TW202407847A - 用於天線中變容二極體之晶粒放置及用於其之方法 - Google Patents

用於天線中變容二極體之晶粒放置及用於其之方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202407847A
TW202407847A TW112116765A TW112116765A TW202407847A TW 202407847 A TW202407847 A TW 202407847A TW 112116765 A TW112116765 A TW 112116765A TW 112116765 A TW112116765 A TW 112116765A TW 202407847 A TW202407847 A TW 202407847A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
die
antenna
aperture
dies
placement
Prior art date
Application number
TW112116765A
Other languages
English (en)
Inventor
史帝芬 霍華德 林恩
凱德加斯 維洛
Original Assignee
美商凱米塔公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商凱米塔公司 filed Critical 美商凱米塔公司
Publication of TW202407847A publication Critical patent/TW202407847A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q15/00—Devices for reflection, refraction, diffraction or polarisation of waves radiated from an antenna, e.g. quasi-optical devices
    • H01Q15/0006—Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices
    • H01Q15/0086—Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices said selective devices having materials with a synthesized negative refractive index, e.g. metamaterials or left-handed materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00—Antenna arrays or systems
    • H01Q21/0087—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing antenna arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/04—Mounting of components, e.g. of leadless components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68354—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to support diced chips prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q3/00—Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system
    • H01Q3/26—Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system varying the relative phase or relative amplitude of energisation between two or more active radiating elements; varying the distribution of energy across a radiating aperture

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

本發明揭示一種用於天線中之變容二極體或其他器件之晶粒放置之裝置及用於使用該裝置之方法。在一些實施例中，一種用於製造一天線孔徑之方法包括：將一天線孔徑之至少一個部分放置於可徑向迴轉之一壓板上，該天線孔徑之該至少一個部分具有複數個天線元件；使用一取放機將複數個晶粒放置於該天線孔徑之該至少一個部分上，包含使用該機器徑向迴轉該壓板以相對於該取放機定位該天線孔徑之該至少一個部分之該複數個天線元件之各天線元件以用於該複數個晶粒之各晶粒之放置，且將該複數個晶粒之該各晶粒放置於天線孔徑片段之至少一個部分上。

Description

用於天線中變容二極體之晶粒放置及用於其之方法
本文中揭示之實施例係關於無線通信；且更特定言之，本文中揭示之實施例係關於使用拾取及放置技術將晶粒放置於一天線孔徑上。
超穎表面天線最近已作為用於自一輕量、低成本且平面實體平台產生經操縱定向波束之一新穎技術出現。此等超穎表面天線最近已用於數個應用(諸如(例如)衛星通信)中。
超穎表面天線可包括可選擇性地耦合來自一饋入波(feed wave)之能量以產生可經控制以用於通信之波束的超穎材料天線元件。此等天線可自一便宜的且易於製造的硬體平台達成與相控陣列天線相當之效能。藉由調諧構成超穎材料元件之特性，可達成孔徑平面處之一全像圖，其中波導模式用作參考波且經調諧元件之集合形成全像圖。藉此可藉由使用電子調諧而調變來自此等全像天線之集體輻射以形成任意型樣。
許多超穎表面天線包含具有多個積體電路(IC)晶粒之天線孔徑。傳統上，一次在一個晶粒上執行晶粒放置且其係一緩慢程序。對於將發光二極體(LED)放置於一顯示器上之一個估計係大致4至6晶粒/秒，若在片段中放置41000個晶粒，則其將耗費每片段約2.9小時。為了在滿足成本目標之同時達成批量製造，需要重新考量此程序。一些超穎表面天線具有一圓形或徑向形狀。然而，當前晶粒放置技術未利用一些超穎表面RF天線孔徑之徑向性質。
用於超穎表面天線中之晶粒經產生為晶圓之部分且經歷處理以使其等能夠隨後放置於一天線孔徑上。通常言之，晶圓上之晶粒處理依賴於笛卡爾(Cartesian) 「步進及重複」方法以在半導體晶圓上形成晶粒。因此，典型半導體晶粒係在笛卡爾座標網格中產生。因此，當執行將此等晶粒放置於徑向天線上之程序時，在獲得用於放置晶粒之位置與徑向天線之對稱性之間不存在對稱性。
本發明揭示一種用於天線中之變容二極體或其他器件之晶粒放置之裝置及用於使用該裝置之方法。在一些實施例中，一種用於製造一天線孔徑之方法包括：將一天線孔徑之至少一個部分放置於可徑向迴轉之一壓板上，該天線孔徑之該至少一個部分具有複數個天線元件；使用一取放機將複數個晶粒放置於該天線孔徑之該至少一個部分上，包含使用該機器徑向迴轉該壓板以相對於該取放機定位該天線孔徑之該至少一個部分之該複數個天線元件之各天線元件以用於該複數個晶粒之各晶粒之放置，且將該複數個晶粒之該各晶粒放置於天線孔徑片段之至少一個部分上。
相關申請案
本申請案係2022年5月6日申請且標題為「OPTIMIZED DIE PLACEMENT FOR VARACTOR SEGMENTS/APERTURES」之美國臨時專利申請案第63/339,315號之一非臨時申請案且主張該案之權利，該案之全文以引用的方式併入。
在以下描述中，闡述許多細節以提供本發明之實施例之一更透徹解釋。然而，熟習此項技術者將明白，可在無此等具體細節之情況下實踐本文中揭示之教示。在其他例項中，熟知結構及器件以方塊圖形式而非詳細展示以免使本發明不清楚。
本文中描述之實施例包含用於將晶粒放置於具有多個RF輻射天線元件之一超穎表面射頻(RF)天線孔徑上之經改良技術。在一些實施例中，RF輻射天線元件包括係晶粒之部分之一調諧元件。在一些實施例中，RF輻射天線元件包括其中晶粒係變容二極體之基於變容二極體之天線元件。在一些其他實施例中，RF輻射天線元件包括具有作為調諧元件之液晶(LC)之基於LC之天線元件。在又一些其他實施例中，RF輻射天線元件包括基於微機電系統(MEMS)之天線元件，其中用於各RF輻射天線元件之調諧元件包括一RF MEMS。此等技術包含晶圓設計、天線片段佈局及放置設備之改變。
以下揭示內容論述天線實施例之實例，接著為用於將晶粒放置於一超穎表面或其他類型之天線孔徑上之技術之一描述。 天線實施例之實例
本文中描述之技術可與各種平板衛星天線一起使用。在本文中揭示此等平板天線之實施例。在一些實施例中，平板衛星天線係一衛星終端機之部分。平板天線包含在一天線孔徑上之一或多個天線元件陣列。
在一些實施例中，天線孔徑係一超穎表面天線孔徑，諸如(例如)下文描述之天線孔徑。在一些實施例中，天線元件包括射頻(RF)輻射天線元件。在一些實施例中，天線元件包含用於調諧天線元件之可調諧器件。此等可調諧器件之實例包含二極體及變容二極體，諸如(例如)在2022年11月1日發佈之標題為「Metasurface Antennas Manufactured with Mass Transfer Technologies」之美國專利第11,489,266號中描述。在一些其他實施例中，天線元件包括基於液晶(LC)之天線元件，諸如(例如)在2018年2月6日發佈之標題為「Dynamic Polarization and Coupling Control from a Steerable Cylindrically Fed Holographic Antenna」之美國專利第9,887,456號中揭示之基於LC之天線元件或其他RF輻射天線元件。應瞭解，在關於本文中描述之實施例之變化形態中，可將其他可調諧器件(諸如(例如，但不限於)可調諧電容器、可調諧電容晶粒、經封裝晶粒、微機電系統(MEMS)器件或其他可調諧電容器件)放置至一天線孔徑中或別處。
在一些實施例中，具有一或多個天線元件陣列之天線孔徑包括耦合在一起之多個片段。在一些實施例中，當耦合在一起時，片段之組合形成天線元件之群組(例如，相對於天線饋入同心之天線元件之封閉同心環等)。針對有關天線片段之更多資訊，參見2018年2月6日發佈之標題為「Aperture Segmentation of a Cylindrical Feed Antenna」之美國專利第9,887,455號。
圖1繪示一平板天線之一些實施例之一分解視圖。參考圖1，天線100包括一天線罩101、一核心天線102、天線支撐板103、天線控制單元(ACU) 104、一電力供應單元105、端子外殼平台106、comm (通信)模組107及RF鏈108。
天線罩101係圍封核心天線102之一外殼之頂部部分。在一些實施例中，天線罩101係耐候的且由對無線電波透明之材料構成以使由核心天線102產生之波束能夠延伸至天線罩101的外部。
在一些實施例中，核心天線102包括具有RF輻射天線元件之一孔徑。此等天線元件用作輻射器(或槽孔輻射器)。在一些實施例中，天線元件包括散射超穎材料天線元件。在一些實施例中，天線元件包括在核心天線102之天線孔徑之整個表面上交錯及分佈之接收(Rx)及傳輸(Tx)膜片兩者或槽。此等Rx及Tx膜片可呈兩個或更多組之群組，其中各組用於一分開地且同時受控頻帶。在2021年1月12日發佈之標題為「Broad Tunable Bandwidth Radial Line Slot Antenna」之美國專利第10,892,553號中描述具有膜片之此等天線元件之實例。
在一些實施例中，天線元件包括膜片(膜片開口)且孔徑天線用於產生一主波束，該主波束藉由使用來自一圓柱形饋入波之激發而塑形以用於透過可調諧元件(例如，二極體、變容二極體、貼片等)輻射膜片開口。在一些實施例中，天線元件可經激發以依所要掃描角度輻射一水平或垂直極化之電場。
在一些實施例中，一可調諧元件(例如，二極體、變容二極體、貼片等)定位於各膜片槽上方。藉由使用ACU 104中之一控制器將一電壓施加至可調諧元件而控制來自各天線元件之輻射功率之量。核心天線102中至各可調諧元件之跡線用於將電壓提供至可調諧元件。電壓調諧或解諧個別元件之電容及因此諧振頻率以實現波束成形。所需電壓係取決於在使用中之可調諧元件。使用此性質，在一些實施例中，可調諧元件(例如，二極體、變容二極體、LC等)整合一開啟/關斷開關以用於將能量自一饋入波傳輸至天線元件。當開啟時，一天線元件如同一電氣小偶極天線般發射一電磁波。應注意，本文中之教示不限於具有以有關能量傳輸之一二元方式操作之單元胞元。例如，在其中變容二極體係可調諧元件之一些實施例中，存在32個調諧位準。作為另一實例，在其中LC係可調諧元件之一些實施例中，存在16個調諧位準。
可調諧元件與槽之間之一電壓可經調變以調諧天線元件(例如，可調諧諧振器/槽)。調整電壓改變一槽(例如，可調諧諧振器/槽)之電容。因此，可藉由改變電容而改變一槽(例如，可調諧諧振器/槽)之電抗。槽之諧振頻率亦根據方程式 改變，其中 係槽之諧振頻率且L及C分別係槽之電感及電容。槽之諧振頻率影響自傳播通過波導之一饋入波耦合至天線元件之能量。
特定言之，藉由天線元件之超穎材料陣列產生一聚焦波束可由此項技術中熟知之相長干涉及相消干涉之現象解釋。當個別電磁波在自由空間相遇以產生一波束時，若其等具有相同相位，則其等加總(相長干涉)且當波在自由空間相遇時，若其等處於相反相位，則其等相互抵消(相消干涉)。若核心天線102中之槽經定位使得各連續槽定位成與饋入波之激發點相距一不同距離，則來自該天線元件之散射波將具有不同於先前槽之散射波之一相位。在一些實施例中，若槽彼此隔開一波長之四分之一，則各槽將以自先前槽之一四分之一相位延遲散射一波。在一些實施例中，藉由控制開啟或關斷哪些天線元件(即，藉由改變開啟哪些天線元件及關斷哪些天線元件之型樣)或使用多個調諧位準之哪一者，可產生相長干涉及相消干涉之一不同型樣，且天線可改變其(若干)波束之方向。
在一些實施例中，核心天線102包含用於經由一輸入饋入提供一圓柱波饋入之一同軸饋入，諸如(例如)在2018年2月6日發佈之標題為「Dynamic Polarization and Coupling Control from a Steerable Cylindrically Fed Holographic Antenna」之美國專利第9,887,456號中或在2022年11月1日發佈之標題為「Metasurface Antennas Manufactured with Mass Transfer Technologies」之美國專利第11,489,266號中描述。在一些實施例中，圓柱波饋入自一中心點使用以一圓柱形方式自饋入點向外擴散之一激發饋入核心天線102。換言之，圓柱形饋入波係一向外行進之同心饋入波。即便如此，圍繞圓柱形饋入之圓柱形饋入天線之形狀亦可係圓形、正方形或任何形狀。在一些其他實施例中，一圓柱形饋入天線孔徑產生一向內行進之饋入波。在此一情況中，饋入波最自然地來自一圓形結構。
在一些實施例中，核心天線包括多個層。此等層包含形成RF輻射天線元件之一或多個基板層。在一些實施例中，此等層亦可包含阻抗匹配層(例如，一廣角阻抗匹配(WAIM)層等)、一或多個間隔件層及/或介電層。此等層在此項技術中係熟知的。
天線支撐板103經耦合至核心天線102以提供對於核心天線102之支撐。在一些實施例中，天線支撐板103包含一或多個波導及一或多個天線饋入以將一或多個饋入波提供至核心天線102以供核心天線102之天線元件使用以產生一或多個波束。
ACU 104經耦合至天線支撐板103且為天線100提供控制件。在一些實施例中，此等控制件包含用於天線100之驅動電子器件之控制件及用以控制散置遍及RF輻射天線元件陣列之一切換陣列之一矩陣驅動電路系統。在一些實施例中，矩陣驅動電路系統使用唯一位址以將電壓施加至天線元件之可調諧元件上以與其他天線元件分開地驅動各天線元件。在一些實施例中，用於ACU 104之驅動電子器件包括用於調整各天線元件之電壓之商用電視設備中之商用現成LCD控制件。
更具體言之，在一些實施例中，ACU 104將一電壓信號陣列供應至天線元件之可調諧器件以產生一調變或控制型樣。控制型樣引起元件調諧至不同狀態。在一些實施例中，ACU 104使用控制型樣以控制開啟或關斷哪些天線元件(或使用哪一調諧位準)及依操作頻率下之哪一相位及振幅位準。藉由電壓施加針對頻率操作選擇性地解諧元件。在一些實施例中，使用多狀態控制，其中依據不同位準開啟及關斷各種元件，從而進一步近似表示一正弦控制型樣(相對於一方波(即，一正弦波灰度調變型樣))。
在一些實施例中，ACU 104亦含有執行軟體以執行一些控制操作之一或多個處理器。ACU 104可控制一或多個感測器(例如，一GPS接收器、一3軸羅盤、一3軸加速度計、一3軸陀螺儀、一3軸磁力儀等)以將位置及定向資訊提供至(若干)處理器。位置及定向資訊可由地面站中之其他系統提供至(若干)處理器及/或可並非天線系統之部分。
天線100亦包含一comm (通信)模組107及一RF鏈108。除基於度量(例如，服務品質(QoS)度量，例如，信號強度、延時等)選擇適當網路路由之一路由器之外，comm模組107亦包含使天線100能夠與各種衛星及/或蜂巢式系統通信之一或多個數據機。RF鏈108將類比RF信號轉換為數位形式。在一些實施例中，RF鏈108包括電子組件，該等電子組件可包含放大器、濾波器、混合器、衰減器及偵測器。
天線100亦包含用於將電力提供至天線100之各種子系統或部分之電力供應單元105。
天線100亦包含形成用於天線100之底部之外殼之端子外殼平台106。在一些實施例中，端子外殼平台106包括耦合至天線100之其他部分(包含天線罩101)以圍封核心天線102之多個部分。
圖2繪示包含本文中描述之一或多個天線之一通信系統之一實例。參考圖2，載具200包含一天線201。在一些實施例中，天線201包括圖1之天線100。
在一些實施例中，載具200可包括若干載具之任一者，諸如(例如，但不限於)一汽車(例如，小客車、卡車、公車等)、一海上載具(例如，船、艦等)、飛機(例如，客機、軍用飛機、小型飛機等)等。天線201可用於在載具200處於暫停或移動時進行通信。天線201亦可用於通信至固定位置，例如，偏遠的工業場址(採礦、石油及天然氣)及/或偏遠的再生能源場址(太陽能電場、風場等)。
在一些實施例中，天線201能夠與一或多個通信基礎設施(例如，衛星、蜂巢式、網路(例如，網際網路)等)通信。例如，在一些實施例中，天線201能夠與衛星220 (例如，一GEO衛星)及221 (例如，一LEO衛星)、蜂巢式網路230 (例如，一LTE等)以及網路基礎設施(例如，邊緣路由器、網際網路等)通信。例如，在一些實施例中，天線201包括用於實現與各種衛星(諸如衛星220 (例如，一GEO衛星)及衛星221 (例如，一LEO衛星))之通信之一或多個衛星數據機(例如，一GEO數據機、一LEO數據機等)及用於與蜂巢式網路230通信之一或多個蜂巢式數據機。針對與一或多個通信基礎設施通信之一天線之另一實例，參見標題為「Multiple Aspects of Communication in a Diverse Communication Network」且在2020年1月23日申請之美國專利第16/750,439號。
在一些實施例中，為了促進與各種衛星之通信，天線201執行動態波束操縱。在此一情況中，天線201能夠動態地改變其產生之一波束之方向以促進與不同衛星之通信。在一些實施例中，天線201包含多波束波束操縱，該多波束波束操縱容許天線201同時產生兩個或更多個波束，藉此使天線201能夠同時與多於一個衛星通信。此功能性通常在於衛星之間切換(例如，執行一交遞)時使用。例如，在一些實施例中，天線201產生並使用一第一波束以用於與衛星220通信且同時產生一第二波束以建置與衛星221之通信。在建置與衛星221之通信之後，天線201停止產生第一波束以結束與衛星220之通信，同時切換至使用第二波束與衛星221通信。針對有關多波束通信之更多資訊，參見2021年7月13日發佈之標題為「Beam Splitting Hand Off Systems Architecture」之美國專利第11,063,661號。
在一些實施例中，天線201使用路徑分集以使與一個通信路徑(例如，衛星、蜂巢式等)發生之一通信工作階段能夠在與另一通信路徑(例如，一不同衛星、一不同蜂巢式系統等)之一交遞期間及之後繼續。例如，若天線201與衛星220通信且藉由動態地改變其波束方向而切換至衛星221，則其與衛星220之工作階段同與衛星221發生之工作階段組合。
因此，本文中描述之天線可為實現普適通信及多個不同通信連接之一衛星終端機之部分。
在一些實施例中，天線201包括具有使用RF天線元件驅動電路系統調諧至所要頻率之多個RF輻射天線元件之一超穎表面RF天線。驅動電路系統可包含一驅動電晶體(例如，一薄膜電晶體(TFT) (例如，CMOS、NMOS等)、低或高溫多晶矽電晶體、憶阻器等)、一微機電系統(MEMS)電路或用於將一電壓驅動至一RF輻射天線元件之其他電路。在一些實施例中，驅動電路系統包括一主動矩陣驅動器。在一些實施例中，各天線元件之頻率受一經施加電壓控制。在一些實施例中，此經施加電壓亦儲存於各天線元件(像素電路)中，直至下一電壓寫入循環。 用於天線孔徑之晶粒放置技術
本文中描述之實施例包含用於將晶粒放置於一天線孔徑上之經改良之更快方法。在一些實施例中，天線孔徑包括具有多個RF輻射天線元件(例如，基於變容二極體之天線元件、基於液晶(LC)之天線元件、基於微機電系統(MEMS)之天線元件，其中RF超穎材料天線中之調諧元件可分別為LC、一變容二極體、RF MEMS)之一超穎表面RF天線孔徑。在一些實施例中，各RF天線元件包含一或多個晶粒。此等晶粒之一些可為用於將一調諧電壓驅動至一天線元件上之調諧元件，諸如(例如但不限於)二極體、變容二極體等。
在一些實施例中，使用包含一晶粒放置工具之一晶粒放置裝置將晶粒放置於一天線孔徑上。晶粒放置工具可為一取放機。使用一取放機，存在用於更有效地將晶粒放置於形成天線孔徑之部分之一孔徑基板(例如，一玻璃基板)上之若干可能方式。一個方式係減少在整個晶圓至孔徑放置程序中必須移動晶粒之次數。此等晶粒移動之實例將為諸如(例如，但不限於)晶粒之分類、翻轉及放置之操作。將晶粒更快地放置於一孔徑基板上之另一方式係儘可能縮短或潛在地最小化一晶粒自膠帶載體或匣移動至目的地孔徑基板所耗費之時間。此時間受膠帶至天線孔徑之間之來回移動(例如，一旋轉臂自膠帶移動至天線孔徑且接著再次返回)及晶粒放置工具之平均速度(包含加速度及減速度)及各晶粒移動之總路徑長度影響。更特定言之，本文中揭示之一些技術可導致晶粒放置工具必須移動以放置晶粒之距離更短(即使在以更長距離加速及減速時)。例如，當前，一天線片段在一x-y工作台上(通常將一晶粒放置於一x-y網格上)，因此工作台需要完成兩個軸上之一複雜移動以完成一旋轉工作台之幾度旋轉逐環所完成的。更顯著地，為了結合可具有來自內部或外部方向之佈線之許多不同定向之元件以一(90,0) (或(45,-45)度定向)開始放置晶粒，天線孔徑片段被拾取且在一x-y工作台上被旋轉多次。此可藉由向x-y工作台添加一旋轉工作台而避免。此一改變可減少RF元件胞元設計之數目，此係因為每一者之一頻率對於頻率之一(+45,-45)種類係唯一的。
又，本文中揭示之實施例包含使用此特徵以達到進一步返回至晶圓及膠帶之程序。藉由旋轉同一晶圓上之一些晶粒定向(例如，同一晶軸，但旋轉180度)，在一膠帶上具有兩個定向之晶粒可消除一尷尬替代例(例如，片段之重新定向、一膠帶之重新定向或一長機器移動)。若變容二極體晶粒良率足夠高，則藉由在同一膠帶上包含多個變容二極體晶粒類型，吾人可製造可用於自一單一膠帶針對一孔徑或孔徑片段放置全部晶粒之一個膠帶，藉此減少所需之設定之數目、需要製造之個別晶粒之膠帶之數目等。通常言之，RF元件型樣係在一孔徑中一再重複之RF元件型樣。將此考慮到最有效情況中，若良率足夠高，且由於孔徑效能對缺失晶粒之容忍度非常高，則吾人可以此重複型樣之區塊將晶粒放置於晶圓上，且使用此等來製造膠帶，使得一個膠帶可用於放置整個孔徑或孔徑片段。若隨機不良晶粒被分類且映射，則可藉由在該旋轉期間不拾取其等而跳過其等之放置。例如，此利用RF性質器件以獲得在一顯示器之拾取及放置中不可能之效率。
用於更快地將晶粒放置於一孔徑基板上之一額外方式係針對各機器移動而移動多於一個晶粒。
下文論述與用於將晶粒放置於天線孔徑上之此等方式之一或多者相關聯之技術。
圖3繪示用於將晶粒放置於一孔徑上之晶粒放置配置。參考圖3，天線孔徑300被放置於一壓板301上，該壓板301可經控制以繞其中心303旋轉天線孔徑300。在一些實施例中，天線孔徑300 (或天線孔徑300之一片段)具有對應於一孔徑中心303之一極對稱性及繞孔徑中心303以經定義序列配置之RF孔徑元件之環。因此，孔徑300 (或可為或用於形成孔徑300之一孔徑片段)被放置於具有一對應旋轉中心之可旋轉壓板301上，其中壓板301能夠在天線孔徑300上以繞其中心303之一旋轉θ旋轉一RF天線元件。在一些實施例中，孔徑300之旋轉係在一逆時針方向上(展示為孔徑旋轉302)。在一些其它實施例中，孔徑旋轉可為順時針的。
晶粒放置配置亦包含一晶粒放置工具320。在一些實施例中，晶粒放置工具320將晶粒自一膠帶330放置至天線孔徑300上。在一些實施例中，晶粒放置工具320包含在其端處具有自膠帶330拾取個別晶粒之一噴嘴之一(若干)放置臂321，該(等)放置臂321旋轉以將晶粒定位於天線孔徑上方且將晶粒放置至天線孔徑300上。在一些實施例中，晶粒放置工具具有多個放置臂且各放置臂具有一噴嘴以自膠帶330拾取一晶粒(例如，具有6個臂/噴嘴(如圖3中展示)、2個臂、3個臂等之一心軸)。使用放置臂旋轉箭頭322展示放置臂321之旋轉。膠帶330坐落在一X-Y載物台上，該X-Y載物台能夠在x及y方向上移動膠帶330以將一晶粒定位於膠帶330上，在放置臂321之噴嘴下方。
在一些實施例中，製造含有晶粒之一晶圓且接著將其放置於膠帶330上，此刻執行一切割程序(例如，切割鋸、雷射切割)，使得膠帶330固持全部此等部分。接著將膠帶330展開且放置於一框架(諸如一X-Y載物台)上，從而分離晶粒。在一些實施例中，通常藉由將該等晶粒放置於另一膠帶上而翻轉其等。翻轉將晶粒接合墊(歸因於在晶圓程序中之最後步驟之一者中形成，故通常向上)放置於膠帶上，因此當一晶粒被拾取時，晶粒準備好墊至墊匹配，其中接合墊在孔徑中。膠帶可具有一黏著劑，且可藉由某一方法(諸如例如將具有一晶粒之膠帶之一部分曝露至熱或紫外光(UV)輻射，此使黏著劑釋放晶粒)將晶粒自膠帶釋放。
在一些實施例中，晶粒放置裝置亦包含一平移線性載物台310以相對於晶粒放置工具320之旋轉放置臂321在一線性方向上移動壓板301及在壓板301之頂部上之對應孔徑300。在一些實施例中，由晶粒放置工具320將來自膠帶330之晶粒放置至其之天線孔徑300上之RF天線元件定位於天線孔徑300上之環中，且線性或平移載物台310使孔徑300之移動能夠將一天線元件定位於晶粒放置工具320之旋轉放置臂321下之一特定環中。
通常言之，晶粒放置工具320使用一旋轉放置臂321之噴嘴拾取一晶粒，且目的地具有一x,y網格上之元素，接合位置係針對每一晶粒位置處之一重複定向，且載物台在x或y上沿著一列或逐列進行小增量。晶粒放置工具320之旋轉臂拾取與旋轉臂之中心之半徑成90度定向之一晶粒且將其向外旋轉180度放置於目的地基板之x,y網格上。
相比之下，在一些實施例中，天線孔徑300具有一徑向對稱點且晶粒放置裝置經控制以將晶圓製造之x及y重複性質轉移至天線孔徑300之徑向RF天線元件位置(例如，繞中心303之RF天線元件之環)。在一些實施例中，天線孔徑300具有徑向RF元件型樣對稱性(例如，天線孔徑片段具有一共同原點)，且徑向對稱性具有天線孔徑300中經指定用於環中之天線元件之晶粒位置。在一些實施例中，天線元件之環具有相等節距。除相等間隔之環之外，在一些實施例中，RF天線元件亦繞環相等地間隔。除徑向及半徑內節距之外，在一些實施例中，天線孔徑300上之RF天線元件型樣亦具有相對於自天線孔徑300之中心303至各RF天線之中心之半徑之+/- 45度之一角度。當將晶粒放置至此等天線元件時，在一些實施例中，將各晶粒放置於相對於晶粒之中心之一已知位置中。應注意，在一些實施例中，天線孔徑300上之RF天線元件型樣具有自+/- 45度略微偏移之一角度或天線元件節距(沿著一環)或半徑(然而，天線元件仍可藉由一(r, θ)系統定址)上之略微偏移。在一些實施例中，偏移補償天線元件至天線元件耦合。在一些實施例中，偏移足夠減少或實質上消除天線元件至天線元件耦合，藉此改良效能。
在一些實施例中，使用一方法來將天線孔徑300 (或其片段)放置於壓板301上，其中天線孔徑300 (或其片段)上之晶粒放置係相對於與壓板301之迴轉中心重合之天線孔徑300之中心303。在一些實施例中，在壓板301上存在對應於天線孔徑300 (或孔徑片段)上之對準標記以相對於迴轉壓板301之原點(r=0，角度=0)準確地放置片段之對準標記。在一些實施例中，天線孔徑300 (或其孔徑片段)之原點可實體上不在孔徑或孔徑片段內。
在一些實施例中，晶粒放置工具320 (例如，取放機)經程式化使得針對晶粒在一給定環上之放置，放置在該環之半徑上且在適當極角座標處。壓板301將天線孔徑300 (或片段)上之RF元件呈遞給晶粒放置工具320，使得RF元件之膜片上之接合墊與經呈遞RF元件之接合墊重合。
在一些實施例中，壓板301亦經安裝至線性或平移載物台310，該線性或平移載物台310移動壓板301，使得一環上之RF天線元件(與迴轉壓板之孔徑中心/中心樞轉點之半徑相等)被一次一個環地呈遞給晶粒放置工具320。在一些實施例中，線性載物台310之移動僅需要稍微超過孔徑半徑。因此，在一些實施例中，壓板301控制角度(θ)且線性載物台310控制環半徑(r)以每次以相同方式將各RF元件位置呈遞給晶粒放置工具320。
在一些實施例中，沿著天線孔徑300上之各RF元件環，存在各需要一不同類型之晶粒之不同類型之RF天線元件。針對一環內之元件，RF天線元件具有環角度節距之一組角度值。針對一環，放置依據元件需要使迴轉遞增適當數目之角度節距。
為了放置下一環，線性載物台310將迴轉板移動至適當環且該環之晶粒放置開始，藉此引起迴轉壓板301移動至針對環上之各RF天線元件之正確角度。
在一些實施例中，膠帶330上之晶粒可與拾取各晶粒之旋轉放置臂321成一角度定向，如圖3中展示。在一些實施例中，晶粒可與放置臂321平行或垂直定向。在一些實施例中，用於晶粒之接合墊在RF天線元件之膜片上之定向(用於接合晶粒)判定膠帶330上之晶粒之角度。應注意，在一些實施例中，晶粒可在一膠帶上，在其等之間具有某一空間，且膠帶繼而經安裝於一框架(例如，一圓形框架、一非圓形框架等)上。框架經安裝於一x-y載物台上，且作為設定之部分，存在將其上之各晶粒旋轉至一所要角度之一方式。在一些實施例中，框架經安裝至x-y載物台，使得晶粒之線匹配將晶粒呈遞給晶粒放置工具之拾取噴嘴之載物台之x-y軸，x-y載物台將繼而與固持天線孔徑之載物台之x-y軸對齊。在一些實施例中，使用技術來使用藉由修改框架以進行適應而完成之校正來進行校正以使機器之此等部分對齊。
在一些實施例中，沿著一環，RF天線元件之長軸相對於自RF天線元件之中心至孔徑中心繪製之一半徑成+45或-45之角度放置。圖4繪示一對RF天線元件之部分。參考圖4，RF天線元件401及RF天線元件402經展示為具有其等之膜片開口。一長軸410延伸通過RF元件401及402之膜片開口之長形部分。在一些實施例中，RF元件401及402之中心在孔徑400上之一RF元件環上。RF元件401及402相對於彼此成90度且相對於來自孔徑中心420 (例如，孔徑300之中心303)之半徑成45度。
在一些實施例中，晶粒放置需要晶粒之接合墊放置成匹配所展示之兩個定向。在一些其他實施例中，孔徑上之晶粒接合墊可相對於自孔徑中心通過膜片元件之中心之半徑成重複角度(諸如+45度或-45度)放置。在一些實施例中，針對相對於系統中之一環半徑以+45或-45交替之RF天線元件，在放置之前或期間旋轉晶粒定向以使旋轉板片301能夠適當地定位RF元件以進行晶粒放置。
在一些實施例中，當在一半導體上製造具有晶體定向之晶粒時，可能不存在以吾人期望之用於後續拾取及放置之定向列印晶粒之一選項。此外，若所使用之取放設備僅具有相對於天線孔徑片段邊緣成0度、90度放置之能力，則每RF元件之接合墊位置需要改變且片段視需要旋轉以放置晶粒。本文中揭示之技術以若干方式解決問題且在圖5A及圖5B (以及圖7)中描述。
為了以一種方式解決此情境，在一些實施例中，膠帶上之晶粒相對於晶粒放置工具之旋轉噴嘴成45度定向。圖5A繪示一些實施例，其中晶粒定向經設定以使一取放機(或其他晶粒放置工具)能夠藉由使用一取放機之旋轉放置臂之噴嘴將晶粒旋轉180度而拾取並放置個別晶粒。
參考圖5A，膠帶501包含數個晶粒且晶粒相對於半徑-即自膜片中心至晶粒待放置其上之天線孔徑之中心成45度定位於膠帶501上。膠帶501能夠經由膠帶501駐留於其上之一X-Y載物台分別使用Y範圍運動502及X範圍運動503在x及y方向上移動。取放噴嘴510使用X載物台運動502及Y載物台運動503自放置於噴嘴510下方之膠帶501拾取一晶粒且將晶粒旋轉180度(511)以將晶粒放置於膜片523上。在一些實施例中，晶粒相對於自孔徑中心至膜片孔522之半徑524成一45度角放置於孔徑520上之膜片開口524處。應注意，在一些實施例中，晶粒具有指向遠離圖5A中之孔徑中心之一薄膜電晶體(TFT)連接墊(其中TFT係一電晶體，該電晶體係一矩陣驅動器之部分且用於將一調諧電壓驅動至一天線元件上)。
在一些實施例中，此定向上之RF天線元件之晶粒被放置於環上。在一些實施例中，當完成此定向所需之晶粒之放置時，將膠帶旋轉90度，且將-45度定向上之RF天線元件所需之晶粒放置於環上。圖5B繪示-45度定向上之RF天線元件所需之晶粒之放置。
參考圖5B，膠帶501上之另一組晶粒被放置至各具有一膜片之其他RF天線元件上。在此情況中，膠帶上之晶粒相對於圖5A中之晶粒被旋轉90度且各晶粒待被放置於一膜片開口(諸如具有一膜片孔542之膜片開口541)上。晶粒543在使用取放噴嘴510旋轉180度531之後被放置於膜片開口541上。應注意，在一些實施例中，晶粒具有遠離圖5B中之孔徑中心指向之一薄膜電晶體(TFT)調諧電壓接合墊(其中TFT係一電晶體，其係一矩陣驅動器之部分且用於將一調諧電壓驅動至一天線元件上)。
應注意，晶粒呈現為與圖5A及圖5B中之相同類型。然而，在一些實施例中，此等膠帶上之晶粒可為對應於係孔徑之部分之RF天線元件之類型(例如，孔徑之環上之RF天線元件之不同類型等)之多種類型。例如，晶粒可含有不同組件(例如，具有不同電氣特性之組件)，其中RF天線元件係不同大小(例如，不同大小之接收及傳輸RF天線元件、不同大小之孔徑上之多個傳輸RF天線元件、不同大小之孔徑上之多個接收RF天線元件等)。
應注意，在圖5A及圖5B之情況中，具有變容二極體元件之晶粒與天線元件之短軸對齊。然而，查看圖5A及圖5B，旋轉膠帶以填入圖5B之情況，此意謂晶粒放置裝置需要干預以引起此旋轉。
若膠帶上之晶粒相對於一晶粒放置工具之迴轉放置臂保持為0度或90度，則存在數個放置選項。圖6繪示其中將膠帶上之晶粒相對於晶粒放置工具(例如，圖3之晶粒放置工具320、一取放機等)之迴轉放置臂保持為0或90度之晶粒放置裝置之一些實施例。參考圖6，膠帶630在允許膠帶630在Y方向602及X方向603上之運動之X-Y載物台上。晶粒之區塊相對於來自圖5A及圖5B之晶粒成45度角。在此情況中，RF天線元件內之晶粒接合墊放置定向不相同。在圖7A及圖7B中展示實例，圖7A及圖7B繪示使用上文描述之RF元件之一鏡像，其中RF天線元件內之墊放置定向不相同。在圖7A及圖7B之情況中，膠帶將成0度、90度之晶粒呈遞給晶粒放置工具之一旋轉臂且-45及+45 RF元件之接合墊係不同的，即，相對於RF元件短軸旋轉45或-45以補償成0度、90度之晶粒。
參考圖7A，膠帶730之晶粒呈列及行且膠帶可由一X-Y載物台(膠帶730駐留於其上)移動以具有Y載物台運動702或X方向上之X載物台運動703。在取放機之一旋轉臂之端上之取放噴嘴712拾取膠帶730上之晶粒之一者，將其旋轉180度731，且將晶粒723放置於具有相對於晶粒723成一45度角之接合墊之膜片開口721上。在此情況中，晶粒723相對於來自天線之半徑724與其在膠帶上之定向對準但旋轉180度。
為了晶粒放置目的，在圖7A及圖7B中，藉由接合墊之旋轉而非如圖3、圖5A及圖5B中完成之膠帶上之晶粒之旋轉來補償RF元件之軸之角度。此導致+45及-45 RF元件兩者之相同接合墊型樣。若兩個元件跨來自孔徑之半徑成鏡像，則接合型樣相同，此意謂放置可發生而無需如在圖5A及圖5B中完成般旋轉膠帶以將晶粒定向+45度或-45度。例如，參考圖7B，膠帶730之晶粒呈列及行且膠帶可由一X-Y載物台(膠帶730駐留於其上)移動以具有Y載物台運動702或X方向上之X載物台運動703以將一晶粒放置於取放機之取放噴嘴712下方。在取放機之一旋轉臂之端上之取放噴嘴712拾取膠帶730上之晶粒之一者，將其旋轉180度731，且將晶粒743放置於具有相對於晶粒743成一45度角之接合墊之膜片開口741上。在此情況中，晶粒743相對於來自天線之半徑744與其在膠帶上之定向對準但旋轉180度。
在一些實施例中，當孔徑或孔徑片段之一電路自孔徑之中心向外佈線至天線孔徑之RF元件時，使用本文中揭示之技術。為了佈線一孔徑或孔徑片段之電路，存在能夠製造自RF天線元件之任一端至TFT (例如，上文描述之TFT)之連接之一優點。在一些實施例中，針對晶粒之旋轉，為了容許來自TFT之電連接自任一端進入RF天線元件，可在晶圓上處理並翻轉晶粒，使得取放機(或其他晶粒放置工具)可在放置期間翻轉孔徑中之晶粒連接，同時保持晶粒(例如，用於基於變容二極體之天線元件之變容二極體等)及MIM沿著較佳晶軸之放置。
圖8繪示如由圖8中之鄰近行中之晶粒展示之在z方向上旋轉180度之晶粒定向係不同的。參考圖8，針對跨與較佳晶軸801對準之Y方向行進之各行翻轉晶粒800之晶粒定向802。
為了佈線目的，存在使至資料墊之佈線自RF元件之任一側(例如，自前一環之側，或自後一環之側)進入之一優點。代替藉由手動地旋轉天線孔徑片段完成此，吾人可如圖8中展示般翻轉晶粒定向，藉此容許資料線之佈線自環之任一側進入。在此一情況中，藉由知道佈局容許自正確定向放置晶粒。
又，圖8展示兩種類型之變容二極體(兩種灰度之變容二極體)。用於不同種類之RF元件之此等不同變容二極體類型可使用相同處理在同一晶圓上製造。因此，在一些實施例中，若將晶粒放置於孔徑片段之一孔徑之環上，且沿著圖8中之一列繼續進行，則可(按照下文論述之圖10A及圖10B)放置一種類型之RF元件之兩個RF元件定向(+45,-45)，其具有兩個佈線組態(諸如圖5B及圖9)且膠帶以90度定向(按照圖7A及圖7B)以容許旋轉(圖10A及圖10B)。又，多種類型之RF元件(例如，圖8之不同灰度之變容二極體)。此將容許一種膠帶類型，其可由一種晶圓類型製成，其中晶粒可全部以正確順序配置以符合天線孔徑(或天線片段)上之RF元件之型樣。以此方式，減少且潛在地最小化晶粒放置工具之設定及機器移動。在此方法中，使用匹配此方案之RF元件佈局設計孔徑/孔徑片段。
在一些實施例中，各晶粒之接觸墊(例如，TFT接觸墊)指向孔徑中心。圖9繪示用於放置一晶粒之一放置方法，其中期望一TFT連接經定向朝向孔徑中心。此圖解展示晶粒之一放置方法，其中期望TFT連接經定向朝向孔徑中心。在一些實施例中，此可藉由使具有正確晶體定向之晶粒以0度及180度兩者佈置於膠帶上而達成。在一些實施例中，此藉由按適當順序將具有兩個定向之晶粒佈置於晶圓上或藉由分類且放置於膠帶上而達成。
參考圖9，膠帶901包含多個晶粒且可經由一X-Y載物台(膠帶901駐留於其上)依據X載物台運動903及Y載物台運動902移動。一取放機之旋轉臂具有一取放噴嘴910，該取放噴嘴910拾取使用X-Y載物台定位於噴嘴910下方之晶粒之一者，將晶粒旋轉180度931，且將其放置於膜片開口941上，使得經展示為在膜片開口941上之晶粒943呈現為一體的。在一些實施例中，晶粒943被放置於膜片開口941上方且相對於孔徑中心之半徑944成一45度角。 晶圓及膠帶準備
在一些實施例中，為了最大化速度，將各載物台(膠帶、迴轉壓板)之移動保持為儘可能小。在一些實施例中，由於各定向上之孔徑片段要求上之晶粒類型及定向係已知的，故以一最佳化順序將具有各晶粒類型及所要定向之膠帶放置於膠帶上。作為一進一步步驟，在晶圓上最佳化晶粒類型及定向之順序以實現膠帶或捲軸上之順序之準備。此最佳化可以若干方式完成。
在一些實施例中，晶圓係使用具有全部相同定向(在放置期間旋轉至適當定向)之晶粒類型準備。對此等進行分類以製造膠帶上之最佳化順序。在一些實施例中，準備晶圓及膠帶，其中存在全部晶粒類型及所需定向且晶粒放置機器對其等進行分類。在一些實施例中，晶圓及晶粒膠帶係使用全部晶粒類型及定向準備，但其等按定向預分類以準備膠帶。在一些實施例中，準備膠帶以使膠帶能夠被旋轉以用於各定向之放置。在一些實施例中，準備晶圓以使晶粒能夠針對孔徑/孔徑片段環按(晶粒類型、定向)之放置順序放置於膠帶上。
在一些實施例中，晶粒類型/定向之數目針對一孔徑/孔徑片段幾乎相等，且準備晶圓及對應膠帶，其中各晶粒類型/定向以一重複區塊順序存在，使得針對各所需晶粒，存在一小載物台移動以將適當晶粒呈遞給取放噴嘴。
在一些實施例中，執行晶粒放置，使得接合墊之膜片元件以兩個不同旋轉之間之一鏡像組態成45度定向。若晶粒放置可藉由以一鏡像組態成+45度定向之具有接合墊之膜片元件完成，則可忽略將晶粒翻轉+45度或旋轉膠帶以進行放置之需要。圖10A及圖10B繪示此一配置。參考圖10A及圖10B，在晶粒放置工具之一旋轉臂之端處之取放噴嘴1012經定位以拾取一膠帶上之一晶粒，旋轉180度1031且將其放置於膜片開口1021或1022上，諸如晶粒1023及1025分別以相同方式定向，即使膜片開口1021或1022分別相對於彼此成90度定向。
在一些實施例中，此刻，針對其中TFT連接指向遠離孔徑中心之區域，對於遍及孔徑之RF天線元件之各環，一環上之天線元件之型樣重複，諸如Tx (傳輸)、Rx (接收)、Tx、Rx等。在其中TFT連接指向孔徑中心之區域中，Tx、Rx之定向可在晶圓上旋轉180度。若僅一孔徑片段放置於一壓板上(相對於整個孔徑)，則環可以一Tx元件開始且在一環之端處，最後元件將為一Rx元件(逆時針方向進行，如在片段圖中)。為了輔助放置，使環間距遞增，且執行一反向旋轉，且潛在地放置將以Rx、Tx、Rx、Tx等進行至天線元件之環之端。相比之下，若將一孔徑或形成一完整孔徑之全部孔徑片段(例如，四個四分之一片段)放置於一壓板上，則天線元件之一環(逆時針方向進行)可以一Tx元件開始且以一Rx元件結束，以一環節距遞增且繼續放置而無需反轉型樣。
應注意，可使用一偏軸晶粒放置機器執行達成晶粒定向之+45度之一翻轉之替代機制。在一些實施例中，針對一些晶粒放置機器實施例，藉由將RF元件在迴轉壓板上旋轉至相對於膠帶上之晶粒(其相對於噴嘴成90度)之適當45度角(膠帶上之晶粒未旋轉)，且接著藉由放置於以一45度角呈遞之一RF元件上(晶粒放置機器上之旋轉臂之中心及迴轉壓板之中心並非始終共線)而達成+45及-45度角。
在一些實施例中，壓板相對於旋轉臂中心以一45度線性地移動，因此迴轉壓板將一90度定向晶粒呈遞給RF元件之接合墊。在一些實施例中，每一RF元件之接合墊型樣非常接近相同。此可減少RF元件之間之效能變動。在一些實施例中，可存在自圍繞一壓板之各側工作之多個取放機。
在一些實施例中，一次放置多個晶粒。在一些實施例中，一次放置兩個晶粒。此一晶粒放置配置可利用重複兩個元件+45度至-45度翻轉以一次放置兩個晶粒。
在一些實施例中，天線具有係跨天線孔徑之相同型樣之部分之RF元件。然而，當一孔徑包括多個孔徑片段(例如，經結合以形成一單一天線孔徑之四個天線孔徑片段等)時，型樣可在天線片段之間之接縫處被破壞。惟其中孔徑片段相接且經結合之接縫元件(實際上相同型樣但其中元件缺失)除外，在環內存在另一型樣。在一些實施例中，此係一{Rx (+45), Tx (+45)}，{Rx (-45), Tx(-45)}晶粒定向型樣。然而，可使用其他型樣。為了利用此型樣，在一些實施例中，兩個噴嘴可與晶粒放置機器之旋轉臂成90度放置。在一些實施例中，型樣針對各環繼續，從而針對各環節距增量將一對RF天線元件添加至各象限。圖11繪示針對各環節距增量將兩個RF天線元件添加至各象限。
在一些實施例中，此等RF天線元件對之間之距離對於各環並非完全相同，且隨著環變得更大，距離略微增長。然而，RF天線元件之間之距離改變係小的，此在圖12中之片段放置表中之前8個元件及後10個元件中展示(各RF天線元件之座標用於計算圖12中之表中之RF天線元件之間之距離)。
在一些實施例中，自第一環至最後環之RF元件中之距離之平均差係約1.64微米。應注意，在一焊料回流類型之連接中，焊料之表面張力亦有助於在回流程序期間在一晶粒已被放置於孔徑上之後對準晶粒。
在一些實施例中，晶粒放置機器之各旋轉臂具有兩個噴嘴而非一個以拾取晶粒。在一些實施例中，噴嘴與各臂之長軸成直角定位且以類似定向之RF天線元件對之間之平均距離間隔。在一些實施例中，此兩個噴嘴使用具有垂直於晶粒放置機器之拾取臂之長軸定向之晶粒之一膠帶，一膠帶上之晶粒之晶粒類型依正確順序，且此等晶粒之自晶粒中心至晶粒中心之距離接***均晶粒節距(大致1595.1 um)。更具體言之，在變容二極體晶圓上之290 um之一晶粒節距下，在晶粒之間無空間之情況下，噴嘴中心至中心= (晶粒之總數*-1)。對於節距為290 um之5個晶粒，噴嘴自中心至中心將係1160 um。為了以大致1595 um間距將晶粒放置於兩個RF天線元件上，將使用用以分佈在晶粒之間之四個間隙上之一額外435 um，從而導致約109 um之間隙。
圖13繪示一次將兩個晶粒放置於一孔徑或孔徑片段之一些部分中。參考圖13，一膠帶1330係在一X-Y載物台上，該X-Y載物台能夠在Y載物台運動1302或X載物台運動1303中移動膠帶1330以將多個晶粒定位於在一晶粒放置工具1350之一旋轉臂之端處之兩個噴嘴下方。一晶粒放置工具1350之旋轉臂旋轉180度，其中晶粒被同時放置於天線孔徑上之兩個天線元件之兩個膜片開口上方。
在一些實施例中，在此配置中用於孔徑/孔徑片段之迴轉壓板旋轉至兩個經類似定向天線元件之間之一中點。
存在本文中描述之數個例示性實施例。
實例1係一種用於製造一天線孔徑之方法，其中該方法包括：將一天線孔徑之至少一個部分放置於可徑向迴轉之一壓板上，該天線孔徑之該至少一個部分具有複數個天線元件；使用一晶粒放置機器將複數個晶粒放置於該天線孔徑之該至少一個部分上，包含使用該機器徑向迴轉該壓板以相對於該機器定位該天線孔徑之該至少一個部分之該複數個天線元件之各天線元件以用於該複數個晶粒之各晶粒之放置，且將該複數個晶粒之該各晶粒放置於天線孔徑片段之至少一個部分上。
實例2係實例1之方法，其可視情況包含用於接合至該複數個晶粒之一者之該天線孔徑之該至少一個部分上之該複數個天線元件之各者之接合墊型樣跨該至少一個部分實質上相同。
實例3係實例1之方法，其可視情況包含藉由該機器自一位置拾取該複數個晶粒，且當在該位置處時，該複數個晶粒包含在不同定向上定向之晶粒群組且該複數個晶粒按一順序定位於該位置處以供該機器拾取，其中不同定向之一些晶粒按該順序彼此鄰近。
實例4係實例1之方法，其可視情況包含該位置包括一膠帶或匣。
實例5係實例3之方法，其可視情況包含該複數個晶粒包含在不同定向上定向之晶粒群組且該複數個晶粒按一順序以供該機器拾取，其中按該順序彼此鄰近之具有不同定向之一些晶粒具有相對於彼此旋轉180度之定向。
實例6係實例1之方法，其可視情況包含該複數個晶粒由該機器自一位置自複數個膠帶之一者拾取，該複數個膠帶之各膠帶在一不同時間定位於該位置處，其中該複數個膠帶之各者上之晶粒具有一相同定向但該等晶粒之定向在該複數個膠帶之間不同。
實例7係實例1之方法，其可視情況包含各晶粒包括用於該複數個天線元件之一者之一調諧元件。
實例8係實例7之方法，其可視情況包含該調諧元件包括一變容二極體。
實例9係實例7之方法，其可視情況包含該複數個天線元件具有複數種類型且各不同類型需要一不同變容二極體。
實例10係實例1之方法，其可視情況包含該複數個天線元件之天線元件經設計以具有經旋轉以補償RF元件旋轉之該接合墊型樣。
實例11係實例1之方法，其可視情況包含：將該天線孔徑放置於該壓板上，該天線孔徑具有對應於與該壓板之旋轉對應之該天線孔徑之一旋轉中心之一極對稱性，該天線孔徑具有繞該中心以經定義序列配置之RF天線元件之環；及藉由該機器將各晶粒自一笛卡爾定向平移至至少一個天線片段上之一極定向。
實例12係實例11之方法，其可視情況包含該天線孔徑包括複數個RF天線元件且RF天線元件之一子集具有相對於對應於該孔徑之該中心之一半徑成不同角度之一長軸。
實例13係實例12之方法，其可視情況包含各RF天線元件之接合墊垂直於該各RF天線元件之該長軸定向且需要以一補償角定向之一晶粒。
實例14係實例11之方法，其可視情況包含該RF天線元件相對於對應於該孔徑之該中心之一半徑成+45度或-45度定向。
實例15係實例1之方法，其可視情況包含該壓板包含用於放置該天線孔徑之該至少一個部分之一或多個對準標記。
實例16係實例1之方法，其可視情況包含該壓板經耦合至一平移載物台以移動該壓板以引起該天線孔徑上之複數個環上之RF輻射元件一次一個環地經呈遞給該機器。
實例17係實例16之方法，其可視情況包含該壓板控制一角度θ且該平移載物台控制環半徑以每次以一相同方式將各天線元件位置呈遞給該機器。
實例18係實例1之方法，其可視情況包含該天線孔徑之該至少一個部分上之接合墊經放置以匹配兩個天線元件定向之一者或相對於來自該孔徑中心通過該天線元件之一膜片之中心之一半徑成重複角度放置。實例19係實例1之方法，其可視情況包含膠帶上之晶粒相對於處於一拾取位置中之該機器之迴轉臂保持為0及90度。
實例20係實例1之方法，其可視情況包含用於該複數個晶粒之該等接合墊相對於來自該孔徑中心之一半徑定向。
實例21係實例1之方法，其可視情況包含旋轉該天線孔徑中用於該複數個晶粒之接合墊，同時保持各晶粒沿著一晶軸之放置。
實例22係實例1之方法，其可視情況包含該孔徑片段上之晶粒類型及定向係已知的，且該方法進一步包括在該位置處之一膠帶上按適當順序設定各晶粒類型及所要定向。
實例23係實例1之方法，其可視情況包含該孔徑片段上之晶粒類型及定向係已知的，且該方法進一步包括在一晶圓上按適當順序設定各晶粒類型及所要定向，及自該晶圓產生一膠帶，包含在該膠帶上按適當順序以各晶粒類型及所要定向將該複數個晶粒轉移至該膠帶。
實例24係實例1之方法，其可視情況包含使用一偏軸晶粒放置機器旋轉一晶粒定向。
實例25係實例1之方法，其可視情況包含該複數個晶粒係來自一單一晶圓之不同晶粒。
實例26係實例1之方法，其可視情況包含該RF天線元件以相對於對應於該孔徑之該中心之一半徑自+45度或-45度略微偏移之一方式定向。
實例27係一種用於製造一天線孔徑之裝置，其中該裝置包括：一徑向可迴轉壓板，其用於固持放置具有複數個天線元件之一天線孔徑之至少一個部分；一晶粒放置工具，其用於藉由以下將複數個晶粒放置於該天線孔徑之該至少一個部分上：使用該晶粒放置工具之一旋轉臂之一噴嘴自一位置獲得該複數個晶粒之各晶粒，且在徑向迴轉該壓板以迴轉該天線孔徑之該至少一部分之後將該各晶粒放置於該複數個天線元件之一個天線元件上以將該各天線元件定位於固持該各晶粒之該晶粒放置工具之該噴嘴中之該晶粒下方。
實例28係實例27之裝置，其可視情況包含其中用於接合至該複數個晶粒之一者之該天線孔徑之該至少一個部分上之該複數個天線元件之各者之一接合墊型樣跨該至少一個部分實質上相同。
實例29係實例27之裝置，其可視情況包含該複數個晶粒由晶粒放置工具自該位置拾取且放置而無需旋轉該複數個晶粒之各者，且當在該位置處時，該複數個晶粒包含在不同定向上定向之晶粒群組且該複數個晶粒按一順序定位於該位置處以供該晶粒放置工具拾取，其中不同定向之一些晶粒按該順序彼此鄰近。
本文中所描述之方法及任務可由一電腦系統執行及完全自動化。在一些情況中，電腦系統可包含經由一網路通信及交互操作以執行所描述功能之多個相異電腦或運算器件(例如，實體伺服器、工作站、儲存陣列、雲端運算資源等)。各此運算器件通常包含執行儲存於一記憶體或其他非暫時性電腦可讀儲存媒體或器件(例如，固態儲存器件、磁碟機等)中之程式指令或模組的一處理器(或多個處理器)。本文中所揭示之各種功能可體現在此等程式指令中，或可實施於電腦系統之特定應用電路系統(例如，ASIC或FPGA)中。在電腦系統包含多個運算器件之情況下，此等器件可(但不必)共置。可藉由將實體儲存器件(諸如固態記憶體晶片或磁碟)變換為一不同狀態而持續儲存所揭示方法及任務之結果。在一些實施例中，電腦系統可為其處理資源由多個相異商業實體或其他使用者共用之一基於雲端之運算系統。
取決於實施例，本文中所描述之任何程序或演算法之特定動作、事件或功能可按一不同序列執行，可被添加、合併或完全排除(例如，並非全部所描述操作或事件對於演算法之實踐係必要的)。此外，在某些實施例中，可例如透過多執行緒處理、中斷處理或多個處理器或處理器核心或在其他平行架構上同時地而非循序地執行操作或事件。
結合本文中所揭示之實施例描述之各種闡釋性邏輯區塊、模組、常式及演算法步驟可實施為電子硬體(例如，ASIC或FPGA器件)、在電腦硬體上運行之電腦軟體或兩者之組合。此外，結合本文中所揭示之實施例描述之各種闡釋性邏輯區塊及模組可由一機器(諸如一處理器器件、一數位信號處理器(DSP)、一特定應用積體電路(ASIC)、一場可程式化閘陣列(FPGA)或其他可程式化邏輯器件、離散閘或電晶體邏輯、離散硬體組件或經設計以執行本文中所描述之功能之其等之任何組合)實施或執行。一處理器器件可為一微處理器，但在替代例中，處理器器件可為一控制器、微控制器或狀態機，其等之組合或類似者。一處理器器件可包含經組態以處理電腦可執行指令之電路系統。在另一實施例中，一處理器器件包含在未處理電腦可執行指令之情況下執行邏輯運算之一FPGA或其他可程式化器件。一處理器器件亦可實施為運算器件之一組合，例如，一DSP及一微處理器之一組合、複數個微處理器、一或多個微處理器結合一DSP核心或任何其他此組態。雖然本文中主要關於數位技術進行描述，但一處理器器件亦可包含主要類比組件。例如，本文中所描述之一些或全部呈現技術可實施於類比電路系統或混合類比及數位電路系統中。一運算環境可包含任何類型之電腦系統，包含但不限於基於一微處理器之一電腦系統、一主機電腦、一數位信號處理器、一可攜式運算器件、一器件控制器或一設備內之一運算引擎等等。
結合本文中所揭示之實施例描述之一方法、程序、常式或演算法之元件可直接體現於硬體、由一處理器器件執行之一軟體模組或兩者之一組合中。一軟體模組可駐留在RAM記憶體、快閃記憶體、ROM記憶體、EPROM記憶體、EEPROM記憶體、暫存器、硬碟、一可抽換式磁碟、一CD-ROM或任何其他形式之一非暫時性電腦可讀儲存媒體中。一例示性儲存媒體可耦合至處理器器件，使得處理器器件可自儲存媒體讀取資訊且將資訊寫入至儲存媒體。在替代例中，儲存媒體可與處理器器件成一體。處理器器件及儲存媒體可駐留在一ASIC中。ASIC可駐留在一使用者終端機中。在替代例中，處理器器件及儲存媒體可作為離散組件駐留在一使用者終端機中。
除非另有明確陳述或以其他方式在如所使用之背景內容內理解，否則本文中所使用之條件用語，諸如尤其「能夠」、「可以」、「可能」、「可」、「例如」及類似者大體上旨在傳達特定實施例包含而其他實施例不包含特定特徵、元件或步驟。因此，此條件用語一般不旨在暗示特徵、元件或步驟以任何方式為一或多項實施例所需，或一或多項實施例必然包含用於在具有或不具有其他輸入或提示之情況下決定任何特定實施例中是否包含或待執行此等特徵、元件或步驟的邏輯。術語「包括」、「包含」、「具有」及類似者係同義的且以一開放式方式包含性地使用，且不排除額外元件、特徵、動作、操作等。再者，術語「或」以其包含性意義(且非以其排他性意義)使用，使得當用於例如連接一元件清單時，術語「或」意謂清單中之元件之一者、一些或全部。
除非另有明確陳述，否則諸如片語「X、Y或Z之至少一者」之轉折用語在如一般用於呈現一項目、術語等可為X、Y或Z或其等之任何組合(例如，X、Y或Z)之內容背景下理解。因此，此轉折用語一般不旨在且不應暗示特定實施例需要X之至少一者、Y之至少一者及Z之至少一者各自存在。
雖然上文詳細描述已展示、描述且指出如適用於各項實施例之新穎特徵，但可理解，可作出所繪示之器件或演算法之形式及細節之各種省略、取代及改變而不脫離本發明之精神。如可認知，本文中所描述之特定實施例可在並未提供本文中所闡述之所有特徵及優點之一形式內體現，此係因為一些特徵可與其他特徵分開地使用或實踐。本文中所揭示之特定實施例之範疇係由隨附發明申請專利範圍而非由前述描述指示。在發明申請專利範圍之等效含義及範圍內之全部改變應被涵蓋在其等之範疇內。
100:天線 101:天線罩 102:核心天線 103:天線支撐板 104:天線控制單元(ACU) 105:電力供應單元 106:端子外殼平台 107:comm (通信)模組 108:射頻(RF)鏈 200:載具 201:天線 220:衛星 221:衛星 230:蜂巢式網路 300:天線孔徑 301:壓板 302:孔徑旋轉 303:孔徑中心 310:平移線性載物台 320:晶粒放置工具 321:旋轉放置臂 322:放置臂旋轉箭頭 330:膠帶 400:孔徑 401:射頻(RF)天線元件 402:射頻(RF)天線元件 410:長軸 420:孔徑中心 501:膠帶 502:Y範圍運動 503:X範圍運動 510:取放噴嘴 511:旋轉180度 520:孔徑 523:膜片 524:半徑 531:旋轉180度 541:膜片開口 543:晶粒 602:Y方向 603:X方向 630:膠帶 702:Y載物台運動 703:X載物台運動 712:取放噴嘴 721:膜片開口 723:晶粒 724:半徑 730:膠帶 731:旋轉180度 741:膜片開口 743:晶粒 744:半徑 800:晶粒 801:晶軸 802:晶粒定向 901:膠帶 902:Y載物台運動 903:X載物台運動 910:取放噴嘴 931:旋轉180度 941:膜片開口 943:晶粒 1012:取放噴嘴 1021:膜片開口 1022:膜片開口 1023:晶粒 1025:晶粒 1031:旋轉180度 1302:Y載物台運動 1303:X載物台運動 1330:膠帶 1350:晶粒放置工具
藉由參考結合隨附圖式進行之以下描述，可最佳理解所描述實施例及其等之優點。此等圖式絕不限制可由熟習此項技術者對所描述實施例作出之形式及細節上之任何改變而不脫離所描述實施例之精神及範疇。
圖1繪示一平板天線之一些實施例之一分解視圖。
圖2繪示包含本文中描述之一或多個天線之一通信系統之一實例。
圖3繪示用於將晶粒放置於一孔徑上之晶粒放置配置。
圖4繪示一對RF天線元件之部分。
圖5A繪示一些實施例，其中呈+45度定向之RF天線元件所需之晶粒定向經設定以使一取放機能夠藉由使用一取放機之旋轉放置臂之噴嘴將晶粒旋轉180度而拾取並放置個別晶粒。
圖5B繪示呈-45度定向之RF天線元件所需之晶粒之放置。
圖6繪示其中將膠帶上之晶粒相對於晶粒放置工具之迴轉放置臂保持為0或90度之晶粒放置裝置之一些實施例。
圖7A及圖7B繪示RF元件之鏡像係其等之相關聯接合墊。
圖8繪示在一逐行基礎上旋轉180度之晶粒定向。
圖9繪示用於放置一晶粒之一放置方法，其中期望一TFT連接經定向朝向孔徑中心。
圖10A及圖10B繪示經執行使得接合墊之膜片元件以兩個不同旋轉之間之一鏡像組態成45度定向之晶粒放置。
圖11繪示針對各環節距增量將兩個RF天線元件添加至各象限。
圖12係一片段放置表之一實例。
圖13繪示一次將兩個晶粒放置於一孔徑或孔徑片段之一些部分中。
300:天線孔徑
301:壓板
302:孔徑旋轉
303:孔徑中心
310:平移線性載物台
320:晶粒放置工具
321:旋轉放置臂
322:放置臂旋轉箭頭
330:膠帶

Claims (29)

  1. 一種用於製造一天線孔徑之方法，該方法包括： 將一天線孔徑之至少一個部分放置於可徑向迴轉之一壓板上，該天線孔徑之該至少一個部分具有複數個天線元件； 使用一晶粒放置機器將複數個晶粒放置於該天線孔徑之該至少一個部分上，包含 使用該機器徑向迴轉該壓板以相對於該機器定位該天線孔徑之該至少一個部分之該複數個天線元件之各天線元件以用於該複數個晶粒之各晶粒之放置，且 將該複數個晶粒之該各晶粒放置於天線孔徑片段之至少一個部分上。
  2. 如請求項1之方法，其中用於接合至該複數個晶粒之一者之該天線孔徑之該至少一個部分上之該複數個天線元件之各者之接合墊型樣跨該至少一個部分實質上相同。
  3. 如請求項1之方法，其中藉由該機器自一位置拾取該複數個晶粒，且當在該位置處時，該複數個晶粒包含在不同定向上定向之晶粒群組且該複數個晶粒按一順序定位於該位置處以供該機器拾取，其中不同定向之一些晶粒按該順序彼此鄰近。
  4. 如請求項3之方法，其中該位置包括一膠帶或匣。
  5. 如請求項1之方法，其中該複數個晶粒包含在不同定向上定向之晶粒群組且該複數個晶粒按一順序以供該機器拾取，其中按該順序彼此鄰近之具有不同定向之一些晶粒具有相對於彼此旋轉180度之定向。
  6. 如請求項1之方法，其中該複數個晶粒由該機器自一位置自複數個膠帶之一者拾取，該複數個膠帶之各膠帶在一不同時間定位於該位置處，其中該複數個膠帶之各者上之晶粒具有一相同定向但該等晶粒之定向在該複數個膠帶之間不同。
  7. 如請求項1之方法，其中各晶粒包括用於該複數個天線元件之一者之一調諧元件。
  8. 如請求項7之方法，其中該調諧元件包括一變容二極體。
  9. 如請求項8之方法，其中該複數個天線元件具有複數種類型且各不同類型需要一不同變容二極體。
  10. 如請求項1之方法，其中該複數個天線元件之天線元件經設計以具有經旋轉以補償RF元件旋轉之該接合墊型樣。
  11. 如請求項1之方法，其進一步包括： 將該天線孔徑放置於該壓板上，該天線孔徑具有對應於與該壓板之旋轉對應之該天線孔徑之一旋轉中心之一極對稱性，該天線孔徑具有繞該中心以經定義序列配置之RF天線元件之環；及 藉由該機器將各晶粒自一笛卡爾定向平移至至少一個天線片段上之一極定向。
  12. 如請求項11之方法，其中該天線孔徑包括複數個RF天線元件且RF天線元件之一子集具有相對於對應於該孔徑之該中心之一半徑成不同角度之一長軸。
  13. 如請求項12之方法，其中各RF天線元件之接合墊垂直於該各RF天線元件之該長軸定向且需要以一補償角定向之一晶粒。
  14. 如請求項11之方法，其中該RF天線元件相對於對應於該孔徑之該中心之一半徑成+45度或-45度定向。
  15. 如請求項1之方法，其中該壓板包含用於放置該天線孔徑之該至少一個部分之一或多個對準標記。
  16. 如請求項1之方法，其中該壓板經耦合至一平移載物台以移動該壓板以引起該天線孔徑上之複數個環上之RF輻射元件一次一個環地經呈遞給該晶粒放置機器。
  17. 如請求項16之方法，其中該壓板控制一角度θ且該平移載物台控制環半徑以每次以一相同方式將各天線元件位置呈遞給該晶粒放置機器。
  18. 如請求項1之方法，其中該天線孔徑之該至少一個部分上之接合墊經放置以匹配兩個天線元件定向之一者或相對於來自該孔徑中心通過該天線元件之一膜片之中心之一半徑成重複角度放置。
  19. 如請求項1之方法，其中膠帶上之晶粒相對於處於一拾取位置中之該晶粒放置機器之迴轉臂保持為0及90度。
  20. 如請求項1之方法，其中用於該複數個晶粒之該等接合墊相對於來自該孔徑中心之一半徑定向。
  21. 如請求項1之方法，其中旋轉該天線孔徑中用於該複數個晶粒之接合墊，同時保持各晶粒沿著一晶軸之放置。
  22. 如請求項1之方法，其中該孔徑片段上之晶粒類型及定向係已知的，且該方法進一步包括在該位置處之一膠帶上按適當順序設定各晶粒類型及所要定向。
  23. 如請求項1之方法，其中該孔徑片段上之晶粒類型及定向係已知的，且該方法進一步包括： 在一晶圓上按適當順序設定各晶粒類型及所要定向，及 自該晶圓產生一膠帶，包含在該膠帶上按適當順序以各晶粒類型及所要定向將該複數個晶粒轉移至該膠帶。
  24. 如請求項1之方法，其進一步包括使用一偏軸晶粒放置機器旋轉一晶粒定向。
  25. 如請求項1之方法，其中該複數個晶粒係來自一單一晶圓之不同晶粒。
  26. 如請求項11之方法，其中該RF天線元件以相對於對應於該孔徑之該中心之一半徑自+45度或-45度略微偏移之一方式定向。
  27. 一種用於製造一天線孔徑之裝置，該裝置包括： 一徑向可迴轉壓板，其用於固持放置具有複數個天線元件之一天線孔徑之至少一個部分； 一晶粒放置工具，其用於藉由以下將複數個晶粒放置於該天線孔徑之該至少一個部分上， 使用該晶粒放置工具之一旋轉臂之一噴嘴自一位置獲得該複數個晶粒之各晶粒，且 在徑向迴轉該壓板以迴轉該天線孔徑之該至少一個部分之後將該各晶粒放置於該複數個天線元件之一個天線元件上以將該各天線元件定位於固持該各晶粒之該晶粒放置工具之該噴嘴中之該晶粒下方。
  28. 如請求項27之裝置，其中用於接合至該複數個晶粒之一者之該天線孔徑之該至少一個部分上之該複數個天線元件之各者之一接合墊型樣跨該至少一個部分實質上相同。
  29. 如請求項27之裝置，其中該複數個晶粒由晶粒放置工具自該位置拾取且放置而無需旋轉該複數個晶粒之各者，且當在該位置處時，該複數個晶粒包含在不同定向上定向之晶粒群組且該複數個晶粒按一順序定位於該位置處以供該晶粒放置工具拾取，其中不同定向之一些晶粒按該順序彼此鄰近。
TW112116765A 2022-05-06 2023-05-05 用於天線中變容二極體之晶粒放置及用於其之方法 TW202407847A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202263339315P 2022-05-06 2022-05-06
US63/339,315 2022-05-06
US18/142,840 US20230360935A1 (en) 2022-05-06 2023-05-03 Die placement for varactors in antennas and method for same
US18/142,840 2023-05-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202407847A true TW202407847A (zh) 2024-02-16

Family

ID=88647033

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112116765A TW202407847A (zh) 2022-05-06 2023-05-05 用於天線中變容二極體之晶粒放置及用於其之方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230360935A1 (zh)
TW (1) TW202407847A (zh)
WO (1) WO2023215486A1 (zh)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8120537B2 (en) * 2008-05-09 2012-02-21 Viasat, Inc. Inclined antenna systems and methods
US9905921B2 (en) * 2015-03-05 2018-02-27 Kymeta Corporation Antenna element placement for a cylindrical feed antenna
US10199254B2 (en) * 2015-05-12 2019-02-05 Nexperia B.V. Method and system for transferring semiconductor devices from a wafer to a carrier structure
US10763583B2 (en) * 2016-05-10 2020-09-01 Kymeta Corporation Method to assemble aperture segments of a cylindrical feed antenna
US11489266B2 (en) * 2019-08-15 2022-11-01 Kymeta Corporation Metasurface antennas manufactured with mass transfer technologies

Also Published As

Publication number Publication date
US20230360935A1 (en) 2023-11-09
WO2023215486A1 (en) 2023-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI793435B (zh) 以質量傳遞技術製備之超材料表面天線
US10535919B2 (en) Low-profile communication terminal and method of providing same
CN111613904B (zh) 圆柱形馈送天线的孔径分割
US20200350676A1 (en) Method to assemble aperture segments of a cylindrical feed antenna
CN107636896B (zh) 用于圆柱形馈送天线的天线元件布置
CN108682956B (zh) 具有交错子阵列的单封装相控阵模块
JP2019533925A (ja) 開口面アンテナ用のインピーダンス整合
CN111886755A (zh) 天线模块和通信设备
US11552405B1 (en) Lens structure
CN107919529A (zh) 天线器件
JP2024512974A (ja) デュアルビーム機能を備えたセンターフィード型とエッジフィード型のハイブリッドメタサーフェスアンテナ
TW202407847A (zh) 用於天線中變容二極體之晶粒放置及用於其之方法
US20240072454A1 (en) Shared aperture multi-band metasurface electronically scanned antenna (esa)
EP4379952A1 (en) Shared aperture multi-band metasurface electronically scanned antenna (esa)
US20230299479A1 (en) Controlling the far field radiation pattern of a metasurface antenna using convex optimization
US12040550B2 (en) Cell rotation and frequency compensation in diode designs
US20230238697A1 (en) Power planes for a radio frequency (rf) metamaterial antenna
TW202329540A (zh) 最小化可調元件中漏電流效應之驅動方法
TW202308226A (zh) 具有整合式可變電容器電路之超材料表面天線