TW202406869A - 玻璃、玻璃板及玻璃板之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種高頻區域內之介電損耗因數較低、耐化學品性及耐濕性優異之玻璃。本發明係一種玻璃，其中以氧化物基準之莫耳%表示，SiO
2為68%以上，Al
2O
3為0.1～8%，[SiO
2]＋[B
2O
3]為88%以上，[B
2O
3]－([RO]＋[R
2O]－[Al
2O
3])為27%以下，25℃、頻率10 GHz下之相對介電常數為4.5以下，25℃、頻率10 GHz下之介電損耗因數為0.005以下，ΔAbs-OH為4.0以下，且SrO為0.1～4%，MgO、CaO、SrO及BaO之合計含量(RO)為超過0～6%，Li
2O、Na
2O及K
2O之合計含量(R
2O)為0～1%，[Al
2O
3]－[RO]為-3～未達8%，[Al
2O
3]×[RO]為超過0～30，[MgO]＋[CaO]為0.1～5.9%，[MgO]/([MgO]＋[Al
2O
3])為0～0.45。
Description
本發明係關於一種適於高頻裝置用玻璃基板、面板型天線、窗玻璃、車輛用窗玻璃、及顯示器面板等之玻璃、玻璃板及其製造方法。
有行動電話、智慧型手機、攜帶型資訊終端、Wi-Fi機器等通信機器、表面聲波(SAW)裝置、雷達元件、天線元件等電子裝置。於此種電子裝置中，為了實現通信容量之大容量化或通信速度之高速化等，而推進信號頻率之高頻化。高頻用途之電子機器所用之電路基板通常使用樹脂基板、陶瓷基板、玻璃基板等絕緣基板。對於高頻裝置所用之絕緣基板，要求降低基於介電損耗或導體損耗等之傳輸損耗，以確保高頻信號之質量或強度等特性。
該等絕緣基板之中，樹脂基板由於其特性而剛性較低。因此，於半導體封裝製品需要剛性(強度)之情形時，樹脂基板難以適用。陶瓷基板難以提高表面之平滑性，由此具有由形成於基板表面之導體引起之導體損耗容易變大之缺點。另一方面，玻璃基板具有如下等特徵：由於剛性較高，故容易實現封裝體之小型化或薄型化等，表面平滑性亦優異，且基板本身容易大型化。
於專利文獻1中，揭示有一種頻率35 GHz下之介電損耗因數為0.007以下之高頻裝置用玻璃基板。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2018/051793號
[發明所欲解決之問題]
近年來，除了要求降低高頻區域內之介電損耗因數以外，對於上述用途之玻璃基板，還要求耐化學品性優異。於液晶天線、高頻裝置等之電路基板之製造步驟中，作為於玻璃基板上形成配線層之前處理，實施化學洗淨。若玻璃之耐化學品性較低，則有例如於酸洗淨時，基板表面溶解而基板表面之平滑性受損，由此使形成於基板表面之膜之密接性降低之虞。又，亦有溶出物附著於基板表面之虞。由此，有由形成於基板表面之導體引起之導體損耗變大之虞。
又，對於上述用途之玻璃基板，要求耐濕性優異。若耐濕性較低，則有保管中基板表面劣化而基板表面之平滑性受損之虞。又，藉由耐濕性優異，亦可耐受高濕下之使用。
本發明之目的在於提供一種高頻區域內之介電損耗因數較低、耐化學品性及耐濕性優異之玻璃。
[解決問題之技術手段]
本發明人等發現，藉由將玻璃設為特定組成範圍，於介電損耗降低之同時，耐化學品性及耐濕性提高，而能夠解決上述問題，從而完成本發明。
[1]一種玻璃，其中以氧化物基準之莫耳%表示，
SiO
2為68%以上，
Al
2O
3為0.1～8%，
[SiO
2]＋[B
2O
3]為88%以上，
[B
2O
3]－([RO]＋[R
2O]－[Al
2O
3])為27%以下，
25℃、頻率10 GHz下之相對介電常數為4.5以下，
25℃、頻率10 GHz下之介電損耗因數為0.005以下，
藉由下述方法算出之ΔAbs-OH為4.0以下，且
SrO為0.1～4%，
MgO、CaO、SrO及BaO之合計含量(RO)為超過0～6%，
Li
2O、Na
2O及K
2O之合計含量(R
2O)為0～1%，
[Al
2O
3]－[RO]為-3～未達8%，
[Al
2O
3]×[RO]為超過0～30，
[MgO]＋[CaO]為0.1～5.9%，
[MgO]/([MgO]＋[Al
2O
3])為0～0.45；
[]表示括弧內記載之成分之以氧化物基準之莫耳%表示之含量；
方法：將玻璃製成厚度0.45～0.75 mm之玻璃板，測定Abs-OH之後，將該玻璃板於溫度60℃、相對濕度95%下靜置；自靜置開始90小時後，測定該玻璃板之Abs-OH；算出自靜置後之Abs-OH減去靜置前之Abs-OH所得之值作為ΔAbs-OH。
[2]一種玻璃，其中以氧化物基準之莫耳%表示，
SiO
2為68%以上，
Al
2O
3為0.1～8%，
[SiO
2]＋[B
2O
3]為88%以上，
[B
2O
3]－([RO]＋[R
2O]－[Al
2O
3])為27%以下，
25℃、頻率10 GHz下之相對介電常數為4.5以下，
25℃、頻率10 GHz下之介電損耗因數為0.005以下，
藉由下述方法算出之ΔAbs-OH為4.0以下，且
CaO為0.1～6%，
MgO、CaO、SrO及BaO之合計含量(RO)為超過0～6%，
Li
2O、Na
2O及K
2O之合計含量(R
2O)為0～1%，
[Al
2O
3]－[RO]為-3～未達8%，
[Al
2O
3]×[RO]為超過0～28，
(([MgO]＋[CaO])－([SrO]＋[BaO]))/[Al
2O
3]為-3.0～0.60；
[]表示括弧內記載之成分之以氧化物基準之莫耳%表示之含量；
方法：將玻璃製成厚度0.45～0.75 mm之玻璃板，測定Abs-OH之後，將該玻璃板於溫度60℃、相對濕度95%下靜置；自靜置開始90小時後，測定該玻璃板之Abs-OH；算出自靜置後之Abs-OH減去靜置前之Abs-OH所得之值作為ΔAbs-OH。
[3]一種玻璃，其中以氧化物基準之莫耳%表示，
SiO
2為68%以上，
Al
2O
3為0.1～8%，
[SiO
2]＋[B
2O
3]為88%以上，
[B
2O
3]－([RO]＋[R
2O]－[Al
2O
3])為27%以下，
25℃、頻率10 GHz下之相對介電常數為4.5以下，
25℃、頻率10 GHz下之介電損耗因數為0.005以下，
藉由下述方法算出之ΔAbs-OH為4.0以下，且
Li
2O超過0%，
K
2O為超過0～0.8%，
MgO、CaO、SrO及BaO之合計含量(RO)為0～0.5%，
Li
2O、Na
2O及K
2O之合計含量(R
2O)為超過0～4%，
[Al
2O
3]×[R
2O]為超過0～1.40，
[Na
2O]/[R
2O]為0.30～0.99；
[]表示括弧內記載之成分之以氧化物基準之莫耳%表示之含量；
方法：將玻璃製成厚度0.45～0.75 mm之玻璃板，測定Abs-OH之後，將該玻璃板於溫度60℃、相對濕度95%下靜置；自靜置開始90小時後，測定該玻璃板之Abs-OH；算出自靜置後之Abs-OH減去靜置前之Abs-OH所得之值作為ΔAbs-OH。
[4]如[1]至[3]中任一項中記載之玻璃，其中藉由下述方法算出之耐酸性為0.05 mg/cm
2以下，耐鹼性為0.15 mg/cm
2以下。
耐酸性之評價方法：將玻璃製成一邊為31～36 mm之四邊形且厚度為0.45～0.75 mm之玻璃板，將玻璃試樣於酸水溶液(含有7.7質量%之HNO
3及6.5質量%之H
2SO
4之45℃之水溶液)中浸漬170秒鐘，算出每單位表面積之玻璃成分之溶出量(mg/cm
2)作為耐酸性。
耐鹼性之評價方法：將玻璃製成一邊為31～36 mm之四邊形且厚度為0.45～0.75 mm之玻璃板，將玻璃試樣於鹼水溶液(含有1.2質量%KOH之60℃之水溶液)中浸漬30分鐘，算出每單位表面積之玻璃成分之溶出量(mg/cm
2)作為耐鹼性。
[5]如[1]至[4]中任一項中記載之玻璃，其中以氧化物基準之莫耳%表示包含0.01%以上之Cl。
[6]如[1]至[5]中任一項中記載之玻璃，其中Abs-OH為0.1～10.0。
[7]如[1]至[6]中任一項中記載之玻璃，其於50～350℃下之平均熱膨脹係數為20×10
-7/K～50×10
-7/K。
[8]如[1]至[7]中任一項中記載之玻璃，其玻璃轉移溫度為750℃以下。
[9]一種玻璃板，其含有如[1]至[8]中任一項中記載之玻璃，具有主表面及端面，且厚度為0.75 mm以下。
[10]一種玻璃板之製造方法，其中藉由浮式法或熔融法製造如[1]至[8]中任一項中記載之玻璃。
[11]一種玻璃基板，其具備如[1]至[8]中任一項中記載之玻璃，並用於處理10 GHz以上之高頻信號之高頻裝置。
[12]一種玻璃基板，其包含如[1]至[8]中任一項中記載之玻璃，
於上述玻璃基板上形成有配線層。
[發明之效果]
本發明之玻璃於高頻區域內之介電損耗因數較低。因此，能夠降低高頻信號之介電損耗，適於高頻裝置用玻璃基板。根據使用此種玻璃基板之電路基板，能夠降低高頻信號之傳輸損耗，能夠提供實用性之電子裝置等高頻裝置。
本發明之玻璃之耐化學品性優異。因此，無於液晶天線、高頻裝置等之電路基板之製造步驟中對玻璃基板進行酸洗淨時，基板表面溶解而基板表面之平滑性變差，或溶出物附著於基板表面之虞。因此，能夠防止形成於基板表面之膜之密接性降低。又，能夠防止導體損耗變大。
本發明之玻璃能夠降低高頻之頻帶之電波之傳輸損耗。因此，亦適於收發高頻之頻帶之電波之玻璃製品。
本發明之玻璃之耐濕性優異。因此，能夠防止保管中之劣化。又，成為適於高溫高濕下之使用之玻璃。
以下，對本發明之實施方式進行說明。
本發明提供一種玻璃，其中
以氧化物基準之莫耳%表示，
SiO
2為68%以上，
Al
2O
3為0.1～8%，
[SiO
2]＋[B
2O
3]為88%以上，
[B
2O
3]－([RO]＋[R
2O]－[Al
2O
3])為27%以下，
25℃、頻率10 GHz下之相對介電常數為4.5以下，
25℃、頻率10 GHz下之介電損耗因數為0.005以下，
ΔAbs-OH為4.0以下，且
SrO為0.1～4%，
MgO、CaO、SrO及BaO之合計含量(RO)為超過0～6%，
Li
2O、Na
2O及K
2O之合計含量(R
2O)為0～1%，
[Al
2O
3]－[RO]為-3～未達8%，
[Al
2O
3]×[RO]為超過0～30，
[MgO]＋[CaO]為0.1～5.9%，
[MgO]/([MgO]＋[Al
2O
3])為0～0.45(以下，稱為「第1實施方式之玻璃」)。
又，本發明提供一種玻璃，其中
以氧化物基準之莫耳%表示，
SiO
2為68%以上，
Al
2O
3為0.1～8%，
[SiO
2]＋[B
2O
3]為88%以上，
[B
2O
3]－([RO]＋[R
2O]－[Al
2O
3])為27%以下，
25℃、頻率10 GHz下之相對介電常數為4.5以下，
25℃、頻率10 GHz下之介電損耗因數為0.005以下，
ΔAbs-OH為4.0以下，且
CaO為0.1～6%，
MgO、CaO、SrO及BaO之合計含量(RO)為超過0～6%，
Li
2O、Na
2O及K
2O之合計含量(R
2O)為0～1%，
[Al
2O
3]－[RO]為-3～未達8%，
[Al
2O
3]×[RO]為超過0～28，
(([MgO]＋[CaO])－([SrO]＋[BaO]))/[Al
2O
3]為-3.0～0.60(以下，稱為「第2實施方式之玻璃」)。
又，本發明提供一種玻璃，其中
以氧化物基準之莫耳%表示，
SiO
2為68%以上，
Al
2O
3為0.1～8%，
[SiO
2]＋[B
2O
3]為88%以上，
[B
2O
3]－([RO]＋[R
2O]－[Al
2O
3])為27%以下，
25℃、頻率10 GHz下之相對介電常數為4.5以下，
25℃、頻率10 GHz下之介電損耗因數為0.005以下，
ΔAbs-OH為4.0以下，且
Li
2O超過0%，
K
2O為超過0～0.8%，
MgO、CaO、SrO及BaO之合計含量(RO)為0～0.5%，
Li
2O、Na
2O及K
2O之合計含量(R
2O)為超過0～4%，
[Al
2O
3]×[R
2O]為超過0～1.40，
[Na
2O]/[R
2O]為0.30～0.99(以下，稱為「第3實施方式之玻璃」)。
於本說明書中，「本發明之玻璃」包含第1實施方式之玻璃、第2實施方式之玻璃、第3實施方式之玻璃。於第1～第3實施方式之玻璃中，各式中之[]表示括弧內記載之成分之以氧化物基準之莫耳%表示之含量。
再者，於以下之說明中，使用「～」表示之數值範圍表示分別包含「～」之前後記載之數值作為最小值及最大值之範圍。玻璃或玻璃板中之各成分之含有率若無特別說明，則表示氧化物基準之莫耳百分率(莫耳%)，亦簡單表示為「%」。
再者，本說明書中之「高頻」係頻率10 GHz以上，較佳為大於30 GHz，更佳為35 GHz以上。又，高頻係頻率3 THz以下，較佳為1 THz以下，更佳為300 GHz以下，進而較佳為100 GHz以下。
以下，作為本發明之玻璃(以下，有時簡稱為「玻璃」)之具體實施方式，對第1～3實施方式之玻璃進行說明。
[第1～3實施方式之玻璃所共通之構成]
第1～3實施方式之玻璃、即本發明之玻璃具有下述構成。
以氧化物基準之莫耳%表示，
SiO
2為68%以上，
Al
2O
3為0.1～8%，
[SiO
2]＋[B
2O
3]為88%以上，
[B
2O
3]－([RO]＋[R
2O]－[Al
2O
3])為27%以下，
25℃、頻率10 GHz下之相對介電常數為4.5以下，
25℃、頻率10 GHz下之介電損耗因數為0.005以下，
藉由下述方法算出之ΔAbs-OH為4.0以下。
方法：將玻璃製成厚度0.45～0.75 mm之玻璃板，測定Abs-OH之後，將該玻璃板於溫度60℃、相對濕度95%下靜置。自靜置開始90小時後，測定該玻璃板之Abs-OH。算出自靜置後之Abs-OH減去靜置前之Abs-OH所得之值作為ΔAbs-OH。
以下，對本發明之玻璃所共通之構成進行詳細說明。
SiO
2係網絡形成物質。本發明之玻璃含有68%以上之SiO
2。若SiO
2之含量為68%以上，則能夠降低高頻區域內之介電損耗因數，能夠使玻璃形成能或耐化學品性良好，且能夠抑制表面失透溫度上升。於本發明之玻璃中，SiO
2之含量較佳為68.3%以上，更佳為68.5%以上，進而較佳為68.8%以上，進而更佳為69.1%以上，特別較佳為69.4%以上，進一步較佳為69.7%以上，進一步更佳為70.0%以上，更進一步較佳為70.2%以上，進而進一步較佳為70.4%以上，再進一步較佳為70.5%以上，特別進一步較佳為70.7%以上，更加進一步較佳為70.9%以上。
又，於本發明之玻璃中，SiO
2之含量較佳為85%以下。若SiO
2之含量為85%以下，則能夠使玻璃之熔解性良好。SiO
2之含量更佳為84%以下，進而較佳為83%以下，進而更佳為82%以下，特別較佳為81%以下，進一步較佳為80%以下，進一步更佳為79.5%以下，更進一步較佳為79.0%以下，進而進一步較佳為78.5%以下，再進一步較佳為78.0%以下，特別進一步較佳為77.5%以下，更加進一步較佳為77.0%以下。
本發明之玻璃含有0.1～8%之Al
2O
3。Al
2O
3係有助於提高耐化學品性、提高楊氏模數、提高玻璃之相分離特性、降低熱膨脹係數等之成分。若Al
2O
3之含量為0.1%以上，則玻璃之耐化學品性及相分離特性提高。Al
2O
3之含量較佳為0.13%以上，更佳為0.16%以上，進而較佳為0.19%以上，進而更佳為0.22%以上，特別較佳為0.25%以上，進一步較佳為0.28%以上，進一步更佳為0.31%以上，更進一步較佳為0.34%以上，進而進一步較佳為0.37%以上，再進一步較佳為0.4%以上，特別進一步較佳為0.43%以上，更加進一步較佳為0.46%以上。
又，於本發明之玻璃中，若Al
2O
3含量為8%以下，則能夠降低高頻區域內之介電損耗因數。Al
2O
3之含量較佳為7.5%以下，更佳為7.0%以下，進而較佳為6.8%以下，進而更佳為6.6%以下，特別較佳為6.4%以下，進一步較佳為6.2%以下，進一步更佳為6.0%以下，更進一步較佳為5.8%以下，進而進一步較佳為5.6%以下，再進一步較佳為5.4%以下，特別進一步較佳為5.2%以下，更加進一步較佳為5%以下。
本發明之玻璃中，SiO
2及B
2O
3之合計含量([SiO
2]＋[B
2O
3])為88%以上。若[SiO
2]＋[B
2O
3]為88%以上，則介電特性提高。於本發明之玻璃中，[SiO
2]＋[B
2O
3]更佳為88.3%以上，進而較佳為88.6%以上，進而更佳為88.9%以上，進一步較佳為89.2%以上，進一步更佳為89.5%以上，更進一步較佳為89.8%以上，進而進一步較佳為90.1%以上，再進一步較佳為90.4%以上，特別進一步較佳為90.7%以上，更加進一步較佳為91%以上。
於本發明之玻璃中，[SiO
2]＋[B
2O
3]較佳為99%以下。於本發明之玻璃中，[SiO
2]＋[B
2O
3]更佳為98.8%以下，進而較佳為98.6%以下，進而更佳為98.4%以下，特別較佳為98.2%以下，進一步較佳為98.1%以下，進一步更佳為98%以下，更進一步較佳為97.9%以下，進而進一步較佳為97.8%以下，再進一步較佳為97.7%以下，特別進一步較佳為97.6%以下，更加進一步較佳為97.5%以下。
本發明之玻璃中，[B
2O
3]－([RO]＋[R
2O]－[Al
2O
3])為27%以下。[B
2O
3]－([RO]＋[R
2O]－[Al
2O
3])之值越小，則玻璃之耐濕性越高。因此，本發明之玻璃中，[B
2O
3]－([RO]＋[R
2O]－[Al
2O
3])為27%以下，較佳為26.8%以下，更佳為26.6%以下，進而較佳為26.4%以下，進而更佳為26.2%以下，進而較佳為26%以下，進一步較佳為25.8%以下，進一步更佳為25.6%以下，更進一步較佳為25.4%以下，進而進一步較佳為25.3%以下，再進一步較佳為25.2%以下，特別進一步較佳為25.1%以下，更加進一步較佳為25%以下。
本發明之玻璃中，基於介電特性之觀點而言，[B
2O
3]－([RO]＋[R
2O]－[Al
2O
3])較佳為15%以上。[B
2O
3]－([RO]＋[R
2O]－[Al
2O
3])更佳為16%以上，進而較佳為16.3%以上，進而更佳為16.6%以上，特別較佳為16.9%以上，進一步較佳為17.2%以上，進一步更佳為17.5%以上，更進一步較佳為17.8%以上，特別進一步較佳為18.1%以上，再進一步較佳為18.4%以上，特別進一步較佳為18.7%以上，更加進一步較佳為19%以上。
本發明之玻璃中，藉由下述方法算出之ΔAbs-OH為4.0以下。
若ΔAbs-OH為4.0以下，則玻璃顯示出優異之耐濕性。ΔAbs-OH較佳為3.5以下，更佳為3.0以下，進而較佳為2.5以下。ΔAbs-OH之下限並無特別限定，ΔAbs-OH例如較佳為0以上。
方法：將玻璃製成厚度0.45～0.75 mm之玻璃板，測定Abs-OH之後，將該玻璃板於溫度60℃、相對濕度95%下靜置。自靜置開始90小時後，測定該玻璃板之Abs-OH。算出自靜置後之Abs-OH減去靜置前之Abs-OH所得之值作為ΔAbs-OH。
藉由下述方法算出之Δ(Abs
β -OH－Abs
Base)係不易受到測定時之玻璃板厚之影響的耐濕性之指標。本發明之玻璃較佳為Δ(Abs
β -OH－Abs
Base)為0.2以下。
方法：將玻璃製成厚度0.45～0.75 mm之玻璃板，測定(Abs
β -OH－Abs
Base)之後，將該玻璃板於溫度60℃、相對濕度95%下靜置。自靜置開始90小時後，測定該玻璃板之(Abs
β -OH－Abs
Base)。算出自靜置後之(Abs
β -OH－Abs
Base)減去靜置前之(Abs
β -OH－Abs
Base)所得之值作為Δ(Abs
β -OH－Abs
Base)。
若Δ(Abs
β -OH－Abs
Base)為0.2以下，則玻璃顯示出優異之耐濕性。Δ(Abs
β -OH－Abs
Base)較佳為0.15以下，更佳為0.12以下，進而較佳為0.1以下，尤佳為0.05以下。Δ(Abs
β -OH－Abs
Base)之下限並無特別限定，Δ(Abs
β -OH－Abs
Base)例如較佳為0以上。
關於本發明之玻璃，20℃、10 GHz下之介電損耗因數為0.005以下。若20℃、頻率10 GHz下之介電損耗因數為0.005以下，則能夠降低如超過頻率10 GHz之高頻區域內之介電損耗。20℃、10 GHz下之介電損耗因數較佳為0.0045以下，更佳為0.0040以下，進而較佳為0.0035以下，進而更佳為0.0030以下，特別較佳為0.0025以下。下限並無特別限定，例如較佳為0.0001以上。
關於本發明之玻璃，20℃、頻率10 GHz下之相對介電常數為4.5以下。若頻率10 GHz下之相對介電常數為4.5以下，則能夠降低高頻區域內之介電損耗。20℃、頻率10 GHz下之相對介電常數較佳為4.45以下，更佳為4.40以下，進而較佳為4.35以下，進而更佳為4.30以下，特別較佳為4.25以下，進一步較佳為4.20以下，進一步更佳為4.15以下，更進一步較佳為4.10以下。下限並無特別限定，例如較佳為3以上。
本發明之玻璃藉由具有上述共通之構成，顯示出高頻區域內之低介電損耗因數及優異之耐化學品性及耐濕性。
[第1實施方式之玻璃]
第1實施方式之玻璃除了具有上述共通之構成以外，尤其基於進一步提高熔解性、耐化學品性、相分離特性及介電特性，抑制表面失透溫度上升等觀點而言，還具有下述構成。
以氧化物基準之莫耳%表示，
SrO為0.1～4%，
MgO、CaO、SrO及BaO之合計含量(RO)為超過0～6%，
Li
2O、Na
2O及K
2O之合計含量(R
2O)為0～1%，
[Al
2O
3]－[RO]為-3～未達8%，
[Al
2O
3]×[RO]為超過0～30，
[MgO]＋[CaO]為0.1～5.9%，
[MgO]/([MgO]＋[Al
2O
3])為0～0.45。
以下，對上述構成進行詳細說明。
SrO係提高玻璃之耐濕性、不提高表面失透溫度、提高熔解性之成分。第1實施方式之玻璃含有0.1～4%之SrO。關於第1實施方式之玻璃，若SrO之含量為0.1%以上，則提高耐濕性，不提高表面失透溫度，提高熔解性。
關於第1實施方式之玻璃，SrO之含量較佳為0.2%以上，更佳為0.3%以上，進而較佳為0.4%以上，進而更佳為0.5%以上，特別較佳為0.6%以上，進一步較佳為0.7%以上，進一步更佳為0.8%以上，更進一步較佳為0.9%以上，進而進一步較佳為1%以上，再進一步較佳為1.1%以上，特別進一步較佳為1.2%以上，更加進一步較佳為1.3%以上。
關於第1實施方式之玻璃，若SrO之含量為4%以下，則能夠抑制耐化學品性變差，進而亦能夠抑制平均熱膨脹係數過高而不使比重過大。關於第1實施方式之玻璃，SrO之含量較佳為3.8%以下，更佳為3.6%以下，進而較佳為3.4%以下，進而更佳為3.2%以下，特別較佳為3%以下，進一步較佳為2.8%以下，進一步更佳為2.6%以下，更進一步較佳為2.4%以下，進而進一步較佳為2.2%以下，再進一步較佳為2.0%以下，特別進一步較佳為1.8%以下，更加進一步較佳為1.6%以下。
MgO、CaO、SrO及BaO係抑制表面失透溫度上升、提高熔解性之成分。第1實施方式之玻璃中，MgO、CaO、SrO及BaO之合計含量(RO)為超過0～6%。關於第1實施方式之玻璃，藉由RO超過0%，抑制表面失透溫度上升，提高熔解性。關於第1實施方式之玻璃，RO較佳為0.1%以上，更佳為0.3%以上，進而較佳為0.5%以上，進一步較佳為0.7%以上，進一步更佳為0.9%以上，更進一步較佳為1.1%以上，進而進一步較佳為1.3%以上，再進一步較佳為1.5%以上，特別進一步較佳為1.7%以上，更加進一步較佳為1.9%以上。
關於第1實施方式之玻璃，若RO為6%以下，則介電特性及耐化學品性提高。關於第1實施方式之玻璃，RO較佳為5.8%以下，更佳為5.6%以下，進而較佳為5.4%以下，進而更佳為5.2%以下，特別較佳為5%以下，進一步較佳為4.8%以下，進一步更佳為4.6%以下，更進一步較佳為4.4%以下，進而進一步較佳為4.3%以下，再進一步較佳為4.2%以下，特別進一步較佳為4.1%以下，更加進一步較佳為4%以下。
Li
2O、Na
2O及K
2O係提高耐濕性、提高熔解性之成分。又，亦具有抑制表面失透溫度上升、提高平均熱膨脹係數之效果。第1實施方式之玻璃中，Li
2O、Na
2O及K
2O之合計含量(R
2O)為0～1%。關於第1實施方式之玻璃，藉由含有Li
2O、Na
2O及K
2O，能夠提高耐濕性，能夠提高熔解性。關於第1實施方式之玻璃，於含有Li
2O、Na
2O及K
2O之情形時，R
2O較佳為0.1%以上，更佳為0.2%以上，進而較佳為0.3%以上，進而更佳為0.4%以上，進一步更佳為0.5%以上。
關於第1實施方式之玻璃，藉由R
2O為1%以下，介電特性提高。關於第1實施方式之玻璃，R
2O較佳為0.9%以下，更佳為0.8%以下，進而較佳為0.7%以下，進而更佳為0.6%以下，特別較佳為0.5%以下。
關於第1實施方式之玻璃，[Al
2O
3]－[RO]為-3～未達8%。關於第1實施方式之玻璃，藉由[Al
2O
3]－[RO]為-3%以上，相分離特性提高。關於第1實施方式之玻璃，[Al
2O
3]－[RO]較佳為-2.8%以上，更佳為-2.6%以上，進而較佳為-2.4%以上，進而更佳為-2.2%以上，特別較佳為-2%以上，進一步較佳為-1.8%以上，進一步更佳為-1.6%以上，更進一步較佳為-1.4%以上，進而進一步較佳為-1.2%以上，再進一步較佳為-1%以上，特別進一步較佳為-0.8%以上，更加進一步較佳為-0.6%以上。
關於第1實施方式之玻璃，若[Al
2O
3]－[RO]未達8%，則熔解性提高，且能夠抑制表面失透溫度上升。關於第1實施方式之玻璃，[Al
2O
3]－[RO]較佳為7.5%以下，更佳為7%以下，進而較佳為6.5%以下，進而更佳為6%以下，特別較佳為5.5%以下，進一步較佳為5%以下，進一步更佳為4.7%以下，更進一步較佳為4.4%以下，進而進一步較佳為4.1%以下，再進一步較佳為3.8%以下，特別進一步較佳為3.5%以下，更加進一步較佳為3%以下。
關於第1實施方式之玻璃，[Al
2O
3]×[RO]為超過0～30。關於第1實施方式之玻璃，藉由[Al
2O
3]×[RO]超過0，能夠提高相分離特性。關於第1實施方式之玻璃，[Al
2O
3]×[RO]較佳為1以上，更佳為2以上，進而較佳為3以上，進而更佳為3.5以上，特別較佳為4以上，進一步較佳為4.5以上，進一步更佳為5以上，更進一步較佳為5.5以下，進而進一步較佳為6以上，再進一步較佳為6.5以上，特別進一步較佳為7以上，更加進一步較佳為7.5以上。
關於第1實施方式之玻璃，若[Al
2O
3]×[RO]為30以下，則能夠提高介電特性。關於第1實施方式之玻璃，[Al
2O
3]×[RO]較佳為29以下，更佳為28以下，進而較佳為27以下，進而更佳為26以下，特別較佳為25以下，進一步較佳為24以下，進一步更佳為23以下，更進一步較佳為22以下，進而進一步較佳為21.5以下，再進一步較佳為21以下，特別進一步較佳為20.5以下，更加進一步較佳為20以下。
關於第1實施方式之玻璃，MgO及CaO之合計含量([MgO]＋[CaO])為0.1～5.9%。關於第1實施方式之玻璃，藉由[MgO]＋[CaO]為0.1%以上，獲得提高熔解性、提高耐濕性、抑制表面失透溫度上升等效果。
關於第1實施方式之玻璃，[MgO]＋[CaO]較佳為0.2%以上，更佳為0.4%以上，特別較佳為0.6%以上，進而更佳為0.8%以上，進而較佳為1%以上，進一步較佳為1.2%以上，進一步更佳為1.4%以上，更進一步較佳為1.6%以上，進而進一步較佳為1.8%以上，再進一步較佳為2%以上，特別進一步較佳為2.2%以上，更加進一步較佳為2.4%以上。
關於第1實施方式之玻璃，若[MgO]＋[CaO]為5.9%以下，則能夠抑制介電特性變差。關於第1實施方式之玻璃，[MgO]＋[CaO]較佳為5.8%以下，更佳為5.6%以下，進而較佳為5.4%以下，進而更佳為5.2以下，特別較佳為5%以下，進一步較佳為4.8%以下，進一步更佳為4.6%以下，更進一步較佳為4.4%以下，進而進一步較佳為4.2%以下，再進一步較佳為4%以下，特別進一步較佳為3.8%以下，更加進一步較佳為3.6%以下。
關於第1實施方式之玻璃，[MgO]/([MgO]＋[Al
2O
3])為0～0.45。
關於第1實施方式之玻璃，[MgO]/([MgO]＋[Al
2O
3])較佳為0以上，更佳為0.01以上，進而較佳為0.02以上，進而更佳為0.03以上，特別較佳為0.04以上，進一步較佳為0.05以上，進一步更佳為0.06以上，更進一步較佳為0.07以下，進而進一步較佳為0.08以上，再進一步較佳為0.09以上，特別進一步較佳為0.1以上，更加進一步較佳為0.11以上。
關於第1實施方式之玻璃，藉由[MgO]/([MgO]＋[Al
2O
3])為0.45以下，能夠抑制表面失透溫度上升。關於第1實施方式之玻璃，[MgO]/([MgO]＋[Al
2O
3])較佳為0.45以下，更佳為0.44以下，進而較佳為0.43以下，進而更佳為0.42以下，特別較佳為0.41以下，進一步較佳為0.4以下，進一步更佳為0.39以下，更進一步較佳為0.35以下，進而進一步較佳為0.31以下，再進一步較佳為0.3以下，特別進一步較佳為0.25以下，更加進一步較佳為0.2以下。
B
2O
3係降低高頻區域內之介電損耗因數之成分。第1實施方式之玻璃較佳為含有15～30%之B
2O
3。關於第1實施方式之玻璃，藉由將B
2O
3之含量設為15%以上，熔解性提高。又，能夠降低高頻區域內之介電損耗因數。B
2O
3之含量更佳為16%以上，進而較佳為16.5%以上，進而更佳為17%以上，特別較佳為17.5%以上，進一步更佳為18%以上。
關於第1實施方式之玻璃，若B
2O
3為30%以下，則能夠使耐化學品性良好。B
2O
3之含量更佳為29%以下，進而較佳為28%以下，進而更佳為27%以下，特別較佳為26%以下，進一步更佳為25%以下。
CaO係具有於鹼土類金屬中僅次於MgO提高比彈性模數，且不會使應變點過度降低之特徵，且亦提高熔解性之成分。進而，係亦具有與MgO相比不易使耐濕性變差，亦不易提高表面失透溫度之特徵之成分。第1實施方式之玻璃亦可含有CaO。關於第1實施方式之玻璃，藉由含有CaO，平均熱膨脹係數不會過高，且能夠抑制表面失透溫度上升。關於第1實施方式之玻璃，於含有CaO之情形時，CaO之含量較佳為0.1%以上，更佳為0.2%以上，進而較佳為0.3%以上，進而更佳為0.4%以上，特別較佳為0.5%以上，進一步更佳為0.6%以上。
關於第1實施方式之玻璃，基於不會使平均熱膨脹係數過高，且抑制表面失透溫度上升之觀點而言，CaO之含量較佳為4%以下，更佳為3.8%以下，進而較佳為3.6%以下，進而更佳為3.4%以下，特別較佳為3.2%以下，進一步更佳為3%以下。
MgO係於不提高比重之情況下提高楊氏模數之成分。即，MgO係提高比彈性模數之成分，藉此能夠減輕撓曲之問題，提高破壞韌性值而提高玻璃強度。又，MgO係亦提高熔解性之成分。由此，第1實施方式之玻璃亦可含有MgO。
關於第1實施方式之玻璃，於含有MgO之情形時，MgO之含量較佳為0.1%以上，更佳為0.2%以上，進而較佳為0.3%以上，進而更佳為0.4%以上，特別較佳為0.5%以上，進一步更佳為0.6%以上。關於第1實施方式之玻璃，基於抑制表面失透溫度上升之觀點而言，MgO之含量較佳為4%以下，更佳為3.8%以下，進而較佳為3.6%以下，進而更佳為3.4%以下，特別較佳為3.2%以下，進一步更佳為3%以下。
BaO係提高玻璃之耐濕性、不提高表面失透溫度、提高熔解性之成分。又，亦具有提高平均熱膨脹係數之效果。由此，第1實施方式之玻璃亦可含有BaO。關於第1實施方式之玻璃，於含有BaO之情形時，BaO之含量較佳為0.1%以上，更佳為0.2%以上，進而較佳為0.3%以上，進而更佳為0.4%以上，特別較佳為0.5%以上，進一步更佳為0.6%以上。
關於第1實施方式之玻璃，若大量含有BaO，則有比重增大，楊氏模數下降之傾向。又，玻璃之耐化學品性降低。因此，關於第1實施方式之玻璃，BaO之含量較佳為4%以下，更佳為3.8%以下，進而較佳為3.6%以下，進而更佳為3.4%以下，特別較佳為3.2%以下，進一步更佳為3%以下。
Li
2O係提高耐濕性、提高熔解性之成分。又，亦具有抑制表面失透溫度上升、提高平均熱膨脹係數之效果。第1實施方式之玻璃亦可含有Li
2O。關於第1實施方式之玻璃，於含有Li
2O之情形時，Li
2O之含量較佳為0.1%以上。藉由含有0.01%以上之Li
2O，熔融性提高。關於第1實施方式之玻璃，Li
2O之含量更佳為0.03%以上，進而較佳為0.05%以上，進而更佳為0.07%以上，特別較佳為0.09%以上，進一步更佳為0.1%以上。
關於第1實施方式之玻璃，基於介電特性之觀點而言，Li
2O之含量較佳為0.8%以下，更佳為0.7%以下，進而較佳為0.6%以下，進而更佳為0.5%以下，特別較佳為0.4%以下，進一步更佳為0.3%以下。
K
2O係提高耐濕性、提高熔解性之成分。又，亦具有抑制表面失透溫度上升、提高平均熱膨脹係數之效果。第1實施方式之玻璃亦可含有K
2O。關於第1實施方式之玻璃，藉由含有K
2O，熔融性及相分離特性提高。關於第1實施方式之玻璃，於含有K
2O之情形時，K
2O之含量較佳為0.01%以上，更佳為0.03%以上，進而較佳為0.05%以上，進而更佳為0.07%以上，特別較佳為0.09%以上，進一步更佳為0.1%以上。
關於第1實施方式之玻璃，基於介電特性之觀點而言，K
2O之含量較佳為0.5%以下，更佳為0.4%以下，進而較佳為0.3%以下，進而更佳為0.25%以下，特別較佳為0.2%以下，進一步更佳為0.15%以下。
Na
2O係提高耐濕性、提高熔解性之成分。又，亦具有抑制表面失透溫度上升、提高平均熱膨脹係數之效果。因此，關於第1實施方式之玻璃，亦可含有Na
2O。關於第1實施方式之玻璃，藉由含有Na
2O，熔融性提高。關於第1實施方式之玻璃，Na
2O之含量更佳為0.01%以上，進而較佳為0.03%以上，進而更佳為0.05%以上，特別較佳為0.07%以上，進一步更佳為0.09%以上，最佳為0.1%以上。
關於第1實施方式之玻璃，基於介電特性之觀點而言，Na
2O之含量較佳為0.7%以下，更佳為0.6%以下，進而較佳為0.5%以下，進而更佳為0.4%以下，特別較佳為0.3%以下，進一步更佳為0.2%以下。
Cl係提高介電特性之成分。又，亦具有作為澄清劑之作用，具有減少玻璃熔融液中之泡之效果。第1實施方式之玻璃較佳為含有0.01～1%之Cl。關於第1實施方式之玻璃，藉由含有0.01%以上之Cl，能夠降低玻璃中之Abs-OH，伴隨Abs-OH之降低，可降低相對介電常數及介電損耗因數而提高介電特性。
關於第1實施方式之玻璃，Cl之含量更佳為0.01%以上，進而較佳為0.02%以上，進而更佳為0.03%以上，特別較佳為0.04%以上，進一步更佳為0.05%以上。又，關於第1實施方式之玻璃，Cl之含量更佳為1%以下，進而較佳為0.9%以下，進而更佳為0.8%以下，特別較佳為0.7%以下，進一步更佳為0.6%以下。
關於第1實施方式之玻璃，SrO及BaO之合計含量([SrO]＋[BaO])較佳為0.1～5.9%。關於第1實施方式之玻璃，藉由([SrO]＋[BaO])為0.1%以上，能夠提高耐濕性。又，亦具有提高熔解性、抑制表面失透溫度上升、提高平均熱膨脹係數等效果。關於第1實施方式之玻璃，([SrO]＋[BaO])更佳為0.1%以上，依序較佳為0.2%以上、0.3%以上、0.4%以上、0.5%以上、0.6%以上、0.7%以上、0.8%以上、0.9%以上、1%以上、1.1%以上、1.2%以上、1.3%以上、1.4%以上、1.5%以上、1.6%以上、1.7%以上、1.8%以上、1.9%以上。
關於第1實施方式之玻璃，藉由([SrO]＋[BaO])為5.9%以下，能夠抑制耐化學品性變差。關於第1實施方式之玻璃，([SrO]＋[BaO])更佳為5.9%以下，依序較佳為5.8%以下、5.7%以下、5.6%以下、5.5%以下、5.4%以下、5.3%以下、5.2%以下、5.1%以下、5%以下、4.9%以下、4.8%以下、4.7%以下、4.6%以下。
關於第1實施方式之玻璃，([MgO]＋[CaO])－([SrO]＋[BaO])較佳為-3～3%。關於第1實施方式之玻璃，藉由([MgO]＋[CaO])－([SrO]＋[BaO])為-3%以上，能夠抑制耐化學品性變差。關於第1實施方式之玻璃，([MgO]＋[CaO])－([SrO]＋[BaO])更佳為-3%以上，依序較佳為-2.9%以上、-2.8%以上、-2.7%以上、-2.6%以上、-2.5%以上、-2.4%以上、-2.3%以上、-2.2%以上、-2.1%以上、-2%、-1.9%以上、-1.8%以上、-1.7%以上、-1.6%以上、-1.5%以上、-1.4%以上、-1.3%以上、-1.2%以上、-1.1%以上、-1%以上。
關於第1實施方式之玻璃，藉由([MgO]＋[CaO])－([SrO]＋[BaO])為3%以下，能夠提高耐濕性。關於第1實施方式之玻璃，([MgO]＋[CaO])－([SrO]＋[BaO])更佳為3%以下，依序較佳為2.9%以下、2.8%以下、2.7%以下、2.6%以下、2.5%以下、2.4%以下、2.3%以下、2.2%以下、2.1%以下、2%以下。
[第2實施方式之玻璃]
第2實施方式之玻璃除了具有上述共通之構成以外，尤其基於進一步提高熔解性、耐化學品性、耐濕性、相分離特性及介電特性，抑制表面失透溫度上升等觀點而言，還具有下述構成。
以氧化物基準之莫耳%表示，
CaO為0.1～6%，
MgO、CaO、SrO及BaO之合計含量(RO)為超過0～6%，
Li
2O、Na
2O及K
2O之合計含量(R
2O)為0～1%，
[Al
2O
3]－[RO]為-3～未達8%，
[Al
2O
3]×[RO]為超過0～28，
(([MgO]＋[CaO])－([SrO]＋[BaO]))/[Al
2O
3]為-3.0～0.60。
第2實施方式之玻璃含有0.1～6%之CaO。關於第2實施方式之玻璃，若CaO之含量為0.1%以上，則平均熱膨脹係數不會過高，且能夠抑制表面失透溫度上升。關於第2實施方式之玻璃，CaO之含量較佳為0.15%以上，更佳為0.2%以上，進而較佳為0.25%以上，進而更佳為0.3%以上，特別較佳為0.35%以上，進一步較佳為0.4%以上，進一步更佳為0.5%以上，更進一步較佳為0.6%以上，進而進一步較佳為0.7%以上，再進一步較佳為0.8%以上，特別進一步較佳為0.9%以上，更加進一步較佳為1%以上。
關於第2實施方式之玻璃，若CaO之含量為6%以下，則平均熱膨脹係數不會過高，且能夠抑制表面失透溫度上升。關於第2實施方式之玻璃，CaO之含量較佳為5.8%以下，更佳為5.6%以下，進而較佳為5.4%以下，進而更佳為5.2%以下，特別較佳為5%以下，進一步較佳為4.8%以下，進一步更佳為4.6%以下，更進一步較佳為4.4%以下，進而進一步較佳為4.2%以下，再進一步較佳為4%以下，特別進一步較佳為3.8%以下，更加進一步較佳為3.6%以下。
關於第2實施方式之玻璃，RO及R
2O與第1實施方式之玻璃相同。
關於第2實施方式之玻璃，[Al
2O
3]－[RO]與第1實施方式之玻璃相同。
關於第2實施方式之玻璃，[Al
2O
3]×[RO]為超過0～28。關於第2實施方式之玻璃，藉由[Al
2O
3]×[RO]超過0，能夠提高相分離特性。關於第2實施方式之玻璃，[Al
2O
3]×[RO]較佳為1以上，更佳為2以上，進而較佳為3以上，進而更佳為3.5以上，特別較佳為4以上，進一步較佳為4.5以上，進一步更佳為5以上，更進一步較佳為5.5以上，進而進一步較佳為6以上，再進一步較佳為6.5以上，特別進一步較佳為7以上，更加進一步較佳為7.5以上。
關於第2實施方式之玻璃，若[Al
2O
3]×[RO]為28以下，則能夠提高介電特性。關於第2實施方式之玻璃，[Al
2O
3]×[RO]較佳為27以下，更佳為26以下，進而較佳為25以下，進而更佳為24以下，特別較佳為23.5以下，進一步較佳為23以下，進一步更佳為22.5以下，更進一步較佳為22以下，進而進一步較佳為21.5以下，再進一步較佳為21以下，特別進一步較佳為20.5以下，更加進一步較佳為20以下。
關於第2實施方式之玻璃，(([MgO]＋[CaO])－([SrO]＋[BaO]))/[Al
2O
3]為-3.0～0.60。關於第2實施方式之玻璃，藉由(([MgO]＋[CaO])－([SrO]＋[BaO]))/[Al
2O
3]為-3.0以上，能夠提高耐化學品性。
關於第2實施方式之玻璃，(([MgO]＋[CaO])－([SrO]＋[BaO]))/[Al
2O
3]較佳為-2.5以上，更佳為-2.0以上，進而較佳為-1.9以上，進而更佳為-1.8以上，特別較佳為-1.7以上，進一步較佳為-1.6以上，進一步更佳為-1.5以上，更進一步較佳為-1.4以上，進而進一步較佳為-1.3以上，再進一步較佳為-1.2以上，特別進一步較佳為-1.1以上，更加進一步較佳為-1.0以上。
關於第2實施方式之玻璃，若(([MgO]＋[CaO])－([SrO]＋[BaO]))/[Al
2O
3]為0.60以下，則能夠提高耐濕性。關於第2實施方式之玻璃，(([MgO]＋[CaO])－([SrO]＋[BaO]))/[Al
2O
3]較佳為0.59以下，更佳為0.58以下，特別較佳為0.57以下，進一步較佳為0.56以下，進一步更佳為0.55以下，更進一步較佳為0.54以下，進而進一步較佳為0.53以下，再進一步較佳為0.52%以下，特別進一步較佳為0.51%以下，更加進一步較佳為0.50%以下。
關於第2實施方式之玻璃，B
2O
3、MgO、BaO、Li
2O、K
2O及Na
2O、Cl、SrO及BaO之合計含量([SrO]＋[BaO])、([MgO]＋[CaO])－([SrO]＋[BaO])與第1實施方式之玻璃相同。
第2實施方式之玻璃亦可含有SrO。關於第2實施方式之玻璃，藉由含有SrO，耐濕性提高，熔解性提高。關於第2實施方式之玻璃，於含有SrO之情形時，其含量較佳為0.1%以上，更佳為0.2%以上，進而較佳為0.3%以上，進而更佳為0.4%以上，特別較佳為0.5%以上，進一步更佳為0.6%以上。
關於第2實施方式之玻璃，基於抑制耐化學品性變差，進而不會使比重過大，亦抑制平均熱膨脹係數過高之觀點而言，SrO之含量較佳為5.9%以下，更佳為5.5%以下，進而較佳為5%以下，進而更佳為4.5%以下，特別較佳為4%以下，進一步更佳為3.5%以下。
[第3實施方式之玻璃]
第3實施方式之玻璃除了具有上述共通之構成以外，尤其基於進一步提高熔解性、耐濕性、相分離特性及介電特性等觀點而言，還具有下述構成。
以氧化物基準之莫耳%表示，
Li
2O超過0%，
K
2O為超過0～0.8%，
MgO、CaO、SrO及BaO之合計含量(RO)為0～0.5%，
Li
2O、Na
2O及K
2O之合計含量(R
2O)為超過0～4%，
[Al
2O
3]×[R
2O]為超過0～1.40，
[Na
2O]/[R
2O]為0.30～0.99。
第3實施方式之玻璃含有超過0%之Li
2O。關於第3實施方式之玻璃，藉由含有超過0%之Li
2O，能夠提高熔解性，能夠提高耐濕性。關於第3實施方式之玻璃，Li
2O之含量較佳為0.1%以上，更佳為0.2%以上，進而較佳為0.3%以上，進而更佳為0.4%以上，特別較佳為0.5%以上，進一步較佳為0.6%以上，進一步更佳為0.7%以上，更進一步較佳為0.8%以上，進而進一步較佳為0.9%以上，再進一步較佳為1.0%以上，特別進一步較佳為1.1%以上，更加進一步較佳為1.2%以上。
關於第3實施方式之玻璃，Li
2O之含量較佳為2.8%以下。關於第3實施方式之玻璃，若Li
2O之含量為2.8%以下，則能夠抑制介電特性變差。關於第3實施方式之玻璃，Li
2O之含量更佳為2.7%以下，進而較佳為2.6%以下，進而更佳為2.5%以下，特別較佳為2.4%以下，進一步較佳為2.3%以下，進一步更佳為2.2%以下，更進一步較佳為2.1%以下，進而進一步較佳為2%以下，再進一步較佳為1.9%以下，特別進一步較佳為1.8%以下，更加進一步較佳為1.7%以下。
第3實施方式之玻璃含有超過0～0.8%之K
2O。關於第3實施方式之玻璃，藉由K
2O之含量超過0%，能夠提高熔解性，能夠提高耐濕性。關於第3實施方式之玻璃，K
2O之含量較佳為0.02%以上，更佳為0.04%以上，進而較佳為0.06%以上，進而更佳為0.08%以上，進一步較佳為0.1%以上，進一步更佳為0.12%以上，更進一步較佳為0.14%以上，進而進一步較佳為0.16%以上，再進一步較佳為0.18%以上，特別進一步較佳為0.20%以上，更加進一步較佳為0.22%以上。
關於第3實施方式之玻璃，若K
2O之含量為0.8%以下，則能夠抑制介電特性變差。關於第3實施方式之玻璃，K
2O之含量較佳為0.77%以下，更佳為0.74%以下，進而較佳為0.71%以下，進而更佳為0.68%以下，特別較佳為0.65%以下，進一步較佳為0.62%以下，進一步更佳為0.59%以下，更進一步較佳為0.56%以下，進而進一步較佳為0.53%以下，再進一步較佳為0.50%以下，特別進一步較佳為0.47%以下，更加進一步較佳為0.44%以下。
第3實施方式之玻璃中，RO為0～0.5%。第3實施方式之玻璃亦可含有選自MgO、CaO、SrO及BaO中之至少1種。關於第3實施方式之玻璃，藉由含有選自MgO、CaO、SrO及BaO中之至少1種，能夠提高耐濕性。關於第3實施方式之玻璃，於含有選自MgO、CaO、SrO及BaO中之至少1種之情形時，RO較佳為0.02%以上，更佳為0.04%以上，進而較佳為0.06%以上，進一步更佳為0.08%以上。
關於第3實施方式之玻璃，藉由將RO設為0.5%以下，能夠抑制相分離特性變差。關於第3實施方式之玻璃，RO較佳為0.45%以下，更佳為0.4%以下，進而較佳為0.35%以下，進而更佳為0.3%以下，特別較佳為0.25%以下，進一步更佳為0.2%以下。
第3實施方式之玻璃中，R
2O超過0～4%。關於第3實施方式之玻璃，藉由R
2O超過0%，熔解性提高。關於第3實施方式之玻璃，R
2O較佳為0.1%以上，依序較佳為0.2%以上、0.3%以上、0.4%以上、0.5%以上、0.6%以上、0.7%以上、0.8%以上、0.9%以上、1.0%以上、1.1%以上、1.2%以上、1.3%以上、1.4%以上、1.5%以上、1.6%以上、1.7%以上、1.8%以上、1.9%以上、2.0%以上。
關於第3實施方式之玻璃，藉由R
2O為4%以下，能夠抑制介電特性變差。關於第3實施方式之玻璃，R
2O較佳為3.9%以下，依序較佳為3.8%以下、3.7%以下、3.6%以下、3.5%以下、3.4%以下、3.3%以下、3.2%以下、3.1%以下、3.0%以下、2.9%以下、2.8%以下、2.7%以下、2.6%以下、2.5%以下。
第3實施方式之玻璃中，[Al
2O
3]×[R
2O]為超過0～1.40。關於第3實施方式之玻璃，藉由[Al
2O
3]×[R
2O]超過0，能夠提高相分離特性。關於第3實施方式之玻璃，[Al
2O
3]×[R
2O]較佳為0.05以上，更佳為0.1以上，進而較佳為0.15以上，進而更佳為0.20以上，特別較佳為0.25以上，進一步較佳為0.30以上，進一步更佳為0.35以上，更進一步較佳為0.40以上，進而進一步較佳為0.45以上，再進一步較佳為0.50以上，特別進一步較佳為0.55以上，更加進一步較佳為0.60以上。
關於第3實施方式之玻璃，若[Al
2O
3]×[R
2O]為1.40以下，則能夠抑制介電特性變差。關於第3實施方式之玻璃，[Al
2O
3]×[R
2O]較佳為1.40以下，依序較佳為1.39以下、1.38以下、1.37以下、1.36以下、1.35以下、1.34以下、1.33以下、1.32以下、1.31以下、1.30以下、1.29以下、1.28以下、1.27以下、1.26以下、1.25以下、1.24以下、1.23以下、1.22以下、1.21以下、1.20以下、1.19以下、1.18以下、1.17以下、1.16以下、1.15以下、1.14以下、1.13以下、1.12以下、1.11以下、1.10以下、1.09以下、1.08以下、1.07以下、1.06以下、1.05以下、1.04以下、1.03以下、1.02以下、1.01以下、1.00以下。
第3實施方式之玻璃中，[Na
2O]/[R
2O]為0.30～0.99。關於第3實施方式之玻璃，藉由[Na
2O]/[R
2O]為0.30以上，由於混合鹼效應，而使介電特性提高。關於第3實施方式之玻璃，[Na
2O]/[R
2O]較佳為0.30以上，更佳為0.31以上，進而較佳為0.32以上，進而更佳為0.33以上，特別較佳為0.34以上，進一步較佳為0.35以上，進一步更佳為0.36以上，更進一步較佳為0.37%以上，進而進一步較佳為0.38以上，再進一步較佳為0.39以上，特別進一步較佳為0.40以上，更加進一步較佳為0.41以上。
關於第3實施方式之玻璃，若[Na
2O]/[R
2O]為0.99以下，則由於混合鹼效應，而使介電特性提高。關於第3實施方式之玻璃，[Na
2O]/[R
2O]較佳為0.95以下，更佳為0.90以下，進而較佳為0.85以下，進而更佳為0.80以下，特別較佳為0.75以下，進一步較佳為0.70以下，進一步更佳為0.68以下，更進一步較佳為0.66以下，進而進一步較佳為0.64以下，再進一步較佳為0.62以下，特別進一步較佳為0.60以下，更加進一步較佳為0.58以下。
關於第3實施方式之玻璃，Cl與第1實施方式之玻璃相同。
關於第3實施方式之玻璃，較佳為含有18～29%之B
2O
3。關於第3實施方式之玻璃，藉由將B
2O
3之含量設為18%以上，熔解性提高。又，能夠降低高頻區域內之介電損耗因數。B
2O
3之含量更佳為18.5%以上，進而較佳為19%以上，進而更佳為19.5%以上，特別較佳為20%以上，進一步更佳為20.5%以上，最佳為21%以上。
關於第3實施方式之玻璃，若B
2O
3為29%以下，則能夠使耐化學品性良好。B
2O
3之含量更佳為28%以下，進而較佳為27%以下，進而更佳為26%以下，特別較佳為25%以下，進一步更佳為24%以下。
關於第3實施方式之玻璃，亦可包含SrO。SrO係有助於提高耐濕性或抑制失透溫度上升之成分。又，亦具有提高平均熱膨脹率之效果。關於第3實施方式之玻璃，於包含SrO之情形時，較佳為0.01%以上，更佳為0.02%以上，進而更佳為0.03%以上。
關於第3實施方式之玻璃，基於介電特性或耐化學品性之觀點而言，SrO之含量較佳為0.5%以下，依序較佳為0.45%以下、0.4%以下、0.3%以下、0.2%以下、0.1%以下、0.05%以下。
關於第3實施方式之玻璃，亦可包含CaO。CaO係有助於提高熔解性或抑止失透溫度上升之成分。關於第3實施方式之玻璃，於包含CaO之情形時，較佳為0.01%以上，更佳為0.02%以上，進而更佳為0.03%以上。
關於第3實施方式之玻璃，基於介電特性或相分離特性之觀點而言，CaO之含量較佳為0.5%以下，依序較佳為0.45%以下、0.4%以下、0.3%以下、0.2%以下、0.1%以下、0.05%以下。
關於第3實施方式之玻璃，亦可包含MgO。MgO係於不提高比重之情況下提高楊氏模數之成分。關於第3實施方式之玻璃，於包含MgO之情形時，較佳為0.01%以上，更佳為0.02%以上，進而更佳為0.03%以上。
關於第3實施方式之玻璃，基於介電特性或相分離特性之觀點而言，MgO之含量較佳為0.5%以下，依序較佳為0.45%以下、0.4%以下、0.3%以下、0.2%以下、0.1%以下、0.05%以下。
關於第3實施方式之玻璃，亦可包含BaO。BaO係有助於提高耐濕性或抑制失透溫度上升之成分。又，亦具有提高平均熱膨脹率之效果。關於第3實施方式之玻璃，於包含BaO之情形時，較佳為0.01%以上，更佳為0.02%以上，進而更佳為0.03%以上。
關於第3實施方式之玻璃，基於介電特性或耐化學品性之觀點而言，BaO之含量較佳為0.5%以下，依序較佳為0.45%以下、0.4%以下、0.3%以下、0.2%以下、0.1%以下、0.05%以下。
關於第3實施方式之玻璃，Na
2O係有助於提高熔解性或耐濕性之成分。關於第3實施方式之玻璃，較佳為含有超過0～3.9%之Na
2O。藉由使Na
2O之含量超過0%，熔解性提高。Na
2O之含量更佳為0.1%以上，依序較佳為0.2%以上、0.3%以上、0.4%以上、0.5%以上、0.6%以上、0.7%以上、0.8%以上、0.9%以上、1%以上、1.1%以上、1.2%以上。
關於第3實施方式之玻璃，基於介電特性之觀點而言，Na
2O之含量較佳為3.9%以下。Na
2O之含量更佳為3.8%以下，依序較佳為3.7%以下、3.6%以下、3.5%以下、3.4%以下、3.3%以下、3.2%以下、3.1%以下、3.0%以下、2.9%以下、2.8%以下、2.7%以下、2.6%以下、2.5%以下、2.4%以下、2.3%以下、2.2%以下、2.1%以下、2.0%、1.9%以下、1.8%以下、1.7以下。
關於第3實施方式之玻璃，[Al
2O
3]×[RO]較佳為0～0.4。基於介電特性之觀點而言，[Al
2O
3]×[RO]更佳為0.35以下，依序較佳為0.30以下、0.25以下、0.20以下、0.15以下、0.10以下。
第3實施方式之玻璃，MgO及CaO之合計含量([MgO]＋[CaO])較佳為0～0.5%。關於第3實施方式之玻璃，若[MgO]＋[CaO]為0.5%以下，則能夠抑制介電特性變差。關於第3實施方式之玻璃，[MgO]＋[CaO]更佳為0.45%以下，依序較佳為0.40%以下、0.35%以下、0.30%以下、0.25%以下、0.20%以下、0.15%以下、0.10%以下、0.05%以下。
關於第3實施方式之玻璃，[MgO]＋[CaO]之下限亦可為0%。於非0%之情形時，更佳為0.001%以上，進而較佳為0.005%以上，再較佳為0.01%以上。
關於第3實施方式之玻璃，SrO及BaO之合計含量([SrO]＋[BaO])較佳為0～0.5%。藉由([SrO]＋[BaO])為0.5%以下，能夠抑制介電特性變差。關於第3實施方式之玻璃，([SrO]＋[BaO])更佳為0.45%以下，依序較佳為0.40%以下、0.35%以下、0.30%以下、0.25%以下、0.20%以下、0.15%以下、0.10%以下、0.05%以下。
關於第3實施方式之玻璃，[SrO]＋[BaO]之下限亦可為0%。於非0%之情形時，更佳為0.001%以上，進而較佳為0.005%以上，再較佳為0.01%以上。
關於第3實施方式之玻璃，([MgO]＋[CaO])－([SrO]＋[BaO])較佳為-0.5～0.5%。關於第3實施方式之玻璃，藉由([MgO]＋[CaO])－([SrO]＋[BaO])為-0.5%以上，能夠抑制耐化學品性變差。關於第3實施方式之玻璃，([MgO]＋[CaO])－([SrO]＋[BaO])更佳為-0.4%以上，依序較佳為-0.3%以上、-0.2%以上、-0.1%以上。
關於第3實施方式之玻璃，藉由([MgO]＋[CaO])－([SrO]＋[BaO])為0.5%以下，能夠提高耐濕性。關於第1實施方式之玻璃，([MgO]＋[CaO])－([SrO]＋[BaO])更佳為0.4%以下，依序較佳為0.3%以下、0.2%以下、0.1%以下。
第3實施方式之玻璃，[MgO]/([MgO]＋[Al
2O
3])較佳為0～0.45。關於第3實施方式之玻璃，藉由[MgO]/([MgO]＋[Al
2O
3])為0.45以下，能夠抑制表面失透溫度上升。關於第1實施方式之玻璃，[MgO]/([MgO]＋[Al
2O
3])更佳為0.44以下，進而較佳為0.43以下，進而更佳為0.42以下，特別較佳為0.41以下，進一步較佳為0.4以下，進一步更佳為0.39以下，更進一步較佳為0.35以下，進而進一步較佳為0.31以下，再進一步較佳為0.3以下，特別進一步較佳為0.25以下，更加進一步較佳為0.2以下。
關於第3實施方式之玻璃，[MgO]/([MgO]＋[Al
2O
3])亦可為0。於非0之情形時，更佳為0.001以上，更進一步較佳為0.005以上，進一步更佳為0.01以上。
以下，記載包含第1～3實施方式之本發明之玻璃中之其他成分及特性。
[其他成分及特性]
本發明之玻璃亦可含有SO
3，以提高玻璃之澄清性。於本發明之玻璃中，於含有SO
3之含量之情形時，SO
3之含量以氧化物基準之質量百分率表示，較佳為0.0001%以上，更佳為0.0005%以上，進而較佳為0.001%以上。又，SO
3之含量較佳為1%以下，更佳為0.5%以下，進而較佳為0.1%以下。
本發明之玻璃亦可含有Fe，以提高玻璃之熔解性。其中，關於Fe之含量，基於降低玻璃之著色或可見光域之透過率、降低高頻區域內之相對介電常數、介電損耗因數之觀點而言，以Fe
2O
3換算之氧化物基準之質量百分率表示，較佳為0.15%以下，更佳為0.1%以下，進而較佳為0.05%以下，進而更佳為0.03%以下。又，於本發明之玻璃中，於含有Fe之情形時，Fe含量較佳為0.0001%以上，更佳為0.0005%以上，進而較佳為0.001%以上。
關於本發明之玻璃，Abs-OH較佳為0.1～10。Abs-OH係玻璃中之水分含量之指標，係以成為厚度0.45～0.75 mm之玻璃板之方式進行玻璃試樣之兩面鏡面研磨後，使用FT-IR於波數4000～2000 cm
-1之範圍內進行透過率測定而求出。作為基準，將波數3846 cm
-1下之透過率設為τ
1(%)，將來自羥基之吸收帶即波數3700～3200 cm
-1之透過率之最小值設為τ
2(%)，利用下述式求出Abs-OH。
Abs-OH＝log
10(τ
2/100)/log
10(τ
1/100)
若Abs-OH為0.1以上，則成為玻璃黏度10
2dPa・s之溫度T
2下之電阻值減小，適於藉由通電加熱將玻璃熔解，且玻璃中之泡疵點較少。因此，若Abs-OH為0.1以上，則熔解性提高。若Abs-OH為10以下，能夠抑制玻璃中之泡疵點。Abs-OH更佳為9.0以下，進而較佳為8.0以下，進而更佳為7.0以下。Abs-OH更佳為0.5以上，進而較佳為1.0以上，進而更佳為1.5以上，特別較佳為2.0以上，尤佳為2.5以上。
作為不易受到作為基準之波數3846 cm
-1下之透過率τ
1(%)之影響的玻璃之水分含量之指標，於設為Abs
Base＝-log
10(τ
1/100)、Abs
β -OH＝-log
10(τ
2/100)時，進而可例舉(Abs
β -OH－Abs
Base)。本發明之玻璃較佳為(Abs
β -OH－Abs
Base)為0.02以上。
若(Abs
β -OH－Abs
Base)為0.02以上，則成為玻璃黏度10
2dPa・s之溫度T
2下之電阻值減小，適於藉由通電加熱將玻璃熔解，且玻璃中之泡疵點較少。因此，若(Abs
β -OH－Abs
Base)為0.02以上，則熔解性提高，故較佳。若(Abs
β -OH－Abs
Base)為0.5以下，則能夠抑制玻璃中之泡疵點。(Abs
β -OH－Abs
Base)更佳為0.4以下，進而較佳為0.35以下，進而更佳為0.3以下，尤佳為0.25以下。(Abs
β -OH－Abs
Base)更佳為0.03以上，進而較佳為0.05以上，進而更佳為0.1以上，特別較佳為0.125以上，進一步更佳為0.15以上，尤佳為0.175以上。
為了提高玻璃之澄清性，本發明之玻璃亦可含有SnO
2。SO
3之含量較佳為0.001%以上，更佳為0.01%以上，進而較佳為0.1%以上。又，基於介電特性之觀點而言，本發明之玻璃中，SnO
2之含量較佳為1%以下，更佳為0.5%以下，進而較佳為0.2%以下
為了提高玻璃之耐化學品性，本發明之玻璃亦可含有選自由Sc
2O
3、TiO
2、ZnO、Ga
2O
3、GeO
2、Y
2O
3、ZrO
2、Nb
2O
5、In
2O
3、TeO
2、HfO
2、Ta
2O
5、WO
3、Bi
2O
3、La
2O
3、Gd
2O
3、Yb
2O
3、及Lu
2O
3所組成之群中之至少1種作為微量成分。但，若微量成分之含量過多，則玻璃之相分離特性容易下降，因此微量成分以合計含量計較佳為1%以下，更佳為0.25%以下，進而較佳為0.2%以下，進而更佳為0.1%以下，特別較佳為0.05%以下。
本發明之玻璃可僅含有1種上述微量成分，亦可含有2種以上之上述微量成分。
為了改善玻璃之熔解性等，本發明之玻璃亦可含有P
2O
5。P
2O
5之含量較佳為2%以下，更佳為1%以下，進而較佳為0.5%以下，進而更佳為0.3%以下，特別較佳為0.1%以下。
另一方面，P
2O
5有於玻璃之成形設備中揮散並再凝集而落下至玻璃板上，成為異物疵點之虞，因此，進一步較佳為0.05%以下，進一步更佳為0.01%以下，更進一步較佳為0.005%以下，最佳為實質上不含。於本發明中，所謂實質上不含P
2O
5，係指除自原料等混入之無法避免之雜質以外不含，即，有意地不含。
基於提高玻璃之熔解性、降低玻璃之應變點、降低T
g、降低緩冷點、降低介電損耗因數等目的，本發明之玻璃亦可含有F。F之含量較佳為0.1莫耳%以上，更佳為0.2莫耳%以上，進而較佳為0.4莫耳%以上。但，基於抑制由F之揮散引起之玻璃之品質降低之觀點而言，F之含量較佳為1.5莫耳%以下，更佳為1莫耳%以下，進而較佳為0.5莫耳%以下，進而更佳為0.1莫耳%以下。
F之含量以質量百分率表示較佳為0.01%以上，更佳為0.03%以上。上限較佳為0.2%以下，更佳為0.1%以下，進而較佳為0.05%以下。
為了改善玻璃之熔解性、澄清性、成形性等，為了獲得特定波長下之吸收，又，為了改善密度、硬度、抗撓剛度、耐久性等，本發明之玻璃亦可含有選自由Se
2O
3、TeO
2、Ga
2O
3、In
2O
3、GeO
2、CdO、BeO及Bi
2O
3所組成之群中之至少1種。該等之合計含量較佳為2%以下，更佳為1%以下，進而較佳為0.5%以下，進而更佳為0.3%以下，特別較佳為0.1%以下，進一步較佳為0.05%以下，進一步更佳為0.01%以下。
為了改善玻璃之熔解性、澄清性、成形性等，又，為了改善玻璃之硬度、例如楊氏模數等，本發明之玻璃亦可包含稀土類氧化物、過渡金屬氧化物。
本發明之玻璃亦可含有選自由Sc
2O
3、Y
2O
3、La
2O
3、Ce
2O
3、Pr
2O
3、Nd
2O
3、Pm
2O
3、Sm
2O
3、Eu
2O
3、Gd
2O
3、Tb
2O
3、Dy
2O
3、Ho
2O
3、Er
2O
3、Tm
2O
3、Yb
2O
3及Lu
2O
3所組成之群中之至少1種作為稀土類氧化物。該等之合計含量較佳為2%以下，更佳為1%以下，進而較佳為0.5%以下，進而更佳為0.3%以下，特別較佳為0.1%以下，進一步較佳為0.05%以下，進一步更佳為0.01%以下。
本發明之玻璃亦可含有選自由V
2O
5、Ta
2O
3、Nb
2O
5、WO
3、MoO
3及HfO
2所組成之群中之至少1種作為過渡金屬氧化物。該等之合計含量較佳為2%以下，更佳為1%以下，進而較佳為0.5%以下，進而更佳為0.3%以下，特別較佳為0.1%以下，進一步較佳為0.05%以下，更進一步較佳為0.01%以下。
為了改善玻璃之熔解性等，本發明之玻璃亦可含有作為錒系氧化物之ThO
2。ThO
2之含量較佳為2%以下，更佳為1%以下，進而較佳為0.5%以下，進而更佳為0.3%以下，特別較佳為0.1%以下，進一步較佳為0.05%以下，進一步更佳為0.01%以下，更進一步較佳為0.005%以下。
本發明之玻璃於20℃、頻率35 GHz下之介電損耗因數較佳為0.005以下。若20℃、頻率35 GHz下之介電損耗因數為0.005以下，則能夠降低如超過頻率30 GHz之高頻區域內之介電損耗。20℃、頻率35 GHz下之介電損耗因數較佳為0.0045以下，更佳為0.0040以下，進而較佳為0.0035以下，進而更佳為0.0030以下，特別較佳為0.0025以下。下限並無特別限定，例如較佳為0.0001以上。
本發明之玻璃於20℃、35 GHz下之相對介電常數較佳為4.5以下，更佳為4.45以下，進而較佳為4.4以下，進而更佳為4.35以下，特別較佳為4.3以下。下限並無特別限定，例如較佳為3以上。
本發明之玻璃之密度較佳為2.58 g/cm
3以下。藉此，自重撓曲減小，大型基板之操作變得容易。又，能夠減輕使用玻璃之裝置之重量。密度更佳為2.5 g/cm
3以下，進而較佳為2.4 g/cm
3以下，特別較佳為2.35 g/cm
3以下，進而更佳為2.3 g/cm
3以下。下限並無特別限定，例如較佳為2 g/cm
3以上。
再者，大型基板係指例如至少一邊為1000 mm以上之基板。
本發明之玻璃之成為玻璃黏度10
2dPa・s之溫度T
2(以下，記作溫度T
2)較佳為1950℃以下。若溫度T
2為1950℃以下，則玻璃之熔解性優異，能夠減輕對製造設備之負擔。例如，能夠延長將玻璃熔解之窯等之設備壽命，而提高生產性。又，能夠減少來自窯之缺陷，例如結塊缺陷、Zr缺陷等。T
2更佳為1940℃以下，進而較佳為1930℃以下，特別較佳為1900℃以下，進而更佳為1880℃以下，尤佳為1850℃以下。
溫度T
2之下限並無特別限定，例如較佳為1500℃以上。為了能夠使用SO
3作為澄清劑，較佳為1600℃以上，進而較佳為1650℃以上。
本發明之玻璃之成為溫度玻璃黏度10
4dPa・s之溫度T
4(以下，記作溫度T
4)較佳為1450℃以下。若溫度T
4為1450℃以下，則玻璃之成形性優異。又，例如，能夠藉由降低玻璃成形時之溫度來減少玻璃周邊之環境中之揮散物，藉此能夠減少玻璃之疵點。由於能夠以較低之溫度使玻璃成形，故能夠減輕對製造設備之負擔。例如，能夠延長使玻璃成形之浮拋窯等之設備壽命，而提高生產性。溫度T
4更佳為1440℃以下，進而較佳為1430℃以下，尤佳為1420℃以下，特別較佳為1400℃以下，進而更佳為1380℃以下，尤佳為1350℃以下。
溫度T
4之下限並無特別限定，例如較佳為1050℃以上。
溫度T
2及溫度T
4係按照ASTM C 965-96(2017年)中規定之方法，使用旋轉黏度計測定黏度，作為成為10
2dPa・s或10
4dPa・s時之溫度而求出。再者，於下述實施例中，使用NBS710及NIST SRM717a作為裝置校正用之參照試樣。
本發明之玻璃之玻璃轉移溫度T
g較佳為750℃以下。若T
g為750℃以下，則無需提高緩冷裝置之溫度，能夠抑制緩冷裝置之壽命下降。T
g更佳為730℃以下，進而較佳為700℃以下。
溫度T
g之下限並無特別限定，例如較佳為450℃以上。
本發明之玻璃之緩冷點較佳為750℃以下。若緩冷點為750℃以下，則無需提高緩冷裝置之溫度，能夠抑制緩冷裝置之壽命下降。緩冷點更佳為730℃以下，進而較佳為700℃以下。
緩冷點之下限並無特別限定，例如較佳為450℃以上。
本發明之玻璃之表面失透溫度較佳為1400℃以下。若表面失透溫度為1400℃以下，則玻璃之成形性優異。能夠抑制於成形中於玻璃內部產生結晶而使透過率降低。又，能夠減輕對製造設備之負擔。例如，能夠延長使玻璃成形之浮拋窯等之設備壽命，而提高生產性。
表面失透溫度更佳為1390℃以下，進而較佳為1380℃以下，進而更佳為1370℃以下，特別較佳為1360℃以下，進一步較佳為1355℃以下，進一步更佳為1350℃以下。表面失透溫度之下限並無特別限定，例如較佳為900℃以上。
本發明中之表面失透溫度係如下求出。即，於鉑製之皿中放入經粉碎之玻璃粒子，於控制為一定溫度之電氣爐中進行17小時熱處理，於熱處理後，使用光學顯微鏡觀察於玻璃之表面析出結晶之最高溫度及不析出結晶之最低溫度，將其平均值作為表面失透溫度。
本發明之玻璃之50～350℃下之平均熱膨脹係數較佳為20×10
-7/K以上。若50～350℃下之平均熱膨脹係數為20×10
-7/K以上，則於製成玻璃基板時，能夠抑制與形成於玻璃基板上之金屬膜之膨脹率之差過大而破裂。50～350℃下之平均熱膨脹係數更佳為25×10
-7/K以上。
另一方面，50～350℃下之平均熱膨脹係數較佳為50×10
-7/K以下。若50～350℃下之平均熱膨脹係數為50×10
-7/K以下，則能夠抑制於高頻裝置等之製品製造步驟中玻璃破裂。50～350℃下之平均熱膨脹係數更佳為40×10
-7/K以下，進而較佳為37×10
-7/K以下，進而更佳為35×10
-7/K以下。
關於本發明之玻璃，於含有7.7質量%之HNO
3、6.5質量%之H
2SO
4之45℃之水溶液中浸漬170秒鐘時，每單位表面積之玻璃成分之溶出量較佳為0.05 mg/cm
2以下。進行上述試驗時，玻璃之形狀及尺寸設為一邊為31～36 mm之四邊形且厚度為0.45～0.75 mm之板狀樣品。將浸漬之前之重量記作weight
Before，將浸漬後之重量記作weight
After，將浸漬前之板狀樣品之縱橫之長度分別記作length、width，將厚度記作thickness時，利用下述式求出每單位表面積之玻璃成分之溶出量。
[數1]
若玻璃成分之溶出量為上述範圍，則耐酸性良好。玻璃成分之溶出量更佳為0.04 mg/cm
2以下，進而較佳為0.03 mg/cm
2以下，尤佳為0.02 mg/cm
2以下。
玻璃成分之溶出量之下限並無特別限定，例如較佳為0.0001 mg/cm
2以上。
關於本發明之玻璃，於含有1.2質量%之KOH之60℃之水溶液中浸漬30分鐘時，每單位表面積之玻璃成分之溶出量較佳為0.15 mg/cm
2以下。進行上述試驗時，玻璃之形狀及尺寸設為一邊為31～36 mm之四邊形且厚度為0.45～0.75 mm之板狀樣品。將浸漬前之重量記作weight
Before，將浸漬後之重量記作weight
After，將浸漬前之板狀樣品之縱橫之長度分別記作length、width，將厚度記作thickness時，利用下述式求出每單位表面積之玻璃成分之溶出量。
[數2]
若玻璃成分之溶出量為上述範圍，則耐鹼性良好。玻璃成分之溶出量更佳為0.12 mg/cm
2以下，進而較佳為0.10 mg/cm
2以下，尤佳為0.80 mg/cm
2以下。
玻璃成分之溶出量之下限並無特別限定，例如較佳為0.0001 mg/cm
2以上。
本發明之玻璃之楊氏模數較佳為40 GPa以上。若楊氏模數為上述範圍，則能夠抑制於高頻裝置之製造步驟中實施之金屬膜、例如Cu膜之成膜後，玻璃基板產生翹曲、彎曲、破裂等不良情況。楊氏模數更佳為43 GPa以上，進而較佳為45 GPa以上，進而更佳為47 GPa以上。
楊氏模數之上限並無特別限定，例如較佳為70 GPa以下。
本發明之玻璃之比彈性模數較佳為20 MN・m/kg以上。若比彈性模數為上述範圍，則能夠抑制玻璃之彎曲量。比彈性模數更佳為21 MN・m/kg以上，進而較佳為22 MN・m/kg以上。
比彈性模數之上限並無特別限定，例如較佳為35 MN・m/kg以下，更佳為30 MN・m/kg以下，進而較佳為25 MN・m/kg以下。
[玻璃板]
包含本發明之玻璃之玻璃板(以下，記作本發明之玻璃板)由於上述特徵而適於高頻裝置用玻璃基板、面板型天線、窗玻璃、車輛用窗玻璃、觸控面板用覆蓋玻璃等。
圖1係表示高頻裝置用電路基板之構成之一例之剖視圖。圖1所示之電路基板1具備具有絕緣性之玻璃基板2、形成於玻璃基板2之第1主表面2a之第1配線層3、及形成於玻璃基板2之第2主表面2b之第2配線層4。關於第1及第2配線層3、4，作為傳輸線路之一例，形成微帶線。第1配線層3構成信號配線，第2配線層4構成接地線。其中，第1及第2配線層3、4之構造並不限定於此。又，配線層亦可僅形成於玻璃基板2之一主表面。
第1及第2配線層3、4係由導體形成之層，其厚度通常為0.1～50 μm左右。形成第1及第2配線層3、4之導體並無特別限定，例如可使用：銅、金、銀、鋁、鈦、鉻、鉬、鎢、鉑、鎳等金屬；包含至少1種該等金屬之合金或金屬化合物等。第1及第2配線層3、4之構造並不限定於單層構造，例如亦可具有如鈦層與銅層之積層構造之複數層構造。第1及第2配線層3、4之形成方法並無特別限定，例如可採用：使用導體膏之印刷法、浸漬法、鍍覆法、蒸鍍法、濺鍍等各種公知之形成方法。
作為玻璃基板2，於使用本發明之玻璃板之情形時，玻璃基板2之頻率10 GHz下之介電損耗因數較佳為0.005以下。若玻璃基板2之頻率10 GHz下之介電損耗因數為0.005以下，則能夠降低如超過10 GHz之高頻區域內之介電損耗。玻璃基板2之頻率10 GHz下之介電損耗因數更佳為0.0045以下，進而較佳為0.0040以下，進而更佳為0.0035以下，特別較佳為0.0030以下，進一步更佳為0.0025以下。
若玻璃基板2之頻率10 GHz下之相對介電常數為4.5以下，則能夠降低高頻區域內之介電損耗，故較佳。玻璃基板2之頻率10 GHz下之相對介電常數更佳為4.45以下，進而較佳為4.40以下，進而更佳為4.35以下，特別較佳為4.30以下，進一步較佳為4.25以下，進一步更佳為4.20以下，更進一步較佳為4.15以下，進而進一步較佳為4.10以下。
進而，玻璃基板2具有主表面2a、2b及端面。關於玻璃基板2之供第1及第2配線層3、4形成之主表面2a、2b之至少一主表面，作為其表面粗糙度，較佳為算術平均粗糙度Ra為1.5 nm以下，更佳為兩個主表面之算術平均粗糙度Ra為1.5 nm以下。若主表面之算術平均粗糙度Ra為上述範圍，則即便於如超過30 GHz之高頻區域內，第1及第2配線層3、4產生集膚效應之情形時，亦能夠降低第1及第2配線層3、4之表面電阻，藉此降低導體損耗。
玻璃基板2之主表面2a、2b之算術平均粗糙度Ra進而較佳為1 nm以下，進而更佳為0.5 nm以下。玻璃基板2之主表面係指供配線層形成之表面。於一主表面形成配線層之情形時，一主表面之算術平均粗糙度Ra之值滿足1.5 nm以下即可。再者，本說明書中之算術平均粗糙度Ra係指依據JIS B0601(2001年)之值。
玻璃基板2之主表面2a、2b之表面粗糙度可視需要藉由玻璃基板2之表面之研磨處理等而實現。玻璃基板2之表面之研磨處理例如可採用：使用以氧化鈰或膠體二氧化矽等為主成分之研磨劑、及研磨墊之研磨；使用包含研磨劑及酸性或鹼性之分散介質之研磨漿料、及研磨墊之研磨；使用酸性或鹼性之蝕刻液之研磨等。
上述研磨處理可根據玻璃基板2之素板之表面粗糙度來加以應用，例如亦可將預研磨與精研磨組合應用。又，玻璃基板2之端面較佳為倒角，以防止流程中由端面引起之玻璃基板2之破裂、龜裂、缺損。倒角之形態可為C倒角、R倒角、微倒角等之任一者。
藉由使用此種玻璃基板2，能夠降低電路基板1之頻率10 GHz下之傳輸損耗。例如能夠降低至1 dB/cm以下。因此，可維持高頻信號、尤其是10 GHz以上之高頻信號之質量或強度等特性，因此能夠提供適於處理此種高頻信號之高頻裝置之玻璃基板2及電路基板1。即，能夠提高處理此種高頻信號之高頻裝置之特性或品質。電路基板1之頻率10 GHz下之傳輸損耗較佳為1 dB/cm以下。
本發明之玻璃板之形狀並無特別限定，厚度較佳為0.75 mm以下。若玻璃板之厚度為0.75 mm以下，則於用作高頻裝置用玻璃基板時，可實現高頻裝置之薄型化或小型化，進而實現生產效率之提高等。又，紫外線透過率提高，可於裝置之製造步驟中使用紫外線硬化材料而提高製造性。玻璃板之厚度更佳為0.7 mm以下，進而較佳為0.6 mm以下，進而更佳為0.5 mm以下，特別較佳為0.4 mm以下，進一步較佳為0.3 mm以下。又，玻璃板之厚度較佳為0.01 mm以上，更佳為0.05 mm以上，進而較佳為0.1 mm以上。
於將玻璃板製成大型基板之情形時，至少一邊較佳為1000 mm以上，更佳為1500 mm以上，進而較佳為1800 mm以上。上限並無特別限定，通常一邊之大小為4000 mm以下。又，玻璃板較佳為矩形。
[玻璃板之製造方法]
其次，對本發明之玻璃板之製造方法進行說明。於製造玻璃板之情形時，經由將玻璃原料加熱而獲得熔融玻璃之熔解步驟、自熔融玻璃去除泡之澄清步驟、將熔融玻璃製成板狀而獲得玻璃帶之成形步驟、及將玻璃帶緩冷至室溫狀態之緩冷步驟。或者，亦可為將熔融玻璃成形為塊狀，緩冷之後，經由切斷、研磨而製造玻璃板之方法。
熔解步驟係以成為目標玻璃組成之方式製備原料，將原料連續投入至熔解爐中，較佳為加熱至1450～1750℃左右而獲得熔融玻璃。本實施方式之玻璃由於在將玻璃原料熔融之溫度區域、例如1500℃附近之電阻值較低，故較佳為使用電氣熔解爐作為熔解爐，並藉由通電加熱將玻璃熔解。但，亦可將通電加熱與利用燃燒器之加熱併用。
原料亦可使用氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、氫氧化物、氯化物等鹵化物等。於熔解或澄清步驟中存在熔融玻璃與鉑接觸之步驟之情形時，有時微小之鉑粒子溶出至熔融玻璃中，以異物形式混入至所獲得之玻璃板中，但使用硝酸鹽原料具有防止生成鉑異物之效果。
作為硝酸鹽，可使用硝酸鍶、硝酸鋇、硝酸鎂、硝酸鈣等。更佳為使用硝酸鍶。關於原料粒度，從不會產生熔解殘留之程度之數百μm之大粒徑原料，到搬送原料時不會產生飛散且不會凝集成二次粒子之程度之數μm左右之小粒徑原料，均可以適當使用。亦可使用造粒體。為了防止原料飛散，亦可適當調整原料含水量。亦可適當調整Abs-OH、Fe之氧化還原度(redox[Fe
2+/(Fe
2+＋Fe
3+)])之熔解條件。
以下之澄清步驟係自上述熔解步驟中獲得之熔融玻璃去除泡之步驟。作為澄清步驟，可採用基於減壓之脫泡法，亦可藉由設為高於原料之熔解溫度之高溫而進行脫泡。又，作為澄清劑，可使用SO
3或SnO
2。作為SO
3源，較佳為選自Al、Na、K、Mg、Ca、Sr、及Ba中之至少1種元素之硫酸鹽，更佳為鹼土類金屬之硫酸鹽，其中，CaSO
4・2H
2O，SrSO
4、及BaSO
4由於使泡增大之作用顯著，故尤佳。
作為基於減壓之脫泡法中之澄清劑，較佳為使用Cl或F等鹵素。作為Cl源，較佳為選自Al、Mg、Ca、Sr、及Ba中之至少1種元素之氯化物，更佳為鹼土類金屬之氯化物，其中，SrCl
2・6H
2O、及BaCl
2・2H
2O由於增大泡之作用顯著，且潮解性小，故進而較佳。作為F源，較佳為選自Al、Na、K、Mg、Ca、Sr、及Ba中之至少1種元素之氟化物，更佳為鹼土類金屬之氟化物，其中，CaF
2由於增大玻璃原料之熔解性之作用顯著，故進而較佳。
以SnO
2為代表之錫化合物於玻璃熔融液中產生O
2氣體。於玻璃熔融液中，於1450℃以上之溫度下，自SnO
2還原成SnO，產生O
2氣體，而具有使泡顯著成長之作用。於製造玻璃板時，將玻璃原料加熱至1450～1750℃左右而使其熔融，因此，玻璃熔融液中之泡更有效地增大。
於使用SnO
2作為澄清劑之情形時，較佳為以於原料中，相對於母組成之總量100%以SnO
2換算計包含0.001%以上之錫化合物之方式進行製備。若SnO
2含量為0.001%以上，則獲得玻璃原料熔解時之澄清作用，故較佳。SnO
2含量更佳為0.015%以上，進而較佳為0.1%以上。若SnO
2含量為1%以下，則可抑制玻璃之著色或失透之發生，故較佳。關於玻璃中之錫化合物之含量，相對於玻璃母組成之總量100%，以SnO
2換算計，更佳為0.5%以下，進而較佳為0.2%以下。
以下之成形步驟係將上述澄清步驟中已去除泡之熔融玻璃製成板狀而獲得玻璃帶之步驟。作為成形步驟，可採用：將熔融玻璃流至錫等熔融金屬上使其成為板狀而獲得玻璃帶之浮式法、使熔融玻璃自槽狀之構件向下方流下之溢流下拉法(熔融法)、自狹縫流下之狹縫下拉法等公知之將玻璃成形為板狀之方法。其中，基於無研磨、及輕研磨之方面而言，較佳為浮式法或熔融法。
然後，緩冷步驟係將上述成形步驟中獲得之玻璃帶於經控制之冷卻條件下冷卻至室溫狀態之步驟。作為緩冷步驟，以成為玻璃帶之方式冷卻，進而於特定條件下緩冷至室溫狀態。將緩冷之玻璃帶切斷後，獲得玻璃板。
若緩冷步驟中之冷卻速度過快，則冷卻後之玻璃容易殘留應變。又，作為反映假想溫度之參數之等價冷卻速度變得過高，其結果，無法減小玻璃之收縮。因此，較佳為以等價冷卻速度成為800℃/分鐘以下之方式設定R。等價冷卻速度更佳為600℃/分鐘以下，進而較佳為400℃/分鐘以下，進而更佳為300℃/分鐘以下，特別較佳為200℃/分鐘以下，進一步較佳為100℃/分鐘以下，進一步更佳為60℃/分鐘以下，尤佳為40℃/分鐘以下。另一方面，若冷卻速度過小，則步驟所需時間過長，生產性降低。因此，較佳為以成為0.1℃/以上之方式設定，更佳為0.5℃/分鐘以上，進而較佳為1℃/分鐘以上。作為反映假想溫度之參數之等價冷卻速度較佳為設為基於折射率之等價冷卻速度以便評價。
此處，基於折射率之等價冷卻速度之定義以及評價方法如下所述。將目標組成之玻璃加工成10 mm×10 mm×0.3～2.0 mm之長方體而製成玻璃試樣。對於玻璃試樣，使用紅外線加熱式電氣爐，於應變點＋170℃下保持5分鐘，其後，將玻璃試樣冷卻至室溫(25℃)。此時，於冷卻速度為1℃/分鐘至1000℃/分鐘之範圍內改變條件而製作複數個玻璃樣品。
使用精密折射率測定裝置(例如島津裝置公司製造之KPR3000)，測定複數個玻璃樣品之d線(波長587.6 nm)之折射率n
d。測定時，可使用V形塊法或最小偏角法。相對於冷卻速度之對數，描繪所獲得之n
d，藉此獲得相對於上述冷卻速度之n
d之校準曲線。
然後，藉由上述測定方法測定實際經由熔解、成形、冷卻等步驟而製造之相同組成之玻璃之n
d。藉由上述校準曲線求出與所獲得之n
d對應之對應冷卻速度(於本實施方式中係指等價冷卻速度)。
本發明之玻璃板之製造方法並不限定於上述。例如，於製造本發明之玻璃板之情形時，亦可藉由將熔融玻璃直接成形為板狀之加壓成形法來將玻璃製成板狀。
又，於製造本發明之玻璃板之情形時，除了使用耐火物製之熔解槽之製造方法以外，亦可將鉑或以鉑為主成分之合金製之坩堝(以下，稱為鉑坩堝)用於熔解槽或澄清槽。於使用鉑坩堝之情形時，熔解步驟係以成為要獲得之玻璃板之組成之方式製備原料，將放有原料之鉑坩堝於電氣爐中加熱，較佳為加熱至1450～1750℃左右。***鉑攪拌器，攪拌1～3小時，而獲得熔融玻璃。
於使用鉑坩堝之玻璃板之製造步驟中之成形步驟中，將熔融玻璃流出至例如碳板上或模框中，製成板狀或塊狀。緩冷步驟係典型而言保持於T
g＋50℃左右之溫度之後，以1～10℃/分鐘程度冷卻至應變點附近，其後以不會殘留應變之程度之冷卻速度冷卻至室溫狀態。切斷及研磨為特定形狀之後，獲得玻璃板。又，亦可將切斷所獲得之玻璃板以成為例如T
g＋50℃左右之方式加熱之後，以特定冷卻速度緩冷至室溫狀態。藉由如此設定，能夠調節玻璃之等價冷卻速度。
將本發明之玻璃板用作玻璃基板2之電路基板1適於處理高頻信號、尤其是超過30 GHz之高頻信號、進而頻率35 GHz以上之高頻信號之高頻裝置，能夠降低此種高頻信號之傳輸損耗而提高高頻信號之質量或強度等特性。
將本發明之玻璃板用作玻璃基板2之電路基板1例如適於行動電話、智慧型手機、攜帶型資訊終端、Wi-Fi機器等通信機器所用之半導體裝置等高頻裝置(電子裝置)、表面聲波(SAW)裝置、雷達收發機等雷達元件、液晶天線或面板型天線等天線元件等。
即，本發明除了關於包含本發明之玻璃之高頻裝置用玻璃基板以外，還關於包含本發明之玻璃之面板型天線。
又，本發明之玻璃亦適宜用於其他製品以降低高頻信號之傳輸損耗。即，本發明亦關於包含本發明之玻璃之窗玻璃、車輛用窗玻璃、觸控面板用覆蓋玻璃。
包含本發明之玻璃之玻璃板能夠穩定地收發高頻之頻帶之電波，亦難以損傷、破壞，因此亦適於窗玻璃或車輛用窗玻璃、觸控面板用覆蓋玻璃。作為車輛用窗玻璃，例如更佳為自動駕駛車輛用窗玻璃。
[實施例]
以下，對實施例進行說明，但本發明並不限定於該等實施例。以下，例1～28係實施例，例29～31係比較例。
準備具有例1～31所示之組成(以氧化物基準之莫耳%表示)之玻璃。玻璃板係藉由使用鉑坩堝之熔融法進行製作。以獲得具有例1～31所示之組成之玻璃之方式將矽砂等原料混合，調製400 g之批料。將原料放入至鉑坩堝中，於電氣爐中以1650℃之溫度加熱1小時而熔融，製成熔融玻璃。熔融時，於鉑坩堝中***鉑攪拌器，攪拌1小時，進行玻璃之均質化。此外，以1700℃之溫度加熱3小時之後，將熔融玻璃流出至碳板上，成形為板狀之後，將板狀之玻璃放入至T
g＋50℃左右之溫度之電氣爐中，保持1小時。以冷卻速度1℃/分鐘使電氣爐降溫至T
g－100℃，其後將玻璃放冷至室溫。其後，藉由切斷、研磨加工，將玻璃成形為板狀，獲得玻璃板。
關於例1～31之玻璃板，於表1～5中示出：頻率10 GHz下之相對介電常數；頻率10 GHz下之介電損耗因數；T
2、T
4、T
g、50～350℃下之平均熱膨脹係數；於含有7.7質量%之HNO
3及6.5質量%之H
2SO
4之45℃之水溶液中浸漬170秒鐘時每單位表面積之玻璃成分之溶出量(耐酸性)；於含有1.2質量%之KOH之60℃之水溶液中浸漬30分鐘時每單位表面積之玻璃成分之溶出量(耐鹼性)；板厚；Abs-OH；ΔAbs-OH；Abs
β -OH－Abs
Base；Δ(Abs
β -OH－Abs
Base)。表中之括弧內所示之值係指計算值或推定值，「－」係指未測定，「×」表示計算式上分母為0而無法計算。
以下示出各物性之測定方法。
(相對介電常數、介電損耗因數)
按照JlS R1641(2007年)中規定之方法，使用空腔共振器及向量網路分析儀進行測定。測定頻率係空腔共振器之空氣之共振頻率即10 GHz。
(密度)
藉由阿基米德法測定不含泡之約20 g之玻璃塊之密度。
(溫度T
2)
按照ASTM C 965-96(2017年)中規定之方法，使用旋轉黏度計測定黏度，測定成為10
2dPa・s時之溫度T
2(℃)。
(溫度T
4)
按照ASTM C 965-96(2017年)中規定之方法，使用旋轉黏度計測定黏度，測定成為10
4dPa・s時之溫度T
4(℃)。
(T
g)
按照JIS R3103-3(2001年)中規定之方法，藉由熱膨脹法進行測定。
(表面失透溫度)
將玻璃粉碎，使用試驗用篩以粒徑成為2～4 mm之範圍之方式進行分級。將所獲得之玻璃屑於異丙基醇中進行5分鐘超音波洗淨，利用離子交換水洗淨之後，使其乾燥，放入至鉑製之皿中，於控制為一定溫度之電氣爐中進行17小時之熱處理。熱處理之溫度係以10℃為間隔進行設定。
熱處理後，自鉑皿取出玻璃，使用光學顯微鏡，觀察於玻璃之表面析出結晶之最高溫度及不析出結晶之最低溫度。
於玻璃之表面析出結晶之最高溫度及不析出結晶之最低溫度係分別測定1次。再者，於難以進行結晶析出之判斷之情形時，有時亦會進行2次測定。
使用於玻璃表面析出結晶之最高溫度及不析出結晶之最低溫度之測定值，求出平均值，作為表面失透溫度。
(平均熱膨脹係數)
按照JIS R3102(1995年)中規定之方法，使用示差熱膨脹計進行測定。測定溫度範圍係50～350℃，將單位設為×10
-7/K進行表示。
(耐酸性)
將一邊為31～36 mm之四邊形且厚度為0.45～0.75 mm之具有兩面鏡面之玻璃板作為玻璃試樣。將玻璃試樣於酸水溶液(7.7質量%HNO
3＋6.5質量%H
2SO
4，45℃)中浸漬170秒鐘，評價每單位表面積之玻璃成分之溶出量(mg/cm
2)。將浸漬前之重量記作weight
Before，將浸漬後之重量記作weight
After，將浸漬前之玻璃試樣之縱橫之長度分別記作length、width，將厚度記作thickness時，利用下述式求出每單位表面積之玻璃成分之溶出量。
[數3]
(耐鹼性)
將一邊為31～36 mm之四邊形且厚度為0.45～0.75 mm之具有兩面鏡面之玻璃板作為玻璃試樣。將玻璃試樣於鹼水溶液(1.2質量%KOH，60℃)中浸漬30分鐘，評價每單位表面積之玻璃成分之溶出量(mg/cm
2)。將浸漬前之重量記作weight
Before，將浸漬後之重量記作weight
After，將浸漬前之玻璃試樣之縱橫之長度分別記作length、width，將厚度記作thickness時，利用下述式求出每單位表面積之玻璃成分之溶出量。
[數4]
(板厚(mm))
厚度係利用測微計(Mitutoyo股份有限公司之「Coolant Proof Micrometer」、Code No.293 230 30)進行測定。
(Abs-OH、(Abs
β -OH－Abs
Base))
以成為厚度0.45～0.75 mm之玻璃板之方式進行玻璃試樣之兩面鏡面研磨後，使用FT-IR於波數4000～2000 cm
-1之範圍內進行透過率測定而求出。將波數3846 cm
-1下之透過率設為τ
1(%)，將波數3700～3200 cm
-1之透過率之最小值設為τ
2(%)，利用下述式求出Abs-OH。
Abs-OH＝log
10(τ
2/100)/log
10(τ
1/100)
(Abs
β -OH－Abs
Base)係設為Abs
β -OH＝-log
10(τ
2/100)、Abs
Base＝-log
10(τ
1/100)，藉由該等之差量而求出。
(ΔAbs-OH)
測定厚度0.45～0.75 mm之玻璃板之Abs-OH。將玻璃板於溫度60℃、相對濕度95%下靜置，自靜置開始90小時後，測定玻璃板之Abs-OH，算出自靜置後之Abs-OH減去靜置前之Abs-OH所得之值作為ΔAbs-OH。
(Δ(Abs
β -OH－Abs
Base))
測定厚度0.45～0.75 mm之玻璃板之(Abs
β -OH－Abs
Base)。將該玻璃板於溫度60℃、相對濕度95%下靜置，自靜置開始90小時後，測定玻璃板之(Abs
β -OH－Abs
Base)，算出自靜置後之(Abs
β -OH－Abs
Base)減去靜置前之(Abs
β -OH－Abs
Base)所得之值作為Δ(Abs
β -OH－Abs
Base)。
[表1]
| 表1 | |||||||
| [mol%] | 例1 | 例2 | 例3 | 例4 | 例5 | 例6 | |
| SiO 2 | 71.3 | 68.8 | 69.4 | 74.0 | 73.0 | 74.0 | |
| Al 2O 3 | 5.0 | 4.0 | 4.0 | 5.0 | 5.0 | 4.0 | |
| B 2O 3 | 18.4 | 22.9 | 22.5 | 18.0 | 18.0 | 18.0 | |
| MgO | 3.5 | 0 | 0 | 2.2 | 3.2 | 3.2 | |
| CaO | 0 | 3.0 | 3.0 | 0 | 0 | 0 | |
| SrO | 1.0 | 0.5 | 1.0 | 0.8 | 0.8 | 0.8 | |
| BaO | 0.5 | 0.5 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| Li 2O | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| Na 2O | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| K 2O | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| Cl | 0.28 | 0.30 | 0.20 | - | - | - | |
| SO 3 | 0.0078 | 0.0088 | 0.0016 | - | - | - | |
| Fe 2O 3 | 0.0016 | 0.0014 | 0.0015 | - | - | - | |
| TiO 2 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| RO | 5.0 | 4.0 | 4.0 | 3.0 | 4.0 | 4.0 | |
| R 2O | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| SiO 2＋B 2O 3 | 89.7 | 91.7 | 91.8 | 92.0 | 91.0 | 92.0 | |
| B 2O 3－(RO＋R 2O－Al 2O 3) | 18.4 | 22.9 | 22.5 | 20.0 | 19.0 | 18.0 | |
| Al 2O 3－RO | 0 | 0 | 0 | 2.0 | 1.0 | 0 | |
| Al 2O 3×RO | 24.85 | 15.90 | 15.94 | 15.00 | 20.00 | 16.00 | |
| Al 2O 3×R 2O | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| MgO＋CaO | 3.5 | 3.0 | 3.0 | 2.2 | 3.2 | 3.2 | |
| SrO＋BaO | 1.5 | 1.0 | 1.0 | 0.8 | 0.8 | 0.8 | |
| (MgO＋CaO)－(SrO＋BaO) | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 1.4 | 2.4 | 2.4 | |
| ((MgO＋CaO)－(SrO＋BaO))/Al 2O 3 | 0.40 | 0.50 | 0.50 | 0.28 | 0.48 | 0.60 | |
| MgO/(MgO＋Al 2O 3) | 0.41 | 0 | 0 | 0.31 | 0.39 | 0.44 | |
| Na 2O/R 2O | × | × | × | × | × | × | |
| (SrO＋BaO)/(MgO＋CaO) | 0.43 | 0.33 | 0.33 | 0.36 | 0.25 | 0.25 | |
| 相對介電常數(10 GHz) | 4.19 | 4.13 | 4.10 | 4.05 | 4.09 | 4.04 | |
| 介電損耗因數(10 GHz) | 0.0018 | 0.0014 | 0.0012 | 0.0013 | 0.0015 | 0.0014 | |
| 密度(g/cm 3) | - | - | - | - | - | - | |
| T 2(℃) | (1861) | (1810) | (1819) | (1911) | (1888) | (1915) | |
| T 4(℃) | (1376) | (1316) | (1332) | (1419) | (1408) | (1420) | |
| T g(℃) | 659 | 617 | (587) | (611) | (613) | (598) | |
| 表面失透溫度(℃) | - | - | - | - | - | - | |
| 平均熱膨脹係數(×10 -7/K) | 28.2 | 31.8 | (28.3) | (24.4) | (25.0) | (24.8) | |
| 耐酸性(mg/cm 2) | 0.002 | 0.014 | 0.021 | (0.001) | (0.003) | (0.002) | |
| 耐鹼性(mg/cm 2) | 0.046 | 0.064 | 0.100 | (0.025) | (0.037) | (0.030) | |
| 板厚(mm) | 0.502 | 0.493 | 0.498 | 0.677 | 0.678 | 0.687 | |
| 耐濕性(∆Abs-OH) | 0.31 | 1.26 | 0.75 | 0.05 | 0.12 | 0.08 | |
| Abs-OH | 1.62 | 1.43 | 4.41 | 1.97 | 1.77 | 1.94 | |
| Abs β -OH－Abs Base | 0.034 | 0.024 | 0.176 | 0.060 | 0.047 | 0.058 | |
| ∆(Abs β -OH－Abs Base) | 0.02 | 0.06 | 0.03 | 0.01 | 0.01 | 0.01 |
[表2]
| 表2 | |||||||
| [mol%] | 例7 | 例8 | 例9 | 例10 | 例11 | 例12 | |
| SiO 2 | 71.9 | 70.9 | 71.0 | 73.9 | 70.0 | 75.9 | |
| Al 2O 3 | 4.0 | 5.0 | 5.0 | 5.0 | 4.0 | 0.5 | |
| B 2O 3 | 20.0 | 22.0 | 22.0 | 19.0 | 24.0 | 21.5 | |
| MgO | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| CaO | 3.0 | 1.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 0 | |
| SrO | 1.0 | 1.0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| BaO | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| Li 2O | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0.8 | |
| Na 2O | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0.8 | |
| K 2O | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0.4 | |
| Cl | 0.17 | 0.08 | 0.04 | 0.09 | 0.03 | 0.12 | |
| SO 3 | 0.0064 | 0.0033 | 0.0028 | 0.0031 | 0.0038 | 0.0039 | |
| Fe 2O 3 | 0.0018 | 0.0017 | 0.0015 | 0.0014 | 0.0022 | 0.0014 | |
| TiO 2 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| RO | 4.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 0 | |
| R 2O | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 2.0 | |
| SiO 2＋B 2O 3 | 91.8 | 92.9 | 93.0 | 92.9 | 94.0 | 97.4 | |
| B 2O 3－(RO＋R 2O－Al 2O 3) | 20.0 | 25.0 | 25.0 | 22.0 | 26.0 | 20.0 | |
| Al 2O 3－RO | 0 | 3.0 | 3.0 | 3.0 | 2.0 | 0.5 | |
| Al 2O 3×RO | 15.94 | 9.98 | 9.99 | 9.98 | 7.99 | 0 | |
| Al 2O 3×R 2O | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1.00 | |
| MgO＋CaO | 3.0 | 1.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 0 | |
| SrO＋BaO | 1.0 | 1.0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| (MgO＋CaO)－(SrO＋BaO) | 2.0 | 0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 0 | |
| ((MgO＋CaO)－(SrO＋BaO))/Al 2O 3 | 0.50 | 0 | 0.40 | 0.40 | 0.50 | 0 | |
| MgO/(MgO＋Al 2O 3) | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| Na 2O/R 2O | × | × | × | × | × | 0.40 | |
| (SrO＋BaO)/(MgO＋CaO) | 0.33 | 1.00 | 0 | 0 | 0 | × | |
| 相對介電常數(10 GHz) | 4.12 | 4.03 | 4.00 | 4.02 | 3.96 | 3.87 | |
| 介電損耗因數(10 GHz) | 0.0013 | 0.0011 | 0.0011 | 0.0012 | 0.0013 | 0.0016 | |
| 密度(g/cm 3) | - | 2.17 | 2.16 | 2.17 | 2.14 | - | |
| T 2(℃) | (1861) | (1861) | (1846) | (1897) | (1840) | (1802) | |
| T 4(℃) | (1366) | (1366) | (1362) | (1403) | (1348) | (1151) | |
| T g(℃) | (598) | (591) | 643 | 670 | 584 | (504) | |
| 表面失透溫度(℃) | - | 1350以下 | 1350以下 | 1250以下 | 1250以下 | - | |
| 平均熱膨脹係數(×10 -7/K) | (27.1) | (25.9) | 28.9 | 25.2 | 30.8 | (27.6) | |
| 耐酸性(mg/cm 2) | 0.008 | (0.003) | 0.001 | 0.000 | 0.001 | (0.000) | |
| 耐鹼性(mg/cm 2) | 0.054 | (0.033) | 0.029 | 0.021 | 0.034 | (0.013) | |
| 板厚(mm) | 0.483 | 0.650 | 0.680 | 0.694 | 0.678 | 0.705 | |
| 耐濕性(∆Abs-OH) | 0.27 | 0.27 | 0.67 | 0.23 | 1.79 | 0.07 | |
| Abs-OH | 4.43 | 1.89 | 1.61 | 1.47 | 3.65 | 4.30 | |
| Abs β -OH－Abs Base | 0.170 | 0.054 | 0.040 | 0.029 | 0.180 | 0.206 | |
| ∆(Abs β -OH－Abs Base) | 0.02 | 0.02 | 0.04 | 0.01 | 0.13 | 0.02 |
[表3]
| 表3 | |||||||
| [mol%] | 例13 | 例14 | 例15 | 例16 | 例17 | 例18 | |
| SiO 2 | 74.9 | 74.9 | 74.9 | 74.9 | 71.0 | 72.0 | |
| Al 2O 3 | 0.5 | 0.50 | 0.50 | 0.50 | 4.0 | 5.0 | |
| B 2O 3 | 22.5 | 22.5 | 22.5 | 22.5 | 22.0 | 20.0 | |
| MgO | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| CaO | 0 | 0 | 0 | 0 | 2.0 | 1.0 | |
| SrO | 0 | 0 | 0 | 0 | 1.0 | 1.0 | |
| BaO | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1.0 | |
| Li 2O | 0.8 | 0.8 | 0.8 | 0.8 | 0 | 0 | |
| Na 2O | 0.9 | 0.9 | 0.9 | 0.9 | 0 | 0 | |
| K 2O | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0 | 0 | |
| Cl | 0.15 | 0.09 | 0.10 | 0.13 | 0 | 0 | |
| SO 3 | 0.0078 | 0.0020 | 0.0060 | 0.0038 | 0 | 0 | |
| Fe 2O 3 | 0.0011 | 0.0016 | 0.0011 | 0.0009 | 0 | 0 | |
| TiO 2 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| RO | 0 | 0 | 0 | 0 | 3.0 | 3.0 | |
| R 2O | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 0 | 0 | |
| SiO 2＋B 2O 3 | 97.3 | 97.3 | 97.3 | 97.3 | 93.0 | 92.0 | |
| B 2O 3－(RO＋R 2O－Al 2O 3) | 21.0 | 21.0 | 21.0 | 21.0 | 23.0 | 22.0 | |
| Al 2O 3－RO | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 1.0 | 2.0 | |
| Al 2O 3×RO | 0 | 0 | 0 | 0 | 12.0 | 15.0 | |
| Al 2O 3×R 2O | 1.00 | 1.00 | 1.00 | 1.00 | 0 | 0 | |
| MgO＋CaO | 0 | 0 | 0 | 0 | 2.0 | 1.0 | |
| SrO＋BaO | 0 | 0 | 0 | 0 | 1.0 | 2.0 | |
| (MgO＋CaO)－(SrO＋BaO) | 0 | 0 | 0 | 0 | 1.0 | -1.0 | |
| ((MgO＋CaO)－(SrO＋BaO))/Al 2O 3 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0.25 | -0.20 | |
| MgO/(MgO＋Al 2O 3) | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| Na 2O/R 2O | 0.45 | 0.45 | 0.45 | 0.45 | × | × | |
| (SrO＋BaO)/(MgO＋CaO) | × | × | × | × | × | × | |
| 相對介電常數(10 GHz) | 3.84 | 3.89 | 3.88 | 3.87 | (4.06) | (4.16) | |
| 介電損耗因數(10 GHz) | 0.0014 | 0.0014 | 0.0015 | 0.0014 | (0.0010) | (0.0012) | |
| 密度(g/cm 3) | - | - | - | - | - | - | |
| T 2(℃) | (1800) | - | - | - | (1858) | (1876) | |
| T 4(℃) | (1135) | - | - | - | (1359) | (1358) | |
| T g(℃) | (499) | - | - | - | (583) | (598) | |
| 表面失透溫度(℃) | - | - | - | - | - | - | |
| 平均熱膨脹係數(×10 -7/K) | (27.9) | - | - | - | (26.8) | (26.5) | |
| 耐酸性(mg/cm 2) | (0.000) | - | - | - | (0.001) | (0.001) | |
| 耐鹼性(mg/cm 2) | (0.016) | - | - | - | (0.071) | (0.057) | |
| 板厚(mm) | 0.684 | 0.6762 | 0.692 | 0.6832 | - | - | |
| 耐濕性(∆Abs-OH) | 0.99 | - | - | - | (0.95) | (0.40) | |
| Abs-OH | 4.26 | - | - | - | - | - | |
| Abs β -OH－Abs Base | 0.206 | - | - | - | - | - | |
| ∆(Abs β -OH－Abs Base) | 0.04 | - | - | - | (0～0.05) | (0～0.05) |
[表4]
| 表4 | ||||||
| [mol%] | 例19 | 例20 | 例21 | 例22 | 例23 | 例24 |
| SiO 2 | 71.0 | 74.0 | 70.0 | 70.0 | 77.0 | 74.0 |
| Al 2O 3 | 5.0 | 4.0 | 4.0 | 3.0 | 0.3 | 0.3 |
| B 2O 3 | 22.0 | 20.0 | 24.0 | 24.0 | 20.5 | 23.5 |
| MgO | 0 | 0 | 0 | 0.5 | 0 | 0 |
| CaO | 1.0 | 1.0 | 1.0 | 1.0 | 0 | 0 |
| SrO | 1.0 | 1.0 | 1.0 | 1.0 | 0 | 0 |
| BaO | 0 | 0 | 0 | 0.5 | 0 | 0 |
| Li 2O | 0 | 0 | 0 | 0 | 1.0 | 1.0 |
| Na 2O | 0 | 0 | 0 | 0 | 1.0 | 0.9 |
| K 2O | 0 | 0 | 0 | 0 | 0.2 | 0.3 |
| Cl | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| SO 3 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Fe 2O 3 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| TiO 2 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| RO | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 3.0 | 0 | 0 |
| R 2O | 0 | 0 | 0 | 0 | 2.2 | 2.2 |
| SiO 2＋B 2O 3 | 93.0 | 94.0 | 94.0 | 94.0 | 97.5 | 97.5 |
| B 2O 3－(RO＋R 2O－Al 2O 3) | 25.0 | 22.0 | 26.0 | 24.0 | 18.6 | 21.6 |
| Al 2O 3－RO | 3.0 | 2.0 | 2.0 | 0 | 0.3 | 0.3 |
| Al 2O 3×RO | 10.0 | 8.0 | 8.0 | 9.0 | 0 | 0 |
| Al 2O 3×R 2O | 0 | 0 | 0 | 0 | 0.66 | 0.66 |
| MgO＋CaO | 1.0 | 1.0 | 1.0 | 1.5 | 0 | 0 |
| SrO＋BaO | 1.0 | 1.0 | 1.0 | 1.5 | 0 | 0 |
| (MgO＋CaO)－(SrO＋BaO) | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| ((MgO＋CaO)－(SrO＋BaO))/Al 2O 3 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| MgO/(MgO＋Al 2O 3) | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Na 2O/R 2O | × | × | × | × | 0.45 | 0.41 |
| (SrO＋BaO)/(MgO＋CaO) | × | × | × | × | × | × |
| 相對介電常數(10 GHz) | (4.02) | (4.06) | (3.96) | (4.00) | (3.98) | (3.92) |
| 介電損耗因數(10 GHz) | (0.0010) | (0.0010) | (0.0009) | (0.0009) | (0.0018) | (0.0016) |
| 密度(g/cm 3) | - | - | - | - | - | - |
| T 2(℃) | (1861) | (1921) | (1854) | (1860) | - | - |
| T 4(℃) | (1366) | (1406) | (1351) | (1341) | - | - |
| T g(℃) | (591) | (605) | (567) | (551) | (497) | (488) |
| 表面失透溫度(℃) | - | - | - | - | - | - |
| 平均熱膨脹係數(×10 -7/K) | (25.9) | (24.7) | (26.7) | (27.5) | (27.4) | (28.7) |
| 耐酸性(mg/cm 2) | (0.001) | (0.000) | (0.001) | (0.002) | (0.000) | (0.000) |
| 耐鹼性(mg/cm 2) | (0.057) | (0.033) | (0.071) | (0.089) | (0.022) | (0.039) |
| 板厚(mm) | - | - | - | - | - | - |
| 耐濕性(∆Abs-OH) | (0.77) | (0.45) | (1.33) | (1.51) | (0.21) | (0.87) |
| Abs-OH | - | - | - | - | - | - |
| Abs β -OH－Abs Base | - | - | - | - | - | - |
| ∆(Abs β -OH－Abs Base) | (0～0.05) | (0～0.05) | (0～0.1) | (0～0.1) | (0～0.05) | (0～0.1) |
[表5]
| 表5 | |||||||
| [mol%] | 例25 | 例26 | 例27 | 例28 | 例29 | 例30 | 例31 |
| SiO 2 | 76.8 | 75.8 | 75.8 | 75.0 | 59.7 | 64.4 | 68.0 |
| Al 2O 3 | 0.4 | 0.4 | 0.4 | 0.2 | 4.0 | 4.0 | 4.0 |
| B 2O 3 | 21.0 | 22.0 | 22.0 | 23.0 | 30.0 | 27.4 | 26.0 |
| MgO | 0 | 0 | 0 | 0 | 3.2 | 0 | 0 |
| CaO | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 3.0 | 2.0 |
| SrO | 0 | 0 | 0 | 0 | 0.8 | 1.0 | 0 |
| BaO | 0 | 0 | 0 | 0 | 0.2 | 0 | 0 |
| Li 2O | 0.4 | 0.9 | 0.4 | 0.7 | 0 | 0 | 0 |
| Na 2O | 1.2 | 0.6 | 1.0 | 0.8 | 0 | 0 | 0 |
| K 2O | 0.2 | 0.3 | 0.4 | 0.3 | 0 | 0 | 0 |
| Cl | 0 | 0 | 0 | 0 | 0.10 | 0.19 | 0.03 |
| SO 3 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0.0070 | 0.0035 | 0.0038 |
| Fe 2O 3 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0.0028 | 0.0015 | 0.0015 |
| TiO 2 | 0 | 0 | 0 | 0 | 2.0 | 0 | 0 |
| RO | 0 | 0 | 0 | 0 | 4.2 | 4.0 | 2.0 |
| R 2O | 1.8 | 1.8 | 1.8 | 1.8 | 0 | 0 | 0 |
| SiO 2＋B 2O 3 | 97.8 | 97.8 | 97.8 | 98.0 | 89.7 | 91.8 | 94.0 |
| B 2O 3－(RO＋R 2O－Al 2O 3) | 19.6 | 20.6 | 20.6 | 21.4 | 29.8 | 27.4 | 28.0 |
| Al 2O 3－RO | 0.4 | 0.4 | 0.4 | 0.2 | -0.2 | 0 | 2.0 |
| Al 2O 3×RO | 0 | 0 | 0 | 0 | 16.8 | 15.9 | 8.0 |
| Al 2O 3×R 2O | 0.72 | 0.72 | 0.72 | 0.36 | 0 | 0 | 0 |
| MgO＋CaO | 0 | 0 | 0 | 0 | 3.2 | 3.0 | 2.0 |
| SrO＋BaO | 0 | 0 | 0 | 0 | 1.0 | 1.0 | 0 |
| (MgO＋CaO)－(SrO＋BaO) | 0 | 0 | 0 | 0 | 2.2 | 2.0 | 2.0 |
| ((MgO＋CaO)－(SrO＋BaO))/Al 2O 3 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0.55 | 0.50 | 0.50 |
| MgO/(MgO＋Al 2O 3) | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Na 2O/R 2O | 0.67 | 0.33 | 0.56 | 0.44 | × | × | × |
| (SrO＋BaO)/(MgO＋CaO) | × | × | × | × | × | × | × |
| 相對介電常數(10 GHz) | (3.95) | (3.90) | (3.93) | (3.89) | 4.09 | 4.07 | 3.96 |
| 介電損耗因數(10 GHz) | (0.0021) | (0.0012) | (0.0019) | (0.0015) | 0.0013 | 0.0011 | 0.0012 |
| 密度(g/cm 3) | - | - | - | - | - | - | - |
| T 2(℃) | - | - | - | - | (1696) | (1735) | (1806) |
| T 4(℃) | - | - | - | - | (1239) | (1264) | (1321) |
| T g(℃) | (507) | (502) | (506) | (493) | (575) | (567) | 569 |
| 表面失透溫度(℃) | - | - | - | - | - | - | - |
| 平均熱膨脹係數(×10 -7/K) | (26.8) | (27.2) | (27.5) | (27.9) | (29.4) | (31.2) | 32.1 |
| 耐酸性(mg/cm 2) | (0.000) | (0.000) | (0.000) | (0.000) | - | 0.058 | 0.002 |
| 耐鹼性(mg/cm 2) | (0.021) | (0.026) | (0.026) | (0.030) | - | 0.160 | 0.043 |
| 板厚(mm) | - | - | - | - | 0.495 | 0.483 | 0.691 |
| 耐濕性(∆Abs-OH) | (0.43) | (0.65) | (0.65) | (0.89) | 7.22 | 4.44 | 7.62 |
| Abs-OH | - | - | - | - | 3.93 | 4.49 | 3.98 |
| Abs β -OH－Abs Base | - | - | - | - | 0.178 | 0.185 | 0.209 |
| ∆(Abs β -OH－Abs Base) | (0～0.05) | (0～0.1) | (0～0.05) | (0～0.05) | 0.48 | 0.24 | 0.62 |
關於SrO為0.1～4%、[Al
2O
3]×[RO]為超過0～30、[MgO]＋[CaO]為0.1～5.9、[MgO]/([MgO]＋[Al
2O
3])為0～0.45之例1～例8、例17～例22，頻率10 GHz下之相對介電常數為4.5以下，頻率10 GHz下之介電損耗因數為0.005以下，耐酸性評價中為0.05 mg/cm
2以下，耐鹼性評價中為0.15 mg/cm
2以下，ΔAbs-OH為4.0以下，Δ(Abs
β -OH－Abs
Base)為0.2以下。
關於CaO為0.1～6%、[Al
2O
3]×[RO]為超過0～28、(([MgO]＋[CaO])－([SrO]＋[BaO]))/[Al
2O
3]為-3.0～0.60之例2～例3、例7～11、例17～例22，頻率10 GHz下之相對介電常數為4.5以下，頻率10 GHz下之介電損耗因數為0.005以下，耐酸性評價中為0.05 mg/cm
2以下，耐鹼性評價中為0.15 mg/cm
2以下，ΔAbs-OH為4.0以下，Δ(Abs
β -OH－Abs
Base)為0.2以下。
關於Li
2O超過0%、K
2O為超過0～0.8%、R
2O超過0～4%、[Al
2O
3]×[R
2O]為超過0～1.40、[Na
2O]/[R
2O]為0.30～0.99之例12～例13、例23～28，頻率10 GHz下之相對介電常數為4.5以下，頻率10 GHz下之介電損耗因數為0.005以下，耐酸性評價中為0.05 mg/cm
2以下，耐鹼性評價中為0.15 mg/cm
2以下，ΔAbs-OH為4.0以下，Δ(Abs
β -OH－Abs
Base)為0.2以下。
關於SiO
2未達68%、[B
2O
3]－([RO]＋[R
2O]－[Al
2O
3])超過27%之例29，ΔAbs-OH及Δ(Abs
β -OH－Abs
Base)與實施例相比較大，耐濕性差。
關於SiO
2未達68%、[B
2O
3]－([RO]＋[R
2O]－[Al
2O
3])超過27%之例30，與實施例相比，ΔAbs-OH及Δ(Abs
β -OH－Abs
Base)較大，耐濕性差。又，耐酸性及耐鹼性亦差。
關於[B
2O
3]－([RO]＋[R
2O]－[Al
2O
3])超過27%之例31，ΔAbs-OH及Δ(Abs
β -OH－Abs
Base)與實施例相比較大，耐濕性差。
圖2係表示[B
2O
3]－([RO]＋[R
2O]－[Al
2O
3])與ΔAbs-OH之關係的圖表，描繪了例1～13及例26～28之結果。如圖2所示，可知伴隨[B
2O
3]－([RO]＋[R
2O]－[Al
2O
3])之增加，玻璃之耐濕性變差。又，若[B
2O
3]－([RO]＋[R
2O]－[Al
2O
3])超過27%，則ΔAbs-OH顯著增大。本發明之玻璃由於[B
2O
3]－([RO]＋[R
2O]－[Al
2O
3])為27%以下，故ΔAbs-OH較低，玻璃之耐濕性優異。
圖3係表示例13～16中之玻璃中之Cl之含量與Abs-OH之關係的圖表。如圖3所示，伴隨玻璃中之Cl之含量之增加，出現Abs-OH減小之傾向。圖4係表示例13～16中之Abs-OH與頻率10 GHz下之相對介電常數及介電損耗因數之關係的圖表。如圖4所示，伴隨Abs-OH之減小，相對介電常數及介電損耗因數降低，介電特性提高。因此，藉由添加Cl，介電特性提高。
詳細且參照特定實施態樣說明了本發明，但業者顯然可於不脫離本發明之精神及範圍之情況下進行各種變更及修正。
[產業上之可利用性]
本發明之玻璃之表面失透溫度較低、耐化學品性及耐濕性優異，且能夠降低高頻信號之介電損耗。包含此種玻璃之玻璃板可用於處理10 GHz以上之高頻信號、尤其是30 GHz以上之高頻信號、進而頻率35 GHz以上之高頻信號之所有高頻電子裝置，例如通信機器之玻璃基板(無線通信所需之天線模組或高頻被動元件所用之基板等)、SAW裝置及FBAR等頻率濾波器元件、導波管等帶通濾波器或SIW(Substrate integrated waveguide)元件、雷達元件、天線元件(最適於衛星通信之液晶天線等)、窗玻璃、車輛用窗玻璃、顯示器面板等。
參照特定態樣詳細說明了本發明，但業者顯然可於不脫離本發明之精神及範圍之情況下進行各種變更及修正。再者，本申請基於2022年5月9日提出申請之日本專利申請(特願2022-077216)，藉由引用而援用其整體。又，此處引用之全部參照均作為整體引入本文。
1:電路基板
2:玻璃基板
2a,2b:主表面
3,4:配線層
圖1係表示高頻裝置用電路基板之構成之一例之概略剖視圖。
圖2係表示[B
2O
3]－([RO]＋[R
2O]－[Al
2O
3])與ΔAbs-OH之關係的圖表。
圖3係表示例13～16中之Cl與Abs-OH之關係的圖表。
圖4係表示例13～16中之Abs-OH與頻率10 GHz下之相對介電常數及介電損耗因數之關係的圖表。
Claims (12)
- 一種玻璃，其中以氧化物基準之莫耳%表示， SiO 2為68%以上， Al 2O 3為0.1～8%， [SiO 2]＋[B 2O 3]為88%以上， [B 2O 3]－([RO]＋[R 2O]－[Al 2O 3])為27%以下， 25℃、頻率10 GHz下之相對介電常數為4.5以下， 25℃、頻率10 GHz下之介電損耗因數為0.005以下， 藉由下述方法算出之ΔAbs-OH為4.0以下，且 SrO為0.1～4%， MgO、CaO、SrO及BaO之合計含量(RO)為超過0～6%， Li 2O、Na 2O及K 2O之合計含量(R 2O)為0～1%， [Al 2O 3]－[RO]為-3～未達8%， [Al 2O 3]×[RO]為超過0～30， [MgO]＋[CaO]為0.1～5.9%， [MgO]/([MgO]＋[Al 2O 3])為0～0.45； []表示括弧內記載之成分之以氧化物基準之莫耳%表示之含量； 方法：將玻璃製成厚度0.45～0.75 mm之玻璃板，測定Abs-OH之後，將該玻璃板於溫度60℃、相對濕度95%下靜置；自靜置開始90小時後，測定該玻璃板之Abs-OH；算出自靜置後之Abs-OH減去靜置前之Abs-OH所得之值作為ΔAbs-OH。
- 一種玻璃，其中以氧化物基準之莫耳%表示， SiO 2為68%以上， Al 2O 3為0.1～8%， [SiO 2]＋[B 2O 3]為88%以上， [B 2O 3]－([RO]＋[R 2O]－[Al 2O 3])為27%以下， 25℃、頻率10 GHz下之相對介電常數為4.5以下， 25℃、頻率10 GHz下之介電損耗因數為0.005以下， 藉由下述方法算出之ΔAbs-OH為4.0以下，且 CaO為0.1～6%， MgO、CaO、SrO及BaO之合計含量(RO)為超過0～6%， Li 2O、Na 2O及K 2O之合計含量(R 2O)為0～1%， [Al 2O 3]－[RO]為-3～未達8%， [Al 2O 3]×[RO]為超過0～28， (([MgO]＋[CaO])－([SrO]＋[BaO]))/[Al 2O 3]為-3.0～0.60； []表示括弧內記載之成分之以氧化物基準之莫耳%表示之含量； 方法：將玻璃製成厚度0.45～0.75 mm之玻璃板，測定Abs-OH之後，將該玻璃板於溫度60℃、相對濕度95%下靜置；自靜置開始90小時後，測定該玻璃板之Abs-OH；算出自靜置後之Abs-OH減去靜置前之Abs-OH所得之值作為ΔAbs-OH。
- 一種玻璃，其中以氧化物基準之莫耳%表示， SiO 2為68%以上， Al 2O 3為0.1～8%， [SiO 2]＋[B 2O 3]為88%以上， [B 2O 3]－([RO]＋[R 2O]－[Al 2O 3])為27%以下， 25℃、頻率10 GHz下之相對介電常數為4.5以下， 25℃、頻率10 GHz下之介電損耗因數為0.005以下， 藉由下述方法算出之ΔAbs-OH為4.0以下，且 Li 2O超過0%， K 2O為超過0～0.8%， MgO、CaO、SrO及BaO之合計含量(RO)為0～0.5%， Li 2O、Na 2O及K 2O之合計含量(R 2O)為超過0～4%， [Al 2O 3]×[R 2O]為超過0～1.40， [Na 2O]/[R 2O]為0.30～0.99； []表示括弧內記載之成分之以氧化物基準之莫耳%表示之含量； 方法：將玻璃製成厚度0.45～0.75 mm之玻璃板，測定Abs-OH之後，將該玻璃板於溫度60℃、相對濕度95%下靜置；自靜置開始90小時後，測定該玻璃板之Abs-OH；算出自靜置後之Abs-OH減去靜置前之Abs-OH所得之值作為ΔAbs-OH。
- 如請求項1至3中任一項之玻璃，其中藉由下述方法算出之耐酸性為0.05 mg/cm 2以下，耐鹼性為0.15 mg/cm 2以下； 耐酸性之評價方法：將玻璃製成一邊為31～36 mm之四邊形且厚度為0.45～0.75 mm之玻璃板，將該玻璃板於酸水溶液(含有7.7質量%之HNO 3及6.5質量%之H 2SO 4之45℃之水溶液)中浸漬170秒鐘，算出每單位表面積之玻璃成分之溶出量(mg/cm 2)作為耐酸性； 耐鹼性之評價方法：將玻璃製成一邊為31～36 mm之四邊形且厚度為0.45～0.75 mm之玻璃板，將該玻璃板於鹼水溶液(含有1.2質量%KOH之60℃之水溶液)中浸漬30分鐘，算出每單位表面積之玻璃成分之溶出量(mg/cm 2)作為耐鹼性。
- 如請求項1至3中任一項之玻璃，其中以氧化物基準之莫耳%表示包含0.01%以上之Cl。
- 如請求項1至3中任一項之玻璃，其中Abs-OH為0.1～10。
- 如請求項1至3中任一項之玻璃，其於50～350℃下之平均熱膨脹係數為20×10 -7/K～50×10 -7/K。
- 如請求項1至3中任一項之玻璃，其玻璃轉移溫度為750℃以下。
- 一種玻璃板，其含有如請求項1至3中任一項之玻璃，具有主表面及端面，且厚度為0.75 mm以下。
- 一種玻璃板之製造方法，其係藉由浮式法或熔融法來製造如請求項1至3中任一項之玻璃。
- 一種玻璃基板，其具備如請求項1至3中任一項之玻璃並用於處理10 GHz以上之高頻信號之高頻裝置。
- 一種玻璃基板，其包含如請求項1至3中任一項之玻璃， 於上述玻璃基板上形成有配線層。
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| JP2022-077216 | 2022-05-09 |
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