TW202404729A - 雷射退火裝置、雷射退火方法、雷射退火程式 - Google Patents
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Abstract
一種雷射退火裝置等，係能夠藉由1個脈衝雷射裝置有效地實現半導體晶圓的表面的熔融及半導體晶圓的表面下的活性化。雷射退火裝置執行：表面熔融步驟，係對半導體晶圓照射脈衝雷射裝置所振盪之雷射脈衝(LP)，藉由複數個雷射脈衝(LP)，使半導體晶圓的表面升溫至熔點以上而熔融；及活性化步驟，係接著表面熔融步驟持續對半導體晶圓照射雷射脈衝(LP)，進一步藉由複數個雷射脈衝(LP)，使半導體晶圓的表面下在至少既定時間內升溫至既定的活性化溫度以上，活性化添加到半導體晶圓的表面下之摻雜劑。活性化步驟使半導體晶圓的表面下10μm為止的區域在至少10μs內升溫至1000℃以上。
Description
本發明係有關一種雷射退火裝置等。
專利文獻1中揭示了一種對半導體晶圓照射雷射裝置所振盪之雷射光之雷射退火技術。在以形成極淺的pn接合為目的之本技術中，藉由照射不熔融半導體晶圓之強度的雷射光，活性化添加到半導體晶圓的表面正下方之摻雜劑。又，藉由隨後的「低溫急速熱退火」，半導體晶圓的結晶損傷被修復。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1] 日本特表2003-528462號專利公報
[專利文獻2] 日本特開2013-258288號專利公報
[發明所欲解決之問題]
在雷射退火中，不同於專利文獻1，藉由使半導體晶圓的表面熔融來修復由摻雜劑的離子植入引起的損傷亦常見。如此，雷射退火具有藉由半導體晶圓的表面的熔融實現的損傷修復和植入於半導體晶圓內之摻雜劑的活性化這兩種不同的作用。如專利文獻2所揭示，為了有效地實現表面的熔融及表面下的活性化，需要複數種不同方式的雷射光，通常需要準備複數種不同的雷射裝置。
本發明為有鑑於該些狀況而完成之創作，其目的在於提供一種能夠藉由1個脈衝雷射裝置有效地實現半導體晶圓的表面的熔融及半導體晶圓的表面下的活性化之雷射退火裝置等。
[解決問題之技術手段]
為了解決上述課題，本發明的一方式的雷射退火裝置執行：表面熔融步驟，對半導體晶圓照射脈衝雷射裝置所振盪之雷射脈衝，藉由複數個雷射脈衝，使半導體晶圓的表面升溫至熔點以上而熔融；及活性化步驟，接著表面熔融步驟持續對半導體晶圓照射雷射脈衝，進一步藉由複數個雷射脈衝，使半導體晶圓的表面下在至少既定時間內升溫至既定的活性化溫度以上，活性化添加到半導體晶圓的表面下之摻雜劑。
在該方式中，經過連續的表面熔融步驟及活性化步驟，藉由1個脈衝雷射裝置對半導體晶圓持續照射雷射脈衝，同時進行表面的熔融及表面下的活性化。在表面熔融步驟中熔融之半導體晶圓的表面雖在活性化步驟中亦會間歇性地持續被照射雷射脈衝，但藉由來自未被照射雷射脈衝之非脈衝期間的表面的散熱等，防止在活性化步驟期間半導體晶圓的表面變成過熱狀態。再者，表面熔融步驟及活性化步驟可以在時間上重疊。
本發明的另一方式為雷射退火方法。該方法包括：表面熔融步驟，對半導體晶圓照射脈衝雷射裝置所振盪之雷射脈衝，藉由複數個雷射脈衝，使半導體晶圓的表面升溫至熔點以上而熔融；及活性化步驟，接著表面熔融步驟持續對半導體晶圓照射雷射脈衝，進一步藉由複數個雷射脈衝，使半導體晶圓的表面下在至少既定時間內升溫至既定的活性化溫度以上，活性化添加到半導體晶圓的表面下之摻雜劑。
再者，將以上構成要件的任意組合或該等表現轉換為方法、裝置、系統、記錄媒體、電腦程式等之態樣，亦包含在本發明中。
[發明之效果]
根據本發明，能夠藉由1個脈衝雷射裝置有效地實現半導體晶圓的表面的熔融及半導體晶圓的表面下的活性化。
以下，參照圖式對用於實施本發明的方式(以下，亦稱為實施方式)進行詳細說明。在說明及/或圖式中，對相同或相等的構成要件、構件、處理等標註相同的元件符號，並省略重複之說明。圖中所示之各部的縮尺和形狀係為了簡化說明而方便地設定，只要沒有特別提及，就不作限定性解釋。實施方式為示例，並非對本發明的範圍做任何限定。實施方式中記載之所有特徵及該等的組合未必限於本發明的本質者。
圖1係示意地表示本發明的實施方式之雷射退火裝置1的構成之立體圖。雷射退火裝置1為對半導體晶圓3照射脈衝雷射裝置2所振盪之雷射脈衝來實施退火處理(加熱處理)之裝置。
藉由後述之載台裝置4，能夠與晶圓平台31一體地沿著圖示的x方向驅動固定載置於晶圓平台31上之半導體晶圓3。又，藉由脈衝雷射裝置2所振盪之雷射脈衝(雷射光)藉由後述之電流計掃描器(Galvano scanner) 14，能夠沿著與x方向正交之y方向掃描(scan)。藉由電流計掃描器14沿著y方向掃描的雷射脈衝(雷射光)藉由後述之反射鏡16被反射，沿著與x方向及y方向正交之z方向入射於半導體晶圓3。
以下，根據以彼此正交之XYZ的各軸作為座標軸之三維正交座標系統，說明與雷射退火裝置1的構成及/或作用有關的方向。作為半導體晶圓3的驅動方向的x方向與X軸方向(X方向)平行，作為雷射脈衝(雷射光)的掃描方向的y方向與Y軸方向(Y方向)平行，作為雷射脈衝(雷射光)對半導體晶圓3的入射方向的z方向與Z軸方向(Z方向)平行。以下，為了方便起見，將x方向及X方向亦稱為縱向，將y方向及Y方向亦稱為橫向，將z方向及Z方向亦稱為高度方向。
脈衝雷射裝置2為以100kHz以上的頻率振盪雷射脈衝之雷射裝置。在充分獲得本實施方式之雷射退火裝置1的後述之作用或效果的基礎上，藉由脈衝雷射裝置2所振盪之雷射脈衝的頻率例如在100kHz與10MHz之間，較佳為在500kHz與5MHz之間，進一步較佳為在700kHz與3MHz之間。在本實施方式中，對藉由脈衝雷射裝置2所振盪之雷射脈衝的頻率為800kHz之例子進行說明。
本實施方式之脈衝雷射裝置2例如由藉由光纖振盪雷射脈衝之光纖雷射裝置構成。圖2示意地示出作為光纖雷射裝置的主要部分的光纖20的構成和光纖20中的雷射脈衝LP的發生及放大的原理。光纖20具備中央部的纖芯201、設置於該纖芯201的周圍之第1包層(clad)202及設置於該第1包層202的周圍之第2包層203。纖芯201的折射率高於第1包層202的折射率，第1包層202的折射率高於第2包層203的折射率。亦即，光纖20的折射率愈靠近中央部(纖芯201)愈高，愈接近周緣部(第2包層203)愈低。
從光纖20的一端(例如圖2中的左端)射入藉由雷射二極體等發光元件產生之激發光EL。該激發光EL在第1包層202與第2包層203的邊界面全反射的同時在纖芯201及第1包層202的內部傳播。激發光EL每次通過纖芯201時，激發添加到纖芯201之Yb等稀土元素等並產生成為雷射脈衝LP(雷射光)的來源之誘導發射光。產生於纖芯201之誘導發射光在纖芯201與第1包層202的邊界面全反射的同時在纖芯201的內部傳播。如後所述，在纖芯201的兩端部形成有FBG(Fiber Bragg Grating：光纖布拉格光柵)等全反射鏡或輸出鏡等反射鏡，在該等反射鏡之間重複反射的誘導發射光往復於纖芯201的內部的同時被放大，由此形成雷射脈衝LP(雷射光)。該雷射脈衝LP從形成於纖芯201的一端部(例如圖2中的右端部)之輸出鏡輸出至光纖20之外。
圖3示意地示出作為具有如圖2所示之光纖20之光纖雷射裝置的脈衝雷射裝置2的構成。脈衝雷射裝置2具備激發光供給部21、雷射光產生部22及雷射光供給部23。激發光供給部21具備發射成為激發光EL的來源之光之一個以上的雷射二極體等發光元件211、及設置有複數個發光元件211時耦合各者的光來形成激發光EL之光耦合部212。激發光供給部21將根據由發光元件211發射之光產生之激發光EL供給至雷射光產生部22。
雷射光產生部22具備從輸入端(圖3中的左端)接收激發光EL的供給之前述光纖20和形成於其兩端部之輸入鏡221及輸出鏡222。輸入鏡221及輸出鏡222例如均藉由FBG形成於纖芯201的兩端部。較佳為設置於輸入側(激發光供給部21側)之輸入鏡221的反射率高於設置於輸出側(雷射光供給部23側)之輸出鏡222的反射率。尤其，輸入鏡221較佳為構成為將成為雷射脈衝LP(雷射光)的來源之纖芯201的內部的誘導發射光全反射到輸出側之全反射鏡。輸出鏡222將纖芯201的內部的誘導發射光的一部分反射到輸入側，並將剩餘部分輸出到雷射光供給部23。
雷射光供給部23具備將雷射光產生部22所產生之雷射脈衝LP(雷射光)導引至脈衝雷射裝置2的輸出點OP之光纖231。再者，亦可以將雷射光產生部22的輸出點作為脈衝雷射裝置2的輸出點OP，此時無需設置雷射光供給部23。
圖1中，雷射脈衝LP從脈衝雷射裝置2的輸出點OP向X方向射出。將該雷射脈衝LP導引到照射對象的半導體晶圓3之雷射退火裝置1具備擴束器11、反射鏡12、光束整形光學元件13、電流計掃描器14、fθ透鏡15及反射鏡16。
擴束器11將從脈衝雷射裝置2的輸出點OP射出之雷射脈衝LP(雷射光)調整為既定的尺寸(直徑)。例如，從脈衝雷射裝置2的輸出點OP射出之雷射脈衝LP(雷射光)的截面為直徑D0的大致圓形時，擴束器11將該雷射脈衝LP(雷射光)的截面轉換(通常為擴大)為既定直徑D1的大致圓形。擴束器11由複數個透鏡111、112、113構成。通常，透鏡111為凸透鏡，透鏡112為凹透鏡，透鏡113為凸透鏡。然而，只要可獲得調整雷射脈衝LP的尺寸這一預期作用及/或效果，則構成擴束器11之透鏡及其他光學元件的數量或種類係任意的。例如，擴束器11可以由以任意順序配置之2個以上的凸透鏡和1個以上的凹透鏡構成，亦可以僅由3個以上的凸透鏡構成。
反射鏡12反射藉由擴束器11調整了尺寸的雷射脈衝LP，將其行進方向從X方向變更為Y方向。
光束整形光學元件13對藉由擴束器11調整了尺寸的雷射脈衝LP進行整形以調整其形狀及/或強度分布。例如，藉由擴束器11調整了尺寸的雷射脈衝LP的截面具有大致圓形且遵循高斯分布或常態分布之強度分布，但藉由光束整形光學元件13被整形為大致矩形且大致均勻的強度分布。此類光束整形光學元件13例如由繞射光學元件(DOE:Diffractive Optical Element)構成。
電流計掃描器14為將藉由光束整形光學元件13被整形之雷射脈衝LP沿著y方向(Y方向)掃描的雷射脈衝掃描部。電流計掃描器14具備可反射雷射脈衝LP的電流計鏡141和繞Z軸旋轉驅動該電流計鏡141之馬達142。藉由馬達142調整繞電流計鏡141的Z軸之旋轉位置或旋轉角度，射入電流計鏡141之雷射脈衝LP可被反射到任意的y方向位置。
再者，將雷射脈衝LP沿著y方向掃描之雷射脈衝掃描部並不限於電流計掃描器14，亦可以由具備可旋轉驅動的多面鏡之多面鏡掃描器或MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微機電系統)反射鏡等構成。又，電流計掃描器14等雷射脈衝掃描部致使的雷射脈衝LP的掃描方向亦不限於y方向(Y方向)，可以為x方向(X方向)等與y方向(Y方向)交叉之方向，亦可以為x方向(X方向)及y方向(Y方向)這兩個方向。在如後者的情形般電流計掃描器14等雷射脈衝掃描部能夠在xy平面內(XY平面內)亦即半導體晶圓3面內掃描雷射脈衝LP之情形下，可以不設置沿著x方向(X方向)等驅動半導體晶圓3及晶圓平台31之載台裝置4。
fθ透鏡15將藉由電流計掃描器14沿著y方向(Y方向)被掃描之雷射脈衝LP聚焦至退火對象的半導體晶圓3。設置於fθ透鏡15與半導體晶圓3之間的反射鏡16將來自fθ透鏡15之X方向的雷射脈衝LP反射並沿著Z方向(z方向)照射到半導體晶圓3。如此藉由fθ透鏡15及反射鏡16聚焦到半導體晶圓3之雷射脈衝LP藉由電流計掃描器14致使的y方向的掃描在半導體晶圓3面內沿著Y方向移動。聚焦到半導體晶圓3之雷射脈衝LP的尺寸能夠任意設計，但例如較佳為在0.10mm見方與0.15mm見方之間，進一步較佳為在0.12mm見方與0.13mm見方之間。又，半導體晶圓3面上的雷射脈衝LP的Y方向的掃描速度(及/或載台裝置4致使的半導體晶圓3的X方向的驅動速度)亦能夠任意設計，但例如較佳為在100cm/s與500cm/s之間，進一步較佳為在250cm/s與350cm/s之間。
又，藉由載台裝置4沿著x方向(X方向)驅動半導體晶圓3及晶圓平台31，雷射脈衝LP在半導體晶圓3面內沿著X方向相對移動。如此，藉由組合電流計掃描器14致使的雷射脈衝LP的y方向的掃描與載台裝置4致使的半導體晶圓3的x方向的驅動，能夠在xy平面內(XY平面內)亦即半導體晶圓3面內掃描雷射脈衝LP。再者，載台裝置4致使的半導體晶圓3的驅動方向並不限於x方向(X方向)，可以為y方向(Y方向)等與x方向(X方向)交叉之方向，亦可以為x方向(X方向)及y方向(Y方向)這兩個方向。在如後者的情形般載台裝置4在xy平面內(XY平面內)能夠相對於雷射脈衝LP相對驅動半導體晶圓3之情形下，可以不設置沿著y方向(Y方向)等掃描雷射脈衝LP之電流計掃描器14等雷射脈衝掃描部。
圖4示出被照射到各種雷射光之半導體晶圓3的表面溫度的經時變化。實線表示被照射到作為本實施方式之脈衝雷射裝置2的光纖雷射裝置所振盪之高頻率(圖示例中為800kHz)的雷射脈衝LP時的表面溫度。虛線表示被照射到以往的脈衝振盪雷射裝置所振盪之高峰值功率(通常為數百kW)且低頻率(通常在2kHz至數十kHz之間)的雷射脈衝時的表面溫度。虛線表示被照射到以往的二極體雷射裝置所振盪之低峰值功率(通常為數kW)且低頻率的雷射光時的表面溫度。再者，峰值功率係指將脈衝能量除以脈衝寬度而得的值。
虛線所表示之以往的脈衝振盪雷射裝置所振盪之高峰值功率且低頻率的雷射脈衝以如下目的使用：藉由使半導體晶圓3的表面熔融來修復由摻雜劑的離子植入引起的損傷。半導體晶圓3由常見矽形成時，藉由加熱至其熔點(1,410℃)以上，表面熔融。圖示例中，藉由虛線所表示之以往的脈衝振盪雷射裝置所振盪之高峰值功率的雷射脈衝，半導體晶圓3的表面溫度瞬間上升至1,500℃以上，因此由熔點1,410℃的矽形成之半導體晶圓3的表面熔融，損傷被修復。然而，以往的雷射脈衝為低頻率，因此，半導體晶圓3的表面溫度在雷射脈衝照射後立即急劇下降。因此，植入有摻雜劑之半導體晶圓3的內部或表面下未被充分加熱，摻雜劑不會被活性化。
因此，以活性化植入到半導體晶圓3內之摻雜劑為目的，使用虛線所表示之以往的二極體雷射裝置所振盪之低峰值功率且低頻率的雷射光。該雷射光具有低峰值功率，因此無法將半導體晶圓3的表面加熱至熔點以上，但能夠持續加熱半導體晶圓3的內部或表面下來活性化被植入的摻雜劑。如此，通常在半導體晶圓3的表面的熔融中使用脈衝振盪雷射裝置(虛線)，在半導體晶圓3的表面下的活性化中使用二極體雷射裝置(虛線)。由於需要針對不同目的的退火準備不同的雷射裝置，因此會導致雷射退火裝置的大型化或高成本化。
相對於此，根據實線所表示之本實施方式之高頻率的雷射脈衝LP，能夠藉由1個脈衝雷射裝置2(光纖雷射裝置等)有效地實現半導體晶圓3的表面的熔融及半導體晶圓3的表面下的活性化。具體而言，本實施方式之脈衝雷射裝置2執行：表面熔融步驟(圖示的「表面熔融」期間)，藉由複數個雷射脈衝LP，使半導體晶圓3的表面升溫至熔點以上而熔融；及活性化步驟(圖示的「活性化」期間)，接著表面熔融步驟持續對半導體晶圓3照射雷射脈衝LP，進一步藉由複數個雷射脈衝LP，使半導體晶圓3的表面下在至少既定時間內升溫至既定的活性化溫度以上，活性化添加到半導體晶圓3的表面下之摻雜劑。
在表面熔融步驟中，藉由以高頻率(圖示例中為800kHz)間歇性照射的複數個雷射脈衝LP，半導體晶圓3的表面溫度上升至熔點(1,410℃)以上。因此，半導體晶圓3的表面熔融，由摻雜劑的離子植入等引起的損傷被修復。再者，如圖所示，各個雷射脈衝LP雖不具有用於將半導體晶圓3的表面加熱至熔點以上的充分的功率，但藉由以高頻率照射而在半導體晶圓3上蓄積熱之結果，使其表面溫度上升至熔點以上。表面熔融步驟在半導體晶圓3的表面溫度上升至熔點以上時開始，並在半導體晶圓3的表面溫度下降至未達熔點時結束。
如上所述，雷射脈衝LP藉由作為雷射脈衝掃描部的電流計掃描器14沿著Y方向(y方向)在半導體晶圓3上進行掃描，但沿著Y方向具有寬度之雷射脈衝LP通過半導體晶圓3上的一點所需的時間與表面熔融步驟的時間實質上相同。嚴格來講，由於存在雷射脈衝LP開始接觸半導體晶圓3上的一點到表面溫度達到熔點為止的時間和雷射脈衝LP通過半導體晶圓3上的一點之後表面溫度下降到熔點以下的時間，因此會存在細微的時差。
在活性化步驟中，藉由接著表面熔融步驟持續對半導體晶圓3照射雷射脈衝LP，植入有摻雜劑之半導體晶圓3的內部或表面下升溫至既定的活性化溫度以上，摻雜劑被活性化。活性化溫度可根據摻雜劑的種類或半導體晶圓3的材料(矽、碳化矽、氮化鎵等)而不同，但最常見的矽半導體晶圓3中植入了硼等受體(P型摻雜劑)之通常情形下為約1,000℃。又，為了充分活性化添加到半導體晶圓3的內部或表面下的摻雜劑，需要將該區域的溫度在既定時間內維持活性化溫度以上。該既定時間可根據摻雜劑的種類或量、半導體晶圓3的材料而不同，在通常情況下為約10μs。如此，在活性化步驟中，通常的目標為將植入了摻雜劑之半導體晶圓3的內部或表面下的區域(通常為半導體晶圓3的表面下10μm為止的區域)在至少10μs內升溫至1000℃以上。
活性化步驟在植入了摻雜劑之半導體晶圓3的表面下的活性化區域的溫度上升至活性化溫度以上時開始，並在該活性化區域的溫度下降至未達活性化溫度時結束。顯示半導體晶圓3的表面溫度之圖4並不顯示表面下的活性化區域的溫度，因此活性化步驟的開始時間點和結束時間點作為基準顯示。通常，如圖所示，活性化步驟比表面熔融步驟短。又，活性化步驟的開始時間點通常比表面熔融步驟的開始時間點晚。進而，活性化步驟的結束時間點與表面熔融步驟的結束時間點實質上相同。然而，嚴格來講，活性化步驟所涉及的半導體晶圓3內的活性化區域的溫度比表面熔融步驟所涉及的半導體晶圓3的表面的溫度不容易下降，因此認為活性化步驟的結束時間點(活性化區域降溫至未達活性化溫度)會比表面熔融步驟的結束時間點(表面被降溫至未達熔點)稍微晚。
再者，在添加到活性化區域之摻雜劑量比平常多的情形或活性化區域比10μm深的情形下，將活性化步驟設定為比10μs長即可。具體而言，藉由使作為雷射脈衝掃描部的電流計掃描器14致使的雷射脈衝LP的Y方向(y方向)的掃描速度變慢，能夠延長活性化步驟。或者，藉由將基於脈衝雷射裝置2之雷射脈衝LP的振盪頻率設定為比800kHz高，可獲得同樣的效果。若延長活性化步驟，則表面熔融步驟必然亦被延長，但藉由來自未照射到間歇性雷射脈衝LP之非脈衝期間的半導體晶圓3的表面的散熱等，防止半導體晶圓3的表面變成過熱狀態(圖示例中，表面溫度被控制在2,000℃以下)。如此，根據本實施方式，能夠適當地執行表面熔融步驟而不依賴於活性化步驟的長度。
根據本實施方式，經過連續的表面熔融步驟及活性化步驟，藉由1個脈衝雷射裝置2對半導體晶圓3持續照射雷射脈衝LP，可同時進行表面的熔融及表面下的活性化。
以上，根據實施方式，對本發明進行了說明。作為例示的實施方式中的各構成要件或各處理的組合可以具有各種變形例，此類變形例包括在本發明的範圍內之情形對於本領域技術人員應來講係理所當然的。
再者，實施方式中說明的各裝置或各方法的構成、作用、功能能夠藉由硬體資源或軟體資源、或者藉由硬體資源與軟體資源的協同來實現。作為硬體資源，例如能夠利用處理器、ROM、RAM、各種積體電路。作為軟體資源，例如能夠利用操作系統、應用程式等程式。
本申請案係主張基於2022年07月19日申請之日本專利申請第2022-114798號的優先權。該日本申請案的全部內容係藉由參閱而援用於本說明書中。
1:雷射退火裝置
2:脈衝雷射裝置
3:半導體晶圓
4:載台裝置
11:擴束器
13:光束整形光學元件
14:電流計掃描器
20:光纖
22:雷射光產生部
LP:雷射脈衝
[圖1]係示意地表示雷射退火裝置的構成之立體圖。
[圖2]係示意地示出作為光纖雷射裝置的主要部分的光纖的構成和光纖中的雷射脈衝的發生及放大的原理。
[圖3]係示意地示出作為光纖雷射裝置的脈衝雷射裝置的結構。
[圖4]係示意地示出被照射到各種雷射光之半導體晶圓的表面溫度的經時變化。
LP:雷射脈衝
Claims (6)
- 一種雷射退火裝置，其執行如下步驟： 表面熔融步驟，係對半導體晶圓照射脈衝雷射裝置所振盪之雷射脈衝，藉由複數個前述雷射脈衝，使前述半導體晶圓的表面升溫至熔點以上而熔融；及 活性化步驟，係接著前述表面熔融步驟對前述半導體晶圓照射前述雷射脈衝，進一步藉由複數個前述雷射脈衝，使前述半導體晶圓的表面下在至少既定時間內升溫至既定的活性化溫度以上，活性化添加到前述半導體晶圓的表面下之摻雜劑。
- 如請求項1的雷射退火裝置，其中， 前述脈衝雷射裝置以100kHz以上的頻率振盪前述雷射脈衝。
- 如請求項1的雷射退火裝置，其中， 前述脈衝雷射裝置為藉由光纖振盪前述雷射脈衝之光纖雷射裝置。
- 如請求項1至3中任一項的雷射退火裝置，其中， 前述活性化步驟，係將前述半導體晶圓的表面下10μm為止的區域在至少10μs內升溫至1000℃以上。
- 一種雷射退火方法，其包括： 表面熔融步驟，係對半導體晶圓照射脈衝雷射裝置所振盪之雷射脈衝，藉由複數個前述雷射脈衝，使前述半導體晶圓的表面升溫至熔點以上而熔融；及 活性化步驟，係接著前述表面熔融步驟對前述半導體晶圓照射前述雷射脈衝，進一步藉由複數個前述雷射脈衝，使前述半導體晶圓的表面下在至少既定時間內升溫至既定的活性化溫度以上，活性化添加到前述半導體晶圓的表面下之摻雜劑。
- 一種雷射退火程式，其使電腦執行如下步驟： 表面熔融步驟，係對半導體晶圓照射脈衝雷射裝置所振盪之雷射脈衝，藉由複數個前述雷射脈衝，使前述半導體晶圓的表面升溫至熔點以上而熔融；及 活性化步驟，係接著前述表面熔融步驟對前述半導體晶圓照射前述雷射脈衝，進一步藉由複數個前述雷射脈衝，使前述半導體晶圓的表面下在至少既定時間內升溫至既定的活性化溫度以上，活性化添加到前述半導體晶圓的表面下之摻雜劑。
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| JP2022114798 | 2022-07-19 |
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-
2023
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