TW202349804A - 差動傳輸板組和組件 - Google Patents

Abstract

一種差動傳輸板組，包括安裝有壓縮連接器的安裝板和用於與所述壓縮連接器接觸的接觸板。在所述接觸板中，第二導體層為接地層並具有穿孔。所述穿孔形成以使第一訊號墊和第二訊號墊均位於所述穿孔的內緣的內側。在所述接觸板中，所述穿孔形成為與所述第一接地墊的外側區域和所述第二接地墊的外側區域重疊。在所述安裝板中，沿垂直方向看時，所述穿孔形成為遠離所述第一接地墊和所述第二接地墊。

Description

差動傳輸板組和組件

本發明係關於一種差動傳輸板組和組件。

如本發明的圖36所示，專利文獻1（日本未審查的專利申請公開第2017-27721號）公開了一種切換卡板1002，它是一種多層板，其中多個導體層1000和多個絕緣體層1001交替層疊。所述多個導體層1000包括第一導體層1000A、第二導體層1000B、第三導體層1000C和第四導體層1000D。所述多個絕緣體層1001包括第一絕緣體層1001A、第二絕緣體層1001B和第三絕緣體層1001C。依序以所述第一導體層1000A、所述第一絕緣體層1001A、所述第二導體層1000B、所述第二絕緣體層1001B、所述第三導體層1000C、所述第三絕緣體層1001C和所述第四導體層1000D的順序從所述切換卡板1002的表層側向內層側排列。

所述第一導體層1000A包括兩個電纜連接墊1003以及兩個接地墊1004，差動訊號傳輸電纜的兩個訊號線導體焊接到所述兩個電纜連接墊1003，所述兩個電纜連接墊1003置於所述兩個接地墊1004之間。

所述第二導體層1000B和所述第三導體層1000C分別具有穿孔1005B和穿孔1005C，所述穿孔1005B和穿孔1005C在層疊方向上與所述兩個電纜連接墊1003重疊，且這減少了所述兩個電纜連接墊1003與所述第二導體層1000B之間的電容耦合，從而控制所述兩個電纜連接墊1003中的差動阻抗的降低。

本發明的發明人正在開發透過壓縮連接器相互電連接的兩個差動傳輸板，所述壓縮連接器包括多個壓接件以及保持所述多個壓接件的殼體，其中每個壓接件具有焊接部和彈性部。兩個差動傳輸板組合成差動傳輸板組。

本發明的其中一個目的在於提供一種改善差動傳輸板組的傳輸特性的技術。

根據本發明的第一個方面，提供了一種差動傳輸板組，所述差動傳輸板組為由兩個差動傳輸板透過壓縮連接器相互電連接的組合，所述壓縮連接器包括排成一排的四個壓接件和保持所述四個壓接件的殼體，每個壓接件包括焊接部和彈性部，其中，所述兩個差動傳輸板包括安裝板和接觸板，所述壓縮連接器安裝在所述安裝板上，所述接觸板配置以與所述壓縮連接器接觸，每一個所述安裝板和所述接觸板為多層板，所述多層板具有多個導體層和多個絕緣體層交替層疊，在每一個所述安裝板和所述接觸板中，所述多個導體層包括第一導體層和第二導體層，依序以所述第一導體層和所述第二導體層的順序從所述壓縮連接器側排列，在每一個所述安裝板和所述接觸板中，所述第一導體層包括對應於所述四個壓接件的四個電極墊，所述四個電極墊包括：第一訊號墊、第二訊號墊、第一接地墊和第二接地墊，依序以所述第一接地墊、所述第一訊號墊、所述第二訊號墊和所述第二接地墊的順序沿著第一方向排列，在所述安裝板中，所述四個壓接件的焊接部可分別焊接至所述第一接地墊、所述第一訊號墊、所述第二訊號墊及所述第二接地墊，在所述接觸板中，所述四個壓接件的所述彈性部可分別接觸所述第一接地墊、所述第一訊號墊、所述第二訊號墊和所述第二接地墊，在每一個所述安裝板和所述接觸板中，所述第二導體層為接地層並且具有穿孔，在每一個所述安裝板和所述接觸板中，所述穿孔以在層疊方向觀察時所述第一訊號墊和所述第二訊號墊均位於所述穿孔的內緣的內側的方式形成，在每一個所述安裝板和所述接觸板中，所述第一接地墊包括內側區域和外側區域，所述內側區域相對於將所述第一接地墊的墊區域沿所述第一方向分成兩半的分界線更靠近所述第一訊號墊，所述外側區域相對於所述分界線更遠離所述第一訊號墊，在每一個所述安裝板和所述接觸板中，所述第二接地墊包括內側區域和外側區域，所述內側區域相對於將所述第二接地墊的墊區域沿所述第一方向分成兩半的分界線更靠近所述第二訊號墊，所述外側區域相對於所述分界線更遠離區域第二訊號墊，在所述接觸板中，當沿所述層疊方向看時，所述穿孔形成為與所述第一接地墊的所述外側區域和所述第二接地墊的所述外側區域重疊，且在所述安裝板中，當沿所述層疊方向看時，所述穿孔形成為遠離所述第一接地墊和所述第二接地墊。

根據本發明，差動傳輸板組的傳輸特性得到改善。

本發明的上述和其他目的、特徵和優點將從下文給出的詳細描述和僅以說明的方式給出的圖式中得到更充分的理解，因此不應被認為是對本發明的限制。

（第一實施例）

以下參照圖1至圖17描述第一實施例。

圖1和圖2是資訊處理裝置1的分解透視圖。如圖1和圖2所示，所述資訊處理裝置1包括差動傳輸組件2（組件）和支撐板3。

所述差動傳輸組件2包括差動傳輸板組4和壓縮連接器5。

所述差動傳輸板組4包括接觸板6和安裝板7。所述接觸板6和所述安裝板7透過壓縮連接器5相互電連接。所述接觸板6和所述安裝板7均為差動傳輸板。所述接觸板6與所述安裝板7在透過壓縮連接器5相互電連接的狀態下相互平行。

所述接觸板6具有兩個螺栓緊固孔6A。同樣地，所述安裝板7具有兩個螺栓緊固孔7A。

所述支撐板3通常是殼體的一部分，所述殼體容納所述接觸板6、所述壓縮連接器5和所述安裝板7，且例如由鋁或鋁合金製成。所述支撐板3包括平板狀的板主體8和凸設於所述板主體8上的兩個螺母9。

所述資訊處理裝置1的組裝如下。首先，將所述壓縮連接器5安裝在所述安裝板7上。接著，將安裝有所述壓縮連接器5的所述安裝板7安裝到所述支撐板3上。此時，所述支撐板3的兩個螺母9穿過所述安裝板7的兩個螺栓緊固孔7A。

然後，以所述接觸板6與所述壓縮連接器5重疊的方式將所述接觸板6附接至所述支撐板3。具體來說，兩個螺栓10分別透過所述接觸板6的兩個螺栓緊固孔6A而緊固在所述支撐板3的所述兩個螺母9上。所述接觸板6由此壓抵所述壓縮連接器5而與所述壓縮連接器5接觸，從而使所述接觸板6和所述安裝板7透過所述壓縮連接器5相互電連接。具體地，所述壓縮連接器5不是安裝在所述接觸板6上，只有當所述接觸板6壓抵在所述壓縮連接器5上時，所述壓縮連接器5與所述接觸板6才接觸。

繼續參照圖1和圖2，所述壓縮連接器5包括多個壓接件11和容納所述多個壓接件11的殼體12。所述多個壓接件11形成多個接點排13。所述多個接點排13相互平行延伸。

以下定義間距方向、寬度方向和垂直方向。所述間距方向、所述寬度方向和所述垂直方向彼此正交。所述間距方向是每個接點排13的排列方向。所述寬度方向是相互平行延伸的所述多個接點排13的排列方向。所述垂直方向是所述接觸板6和所述壓縮連接器5以及所述壓縮連接器5和所述安裝板7分別彼此相對的方向。因此，所述接觸板6的厚度方向和所述安裝板7的厚度方向對應於所述垂直方向。從所述壓縮連接器5看所述接觸板6的方向稱為向上，從所述壓縮連接器5看所述安裝板7的方向稱為向下。所述垂直方向僅作為說明使用的方向，不應被解釋為限制所述資訊處理設備1在實際使用的位置。

圖3為所述差動傳輸組件2的剖視圖。如圖3所示，每一個壓接件11透過壓合容納在所述殼體12的接點容置室12A內。每個壓接件11包括：焊接部20、彈性部21和壓合部22。所述彈性部21具有能夠在所述垂直方向上彈性位移的接點部21A。所述彈性部21由所述壓合部22支撐為懸臂梁狀，使得所述接點部21A能夠在所述垂直方向彈性位移。

所述接觸板6是由多個導體層6CL和多個絕緣體層6SL交替層疊而成的多層基板。所述多個導體層6CL從所述壓縮連接器5側到上側依序包括：第一導體層6CL1、第二導體層6CL2、第三導體層6CL3、第四導體層6CL4、第五導體層6CL5和第六導體層6CL6。所述多個絕緣體層6SL從所述壓縮連接器5側到上側依序包括：第一絕緣體層6SL1、第二絕緣體層6SL2、第三絕緣體層6SL3、第四絕緣體層6SL4和第五絕緣體層6SL5。因此，依序以所述第一導體層6CL1、所述第一絕緣體層6SL1、所述第二導體層6CL2、所述第二絕緣體層6SL2、所述第三導體層6CL3、所述第三絕緣體層6SL3、所述第四導體層6CL4、所述第四絕緣體層6SL4、所述第五導體層6CL5、所述第五絕緣體層6SL5、所述第六導體層6CL6的順序從所述壓縮連接器5側向上層疊。所述接觸板6的層疊方向對應於所述垂直方向。所述第二導體層6CL2是最接近所述第一導體層6CL1的導體層。

每個導體層6CL通常是由具有高導電性的銅箔製成。每個絕緣體層6SL通常是由玻璃環氧樹脂製成。

同樣地，所述安裝板7是多個導體層7CL和多個絕緣體層7SL交替層疊而成的多層基板。所述多個導體層7CL從所述壓縮連接器5側往下側依序包括：第一導體層7CL1、第二導體層7CL2、第三導體層7CL3、第四導體層7CL4、第五導體層7CL5和第六導體層7CL6。所述多個絕緣體層7SL從所述壓縮連接器5側往下側依序包括：第一絕緣體層7SL1、第二絕緣體層7SL2、第三絕緣體層7SL3、第四絕緣體層7SL4和第五絕緣體層7SL5。因此，依序以所述第一導體層7CL1、所述第一絕緣體層7SL1、所述第二導體層7CL2、所述第二絕緣體層7SL2、所述第三導體層7CL3、所述第三絕緣體層7SL3、所述第四導體層7CL4、所述第四絕緣體層7SL4、所述第五導體層7CL5、所述第五絕緣體層7SL5、所述第六導體層7CL6的順序從所述壓縮連接器5側向下層疊。所述安裝板7的層疊方向對應於所述垂直方向。所述第二導體層7CL2是最接近所述第一導體層7CL1的導體層。

每個導體層7CL通常是由具有高導電性的銅箔製成。每個絕緣體層7SL通常是由玻璃環氧樹脂製成。

＜接觸板6＞

圖4至圖9為所述接觸板6的所述第一導體層6CL1、所述第二導體層6CL2、所述第三導體層6CL3、所述第四導體層6CL4、所述第五導體層6CL5、所述第六導體層6CL6的局部底視圖。在圖4至圖9中，為便於觀察，導體部分以陰影線表示。

首先，在下文中參考圖2和圖4描述所述第一導體層6CL1。如圖2和圖4所示，所述第一導體層6CL1包括多個電極墊30，分別對應於所述壓縮連接器5的所述多個壓接件11。具體地，對應的壓接件11的彈性部21能夠與各電極墊30接觸。所述多個電極墊30形成多個墊排，就像所述多個壓接件11一樣。

如圖4所示，在每個墊排中的所述多個電極墊30中，兩個接地墊31和兩個訊號墊32沿著所述間距方向上交替排列。具體地，接地墊31、接地墊31、訊號墊32、訊號墊32、接地墊31、接地墊31、訊號墊32、訊號墊32等以此記載順序沿著所述間距方向排列。換句話說，用於差動傳輸的兩個訊號墊32設置在兩個接地墊31之間。圖4僅顯示了四個電極墊30。圖4所示的四個電極墊30包括兩個接地墊31和設置在兩個接地墊31之間的兩個訊號墊32。所述兩個接地墊31包括第一接地墊33和第二接地墊34。所述兩個訊號墊32包括第一訊號墊35和第二訊號墊36。所述第一接地墊33、所述第一訊號墊35、所述第二訊號墊36和所述第二接地墊34沿所述間距方向依序排列。

所述第一訊號墊35包括彈性接觸部35A和過孔連接部35B。所述彈性接觸部35A和所述過孔連接部35B在所述寬度方向上彼此連接並形成一體。為便於說明，所述彈性接觸部35A和所述過孔連接部35B之間的邊界35C由虛線表示。所述彈性接觸部35A包括基部35D和漸縮部35E，所述基部35D大致呈方形，所述漸縮部35E從所述基部35D沿所述寬度方向以錐形延伸。

同樣地，所述第二訊號墊36包括彈性接觸部36A和過孔連接部36B。所述彈性接觸部36A和所述過孔連接部36B在所述寬度方向上彼此連接並形成一體。為便於說明，所述彈性接觸部36A和所述過孔連接部36B之間的邊界36C由虛線表示。所述彈性接觸部36A包括基部36D和漸縮部36E，所述基部36D大致呈方形，所述漸縮部36E從所述基部36D沿所述寬度方向以錐形延伸。

所述第一接地墊33包括：彈性接觸部33A、第一過孔連接部33B和第二過孔連接部33C。所述第一過孔連接部33B、所述彈性接觸部33A和所述第二過孔連接部33C在所述寬度方向上依序設置。所述彈性接觸部33A、所述第一過孔連接部33B和所述第二過孔連接部33C一體地形成。為便於說明，所述彈性接觸部33A和所述第一過孔連接部33B之間的邊界33D由虛線表示。同樣地，所述彈性接觸部33A與所述第二過孔連接部33C之間的邊界33E由虛線表示。所述彈性接觸部33A包括基部33F和漸縮部33G，所述基部33F大致呈方形，所述漸縮部33G從所述基部33F沿所述寬度方向以錐形延伸。

同樣地，所述第二接地墊34包括：彈性接觸部34A、第一過孔連接部34B和第二過孔連接部34C。依序以所述第一過孔連接部34B、所述彈性接觸部34A和所述第二過孔連接部34C的順序在所述寬度方向上設置。所述彈性接觸部34A、所述第一過孔連接部34B和所述第二過孔連接部34C一體地形成。為便於說明，所述彈性接觸部34A和所述第一過孔連接部34B之間的邊界34D由虛線表示。同樣地，所述彈性接觸部34A與所述第二過孔連接部34C之間的邊界34E由虛線表示。所述彈性接觸部34A包括基部34F和漸縮部34G，所述基部34F大致呈方形，所述漸縮部34G從所述基部34F沿所述寬度方向以錐形延伸。

如圖4所示，所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36形狀相同，所述第一接地墊33和所述第二接地墊34形狀相同。所述第一訊號墊35的所述彈性接觸部35A、所述第二訊號墊36的所述彈性接觸部36A、所述第一接地墊33的所述彈性接觸部33A和所述第二接地墊34的所述彈性接觸部34A具有相同的形狀，並且在所述間距方向對齊。所述第一訊號墊35的所述過孔連接部35B、所述第二訊號墊36的所述過孔連接部36B、所述第一接地墊33的所述第一過孔連接部33B、以及所述第二接地墊34的所述第一過孔連接部34B具有相同的形狀，並且在所述間距方向對齊。

繼續參照圖4，所述第一接地墊33具有內側區域33P和外側區域33Q。所述內側區域33P是相對於分界線33R更靠近所述第一訊號墊35的區域，其中所述分界線33R將所述第一接地墊33的墊區域在間距方向上分成兩半。所述外側區域33Q是相對於所述分界線33R更遠離所述第一訊號墊35的區域。所述第一接地墊33具有在間距方向上相對於所述分界線33R對稱的形狀。所述分界線33R是沿著所述寬度方向延伸的直線，將所述第一接地墊33的墊區域在間距方向上分成兩等分。所述內側區域33P的面積與所述外側區域33Q的面積相等。

同樣地，所述第二接地墊34具有內側區域34P和外側區域34Q。所述內側區域34P是相對於分界線34R較靠近所述第二訊號墊36的區域，其中所述分界線34R將所述第二接地墊34的墊區域在間距方向上分成兩半。所述外側區域34Q是相對於所述分界線34R更遠離所述第二訊號墊36的區域。所述第二接地墊34具有在所述間距方向上相對於所述分界線34R對稱的形狀。所述分界線34R是沿著所述寬度方向延伸的直線，將所述第二接地墊34的墊區域在間距方向上分成兩等分。所述內側區域34P的面積與所述外側區域34Q的面積相等。

接下來參考圖9，在下文中描述所述第六導體層6CL6。如圖9所示，所述第六導體層6CL6包括：第一接地墊43、第二接地墊44、第一訊號墊45和第二訊號墊46，分別對應於如圖4所示的所述第一接地墊33、所述第二接地墊34、所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36。

所述第一接地墊43包括第一過孔連接部43A和第二過孔連接部43B。儘管所述第一過孔連接部43A和所述第二過孔連接部43B在所述寬度方向上彼此分離，但是它們也可以一體地形成。

所述第二接地墊44包括第一過孔連接部44A和第二過孔連接部44B。儘管所述第一過孔連接部44A和所述第二過孔連接部44B在所述寬度方向上彼此分離，但是它們也可以一體地形成。

所述第一接地墊43的所述第一過孔連接部43A透過圖5所示的過孔50A等類似元件電連接至圖4所示的所述第一接地墊33的所述第一過孔連接部33B。同樣地，所述第一接地墊43的所述第二過孔連接部43B透過圖5所示的過孔50B等類似元件電連接至圖4所示的所述第一接地墊33的所述第二過孔連接部33C。

所述第二接地墊44的所述第一過孔連接部44A透過圖5所示的過孔51A等類似元件電連接至圖4所示的所述第二接地墊34的所述第一過孔連接部34B。同樣地，所述第二接地墊44的所述第二過孔連接部44B透過圖5所示的過孔51B等類似元件電連接至圖4所示的所述第二接地墊34的所述第二過孔連接部34C。

所述第一訊號墊45透過圖5所示的過孔52等類似元件電連接至圖4所示的所述第一訊號墊35的所述過孔連接部35B。

所述第二訊號墊46透過圖5所示的過孔53等類似元件電連接至圖4所示的所述第二訊號墊36的所述過孔連接部36B。

下面結合圖5至圖8描述所述第二導體層6CL2至所述第五導體層6CL5。所述第二導體層6CL2至所述第五導體層6CL5透過所述過孔50A、所述過孔50B、所述過孔51A和所述過孔51B彼此相連，且每一個都用作接地層。

如圖5所示，所述第二導體層6CL2具有穿孔55。所述穿孔55具有內緣55A。在圖5中，所述過孔52和所述過孔53設置在所述穿孔55的內緣55A的內側。所述過孔50A、所述過孔50B、所述過孔51A和所述過孔51B設置在所述穿孔55的內緣55A的外側。所述穿孔55包括：大致呈矩形的矩形部55B、以及從所述矩形部55B沿所述間距方向延伸的兩個延伸部55C。兩個延伸部55C的其中一個延伸到所述過孔50A與所述過孔50B之間，而另一個延伸到所述過孔51A與所述過孔51B之間。

如圖6所示，所述第三導體層6CL3具有穿孔56。穿孔56具有內緣56A。在圖6中，所述過孔52和所述過孔53設置在所述穿孔56的所述內緣56A的內側。所述過孔50A、所述過孔50B、所述過孔51A和所述過孔51B設置在所述穿孔56的所述內緣56A的外側。所述穿孔56大致呈矩形。

如圖7所示，所述第四導體層6CL4具有穿孔57。所述穿孔57具有內緣57A。在圖7中，所述過孔52和所述過孔53設置在所述穿孔57的所述內緣57A的內側。所述過孔50A、所述過孔50B、所述過孔51A和所述過孔51B設置在所述穿孔57的所述內緣57A的外側。所述穿孔57大致呈矩形。

如圖8所示，所述第五導體層6CL5具有兩個穿孔58。每個穿孔58具有內緣58A。在圖8中，所述過孔52和所述過孔53分別設置在所述兩個穿孔58的所述內緣58A的內側。所述過孔50A、所述過孔50B、所述過孔51A和所述過孔51B設置在所述兩個穿孔58的所述內緣58A的外側。每個穿孔58大致上呈圓形。

圖10是將所述穿孔55的內緣55A、所述穿孔56的內緣56A、所述穿孔57的內緣57A投影到所述第一導體層6CL1上的投影圖，用於說明所述穿孔55、所述穿孔56和所述穿孔57相對於所述第一導體層6CL1的位置關係。所述穿孔55的內緣55A、所述穿孔56的所述內緣56A、所述穿孔57的所述內緣57A用粗線表示，所述第一接地墊33、所述第二接地墊34、所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36以雙點鏈線表示。為便於說明，所述第一接地墊33的所述外側區域33Q和所述第二接地墊34的所述外側區域34Q以陰影線表示。

如圖10所示，在所述接觸板6中，從垂直方向看時，所述穿孔55是以使得所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36均位於所述穿孔55的內緣55A的內側的方式形成。具體地，所述穿孔55的內緣55A圍繞所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36。換句話說，所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36與以連續方式形成的所述穿孔55重疊。

此外，從垂直方向看時，所述穿孔55形成為與所述第一接地墊33的所述外側區域33Q和所述第二接地墊34的所述外側區域34Q重疊。具體地，所述穿孔55的一個延伸部55C從所述矩形部55B沿所述間距方向延伸穿過分界線33R以與所述第一接地墊33的所述外側區域33Q重疊，而另一個延伸部55C從所述矩形部55B沿所述間距方向延伸穿過所述分界線34R以與所述第二接地墊34的所述外側區域34Q重疊。

具體而言，所述穿孔55的所述矩形部55B不與所述第一接地墊33的所述第一過孔連接部33B和所述第二過孔連接部33C以及所述第二接地墊34的所述第一過孔連接部34B和所述第二過孔連接部34C重疊，而在所述間距方向上與所述第一接地墊33的所述第一過孔連接部33B和所述第二過孔連接部33C以及所述第二接地墊34的所述第一過孔連接部34B和所述第二過孔連接部34C接觸。

所述穿孔55的兩個延伸部55C不與所述第一接地墊33的所述第一過孔連接部33B和所述第二過孔連接部33C以及所述第二接地墊34的所述第一過孔連接部34B和所述第二過孔連接部34C重疊，而在所述寬度方向上與所述第一接地墊33的所述第一過孔連接部33B和所述第二過孔連接部33C以及所述第二接地墊34的所述第一過孔連接部34B和所述第二過孔連接部34C接觸。

因此，在間距方向上劃分所述穿孔55的內緣55A中的兩個延伸部55C的兩條分隔線55D在間距方向上與所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36分隔較遠。這意味著所述第二導體層6CL2在間距方向上遠離所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36。這允許控制第一訊號墊35和第二訊號墊36中的差動阻抗的降低。

繼續參照圖10，在所述接觸板6中，當從垂直方向看時，所述穿孔56和所述穿孔57形成為彼此完全重疊。具體而言，從垂直方向看時，所述穿孔56的所述內緣56A與所述穿孔57的所述內緣57A重疊。所述穿孔56是以所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36均位於所述穿孔56的內緣56A的內側的方式形成。具體地，所述穿孔56的所述內緣56A圍繞所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36。換句話說，所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36與以連續方式形成的所述穿孔56重疊。這同樣適用於穿孔57。

＜安裝板7＞

圖11至圖17是所述安裝板7的所述第一導體層7CL1、所述第二導體層7CL2、所述第三導體層7CL3、所述第四導體層7CL4、所述第五導體層7CL5、所述第六導體層7CL6的局部平面圖。在圖11至圖17中，為便於觀察，導體部分以陰影線表示。

首先參考圖1和圖11描述所述第一導體層7CL1。如圖1和圖11所示，所述第一導體層7CL1包括多個電極墊60，分別對應於所述壓縮連接器5的所述多個壓接件11。具體地，對應的壓接件11的焊接部20可以焊接到每個電極墊60上。所述多個電極墊60形成多個墊排，就像所述多個壓接件11一樣。

如圖11所示，在每個墊排中的所述多個電極墊60中，兩個接地墊61和兩個訊號墊62在間距方向上交替排列。具體地，接地墊61、接地墊61、訊號墊62、訊號墊62、接地墊61、接地墊61、訊號墊62、訊號墊62等以此記載順序沿著所述間距方向排列。換句話說，用於差動傳輸的兩個訊號墊62設置在兩個接地墊61之間。圖11僅顯示了四個電極墊60。圖11所示的四個電極墊60包括兩個接地墊61和設置在兩個接地墊61之間的兩個訊號墊62。所述兩個接地墊61包括第一接地墊63和第二接地墊64。所述兩個訊號墊62包括第一訊號墊65和第二訊號墊66。所述第一接地墊63、所述第一訊號墊65、所述第二訊號墊66和所述第二接地墊64沿所述間距方向依序排列。

所述第一訊號墊65大致呈方形。所述第一訊號墊65在間距方向上的尺寸小於圖4所示的所述第一訊號墊35的尺寸。同樣地，所述第一訊號墊65在寬度方向上的尺寸小於圖4中所示的所述第一訊號墊35的尺寸。

所述第二訊號墊66大致呈方形。所述第二訊號墊66在間距方向上的尺寸小於圖4所示的所述第二訊號墊36的尺寸。同樣地，所述第二訊號墊66在寬度方向上的尺寸小於圖4中所示的所述第二訊號墊36的尺寸。

以此方式，所述接觸板6的所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36大於所述安裝板7的所述第一訊號墊65和所述第二訊號墊66，以吸收所述接觸板6相對於壓縮連接器5在間距方向和寬度方向上的位移。

再次參照圖11，所述第一接地墊63和所述第二接地墊64在寬度方向上延伸。

如圖11所示，所述第一訊號墊65和所述第二訊號墊66形狀相同，所述第一接地墊63和所述第二接地墊64形狀相同。

繼續參照圖11，所述第一接地墊63具有內側區域63P和外側區域63Q。所述內側區域63P是比將所述第一接地墊63的墊區域在間距方向上分成兩半的分界線63R更靠近所述第一訊號墊65的區域。所述外側區域63Q是比所述分界線63R更遠離所述第一訊號墊65的區域。所述第一接地墊63具有在間距方向上相對於所述分界線63R對稱的形狀。

同樣地，所述第二接地墊64具有內側區域64P和外側區域64Q。所述內側區域64P是比將所述第二接地墊64的墊區域在間距方向上分成兩半的分界線64R更靠近所述第二訊號墊66的區域。所述外側區域64Q是比所述分界線64R更遠離所述第二訊號墊66的區域。所述第二接地墊64具有在間距方向上相對於所述分界線64R對稱的形狀。

接下來參照圖16，在下文中描述所述第六導體層7CL6。如圖16所示，所述第六導體層7CL6包括：第一接地墊73、第二接地墊74、第一訊號墊75和第二訊號墊76，分別對應於如圖11所示的所述第一接地墊63、所述第二接地墊64、所述第一訊號墊65和所述第二訊號墊66。

所述第一接地墊73包括第一過孔連接部73A和第二過孔連接部73B。儘管所述第一過孔連接部73A和所述第二過孔連接部73B在寬度方向上彼此分開，但是它們可以一體地形成。

所述第二接地墊74包括第一過孔連接部74A和第二過孔連接部74B。儘管所述第一過孔連接部74A和所述第二過孔連接部74B在寬度方向上彼此分開，但是它們可以一體地形成。

所述第一接地墊73的所述第一過孔連接部73A透過圖12所示的過孔80A等類似元件與圖11所示的第一接地墊63在寬度方向的端部63A電連接。同樣地，所述第一接地墊73的所述第二過孔連接部73B透過圖12所示的過孔80B等類似元件與圖11所示的第一接地墊63在寬度方向的端部63A電連接。

所述第二接地墊74的所述第一過孔連接部74A透過圖12所示的過孔81A等類似元件與圖11所示的第二接地墊64在寬度方向的端部64A電連接。同樣地，所述第二接地墊74的所述第二過孔連接部74B透過圖12所示的過孔81B等類似元件與圖11所示的第二接地墊64在寬度方向的端部64A電連接。

所述第一訊號墊75透過圖12所示的過孔82等類似元件與圖11所示的第一訊號墊65電連接。

所述第二訊號墊76透過圖12所示的過孔83等類似元件與圖11所示的第二訊號墊66電連接。

所述第二導體層7CL2至所述第五導體層7CL5在下文中參考圖12至圖15進行描述。所述第二導體層7CL2至所述第五導體層7CL5透過所述過孔80A、所述過孔80B、所述過孔81A和所述過孔81B彼此相連，且每一個都用作接地層。

如圖12所示，所述第二導體層7CL2具有穿孔85。所述穿孔85具有內緣85A。在圖12中，所述過孔82和所述過孔83設置在所述穿孔85的內緣85A的內側。所述過孔80A、所述過孔80B、所述過孔81A和所述過孔81B設置在所述穿孔85的內緣85A的外側。所述穿孔85大致呈矩形。

如圖13所示，所述第三導體層7CL3具有穿孔86。所述穿孔86具有內緣86A。在圖13中，所述過孔82和所述過孔83設置在所述穿孔86的內緣86A的內側。所述過孔80A、所述過孔80B、所述過孔81A和所述過孔81B設置在所述穿孔86的內緣86A的外側。所述穿孔86大致呈矩形。

如圖14所示，所述第四導體層7CL4具有穿孔87。所述穿孔87具有內緣87A。在圖14中，所述過孔82和所述過孔83設置在所述穿孔87的內緣87A的內側。所述過孔80A、所述過孔80B、所述過孔81A和所述過孔81B設置在所述穿孔87的內緣87A的外側。所述穿孔87大致呈矩形。

如圖15所示，所述第五導體層7CL5具有兩個穿孔88。每個穿孔88具有內緣88A。在圖15中，所述過孔82和所述過孔83分別設置在兩個穿孔88的內緣88A的內側。所述過孔80A、所述過孔80B、所述過孔81A和所述過孔81B設置在兩個穿孔88的內緣88A的外側。每個穿孔88大致呈圓形。

圖17是將所述穿孔85的內緣85A、所述穿孔86的內緣86A、所述穿孔87的內緣87A投影到所述第一導體層7CL1上投影的投影圖，用於說明所述穿孔85、所述穿孔86和所述穿孔87相對於所述第一導體層7CL1的位置關係。所述穿孔85的內緣85A、所述穿孔86的內緣86A、所述穿孔87的內緣87A以粗線表示，所述第一接地墊63、所述第二接地墊64、所述第一訊號墊65和所述第二訊號墊66以雙點鏈線表示。

如圖17所示，在所述安裝板7中，所述穿孔85是在垂直方向觀察時以所述第一訊號墊65和所述第二訊號墊66均位於所述穿孔85的內緣85A的內側的方式形成。具體地，所述穿孔85的內緣85A圍繞所述第一訊號墊65和所述第二訊號墊66。換句話說，所述第一訊號墊65和所述第二訊號墊66與以連續方式形成的所述穿孔85重疊。

此外，當從垂直方向看時，所述穿孔85在間距方向上與所述第一接地墊63和所述第二接地墊64分開。具體地，在所述穿孔85的內緣85A中，在間距方向劃分所述穿孔85的兩條分隔線85D的其中一條分隔線85D在間距方向上位於所述第一接地墊63與所述第一訊號墊65之間，並且與所述第一接地墊63和所述第一訊號墊65等距；另一條分隔線85D在間距方向上位於所述第二接地墊64和所述第二訊號墊66之間，並且與所述第二接地墊64和所述第二訊號墊66等距。

所述第一訊號墊65和所述第二訊號墊66在間距方向上的尺寸小於圖10所示的所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36的尺寸，因此差動阻抗不會因寄生電容而顯著降低。因此，這是為了減小第二導體層7CL2中的穿孔85的開口面積並且優先考慮所述第二導體層7CL2的電磁屏蔽效果。

繼續參照圖17，在所述安裝板7中，當從垂直方向觀察時，所述穿孔85、所述穿孔86和所述穿孔87形成為彼此完全重疊。具體而言，從垂直方向觀察時，所述穿孔85的內緣85A、所述穿孔86的內緣86A和所述穿孔87的內緣87A重疊。因此，所述穿孔86形成為所述第一訊號墊65和所述第二訊號墊66均位於所述穿孔86的內緣86A的內側。具體地，所述穿孔86的內緣86A圍繞所述第一訊號墊65和所述第二訊號墊66。換句話說，所述第一訊號墊65和所述第二訊號墊66與以連續方式形成的穿孔86重疊。這同樣適用於穿孔87。

（第一變形例）

下面參照圖18和圖19描述第一實施例的第一變形例。在圖18和圖19中，為便於觀察，導體部分以陰影線表示。

如圖18所示，在第一變形例中，第三導體層6CL3和第四導體層6CL4具有與圖8所示的第五導體層6CL5相同的結構。具體地，如圖18所示，所述第三導體層6CL3和所述第四導體層6CL4具有兩個穿孔90。每個穿孔90具有內緣90A。所述過孔52與所述過孔53分別位於兩個穿孔90的內緣90A的內側。所述過孔50A、所述過孔50B、所述過孔51A和所述過孔51B位於兩個穿孔90的內緣90A的外側。每個穿孔90大致上呈圓形。

以這種方式，形成在所述第三導體層6CL3和所述第四導體層6CL4中的兩個穿孔90具有不允許所述第三導體層6CL3和所述第四導體層6CL4與所述過孔52和所述過孔53連續的最小必要尺寸。因此，當在垂直方向上看時，所述第三導體層6CL3和所述第四導體層6CL4與圖18中的雙點鏈線所示的第一訊號墊35和第二訊號墊36重疊。由此設計成優先考慮第三導體層6CL3和第四導體層6CL4的電磁屏蔽效果。

同樣地，如圖19所示，在第一變形例中，所述第三導體層7CL3和所述第四導體層7CL4具有與圖15所示的所述第五導體層7CL5相同的結構。具體地，如圖19所示，所述第三導體層7CL3和所述第四導體層7CL4具有兩個穿孔91。每個穿孔91具有內緣91A。所述過孔82和所述過孔83分別位於兩個穿孔91的內緣91A的內側。所述過孔80A、所述過孔80B、所述過孔81A和所述過孔81B位於兩個穿孔91的內緣91A的外側。每個穿孔91大致呈圓形。

以這種方式，形成在所述第三導體層7CL3和所述第四導體層7CL4中的兩個穿孔91具有不允許所述第三導體層7CL3和所述第四導體層7CL4與所述過孔82和所述過孔83連續的最小必要尺寸。因此，當在垂直方向觀察時，所述第三導體層7CL3和所述第四導體層7CL4與圖19中的雙點鏈線所示的第一訊號墊65和第二訊號墊66重疊。由此設計成優先考慮第三導體層7CL3和第四導體層7CL4的電磁屏蔽效果。

上述第一變形例可直接應用於下文所描述的第一比較例至第四比較例。

（第一比較例）

下面參考圖20和21描述本發明的第一比較例。下面主要說明本比較例與上述第一實施例的不同處，省略重複的說明。

＜接觸板6＞

圖20是將所述穿孔55的內緣55A、所述穿孔56的內緣56A、所述穿孔57的內緣57A投影到所述第一導體層6CL1上的投影圖，用於說明所述穿孔55、所述穿孔56和所述穿孔57相對於所述第一導體層6CL1的位置關係。所述穿孔55的內緣55A、所述穿孔56的內緣56A、所述穿孔57的內緣57A用粗線表示，所述第一接地墊33、所述第二接地墊34、所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36以雙點鏈線表示。為便於說明，所述第一接地墊33的外側區域33Q和所述第二接地墊34的外側區域34Q以陰影線表示。

如圖20所示，本比較例中的接觸板6與上述圖10所示第一實施例中的接觸板6具有相同的結構。

具體地，如圖20所示，在所述接觸板6中，所述穿孔55形成為在垂直方向觀察時所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36均位於所述穿孔55的內緣55A的內側。具體地，所述穿孔55的內緣55A圍繞所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36。換句話說，所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36與以連續方式形成的所述穿孔55重疊。

此外，所述穿孔55形成為在垂直方向觀察時與所述第一接地墊33的外側區域33Q和所述第二接地墊34的外側區域34Q重疊。具體地，所述穿孔55的其中一個延伸部55C從矩形部55B沿間距方向延伸穿過分界線33R以與所述第一接地墊33的外側區域33Q重疊，而另一個延伸部55C從矩形部55B沿間距方向延伸穿過所述分界線34R以與所述第二接地墊34的外側區域34Q重疊。

因此，在間距方向上劃分所述穿孔55的內緣55A中的兩個延伸部55C的兩條分隔線55D在間距方向上與所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36分隔較遠。這意味著所述第二導體層6CL2在間距方向上遠離所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36。這允許控制所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36中的差動阻抗的降低。

＜安裝板7＞

圖21是將所述穿孔85的內緣85A、所述穿孔86的內緣86A、所述穿孔87的內緣87A投影到所述第一導體層7CL1的投影圖，用於說明所述穿孔85、所述穿孔86和所述穿孔87相對於所述第一導體層7CL1的位置關係。所述穿孔85的內緣85A、所述穿孔86的內緣86A、所述穿孔87的內緣87A用粗線表示，所述第一接地墊63、所述第二接地墊64、所述第一訊號墊65和所述第二訊號墊66以雙點鏈線表示。為便於說明，所述第一接地墊63的外側區域63Q和所述第二接地墊64的外側區域64Q以陰影線表示。

如圖21所示，本比較例與上述第一實施例的不同之處在於所述第二導體層7CL2的穿孔85的形狀，而其他結構與第一實施例相同。具體地，本比較例中的穿孔85在間距方向上比圖17所示的第一實施例中的穿孔85寬。

具體而言，如圖21所示，穿孔85具有大致呈矩形的矩形部85B和從所述矩形部85B沿間距方向延伸的兩個延伸部85C。兩個延伸部85C的其中一個延伸到過孔80A與過孔80B之間，而另一個延伸到過孔81A與過孔81B之間。

此外，所述穿孔85形成為在垂直方向觀察時與所述第一接地墊63的外側區域63Q和所述第二接地墊64的外側區域64Q重疊。具體地，所述穿孔85的一個延伸部85C從所述矩形部85B沿間距方向延伸穿過分界線63R以與第一接地墊63的外側區域63Q重疊，而另一個延伸部85C從矩形部85B沿間距方向延伸穿過分界線64R以與第二接地墊64的外側區域64Q重疊。

因此，在間距方向上劃分所述穿孔85的內緣85A中的兩個延伸部85C的兩條分隔線85D在間距方向上與所述第一訊號墊65和所述第二訊號墊66分隔較遠。這意味著所述第二導體層7CL2在間距方向上遠離所述第一訊號墊65和所述第二訊號墊66。這允許控制所述第一訊號墊65和所述第二訊號墊66中的差動阻抗的降低。

（第二比較例）

下面參考圖22和圖23描述本發明的第二比較例。下面主要說明本比較例與上述第一實施例的不同之處，重複內容不再贅述。

＜接觸板6＞

圖22是將所述穿孔55的內緣55A、所述穿孔56的內緣56A、所述穿孔57的內緣57A投影到所述第一導體層6CL1的投影圖，用於說明所述穿孔55、穿孔56和所述穿孔57相對於第一導體層6CL1的位置關係。所述穿孔55的內緣55A、所述穿孔56的內緣56A、所述穿孔57的內緣57A用粗線表示，所述第一接地墊33、所述第二接地墊34、所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36以雙點鏈線表示。為便於說明，所述第一接地墊33的外側區域33Q和所述第二接地墊34的外側區域34Q以陰影線表示。

如圖22所示，本比較例中的接觸板6與上述圖10所示第一實施例中的接觸板6具有相同的結構。

具體地，如圖22所示，在所述接觸板6中，從垂直方向看時，所述穿孔55是以所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36均位於穿孔55的內緣55A的內側的方式形成。具體地，所述穿孔55的內緣55A圍繞所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36。換句話說，所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36與以連續方式形成的所述穿孔55重疊。

此外，所述穿孔55形成為在垂直方向觀察時與所述第一接地墊33的外側區域33Q和所述第二接地墊34的外側區域34Q重疊。具體地，所述穿孔55的其中一個延伸部55C從所述矩形部55B沿間距方向延伸穿過分界線33R以與所述第一接地墊33的外側區域33Q重疊，而另一個延伸部55C從所述矩形部55B沿間距方向延伸穿過分界線34R，以與所述第二接地墊34的外側區域34Q重疊。

因此，在間距方向上劃分所述穿孔55的內緣55A中的兩個延伸部55C的兩條分隔線55D在間距方向上與所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36分隔較遠。這意味著所述第二導體層6CL2在間距方向上遠離所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36。這允許控制所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36中的差動阻抗的降低。

＜安裝板7＞

圖23是將所述穿孔85的內緣85A、所述穿孔86的內緣86A、所述穿孔87的內緣87A投影到所述第一導體層7CL1的投影圖，用於說明所述穿孔85、所述穿孔86和所述穿孔87相對於第一導體層7CL1的位置關係。所述穿孔85的內緣85A、所述穿孔86的內緣86A、所述穿孔87的內緣87A用粗線表示，所述第一接地墊63、所述第二接地墊64、所述第一訊號墊65和所述第二訊號墊66以雙點鏈線表示。為便於說明，所述第一接地墊63的內側區域63P和所述外側區域63Q以及第二接地墊64的內側區域64P和外側區域64Q以陰影線表示。

如圖23所示，本比較例與上述第一實施例的不同之處在於所述第二導體層7CL2的穿孔85的形狀，其他結構與第一實施例相同。具體地，本比較例中的穿孔85在間距方向上比圖17所示的第一實施例中的穿孔85還寬。

具體而言，如圖23所示，所述穿孔85形成為在垂直方向觀察時不與所述第一接地墊63的外側區域63Q和所述第二接地墊64的外側區域64Q重疊。此外，所述穿孔85形成為在垂直方向觀察時不與所述第一接地墊63的內側區域63P和所述第二接地墊64的內側區域64P重疊。然而，當在垂直方向上觀察時，所述穿孔85在間距方向上延伸以與所述第一接地墊63的內側區域63P和所述第二接地墊64的內側區域64P接觸。

具體而言，在所述穿孔85的內緣85A中沿間距方向劃分所述穿孔85的兩條分隔線85D的其中一條在第一訊號墊65側與所述第一接地墊63的輪廓63S重疊，另一條與在第二訊號墊66側與所述第二接地墊64的輪廓64S重疊。以這樣的方式，所述第二導體層7CL2在間距方向上遠離所述第一訊號墊65和所述第二訊號墊66，其目的在於控制所述第一訊號墊65和所述第二訊號墊66中的差動阻抗的降低，減小所述第二導體層7CL2的穿孔85的開口面積，增強所述第二導體層7CL2的電磁屏蔽效果。

但是，在本比較例中，在垂直方向上觀察時，所述穿孔85也可以形成為與所述第一接地墊63的內側區域63P和所述第二接地墊64的內側區域64P重疊，只要不與第一接地墊63的外側區域63Q和所述第二接地墊64的外側區域64Q重疊。具體地，所述穿孔85可以在間距方向上穿過所述第一接地墊63的輪廓63S並與內側區域63P重疊，並且可以在間距方向上穿過所述第二接地墊64的輪廓64S並與內側區域64P重疊。同樣在這種情況下，同時達到了控制第一訊號墊65和第二訊號墊66中的差動阻抗降低的效果和第二導體層7CL2的電磁屏蔽效果。

（第三比較例）

下面參考圖24和圖25描述本發明的第三比較例。下面主要說明本比較例與上述第一實施例的不同之處，重複內容不再贅述。

＜接觸板6＞

圖24是將所述穿孔55的內緣55A、所述穿孔56的內緣56A、所述穿孔57的內緣57A投影到所述第一導體層6CL1的投影圖，用於說明所述穿孔55、所述穿孔56和所述穿孔57相對於所述第一導體層6CL1的位置關係。所述穿孔55的內緣55A、所述穿孔56的內緣56A、所述穿孔57的內緣57A用粗線表示，所述第一接地墊33、所述第二接地墊34、所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36以雙點鏈線表示。為便於說明，所述第一接地墊33的內側區域33P和外側區域33Q以及所述第二接地墊34的內側區域34P和外側區域34Q以陰影線表示。

如圖24所示，本比較例與上述第一實施例的不同之處在於第一導體層6CL1的穿孔55的形狀，其他結構與第一實施例相同。具體地，本比較例中的穿孔55在間距方向上比圖10所示的第一實施例中的穿孔55窄。進一步地，本比較例中的所述穿孔55大致呈矩形。

具體而言，如圖24所示，在垂直方向觀察時，所述穿孔55形成為不與所述第一接地墊33的外側區域33Q和所述第二接地墊34的外側區域34Q重疊。然而，所述穿孔55在間距方向上延伸，以在垂直方向上觀察時與所述第一接地墊33的內側區域33P和所述第二接地墊34的內側區域34P重疊。具體地，所述穿孔55在間距方向上穿過所述第一訊號墊35側的所述第一接地墊33的輪廓33S並與內側區域33P重疊，並且進一步在間距方向上穿過第二接地墊34側的所述第二接地墊34的輪廓34S並與內側區域34P重疊。以這樣的方式，所述第二導體層6CL2在間距方向上遠離所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36，其目的在於控制所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊中的差動阻抗的降低，減小所述第二導體層6CL2的穿孔55的開口面積，提高所述第二導體層6CL2的電磁屏蔽效果。

需要注意的是，在本比較例中，在所述穿孔55的內緣55A中沿間距方向劃分所述穿孔55的兩條分隔線55D的其中一條可以與所述第一接地墊33的輪廓33S重疊，而另一條可以與所述第二接地墊34的輪廓34S重疊。換言之，所述穿孔55可以形成為在垂直方向上觀察時與所述第一接地墊33的內側區域33P和所述第二接地墊34的內側區域34P接觸。同樣在這種情況下，同時達到控制所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36中的差動阻抗降低的效果和所述第二導體層6CL2的電磁屏蔽效果。

＜安裝板7＞

圖25是將所述穿孔85的內緣85A、所述穿孔86的內緣86A、所述穿孔87的內緣87A投影在所述第一導體層7CL1上的投影圖，用以說明所述穿孔85、所述穿孔86和所述穿孔87相對於所述第一導體層7CL1的位置關係。所述穿孔85的內緣85A、所述穿孔86的內緣86A、所述穿孔87的內緣87A用粗線表示，所述第一接地墊63、所述第二接地墊64、所述第一訊號墊65和所述第二訊號墊66以雙點鏈線表示。為便於說明，所述第一接地墊63的外側區域63Q和所述第二接地墊64的外側區域64Q以陰影線表示。

如圖25所示，本比較例與上述第一實施例的不同之處在於所述第二導體層7CL2的穿孔85的形狀，其他結構與第一實施例相同。具體地，本比較例中的穿孔85在間距方向上比圖17所示的第一實施例中的穿孔85還寬。

具體而言，如圖25所示，所述穿孔85具有大致呈矩形的矩形部85B和從矩形部85B沿間距方向延伸的兩個延伸部85C。兩個延伸部85C的其中一個延伸到過孔80A與過孔80B之間，而另一個延伸到過孔81A與過孔81B之間。

此外，所述穿孔85形成為在垂直方向觀察時與所述第一接地墊63的外側區域63Q和所述第二接地墊64的外側區域64Q重疊。具體地，所述穿孔85的其中一個延伸部85C從所述矩形部85B沿間距方向延伸穿過分界線63R以與所述第一接地墊63的外側區域63Q重疊，而另一個延伸部85C從所述矩形部85B沿間距方向延伸穿過分界線64R以與所述第二接地墊64的外側區域64Q重疊。

因此，在間距方向上劃分所述穿孔85的內緣85A中的兩個延伸部85C的兩條分隔線85D在間距方向上與所述第一訊號墊65和所述第二訊號墊66分隔較遠。這意味著所述第二導體層7CL2在間距方向上遠離所述第一訊號墊65和第二訊號墊66。這允許控制所述第一訊號墊65和所述第二訊號墊66中的差動阻抗的降低。

（第四比較例）

下面參考圖26和圖27描述本發明的第四比較例。下面主要說明本比較例與上述第一實施例的不同之處，重複內容不再贅述。

＜接觸板6＞

圖26是將所述穿孔55的內緣55A、所述穿孔56的內緣56A、所述穿孔57的內緣57A投影到所述第一導體層6CL1的投影圖，用於說明所述穿孔55、所述穿孔56和所述穿孔57相對於所述第一導體層6CL1的位置關係。所述穿孔55的內緣55A、所述穿孔56的內緣56A、所述穿孔57的內緣57A以粗線表示，所述第一接地墊33、所述第二接地墊34、所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36以雙點鏈線表示。

如圖26所示，本比較例與上述第一實施例的不同之處在於所述第一導體層6CL1的穿孔55的形狀，其他結構與第一實施例相同。具體地，本比較例中的穿孔55在間距方向上比圖10所示的第一實施例中的穿孔55還窄。進一步地，本比較例中的穿孔55大致呈矩形。

具體而言，如圖26所示，所述穿孔55形成為在垂直方向觀察時在間距方向上與所述第一接地墊33及所述第二接地墊34分離。具體地，在間距方向上劃分穿孔55的兩條分隔線55D中，其中一條分隔線55D在間距方向上位於所述第一接地墊33和所述第一訊號墊35之間並且與所述第一接地墊33和所述第一訊號墊35等距，另一條分隔線55D在間距方向上位於所述第二接地墊34和所述第二訊號墊36之間並且與所述第二接地墊34和所述第二訊號墊36等距。以這種方式，這設計成減小所述第二導體層6CL2中的穿孔55的開口面積並且優先考慮所述第二導體層6CL2的電磁屏蔽效果。

＜安裝板7＞

圖27是將所述穿孔85的內緣85A、所述穿孔86的內緣86A、所述穿孔87的內緣87A投影到所述第一導體層7CL1的投影圖，用於說明所述穿孔85、所述穿孔86和所述穿孔87相對於所述第一導體層7CL1的位置關係。所述穿孔85的內緣85A、所述穿孔86的內緣86A、所述穿孔87的內緣87A以粗線表示，所述第一接地墊63、所述第二接地墊64、所述第一訊號墊65和所述第二訊號墊66以雙點鏈線表示。為便於說明，所述第一接地墊63的外側區域63Q和所述第二接地墊64的外側區域64Q以陰影線表示。

如圖27所示，本比較例與上述第一實施例的不同之處在於所述第二導體層7CL2的穿孔85的形狀，其他結構與第一實施例相同。具體地，本比較例中的穿孔85在間距方向上比圖17所示的第一實施例中的穿孔85寬。

具體而言，如圖27所示，所述穿孔85具有大致呈矩形的矩形部85B和從矩形部85B沿間距方向延伸的兩個延伸部85C。兩個延伸部85C的其中一個延伸到過孔80A與過孔80B之間，而另一個延伸到過孔81A與過孔81B之間。

此外，穿孔85形成為在垂直方向觀察時與所述第一接地墊63的外側區域63Q和所述第二接地墊64的外側區域64Q重疊。具體地，所述穿孔85的其中一個延伸部85C從所述矩形部85B沿間距方向延伸穿過分界線63R以與所述第一接地墊63的外側區域63Q重疊，而另一個延伸部85C從所述矩形部85B沿間距方向延伸所述穿過分界線64R以與所述第二接地墊64的外側區域64Q重疊。

因此，在間距方向上劃分所述穿孔85的內緣85A中的兩個延伸部85C的兩條分隔線85D在間距方向上與所述第一訊號墊65和所述第二訊號墊66分離較遠。這意味著所述第二導體層7CL2在間距方向上遠離所述第一訊號墊65和所述第二訊號墊66。這允許控制所述第一訊號墊65和所述第二訊號墊66中的差動阻抗的降低。

（第五比較例）

下面參考圖28和圖29描述本發明的第五比較例。以下主要說明本比較例與上述第一實施例的不同點，省略重複的說明。

圖28是本比較例的接觸板6的第二導體層6CL2、第三導體層6CL3、第四導體層6CL4的局部底視圖。圖29是本比較例的安裝板7的第二導體層7CL2、第三導體層7CL3、第四導體層7CL4的局部底視圖。在圖28和圖29中，為便於觀看，導體部分以陰影線表示。

在本比較例中，接觸板6的第二導體層6CL2、第三導體層6CL3、第四導體層6CL4和安裝板7的第二導體層7CL2、第三導體層7CL3、第四導體層7CL4的形狀與上述第一實施例不同，而其他結構與第一實施例相同。

＜接觸板6＞

如圖28所示，第二導體層6CL2具有兩個穿孔100代替圖5所示的穿孔55。每個穿孔100具有內緣100A。在圖28中，過孔52和過孔53分別設置在兩個穿孔100的內緣100A的內側。過孔50A、過孔50B、過孔51A及過孔51B位於兩個穿孔100的內緣100A的外側。每個穿孔100大致呈圓形。第三導體層6CL3和第四導體層6CL4具有與第二導體層6CL2相同的形狀。

＜安裝板7＞

如圖29所示，第二導體層7CL2具有兩個穿孔101代替圖12所示的穿孔85。每個穿孔101具有內緣101A。在圖29中，過孔82和過孔83分別設置在兩個穿孔101的內緣101A的內側。過孔80A、過孔80B、過孔81A和過孔81B設置在兩個穿孔101的內緣101A的外側。每個穿孔101大致上呈圓形。第三導體層7CL3和第四導體層7CL4具有與第二導體層7CL2相同的形狀。

（第一傳輸訊號完整性分析）

對根據上述第一實施例和第一比較例至第四比較例的差動傳輸板組4中的傳輸訊號進行完整性分析，下面結合圖30至圖32描述分析結果。

使用ANSYS, Inc.製造的Ansys HFSS（註冊商標）作為分析軟體。多個導體層6CL和多個導體層7CL各自的厚度為18μm。所述第一絕緣體層6SL1、所述第五絕緣體層6SL5、所述第一絕緣體層7SL1和所述第五絕緣體層7SL5各自的厚度為100μm。所述第二絕緣體層6SL2、所述第三絕緣體層6SL3、所述第四絕緣體層6SL4、所述第二絕緣體層7SL2、所述第三絕緣體層7SL3、所述第四絕緣體層7SL4各自的厚度為200μm。多個壓接件11的間距為0.7mm。此外，在圖3中，所述第一導體層6CL1和所述第一導體層7CL1在垂直方向上分隔0.7mm。圖5至圖8所示的所述接觸板6的所述過孔50A、所述過孔50B、所述過孔51A和所述過孔51B的直徑均為0.12mm。圖12至圖15所示的所述安裝板7的所述過孔80A、所述過孔80B、所述過孔81A、所述過孔81B的直徑均為0.15mm。絕緣體層6SL和絕緣體層7SL的介電常數為3.5。

圖30是表示使用差動傳輸板組4的差動傳輸的***損耗的分析結果的曲線圖。在圖30的曲線圖中，橫軸表示頻率，縱軸表示***損耗。在圖30中，近似曲線A至E分別對應於第一實施例和第一比較例至第四比較例。

圖31是表示使用差動傳輸板組4的差動傳輸的回波損耗分析結果的曲線圖。在圖31的曲線圖中，橫軸表示頻率，縱軸表示回波損耗。在圖31中，近似曲線A至E分別對應於第一實施例和第一比較例至第四比較例。

圖32是表示使用差動傳輸基板組4的差動傳輸的時域反射（Time Domain Reflectometry，TDR）的分析結果的曲線圖。在圖32的曲線圖中，橫軸表示時間，縱軸表示差動阻抗。在圖32中，近似曲線A至E分別對應於第一實施例和第一比較例至第四比較例。如圖32所示，在TDR分析中，差動傳輸板組4設計成具有差動阻抗，例如85Ω。在圖32中，橫軸0.065nsec處的差動阻抗表示接觸板6的第一訊號墊35和第二訊號墊36中的差動阻抗，橫軸0.095nsec處的差動阻抗表示安裝板7的第一訊號墊65和第二訊號墊66中的差動阻抗。

圖30顯示，根據第一實施例和第一比較例至第四比較例的差動傳輸板組4具有良好的傳輸特性。特別地，在第一實施例和第一比較例至第三比較例中，***損耗顯著低於第四比較例中的***損耗。

圖31顯示，根據第一實施例和第一比較例至第四比較例的差動傳輸板組4具有良好的傳輸特性。特別地，在第一實施例和第一比較例至第三比較例中，回波損耗顯著低於第四比較例中的回波損耗。此外，在第一實施例中，回波損耗顯著低於第一比較例至第四比較例中的回波損耗。

圖32顯示，根據第一實施例和第一比較例至第四比較例的差動傳輸板組4中的差動阻抗在85Ω的+/-13Ω的窄範圍內，這是一種設計值。

在圖32中，參考橫軸0.065nsec處的差動阻抗（接觸板6的第一訊號墊35和第二訊號墊36中的差動阻抗），與第四比較例相比較，第一實施例和第一比較例至第三比較例中的差動阻抗的降低受到控制。這可能是因為例如第二導體層6CL2（穿孔55的內緣55A）在間距方向上充分遠離圖10所示的第一實施例和第一比較例至第三比較例中的接觸板6的第一訊號墊35和第二訊號墊36。圖30中的第一實施例和第一比較例至第三比較例中的***損耗低於第四比較例中的***損耗的結果可能是因為接觸板6的第一訊號墊35和第二訊號墊36中的差動阻抗的降低得到有效控制。同樣地，圖31中第一實施例和第一比較例至第三比較例的回波損耗低於第四比較例的回波損耗的結果可能是因為接觸板6的第一訊號墊35和第二訊號墊36中的差動阻抗的降低得到有效控制。

圖32顯示，參考橫軸0.095nsec處的差動阻抗（安裝板7的第一訊號墊65和第二訊號墊66中的差動阻抗），與第一比較例至第四比較例相比較，第一實施例的差動阻抗進一步降低。這可能是因為第二導體層7CL2（穿孔85）在第一實施例中在間距方向上較窄，如圖17所示。然而，安裝板7的第一訊號墊65和第二訊號墊66中的差動阻抗的降低不會引起任何顯著問題。這是因為安裝板7的第一訊號墊65和第二訊號墊66中的差動阻抗的降低量大約是接觸板6的第一訊號墊35和第二訊號墊36的五分之一。

在圖32中，參照橫軸0.08nsec處的差動阻抗（壓接件11中的差動阻抗），與第一比較例至第四比較例相比，第一實施例中的差動阻抗的增加量減小。這可能是因為與上述第一比較例至第四比較例相比，第一實施例中橫軸0.095nsec處的差動阻抗（安裝板7的第一訊號墊65和第二訊號墊66中的差動阻抗）進一步減小了。然後，如圖31所示，第一實施例中的回波損耗特別低於第一比較例至第四比較例中的結果可能是因為第一實施例中壓接件11中的差動阻抗的增加量減少了，如圖32所示。具體地，在第一實施例中，透過有意地減小安裝板7的第一訊號墊65和第二訊號墊66中的差動阻抗的減小量的影響來減小回波損耗。

（第二傳輸訊號完整性分析）

將第一變形例應用於第一實施例和第一比較例至第四比較例的示例中的差動傳輸板組4和第五比較例中的差動傳輸板組4進行完整性分析，下面參照圖33至圖35描述分析結果。應注意的是，將第一變形例應用於第一實施例的示例即為第一變形例。

使用ANSYS, Inc.製造的Ansys HFSS（註冊商標）作為分析軟體。多個導體層6CL和多個導體層7CL各自的厚度為18μm。所述第一絕緣體層6SL1、所述第五絕緣體層6SL5、所述第一絕緣體層7SL1和所述第五絕緣體層7SL5各自的厚度為100μm。所述第二絕緣體層6SL2、所述第三絕緣體層6SL3、所述第四絕緣體層6SL4、所述第二絕緣體層7SL2、所述第三絕緣體層7SL3、所述第四絕緣體層7SL4的各自的厚度為200μm。多個壓接件11的間距為0.7mm。此外，在圖3中，所述第一導體層6CL1和所述第一導體層7CL1在垂直方向上分隔0.7mm。圖5至圖8所示的所述接觸板6的所述過孔50A、過孔50B、所述過孔51A和所述過孔51B的直徑均為0.12mm。圖12至圖15所示的所述安裝板7的所述過孔80A、所述過孔80B、所述過孔81A、所述過孔81B的直徑均為0.15mm。所述絕緣體層6SL和所述絕緣體層7SL的介電常數為3.5。

圖33是表示使用差動傳輸板組4的差動傳輸的***損耗分析結果的曲線圖。在圖33的曲線圖中，橫軸表示頻率，縱軸表示***損耗。在圖33中，近似曲線A對應於第一實施例，近似曲線A'至E'對應於將第一變形例分別應用於第一實施例和第一比較例至第四比較例的例子，近似曲線F對應於第五比較例。

圖34是表示使用差動傳輸板組4的差動傳輸的回波損耗分析結果的曲線圖。在圖34的曲線圖中，橫軸表示頻率，縱軸表示回波損耗。在圖34中，近似曲線A對應於第一實施例，近似曲線A'至E'對應於第一變形例分別應用於第一實施例和第一比較例至第四比較例的示例，近似曲線F對應於第五比較例。

圖35是表示使用差動傳輸基板組4的差動傳輸的TDR分析結果的曲線圖。在圖35的曲線圖中，橫軸表示時間，縱軸表示差動阻抗。在圖35中，近似曲線A對應於第一實施例，近似曲線A'至E'對應於第一變形例分別應用於第一實施例和第一比較例至第四比較例的示例，近似曲線F對應於第五比較例。如圖35所示，在TDR分析中，差動傳輸板組4設計成具有差動阻抗，例如85Ω。在圖35中，橫軸0.065nsec處的差動阻抗表示接觸板6的第一訊號墊35和第二訊號墊36中的差動阻抗，橫軸0.095nsec處的差動阻抗表示安裝板7的第一訊號墊65和第二訊號墊66中的差動阻抗。

圖33顯示，將第一變形例應用於第一實施例和第一比較例至第四比較例時，雖然***損耗略有增加，但仍明顯低於第五比較例的***損耗。

圖34顯示，將第一變形例應用於第一實施例和第一比較例至第四比較例時，雖然回波損耗略有增加，但仍明顯低於第五比較例的回波損耗。

圖35顯示，將第一變形例應用於第一實施例和第一比較例至第四比較例時，接觸板6的第一訊號墊35和第二訊號墊36中的差動阻抗的降低量雖然稍有增加，但仍然是明顯低於第五比較例中的降低量。

以上描述了本發明的第一實施例。

上述第一實施例具有以下特徵。

具體地，如圖1至圖3所示，所述差動傳輸板組4包括：安裝有所述壓縮連接器5的所述安裝板7、以及用於與所述壓縮連接器5接觸的所述接觸板6。所述接觸板6和所述安裝板7透過所述壓縮連接器5相互電連接。所述壓縮連接器5包括：排列成一排的四個壓接件11、以及保持所述四個壓接件11的所述殼體12，其中每個壓接件11包括焊接部20和彈性部21。如圖3所示，所述安裝板7是由多個導體層7CL和多個絕緣體層7SL交替層疊而成的多層基板。所述接觸板6是多個導體層6CL和多個絕緣體層6SL交替層疊而成的多層基板。

在所述安裝板7中，多個導體層7CL從所述壓縮連接器5側起依序包括第一導體層7CL1和第二導體層7CL2。在接觸板6中，多個導體層6CL從壓縮連接器5側起依序包括第一導體層6CL1和第二導體層6CL2。如圖11所示，在安裝板7中，所述第一導體層7CL1包括對應於所述四個壓接件11的四個電極墊60。所述四個電極墊60包括：第一訊號墊65、第二訊號墊66、第一接地墊63和第二接地墊64。依序以所述第一接地墊63、所述第一訊號墊65、所述第二訊號墊66和所述第二接地墊64的順序在間距方向（第一方向）上排列。四個壓接件11的焊接部20可分別焊接於所述第一接地墊63、所述第一訊號墊65、所述第二訊號墊66及所述第二接地墊64。

如圖4所示，在所述接觸板6中，所述第一導體層6CL1包括與所述四個壓接件11對應的四個電極墊30。所述四個電極墊30包括：第一訊號墊35、第二訊號墊36、第一接地墊33和第二接地墊34。所述第一接地墊33、所述第一訊號墊35、所述第二訊號墊36和所述第二接地墊34在間距方向（第一方向）上依此記載順序排列。所述四個壓接件11的彈性部21分別與所述第一接地墊33、所述第一訊號墊35、所述第二訊號墊36和所述第二接地墊34接觸。

如圖12所示，在所述安裝板7中，所述第二導體層7CL2為接地層，且具有所述穿孔85。如圖17所示，在所述安裝板7中，在垂直方向（層疊方向）觀看時，所述穿孔85形成為所述第一訊號墊65和所述第二訊號墊66均位於所述穿孔85的內緣85A的內側。

如圖11所示，在所述安裝板7中，分界線63R在間距方向上將所述第一接地墊63的墊區域分成兩半，所述第一接地墊63包括相對於所述分界線63R較靠近所述第一訊號墊65的內側區域63P及相對於所述分界線63R較遠離所述第一訊號墊65的外側區域63Q。在所述安裝板7中，分界線64R在間距方向上將所述第二接地墊64的墊區域分成兩半，所述第二接地墊64具有相對於所述分界線64R較靠近所述第二訊號墊66的內側區域64P及相對於所述分界線64R較遠離所述第二訊號墊66的外側區域64Q。

如圖5所示，在所述接觸板6中，所述第二導體層6CL2為接地層並且具有穿孔55。如圖10所示，在所述接觸板6中，當從垂直方向（層疊方向）看時，所述穿孔55以所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36均位於所述穿孔55的內緣55A的內側的方式形成。如圖4所示，在所述接觸板6中，所述第一接地墊33包括比在間距方向上將所述第一接地墊33的墊區域分成兩半的分界線33R更靠近所述第一訊號墊35的內側區域33P，以及相對於所述分界線33R遠離所述第一訊號墊35的外側區域33Q。在所述接觸板6中，第二接地墊34包括比在間距方向上將第二接地墊34的墊區域分成兩半的分界線34R更靠近第二訊號墊36的內側區域34P，以及相對於分界線34R遠離第二訊號墊36的外側區域34Q。

如第一實施例的圖10所示，在所述接觸板6中，所述穿孔55形成為在垂直方向上看時與所述第一接地墊33的所述外側區域33Q和第二接地墊34的外側區域34Q重疊。另一方面，如第一實施例的圖17所示，在所述安裝板7中，在垂直方向上看時，所述穿孔85形成為遠離所述第一接地墊63和所述第二接地墊64。

在這種結構中，如圖30和圖31所示，實現了具有優良傳輸特性的差動傳輸板組4。特別地，與近似曲線B、C、D和E所示的第一比較例至第四比較例相比，實現了優異的傳輸特性。

上述第一變形例具有以下特徵。

如圖19所示，在所述安裝板7中，所述第三導體層7CL3是接地層，且在垂直方向上與所述第一訊號墊65和所述第二訊號墊66重疊。此外，如圖18所示，在所述接觸板6中，所述第三導體層6CL3是接地層，且在垂直方向上與所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36重疊。

同樣在此結構中，如圖33和圖34所示，實現了具有優良傳輸特性的差動傳輸板組4。此外，所述第三導體層7CL3和所述第三導體層6CL3中的電磁屏蔽效果也預期實現。

上述第一實施例具有以下特徵。

具體地，如圖13和圖14所示，在所述安裝板7中，所述第三導體層7CL3和所述第四導體層7CL4是接地層，且分別具有穿孔86和穿孔87。如圖17所示，在所述安裝板7中，所述第三導體層7CL3的穿孔86在垂直方向觀察時，是以所述第一訊號墊65和所述第二訊號墊66均位於穿孔86的內緣86A的內側的方式形成。同樣地，第四導體層7CL4的穿孔87在垂直方向觀察時是以所述第一訊號墊65和所述第二訊號墊66均位於所述穿孔87的內緣87A的內側的方式形成。如圖15所示，在所述安裝板7中，所述第五導體層7CL5為接地層，在垂直方向上與所述第一訊號墊65和所述第二訊號墊66重疊（參見圖19可更好理解）。

進一步地，如圖6和圖7所示，在所述接觸板6中，所述第三導體層6CL3和所述第四導體層6CL4是接地層，且分別具有穿孔56和穿孔57。如圖10所示，在所述接觸板6中，所述第三導體層6CL3的穿孔56在垂直方向觀察時是以所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36均位於所述穿孔56的內緣56A的內側的方式形成。同樣地，所述第四導體層6CL4的穿孔57在垂直方向觀察時是以所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36均位於所述穿孔57的內緣57A的內側的方式形成。如圖8所示，在所述接觸板6中，所述第五導體層6CL5為接地層，在垂直方向上與所述第一訊號墊35和所述第二訊號墊36重疊（參見圖18可更好理解）。

在這種結構中，如圖30和圖31所示，實現了具有優良傳輸特性的差動傳輸板組4。

此外，如圖2所示，所述壓縮連接器5包括多個壓接件組11G，每個壓接件組11G包括排列成一排的四個壓接件11。

此外，所述接觸板6的多個導體層6CL包括：第一導體層6CL1、第二導體層6CL2、…、第（N-1）導體層和第N導體層，且依此順序從所述壓縮連接器5側排列。其中，N是4以上的自然數。在第一實施例中，第（N-1）導體層和第N導體層分別對應於所述第五導體層6CL5和所述第六導體層6CL6。所述第六導體層6CL6（第N導體層）包括第一訊號墊45和第二訊號墊46，所述第一訊號墊45和第二訊號墊46分別電連接到所述第一導體層6CL1的第一訊號墊35和第二訊號墊36。如圖8和圖9所示，所述第五導體層6CL5（第N-1導體層）為接地層，在層疊方向與所述第六導體層6CL6的第一訊號墊45和第二訊號墊46重疊。在此結構中，所述第六導體層6CL6（第N導體層）的第一訊號墊45和第二訊號墊46的電磁屏蔽效果足夠大。

同樣地，所述安裝板7的多個導體層7CL包括：第一導體層7CL1、第二導體層7CL2、…、第（N-1）導體層、第N導體層，且依此順序從所述壓縮連接器5側排列。其中，N是4以上的自然數。在第一實施例中，第（N-1）導體層和第N導體層分別對應於所述第五導體層7CL5和所述第六導體層7CL6。所述第六導體層7CL6（第N導體層）包括第一訊號墊75和第二訊號墊76，所述第一訊號墊75和第二訊號墊76分別電連接到所述第一導體層7CL1的所述第一訊號墊65和第二訊號墊66。如圖15和圖16所示，所述第五導體層7CL5（第N-1導體層）為接地層，在層疊方向與所述第六導體層7CL6的所述第一訊號墊75和所述第二訊號墊76重疊。在此結構中，所述第六導體層7CL6（第N導體層）的第一訊號墊75和第二訊號墊76的電磁屏蔽效果足夠大。

應注意的是，所述接觸板6和所述安裝板7均可具有上述第（N-1）導體層的特徵，所述接觸板6和所述安裝板7中可以只有一個具有如上所述的第（N-1）導體層。

上述第一實施例，例如可變形如下。

具體地，在圖5中，可以省略所述過孔50A和所述過孔50B中的任何一個。在圖5中，可以省略所述過孔51A和所述過孔51B中的任何一個。在圖12中，可以省略所述過孔80A和所述過孔80B中的任何一個。在圖12中，可以省略所述過孔81A和所述過孔81B中的任何一個。

此外，如圖3所示，在第一實施例中，所述接觸板6包括第一導體層至第六導體層作為多個導體層6CL。或者，所述接觸板6可以進一步包括第七導體層和第八導體層作為多個導體層6CL。所述第六導體層6CL6、所述第七導體層和所述第八導體層從所述壓縮連接器5側依序配置。在這種情況下，第七導體層和第八導體層通常是接地層。第七導體層和第八導體層可以具有任何厚度和形狀。這同樣適用於所述安裝板7。

根據此揭示內容，顯而易見的是本發明的實施例可以多種方式變化。這樣的變化不應被視為背離本發明的精神和範圍，並且對於本領域技術人員顯而易見的所有這樣的修改旨在包含在所附申請專利範圍的範圍內。

1:資訊處理裝置 2:差動傳輸組件 3:支撐板 4:差動傳輸板組 5:壓縮連接器 6:接觸板 7:安裝板 6A,7A:螺栓緊固孔 6CL,7CL:導體層 6CL1,7CL1:第一導體層 6CL2,7CL2:第二導體層 6CL3,7CL3:第三導體層 6CL4,7CL4:第四導體層 6CL5,7CL5:第五導體層 6CL6,7CL6:第六導體層 6SL,7SL:絕緣體層 6SL1,7SL1:第一絕緣體層 6SL2,7SL2:第二絕緣體層 6SL3,7SL3:第三絕緣體層 6SL4,7SL4:第四絕緣體層 6SL5,7SL5:第五絕緣體層 8:板主體 9:螺母 10:螺栓 11:壓接件 11G:壓接件組 12:殼體 12A:接點容置室 13:接點排 20:焊接部 21:彈性部 21A:接點部 22:壓合部 30,60:電極墊 31,61:接地墊 32,62:訊號墊 33,43,63,73:第一接地墊 33A,34A,35A,36A:彈性接觸部 33B,34B,43A,44A,73A,74A:第一過孔連接部 33C,34C,43B,44B,73B,74B:第二過孔連接部 33D,33E,34D,34E,35C,36C:邊界 33F,34F,35D,36D:基部 33G,34G,35E,36E:漸縮部 33P,34P,63P,64P:內側區域 33Q,34Q,63Q,64Q:外側區域 33R,34R,63R,64R:分界線 33S,34S,63S,64S:輪廓 34,44,64,74:第二接地墊 35,45,65,75:第一訊號墊 35B,36B:過孔連接部 36,46,66,76:第二訊號墊 50A,50B,51A,51B,52,53,80A,80B,81A,81B,82,83:過孔 55,56,57,58,85,86,87,88,90,91,100,101:穿孔 55A,56A,57A,58A,85A,86A,87A,88A,90A,91A,100A,101A:內緣 55B,85B:矩形部 55C,85C:延伸部 55D,85D:分隔線 63A,64A:端部 1000:導體層 1000A:第一導體層 1000B:第二導體層 1000C:第三導體層 1000D:第四導體層 1001:絕緣體層 1001A:第一絕緣體層 1001B:第二絕緣體層 1001C:第三絕緣體層 1002:切換卡板 1003:電纜連接墊 1005B,1005C:穿孔

圖1是資訊處理裝置（第一實施例）的分解透視圖。 圖2是從其他角度觀察到的資訊處理裝置（第一實施例）的分解透視圖。 圖3是差動傳輸裝置（第一實施例）的剖視圖。 圖4是接觸板（第一實施例）的第一導體層的局部底視圖。 圖5是接觸板（第一實施例）的第二導體層的局部底視圖。 圖6是接觸板（第一實施例）的第三導體層的局部底視圖。 圖7是接觸板（第一實施例）的第四導體層的局部底視圖。 圖8是接觸板（第一實施例）的第五導體層的局部底視圖。 圖9是接觸板（第一實施例）的第六導體層的局部底視圖。 圖10是接觸板（第一實施例）的多個導體層的投影圖。 圖11是安裝板（第一實施例）的第一導體層的局部平面圖。 圖12是安裝板（第一實施例）的第二導體層的局部平面圖。 圖13是安裝板（第一實施例）的第三導體層的局部平面圖。 圖14是安裝板（第一實施例）的第四導體層的局部平面圖。 圖15是安裝板（第一實施例）的第五導體層的局部平面圖。 圖16是安裝板（第一實施例）的第六導體層的局部平面圖。 圖17是安裝板（第一實施例）的多個導體層的投影圖。 圖18是接觸板（第一變形例）的第三導體層和第四導體層的局部底視圖。 圖19是安裝板（第一變形例）的第三導體層和第四導體層的局部平面圖。 圖20是接觸板（第一比較例）的多個導體層的投影圖。 圖21是安裝板（第一比較例）的多個導體層的投影圖。 圖22是接觸板（第二比較例）的多個導體層的投影圖。 圖23是安裝板（第二比較例）的多個導體層的投影圖。 圖24是接觸板（第三比較例）的多個導體層的投影圖。 圖25是安裝板（第三比較例）的多個導體層的投影圖。 圖26是接觸板（第四比較例）的多個導體層的投影圖。 圖27是安裝板（第四比較例）的多個導體層的投影圖。 圖28是接觸板（第五比較例）的第二導體層到第四導體層的局部底視圖。 圖29是安裝板（第五比較例）的第二導體層到第四導體層的局部底視圖。 圖30是表示***損耗的分析結果的曲線圖。 圖31是表示回波損耗的分析結果的曲線圖。 圖32是表示利用TDR法的差動阻抗的分析結果的曲線圖。 圖33是表示***損耗的分析結果的曲線圖。 圖34是表示回波損耗的分析結果的曲線圖。 圖35是表示利用TDR法的差動阻抗的分析結果的曲線圖。 圖36是專利文獻1的圖16的簡化圖。

6CL1:第一導體層

33:第一接地墊

34:第二接地墊

33A,34A:彈性接觸部

33B,34B:第一過孔連接部

33C,34C:第二過孔連接部

33Q,34Q:外側區域

33R,34R:分界線

35:第一訊號墊

36:第二訊號墊

55,56,57:穿孔

55A,56A,57A:內緣

55B:矩形部

55C:延伸部

55D:分隔線

Claims (6)

1. 一種差動傳輸板組，所述差動傳輸板組為由兩個差動傳輸板透過壓縮連接器相互電連接的組合，所述壓縮連接器包括排成一排的四個壓接件和保持所述四個壓接件的殼體，每個壓接件包括焊接部和彈性部，其中： 所述兩個差動傳輸板包括安裝板和接觸板，所述壓縮連接器安裝在所述安裝板上，所述接觸板配置以與所述壓縮連接器接觸， 每一個所述安裝板和所述接觸板為多層板，所述多層板具有多個導體層和多個絕緣體層交替層疊， 在每一個所述安裝板和所述接觸板中，所述多個導體層包括第一導體層和第二導體層，依序以所述第一導體層和所述第二導體層的順序從所述壓縮連接器側排列， 在每一個所述安裝板和所述接觸板中，所述第一導體層包括對應於所述四個壓接件的四個電極墊， 所述四個電極墊包括第一訊號墊、第二訊號墊、第一接地墊和第二接地墊，依序以所述第一接地墊、所述第一訊號墊、所述第二訊號墊和所述第二接地墊的順序沿著第一方向排列， 在所述安裝板中，所述四個壓接件的焊接部可分別焊接至所述第一接地墊、所述第一訊號墊、所述第二訊號墊及所述第二接地墊， 在所述接觸板中，所述四個壓接件的所述彈性部可分別接觸所述第一接地墊、所述第一訊號墊、所述第二訊號墊和所述第二接地墊， 在每一個所述安裝板和所述接觸板中，所述第二導體層為接地層並且具有穿孔， 在每一個所述安裝板和所述接觸板中，所述穿孔以在層疊方向觀察時所述第一訊號墊和所述第二訊號墊均位於所述穿孔的內緣的內側的方式形成， 在每一個所述安裝板和所述接觸板中，所述第一接地墊包括內側區域和外側區域，所述內側區域相對於將所述第一接地墊的墊區域沿所述第一方向分成兩半的分界線更靠近所述第一訊號墊，所述外側區域相對於所述分界線更遠離所述第一訊號墊， 在每一個所述安裝板和所述接觸板中，所述第二接地墊包括內側區域和外側區域，所述內側區域相對於將所述第二接地墊的墊區域沿所述第一方向分成兩半的分界線更靠近所述第二訊號墊，所述外側區域相對於所述分界線更遠離區域第二訊號墊， 在所述接觸板中，當沿所述層疊方向看時，所述穿孔形成為與所述第一接地墊的所述外側區域和所述第二接地墊的所述外側區域重疊，且 在所述安裝板中，當沿所述層疊方向看時，所述穿孔形成為遠離所述第一接地墊和所述第二接地墊。
2. 如請求項1所述的差動傳輸板組，其中： 在每一個所述安裝板和所述接觸板中，所述多個導體層還包括第三導體層，所述第一導體層、所述第二導體層和所述第三導體層從所述壓縮連接器側依此記載順序層疊，且 在每一個所述安裝板和所述接觸板中，所述第三導體層是接地層並且在所述層疊方向上與所述第一訊號墊和所述第二訊號墊重疊。
3. 如請求項1所述的差動傳輸板組，其中： 在每一個所述安裝板和所述接觸板中，所述多個導體層還包括第三導體層、第四導體層和第五導體層，且依序以所述第一導體層、所述第二導體層、所述第三導體層，所述第四導體層和所述第五導體層的順序從所述壓縮連接器側層疊， 在每一個所述安裝板和所述接觸板中，所述第三導體層和所述第四導體層為接地層並且具有穿孔， 在每一個所述安裝板和所述接觸板中，每一個所述第三導體層和所述第四導體層中的所述穿孔以在所述層疊方向觀察時所述第一訊號墊和所述第二訊號墊均位於所述穿孔的內緣的內側的方式形成， 在每一個所述安裝板和所述接觸板中，所述第五導體層為接地層並且在所述層疊方向上與所述第一訊號墊和所述第二訊號墊重疊。
4. 如請求項1至3中任一項所述的差動傳輸板組，其中：所述差動傳輸板組是兩個差動傳輸板透過壓縮連接器相互電連接的組合，所述壓縮連接器具有多個壓接件組，每個壓接件組包括排列成一排的四個壓接件。
5. 如請求項1至3中任一項所述的差動傳輸板組，其中： 在每一個所述安裝板和所述接觸板中，所述多個導體層包括所述第一導體層、所述第二導體層、…、第N-1導體層和第N導體層從所述壓縮連接器側依此記載順序排列，其中N是4以上的自然數， 所述第N導體層包括第一訊號墊和第二訊號墊，分別電連接到所述第一導體層的所述第一訊號墊和所述第二訊號墊，並且 所述第N-1導體層為接地層，在所述層疊方向上與所述第N導體層的所述第一訊號墊和所述第二訊號墊重疊。
6. 一種組件，包括： 如請求項1至3中任一項所述的差動傳輸板組；和 所述壓縮連接器。

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