^05732 A7 B7 五、發明説明（3) 本發明偽有關一種眾所周知用來作為冷陰極之電場放 射型電子源的改良。 若使金屬或半導體表面之施加電場為1〇9[ν/π]左右， 因通道效果，電子會通過障壁而即使於常溫亦能於真空中 放射電子。此乃所諝之電場放射（Field Emission),以如 此之原理放出電子之陰極稱為電場放射陰極（以下，稱 FEC ) 〇 近年來，半導體積體化技術之日新月異，而可製作徹 米（micron)之FEC,其一例即為所熟知被稱為spindt型者 0 此FEC若使用半導體黴細加工技術來製造，則可使圓 錐狀之射極（enitter)射極圓錐（eBitter cone)與閑極電 極之距離形成次徹米，故，於射極圓錐與閘極電掻間施加 數十伏待之電壓，可從射極圓錐放出電子。 又，各射極圓錐間之間距可製作成5徹米乃至10撖米 ，故於1片基板上可設有數萬至數十萬個FEC。 經濟部中央橾準局員工消費合作杜印裂 -1 I - —II 1 - ......I -II - - - I I n ϋ.— XV U3 、va (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如此，可以製作面放射型之FEC,此PEC曾被提案可適 用於作為螢光顯示裝置、CRT、電子顯徹鏡或電子束裝置 之電場放射型電子源。 其次，於圖25中，將使用來作為如此電場放射型電子 l· 源之FEC的俯視圖表示於（a)中，而其斷面圖表示於（表）中 〇 如圖25之（a)所示，陰極配線102偽形成井字形圖案（ pattern),此井字形之陰極配線102的上部全面係形成電 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210X 297公釐） 3 A7 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印繁 五、 發明説明 (4 ) 阻 層 1 0 3 , 此井字形之中的電阻層1 03 上 分 別 形 成 複 數 之 射 極 圓 錐 1 06 〇 又， (a ) 所 示 之 電 場 放 射 型 電 子 源 的 上 面 全 面 形 成 閘 極 電 極 105, 在此閘極電極1 0 5 上 設 有 複 數 値 如 圖 示 之 約 圓 形 開 Ρ 部 ， 在 此 開 P 部 内 分 別 形 成 Λ.Λ. 刖 述 射 極 圓 錐 1 06 〇 此 電 場 放 射 型 電 子 源 之 斷 面 圖 乃 表 示 於 (b )中， 但此 斷 面 (a )所示之A -A 線 的 電 場 放 射 型 電 子 源 的 斷 面 〇 於 此 圖 中 1 井 字 形 之 陰 掻 配 線 102偽形成於絶緣性基 板 10 1上， 且在基板1 0 1 上 全 面 形 成 電 阻 層 10 3。 此電阻層 10 3上則形成絶緣層1 04 及 閘 極 電 極 10 5 , 於此閘極電極 10 5與絶綠層] 0 4所 形 成 之 開 口 部 内 形 成 射 極 圓 錐 1 06 〇 於 射 掻 圓 錐 1 06與陰極配線1 02之 間 設 置 電 阻 層 1 0 3的 理 由 如 下 所 述 〇 一 般 之 FEC偽使射極圓錐的尖端與閘極之距離形成所 謂 次 徹 米 之 極 短 距 離 1 同 時 » 將 數 萬 乃 至 數 十 萬 個 射 極 圓 錐 設 於 一 Η 基 板 上 t 故 t 製 造 過 程 中 有 時 會 因 塵 埃 等 而 造 成 射 極 圓 錐 與 閘 極 間 短 路 0 如 此 • 若 閛 極 與 射 極 圓 錐 間 有 一 艏 短 路 » 則 陰 極 與 閘 極 卽 形 成 短 路 » 致 無 法 對 全 部 之 射 極 圓 錐 施 加 電 壓 9 而 造 成 不 能 動 作 之 電 場 放 射 型 電 子 源 〇 又 » 電 場 放 射 型 電 子 源 初 期 動 作 時 » 會 産 生 局 部 釋 氣 9 此 氣 體 有 時 -i&s 使 射 極 圓 錐 與 閘 極 或 陰 極 間 引 起 放 電 9 因 此 > 陰 掻 内 有 大 電 流 流 動 而 破 壊 陰 極 〇 此 外 » 多 數 射 搔 圓 錐 之 中 1 存 在 有 易 放 出 電 子 之 射 極 圖 錐 > 故 1 從 此 射 極 圓 錐 集 中 所 放 出 之 電 子 t 有 時 亦 會 使 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2Ι0Χ 297公釐） 請 先 閱 讀 背 意 事 項 再 填 %裝 本衣 頁 A7 __B7 * 五、發明説明（5) 畫面上發生異常明亮之點。 因此，如圖25所示般，若陰極配線102與射極圓錐 106之間形成電阻層103,射掻圓錐106之中的一値因形狀 之不均一性乃異常地開始放出很多電子，則於閘掻電極 105與陰極配線102間會形成由電阻層103所引起的電壓下 降。欲異常地放出過多電流之射極圓錐的施加電壓可随放 出電流而下降，故，可藉此電K下降抑制電子放出，以進 行各射極電極安定之電子放出。是故，可防止陰極配線 1 02被破壊。 於是，藉由設置電阻層103,可確保FEC裂造上産率之 提昇、以及FEC之安定動作。 [發明要解決之問題] 經濟部中央橾準局員工消费合作社印製 ¾-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 然而.於圖25所示構造之FEC中，若井字形之陰極配 線102中的面積增大且全面形成射極圓錐106,依照陰極配 線102與各射極圓錐106之距離，陰極配線102與各射極圓 錐106間的電阻值會不同。亦即，在陰極配線102附近所形 成之射極圓錐106變成低電阻值，但，朝向井字之中央部 所形成之射極圓錐的電阻值則逐漸昇高。因此，來自位於 陰掻配線102周邊之射極圓錐106的電子放射會變大，但， 朝向電阻值變高之中央部之放射則下降。 因此，為提高放射之均一性，如圖25所示，可使井字 形之陰極配線102至各射掻圓錐之電阻值的镉差減少至可 忽視的程度，以設定預定距離L而形成射極圓錐。是故， 從井字形陰極配综102的周圍至距離L之間不能設置射極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4说格（210X2S»7公釐） 5 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明（ 6 ) 1 | 圓 錐 106, 而有使射極圓錐之實裝密度降低之問題。 1 1 又 1 為 謀 求 電 阻 之 均 一 化 9 進 而 使 陰 極 配 線 細 分 化 » 1 1 雖 可 於 一 値 井 字 形 之 中 形 成 4 値 左 右 之 射 掻 圓 錐 » 但 如 此 1 I 一 來 t 卻 造 成 射 極 圓 錐 之 實 裝 密 度 極 端 下 降 〇 請 先 閱 1 1 | 再 者 » 各 射 極 圓 錐 1 0 6之位置對於形成於井字形内之 讀 背 1 1 | ' 陰 極 配 線 1 0 2的電阻值有關係， 且， 製造時之射極圓錐的 責 1 1 排 列 精 度 會 影 m 電 阻 值 〇 因 此 > 必 須 骹 密 地 對 準 光 罩 以 形 項 爯 1 成 射 極 圓 錐 106, 亦造成製造困難等問題。 填 寫 本 裝 I 而 且 » 也 已 知 有 一 種 方 法 » 取 代 tsf _ 25之 FEC的構成， 頁 、〆 1 1 而 於 無 井 字 之 條 紋 狀 陰 極 配 線 上 全 面 形 成 電 阻 層 I 且 於 陰 1 1 極 配 線 上 所 形 成 之 電 阻 層 上 形 成 射 極 圓 錐 者 参 但 若 Μ 由 如 1 1 此 之 構 成 f 其 缺 點 為 電 阻 層 之 膜 厚 均 一 性 成 為 各 射 極 圓 錐 訂 1 之 電 阻 值 之 參 差 不 齊 ， 致 使 各 射 掻 圓 錐 之 放 射 作 用 很 難 成 1 I 為 均 ____· 0 又 * 電 阻 值 雖 可 以 電 阻 層 之 厚 度 來 決 定 t 但 因 其 1 I 厚 度 有 掻 限 » 故 很 難 得 到 大 電 流 容 量 及 高 電 阻 值 * 而 由 於 1 1 設 置 電 阻 層 所 産 生 之 效 果 很 小 〇 因 此 * 本 發 明 之 巨 的 係 提 Γ 供 種 可 使 陰 極 配 線 與 複 數 之 各 射 極 圓 錐 間 的 電 阻 值 成 為 1 1 一 定 > 同 時 可 提 高 射 極 圓 錐 之 實 裝 密 度 的 電 場 放 射 型 電 子 1 1 源 〇 1 1 [解決問題之手段] 1 I 為 達 成 上 述 巨 的 1 本 發 明 偽 於 陰 極 配 線 之 領 域 内 設 1 I 有 複 數 健 白 陰 極 配 線 所 分 離 之 陰 掻 導 體 1 且 以 電 阻 層 電 氣 1 1 I 連 接 前 述 陰 掻 配 線 與 前 述 陰 極 導 體 ， 同 時 於 陰 掻 導 體 上 直 1 1 I 接 配 設 複 數 個 射 極 圓 錐 或 介 由 V 刖 述 電 阻 層 配 設 複 數 個 射 極 1 1 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 6 ^5732 at __Β7 五、發明説明（7 ) 圓錐。 為達成上述目的，本發明偽於陰極電極之領域内設置 無導體部之窗，且於此窗内形成不同電阻值之電阻層，同 時，於電阻層上配設複數之射極圓錐的電場放射型電子源 ,其待擞在於：使接近陰極電極之電阻層之部分的電阻值 為低電阻者。 [作用] 依本發明，因可使陰極配線與各射極圓錐間之電掻值 約成為一定，故，可使陰極導體内之各射極圓錐的放射均 一化。 而且，即使於陰掻導髏上之任一處設置射極圄錐，亦 可謀求放射之均一化，故可提高射極圓錐之實裝密度。 [實施例] Η將本發明之第1實施例的電場放射型電子源的陰極 電掻構成表示於圖1中。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 此圖所示之陰極配線2偽設有複數根並睇之條紋狀陰 極配線2之中的一根，為1領域。於陰極配線2之領域内 ,因自陰極配線2分離，故配記複數儲周圍設置無導體領 域8之島狀陰極導體7而形成如挖穿陰極配線2 。於此島 狀陰極導體7及陰極配線2上設置電阻層3 ,藉此電阻層 3使兩者電氣連接。而且，對應於前述島狀陰棰導體7之 電阻層3上形成射極圓錐6以成為電子放射源，使用圖2 所示之斷面圖來說明其構造。 於此圖中，於絶綠性基板1上以Nb、 Mo、 Α1等之導電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印繁 五、 發明説明（ 8 ) 1 1 性 薄 膜 形 成 陰 極 配 線 2 及 島 狀 陰 極 導 體 7 之 圖 案 ( 1 1 p a t t e r η ) » 且 於 此 島 狀 陰 極 導 體 7 及 陰 棰 配 線 2 上 9 在 陰 1 1 掻 配 線 2 之 領 域 内 全 面 形 成 由 非 晶 矽 (a IQ 0 Γ p h 〇 U S V ! I si 1 i C 0 η)等 構 成 之 電 阻 層 3 〇 進 而 t 於 電 阻 層 3 之 上 形 成 請 先 閱 1 1 I 由 __ 氣 化 矽 (S i 0 2)構 成 之 絶 緣 層 4 、 及 由 Nb Λ Mo A 1 > 讀 背 A 1 1 1 VS i 2 等 構 成 之 閘 極 電 極 5 t 此 閘 極 電 極 5 及 絶 緣 層 4 上 所 冬 1 1 開 □ 之 開 口 部 内 分 別 形 成 電 Mo 所 構 成 之 射 極 圓 錐 6 0 項 再 1 此 閛 搔 電 極 5 亦 形 成 條 紋 狀 且 與 陰 掻 配 線 2 共 同 形 填 寫 木 裝 成 矩 陣 Ο 頁 '—^ 1 1 此 時 9 例 如 圖 示 般 > 對 應 於 1 値 導 狀 陰 極 導 體 7 而 形 1 1 成 4 列 放 射 極 圓 錐 6 1 若 以 此 ασ 卑 元 視 為 1 組 αα 単 元 < 則 於 Ια] 圖 1 1 2 所 示 之 情 形 中 ， 1 組 cm 単 元 之 射 極 圓 錐 6 乃 形 成 於 島 狀 陰 訂 1 極 導 體 7 上 * 接 近 陰 極 配 線 2 之 射 極 圓 錐 6 亦 或 遠 離 陰 掻 1 I 配 線 2 之 射 極 圓 錐 6 皆 是 無 導 體 領 域 8 之 幅 寬 均 一 且 電 阻 1 I 層 3 之 厚 度 均 一 9 故 可 使 各 個 射 極 圓 錐 6 之 電 阻 值 大 致 上 1 1 均 一 化 0 Γ 其 次 陰 掻 配 線 2 與 島 狀 陰 掻 導 體 7 等 之 導 體 部 Λ 及 1 1 電 阻 層 之 位 置 乃 與 刖 述 第 1 實 施 例 相 反 » Η 將 第 2 實 施 例 1 1 之 電 場 放 射 型 電 子 源 的 陰 極 電 極 表 示 於 圖 3 中 0 1 1 於 此 圖 中 < 絶 緣 性 基 板 1 上 於 陰 極 配 線 2 之 領 域 内 形 1 1 成 電 阻 層 3 〇 進 而 t 於 電 阻 層 上 形 成 陰 極 配 線 2 及 島 狀 陰 1 I 掻 導 體 7 Ο 又 * 於 陰 掻 配 線 2 及 島 狀 陰 極 導 體 7 上 形 成 由 1 I Si 0 2 绝 緣 層 4 及 Hb 、 Mo A 1 WS i 2 等 所 構 成 之 閘 掻 電 極 5 1 1 | » 且 對 應 於 此 閘 極 電 極 5 與 絶 綠 層 4 之 前 述 島 狀 陰 極 導 體 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（叫錢格⑺™後） A7 __B7 五、發明説明（9 ) 7的部分，設有開口部，且於此開口部之内分別形成Mo之 射棰圓錐6 。 又，此第2實施例之變形，乃於绝緣性基板1上只設 置陰掻配線2 ,於此陰極配線2之上全面設有電阻層3 ， 進而於此電阻層上設置島狀陰極導體7 。而且，射極圓錐 6 、絶緣層4 、閘極電掻5係如同前述第2實施例般設於 島狀陰極導體7上。亦可作為如此陰掻電極之構成。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ^-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次，圖4中前述第1實施例之變形，乃島狀陰搔導 體7與陰極配線2之間設有射極圓錐之例。若依據此例， 最接近陰極配線2之射掻圓錐6的電阻值，偽由連結陰極 配線2與射極圓錐6之電阻層的長度來決定，其他之射掻 圓錐6之電阻值，偽由陰極配線2與島狀陰極導體7之間 的電阻層3之長度、及、島狀陰掻導體7與射極圓錐6之 間隔即電胆層3的厚度來決定。因此，若為使全部之射掻 圓錐6之電阻值約成為一定，而調整島狀陰掻導體7之大 小，可使全部射極圓錐6之電阻值約達一定。此圖所示之 情形，偽構成組單元之複數射極圓錐6之中，使除了外周 緣之射極圓錐6的射極圓錐6形成於島狀陰極導體7上。 茲將如此所設定之情形的島狀陰極導體7的例子一面 參照圖5及圖6 —面做說明。但，於此等圖中，省略絶緣 層4及閛極電掻層5 。 圖5偽表示一組單元中設有16個射極圓錐6之例子， 且，此時，如（a)所示，設置於陰掻配線2之外周緣的射 極圓錐6有12個，中央部附近設有4個射極圓錐6 。是故 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 __B7 五、發明説明（]0) ,因中央部附近之4個射極圓錐6的電阻值變高，故，如 虛線所示，於中央部近邊設置島狀陰極導體7俾覆蓋此4 艏放射極圓錐6 。如此，如同圖（b)所示，中央部附近之 射極圓錐6的電阻值變成介有島狀陰極導體7之電阻值， 故，中央部之射極圓錐6的電阻值會下降，且可使與其他 射極圓錐6的電阻值約略相同。 圖6係表示一組單元中。每12値作為一群之射極圓錐 6共設有2艏群的例子，此時，設於陰掻配線2之外周緣 的射極圓錐6有16個，且中央部縱長設有8個射極圓錐6 。因此，此8個射極圓錐6之中，如虛線所示，於中央部 近邊設有2個島狀陰掻導體7 ,俾每群覆蓋4値射極圓錐 6 。於是，中央部附近之射極圓錐6的電阻值變成介由島 狀陰搔導體7之電阻值，故，此等射極圓錐6之電阻值會 下降，可使與其他之射極圓錐6之電阻值約相等。 又，設於每群之島狀陰極導體7的電阻值係設定於更 高值，且設定成近似於電氣獨立之形狀。於此時之各群亦 可對鼴於各像元。 如此，本發明之電場放射型電子源.對應於組内之射 極圓錐數目而改變島狀陰極導體7之大小，可使組單元内 之射極圓錐的電阻值約略相等。因此，可使組單元内之全 部的射極圓錐的放射約略相同，同時可增加放射電流。 於本發明之電場放射型電子源中，對於島狀陰極導體 7之閛極電極5所設置之開口部的光罩對準精度可比習知 更降低，同時，因使用電阻層3作為樓方向的長電阻體， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） n n In n- - m - I n HI n ϋ m 丁 "T ，T (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) S05732 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、' 發明説明（ 1 !) 1 | 故 可 增 大 電 阻 值 0 1 1 此 外 * 因 組 單 元 内 之 射 極 圓 錐 的 電 阻 值 差 很 少 » 故 » 1 1 可 增 加 組 aa 早 元 内 之 射 極 圓 錐 的 數 巨 〇 是 故 9 不 須 使 組 0X3 早 元 1 I 細 分 化 1 m 可 提 高 射 極 圓 錐 的 實 裝 密 度 9 同 時 t 可 使 其 製 請 先 Μ 1 1 | 造 很 容 易 實 施 Ο 讀 背 1 1 繼 而 » 放 射 棰 圓 錐 之 電 阻 值 係 大 致 由 用 以 製 作 陰 極 配 冬 ί 事 項 再 填 寫 本 1 1 综 與 島 狀 陰 極 導 體 之 光 罩 層 的 精 度 9 及 電 阻 層 之 電 阻 值 來 1 決 定 9 同 時 可 以 相 同 光 罩 形 成 陰 極 配 線 與 島 狀 陰 掻 導 體 9 裝 故 1 能 夠 於 基 板 全 面 上 形 成 再 現 性 佳 而 均 勻 之 設 定 電 阻 值 頁 1 1 1 〇 又 > 若 遠 離 前 述 電 場 放 射 型 電 子 源 設 置 一 塗 布 有 螢 光 1 1 1 體 之 陽 極 電 極 t 則 可 構 成 顯 示 器 t 此 時 f 只 要 使 A 刖 述 組 DO 単 訂 1 元 對 m 於 其 像 元 即 可 0 1 I 於 以 上 說 明 中 % 使 電 場 放 射 型 電 源 之 陰 極 電 極 作 成 1 I 一 於 陰 極 配 線 2 内 側 周 圍 設 有 無 導 體 區 域 8 之 島 狀 陰 掻 導 1 1 體 7 » 但 亦 可 使 陰 極 電 極 作 成 如 圖 7 及 圖 8 所 示 之 構 成 〇 丨 圖 7 所 示 之 陰 極 電 極 偽 Μ 由 條 紋 狀 陰 極 配 線 2 之 與 設 1 1 於 其 兩 側 之 複 數 陰 極 導 體 9 所 形 成 1 領 域 者 0 即 使 於 此 情 1 1 形 下 * 亦 可 藉 電 阻 層 使 領 域 内 之 陰 極 配 線 2 與 陰 掻 導 體 9 1 1 之 間 連 接 〇 又 9 電 阻 層 設 於 每 1 領 域 1 相 鄰 領 域 間 設 有 1 | 電 阻 層 分 離 部 1 0 〇 此 構 成 偽 只 要 如 下 即 可 於 電 阻 層 上 形 1 I 成 陰 掻 配 線 2 及 陰 極 導 體 9 1 而 於 陰 掻 導 體 9 上 設 置 複 數 1 1 之 射 極 圓 錐 及 閘 極 電 極 » 或 « 於 陰 掻 配 線 2 及 陰 極 導 體 9 1 上 形 成 電 阻 層 9 且 於 對 應 於 陰 極 導 體 9 之 電 阻 層 上 形 成 複 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4洗格（210X 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印繁 A7 __B7 五、發明説明（1 2) 數之射極圓錐及閘極電極；或，於陰極配線2上形成電阻 層，且於此電阻靥上設置一形成有複數射極圓錐及閘掻電 極之陰極導體9 。 圖8所示之陰極電極，偽藉由條紋狀之陰掻配線2-1 、2-2、 2-3、 2-4、 ··及設於其間之複數陰搔導體9 ,以 分別形成1領域者。亦即，以陰極配線2-2與陰極配線 2-3、及、形成於其間之陰掻導體9形成1領域。即使於 此情形中，區域内之陰極配線2-1與陰棰導體9 、陰極配 線2-2、 2-3與陰極導體9 、陰極配線2-4與陰掻導體9之 間亦可藉電阻層連接。此構成偽只要如下即可：於電阻層 上形成陰極配線2-1、2-2、2-3、2-4、…及陰極導體9 , 而於陰極導體9 1:設置複數之射掻圓錐及閘極電極；或， 於陰極配線2-1、2-2、2-3、 2-4、…及陰極導體9上形成 電阻層，且對應於陰極導體9之電阻層上形成複數之射極 圓錐及閘極電極；或，於陰極配線2-1、2-2、2-3、2-4、 …上形成電阻層，且於此電阻層上設置一形成有複數射極 圓錐及閛極電極之陰極導體9 。 其次，説明圖2及圖4所示之電場放射型電子源的製 造方法。 首先，於玻璃等之絶緣基板1上形成由鈮（Nb)、鉬（ Mo)、或鋁（A1)等金屬薄膜構成之陰極配線2 ,並藉露光 註刻技術（photolithography)於該陰極配線2上形成中空 部及於此中空部之中同時形成矩形之島狀陰掻導體7 。此 島狀陰搔導體7之形狀不限於矩形，亦可依照各射極圓錐 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八料見格（210X297公釐) . n m - n n n n - - I n : I :---. m n T (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 __B7 五、發明説明（13) 之排列而為圓形。 此外，藉濺鍍法或CVD法形成0.5微米〜2.0徹米左右 之膜厚的電阻層3 ,俾被覆陰極配線2與島狀陰極導件7 。此電阻層3之材料可使用非晶矽、I η 2 0 3、 F e 2 0 3、 Ζ η 0 、NiO合金、或摻入不純物之矽等，其電阻率約為lx 1 0 1 ~ IX 106Ω cm〇 接箸，前述基板1上藉濺鍍法或CVD法形成一由約 1.0徹米膜厚之二氣化矽（Si〇2)構成的絶緣層4 ,俾被覆 前述陰極配線2及電阻層3 。進而，於此绝緣層4上藉濺 鍍法形成一由的0.4微米膜厚之Nb、 M〇、 Al、 WSi2等構成 的閛極電極5膜。繼而，於該閛搔電極5上藉露光蝕刻技 術形成直徑約1.0微米之複數開口部6 ,再藉由一使用緩 衝氟酸（BHF)等之溼式蝕刻法或一使用CHF3等氣體之RIE, 而從開口部形成一達到電阻層3之開口部。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 I--#-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次，使用電子束（E B )蒸鍍法於閘極電極5 _h傾斜蒸 鍍鋁，以形成剝離層。於此剝離層上若進而使用E B蒸鍍法 垂直方向蒸鍍鉬，則於前述開口部内可堆積鉬呈圓錐狀， 以形成射極圓錐6 。 接著，藉磷酸等之剝離液溶解剝離層，以除去之，可 得到如圖2或圖4所示之電場放射型電子源。 其次，說明圖3所示之電場放射型電子源的製造方法 0 首先，於玻璃或陶瓷等之絶緣性基板1上，以腺鍍法 或CVD法等使用非晶矽或摻入不純物之矽等於陰極配線2 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210Χ 297公釐） ~ A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作杜印焚 五、 發明説明（1 4) 1 1 的 領 域 全 部 以 0 . 5〜2 .0撤 米 左 右 的 膜 厚 形 成 電 阻 層 3 〇 此 1 1 電 阻 層 3 之 電 阻 率 宜 為 1 X 1 0 1 lxi 06 Ω c η 範 圍 〇 1 1 接 著 9 蒸 鍍 形 成 N b 、 Mo A1等 之 金 靨 薄 膜 俾 被 覆 刖 述 /«—V 1 I 電 阻 層 3 < 再 藉 露 光 蝕 刻 法 進 行 η 刻 而 形 成 無 導 體 區 域 8 請 先 閱 1 1 | • 以 分 離 形 成 陰 極 配 線 2 與 島 狀 陰 極 導 體 7 〇 繼 而 1 於 陰 讀 背 1 極 配 線 2 島 狀 陰 極 導 體 7 上 以 濺 鍍 法 或 CVD法形成- -由 冬 % 事 項 再 填 寫 1 1 二 氣 化 矽 構 成 的 絶 緣 層 4 約 1 徹 米 厚 〇 進 而 t 於 絶 緣 層 4 1 上 以 濺 鍍 法 形 一 由 Nb Mo 、 A 1 WS i 2 構 成 之 閘 極 電 極 5 約 裝 0 . 4撤米厚。 頁 1 1 於 此 閘 極 電 極 5 上 以 露 光 蝕 刻 法 形 成 直 徑 約 1 徹 米 之 1 1 複 數 開 □ 部 f 藉 濕 式 蝕 刻 法 或 乾 式 蝕 刻 法 從 此 開 P 部 形 成 1 1 一 達 到 島 狀 陰 棰 導 體 7 之 開 P 部 0 訂 1 然 後 * 在 閑 極 電 極 5 上 設 置 剝 離 層 後 正 蒸 鍍 m 而 於 1 | 開 □ 部 内 形 成 射 極 圓 錐 6 I 但 » 此 偽 與 ^ ·-刖 述 之 製 造 方 法 相 1 I 同 1 故 省 略 其 說 明 〇 1 I 圖 9 表 示 本 發 明 第 3 實 施 例 之 電 場 放 射 型 電 子 源 的 陰 ，.·Ά 1 掻 電 極 構 成 Ο 1 1 此 圖 所 示 之 陰 極 電 極 30偽 多 數 根 並 聯 之 條 紋 狀 陰 m 配 1 1 線 12 t 且 於 陰 極 電 極 30之 領 域 内 開 設 無 導 體 區 域 之 窗 P 而 1 1 如 穿 孔 陰 極 配 線 12 0 穿 孔 此 陰 極 配 線 1 2之 窗 P 上 形 成 第 1 1 I 電 阻 層 1 3與 第 2 電 阻 層 17 〇 此 第 2 電 阻 層 1 7傜 設 於 窗 口 之 1 I 中 央 部 t 其 電 阻 值 乃 比 第 1 電 阻 層 1 3之 電 阻 值 還 低 之 電 阻 1 1 I 值 0 接 著 » 擴 大 所 開 窗 P 之 陰 極 配 線 12附 近 而 表 示 於 圖 1 1 I 1 0中 * 但 於 第 1 電 阻 層 1 3與 第 2 電 阻 層 1 7上 形 成 複 數 之 射 1 1 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4况格（210X 297公釐） 14 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明（ 1 5) 1 | 極 圓 錐 16以 為 電 子 放 射 源 0 1 1 此 射 極 圓 錐 1 6之 中 的 第 1 電 阻 層 1 3上 所 形 成 的 射 棰 圓 1 錐 1 6 » 係 從 陰 極 配 線 12介 由 第 1 電 阻 層 1 3而 供 給 電 流 * 並 1 1 從 第 2 電 阻 層 1 7上 所 形 成 之 射 極 圓 錐 1 6 1 介 由 第 1 電 阻 層 讀 先 閲 1 1 | 3 與 第 2 電 阻 層 7 朝 陰 極 電 極 1 2供 給 電 流 Ο 讀 背 面 1 1 I 其 次 > 將 此 圖 所 示 之 A - A截線的斷面圖表示於圖1 1中 責 1 1 0 於 此 圖 中 ， 绝 緣 性 基 板 1 1上 以 N b 、 Mo 、 A 1等 之 導 電 性 事 項 再 填 寫 木 1 裝 薄 膜 形 成 陰 極 配 線 1 2的 圖 案 t 且 於 此 陰 極 配 線 1 2上 » 由 摻 頁 、_〆 1 1 入 不 純 物 之 非 晶 矽 等 構 成 的 第 1 電 阻 層 13 、 第 2 電 阻 層 1 1 1 7乃 全 面 形 成 陰 極 配 線 1 2領 域 内 0 進 而 * 於 第 1 電 阻 層 1 1 1 3 、 第 2 電 阻 層 1 7之 上 形 成 一 由 二 氧 化 矽 (S i 0 2)所 構 成 的 訂 1 絶 m 層 1 4 > 及 N b 、 Mo 等 所 構 成 的 閘 極 電 掻 15 t 且 於 此 閘 極 1 | 電 極 1 5舆 绝 緣 層 1 4所 開 Π 的 開 Π 部 中 分 別 形 成 一 由 鉬 所 構 1 I 成 的 射 極 圓 錐 16 〇 1 1 此 閘 極 電 極 1 5亦 形 成 條 紋 狀 f 並 與 陰 極 電 極 12 一 起 形 T 1 成 矩 陣 〇 1 1 將 圖 1 1所 示 之 電 場 放 射 電 子 源 的 等 效 電 路 表 示 於 圖 1 1 1 2中 〇 於 此 圖 中 * 射 極 圓 錐 1 6 -1與 射 極 圓 錐 16 -3形 成 對 稱 1 1 t 故 t 白 陰 極 電 極 1 2之 電 阻 值 相 對 0 又 1 中 央 之 射 極 圓 1 1 錐 16 -2離 陰 極 配 線 1 2很 遠 1 故 白 陰 極 配 線 1 2之 電 阻 通 常 很 1 1 大 0 於 是 9 若 使 射 極 圓 錐 16 -2之 下 的 第 2 電 阻 層 17之 電 阻 1 I 值 成 為 低 電 阻 值 < 可 與 其 他 之 射 極 圓 錐 16-1 % 16 _ 3約 略 成 1 1 I 為 相 等 之 電 阻 值 0 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4*見格（210X 297公釐） 15 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ Ί 1 j ϋ 而 一 面 參 照 圖 1 0 —* 面 加 以 説 明 0 射 極 圓 錐 16偽 例 如 1 1 形 成 3 列 如 前 述 圖 1 0所 示 * 第 1 列 與 第 3 列 之 射 極 圓 錐 1 1 1 6 、 及 中 央 列 之 最 上 面 與 最 下 面 一 行 的 射 掻 圓 錐 16係 形 1 I 成 於 第 1 電 阻 層 1 3之 上 1 且 第 2 列 之 中 央 部 的 射 m 圓 錐 請 先 1 1 | 16乃 例 如 形 成 於 3 値 第 2 電 阻 層 1 7上 0 如 刖 述 般 使 第 2 電 背 1 1 阻 層 1 7的電 阻 值 比 第 1 電 阻 層 1 3的 電 阻 值 還 低 » 故 ， 至 接 ί 事 項 再 填 寫 本 1 1 近 陰 極 配 線 1 2之 第 1 列 與 第 3 列 的 射 極 圓 錐 1 6之 電 阻 值 、 1 1 與 至 遠 離 陰 極 配 線 1 2之 第 2 列 中 央 部 的 射 極 圓 錐 1 6的 電 裝 1 阻 值 可 大 致 均 一 化 t 因 第 2 電 阻 層 1 7的 電 阻 值 較 低 之 故 〇 頁 '—^ 1 1 又 t 於 陰 極 配 線 1 2之 區 域 内 全 面 形 成 一 由 摻 入 不 純 物 1 1 之 非 晶 矽 所 構 成 的 第 1 電 阻 層 乃 後 * 對 應 於 形 成 第 2 電 阻 1 1 層 1 7的 部 分 9 只 對 第 1 電 阻 層 1 3照 射 雷 射 光 等 > 若 經 部 分 訂 1 退 火 » 可 形 成 低 電 阻 化 之 第 2 電 阻 層 17 0 1 | 妖 後 1 將 本 發 明 第 4 實 施 例 之 電 場 放 出 型 電 子 源 的 陰 1 I 極 電 極 上 面 圖 表 示 於 圖 1 3中 〇 1 1 於 此 圖 所 示 之 陰 極 配 線 12 係 相 同 於 圖 9 所 示 之 陰 極 、、广 1 電 極 30 t 於 多 數 根 並 聯 之 條 紋 狀 陰 極 配 線 2 及 陰 極 配 線 1 1 1 2之 領 域 内 開 設 無 導 體 領 域 之 窗 □ 而 如 穿 孔 陰 極 配 線 12 〇 1 1 經 穿 孔 陰 極 配 線 1 2之 窗 P 上 形 成 第 1 電 阻 層 1 8與 環 狀 之 第 1 1 2 電 阻 層 19 〇 此 第 2 電 阻 層 1 9係 設 於 接 近 窗 口 之 陰 掻 配 線 1 | 1 2的 部 分 » 其 電 阻 值 設 定 為 比 第 1 電 阻 層 1 8之 電 阻 值 還 高 1 I 0 於 此 第 1 電 阻 層 1 8與 第 2 電 阻 層 1 9上 乃 形 成 複 數 之 放 射 1 1 I 極 圓 錐 1 6而 成 為 電 子 放 射 源 0 此 射 極 圓 錐 1 6之 中 的 第 1 電 1 1 I 阻 層 1 8上 所 形 成 的 射 極 圓 錐 16 > 偽 從 陰 極 配 線 1 2介 由 第 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS > A4規格（210X 297公犛） 16 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 1?) 1 | 電 阻 層 18及 第 2 電 阻 層 19供 給 電 流 » 從 第 1 電 阻 層 1 8上 所 1 1 形 成 之 射 極 圓 錐 1 6介 由 距 離 增 長 之 第 1 電 阻 層 1 8而 朝 陰 極 1 1 配 線 12供 給 電 流 0 1 I 將 圖 1 3所 示 之 B - B截線的斷面圖表示於圖14中。 於此 請 先 Ml 1 1 | 圖 中 t 絶 緣 性 基 板 1 1上 藉 濺 鍍 以 N b Mo 、 A 1等 導 電 性 薄 膜 讀 背 1 1 形 成 陰 極 配 線 12 t 於 此 陰 極 配 線 1 2上 9 在 陰 掻 配 線 1 2的 區 冬 ί 事 項 再 填 寫 * 1 1 域 内 全 面 形 成 一 由 摻 入 不 純 物 之 非 晶 矽 等 構 成 的 第 1 電 阻 1 層 18 第 2 電 阻 層 19 0 進 而 參 於 第 1 電 阻 層 18 、 第 2 電 阻 裝 層 1 9之 上 形 成 一 由 之 氧 化 矽 (S i 0 2)構 成 的 絶 綠 層 14 N 及 頁 ^ 1 1 由 N b 、 Ho 等 構 成 的 閘 極 電 極 15 « 於 此 閛 極 電 極 1 5與 絶 緣 層 1 1 1 4所 開 P 之 開 □ 部 内 分 別 形 成 一 由 Ho 所 構 成 的 射 掻 圓 錐 1 | 16 〇 訂 1 此 閛 極 電 極 1 5亦 形 成 條 紋 狀 > 且 與 陰 極 電 極 12 一 起 形 1 I 成 矩 陣 0 1 I 射 極 圓 錐 16偽 例 如 形 成 4 列 » 於 溝 成 此 射 掻 圓 錐 16外 1 I 周 之 射 極 圓 錐 1 6的 下 方 至 中 間 形 成 第 2 電 阻 層 1 9而 被 埋 於 «·»« · 1 第 1 電 阻 層 1 8内 0 但 » 此 斷 面 圖 因 偽 圖 1 3所 示 之 B - B截線 1 I 的 斷 面 圖 故 只 於 第 1 列 射 極 圓 錐 1 6 - 1 與 第 4 列 射 極 圓 錐 1 1 16 -4的 下 方 形 成 第 2 電 阻 層 19 〇 此 第 2 電 阻 層 1 9的 電 阻 值 1 1 被 設 定 為 bb 第 1 電 阻 層 18還 高 » 圖 示 之 第 2 列 及 第 3 列 的 1 | 射 極 圓 錐 16 -2 16 -3與 陰 極 配 線 1 2之 距 離 較 長 $ 故 1 從 陰 1 I 極 配 線 1 2至 各 射 極 圓 錐 16 -1 16 -4之 電 阻 值 約 略 相 等 〇 1 1 I 又 f 於 陰 極 配 線 1 2之 領 域 内 全 面 形 成 一 由 摻 入 不 純 物 1 1 I 之 非 晶 矽 構 成 的 第 2 電 阻 層 9 後 1 只 殘 留 形 成 第 2 電 阻 層 1 [ 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS )八4说格（210X 297公釐） 17 A7 __B7 五、發明説明（19 19的部分，而從透明之基板11的下面照射雷射等以部分進 行退火，進而，從基板11之下方全面照射短時間雷射等而 稍進行退火。可形成低電阻化之第1電阻層18與至未低電 阻化之中間的深度之第2電阻層1 9。 其次，將本發明第5實施例之電場放射型電子源的陰 極電極上面圖表於圖15。 經濟部中央標準局員工消費合作杜印焚 ^--t.-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於此圖所示之陰極電極30係相同於圖1所示之陰掻電 極20,乃製成多數根並聯之條紋狀陰掻配線12,於陰掻配 線12之領域内開設無導體領域之窗口而如開孔陰極配線12 。在開孔此陰極配線12之窗口上形成第1電阻層20與只形 成於射極圓錐16下方之第2電咀層21。此第2電阻層21偽 形成於接近陰極配線12之部分的射極圓錐16下方，且其電 阻值被設定成比第1電阻層2 0之電阻值還高。藉第1電阻 層20與第2電阻層21上所形成之複數射極圓錐16,以構成 電子放射源。從此射極圓錐16之中的第2電阻層21上所形 成的射極圓錐16,可朝陰極配線12經由第1電阻層20及第 2電阻層21供給電流，從第1電阻層20上所形之射極圓錐 16可介由長距離之第1電阻層20朝陰極電極2供給電流。 將圖15所示之C-C截線的斷面表示於圖16中。於此圖 中，絶緣性基板11上以Nb、Mo、 A丨等之導電性薄膜形成陰 極配線12的圖案，且於此陰極配線12上在陰極電極2之領 域内全面形成由摻入不純物之非晶矽等構成的第1電阻層 20、第2電阻層21。進而於第1電阻層20、第2電阻層 21之上形成一由二氣矽（Si〇2)構成的絶緣層14、及一由 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明（ 1 9) 1 1 Nb , Mo 等 構 成 的 閘 極 電 極 15. 開 P 於 此 閛 極 電 極 1 5 與 绝 m 1 1 層 1 4上 之 開 Π 部 内 分 別 形 成 一 由 Ho 所 構 成 之 射 極 圓 錐 1 6 0 1 此 閛 搔 電 極 1 5 亦 形 成 線 條 狀 9 且 與 陰 極 配 線 1 2 起 形 成 矩 1 I 請 1 I 陣 〇 先 閲 1 I 讀 1 I 射 極 圓 錐 1 6 % 例 如 形 成 4 列 1 構 成 此 射 極 圓 錐 6 之 外 背 1 1 ' 之 1 周 的 射 極 圓 錐 1 6 的 正 下 方 周 邊 形 成 第 2 電 阻 層 2 1 0 但 % 1 事 1 此 斷 面 圖 為 15 所 示 之 C - C截線的斷面圖， 故只於第1 列之 項 真 1 填 射 掻 圓 錐 16 -1 與 第 4 列 之 射 極 圓 錐 1 6 -4 的 下 方 形 成 第 2 電 寫 木 裝 頁 1 阻 層 2 1 0 此 第 2 電 阻 層 2 1 的 電 阻 值 被 設 定 為 此 第 1 電 阻 層 1 20 的 電 阻 值 還 高 同 時 > m 示 之 第 2 列 及 第 3 列 的 射 極 圓 1 1 錐 16 -2 、 16 -3 與 陰 極 配 線 12 之 距 離 較 長 * 故 » 從 陰 極 配 線 1 1 1 2 至 各 射 掻 圓 錐 1 6 -1 16 -4的 電 阻 值 的 略 相 等 〇 訂 1 又 t 於 陰 極 配 線 1 2 之 領 域 内 全 面 形 成 一 由 摻 入 不 純 物 1 I 之 非 晶 矽 所 構 成 的 第 2 電 阻 層 2 1 後 只 殘 留 形 成 第 2 電 阻 1 層 2 1 的 部 分 9 若 從 透 明 基 板 11 的 下 方 a 由 雷 射 等 照 射 以 進 1 1 行 部 分 退 火 ♦ 則 可 形 成 低 電 阻 化 之 第 1 電 阻 層 2 0 及 未 低 電 、·,，·- 1 阻 化 之 第 2 電 阻 層 2 1 0 1 1 其 次 ， 將 本 發 明 第 6 實 施 例 之 電 場 放 射 型 電 子 源 的 陰 1 1 極 電 極 上 面 圖 表 示 於 圖 17 中 0 1 1 此 圖 所 示 之 陰 極 電 極 30 傜 形 成 多 數 根 並 聯 之 條 紋 狀 陰 I 極 配 線 12 t 及 t 於 含 有 陰 極 配 線 1 2之 領 域 内 如 圖 所 示 般 1 1 I 形 成 第 1 電 阻 層 2 2 及 於 一 部 分 射 極 圓 錐 1 6之下方形成 1 I 第 2 電 阻 層 23 〇 此 第 2 電 阻 層 23係 形 成 島 狀 t 且 只 形 成 於 1 1 I 離 陰 極 配 線 1 2較 遠 之 部 分 所 形 成 的 射 極 圓 錐 16 的 下 方 « 其 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 19 A7 B7 五、發明説明（2 Q) 電阻值被設定成比第1電阻層2 2的電阻值還低。以此第1 電阻層22與第2電阻層23上所形成之複數射極圓錐16,可 構成電子放射源。從此射極圓錐16之中的第2電阻層23上 所形成之射極圓錐16,可朝陰極電極12介由第1電阻層 22及第2電阻層23供給電流，從第1電阻層22上所形成之 射極圓錐16，可朝陰極電極2介由第1電阻層22供給電源 0 又，24為未形成第1電阻層22及第2電阻層23之電阻 層分離部，可使條紋狀之陰極配線12間電氣分離。 其次，將此圖所示之D-D截線的斷面圖表示於圖18中 0 於此圖中，射極圓錐16-1、 16-3與陰極配線12之間的 電阻值係由第1電阻層22的長度來決定。又，射掻圓錐 16-2、 16-4自陰極配線12之距離較長，故，通常自陰極配 線12之電阻會變大。因此，若使射極圓錐16-2、 16-4下面 之第2電阻層2 3的電阻值降低，則可與射極圓錐1 6 - 1、 1 6 - 3的電阻值約略相等。 經濟部中央標準局員工消費合作社印繁 n nn ml -1^^1 m ^^^1 ^^^1 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 亦即，射極圓錐16有關陰極配線12的1區域，如圖所 示，例如形成2列，但第1列之射極圓錐1 6 - 1、 1 6 - 3偽形 成於第1電阻層2 2之上，而第2列之射極圓錐1 6 - 2、 1 6 - 4乃形成於島狀之第2電阻層23上。如前所述，由於第2 電阻層23之電阻值係設成低於第1電阻層22之電阻值，至 接近陰極配線1 2之第]列射極圓錐1 6 -〗、1 6 - 3的電阻值、 與至遠離陰極電極1 2之第2列射極圓錐1 6 - 2、 1 6 - 4的電阻 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4現格（210X 297公釐） 20 A7 B7 五、發明説明（2 ]) 值乃因第2電阻層22之電阻值較低而可大致均一化。 又，於前述第6實施例中，陰極配線12之單側只形成 第1電阻層22及第2電阻層23,但亦可形成於兩側。進而 ,不使陰極配線12直接形成於基板11上，而代之形成於第 1電阻層22上亦可。 於陰極配線12之區域内全面形成一由摻入不純物的非 晶矽所構成之第1電阻層22後，若只對形成第2電阻層 23的部分照射雷射等，以使之部分退火，則可形成低電阻 化之第2電阻層23。 其次，將本發明第7實施例之電場放射型電子源的陰 極電極上面圖表示於圖19中。 此圖所示之陰極電極30偽多數根並聯之條紋狀陰掻配 線2 、及、從陰極配線1 2上朝兩側延伸般形成第2電阻層 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 25以構成陰極配線12之1區域。又，在接近陰極配線12之 部分所設置的射極圓錐16下方，於深度方向至中間上形成 第2電阻層2 6 ,其電阻值被設定成比第1電阻層2 5之電阻 值還高。於此第1電阻層25與第2電阻層26上形成複數射 極圓錐16以作為電子放射源。從此射極圓錐16之中的第1 電阻層25上所形成的射極圓錐16可朝陰極電極2介由第1 電阻層25及第2電阻層26供給電流，並從第1電阻層25上 所形成之射極圓錐16介由較長之第1電阻層26之朝陰極電 掻2供給電流。 將圖19所示之E-E截線的斷面圖表示於圖20中。於此 圖中，在絶緣性基板11上以Nb、 Mo、 A丨等的導電性薄膜籍 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS〉A4说格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 1 A7 __B7 五、發明説明（22) 由濺鍍形成陰極配線12,並此陰極電極2上，在陰極電極 2之領域全面形成一由摻入不純物之非晶矽等構成的第1 電阻層25、第2電阻層26。進而，於第1電阻層25、第2 電阻層26上形成一由二氣化矽（Si〇2)所構成的絶緣層、及 一由Hb、 Mo等所構成的閘極電極15,且開口於此閛極電極 15與絶緣層14之開口部内分別形成一由Mo所構成的射極圓 錐16。 此閘極電極1 5亦形成絛紋狀，並與陰極配線1 2 —起形 成矩陣。 射極圓錐16如圖所示，例如於陰極配線12之單側各形 成2列，於接近此陰極配線1 2之射極圓錐1 6 - 1、 1 6 - 4下方 朝深度方向至中間形成第2電阻層26而如被埋設於第1電 阻層25中。此第2電阻層26的電阻值被設定成比第1電阻 層的電阻值還高，同時，圖示之第2列的射極圓錐16-2、 16-3與陰極配線12之距離較長，故從陰極配線12至各射極 I I II - -—· 1 I I I I - - - - - I I 丁 0¾ 、-& (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 物阻 進以電 阻 純電 分射低 電 不 2 部雷未 之 入第 以間至 摻成 等時與 由 形射短25 1 留 雷射層 成殘射照阻 形只 照地電 第間 。 面 , ，面 一—I 。 及 1 等全後面全第2625線 相内26下面之 層層配 略域層 的下化 阻阻極 約領阻11之阻 電電陰 值 之電板11電 21 之 阻122 基板低第第狀 電線第 明基成 的成紋 的配的 透從形 度形條 -4極成從 ，可 深未使 16陰構 ，而 ，的為且 ~ 於所分進火間24, -1，矽部 ，退中 ，部 16又晶的火行之又離 錐 非26退進化 分 圓 之層 行稍阻 層 層離 阻分 電氣 »B 2 -¾ 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 22 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印褽 五、發明説明（23) 1 | 又 > 於 XJL. 刖 述 第 7 實 施 例 中 1 於 陰 極 配 線 1 2之 兩 側 形 1 1 成第 1 電 阻 層 25及 第 2 電 阻 層 26 ， 但 亦 可 只 形 成 οα 単 側 0 1 1 此 外 ， 如 圖 21所 示 » 不 使 陰 極 配 線 12直 接 形 成 於 基 板 /—V 1 I 1 1上 1 亦 可 形 成 於 第 1 電 阻 層 25之 上 0 請 先 閱 1 1 1 其 次 » 將 本 發 明 第 8 實 施 例 之 電 場 射 型 電 子 源 的 陰 極 讀 背 1 1 1. 電極 上 面 圖 表 示 於 圖 22中 0 音 1 1 此 圖 所 示 之 陰 極 電 極 30係 多 數 根 並 聯 之 條 紋 狀 陰 極 配 事 項 再 1 線1 2 及 、 如 從 陰 極 配 線 1 2上 朝 兩 側 延 伸 而 形 成 第 1 電 阻 填 寫 本 裝 I 層27以 形 成 陰 極 配 線 1 2之 1 領 域 0 又 t 第 2 電 阻 層 28乃 只 頁 、- 1 1 形成 於 接 近 陰 極 配 線 1 2之 部 分 所 設 置 的 射 極 圓 錐 1 6正 下 方 1 1 附近 » 其 電 阻 值 被 設 定 成 此 第 1 電 阻 層 27的 電 阻 值 還 高 〇 1 1 此第 1 電 阻 層 27與 第 2 電 阻 層 28上 形 成 複 數 之 射 極 圓 錐 訂 1 16以 成 為 電 子 放 射 源 0 可 從 形 成 於 此 射 極 圓 錐 1 6之 中 的 第 1 | 1電 阻 層 27的 上 方 之 射 極 圓 錐 16朝 陰 極 配 線 12介 由 第 1 電 1 1 阻層 27及 第 2 電 阻 層 28供 給 電 流 I 並 從 形 成 於 第 1 電 阻 層 1 1 27上 之 射 極 圓 錐 1 6介 由 較 長 之 第 1 電 阻 層 28朝 陰 極 配 線 1 I 12供 給 電 流 〇 1 1 將 圖 2 2所 示 之 F - F截線的斷面圖表示於圖23中。 於此 1 1 圖中 1 絶 m 性 基 板 1 1上 之 陰 極 配 線 及 乃 以 Hb Mo 、 A 1等 導 1 電性 薄 膜 濺 鍍 形 成 ♦ 且 於 此 陰 極 配 線 1 2上 9 由 摻 入 不 純 1 1 物之 非 晶 矽 等 構 成 的 第 1 電 阻 層 27 第 2 電 阻 層 28乃 全 面 1 I 形成 於 陰 極 配 線 1 2之 區 域 内 0 進 而 * 於 第 1 電 阻 層 27 、 第 1 I 2電 阻 層 28之 上 係 形 成 一 由 二 氣 化 矽 (S i〇2)構 成 的 絶 緣 層 1 1 | 14、 及 一 由 Nb Mo 等 構 成 的 閘 極 電 極 15 1 且 開 □ 於 此 閘 極 I 1 本紙伕尺度適用中國國家標準（CNS ) A4現格（210X297公釐） 23 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作杜印聚 五、 發明説明 2 4) 1 1 電 極 1 5與 绝 綠 層 14 上 之 開 P 部 之 中 分 別 形 成 一 由 Μ 〇 所 構 成 1 1 的 射 掻 圓 錐 16 〇 1 1 此 閛 極 電 極 1 5亦 形 成 條 紋 > 並 與 陰 極 配 線 12 一 起 形 成 1 I 請 1 1 矩 陣 〇 先 閱 1 I 讀 1 1 射 極 圓 錐 1 6 如 圖 所 示 t 例 如 於 陰 極 配 線 12 之 ΒΟ 単 側 各 形 背 1 I 之 1 成 2 列 9 且 接 近 此 陰 極 配 综 1 2之 射 極 圓 錐 16 -1 16 -4的 正 意 1 事 1 下 方 附 近 乃 形 成 第 2 電 阻 層 28 〇 此 第 2 電 阻 層 28的 電 阻 值 項 再 1 填 被 設 定 成 比 第 1 電 阻 層 27的 電 阻 值 還 高 ， 同 時 園 示 之 第 2 寫 木 裝 頁 1 列 的 射 極 圓 錐 1 6 -2 、 1 6 -3與 陰 極 配 線 1 2 之 距 離 較 長 故 從 1 陰 極 配 線 12 至 各 射 極 圓 錐 1 6 -1 16 -4的 電 阻 值 約 略 相 等 〇 1 1 又 > 使 —‘ 由 摻 入 不 純 物 之 非 晶 矽 構 成 的 第 2 電 阻 層 1 1 28 形 成 於 陰 極 配 線 1 2 的 區 域 内 全 面 後 » 只 殘 留 形 成 第 2 電 訂 1 阻 層 1 8 的 部 分 1 而 從 透 明 基 板 11 之 下 方 照 射 雷 射 等 以 部 分 1 | 地 進 行 退 火 1 則 可 形 成 低 電 阻 化 之 第 1 電 阻 層 27 與 未 低 電 1 ί 阻 化 之 第 2 電 阻 層 28 〇 1 1 又 t 24 係 未 形 成 第 1 電 阻 層 27及 第 2 電 阻 層 28 的 電 阻 1 層 分 離 部 t 且 使 條 紋 狀 之 陰 極 電 極 1 2 間 電 氣 分 離 〇 1 1 又 ， 於 前 述 第 8 實 施 例 中 ♦ % 在 陰 極 配 線 12 之 兩 側 形 1 1 成 第 1 電 阻 層 27 及 第 2 電 阻 層 2 8 t 但 亦 可 只 形 成 於 αο 早 側 〇 1 1 此 外 ， 如 圖 2 4所 示 9 不 使 陰 極 配 線 12 直 接 形 成 於 基 板 1 1 11 上 9 而 亦 可 形 成 於 第 1 電 阻 層 27上 〇 1 1 如 此 t 本 發 明 之 電 場 放 射 型 電 子 源 > 可 令 陰 極 配 線 1 I 12 之 領 域 内 的 射 極 圓 錐 之 電 阻 值 約 略 相 等 〇 因 此 1 可 使 前 1 1 I 述 領 域 内 之 金 部 射 極 圓 錐 的 放 射 約 略 相 同 9 同 時 可 增 加 放 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） 2 4 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印褽 五、發明説明（ 2 5^ 1 射 電 流 〇 1 1 此 外 因 陰 極 配 線 1 2領 域 内 之 射 極 圓 錐 的 電 阻 值 差 很 1 少 ί 故 可 增 加 領 域 内 之 射 極 圓 錐 的 數 巨 0 進 而 » 因 不 須 使 1 I 區 域 細 分 化 t 故 可 提 高 射 極 圓 錐 的 實 裝 密 度 > 同 時 亦 可 很 請 先 閱 背 1 1 1 容 易 地 製 造 〇 1 1 又 f 若 遠 隔 »·-刖 述 電 場 放 射 型 電 子 源 設 有 一 塗 布 螢 光 體 意 事 項 再 填 寫 本 1 1 之 陽 極 電 掻 1 可 構 成 顯 示 器 t 此 時 » 只 要 使 前 述 領 域 對 應 1 於 其 像 元 m 可 〇 裝 1 又 t 在 上 述 第 3 實 施 例 乃 至 第 8 實 施 例 中 之 第 1 電 阻 頁 v_✓ 1 1 層 及 第 2 電 阻 層 的 材 料 1 可 使 用 摻 入 不 純 物 之 非 晶 矽 或 聚 1 1 矽 等 1 所 摻 人 之 不 純 物 可 使 用 P 、 B i Ga In 、 T 1等 > 藉 1 1 由 實 施 雷 射 照 射 9 可 將 電 阻 值 調 節 至 10 1〜\ 06 Ω cm 之 任 意 訂 | 電 阻 值 0 依 此 9 可 形 成 第 3 實 施 例 中 之 低 電 阻 值 的 第 2 電 1 I 阻 層 17 N 第 4 實 施 例 中 之 低 電 阻 值 的 第 1 電 阻 層 18 、 第 5 1 1 ( 實 施 例 中 之 低 電 阻 值 的 第 1 電 阻 層 20 第 6 實 施 例 中 之 低 1 1 電 阻 值 的 第 2 電 阻 層 23 第 7 實 施 例 中 之 低 電 阻 值 的 第 1 'fy 卜 1 電 阻 層 25 N 第 8 實 施 例 中 之 低 電 阻 值 的 第 1 電 阻 層 27 〇 1 1 此 外 1 雷 射 適 宜 使 用 Xe C 1準 分 子 雷 射 (波長λ = 3 0 8 η π ) 1 1 〇 此 時 之 雷 射 照 射 時 間 約 為 0 . 1秒。 又， 若不用雷射亦可 1 使 用 燈 光 進 行 退 火 0 1 I [發明之效果] 本 發 明 係 如 以 上 之 構 成 者 、 因 可 使 陰 極 電 搔 與 各 射 極 1 圓 錐 間 之 電 阻 值 約 為 一 定 f 故 » 可 使 陰 搔 領 域 内 所 形 成 之 1 I 各 射 極 圓 錐 的 放 射 均 一 化 0 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 25 2d5762 at B7五、發明説明（2 6) 又，於射極電極之附近設置射極圓錐為可謀求放射之 均一化，可增加陰極領域内之射極圓錐的數目，並提高實 度 密 裝 明 說 單 簡 之 面 圔 陰 源 子 電 型 射 放 場 gBl psr 之 例 施 實 11 第 明 發 本 示 表 係 11 圖 的 源 子 I 型 射 放 場 ge 之 例 施 實 II 第 明 C 發 示 本 圖 示 的表 成偽 $ 樓 2 極圖 S Ι^ΟΓ 極 圖 面 斷 的 源 子 電 型 射 放 場 電 之 例 施 實 2 第 明 發 本 示 表 偽 3 圖 _ 面 斷 變 源 子 電 型 射 放 場 Ε 之 例 施 實 11 第 明 發 本 示 表 4 圖 示 圖 子 例 的 小 大 之 瞪 Men 導 極 陰 狀 島 〇 示 圖表 面係 斷 5 的圖 例 形 画圖 6 7 c 其 示的 圖極 子極 例陰 的之 小源 大子 他電 其型 之射 體放 導場 極電 陰明 狀發 島本 示示 表表 另 的 極 gat 極 陰 之 源 子 ara- Ι^ΟΓ 型 射 放 場 電 明 發 。 本 示 示 圖表 的偽 例 8 成圖 章 榑 他 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 陰 的 源 子 電 型 射 放 場 ffe SR 例 施 實 3 第 〇 明 示 發 圖本 的示 例表 施偽 實 9 他 画 其 極 陰 的 源 子 IpST 型 射 放 場 I ttnr 之 例 施 實 3 〇 第 示 明 圖發 的本 成偽 犛 ο 榑 1 極圖 gmt 極 面 斷 的 源 子 tMnl 型 射 放 場 尹e Ι^ΙΓ 之 例 施 實 3 第 明 。 發 圖本 面偽 IX 上 1 的圖 極 1ye ipar 圖 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 26 B7五、發明説明（27) 画12係本發明第3實施例之電場放射型電子源的等效 經濟部中央棟準局員工消費合作杜印製 極面 極面極 極陰面 形極面 陰斷 陰斷陰 陰之斷 變陰斷 的的 的的的 的源的 的的的 源源 源源源 源子源 源源源 子子 子子子 子電子 子子子 電電 電電電 電型電 電電電 型型 型型型 型射型 型型型 射 射 射 射 射 射 放 务 射 务 放放 放放放 放場放 放放放 場場 場場場 場電場 場場場 電電 電電電 電之電 電電電 之之 之之之 之例之 之之之 例例 例例例 例施例 例例例 施施施 施施 施實施 施施施 實實實 實實實 7 實實 實實 4 4 5 5 6 6 t^ 7 8 8 第第 第第第 第之第 第第第 明明 明明明 明明明 明明明 發 發 發 發 發 發 發 。發 發 發 發 本 。本 本 。本 本 。本。本圖本 本 。本 。本 係圖偽 偽圖係 俱 圖係圖 偽面偽 偽圖 係圖偽 13面1415面1617面18面19上2021面22面23 。 圖上圖 圖上圖 圖上圖上 圖之圖 圖斷 圖上圖 路掻 。極 。掻 極極 。之極 C 電電圖 電圖電 電電圖 例電圖 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙乐尺度適用中國國家標準( CNS ) A4規格（210X 297公釐） 27 A7 B7 五、發明説明（2 8) 圖24係本發明第8實施例之電場放射型電子源的變形 示 圖 的 源 子 i per 型 射 放 場 ιρτ 之 知 習 示 〇 表 圖係 面25 斷 _ 之 例 明 說 之 號 符 板 基 線 配 極 陰^ 05732 A7 B7 V. Description of the invention (3) The present invention is related to an improvement of a well-known electric field emission type electron source used as a cold cathode. If the applied electric field on the surface of metal or semiconductor is about 109 [ν / π], due to the channel effect, electrons will pass through the barrier and emit electrons in vacuum even at normal temperature. This is known as Field Emission. The cathode that emits electrons based on this principle is called the Field Emission Cathode (hereinafter referred to as FEC). In recent years, the technology of semiconductor integration has changed rapidly, and micron (micron) ) 'S FEC, an example of which is known as the spindt type 0. If this FEC is manufactured using semiconductor mildew processing technology, it can make the cone-shaped emitter (eBitter cone) and idle pole The distance between the electrodes forms a sub-meter. Therefore, applying a voltage of tens of volts between the emitter cone and the gate electrode can emit electrons from the emitter cone. In addition, the distance between the cones of the emitters can be made from 5 to 10 meters, so tens of thousands to hundreds of thousands of FEC can be provided on one substrate. Employee consumption cooperation of the Central Ministry of Economic Affairs of the Ministry of Economic Affairs Du Yinli -1 I--II 1-...... I -II---II n ϋ.— XV U3, va (Please read the precautions on the back first (Fill in this page) In this way, a surface-emission type FEC can be produced. This PEC has been proposed to be applicable to the field-emission type electron source used as a fluorescent display device, CRT, electron display mirror, or electron beam device. Next, in FIG. 25, the top view of the FEC used as such an electric field emission type electron source is shown in (a), and its cross-sectional view is shown in (table). As shown in (a) of FIG. 25 As shown, the cathode wiring 102 is pseudo-shaped into a zigzag pattern, and the upper part of the cathode wiring 102 of this zigzag shape is formed into an electric paper. The paper size is applicable to the Chinese National Standard (CNS) M specifications (210X 297 mm) 3 A7 A7 B7 The Ministry of Economic Affairs, Central Bureau of Standards, Employee and Consumer Cooperatives printed and reproduced V. Description of the invention (4) Resistive layer 1 0 3, a plurality of emitter cones 10 6 are formed on the resistive layer 103 in this chevron shape, respectively, (a) A gate electrode 105 is formed on the entire surface of the field-emission type electron source shown on the figure, and a plurality of approximately circular opening portions as shown in the figure are provided on the gate electrode 105, and Λ.Λ are formed in the opening portions P, respectively. . The emitter cone 1 06. The cross-sectional view of this electric field emission type electron source is shown in (b), but the A shown in this cross-section (a) The cross-section of the field emission type electron source of the -A line. In this figure, a cross-shaped negative distribution line 102 is pseudo-formed on the insulating substrate 10 1, and an electrical resistance layer 10 3 is formed on the substrate 10 1 in its entire surface. An insulating layer 104 and a gate electrode 105 are formed on the resistive layer 103, and an emitter cone 1 06 is formed in the opening formed by the gate electrode 105 and the green layer. The reason why the resistance layer 1 0 3 is provided between 06 and the cathode wiring 1 02 is as follows. Generally, the distance between the tip of the emitter cone and the gate electrode is formed by the FEC to form a so-called sub-Chemi pole short distance 1 at the same time. Even hundreds of thousands of emitter cones are set on a H substrate. Therefore, during the manufacturing process, sometimes a short circuit between the emitter cone and the gate electrode may be caused by dust, etc. 0. • If there is a bow short circuit between the sink pole and the emitter cone »The cathode and the gate electrode are short-circuited» A voltage 9 cannot be applied to all the emitter cones, resulting in an inoperable electric field emission type electron source. Also »During the initial operation of the electric field emission type electron source» Local outgassing will occur 9 Gas sometimes -i & s Discharge between the emitter cone and the gate electrode or cathode9 Therefore, there is a large current flowing in the cathode and the cathode is broken. In addition »Among the majority of shot cones, there is an emitter map cone that easily emits electrons > The electrons emitted from the cone of the emitter will sometimes make the size of the paper to be adapted to the Chinese National Standard (CNS) Α4 specifications (2Ι0Χ 297mm). Please read the back matters first and then fill in the clothing page A7 __B7 * 5. 3. Description of the invention (5) An abnormally bright spot occurs on the screen. Therefore, as shown in FIG. 25, if the resistance layer 103 is formed between the cathode wiring 102 and the emitter cone 106, a value in the emitter cone 106 is abnormally starting to emit many electrons due to the shape non-uniformity. A voltage drop caused by the resistance layer 103 is formed between the gate electrode 105 and the cathode wiring 102. The applied voltage of the emitter cone that wants to discharge excessive current abnormally can decrease with the discharge current. Therefore, the electron K can be suppressed to suppress the emission of electrons to stabilize the emission of electrons for each emitter electrode. Therefore, the cathode wiring 102 can be prevented from being broken. Therefore, by providing the resistive layer 103, the productivity of FEC cracking can be improved, and the stable operation of FEC can be ensured. [Problems to be solved by the invention] Printed by the Employee Consumer Cooperative of the Central Department of Economic Affairs of the Ministry of Economic Affairs (please read the precautions on the back before filling in this page). However, in the FEC structure shown in Figure 25, The area of the wiring 102 increases and the emitter cone 106 is fully formed. According to the distance between the cathode wiring 102 and each emitter cone 106, the resistance value between the cathode wiring 102 and each emitter cone 106 will be different. That is, the emitter cone 106 formed near the cathode wiring 102 has a low resistance value, but the resistance value of the emitter cone formed toward the center of the cross-shaped character gradually increases. Therefore, the electron emission from the emitter cone 106 located around the cathode wiring 102 increases, but the emission toward the center where the resistance value becomes higher decreases. Therefore, in order to improve the uniformity of radiation, as shown in FIG. 25, the cadmium difference of the resistance value of the cross-shaped cathode wiring 102 to each of the firing cones can be reduced to a negligible level, and the predetermined distance L is set to form the emitter Cone. Therefore, it is not possible to set the size of the emitter from the periphery of the cross-shaped cathode complex 102 to the distance L. The paper size is applicable to the Chinese National Standard (CNS) A4 grid (210X2S »7mm) 5 A7 B7 Employee of the Central Standards Bureau of the Ministry of Economic Affairs Printed by the Consumer Cooperative V. Description of the invention (6) 1 | Cone 106, which has the problem of reducing the mounting density of the emitter cone. 1 1 and 1 are for the purpose of homogenizing the resistance 9 and further subdividing the cathode wiring »1 1 Although it is possible to form a cone of 4 radii in a zigzag shape» but 1 I one time t causes the cone of the emitter The mounting density drops extremely. Please read 1 1 first. Furthermore, the position of each emitter cone 1 0 6 is related to the resistance value of the reading back 1 1 | 'cathode wiring 1 0 2 formed in a cross-shaped, and The responsibility of the emitter cone at the time of manufacture 1 1 The alignment accuracy affects the resistance value. Therefore, it must be closely aligned with the mask to form the emitter cone 106 to form the emitter cone 106, which also causes problems such as manufacturing difficulties. Fill in the package I and »There is also a method known» Replace the FEC configuration of tsf _ 25 The emitter cone is formed on the resistance layer formed on the surface. However, if M is composed of 1 1 f, the disadvantage is that the uniformity of the film thickness of the resistance layer becomes the unevenness of the resistance value of each emitter cone set to 1, resulting in It is difficult for the radiation effect of each cone to be equal to 1 I ____ · 0 and * Although the resistance value can be determined by the thickness of the resistive layer t, but because its 1 I thickness has a limit »It is difficult to obtain large current capacity and high Resistance value * Since the effect of setting the resistance layer at 1 1 is very small. Therefore * The giant system of the present invention provides Γ to provide the resistance value between the cathode wiring and the plurality of emitter cones to be 1 1 constant > At the same time it can increase the circle of the emitter The field density of the mounted density of electrons 1 1 source 〇1 1 [means to solve the problem] 1 I is to achieve the above-mentioned huge 1 The invention is located in the field of cathode wiring 1 I is separated by complex white cathode wiring The cathode conductor 1 is electrically connected to the cathode conductor and the cathode conductor with a resistance layer 1 1 I, and at the same time, a plurality of emitter cones are arranged on the cathode conductor 1 1 I or the resistance layer is arranged through V Plural emitters 1 1 This paper scale is applicable to China National Standard (CNS) A4 specification (210X 297mm) 6 ^ 5732 at __Β7 5. Invention description (7) Cone. In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a window without a conductor part in the field of the cathode electrode, and forms resistance layers with different resistance values in the window, and at the same time, a plurality of emitter cone electric field emissions are arranged on the resistance layer The source of the type electron source is to make the resistance value of the part close to the resistance layer of the cathode electrode be low resistance. [Function] According to the present invention, since the electric value between the cathode wiring and each emitter cone can be made approximately constant, the radiation of each emitter cone in the cathode conductor can be made uniform. Moreover, even if the emitter cone is provided at any place on the yin guide, the uniformity of radiation can be achieved, so the mounting density of the emitter cone can be increased. [Embodiment] Η shows the configuration of the cathode electrode of the electric field emission type electron source in the first embodiment of the present invention in FIG. Printed by the Employee Consumer Cooperative of the Central Bureau of Standards of the Ministry of Economic Affairs (please read the precautions on the back before filling in this page) The cathode wiring 2 shown in this figure is provided with one of a plurality of stripe cathode wirings 2 For 1 field. In the area of the cathode wiring 2, since it is separated from the cathode wiring 2, an island-shaped cathode conductor 7 without a conductor area 8 is provided around the complex reservoir to form a cathode wiring 2 as if it is dug. The resistive layer 3 is provided on the island-shaped cathode conductor 7 and the cathode wiring 2, whereby the resistive layer 3 electrically connects the two. Furthermore, an emitter cone 6 is formed on the resistance layer 3 corresponding to the island-shaped cathode conductor 7 to become an electron emission source, and its structure will be described using the cross-sectional view shown in FIG. In this figure, the standard of Nb, Mo, Α1 and other conductive paper on the green substrate 1 is applicable to the Chinese National Standard (CNS) A4 specification (210X297 mm) A7 B7 Central China Bureau of Economic Affairs Employee Consumer Cooperative Printed V. Description of the invention (8) 1 1 The thin film forms the pattern of the cathode wiring 2 and the island-shaped cathode conductor 7 (1 1 patter η) »And here the island-shaped cathode conductor 7 and the cathode wiring 2 are 9 on the cathode 1 1 掻In the field of wiring 2, a resistance layer 3 composed of amorphous silicon (a IQ 0 Γ ph 〇USV! I si 1 i C 0 η) and the like is formed on the resistance layer 3. Please read 1 1 I The insulating layer 4 composed of __ vaporized silicon (S i 0 2), and the gate electrode 5 composed of Nb Λ Mo A 1 > reading back A 1 1 1 VS i 2 etc. t the gate electrode 5 and In the opening on the insulating layer 4, the opening cone 1 1 □ is formed with an emitter cone made of electric Mo 6 0 items and then 1. The electrode 5 is also formed in stripes And fill in the shape of the matrix together with the negative wiring 2 to fill a wooden matrix Ο page '-^ 1 1 At this time 9 as shown in the figure > corresponding to 1 guide cathode conductor 7 and shape 1 1 into 4 rows of emitter cones 6 1 If this ασ humble element is regarded as a group of αα unit < Then in Ια] In the situation shown in FIG. 1 1 2, a group of cm-cone emitter cones 6 is formed on the island-shaped cathode 1 pole conductor 7 * The emitter cone 6 close to the cathode wiring 2 is also away The emitter cones 6 of the cathode 1 I wiring 2 are all non-conductor areas 8 with a uniform width and a uniform thickness of the resistance 1 I layer 3 9, so that the resistance value of each emitter cone 6 is approximately 1 1 uniform 0 Γ Secondly, the positions of the conductor portions Λ and 1 1 of the cathode wiring 2 and the island-shaped cathode conductor 7 are opposite to those of the first embodiment »Η The cathode of the electric field emission type electron source of the second embodiment 1 1 The electrode is shown in Figure 3 0 1 1 in this figure < In the area of the cathode wiring 2 on the insulating substrate 1, a resistance layer 3 is formed in 1 1 and then a cathode wiring 2 and an island-shaped cathode 1 are formed on the resistance layer 1 I a conductor 7 Ο Also * in the cathode wiring 2 and The island-shaped cathode conductor 7 is formed with a gate electrode 5 1 1 composed of 1 I Si 0 2 insulating layer 4 and Hb, Mo A 1 WS i 2, etc., and corresponds to the gate electrode 5 and the green layer 4 The aforementioned island-shaped cathode conductor 1 1 The paper size is applicable to the Chinese national standard (called Qiange ⑺ ™) A7 __B7 5. The description of invention (9) Part 7 is provided with an opening, and within the opening Forms a cone of fire 6 for Mo. In addition, in the modification of the second embodiment, only the negative wiring 2 is provided on the insulating substrate 1, the resistance layer 3 is provided on the cathode wiring 2, and the island-shaped cathode conductor is further provided on the resistance layer 7. Furthermore, the emitter cone 6, the insulating layer 4, and the gate electrode 5 are provided on the island-shaped cathode conductor 7 as in the aforementioned second embodiment. It can also be used as the structure of such a cathode electrode. Printed by the Employee Consumer Cooperative of the Central Bureau of Standards of the Ministry of Economic Affairs ^-(please read the precautions on the back before filling out this page) Secondly, the modification of the aforementioned first embodiment in FIG. 4 is the island-shaped negative conductor 7 and the cathode wiring 2 There is an example of an emitter cone. According to this example, the resistance value of the firing cone 6 closest to the cathode wiring 2 is determined by the length of the resistance layer connecting the cathode wiring 2 and the emitter cone 6, and the resistance value of the other firing cone 6 is falsely determined by The length of the resistance layer 3 between the cathode wiring 2 and the island-shaped cathode conductor 7 and the distance between the island-shaped cathode conductor 7 and the emitter cone 6, that is, the thickness of the electric bladder layer 3 are determined. Therefore, if the resistance value of all the emitter cones 6 is approximately constant, the resistance value of all the emitter cones 6 can be adjusted to be constant by adjusting the size of the island-shaped cathode conductor 7. In the case shown in this figure, among the complex emitter cones 6 constituting the group unit, the emitter cone 6 except the emitter cone 6 of the outer periphery is formed on the island-shaped cathode conductor 7. Here, an example of the island-shaped cathode conductor 7 in the case thus set will be described with reference to FIGS. 5 and 6. However, in these figures, the insulating layer 4 and the electrode electrode layer 5 are omitted. FIG. 5 pseudo-shows an example in which 16 emitter cones 6 are provided in a group of cells, and at this time, as shown in (a), there are 12 emitter cones 6 provided on the outer periphery of the cathode wiring 2 and the center There are 4 emitter cones 6 near the department. Therefore, the paper scale is applicable to the Chinese National Standard (CNS) A4 specification (210X 297mm). The Ministry of Economic Affairs Central Standards Bureau employee consumer cooperative printed A7 __B7 5. Invention description (] 0), because of the 4 emitters near the central department Since the resistance value of the cone 6 becomes high, as shown by the dotted line, an island-shaped cathode conductor 7 is provided near the center to cover the 4-element emitter cone 6. In this way, as shown in FIG. (B), the resistance value of the emitter cone 6 near the central portion becomes the resistance value of the island-shaped cathode conductor 7, so the resistance value of the emitter cone 6 at the central portion will decrease, and the The resistance value of other emitter cones 6 is approximately the same. Figure 6 shows a group of units. For every 12 values, as an example of a group of emitter cones 6 provided with a total of 2 bow groups, at this time, there are 16 emitter cones 6 provided on the outer periphery of the female wiring 2 and 8 shots are provided in the central length Extremely cone 6. Therefore, among the eight emitter cones 6, as shown by the broken lines, two island-shaped cathode conductors 7 are provided near the center, so that each group covers 4 emitter cones 6. As a result, the resistance value of the emitter cone 6 near the central portion becomes the resistance value of the island-shaped negative conductor 7, so the resistance value of these emitter cones 6 will decrease, making it possible The resistance values are approximately equal. In addition, the resistance value of the island-shaped cathode conductors 7 provided in each group is set to a higher value, and is set to an approximately electrically independent shape. At this time, each group can also play against each pixel. In this way, the electric field emission type electron source of the present invention changes the size of the island-shaped cathode conductor 7 according to the number of emitter cones in the group, so that the resistance value of the emitter cones in the group unit is approximately equal. Therefore, the radiation of all the emitter cones in the group unit can be made approximately the same, while the radiation current can be increased. In the electric field emission type electron source of the present invention, the alignment accuracy of the photomask for the opening portion provided in the island electrode 5 of the cathode electrode 7 can be lower than that in the prior art. At the same time, since the resistance layer 3 is used as the floor direction Long resistors, this paper scale is applicable to the Chinese National Standard (CNS) A4 specification (210X297mm) nn In n--m-I n HI n ϋ m D &T; T (Please read the notes on the back before filling in This page) S05732 B7 Printed by the Employees ’Consumer Cooperative of the Central Bureau of Standards of the Ministry of Economy V. 'Instructions for Invention (1!) 1 | Therefore, the resistance value can be increased 0 1 1 In addition * Because the resistance value of the emitter cone in the group unit is very different Less »Therefore» 1 1 can increase the number of emitter cones in the group aa early element. Therefore, 9 does not need to make the group 0X3 early element 1 I subdivided by 1 m can increase the mounting density of the emitter cone 9 at the same time t Please make it first Μ 1 1 | Make it easy to implement Ο Read back 1 1 Then »The resistance value of the radial cone is roughly For the preparation of cathode matching, please fill in this item. 1 1 Accuracy of the photomask layer of the island-shaped cathode conductor 9 and the resistance value of the resistance layer 1 to determine 9 At the same time, cathode wiring and island-shaped cathode conductors can be formed by the same mask 9 Installation 1 can form a settable resistance value with good reproducibility and uniformity on the entire surface of the substrate. Page 1 1 1 〇Yu> If an anode electrode t coated with a fluorescent 1 1 1 body is provided away from the aforementioned electric field emission type electron source It is possible to construct a display t. At this time, f only needs to set A to the DO group to 1 yuan to m in its pixel. 0 1 I In the above description, the cathode electrode of the electric field emission type power supply is made 1 I. One is in the cathode wiring 2 An island-shaped cathode conductor 11 with a conductor-free region 8 is provided around the inside. However, the cathode electrode can also be constructed as shown in FIGS. 7 and 8. The cathode electrode shown in FIG. The sum of the cathode wiring 2 is formed by a plurality of cathode conductors 9 on both sides 1 formed by the field 0 Even in this case 1 1 shape * The cathode wiring 2 in the field and the cathode conductor 9 1 can also be made by the resistance layer Connected between 1 〇 9 The resistance layer is provided in each area 1 The adjacent area is provided with 1 | The resistance layer separation section 1 0 〇 This configuration can be formed on the resistance layer as follows I I form a negative wiring 2 and The cathode conductor 9 1 is provided with a plurality of emitter cones and gate electrodes 1 1 on the cathode conductor 9 »or« a resistance layer 9 is formed on the cathode wiring 2 and the cathode conductor 9 1 and corresponds to the resistance of the cathode conductor 9 The scale of the paper formed on the layer is applicable to the Chinese national standard (CNS> A4 wash grid (210X 297mm). The Central Standards Bureau of the Ministry of Economic Affairs Employee Consumer Cooperative Indica A7 __B7 V. Invention description (1 2) The number of emitter cones and gates Electrode; or, a resistance layer is formed on the cathode wiring 2 and is provided on the resistance device Formed with a plurality of emitter cone and the gate electrode of cathode conductor Sao 9. The cathode electrode shown in FIG. 8 is formed by stripe-shaped cathode wirings 2-1, 2-2, 2-3, 2-4, and a plurality of cathode conductors 9 provided therebetween to form 1 Realm. That is, the cathode wiring 2-2, the cathode wiring 2-3, and the cathode conductor 9 formed therebetween form one area. Even in this case, the resistance between cathode wiring 2-1 and cathode conductor 9, cathode wiring 2-2, 2-3 and cathode conductor 9, cathode wiring 2-4 and cathode conductor 9 in the area can be层 连接。 Layer connection. This configuration can be as long as the following: the cathode wiring 2-1, 2-2, 2-3, 2-4, ... and the cathode conductor 9 are formed on the resistance layer, and the cathode conductor 9 1: a plural number of cones are provided And the gate electrode; or, a resistance layer is formed on the cathode wiring 2-1, 2-2, 2-3, 2-4, ... and the cathode conductor 9, and a plurality of shots are formed on the resistance layer corresponding to the cathode conductor 9 Pole cone and gate electrode; or, a resistance layer is formed on the cathode wiring 2-1, 2-2, 2-3, 2-4, ..., and a resistance cone is formed on this resistance layer Cathode conductor 9 of the pole electrode. Next, a method of manufacturing the electric field emission type electron source shown in Figs. 2 and 4 will be described. First, a cathode wiring 2 made of a metal thin film such as niobium (Nb), molybdenum (Mo), or aluminum (A1) is formed on an insulating substrate 1 such as glass, and the cathode wiring 2 is exposed by photolithography A hollow portion is formed thereon and a rectangular island-shaped cathode conductor 7 is simultaneously formed in the hollow portion. The shape of the island-shaped negative scratched conductor 7 is not limited to a rectangle, and it can also be applied to the Chinese National Standard (CNS) eight materials see the grid (210X297 mm) according to the size of each emitter cone. Nm-nnnn--I n: I: ---. mn T (Please read the precautions on the back before filling in this page) A7 __B7 5. The arrangement of the invention description (13) is round. In addition, a resistive layer 3 with a film thickness of about 0.5 to 2.0 cm is formed by sputtering or CVD to cover the cathode wiring 2 and the island-shaped cathode conductor 7. The material of this resistance layer 3 can use amorphous silicon, I η 2 0 3, F e 2 0 3, Z η 0, NiO alloy, or silicon doped with impurities, etc., and its resistivity is about lx 1 0 1 ~ IX 106Ω cm〇 connected to the substrate, an insulating layer 4 composed of two vaporized silicon (Si〇2) with a film thickness of about 1.0 cm is formed on the substrate 1 by sputtering or CVD method, so as to cover the cathode wiring 2 and the resistor Layer 3. Further, on this insulating layer 4, a film of a proton electrode 5 composed of Nb, Mo, Al, WSi2, etc. with a film thickness of 0.4 microns is formed by sputtering. Then, a plurality of openings 6 with a diameter of about 1.0 micrometer are formed on the epitaxial electrode 5 by exposure etching technology, and then by a wet etching method using buffered hydrofluoric acid (BHF) or a RIE using gas such as CHF3, An opening reaching the resistance layer 3 is formed from the opening. Printed and printed I-#-by the Staff Consumer Cooperative of the Central Bureau of Standards of the Ministry of Economic Affairs (please read the precautions on the back before filling out this page) Secondly, use electron beam (EB) evaporation method to deposit aluminum on the gate electrode 5 _h obliquely To form a peeling layer. If the molybdenum is vapor-deposited vertically on the peeling layer by the EB vapor deposition method, molybdenum can be deposited in a conical shape in the opening to form an emitter cone 6. Next, the peeling layer is dissolved with a peeling solution such as phosphoric acid to remove it, and an electric field emission type electron source as shown in FIG. 2 or FIG. 4 can be obtained. Next, the manufacturing method of the electric field emission type electron source shown in FIG. 3 will be described. First, on an insulating substrate 1 such as glass or ceramics, using amorphous silicon or silicon doped with impurities by gland plating method or CVD method is equal to Cathode wiring 2 This paper standard applies to China National Standards (CNS) A4 (210Χ 297mm) ~ A7 B7 Employee's consumer cooperation with the Central Bureau of Standards of the Ministry of Economic Affairs Du Yinhuo 5. Invention description (1 4) 1 1 0.5 ~ 2.0 Thickness of about meter to form the resistance layer 3 〇The resistance of the resistance layer 3 1 1 should be 1 X 1 0 1 lxi 06 Ω c η range 〇1 1 Then 9 vapor deposition to form N b , Mo A1 and other gold film thin films are covered and covered / «— V 1 I Resistance layer 3 < η-etching by exposure etching method to form a conductor-free region 8 Please read 1 1 | • Separately form cathode wiring 2 and island-shaped cathode conductor 7 〇 Then 1 on the negative reading back 1 pole wiring 2 island-shaped cathode conductor 7 It is formed by sputtering method or CVD method--Fill in the winter% items and then fill in 1 1 Insulating layer composed of silicon dioxide 2 about 1 cm thick. Then t on the insulating layer 4 1 by sputtering method The gate electrode 5 composed of Nb Mo and A 1 WS i 2 is approximately 0.4 meters thick. Page 1 1 On this gate electrode 5, a light-etching method is used to form a diameter of about 1 dia. 1 1 Multiple openings □ Part f From this, the P part is formed by wet etching or dry etching 1 1 Once the island-like shadow is reached Open part P of the conductor 7 and set 0. Then, after the peeling layer is provided on the idle electrode 5 and then vapor-deposited by m, an emitter cone 6 I is formed in the open part 1 I »This pseudo and ^ ·-manufacturing The method is the same as 1 I, so its description is omitted. 〇1 I FIG. 9 shows the negative electrode of the electric field emission type electron source according to the third embodiment of the present invention. · Ά 1 The structure of the electrode Ο 1 1 The cathode electrode 30 shown in this figure is pseudo A plurality of parallel stripe-shaped negative m with 1 1 line 12 t and a window P with no conductor area in the area of the cathode electrode 30 and 1 1 such as perforated cathode wiring 12 0 perforated the cathode wiring 1 2 formed on the window P 1 1 I Resistance layer 1 3 and 2 Resistance layer 17 〇 The second resistance layer 17 is provided at the center of 1 I of the window. Its resistance value is lower than the resistance value of the first resistance layer 1 3. 1 1 I value 0 Next »Expand the opened window The vicinity of the cathode wiring 12 of P is shown in FIG. 1 1 I 1 0 *, but multiple shots are formed on the first resistance layer 1 3 and the second resistance layer 1 1 1 The paper size is applicable to the Chinese National Standard (CNS) A4 case (210X 297 mm) 14 A7 B7 Printed by the Employee Consumer Cooperative of the Central Standards Bureau of the Ministry of Economic Affairs 5. Description of the invention (1 5) 1 | Polar cone 16 is considered to be an electron radiation source 0 1 1 Among the emitter cones 1 6 The circle of firing 1 formed on the first resistance layer 1 3 of the first cone 1 6 »is supplied from the cathode wiring 12 through the first resistance layer 1 3 to supply current * and 1 1 is formed from the second resistance layer 17 Emitter cone 1 6 1 Read through the first resistance layer 1 1 | 3 and the second resistance layer 7 Supply current to the cathode electrode 1 2 Ο Read the back 1 1 I second> The A-A cross-sectional view shown in this figure is shown in Figure 1 1 1 1 0 In this figure, the insulating substrate 11 is marked with N b and Mo , A 1 and other conductive matters, fill in the wooden 1 film to form the pattern t of the cathode wiring 1 2 and on this cathode wiring 1 2 »The first section consisting of doped sheet, _〆1 1 impure amorphous silicon, etc. The resistive layer 13 and the second resistive layer 1 1 1 7 are all formed in the cathode wiring 1 2 in the area 0 and further * formed on the first resistive layer 1 1 1 3 and the second resistive layer 17 by a silicon dioxide (S i 0 2) a 1 m layer composed of 1 4 > and a gate electrode composed of N b, Mo, etc. 15 t and at this gate 1 | electrode 15 and insulation layer 14 opened An emitter cone 16 made of molybdenum 1 I is formed in the opening Π of the gate. The gate electrode 15 also forms a stripe f and forms a shape T 1 together with the cathode electrode 12 Array 〇1 1 The equivalent circuit of the electric field emission electron source shown in FIG. 1 1 is shown in FIG. 1 1 1 2 〇 In this figure * The emitter cone 1 6 -1 and the emitter cone 16 -3 form symmetry 1 1 t so t the resistance value of the white cathode electrode 1 2 is relatively 0 and 1 the center of the emitter circle 1 1 cone 16 -2 is far away from the cathode wiring 1 2 1 so the resistance of the white cathode wiring 1 2 is usually very high 1 1 so 0 9 If the resistance 1 I value of the second resistance layer 17 under the emitter cone 16 -2 becomes a low resistance value < 16-1% of other emitter cones 16 _ 3 is approximately 1 1 I is equal to the resistance value 0 1 1 The paper size is applicable to the Chinese National Standard (CNS) A4 * see grid (210X 297 mm) 15 A7 B7 Printed by the Employee Consumer Cooperative of the Central Bureau of Standards of the Ministry of Economy 5. Description of invention (Ί 1 j ϋ and one side is described with reference to Figure 1 0-* side 0 Emitter cone 16 Pseudo for example 1 1 Form 3 columns as shown in the previous Figure 10 Show * The emitter cones 1 1 1 6 in the 1st and 3rd columns, and the emitter cones 16 in the uppermost and lowermost row in the center column are shaped 1 I formed on the first resistive layer 1 3 and the first The cone at the center of the 2nd row should be 1 1 | 16 first, for example, formed on the 3rd second resistive layer 1 7 0. As stated, the second electrical back 1 1 the resistive layer 1 7 has a higher resistance value than the 1st The resistance value of the resistive layer 1 3 is still low »Therefore, fill in this item to the next item 1 1 Near-cathode wiring 1 2 Emitter circle in columns 1 and 3 of column 2 1 The resistance value of 6, 1 1 and the emitter cone 1 in the center of the second row far away from the cathode wiring 1 2 The electrical equipment 1 6 The resistance value can be approximately uniform t because the resistance value of the second resistance layer 17 is low For this reason, page 1 — ^ 1 1 and t form a first resistance layer composed of amorphous silicon doped with impurities 1 1 in the area of the cathode wiring 1 2 * corresponding to the formation of the second resistance 1 1 The part 9 of the layer 1 7 only irradiates the first resistance layer 13 with laser light, etc. If the part 1 is annealed »a second resistance layer 17 0 1 with low resistance can be formed | demon 1 implements the fourth embodiment of the present invention The cathode 1 I electrode of the electric field emission type electron source of the example is shown in the upper part of FIG. 1 3. The cathode wiring 12 shown in this figure is the same as the cathode shown in FIG. 9, and the Guang 1 electrode 30 t is Fields of multiple stripe cathode wiring 2 and cathode wiring 1 1 1 2 connected in parallel There is a window in the field without conductors. For example, a perforated cathode wiring 12 〇1 1 is formed with a first resistance layer 18 and a ring-shaped first 1 1 2 resistance layer 19 on the window P of the perforated cathode wiring 12 〇This second resistance Layer 1 9 is located on the part of the negative wiring 1 | 1 2 near the window »The resistance value is set to be higher than the resistance value of the first resistance layer 18 1 I 0 Here the first resistance layer 18 and the second On the resistive layer 19, a plurality of radiations 1 1 I pole cone 16 is formed to become an electron radiation source 0 The first electricity in this emitter cone 16 1 1 I The emitter cone 16 formed on the resistance layer 18 > Pseudo slave cathode wiring 1 2 through the first 1 1 1 This paper size is applicable to the Chinese National Standard (CNS > A4 specification (210X 297 yak)) 16 A7 B7 Printed by the Employee Consumer Cooperative of the Central Standards Bureau of the Ministry of Economic Affairs Explanation (1?) 1 | Current supplied by the resistance layer 18 and the second resistance layer 19 »Emitter formed from 1 1 on the first resistance layer 18 The cone 16 is supplied to the cathode 11 via the first resistive layer 18 whose distance is increased, and the current is supplied to the cathode 11. The cross-sectional view of the B-B line shown in FIG. 13 is shown in FIG. 14. Here please first Ml 1 1 | t in the picture t The insulating substrate 1 1 is read by sputtering with conductive films such as N b Mo and A 1 1 1 to form the cathode wiring 12 t on this cathode wiring 1 2 on 9 on the negative Wiring the area of the wiring 1 2 to fill in the matter again * 1 1 The first resistance 1 layer 18 made of amorphous silicon doped with impurities is formed in the field. The second resistance layer 19 0 and then participate in the first resistance layer 18. On the second resistive device layer 19, a green layer 14 N composed of silicon oxide (S i 0 2) and page ^ 1 1 gate electrode 15 composed of N b, Ho, etc. are formed. Electrode 15 and the insulating layer 1 1 1 4 are formed in the opening of the opening of the □ part respectively formed by a Ho cone made of Ho 1 | 16 〇 order 1 This electrode electrode 15 is also formed in stripe shape> and with the cathode electrode 12 Shape 1 I into a matrix 0 1 I Emitter cone 16 pseudo for example to form 4 columns »Yu Groove this shot The outer part of the cone 16 outside 1 I circle is formed from the lower part to the middle of the emitter cone 16 to the second resistance layer 1 9 and buried in «·» «· 1 1st resistance layer 1 8 inside 0 but» 1 The cross-sectional view of the B-B section line 1 I shown in 3 is only formed below the emitter cone 1 6-1 in the first column and the emitter cone 1 1 16-4 in the fourth column. The second resistance layer 19 is formed. The resistance value 1 1 of this second resistance layer 1 9 is set to bb. The first resistance layer 18 is still higher »1 in the second and third columns of the figure | Emitter cone 16 -2 16 -3 and cathode wiring 1 The distance of 2 is longer. Therefore, the resistance value from the cathode 1 I pole wiring 1 2 to each emitter cone 16 -1 16 -4 is approximately equal. 1 1 I and f form a comprehensive cause in the field of cathode wiring 1 2 The second resistive layer 9 composed of amorphous silicon doped with impurities 1 1 I and 1 is left behind to form the second resistive layer 1 [This paper scale is applicable to the Chinese National Standards (CNS) 8 4 (210X 297 mm) 17 A7 __B7 5 Description of the Invention (19, portion 19, and is irradiated from below the transparent substrate of the laser portion 11 or the like to carry out annealing, and further, a comprehensive short-time irradiation of the laser from below the substrate 11 and the like and slightly annealed. It is possible to form the first resistance layer 18 with a reduced resistance and the second resistance layer 19 with a depth in the middle of the lower resistance. Next, the upper surface chart of the cathode electrode of the electric field emission type electron source of the fifth embodiment of the present invention is shown in FIG. Employee consumption cooperation of the Central Bureau of Standards of the Ministry of Economic Affairs Du Yinhan ^-t .-- (Please read the precautions on the back before filling out this page) The cathode electrode 30 shown in this figure is the same as the negative electrode shown in FIG. 1 The electrode 20 is made of a plurality of stripe-shaped cathode wirings 12 connected in parallel, and a window without a conductor field is opened in the field of the cathode wirings 12 such as an open-hole cathode wiring 12. A first resistance layer 20 and a second nozzle layer 21 formed only under the emitter cone 16 are formed on the window of the cathode wiring 12 through which the hole is opened. This second resistance layer 21 is pseudo-formed under the emitter cone 16 near the cathode wiring 12, and its resistance value is set to be higher than that of the first resistance layer 20. The complex emitter cone 16 formed on the first resistance layer 20 and the second resistance layer 21 constitutes an electron emission source. The emitter cone 16 formed on the second resistance layer 21 among the emitter cones 16 can supply current to the cathode wiring 12 via the first resistance layer 20 and the second resistance layer 21 from the first resistance layer 20 The shaped emitter cone 16 can supply current to the cathode electrode 2 through the long-distance first resistance layer 20. The cross section taken along the line C-C shown in FIG. 15 is shown in FIG. 16. In this figure, a pattern of cathode wiring 12 is formed on the insulating substrate 11 with a conductive thin film of Nb, Mo, A1, etc., and on the cathode wiring 12 is completely formed in the field of the cathode electrode 2 by doped impurities. The first resistance layer 20 and the second resistance layer 21 made of amorphous silicon or the like. Furthermore, an insulating layer 14 made of silicon dioxide (Si〇2) is formed on the first resistive layer 20 and the second resistive layer 21, and a Chinese standard (CNS) A4 specification (210X297 mm) is applied according to the paper standard ) &Quot; A7 B7 Printed by the Employee Consumer Cooperative of the Central Bureau of Standards of the Ministry of Economy V. Description of the invention (1 9) 1 1 Gate electrode composed of Nb, Mo, etc. 15. Open P here the electrode 1 5 and absolute m 1 1 On the opening 14 of layer 14 there is formed an emitter cone made of Ho 1 6 0 1. The electrode 1 5 also forms a line shape 9 and forms a moment with the cathode wiring 1 2 1 I Please 1 I array. Read 1 I Read 1 I Emitter cone 1 6% For example, 4 rows 1 are formed to form this emitter cone 6 The second resistive layer 2 1 is formed on the periphery immediately below the emitter cone 1 6 of the outer back 1 1 ′ 0 but% 1 event 1 This section is shown as 15 The cross-sectional view of the C-C section line, so only fill the shot cone 16 -1 in column 1 and the emitter cone 1 in column 4 and form the second teletext sheet 1 under the column 6-4 Resistance layer 2 1 0 The resistance value of the second resistance layer 2 1 is set to the resistance value of the first resistance layer 1 20 is also high. At the same time > m shown in the second and third columns of the emitter circle 1 1 cone The distance between 16 -2 and 16 -3 is longer than the cathode wiring 12 * Therefore »The resistance value from the cathode wiring 1 1 1 2 to each firing cone 1 6 -1 16 -4 is slightly equal. In the area of the wiring 1 2, a second resistance layer 2 1 composed of amorphous silicon doped with impurities 1 I is formed in its entirety. Only the portion 9 forming the second resistance 1 layer 2 1 remains from below the transparent substrate 11 a Irradiation by laser or the like to perform partial annealing in 1 1 row can form the first resistance layer with low resistance 20 Electricity, ·, ·-1 The second resistive layer 2 1 0 1 1 resisted Next, the cathode 1 1 electrode of the electric field emission type electron source of the sixth embodiment of the present invention is shown in Fig. 17 0 1 1 The cathode electrode 30 shown in this figure forms a plurality of parallel stripe cathode electrode wirings 12 t and t in the area containing the cathode wiring 12 as shown in the figure 1 1 I forms the first resistance layer 2 2 and A part of the emitter cone 16 is formed with a 1 I second resistance layer 23. The second resistance layer 23 is formed as an island t and is formed only on the part of the emitter formed on the part farther away from the cathode wiring 12 than 1 1 I Below the cone 16 «Its 1 1 The paper size is in accordance with the Chinese National Standard (CNS) A4 specification (210X 297 mm) 19 A7 B7 V. Description of the invention (2 Q) The resistance value is set to be higher than that of the first resistance layer 2 2 The resistance value is still low. Thus, the complex emitter cone 16 formed on the first resistance layer 22 and the second resistance layer 23 can constitute an electron emission source. The emitter cone 16 formed on the second resistance layer 23 in the emitter cone 16 can supply current to the cathode electrode 12 through the first resistance layer 22 and the second resistance layer 23 from the first resistance layer 22 The formed emitter cone 16 can supply power to the cathode electrode 2 through the first resistive layer 22. Also, 24 is a resistive layer separation portion where the first resistive layer 22 and the second resistive layer 23 are not formed, and can be striped The 12 cathode wires are electrically separated. Next, the cross-sectional view of the DD cross-section shown in this figure is shown in FIG. 18. In this figure, the resistance value between the emitter cones 16-1, 16-3 and the cathode wiring 12 is determined by the first resistance The length of layer 22 is determined. In addition, the distance between the firing cones 16-2 and 16-4 from the cathode wiring 12 is long, so the resistance from the cathode wiring 12 generally increases. Therefore, if the resistance value of the second resistive layer 23 below the emitter cones 16-2, 16-4 is reduced, it can be approximately equal to the resistance value of the emitter cones 16-1, 16-3. Employee Consumer Cooperative of the Central Bureau of Standards of the Ministry of Economic Affairs, Indofan n nn ml -1 ^^ 1 m ^^^ 1 ^^^ 1 I (please read the precautions on the back before filling out this page) That is, the emitter cone 16 is related to the cathode The area 1 of the wiring 12 is formed in two rows as shown in the figure, but the emitter cones 16-1, 16-3 in the first row are pseudo-formed on the first resistance layer 22, and the second row is The emitter cones 16-2 and 16-4 are formed on the island-shaped second resistance layer 23. As mentioned above, since the resistance value of the second resistance layer 23 is set to be lower than the resistance value of the first resistance layer 22, it is close to the first row of the cathode wiring 12] the emitter cone 1 6-〗, 1 6-3 The resistance value and the resistance of the second row emitter cone 1 6-2, 1 6-4 far away from the cathode electrode 12 The paper size is applicable to the Chinese National Standard (CNS) A4 current grid (210X 297 mm) 20 A7 B7 5. Description of the invention (2)) The value is approximately uniform because the resistance value of the second resistance layer 22 is low. In the sixth embodiment, only the first resistance layer 22 and the second resistance layer 23 are formed on one side of the cathode wiring 12, but they may be formed on both sides. Furthermore, instead of forming the cathode wiring 12 directly on the substrate 11, it may be formed on the first resistance layer 22 instead. After forming a first resistance layer 22 made of amorphous silicon doped with impurities in the area of the cathode wiring 12, if only the portion where the second resistance layer 23 is formed is irradiated with laser light or the like to partially anneal it Then, the second resistance layer 23 with reduced resistance can be formed. Next, the top view of the cathode electrode of the electric field emission type electron source of the seventh embodiment of the present invention is shown in FIG. The cathode electrode 30 shown in this figure has a plurality of stripe-shaped negative wirings 2 connected in parallel, and extends from the cathode wiring 12 to both sides to form a second resistance layer. Printed by the Employee Consumer Cooperative of the Central Standard Falconry Bureau of the Ministry of Economic Affairs 25 This constitutes one area of the cathode wiring 12. Furthermore, a second resistance layer 26 is formed below the emitter cone 16 provided near the cathode wiring 12 in the depth direction to the middle, and its resistance value is set to be higher than that of the first resistance layer 25 . A complex emitter cone 16 is formed on the first resistance layer 25 and the second resistance layer 26 as an electron emission source. The emitter cone 16 formed on the first resistance layer 25 among the emitter cones 16 can supply current to the cathode electrode 2 through the first resistance layer 25 and the second resistance layer 26 and from the first resistance layer 25 The formed emitter cone 16 supplies current to the cathode electrode 2 through the longer first resistance layer 26. The cross-sectional view taken along the line E-E shown in FIG. 19 is shown in FIG. 20. In this figure, the conductive thin film of Nb, Mo, A, etc. on the insulating substrate 11 is applicable to the Chinese National Standard (CNS> A4) (210X 297 mm) (please read the back (Notes and fill in this page again) 2 1 A7 __B7 5. Description of the invention (22) The cathode wiring 12 is formed by sputtering, and on the cathode electrode 2, an amorphous silicon doped with impurities is formed in the cathode electrode 2 The first resistance layer 25 and the second resistance layer 26 are composed of a second resistance layer 25. Further, an insulating layer made of silicon dioxide (SiO 2) is formed on the first resistance layer 25 and the second resistance layer 26, and a A gate electrode 15 composed of Hb, Mo, etc., and openings in the openings of the gate electrode 15 and the insulating layer 14 respectively form an emitter cone 16 composed of Mo. The gate electrode 15 also forms a ribbon It is striated and forms a matrix together with the cathode wiring 1 2. The emitter cone 16 is formed as shown in the figure, for example, two rows are formed on each side of the cathode wiring 12, and the emitter cone 16 close to the cathode wiring 12 2- 1. The second resistance layer 26 is formed in the depth direction to the middle from below 1 6-4 and buried in the first resistance layer 25 The resistance value of the second resistance layer 26 is set to be higher than the resistance value of the first resistance layer, and at the same time, the distance between the emitter cones 16-2 and 16-3 in the second row of the figure and the cathode wiring 12 is longer Therefore, from the cathode wiring 12 to each emitter II II---· 1 IIII-----II Ding 0¾,-& (please read the precautions on the back before filling this page) Employee consumption of the Central Standards Bureau of the Ministry of Economic Affairs The printed matter of the cooperative is resisted by pure electric resistance, and the low electricity is not divided into two parts, and the mixing time is equal to the isochronism, and the laser layer is 25 25 short. The first, the first, the first, the first, the first, the first, the first, the first, the first, the first, the first, the first, the second, the second, the second, the second, the second, the second, the second, the second, the second, the second, the second, the second, the second, the second, the second, the second, the second, The resistance of the electric 21 is 122. The substrate is low and the first wire is made of a thin wire. The transparent shape of the strip is 4 poles, and the depth can not be made into 16 negative structures. Fire room 24, -1, silicon part, retreat, part 16 and the fire of the crystal and the non-conical non-26 retreat to the layer of the circle of division, the layer of the layer is slightly resisted, the layer is separated from the electrical resistance »B 2 -¾ This paper scale is applicable to China National Standard (CNS) A4 (210X297mm) 22 A7 B7 Ministry of Economy Central Standards Bureau Employee Consumer Cooperative Printed V. Description of invention (23) 1 | Also > at XJL. 喖In the seventh embodiment, the first resistance layer 25 and the second resistance layer 26 are formed on both sides of the cathode wiring 12 to form the first resistance layer 25 and the second resistance layer 26, but only the α side 0 1 1 may be formed. In addition, as shown in FIG. 21 » The cathode wiring 12 is not directly formed on the substrate / —V 1 I 1 1 1 may also be formed on the first resistive layer 25 0 Please read first 1 1 1 Next »The electric field emission type electron of the eighth embodiment of the present invention The cathode reading of the source 1 1 1. The electrode above is shown in Fig. 22 0 tone 1 1 The cathode electrode 30 shown in this figure is a plurality of stripe cathodes connected in parallel, and then 1 line 1 2 and, such as wiring from the cathode 1 2 Extend upwards to form the first resistor on both sides Fill in the I layer 27 of the package to form the cathode wiring 1 2 1 Field 0 and t The second resistance layer 28 is only a page,-1 1 is formed near the emitter cone 1 6 located near the cathode wiring 1 2 directly below 1 1 »Its resistance value is set to this first resistance The resistance value of the layer 27 is still higher. 1 1 A plurality of emitter cones formed on the first resistance layer 27 and the second resistance layer 28 are set to 16 to become an electron emission source. 0 can be formed in this emitter cone 16 The emitter cone 16 above the first | 1 resistive layer 27 supplies current I to the cathode wiring 12 through the first electrical 1 1 resistive layer 27 and the second resistive layer 28 and is formed on the first resistive layer 1 1 27 The emitter cone 16 supplies a current to the cathode wiring 1 I 12 through the longer first resistance layer 28. The cross-sectional view of the F-F cross section shown in FIG. 22 is shown in FIG. In this figure 1 1 the cathode wiring on the insulating substrate 1 1 is formed by Hb Mo, A 1 and other conductive thin film sputtering. And on this cathode wiring 1 2 9 is doped with impure 1 1 The first resistance layer 27 made of amorphous silicon or the like is formed on the entire surface 1 I of the second resistance layer 28 in the area of the cathode wiring 12 and then on the first resistance layer 27 and the first I 2 resistance layer 28 It forms an insulating layer 1 1 | 14 composed of di-vaporized silicon (Si0 2) and a gate electrode 15 1 composed of Nb Mo etc. and opens □ from this gate I 1 The paper size is suitable for China National Standard (CNS) A4 is now available (210X297mm) 23 A7 B7 Employee Consumer Cooperation of the Central Bureau of Standards of the Ministry of Economic Affairs Du Yinju V. Description of Invention 2 4) 1 1 Electrode 1 5 and the green part 14 on the open part of P In each case, a cone of 1 1 composed of Μ〇 1 is formed. 16 〇1 1 This electrode electrode 15 also forms stripes > and with the cathode Lines 12 together form 1 I, please 1 1 matrix. Read first 1 I read 1 1 Emitter cone 1 6 As shown in the figure t For example, on the B side of the cathode wiring 12 Each shape of the back 1 I 1 into 2 rows 9 and close The cathode cone 1 2 emitter cone 16 -1 16 -4 the right intention 1 event 1 near the bottom is the formation of the second resistance layer 28 〇 the resistance value of the second resistance layer 28 and then fill is set to 1 The resistance value of the resistance layer 27 is still high, and at the same time, the emitter cones 1 6 -2, 1 6 -3 of the first row of the second page of the wood writing page and the cathode wiring 1 2 have a longer distance from the cathode wiring 12. The resistance value to each emitter cone 1 6 -1 16 -4 is approximately the same. 1> Also, the second resistance layer 1 1 28 composed of amorphous silicon doped with impurities is formed in the cathode After the entire area of the wiring 1 2 is completed »Only the part 1 where the second electric order 1 resist layer 1 8 is formed is left, and the laser is irradiated from below the transparent substrate 11 to anneal the part 1 | The first resistive layer 27 and the second resistive layer 28 that are not low-powered 1 〇1 1 and t 24 are not formed with the first resistive layer 27 and the second resistive layer 28 of the resistance 1 layer separation part t and are striped The cathode electrodes 1 2 are electrically separated from each other. In the eighth embodiment described above,% are formed on both sides of the cathode wiring 12 to form a first resistance layer 27 and a second resistance layer 28 t Formed on αο early side 〇1 1 In addition, as shown in FIG. 2 4 9 does not make the cathode wiring 12 directly formed on the substrate 1 1 11 9 but can also be formed on the first resistance layer 27 〇1 1 so t of the present invention Electric field emission type electron source> Can make cathode wiring 1 I 12 The resistance value of the emitter cone in the field is approximately equal. Therefore, 1 can make the radiation of the gold cone emitter cone in the above field approximately the same 9 and can be increased by 1 1 The paper size is applicable to the Chinese National Standard (CNS) Λ4 specification (210X 297 mm) 2 4 A7 B7 Printed by the Consumers ’Cooperative of the Central Standards Bureau of the Ministry of Economic Affairs 5. Description of the invention (2 5 ^ 1 Emitting current 〇1 1 In addition to the resistance of the emitter cone in the field of cathode wiring 1 2 The value difference is very small 1 so it can increase the number of emitter cones in the field. The value of 0 is large. Furthermore, since the 1 I area does not need to be subdivided t, the mounting density of the emitter cone can be improved > Back 1 1 1 Easily manufactured 〇1 1 and f if remote »· -Describe the electric field emission type electron source is provided with a coated phosphor. Then fill in the anode anode 1 of this 1 1 can constitute the display t at this time» only The aforementioned field corresponds to 1 where its pixel m can be filled with 1 and t in the first resistance page v_✓ 1 of the above third embodiment and even the eighth embodiment. The material of the layer 1 and the second resistance layer 1 can be used to incorporate impurities Amorphous silicon or poly 1 1 silicon, etc. 1 Impure substances mixed with human can use P, Bi Ga In, T 1 etc.> Borrow 1 1 by implementing laser irradiation 9 The resistance value can be adjusted to 10 1 ~ \ 06 Any order of Ω cm | resistance value 0 accordingly 9 can form the second electric resistance layer of low resistance value in the third embodiment 1 I resistance layer 17 N the first resistance layer of low resistance value in the fourth embodiment 18, the first 5 1 1 (The first resistance layer with low resistance value in the embodiment 20 20 The low resistance value in the sixth embodiment 1 1 The second resistance layer with the resistance value 23 The first resistance layer with the low resistance value in the seventh embodiment 1 Resistance layer 25 N First resistance layer with low resistance value in the eighth embodiment 27 〇1 1 In addition 1 With Xe C 1 quasi-molecular laser (wavelength λ = 3 0 8 η π) 1 1 〇 The laser irradiation time at this time is about 0.1 second. In addition, if it is not necessary to use laser, it can also be annealed with light. 0 1 I [Effect of the Invention] The present invention is constructed as above, because the resistance between the cathode electrode and each cone of the emitter 1 is about a certain f Therefore »1 I formed in the shade field can make the radiation of each emitter cone uniform 0 1 1 This paper scale is applicable to the Chinese National Standard (CNS) A4 specification (210X297 mm) 25 2d5762 at B7 V. Invention description ( 2 6) In addition, the emitter cone is placed near the emitter electrode to achieve the uniformity of radiation, which can increase the number of emitter cones in the cathode field, and improve the solidity. The example of the electric-type shooting field gBl psr 11 The first example of the table shown in Figure 11 is the example of the source I type shooting field ge II The second example C The table of this icon is shown as a fake $ floor 2 Pole diagram S Ι ^ ΟΓ Example of source-electron-type radio-field discharge with pole-graph section 2 Shiming Table Pseudo 3 Figure _ Example of the electric source emission field E of the surface-variable variable source 11 The first Mingfa present Table 4 The small and big star Men of the example of the figure shown in the figure The legend of 5 is shown in figure 6 7 c. The figure shows the pole of the pole. The small source of the yin is the source of the other type of projectile. The field is released. Yuanzi ara- Ι ^ ΟΓ type radio field radio is bright. Pseudo example of the chart shown here is 8 stamps (please read the precautions on the back before filling in this page). The source of electric radiation type ffe SR printed by the Employee Consumer Cooperative of the Central Standards Bureau of the Ministry of Economic Affairs 〇The example of the illustrated version of the book shows Shi Shishi 9 He draws its extremely negative source IpST type shooting field I ttnr as an example of the implementation 3 〇 The first figure shows the original false Yao 榑 1 pole figure gmt pole The case of the fractured source tMnl type shooting field Yin e Ι ^ ΙΓ Shi Shi 3 first. Iye ipar 1 on the pseudo-IX on the drawing surface. The paper size is applicable to the Chinese National Standard Falcon (CNS) A4 specification (210X 297 mm) 26 B7 5. Description of the invention (27) Painting 12 is the third implementation of the invention For example, the equivalent of the field-emission type electron source, the Ministry of Economic Affairs, the Central Bureau of Industry and Commerce, the consumer consumption cooperation, the printing of the polar surface, the polar surface, the polar surface, the negative surface, the polar surface, the yin, the yin, the yin, the yin, and the yin The source of the source, the source, the source, the source, the source, the source, the source, the source, the source, the source, the source, the source, the source, the source, the source, the source, the source, the source, the source, the source, the source, the source, the source, the source, the source, the source, the source, the source, the source, the source, the source, the source. Field, field, field, electric field, electric field, electric field, electric field, electric field, electric field, electric field, electric field, electric field Carry out Shi Shi Shi Shi Shi 7 7 Real 4 4 5 5 6 6 t ^ 7 8 8 The 2nd and the 4th 5th 6th 6th ^ 7 8 8 . Send hair send hair copy. Ben. Ben. this. This picture book. This. This is a pseudo-fake pseudo-family, all of which are pseudo-fake pseudo-fake, pseudo-figure, pseudo-figure, 13-face, 1415-face, 1617-face, 18-face 19, 2021-face, 22-face 23. Picture on the picture Picture on the picture Picture on the picture Picture on the picture Picture cut off Picture on the picture Lu Fang. Extremely. Pole pole. The pole C electrogram, electrogram, electrogram, example electrogram (please read the precautions on the back and then fill out this page) The standard of this paper is applicable to the Chinese National Standard (CNS) A4 specification (210X 297mm) 27 A7 B7 5. Description of the invention (2 8) FIG. 24 is the knowledge and practice of the source i per type radiation field ιρτ of the deformation diagram of the electric field emission type electron source according to the eighth embodiment of the present invention. Rune baseline with extremely negative
層 阻 IpOT 層 緣 绝 極體 電 導 極極 閛陰 : 狀 5 Ϊ ο 島 隹 0 圓 極 射 域 領 之 匿 HSMD 導 無 8 體 導 極 陰 9 部 離 分 層 阻 ge (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 板 基 極 i- 極 陰 層 阻 Be 1ί 錐 層圓 绨極 絶射 極 Be 極 閘 層 阻 BB 2 第 、tr 部 it 難 分 層 阻 電 線 配 極 陰 層 阻 電 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4说格（2l〇X 297公釐） 28Layer resistance IpOT Layer edge insulator Conductive pole pole Yin Yin: shape 5 Ϊ ο island scorpion 0 round polar radiation field hidden HSMD lead Wu 8 body conduction pole Yin 9 parts of delamination resistance ge (please read the notes on the back first (Fill in this page again) Packing. Plate base i- pole cathode resistance Be 1ί Cone-layer circular striated pole extreme emitter Be pole gate resistance BB 2 Part 1, tr It is difficult to layer resistance wire with pole cathode resistance economy The Ministry of Central Bureau of Standards' employee consumption cooperation Du printed paper standard is applicable to China National Standards (CNS) A4 (2lX 297mm) 28