物 4 2 是 位 在 介 1 1 於 該 四 路 傳 輸 總 成 4 〇 和 該 離 子 束 中 和 裝 置 4 4 之 間 0 該 焉 本 頁 裝 1 法 拉 第 杯 狀 物 4 2 是 被 可 樞 轉 地 耦 連 至 該 殼 體 5 0 上 藉 '—^ 1 | 此 其 是 可 被 樞 轉 進 入 一 和 該 離 子 束 1 4 相 交 的 位 置 上 Μ 量 1 1 I 測 該 離 子 束 特 性 〇 當 該 控 制 電 子 裝 置 1 1 決 定 該 離 子 束 之 1 1 特 性 滿 足 離 子 植 入 時 該 電 子 裝 置 1 1 係 造 成 該 法 拉 第 杯 -訂 1 狀 物 來 被 樞 轉 離 開 該 離 子 束 路 線 因 此 該 法 拉 第 杯 狀 物 不 I 會 干 涉 該 在 該 植 入 室 1 7 上 之 晶 片 植 入 〇 1 1 | 該 離 子 束 形 成 和 造 型 结 構 1 3 亦 包 括 有 該 離 子 束 中 和 1 線 1 裝 置 4 4 其 中 該 離 子 束 中 和 装 置 一 般 是 被 稱 為 電 子 流 產 生 裝 置 0 由 B e η V e η 1 S t e 所 申 請 之 美 國 專 利 第 1 I 5 > 1 6 4 5 9 9 號 ( 在 1 9 9 2 年 1 1 月 1 7 曰 公 告 1 1 | ) 其 係 揭 示 在 一 離 子 束 植 入 器 中 之 電 子 流 產 生 裝 置 9 該 1 1 專 利 前 案 是 整 個 被 併 入 本 案 中 Μ 作 為 參 考 用 0 白 該 電 漿 室 ；1 1 1 8 中 來 被 吸 引 而 出 之 離 子 赘 其 是 帶 有 正 電 荷 假 如 在 該 • 1 1 晶 片 之 離 子 植 入 前 j 該 離 子 束 之 淨 正 電 是 未 被 中 和 的 話 1 1 | 該 被 摻 以 雜 質 之 晶 片 將 會 呈 現 —* 淨 正 電 〇 如 在 該 / 5 9' 9 1 1 - 18 - 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 五、發明説明（ 丨。 ) 1 1 | 號 專 利 案 中 所 揭 示 者 9 在 — 晶 片 上 之 淨 正 電 係 會 有 — 不 受 1 I 歡 迎 的 特 性 0 i •·| I 該 被 顯 示 在 圖 式 5 中 之 離 子 束 中和裝置4 4 係 包 括 有 請 先 1 1 —* 偏 壓 孔 洞 7 0 、 — 靶 板 7 2 和 . 延 伸 管 子 7 4 〇 該 偏 壓 閱 讀 背 1 1 孔 洞 7 0 靶 板 7 2 和 延 伸 管 子 7 4 之 每 一 者 係 為 中 空 的 冬 1 1 i 且 當 其 被 组 合 時 其 係 界 一 具 開 放 端 部 之 圓 筒 狀 内 部 意 4 填 1 區 間 9 在 此 該 離 子 束 1 4 係 移 動 通 過 該 圓 筒 狀 内 部 空 間 1 1 Μ 藉 由 二 次 電 子 放 射 來 被 中 和 0 該 中 和 裝 置 4 4 是 藉 由 一 % 本 頁 裝 1 被 連 接 至 該 殼 體 5 0 上 之 安 装 突 緣 7 6 來 被 置 放 在 該 殻 體 '—✓ 1 I 5 0 之 上 0 1 1 1 — 用 於 該 偏 壓 孔 洞 7 0 之 支 撐 元 件 7 8 係 白 該 安 装 突 1 1 緣 7 6 上 延 伸 而 出 〇 該 靶 板 7 2 是 被 固 定 至 該 支 撐 元 件 7 訂 1 8 上 0 該 延 伸 管 子 7 4 是 被 耦 連 至 該 靶 板 7 2 上 但 該 延 I 伸 管 子 7 4 是 和 該 靶 板 7 2 電 氣 隔 絕 〇 該 延 伸 管 子 7 4 是 1 1 1 藉 由 一 和 一 接 地 端 子 G 之 連 接 來 被 接 地 0 該 偏 壓 孔 洞 7 〇 1 是 被 施 加 一 負 電 荷 之 電 流 0 該 支 撐 元 件 7 8 係 界 定 — 用 線 1 來 18 冷 卻 流 體 循 環 之 内 部 通 道 ( 未 被 顯 示 ) 〇 1 I 該 支 撐 元 件 7 8 亦 支 撐 一 燈 絲 饋 電 器 8 0 該 燈 絲 饋 1 1 I 電 器 8 〇 係 和 — 組 的 燈 絲 ( 未 被 顯 示 ) 電 氣 相 耦 連 C‘ 該 燈 1 1 絲 係 延 伸 進 入 該 靶 板 7 2 中 當 該 燈 絲 被 通 以 電 流 時 其 :\ 1 ί系 發 射 高 能 量 電 子 該 高 能 量 電 子 係 被 加 速 來 進 入 該 靶 | 板 7 2 之 — 内 部 區 間 中 〇 該 高 能 量 電 子 係 撞 擊 該 靶 子 7 2 1 1 之 内 部 壁 恤 摘 0 該 高 能 量 電 子 和 該 靶 板 内 部 壁 牆 之 撞 擊 ，‘其 1 1 - 19 - 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標车（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 0 ) 1 1 I 係 會 造 成 低 能 量 電 子 之 發 射 ( 或 稱 二 次 電 子 發 射 ) 〇 1 I 當 該 在 該 離 子 束 1 4 中 之 帶 有 正 電 之 離 子 移 動 通 過 被 1 ·· 1 I 建 立 在 該 偏 壓 孔 洞 7 0 之 内 部 域 中 之 帶 有 負 電 之 電 場 時 請 先 I 1 > 該 離 子 束 之 射 束 分 散 度 之 程 度 係 會 增 加 〇 因 為 相 同 的 電 閱 讀 背 1 1 荷 > 該 帶 正 電 之 離 子 彼 此 之 間 m 地 會 有 一 互 相 排 ff 的 力 面 1 1 量 〇 使 該 離 子 束 1 4 移 動 通 過 該 偏 壓 孔 洞 其 係 會 增 加 該 i 事 1 離 子 束 之 分 散 度 〇 & 1 I 介 於 在 該 離 子 束 1 4 中 之 離 子 和 殘 留 氣 體 原 子 之 撞 擊 寫 本 頁 裝 1 » 其 係 會 產 生 低 能 量 電 子 該 低 能 量 電 子 使 得 一 高 密 度 離 S_ 1 I 子 束 之 傳 送 為 可 能 的 0 儘 管 有 此 一 空 間 電 何 中 和 該 離 子 1 1 | 束 之 電 位 是 高 於 須 要 的 電 位 0 被 蝕 刻 形 成 在 該 摻 雜 晶 片 上 1 1 之 電 路 ( 未 被 顯 示 ) 其 係 會 因 該 離 子 束 有 太 高 的 電 位 而 -訂 1 易 受 到 正 電 通 電 之 損 害 0 由 該 離 子 中 和 裝 置 4 4 所 產 生 之 I 低 能 量 二 次 電 子 其 是 由 該 *rf? 正 荷 之 離 子 束 1 4 所 吸 引 t 1 1 1 藉 此 以 進 一 步 降 低 該 離 子 束 之 電 位 0 降 低 該 離 子 束 之 電 位 丨 係 可 減 少 該 電 路 因 通 電 而 受 到 損 害 之 可 能 性 〇 該 偏 壓 孔 洞 線 1 7 0 係 作 用 如 同 一 閘 門 來 防 止 位 在 該 離 子 束 中 和 裝 置 4 4 1 I 上 游 處 之 離 子 束 1 4 因 缺 乏 中 和 電 子 而 會 有 正 電 荷 累 積 在 1 1 I 該 晶 片 上 C ‘ 在 此 當 該 離 子 束 缺 乏 中 和 電 子 來 中 和 時 該 1 1 離 子 束 1 4 將 會 因 空 間 電 荷 而 膨 脹 9 如 此 t 該 離 子 束 之 運 :丨 1 送 係 會 麥 得 非 常 沒 有 效 率 〇 I 一 氣 體 饋 送 管 路 8 2 係 延 伸 通 過 該 安 裝 平 板 7 6 和 該 1 1 | 靶 板 7 2 〇 低 濃 度 的 氬 氣 是 經 由 該 氣 體 饋 送 管 路 8 2 來'被 1 i - 2 0 - 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） Α7 Β7 經濟部中央標準局員工消费合作社印掣 五、發明説明（θ) 噴射進入該靶板之内部區間中。該二次電子之放射因該氬 氣之存在而被增強。 由圖式1中可Μ看出，該延伸管子之下游端部是鄰接 該植入室17，在該植入室17中由一晶片支撐器83 ( 圖式8)所支撐之晶片是被置入離子。在該離子束處理之 前，該晶片通常是會被選擇性地塗覆光阻材料。該光阻材 料主要是為碳氫化合物材料。當該離子撞擊在該晶片表面 上時，該光阻材料鍍層之粒子是自該晶片上脫離，且其會 沈積在該晶片支撐器8 3上。因為該延伸管子74是鄰近 該植入室1 7，在該離子束植人器之操作期間，該光咀材 料顆粒亦會沈積在該延伸管子7 4之内部和外部表面上° 一圓盤狀晶片支撐器8 3係被可旋轉地支撐在該植人 室1 7中。要被處理之晶片是***置在該植人室1 7中’ 且其是被置放接近該晶片支撐器之一周圍邊緣，且該支撐 器是藉由一馬達（未被顯示）來以每分鐘大約為1200 轉的速度來旋轉。當該晶片係Κ 一圓環的路徑來旋轉時’ 該離子束1 4係撞擊和處理該晶片。該植人站1 6係可相 對於該殼體5 0來樞轉，且該植入站1 6係藉由一可撓曲 的波浪管9 2 (圖式1 )來被連接至該殼體5 0上。該可 使該植入站1 6來樞轉之能力，其係允許該離子束1 4入 射在該晶片植入表面上之角度來被調整。 〔該離子束植入器在原來位置上之清理〕 在該離子束植入器1 0之操作期間，Μ摻雜材料和‘不 -21 - 本紙張尺度適用中囷國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -J1. (請先閱讀背面之注意itj填寫本頁 -裝· 訂 線 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 五、發明説明 ( ) 1 1 I 受 歡 迎 種 類 離 子 形 式 存 在 之 污 染 物 材 料 9 其 係 會 堆 積 在 該 1 1 離 子 束 植 入 器 鄰 近 該 離 子 束 1 4 之 機 件 之 表 面 上 > 例 如 像 ·. I 1 是 該 解 析 平 板 5 2 面 對 離 子 束 植 入 器 上 游 之 表 面 和 該 四 路 請 先 1 1 閱 1 傳 輸 總 成 護 罩 平 板 6 4 面 對 離 子 束 植 入 器 上 游 之 表 面 0 除 ft 背 1 k 面 1 此 之 外 » 光 阻 材 料 係 會 堆 積 在 該 離 子 中 和 器 之 離 子 中 和 1 1 裝 置 靶 板 7 2 和 延 伸 管 子 7 4 之 内 部 表 面 上 0 t- 1 I 堆 積 在 該 離 子 束 中 和 装 置 4 4 上 之 光 阻 材 料 殘 留 物 9 ;真 1 1 % 裝 1 其 係 為 干 涉 該 裝 置 之 正 常 操 作 Ο 堆 積 在 該 解 析 平 板 5 2 和 頁 四 路 傳 輸 總 成 護 罩 平 板 6 4 上 之 污 染 物 材 料 其 最 後 係 會 1 1 剝 落 而 來 造 成 排 出 和 Atrt. 微 粒 問 題 〇 除 此 之 外 堆 積 在 該 解 析 1 I 平 板 孔 洞 5 6 周 圍 上 之 殘 留 物 其 係 會 造 成 在 接 近 該 離 子 1 1 訂 1 束 路 徑 D / 、 D 外 端 上 之 須 要 離 子 來 撞 擊 在 該 堆 積 的 殘 留 物 上 而 使 該 殘 留 物 來 脫 離 0 該 殘 留 物 之 離 子 束 撞 擊 其 I 係 會 使 離 子 和 中 性 原 子 等 二 者 因 噴 濺 而 脫 離 0 該 脫 離 的 離 1 1 子 會 因 一 後 置 分 析 加 速 電 場 之 作 用 而 被 加 速 * 因 此 其 會 、1 1 線 1 被 植 入 該 晶 片 中 0 該 脫 離 的 中 性 原 子 可 漂 流 至 該 晶 片 表 面 上 而 被 埋 入 至 該 晶 片 中 0 1 | 堆 積 在 該 解 析 平 板 面 5 2 對 上 游 之 表 面 上 該 四 路 傳 1 1 輸 總 成 護 罩 平 板 6 4 面 對 上 游 之 表 面 上 和 該 離 子 束 中 和 裝 1 1 置 4 4 之 内 部 表 面 上 之 污 染 物 材 料 $ 其 是 可 藉 由 故 意 偏 導 -1 1 該 離 子 束 1 4 而 在 其 原 有 位 置 上 來 被 清 理 乾 淨 其 中 該 ：1 I 離 子 束 之 故 意 偏 導 係 造 成 離 子 來 撞 擊 在 該 要 被 清 理 表 面 上 1 | 之 污 染 物 材 料 Γι 沿 著 該 偏 導 離 子 束 路 徑 來 移 動 之 離 子 其 1 1 - 2 2 — 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家椋準（CNS ) A4規格（210乂297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明（ -7' ) 1 1 I 像會撞擊該污染物材料和使該污染物材料脫離 0 該 離 子 束 1 1 4 之 偏 導 方 向 較 佳 地 是 藉 由 偏 調 該 質 量 分 析 磁 鐵 2 2 來 ·. | 1 達 成 之 其 中 > 該 質 量 分 析 磁 m 2 2 之 偏 調 係 會 造 成 其 來 請 先 1 1 閱 I 導 引 該 離 子 束 來 撞 擊 在 該 要 被 清 理 的 表 面 上 0 讀 背 I ίϊ I 該 磁 鐵 2 2 之 偏 調 是 藉 由 該 控 制 電 子 裝 置 1 1 來 達 成 之 注 1 1 之 其 中 該 控 制 電 子 裝 置 1 1 係 改 變 流 過 該 磁 鐵 2 2 之 意 事 1 1 磁 場 繞 組 來 達 成 之 〇 較 佳 地 該 控 制 電 子 装 置 1 1 是 被 程 填 1 式 寫 裝 1 化 來 以 連 績 變 化 和 重 覆 的 模 式 來 調 整 流 過 該 磁 鐵 線 圈 之 頁 電 流 藉 此 K 造 成 該 離 子 束 1 5 來 重 覆 地 掃 過 該 雛 子 束 植 '—^ 1 I 入 器 内 部 表 面 之 一 要 被 清 理 的 區 間 0 離 子 束 係 掃 過 該 要 被 1 I 清 理 的 區 間 一 充 分 的 時 間 藉 此 YX 達 成 所 有 沈 積 在 該 區 間 1 1 ir 1 之 表 面 上 之 污 染 物 之 脫 離 〇 另 -~~· 方 面 該 被 施 加 至 該 成 組 電 極 2 4 中 之 抑 制 電 極 I 2 6 上 之 偏 壓 其 是 可 Μ 一 重 覆 的 模 式 來 被 變 化 偏 導 該 1 1 1 離 子 束 1 4 藉 此 K 造 成 該 離 子 束 1 4 來 掃 過 . 清 理 區 間 、1 1 和 來 撞 擊 污 染 物 材 料 C. 線 1 在 該 離 子 束 植 入 器 1 〇 之 操 作 期 間 氬 氧 通 常 是 被 做 1 I 為 該 被 導 入 至 該 電 漿 室 中 Μ 產 生 離 子 之 離 子 源 氣 體 0 m 而 1 1 I > 當 以 該 離 子 束 來 清 理 污 染 物 時 使 用 氬 氣 來 作 為 離 子 源 1 1 氣 體 是 被 證 明 為 不 受 歡 迎 的 0 氬 氣 係 僅 會 藉 由 噴 濺 來 使 該 ：I I 污 染 物 材 料 脫 離 G 然 而 某 iib 被 噴 濺 脫 離 的 污 染 物 材 料 ：I I 其 會 因 凝 结 作 用 而 再 度 沈 積 在 該 離 子 束 植 入 器 之 其 它 表 面 1 1 上 0 因 此 > 使 用 — 氫氣離子束來在原有位置上清理該離‘子 1 1 ~ 23 一 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4蚬格（210X 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（A) 束植入器之零件時，在該真空幫浦可自該離子束植入器中 來移去污染物材料前，該污染物材料係可能會先沈積而散 佈在該離子束植入器中。 因此，當實施一在原有位置上之清理時，吾人是使用 一反應性氣體（例如像是氧氣、氫氣或氟）來做為該離子 源氣體Μ取代該使用氬氣來做為該離子源氣體。W一離子 束來使該污染物材料脫離，其係會造成一介於在該離子束 1 4中之離子和該污染物材料間之化學反應。該化學反應 係會造成一種具揮發性之污染物材料之產生。該具揮發性 之污染物材料是可藉由真空幫浦21來被唧打至該離子束 植入器之外部和被排放至該離子束植入器之外部。例如， 假如硼10是為粘附至該解析平板52上之污染物材料， 藉由使用氫氣來作為該離子源氣體，其將會造成該被脫離 之污染物材料來被轉換成為六氫化二砸（Β2 Η6 )，該 六氫化二硼是可容易地被抽出至該離子束植入器之外。另 一方面，假如氟是被使用來做為離子源氣體的話，該被脫 離之硼1 0污染物材料將會被轉換成三氟化硼（B F 3 ) *然後，該三氟化硼是被抽出至該離子束植入器之外。 當某些光阻污染物材料為包含有碳氫化合物原子時， 氧氣可被用來做為該離子源氣體。該被脫離之光阻汚染物 材料可被轉換時二氧化碳和水。 除了來偏調該磁鐵2 2外 > 在此係可能來允許該離子 束來分散，藉此Κ增加由該離子束14所撞擊或掃過之： -2 4 - 本紙張尺度適用中困國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ---------裝 (請先閲讀背面之注意事Ί;填寫本頁 订 線 A7 B7 五、發明説明（γ) 面 積 〇 藉 由 搡 作 該 電 子 流 產 7 〇 和 關 掉 該 靶 板 7 2 9 該 模 式 係 造 成 該 離 子 束 當 通 過 // > 且 因 為 該 離 子 束 接 著 在 7 4 時 是 不 會 受 到 電 子 發 射 有 正 電 > 且 因 為 該 離 子 之 相 該 延 伸 管 子 中 和 在 該 延 伸 管 度 0 使 用 化 學 反 應 氣 體 離 子 被 揭 示 在 一 由 D a V i e 表 之 名 稱 為 // 電 漿 基 本 學 // 〇 f P 1 a S m a S ” ) 紐 約 橘 山 之 材 料 研 究 公 司 ( e a Γ C h C 〇 Γ P 〇 Γ S e b e r g N e W Y • 此 一 // 電 漿 基 本 學 // 是 被 在 一 被 局 眼 之 電 漿 中 > 制 該 電 漿 之 導 電 表 面 上 t 藉 來 建 起 — 淨 的 負 電 電 流 〇 係 會 造 成 該 電 漿 具 有 — 正 電 新 結 合 f 帶 正 電 * 何 之 離 子 和 疋 地 同 存 在 於 ___· 電 漿 中 0 此 之 存 在 t 離 子 和 電 子 必 須 藉 •‘ 辦衣 訂 ^ j 線 (請先閱讀背面之注意事「填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 生裝置44來打開該偏壓孔洞 離子束係會來擴散。此一操作 該偏壓孔洞7 0時會來"膨脹 通過該靶板7 2和該延伸管子 而被中和，該離子束係維持帶 同電荷，該離子束係傾向來在 子之下游處擴散至一更大的程 來使污染物脫離之方法，其是 C · Hinson博士所發 ("The Basics 之刊物中，該刊物是由在美國 Materials Res ation of Oran o r k )在1 9 8 4年所發行 併入本案中M作為參考用。 自由電子係會傾向來逃逸至限 此以在自電漿至該導電表面上 在該電漿中之負電荷損失，其 位Vp 。因為電子會和離子重 電子之聚集•其是無法共不確 係意味著，為了來維持一電漿 由外在能量來被一直地產生1在 2 5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 五、發明説明（ Λ ) 1 1 1 該 電 漿 中 1 I 一 電 漿 黑 暗 空 間 屏 極 是 被 定 義 為 一 環 繞 一 電 漿 之 區 間 1 •· 1 I » 在 該 區 間 中 是 被 建 -Λ— 有 — 電 場 以 延 遲 該 電 漿 體 積 中 之 請 1 1 電 子 損 失 0 此 一 屏 極 是 藉 由 施 加 . 電 位 至 環 繞 該 電 漿 之 導 閱 讀 背 1 1 體 上 來 被 建 立 〇 在 該 里 暗 空 間 屏 極 中 t 電 子 是 由 — 鼋 場 所 之 注 1 1 // 彈 回 // 1 其 中 該 電 場 是 藉 由 -~* 外 部 施 加 電 壓 或 該 電 漿 意 事 填 1 相 對 於 地 線 之 電 位 差 所 造 成 0 基 於 下 面 的 原 因 > 該 區 間 是 1 1 被 稱 為 —. 黑 暗 區 間 在 該 區 間 中 沒 有 電 子 可 和 離 子 相 结 合 % 本 頁 裝 1 以 來 產 生 一 被 稱 為 發 光 放 電 之 光 線 0 1 I 在 該 電 漿 中 之 離 子 是 藉 由 該 黑 暗 空 間 屏 極 電 場 之 作 用 1 1 1 來 被 加 速 朝 向 該 圍 繞 表 面 〇 在 — 反 應 性 離 子 飩 刻 中 化 學 1 1 反 應 之 氣 體 離 子 是 被 導 引 朝 向 該 蝕 刻 表 面 在 此 該 化 學 訂 1 反 應 氣 體 離 子 係 和 該 表 面 材 料 相 结 合 以 形 成 一 可 揮 發 的 化 I 合 物 該 可 揮 發 的 化 合 物 是 和 該 反 應 氣 體 一 起 來 被 抽 出 0 1 1 1 基 於 以 下 的 理 由 該 作 用 在 該 離 子 上 具 吸 引 性 的 // 黑 暗 空 κ 1 1 間 η 力 量 其 在 一 離 子 束 植 入 器 中 是 較 不 重 要 當 離 子 束 線 1 自 該 離 子 源 來 離 動 進 人 該 植 入 室 中 時 該 離 子 束 1 4 之 離 1 I 子 將 會 撞 擊 該 離 子 束 植 人 器 之 表 面 C 1 1 1 在 知 來 ilii' 此 一 吸 引 離 子 至 一 要 被 清 理 之 表 面 上 之 方 法 之 1 ! 景 資 料 後 現 在 請 參 考 圖 式 8 > 其 中 ♦ Μ 式 8 係 為 該 離 1 子 植 入 室 之 一 放 大 剖 面 視 圖 Γ' 該 植 入 室 1 7 是 由 一 內 部 壁 «1 I 牆 1 1 〇 所 圍 繞 9 該 内 部 壁 牆 1 1 〇 係 有 一 缺 Ρ 1 1 2 和 1 | 該 晶 片 支 撐 器 8 3 之 區 間 距 離 相 距 0 依 據 一 用 來 離 子 反 應 1 1 - 2 6 - 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 五、發明説明 ( ) 1 1 清 理 之 第 — 技 術 該 支 撐 器 8 3 是 被 用 來 做 為 一 負 極 板 1 I 在 此 情 況 下 該 金 屬 支 撐 器 8 3 係 接 受 離 子 撞 擊 且 可 被 清 1 •I 理 0 一 第 二 技 術 是 來 使 用 — 額 外 的 導 電 電 極 1 2 0 t 該 導 請 先 1 1 電 電 極 1 2 0 是 被 支 撐 在 該 缺 P 1 1 2 中 ， 且 其 是 藉 由 VX 閱 讀 背 1 | 下 的 方 法 來 成 為 一 正 極 對 該 電 極 1 2 0 電 氣 地 施 加 偏 壓 面 之 1 注 1 而 同 時 來 維 持 該 盤 狀 物 8 3 來 和 該 隔 室 1 7 電 氣 相 隔 m «MW 〇 意 1 I 此 一 第 二 技 術 可 使 得 該 盤 狀 物 8 3 和 該 植 入 室 内 部 等 二 者 填 1 裝 1 皆 成 為 負 極 如 此 該 植 人 室 之 内 部 和 該 晶 片 支 撐 器 等 二 寫 本 頁 者 皆 可 被 清 理 0 在 此 須 要 一 個 m 緣 的 電 氣 饋 入 装 置 1 2 2 1 1 及 高 壓 輸 入 線 1 2 4 來 達 成 上 述 之 應 用 0 該 高 壓 輸 入 線 1 1 I 2 4 係 提 供 一 大 約 為 2 〇 〇 伏 特 之 電 壓 > 且 該 植 入 室 和 該 1 1 支 撐 盤 狀 物 是 被 接 地 0 玎 1 白 該 離 子 源 至 該 植 入 室 之 該 離 子 束 路 徑 之 其 它 部 分 亦 | 可 被 相 對 地 施 偏 壓 以 吸 引 離 子 至 該 不 是 直 接 鄰 近 該 離 子 1 I 束 1 4 之 表 面 上 0 該 離 子 束 中 和 器 4 〇 係 有 電 氣 接 點 可 被 •V 1 線 1 相 對 地 施 K 偏 壓 控 制 該 離 子 被 吸 附 至 該 離 子 中 和 器 之 元 件 上 0 除 此 之 外 在 該 離 子 源 1 2 附 近 之 電 極 2 4 2 6 1 I 、 2 8 可 被 相 對 地 施 以 偏 壓 以 吸 引 由 該 離 子 源 所 發 射 之 離 1 I 子 藉 此 K 清 理 殘 留 的 污 染 物 0 1 1 1 現 在 請 參 考 圖 式 6 和 7 一 離 子 束 植 入 器 2 〇 〇 是 被 1 1 揭 示 * 該 離 子 束 植 人 器 2 0 0 係 被 特 別 應 用 在 平 板 顯 示 器 i \ 1 之 離 子 植 入 上 〇 平 板 2 1 0 係 藉 由 — 負 載 鎖 定 器 2 4 0 來 1 I 被 移 動 進 入 一 處 理 隔 室 2 1 0 中 在 離 子 束 植 入 期 間 該 1 1 I - 2 7 — 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2】0X297公釐） 經濟部中央標準局負工消費合作社印策 A*7 B7 五、發明説明（乂） 處理隔室210是被抽成真空。該平板係有一尺寸遠大於 該矽晶片之尺寸，其中，該矽晶片是由相闞於圖式1 — 5 所揭示之離子束植入器1 0來處理之。例如，塗覆有非晶 質矽之玻璃平板，其係可有大約為5 5 X 8 0公分之尺寸 該離子束植入器2 0 0係包括有一用來建立起一離子 化氣體電漿之離子源隔室2 2 0。在該離子源隔室2 2〇 中之離子係經由一多數可建立微细離子射束之孔洞來離開 該離子源隔室，該多數微细離子射束係结合來形成一帶子 狀的離子束2 2 2，該離子束2 2 2有一寬度係稍微地較 大於在該離子植入室中之該平板2 0 2之最小尺寸。 圖式6和7之離子束植入器2 0 0係包括有一用來Μ 一定速度來移動該平板2 0 2通過該離子束之輸送器2 3 0，藉此以可均勻地處理該平板。用來產生該電漿之氣體 是在一導管242中來被循環，其中該導管242係連接 一離子源2 4 0至該離子源隔室2 2 0上：該離子源係包 括有各種不同的氣體源。如此以允許各種不同的氣體可在 該離子源隔室2 2 0中來被離子化。 該離子束2 2 2係跟隨著一自該離子源隔室2 2〇至 該植入室2 1 0之較短、完全為直線的路徑來移動。在此 並不須要有磁鐵來彎曲該離子束2 2 2。因此，一例為光 姐材料之污染物係可能會進入該離子源隔室2 2 0之區間 中。如此係使得來相對地偏壓該吸引電極之能力變得非'常 -2 8 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 裝 訂 ^ 各 (請先閱讀背面之注意事&「填寫本頁) 298661 五、發明説明（>?) 重要，其中，該吸引電極係用來吸引來自該離子源隔室之 微细離子射束。藉由相對地偏壓這些吸引電極，該電極之 化學饋刻係可被達成。 該要在該離子源隔室中被循環之材料之選擇，及其它 處理變數的控制，其是藉由一操作者經由在該離子東植入 器側邊上之一操作者控制台2 5 0來輸入指令來達成之。 此一控制台2 5 0是可被用來控制該污染物清理被執行的 方法，及控制該平板被處理的方法。 雖然，本發明係已藉由特別的實施例來被揭示，然在 此應為人所了解的是，在不離開本發明由下述申請專利範 圍所界定之特徵和範圍下，習於此技之人士是可來對本發 明K上所揭示之實施例來做某些增加、或修改或是刪減。 批衣 訂 ^ I, 各 (請先閱讀背面之注意事ί"1·填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印袋 -29- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐）

Claims (1)

1. A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 請先閱讀背面之注意事項Ρ填寫本頁 1 * 一種用來移去粘附在一離子束植入器（10)之 内部衷面上之污染物材料之方法，該離子束植人器（1 0 )係包括有一離子源（1 2 )用來自離子源材料上來引出 離子及將該離子形成為一離子束（14)，該離子束（1 4 )係沿著一軌跡來移動通過一離子束路徑且經由一真空 區間而到達一離子植入室（1 7 )中，該方法係包括有Μ 下之步驟： a)調整該離子束（14)之軌跡使得該離子束來撞 擊該離子束植入器和該真空區間接觸之内部表面 > 藉此K 使該污染物材料自該内部表面上脫離；及 b )自該離子束植入器之真空區間上來移去該被脫離 的污染物材料。 線 經濟部中央標準局員工消费合作社印繁 2 ·如申請專利範圍第1項之用來移去粘附在一離子 束植入器（10)之内部表面上之污染物材料之方法，其 中，該離子束植入器係包括有一產生一磁場之質量分析磁 鐵（22)，該離子束係移動通過該磁場，且其中，該調 整步驟係包括有Μ下之步驟：當該離子束移動通過該磁場 時改變該離子束之方向使得該離子束被導向來撞擊該離子 束植入器之内部表面。 3 ·如申請專利範圍第1項之用來移去钻附在一離子 束植入器（10)之內部表面上之污染物材料之方法，其 中，該離子束植入器係包括有一組之被置放來環繞該離子 束路徑之一部分之電極（24)，且該調整的步驟是藉 '由 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 以下的方法來執行之：當離子束移動通過該電極時來對至 少為一的電極調整地施加電流以改變該離子束之方向，藉 此以使該離子束撞擊在該離子束植入器之内部表面上。 4 ·如申請專利範圍第1項之用來移去粘附在一離子 束植入器（10)之內部表面上之污染物材料之方法，其 中，該污染物材料係包括有一硼同位素，且該離子源材料 係包括有氧氣和氫氣中之至少一種。 5 *如申請專利範圍第1項之用來移去粘附在一離子 束植入器（10)之内部表面上之污染物材料之方法，其 中，該污染物材料係包括有光阻材料，而該離子源材料係 包括有氟。 6 ·如申請專利範圍第1項之用來移去粘附在一離子 束植入器（10)之內部表面上之污染物材料之方法，其 中，該離子束植入器係包括有一該離子束係會移動通過其 中之離子束中和器（44)，該離子束中和器（44)是 被選擇性地驅動K造成該離子束之分散，再者，該離子束 中和器（4 4 )是被選擇性地驅動以產生電子發射來中和 該離子束，且其中，調整該軌跡的步驟是藉由K下的方法 來執行之：藉由造成該離子束之分散來導引該離子束來撞 擊在該内部表面上。 7 ·如申請專利範圍第2項之用來移去粘附在一離子 束植入器（10)之内部表面上之污染物材料之方法，其 進一步包括有K下之步驟：調諧該質量分解磁鐵(22') -2 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------裝I (請先閲讀背面之注意事填寫本頁 、-t 線 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 六、申請專利範圍 1 1 1 K 等 引 該 離 子 束 來 撞 擊 該 内 部 表 面 其 中 該 調 諧 的 步 驟 1 | 係 包 括 有 以 下 之 步 驟 — 選 擇 性 的 重 覆 模 式 來 改 It*% 要 該 質 I 量 分 析 磁 之 調 諧 使 得 該 離 子 束 係 重 覆 地 掃 過 該 内 部 表 面 要 請 4 ‘ 1 1 Μ I 被 清 理 之 一 區 間 〇 讀 背 | * I 8 如 甲 請 專 利 範 圍 第 3 項 之 用 來 移 去 粘 附 在 -- 離 子 之 注 1 1 束 植 入 器 ( 1 0 ) 之 内 部 表 面 上 之 污 染 物 材 料 之 方 法 其 意 ! 進 一 步 包 括 有 Μ 下 之 步 驟 調 整 在 該 組 電 極 ( 2 4 ) 中 之 4 填 1 至 少 為 一 之 電 極 之 電 流 強 度 藉 此 以 導 引 該 離 子 束 來 撞 擊 寫 本 頁 裝 1 在 該 内 部 表 面 上 其 中 調 整 該 電 流 強 度 之 步 驟 係 包 括 有 1 1 下 之 步 驟 一 選 擇 性 的 重 覆 方 式 來 調 整 該 至 少 為 一 電 1 I 極 之 電 流 強 度 使 得 該 離 子 束 像 重 覆 地 掃 過 該 内 部 表 面 要 被 1 訂 清 理 之 . 區 間 0 1 9 如 申 請 專 利 範 圍 第 1 項 之 用 來 移 去 粘 附 在 一 離 子 1 束 植 入 器 ( 1 0 ) 之 內 部 表 面 上 之 污 染 物 材 料 之 方 法 其 1 | 中 自 該 離 子 源 材 料 中 被 引 出 之 離 子 其 在 當 該 污 染 物 材 1 線 料 被 脫 離 時 係 和 該 汚 染 物 材 料 來 化 學 地 结 合 〇 1 1 0 如 申 請 專 利 範 圍 第 1 項 之 用 來 移 去 粘 附 在 — 離 1 1 子 束 植 入 器 ( 1 0 ) 之 内 部 表 面 上 之 污 染 物 材 料 之 方 法 1 | 其 中 導 引 該 離 子 束 來 撞 擊 該 内 部 表 面 之 步 驟 係 包 括 有 以 1 I 下 之 步 驟 增 加 該 離 子 束 之 分 散 度 增 加 __. 由 該 離 子 束 所 '1 1 I 撞 搫 之 面 積 〇 Ί 1 1 一 種 用 來 移 去 粘 附 在 一 離 子 束 植 入 器 之 内 部 表 1 I 面 上 之 污 染 物 材 料 之 裝 置 其 係 包 括 有 t 1 I - 3- 1 丨 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 料其束；束間上 之 一,ί 調機離之 一 ，路束‘束 材，子中 子區面 器 在中 _ 來 該該器 在中束 子‘子 源 }離} •離空表 入 附其磁用，變入 附其子離離 子 4 17 該真部 植 粘，析該 } 改植 粘，離整當 離 1 過 1 整該内 束 去置分 ，1 時束 去置該調來 自 ί 通 ί 調和該 子 移裝量中 1 場子 移裝繞來用 來 束動室來器自 離。來 之質其 {磁離 來之 環用係 用子移入用入料 該料用料之且構該該 用料 來該構 係離來植係植材 自材之材場，機過擊 之材放，機 其 一跡子其束物 來物項物磁場一通撞 項物置中該 , 為軌離，子染 用染 1 染一磁有動來 1 染被其 ， } 成 一 1 } 離污 係污 1 污生該括移向 1 污 之且構 4 形著達 4 該該 其的第 之產過包束導 第之組，機 2 子沿到 4 擊使 ，離圍上一通係子被 圍上 1}1 、 離係而、撞Μ} 脫範面有動其離束 範面有 4 有 2該}間2 來此 1 被利表括移，該子 利表括 2 括 1 將 4 區 2 束藉 2 該專部包係 構當離 專部包 ί 包 ί 且 1空{子， ί 去請内係束機來該 請内係極係 構並 {真構離面 構移申 之器子 之用得 申之 器電其 機子束 一 機該表 機來如器入離跡係使 如器入之.， 一 離子由一得部 一上 ·入植該軌 } 向。 .入植分構 } 出離經 } 使内及 }間2 植束，束 1 方面 3 植 束部機 a 弓該且 b 跡之； C 區 1 束子 }子1 之表 1 束子 一 之 來，徑 軌觸離 空 子離 2 離 {束部 子離之跡 中中路 之接脫 真 離該 2 整構子内 離該徑軌 (請先閱讀背面之注意事彳填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公嫠） 經濟部中央標準局員工消f合作社印製 A8^98661_I_ 々、申請專利範圍 ’ 移動通過該電極時來對至少為一的電極調整地施加電流w 改變該離子束之方向，藉此Μ使該離子束撞擊在該離子束 植入器之内部表面上。 14 ·如申請專利範圍第1 1項之用來移去坫附在一 離子束植入器之内部表面上之污染物材料之裝置，其中， 該離子源材料係包括有氧氣、氫氣和氟中之至少一者。 15·如申請專利範圍第11項之用來移去粘附在一 離子束植入器之内部表面上之污染物材料之裝置，其中， 該污染物材料係包括有一硼同位素，且該離子源材料係包 括有氧氣和氫氧中之至少一者。 1 6 ·如申請專利範圍第1 1項之用來移去粘附在一 離子束植入器之内部表面上之污染物材料之装置，其中， 該污染物材料係包括有光阻材料，而該離子源材料係包括 有氟。 1 7 ·如申請專利範圍第1 1項之用來移去钻附在一 離子束植入器之内部表面上之污染物材料之裝置，其中， 該用來調整離子束軌跡之機構*其係包括有一該離子束係 會移動通過其中之離子束中和器（44)，該離子束中和 器（4 4 )是被選擇性地驅動Κ造成該離子束之分散，再 者，該離子束中和器（44)是被選擇性地g動Κ產生電 子發射來中和該離子束，且其中，調整該軌跡的步驟是藉 由K下的方法來執行之：藉由造成該離子束之分散來導引 該離子束來撞擊在該内部表面上。 ' (請先閲讀背面之注意事填寫本頁) -裝· 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消费合作杜印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 1 8 ·如申請專利範圍第12項之用來移去粘附在一 離子束植入器之内部表面上之污染物材料之裝置，其中， 該用來調整地控制該質量分析磁鐵（22) K導引該離子 束來撞擊該内部表面之機構（1 1 )，其係包括有一機構 用來K 一選擇性的重覆模式來改變該質量分析磁鐵之調諧 ，藉此以使該離子束來重覆地掃過該内部表面要被清理之 一區間。 1 9 ·如申請專利範圍第1 3項之用來移去粘附在一 離子束植入器之內部表面上之污染物材料之装置，其係包 括有一機構（1 1)用來調整在該組電極（24)中之至 少為一之電極之電流強度，藉此Μ藉由Μ —選擇性的重覆 模式來改變在該至少為一電極中之電流強度Κ導引該離子 束來撞擊在該内部表面上，如此，該離子束係重覆地掃過 該離子束植入器内部表面要被清理之一區間。 20 · —種用來處理一工件之離子束植入器（1 0) ，其係包括有一離子源（1 2 )，該離子源（1 2 )係用 來提供離子和自一離子源隔室中來發射該離子Κ用於一工 件之離子處理；一植入室（17)，其係、有一用來支撐一 被置放在該離子植入室（17)中之工件之支撐器，其中 *該工件係和一進入該植入室中之離子相交，該離子係在 移動經過一自該離子源至該植入室之離子束移動路徑後來 進入該植入室中；一離子束界定结構（22、24)，其 係圍繞一真空區間，該真空區間係界定該自該離子源至‘該 -6- (請先閲讀背面之注意事填寫本頁 -裝. 、ϊτ 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） K'、申請專利托圍 A8 B8 C8 D8 用間 係區 其空 ’ 真 器該 制過 控經 入之 植室 一 入 及植 V該 徑至 路源 動子 移離 束該 子自 離束 之子 室離 入該 植制 子控 離來 係 器 入彳料 J 其 * 植 材 束，物 子}染 離21污 該 ί 去 ;溝移 動 — 來移^ ± 束 間 子} 區 a 離 空 之 真 用 係 其 有 之 室 入 植 子 離 該 自 來 及 原物 在染 來污 用去 係移 其上 ’間 }區 7 空 1 真 、 之 ο 中 2 室 1 入 、 植 3 子 8 離 .. 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