TW202416257A - 畫素電路 - Google Patents
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Abstract
一種畫素電路。畫素電路包括發光二極體、第一電晶體、脈波振幅控制區塊、脈波寬度控制區塊、快速抬升區塊以及重置區塊。脈波振幅控制區塊耦接第一電晶體的控制端，且基於參考電壓控制流經第一電晶體的驅動電流。脈波寬度控制區塊基於資料電壓及擺盪信號提供節點電壓。快速抬升區塊基於節點電壓控制脈波振幅控制區塊以抬升第一電晶體的驅動電流的上升速度且決定驅動電流的單次提供時間。重置區塊基於發光控制信號設置脈波振幅控制區塊及快速抬升區塊的狀態。
Description
本發明是有關於一種畫素電路，且特別是有關於一種發光二極體畫素電路。
因環保意識抬頭，節能省電、使用壽命、色彩飽和度及電源品質等訴求逐漸成為消費者考慮購買的因素，同時受到半導體技術迅速發展與成本降低，驅使發光元件成為未來照明與顯示器市場的發展主流。其中，有機發光二極體（OLED）與微型發光二極體（uLED）為當下使用於自發光顯示面板的主要元件。
然而，微型發光二極體（uLED）和有機發光二極體（OLED）的發光亮度曲線不一樣，亦即操作同樣亮度下，發光二極體的發光效率非常低。並且，由於有機發光二極體的驅動電路所操作的電流區間是落在微型發光二極體的低發光效率區間，因此較早發展的有機發光二極體的驅動電路無法直接應用在微型發光二極體。藉此，為了驅動微型發光二極體，需要對現有的驅動電路作相對應的改動或重新設計。
本發明提供一種畫素電路，可以快速抬升驅動電流的幅度，來縮短驅動電流的上升時間，以利提升灰階控制精準度。
本發明的畫素電路，包括發光二極體、第一電晶體、脈波振幅控制區塊、脈波寬度控制區塊、快速抬升區塊以及重置區塊。發光二極體具有陽極及接收系統低電壓的陰極。第一電晶體具有接收系統高電壓的第一端、控制端、以及耦接發光二極體的陽極的第二端。脈波振幅控制區塊耦接第一電晶體的控制端，且接收參考電壓，以基於參考電壓控制流經第一電晶體的驅動電流。脈波寬度控制區塊接收資料電壓及擺盪信號，以基於資料電壓及擺盪信號提供節點電壓。快速抬升區塊耦接脈波振幅控制區塊，基於節點電壓控制脈波振幅控制區塊以抬升第一電晶體的驅動電流的上升速度且決定驅動電流的單次提供時間。重置區塊耦接脈波振幅控制區塊及快速抬升區塊，且接收發光控制信號，以基於發光控制信號設置脈波振幅控制區塊及快速抬升區塊的狀態。
基於上述，本發明實施例的畫素電路，透過快速抬升區塊抬升第一電晶體的驅動電流的上升速度，來降低驅動電流的上升時間，以更精準控制畫素電路的灰階亮度。並且，畫素電路的發光路徑（亦即第一電晶體及發光二極體）上僅有一顆驅動電晶體（亦即第一電晶體），降低所需之系統高電壓與系統低電壓之間的跨壓，達到節省功耗的效果。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
應當理解，儘管術語“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此，下面討論的“第一元件”、“部件”、“區域”、“層”或“部分”可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。
這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非內容清楚地指示，否則單數形式“一”、“一個”和“該”旨在包括複數形式，包括“至少一個”。“或”表示“及/或”。如本文所使用的，術語“及/或”包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解，當在本說明書中使用時，術語“包括”及/或“包括”指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一個或多個其它特徵、區域整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。
圖1為依據本發明一實施例的畫素電路的電路示意圖。請參照圖1，在本實施例中，畫素電路100包括發光二極體LD1、第一電晶體T1、脈波寬度控制區塊110、快速抬升區塊120、脈波振幅控制區塊130、以及重置區塊140。發光二極體LD1例如是微型發光二極體，但本發明實施例不以此為限。發光二極體LD1具有陽極及接收系統低電壓V
SS的陰極。
第一電晶體T1具有接收系統高電壓V
DD的第一端、控制端、以及耦接發光二極體LD1的陽極的第二端。脈波振幅控制區塊130耦接第一電晶體T1的控制端，且接收參考電壓V
REF，以基於參考電壓V
REF控制流經第一電晶體T1的驅動電流Idr，其中驅動電流Idr僅經由第一電晶體T1提供至發光二極體LD1。脈波寬度控制區塊110接收資料電壓V
DATA及擺盪信號V
SWEEP，以基於資料電壓V
DATA及擺盪信號V
SWEEP提供節點電壓D。
快速抬升區塊120耦接脈波振幅控制區塊130，並且基於節點電壓D控制脈波振幅控制區塊130以抬升第一電晶體T1的驅動電流Idr的上升速度且決定驅動電流Idr的單次提供時間。重置區塊140耦接脈波振幅控制區塊130及快速抬升區塊120，且接收發光控制信號EM，以基於發光控制信號EM設置脈波振幅控制區塊130及快速抬升區塊120的狀態。
依據上述，畫素電路100的發光路徑（亦即第一電晶體T1及發光二極體LD1）上僅有一顆驅動電晶體（亦即電晶體T1），降低所需之系統高電壓V
DD與系統低電壓V
SS之間的跨壓，達到節省功耗的效果。並且，透過快速抬升區塊120抬升第一電晶體T1的驅動電流Idr的上升速度，來降低驅動電流Idr的上升時間，以更精準控制畫素電路100的灰階亮度。
在本實施例中，脈波寬度控制區塊110包括第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4以及第一電容C1，其中第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4個別以P型電晶體為例，但本發明實施例不以此為限。
第二電晶體T2具有提供節點電壓D的第一端、接收第一控制信號S1的控制端、以及接收高電壓V
H的第二端。第三電晶體T3具有第一端、接收第二控制信號S2的控制端、以及耦接節點電壓D的第二端。第四電晶體T4具有接收資料電壓V
DATA的第一端、耦接第三電晶體T3的第一端的控制端、以及耦接第三電晶體T3的第一端的第二端，其中第四電晶體T4是連接成二極體型態。第一電容C1耦接於節點電壓D與該擺盪信號V
SWEEP之間。
在本實施例中，快速抬升區塊120包括第五電晶體T5以及第六電晶體T6，其中第五電晶體T5是以P型電晶體為例，並且第六電晶體T6是以N型電晶體為例，但本發明實施例不以此為限。第五電晶體T5具有接收高電壓V
H的第一端、接收節點電壓D的控制端、以及第二端。第六電晶體T6具有接收系統高電壓V
DD的第一端、耦接第五電晶體T5的第二端的控制端、以及第二端。
在本實施例中，脈波振幅控制區塊130包括第七電晶體T7、第八電晶體T8、第九電晶體T9以及第二電容C2，第七電晶體T7以及第八電晶體T8個別以P型電晶體為例，並且第九電晶體T9是以N型電晶體為例，但本發明實施例不以此為限。
第七電晶體T7具有第一端、耦接第五電晶體T5的第二端的控制端、以及接收參考電壓V
REF的第二端。第八電晶體T8具有第一端、接收擺盪信號V
SWEEP的控制端、以及接收第二控制信號S2的第二端。第九電晶體T9具有耦接第六電晶體T6的第二端的第一端、接收發光控制信號EM的控制端、以及耦接第八電晶體T8的第一端的第二端。第二電容C2耦接於第六電晶體T6的第二端與第一電晶體T1的控制端之間。
在本實施例中，重置區塊140包括第十電晶體T10，其中第十電晶體T10是以N型電晶體為例，但本發明實施例不以此為限。第十電晶體T10具有耦接第五電晶體T5的第二端的第一端、接收發光控制信號EM的控制端、以及接收低電壓V
L的第二端。
在本實施例中，第二控制信號S2的高電壓準位可以高於系統高電壓V
DD。
圖2為依據本發明一實施例的畫素電路的驅動波形示意圖。請參照圖1及圖2，在本實施例中，畫素電路100至少是依序操作於初始化期間Pinit、補償期間Pcmp、發光期間Pemi、關閉期間Poff。
在初始化期間Pinit中，第一控制信號S1為低電壓準位（例如閘極低電壓V
GL），並且第二控制信號S2以及發光控制信號EM為高電壓準位（例如閘極高電壓V
GH）。此時，第二電晶體T2、第八電晶體T8、第九電晶體T9及第十電晶體T10為導通，並且第三電晶體T3為截止。並且，第一電晶體T1的控制端的節點電壓A為閘極高電壓V
GH，第六電晶體T6的第二端的節點電壓B為閘極高電壓V
GH－第九電晶體T9的臨界電壓V
TH9，第六電晶體T6的控制端的節點電壓C為低電壓V
L，節點電壓D為高電壓V
H。其中，第一電晶體T1因節點電壓A而截止，第五電晶體T5因節點電壓D而截止，第六電晶體T6因節點電壓C而截止，第七電晶體T7因節點電壓C而導通。
在補償期間Pcmp中，第二控制信號S2為低電壓準位，並且第一控制信號S1以及發光控制信號EM為高電壓準位。此時，第三電晶體T3、第八電晶體T8、第九電晶體T9及第十電晶體T10為導通，並且第二電晶體T2為截止。並且，第一電晶體T1的控制端的節點電壓A為參考電壓V
REF，第六電晶體T6的第二端的節點電壓B為擺盪高電壓V
SWEEP_H－第八電晶體T8的臨界電壓V
TH8，第六電晶體T6的控制端的節點電壓C為低電壓V
L，節點電壓D為資料電壓V
DATA－第四電晶體T4的臨界電壓V
TH4。其中，第一電晶體T1因節點電壓A而截止，第五電晶體T5因節點電壓D而截止，第六電晶體T6因節點電壓C而截止，第七電晶體T7因節點電壓C而導通。擺盪高電壓V
SWEEP_H為擺盪信號V
SWEEP的高電壓準位，並且擺盪低電壓V
SWEEP_L為擺盪信號V
SWEEP的低電壓準位。
在發光期間Pemi中，發光控制信號EM為低電壓準位，並且第一控制信號S1以及第二控制信號S2為高電壓準位。此時，第八電晶體T8為導通，並且第二電晶體T2、第三電晶體T3、第九電晶體T9及第十電晶體T10為截止。並且，第一電晶體T1的控制端的節點電壓A為參考電壓V
REF，第六電晶體T6的第二端的節點電壓B為擺盪高電壓V
SWEEP_H┼第八電晶體T8的臨界電壓V
TH8，第六電晶體T6的控制端的節點電壓C為低電壓V
L，節點電壓D為資料電壓V
DATA－第四電晶體T4的臨界電壓V
TH4－ΔV
SWEEP，其中ΔV
SWEEP是擺盪信號V
SWEEP隨時間產生的電壓差。其中，第一電晶體T1因節點電壓A而截止，第五電晶體T5因節點電壓D而截止，第六電晶體T6因節點電壓C而截止，第七電晶體T7因節點電壓C而導通。並且，驅動電流Idr是相關於擺盪高電壓V
SWEEP_H及參考電壓V
REF。
進一步來說，當高電壓V
H－節點電壓D≦第五電晶體T5的臨界電壓V
TH5時（亦即高電壓V
H－資料電壓V
DATA+第四電晶體T4的臨界電壓V
TH4+ΔV
SWEEP≦第五電晶體T5的臨界電壓V
TH5）時，第五電晶體T5保持截止；當高電壓V
H－節點電壓D＞第五電晶體T5的臨界電壓V
TH5時（亦即高電壓V
H－資料電壓V
DATA+第四電晶體T4的臨界電壓V
TH4+ΔV
SWEEP＞第五電晶體T5的臨界電壓V
TH5）時，第五電晶體T5變為導通，節點電壓C充電至高電壓V
H，因而第六電晶體T6導通且第七電晶體T7截止。此時，節點電壓B開始放電，以抬升驅動電流Idr的上升速度。
在第五電晶體T5導通後，第一電晶體T1的控制端的節點電壓A為參考電壓V
REF┼系統高電壓V
DD－擺盪高電壓V
SWEEP_H－第八電晶體T8的臨界電壓V
TH8，第六電晶體T6的第二端的節點電壓B為系統高電壓V
DD，第六電晶體T6的控制端的節點電壓C為高電壓V
H，節點電壓D為資料電壓V
DATA－第四電晶體T4的臨界電壓V
TH4－ΔV
SWEEP。其中，節點電壓C上升速度越快，第五電晶體T5的導通速度越快，進而驅動電流Idr的上升速度越快。
在關閉期間Poff中，第一控制信號S1、第二控制信號S2以及發光控制信號EM為高電壓準位。此時，第八電晶體T8為導通，並且第二電晶體T2、第三電晶體T3、第九電晶體T9及第十電晶體T10為截止。並且，第一電晶體T1的控制端的節點電壓A為參考電壓V
REF，第六電晶體T6的第二端的節點電壓B為擺盪高電壓V
SWEEP_H┼第八電晶體T8的臨界電壓V
TH8，第六電晶體T6的控制端的節點電壓C為低電壓V
L，節點電壓D為資料電壓V
DATA－第四電晶體T4的臨界電壓V
TH4－ΔV
SWEEP。其中，第一電晶體T1因節點電壓A而截止，第五電晶體T5因節點電壓D而截止，第六電晶體T6因節點電壓C而截止，第七電晶體T7因節點電壓C而導通。
依據上述，本發明實施例可針對微型發光二極體畫素電路提出10T2C的電路架構，其應用於微型發光二極體拼接顯示器。其中，畫素電路100可透過脈波寬度調變（Pulse-width modulation，PWM）控制將發光二極體操作於最佳發光效率點，以節省電路靜態功率消耗。更者，在發光階段（亦即發光期間Pemi）時，透過擺盪信號V
SWEEP將第五電晶體T5導通以對節點電壓C充電，來控制節點電壓A，以控制第一電晶體T1的導通，藉此達到PWM控制效果，同時降低驅動電流Idr上升時間，以精準控制灰階亮度。並且，透過脈波寬度控制區塊110的匹配架構補償第五電晶體T5的臨界電壓變異，使發光路徑上僅有一顆驅動電晶體（亦即第一電晶體T1），以降低所需之系統高電壓V
DD與系統低電壓V
SS之間的跨壓，達到節省功耗的效果。換言之，本發明的畫素電路100，可有效降低系統高電壓V
DD與系統低電壓V
SS之間的跨壓，且可補償系統高電壓V
DD的電源電壓降（I-R Drop）及第五電晶體T5的臨界電壓變異，提高驅動電流的一致性。
綜上所述，本發明實施例的畫素電路，透過快速抬升區塊抬升第一電晶體的驅動電流的上升速度，來降低驅動電流的上升時間，以更精準控制畫素電路的灰階亮度。並且，畫素電路的發光路徑（亦即第一電晶體及發光二極體）上僅有一顆驅動電晶體（亦即第一電晶體），降低所需之系統高電壓與系統低電壓之間的跨壓，達到節省功耗的效果。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100:畫素電路
110:脈波寬度控制區塊
120:快速抬升區塊
130:脈波振幅控制區塊
140:重置區塊
A、B、C、D:節點電壓
C1:第一電容
C2:第二電容
EM:發光控制信號
Idr:驅動電流
LD1:發光二極體
Pcmp:補償期間
Pemi:發光期間
Pinit:初始化期間
Poff:關閉期間
S1:第一控制信號
S2:第二控制信號
T1:第一電晶體
T10:第十電晶體
T2:第二電晶體
T3:第三電晶體
T4:第四電晶體
T5:第五電晶體
T6:第六電晶體
T7:第七電晶體
T8:第八電晶體
T9:第九電晶體
V
DATA:資料電壓
V
DD:系統高電壓
V
H:高電壓
V
L:低電壓
V
REF:參考電壓
V
SS:系統低電壓
V
SWEEP:擺盪信號
V
SWEEP_H:擺盪高電壓
V
SWEEP_L:擺盪低電壓
圖1為依據本發明一實施例的畫素電路的電路示意圖。
圖2為依據本發明一實施例的畫素電路的驅動波形示意圖。
100:畫素電路
110:脈波寬度控制區塊
120:快速抬升區塊
130:脈波振幅控制區塊
140:重置區塊
A、B、C、D:節點電壓
C1:第一電容
C2:第二電容
EM:發光控制信號
Idr:驅動電流
LD1:發光二極體
S1:第一控制信號
S2:第二控制信號
T1:第一電晶體
T10:第十電晶體
T2:第二電晶體
T3:第三電晶體
T4:第四電晶體
T5:第五電晶體
T6:第六電晶體
T7:第七電晶體
T8:第八電晶體
T9:第九電晶體
VDATA:資料電壓
VDD:系統高電壓
VH:高電壓
VL:低電壓
VREF:參考電壓
VSS:系統低電壓
VSWEEP:擺盪信號
Claims (9)
- 一種畫素電路，包括： 一發光二極體，具有一陽極及接收一系統低電壓的一陰極； 一第一電晶體，具有接收一系統高電壓的一第一端、一控制端、以及耦接該發光二極體的該陽極的一第二端； 一脈波振幅控制區塊，耦接該第一電晶體的該控制端，且接收一參考電壓，以基於該參考電壓控制流經該第一電晶體的一驅動電流； 一脈波寬度控制區塊，接收一資料電壓及一擺盪信號，以基於該資料電壓及該擺盪信號提供一節點電壓； 一快速抬升區塊，耦接該脈波振幅控制區塊，基於該節點電壓控制該脈波振幅控制區塊以抬升該第一電晶體的該驅動電流的上升速度且決定該驅動電流的一單次提供時間；以及 一重置區塊，耦接該脈波振幅控制區塊及該快速抬升區塊，且接收一發光控制信號，以基於該發光控制信號設置該脈波振幅控制區塊及該快速抬升區塊的狀態。
- 如請求項1所述的畫素電路，其中該脈波寬度控制區塊包括： 一第二電晶體，具有提供該節點電壓的一第一端、接收一第一控制信號的一控制端、以及接收一高電壓的一第二端； 一第三電晶體，具有一第一端、接收一第二控制信號的一控制端、以及耦接該節點電壓的一第二端； 一第四電晶體，具有接收該資料電壓的一第一端、耦接該第三電晶體的該第一端的一控制端、以及耦接該第三電晶體的該第一端的一第二端；以及 一第一電容，耦接於該節點電壓與該擺盪信號之間。
- 如請求項2所述的畫素電路，其中該快速抬升區塊包括： 一第五電晶體，具有接收該高電壓的一第一端、接收該節點電壓的一控制端、以及一第二端；以及 一第六電晶體，具有接收該系統高電壓的一第一端、耦接該第五電晶體的該第二端的一控制端、以及一第二端。
- 如請求項3所述的畫素電路，其中該脈波振幅控制區塊包括： 一第七電晶體，具有一第一端、耦接該第五電晶體的該第二端的一控制端、以及接收該參考電壓的一第二端； 一第八電晶體，具有一第一端、接收該擺盪信號的一控制端、以及接收該第二控制信號的一第二端； 一第九電晶體，具有耦接該第六電晶體的該第二端的一第一端、接收該發光控制信號的一控制端、以及耦接該第八電晶體的該第一端的一第二端；以及 一第二電容，耦接於該第六電晶體的該第二端與該第一電晶體的該控制端之間。
- 如請求項4所述的畫素電路，其中該重置區塊包括： 一第十電晶體，具有耦接該第五電晶體的該第二端的一第一端、接收該發光控制信號的一控制端、以及接收一低電壓的一第二端。
- 如請求項5所述的畫素電路，其中該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體、該第四電晶體、該第五電晶體、該第七電晶體以及該第八電晶體個別為一P型電晶體，並且該第六電晶體、該第九電晶體以及該第十電晶體個別為一N型電晶體。
- 如請求項1所述的畫素電路，其中該第二控制信號的高電壓準位高於該系統高電壓。
- 如請求項1所述的畫素電路，其中該驅動電流僅經由該第一電晶體提供至該發光二極體。
- 如請求項1所述的畫素電路，其中該發光二極體包括一微型發光二極體。
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