TW202338906A - 緊固組合件、離子處理系統及將束阻擋器緊固到離子處理系統的提取板的方法 - Google Patents
緊固組合件、離子處理系統及將束阻擋器緊固到離子處理系統的提取板的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202338906A TW202338906A TW111143734A TW111143734A TW202338906A TW 202338906 A TW202338906 A TW 202338906A TW 111143734 A TW111143734 A TW 111143734A TW 111143734 A TW111143734 A TW 111143734A TW 202338906 A TW202338906 A TW 202338906A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- shaft portion
- mounting pin
- centering sleeve
- spacer
- extraction plate
- Prior art date
Links
- 238000000605 extraction Methods 0.000 title claims abstract description 102
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 68
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 5
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 5
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 claims description 5
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 4
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 2
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 26
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 7
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012858 resilient material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32807—Construction (includes replacing parts of the apparatus)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32422—Arrangement for selecting ions or species in the plasma
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Connection Of Plates (AREA)
Abstract
一種用於將束阻擋器緊固到提取板的緊固組合件，所述緊固組合件包括：安裝銷，具有軸部分、位於軸部分的第一端部處的基座部分及位於軸部分的第二端部處的頭部部分；定心套筒，在徑向上環繞軸部分且在軸向上與基座部分鄰接，所述定心套筒在軸部分與提取板之間以及軸部分與束阻擋器之間可在徑向上被壓縮；環形的間隔件，環繞定心套筒且在軸向上與束阻擋器鄰接，所述定心套筒局部地延伸到間隔件中；以及閂鎖頂蓋，環繞軸部分且在軸向上與間隔件鄰接，所述軸部分延伸穿過閂鎖頂蓋的貫穿孔，所述貫穿孔在與安裝銷的軸線垂直的方向上小於頭部部分。
Description
本公開大體來說涉及用於半導體器件的處理裝置，且更具體來說涉及一種用於在離子處理系統中安裝束阻擋器的緊固組合件。
電漿有時被用於對半導體基底（例如在電子器件中使用的半導體基底）進行處理，以用於例如基底刻蝕、層沉積、離子植入及其他製程等應用。一些處理裝置採用用於產生電漿的電漿腔室來充當用於基底處理的離子源。離子束可通過提取組合件被提取且被引導到相鄰腔室中的基底。在一些情形中，離子束可在與提取組合件的提取開孔相鄰地設置的所謂“束阻擋器”周圍被分割，以形成被朝向基底引導的一對對稱的成角度離子束。束阻擋器可通過由協作的安裝銷、間隔件及閂鎖形成的一對緊固組合件而被緊固到提取開孔的相對的側上的提取板。
與上述類型的緊固件相關聯的缺點是容易導致束阻擋器相對於提取開孔未對準，從而導致被朝向目標基底引導的小束之間缺乏對稱性。舉例來說，整個束阻擋器可能會下凹，從而導致束阻擋器上方的間隙大於束阻擋器下方的間隙。在另一實例中，束阻擋器的一個側可能會相對於束阻擋器的相對側下凹，從而導致提取到“扭曲的”離子束。此種未對準可能是由於製造公差造成的緊固組合件的元件大小變化而造成，和/或可能是由於重力造成的束阻擋器下凹而造成。
針對這些及其他考慮因素而提供本公開。
提供本發明內容是為了以簡化的形式介紹一系列概念。本發明內容並非旨在識別所主張主題的關鍵特徵或本質特徵，本發明內容也並非旨在說明確定所主張主題的範圍。
根據本公開的用於將束阻擋器緊固到離子處理系統的提取板的緊固組合件的實施例可包括：安裝銷，具有圓柱形的軸部分、位於所述軸部分的第一端部處的基座部分及位於所述軸部分的相對的第二端部處的頭部部分；管狀的定心套筒，在徑向上環繞所述軸部分且在軸向上與所述基座部分鄰接，所述定心套筒適於在所述軸部分與所述提取板之間以及所述軸部分與所述束阻擋器之間在徑向上被壓縮；環形的間隔件，在徑向上環繞所述定心套筒及所述安裝銷的所述軸部分且在軸向上與所述束阻擋器鄰接，所述定心套筒局部地延伸到所述間隔件中且不完全延伸穿過所述間隔件；以及閂鎖頂蓋，在徑向上環繞所述軸部分且在軸向上與所述間隔件鄰接，所述軸部分延伸穿過所述閂鎖頂蓋的貫穿孔，所述閂鎖頂蓋的所述貫穿孔在與安裝銷的軸線垂直的方向上小於所述頭部部分。
根據本公開的離子處理系統可包括：電漿腔室；製程腔室，與所述電漿腔室相鄰；以及提取組合件，設置在所述電漿腔室與所述製程腔室之間。所述提取組合件可包括：提取板，沿著所述電漿腔室的側設置且對提取開孔進行界定；以及束阻擋器，與所述提取開孔相鄰地設置且通過緊固組合件緊固到所述提取板。所述緊固組合件可包括：安裝銷，具有圓柱形的軸部分、基座部分及頭部部分，所述軸部分延伸穿過所述提取板中的安裝開孔且延伸穿過所述束阻擋器中的安裝開孔，所述基座部分位於所述軸部分的第一端部處，所述頭部部分位於所述軸部分的相對的第二端部處；管狀的定心套筒，在所述提取板的所述安裝開孔內及所述束阻擋器的所述安裝開孔內在徑向上環繞所述軸部分且在軸向上與所述基座部分鄰接，所述定心套筒在所述軸部分與所述提取板之間以及所述軸部分與所述束阻擋器之間保持被徑向壓縮；環形的間隔件，在徑向上環繞所述定心套筒及所述安裝銷的所述軸部分且在軸向上與所述束阻擋器鄰接，所述定心套筒局部地延伸到所述間隔件中且不完全延伸穿過所述間隔件；以及閂鎖頂蓋，在徑向上環繞所述軸部分且在軸向上與所述間隔件鄰接，所述軸部分延伸穿過所述閂鎖頂蓋的貫穿孔，所述閂鎖頂蓋的所述貫穿孔在與安裝銷的軸線垂直的方向上小於所述頭部部分。
根據本公開的將束阻擋器緊固到離子處理系統的提取板的方法可包括：穿過所述提取板的前部將安裝銷***到提取板中的安裝開孔中，所述安裝銷具有圓柱形的軸部分、位於所述軸部分的第一端部處的基座部分及位於所述軸部分的相對的第二端部處的頭部部分；將定心套筒的第一徑向半部***到所述提取板的所述安裝開孔中，所述第一徑向半部在徑向上位於所述安裝銷的所述軸部分與所述提取板中間且與所述安裝銷的所述基座部分軸向鄰接；將所述定心套筒的第二徑向半部***到所述提取板的所述安裝開孔中，所述第二徑向半部在徑向上位於所述安裝銷的所述軸部分與所述提取板中間且與所述安裝銷的所述基座部分軸向鄰接，所述定心套筒的所述第二徑向半部與所述定心套筒的所述第一徑向半部進行配合，以對在所述安裝銷的所述軸部分與所述提取板之間保持被徑向壓縮的管狀本體進行界定；將所述束阻擋器放置在所述安裝銷及所述定心套筒之上，所述安裝銷的所述軸部分及所述定心套筒延伸穿過所述束阻擋器的安裝開孔，且所述束阻擋器被設置成與所述提取板的後部進行平整鄰接，其中所述定心套筒的所述管狀本體在所述安裝銷的所述軸部分與所述束阻擋器之間保持被徑向壓縮；在所述定心套筒上將間隔件的第一徑向半部與第二徑向半部配合在一起，以對在軸向上與所述束阻擋器鄰接的環形本體進行界定，所述定心套筒局部地延伸到所述間隔件的貫穿孔中；將環形的閂鎖頂蓋放置在所述安裝銷的所述頭部部分之上，所述頭部部分與所述閂鎖頂蓋的對應形狀的貫穿孔對準且穿過所述貫穿孔而被***，其中所述閂鎖頂蓋以與所述安裝銷的所述軸部分及所述間隔件的徑向環繞關係設置在所述安裝銷的所述軸部分及所述間隔件上；以及使所述閂鎖頂蓋相對於所述安裝銷旋轉，以使所述閂鎖頂蓋的所述貫穿孔移動成不與所述安裝銷的所述頭部部分對準，因此防止所述閂鎖頂蓋在軸向上從所述安裝銷滑出。
現在將在下文中參照附圖更全面地闡述本實施例，在附圖中示出一些實施例。本公開的主題可以許多不同的形式實施且不應被解釋為僅限於本文中所陳述的實施例。提供這些實施例是為了使本公開徹底及完整，且將向所屬領域中的技術人員完全傳達本主題的範圍。在圖式中，相同的編號始終指代相同的元件。
本文中所使用的以單數敘述且以用詞“一（a或an）”開頭的元件或操作被理解為也可能包括多個元件或操作。此外，參照本公開的“實施例”不旨在被解釋為排除同樣併入所敘述特徵的附加實施例的存在。
本文中所闡述的實施例提供用於以減輕束阻擋器的未對準的方式安裝離子處理系統的束阻擋器且對所述束阻擋器進行定心的器件及方法，所述未對準例如可能由束阻擋器的元件中的公差堆積和/或由於重力造成的束阻擋器下凹而引起。改善束阻擋器的對準可增強投射在束阻擋器周圍的離子小束的對稱性，轉而增強對目標基底的處理（例如，刻蝕、植入等）。
參照圖1，示出示意性剖視圖，所述示意性剖視圖例示出根據本公開實施例的離子處理系統（在下文中被稱為“系統100”）。系統100可包括在以下進行更詳細地闡述的電漿腔室102、製程腔室104及提取組合件106。處理系統100還可包括電壓供應器107，所述電壓供應器107被電耦合以在電漿腔室102與正在被處理的基底108（或對基底108進行支撐的壓板110）之間產生偏置電壓。這樣一來，處理系統100充當離子束處理系統，以產生用於對基底108進行處理的離子束，所述基底108佈置在提取組合件106附近。電漿腔室102可充當電漿源，以通過任何合適的方法產生電漿112。舉例來說，電漿腔室102可通過導電性後壁114來參考地電位。通過介電視窗118將來自射頻（radio，frequency，rf）天線116的rf功率源（未單獨示出）產生的rf功率感應耦合到電漿腔室102內的工作氣體，可在電漿112中生成感興趣的離子種類物（離子）。也可存在產生電漿的其他已知方式。
提取組合件106還可包括沿著電漿腔室102的側設置的提取板120。提取板120可對沿著圖1中所示的笛卡爾坐標系（Cartesian coordinate system）的X軸線伸長的提取開孔122進行界定（應注意，X軸線垂直地延伸到頁面平面中）。提取開孔122可允許來自電漿腔室102的離子通過以到達基底108，如以下進行進一步闡述。參照圖2，示出後部透視圖，所述後部透視圖例示出隔離的提取組合件106。如在此視圖中最佳地示出，提取開孔122可形成在提取板120的內部表面126（即，提取板120的面對圖1中所示的電漿腔室102的內部的表面）的凹陷部分124中。提取組合件106還可包括與提取開孔122相鄰地設置的束阻擋器組合件128（同樣參見圖1）。束阻擋器組合件128可包括束阻擋器130，所述束阻擋器130沿著所示笛卡爾坐標系的X軸線伸長且所述束阻擋器130所具有的沿著笛卡爾坐標系的Y軸線測量的高度等於或幾乎等於提取開孔122的高度。束阻擋器130可通過第一緊固組合件134a及第二緊固組合件134b（以下進行更詳細地闡述）緊固到凹陷部分124的相對的縱向側上的提取板120的內部表面126。
返回參照圖1，當在存在電漿112的情況下相對於電漿腔室102向基底108（或向壓板110）施加負電壓時，在束阻擋器130與提取板120之間（即，在束阻擋器130的上方及下方）的狹縫（子開孔）136a、136b中形成電漿彎月面（plasma menisci）。束阻擋器130可相對於提取開孔122進行垂直定心（即，沿著笛卡爾坐標系的Y軸線進行定心），以促進被朝向基底108引導的兩個對稱的成角度離子小束138a、138b的形成及提取。基底108的離子束處理通過沿著笛卡爾坐標系的Y軸線對基底108進行掃描來進行且還可包括使基底圍繞笛卡爾坐標系的Z軸線旋轉。
參照圖3及圖4，分別示出後部分解透視圖及詳細剖視圖，所述後部分解透視圖例示出提取組合件106，所述詳細剖視圖例示出提取板120及第一緊固組合件134ba。以下說明將逐個參照這些圖。第一緊固組合件134a與第二緊固組合件134b大致相同，且因此圖4中提供的對第一緊固組合件134ba的說明以及以下提供的附屬說明應被理解成也代表第二緊固組合件134b。
如以上所簡要闡述，第一緊固組合件134a及第二緊固組合件134b適於以確保或改善束阻擋器130相對於提取開孔122的垂直定心及對準的方式將束阻擋器130緊固到提取板120。第一緊固組合件134a及第二緊固組合件134b可包括相應的安裝銷140a、140b、定心套筒142a、142b、間隔件144a、144b、O形環146a、146b及閂鎖頂蓋148a、148b。參照圖4，安裝銷140a可包括圓柱形的基座部分150、圓柱形的軸部分152及橢圓形的頭部部分154（參見圖5及圖6所示頭部部分154的橢圓形形狀的視圖），所述軸部分152從基座部分150延伸且具有比基座部分150小的直徑，所述頭部部分154具有沿著笛卡爾坐標系的Y軸線測量的比軸部分152的直徑大的高度。在各種替代實施例中，基座部分152可具有除圓柱形之外的形狀，其中此種形狀沿著笛卡爾坐標系的Y軸線和/或X軸線大於軸部分152。同樣，在各種替代實施例中，頭部部分154可具有除橢圓形之外的形狀，其中此種形狀沿著笛卡爾坐標系的Y軸線和/或X軸線大於軸部分152。
安裝銷140a可延伸穿過提取板120中的安裝開孔156，安裝銷140a的基座部分150設置在安裝開孔156的鎖口（counterbore）158內，所述鎖口158以與提取板120成緊密間隙的關係而形成在提取板120的前表面（即，如圖4中般進行取向的最右側表面）中。安裝開孔156所具有的直徑可大於軸部分152的直徑。在各種非限制性實例中，安裝開孔156的直徑可比軸部分152的直徑大12.34毫米+/-.08毫米。基座部分150的面向前的表面可大致與提取板120的前表面共面。
安裝銷140a的軸部分152可延伸穿過束阻擋器130中的安裝開孔160。安裝開孔160的直徑可等於或相似於提取板120中的安裝開孔156的直徑。在各種非限制性實例中，安裝開孔160的直徑可為12.14毫米+/-.08毫米。定心套筒142a可為由彈性材料形成的大致管狀的構件。定心套筒142a可環繞安裝銷140a的軸部分152且可延伸穿過提取板120的安裝開孔156及束阻擋器130的安裝開孔160，其中定心套筒142a的最前端部與安裝銷140a的基座部分150鄰接。定心套筒142a所具有的未經壓縮外徑可稍大於提取板120的安裝開孔156及束阻擋器130的安裝開孔160的直徑。在各種非限制性實例中，定心套筒142a的未經壓縮外徑可比提取板120的安裝開孔156的直徑及束阻擋器130的安裝開孔160的直徑大12.83毫米+/-.05毫米。如圖4中所示，當定心套筒142a以可操作方式安裝在第一緊固組合件134a中時，定心套筒142a可在安裝銷140a的軸部分152與束阻擋器130及提取板120之間保持被徑向壓縮（例如，通過干涉適配/摩擦適配）。因此，不論安裝銷140a的直徑或安裝開孔156、160的直徑的變化或差異（例如可能由製造公差引起）如何，定心套筒142a可防止或減輕束阻擋器130相對於安裝銷140a及提取板120的徑向移動或“遊隙（play）”，且可建立並保持束阻擋器130相對於提取開孔122的垂直定心/對準。
在各種實施例中，定心套筒142a可由聚四氟乙烯（polytetrafluoroethylene，PTFE）或其他相似的彈性抗電漿材料形成。本公開並不僅限於此。參照圖5，定心套筒142a可包括多個在軸向上伸長、在徑向上延伸的鰭片162。鰭片162可為柔性的且可促進或增強定心套筒142a的徑向彈性和/或彈力。由於定心套筒142a可具有比安裝銷140a的頭部部分154小的內徑且由於定心套筒142a因此而無法在軸向上滑動到安裝銷140a的軸部分152上，因此定心套筒142a可由分開的第一徑向半部142a1與第二徑向半部142a2（參見圖3）形成，所述第一徑向半部142a1與第二徑向半部142a2在軸部分152上配合在一起以對管狀的定心套筒142a進行界定。
再次參照圖3及圖4，第一緊固組合件134a的間隔件144a可為設置在定心套筒142a上（即，在徑向上環繞定心套筒142a）且與束阻擋器130鄰接的環形墊圈狀構件。在各種實施例中，定心套筒142a可局部地延伸到間隔件144a中且不完全延伸穿過間隔件144a，如圖4中所示。本公開並不僅限於此。間隔件144a可對貫穿孔164進行界定，所述貫穿孔164所具有的直徑大於定心套筒142a的外徑（不需要間隔件144a與定心套筒142a之間的緊密徑向接合）。在各種非限制性實施例中，間隔件144a可包括在徑向上向內延伸的凸緣166，凸緣166在徑向上懸置在貫穿孔164的後側上。凸緣166可對具有比貫穿孔164小的直徑的次級貫穿孔168進行界定且可用於在系統100（參見圖1）的操作期間保護定心套筒142a免受離子轟擊，以防止或減輕對定心套筒142a的刻蝕。設想出其中可省略凸緣166的本公開的替代實施例。間隔件144a可由抗電漿的介電材料（例如陶瓷氧化鋁）形成。本公開並不僅限於此。如同定心套筒142a一般，間隔件144a可由分開的第一徑向半部144a1與第二徑向半部144a2（參見圖3）形成，所述第一徑向半部144a1與第二徑向半部144a2在軸部分152及定心套筒142a上配合在一起以對環形的間隔件144a進行界定。
第一緊固組合件134a的閂鎖頂蓋148a可為設置在安裝銷140a的軸部分152及間隔件144a上（即，在徑向上環繞安裝銷140a的軸部分152及間隔件144a）的大致環形的頂蓋形狀構件，且在軸向上與間隔件144a的後部鄰接。閂鎖頂蓋148a可對貫穿孔170進行界定，所述貫穿孔170具有與安裝銷140a的頭部部分154的形狀相似但稍大的橢圓形形狀（在圖6中最佳地示出）。因此，在安裝閂鎖頂蓋148a期間，貫穿孔170可與頭部部分154對準，且閂鎖頂蓋148a可在軸向上滑動到安裝銷140上、與間隔件144a進行軸向接合，其中頭部部分154通過貫穿孔170。第一緊固組合件134a的O形環146a可由彈性材料形成且可設置在間隔件144a的後表面中的在周向上間隔開的相應空腔172內。當O形環146a處於未被壓縮狀態時，其可從空腔172稍微突出。當閂鎖頂蓋148a與間隔件144a的後表面進行軸向接合時，O形環146a可被壓縮。在閂鎖頂蓋148a保持在此位置、O形環146a保持被壓縮時，閂鎖頂蓋148a可圍繞其軸線旋轉90度（或者處於大約90度的範圍內，例如60度到120度），因此使貫穿孔170旋轉成不與安裝銷140a的頭部部分154對準（如圖6中所示）。在閂鎖頂蓋148a如此安裝的情況下，頭部部分154可防止間隔件144a沿著笛卡爾坐標系的X軸線向後移動，且經壓縮的O形環146a的彈壓力可對閂鎖頂蓋148a及間隔件144a施加在軸向上引導的力，以使頭部部分154、閂鎖頂蓋148a、間隔件144a、束阻擋器130及提取板120彼此牢固地保持軸向接合。
參照圖7，示出流程圖，所述流程圖例示出使用上述第一緊固組合件134a及第二緊固組合件134b安裝提取組合件106的束阻擋器130的示例性方法。將詳細闡述第一緊固組合件134a的安裝，且由於第一緊固組合件134a與第二緊固組合件134b大致相同，因此以下說明將被理解成同樣代表安裝第二緊固組合件134b的方法。現在將結合圖1到圖6中所示的對提取組合件106以及第一緊固組合件134a及第二緊固組合件134b的例示來闡述所述方法。
在示例性方法的方塊200處，可穿過提取板120的前部將安裝銷140a***到安裝開孔156中，且安裝銷140a的基座部分150可安置在安裝開孔156的鎖口158內。在如此安置的情況下，基座部分150的面向前的表面可與提取板120的前表面大致共面。
在示例性方法的方塊210處，可穿過提取板120的後部將定心套筒142a的第一徑向半部142a1***到安裝開孔156中，且所述第一徑向半部142a1可在安裝開孔156內被安置成在徑向上位於安裝銷140a的軸部分152與提取板120中間且與安裝銷140a的基座部分150軸向鄰接。在所述方法的方塊220處，可穿過提取板120的後部將定心套筒142a的第二徑向半部142a1***到安裝開孔156中，且所述第二徑向半部142a1可在安裝開孔156內被安置成在徑向上位於安裝銷140a的軸部分152與提取板120中間且與安裝銷140a的基座部分150軸向鄰接。第一徑向半部142a1與第二徑向半部142a2可在軸部分152上配合在一起，以對管狀的定心套筒142a進行界定。因此，在安置在安裝開孔156內的情況下，定心套筒142a可在安裝銷140a的軸部分152與提取板120之間保持被徑向壓縮（例如，通過干涉適配/摩擦適配）。
在示例性方法的方塊230處，可將束阻擋器130放置在安裝銷140a及定心套筒142a之上，安裝銷140a的軸部分152及定心套筒142a延伸穿過束阻擋器130的安裝開孔160，且束阻擋器130被設置成與提取板120的後部進行平整鄰接。因此，在安置在安裝開孔160內的情況下，定心套筒142a可在安裝銷140a的軸部分152與束阻擋器130之間保持被徑向壓縮（例如，通過干涉適配/摩擦適配）。
在示例性方法的方塊240處，可將O形環146a安置在間隔件144a的第一徑向半部144a1及第二徑向半部144a2中的相應空腔172內。當O形環146a處於未被壓縮狀態時，其可從空腔172稍微突出。在所述方法的方塊250處，可將第一徑向半部144a1與第二徑向半部144a2在軸部分152及定心套筒142a上配合在一起，以對在軸向上與束阻擋器130的後部鄰接的環形的間隔件144a進行界定，其中定心套筒142a局部地延伸到間隔件144a的貫穿孔164中且不完全延伸穿過貫穿孔164。在各種非限制性實施例中，間隔件144a可包括在徑向上向內延伸的凸緣166，凸緣166在徑向上懸置在貫穿孔164的後側上。凸緣166可對具有比貫穿孔164小的直徑的次級貫穿孔168進行界定且可用於在系統100的操作期間保護定心套筒142a免受離子轟擊，以防止或減輕對定心套筒142a的刻蝕。
在示例性方法的方塊260處，可將閂鎖頂蓋148a放置在安裝銷140a的頭部部分154之上，橢圓形的頭部部分154與閂鎖頂蓋148a的對應橢圓形的貫穿孔170對準且穿過貫穿孔170而被***。閂鎖頂蓋可以與安裝銷140a的軸部分152及間隔件144a的徑向環繞關係而設置在安裝銷140a的軸部分152及間隔件144a上。閂鎖頂蓋148a可被壓制成與間隔件144a的後部軸向鄰接，O形環146a被壓縮到其相應的空腔172中。在閂鎖頂蓋148a保持在此位置、O形環146a保持被壓縮時，在示例性方法的方塊270處，可使閂鎖頂蓋148a圍繞其軸線旋轉90度（或者處於大約90度的範圍內，例如60度到120度），因此使貫穿孔170旋轉成不與安裝銷140a的頭部部分154對準。在如此安裝閂鎖頂蓋148a的情況下，頭部部分154可防止間隔件144a向後移動，且經壓縮的O形環146a的彈壓力可對閂鎖頂蓋148a及間隔件144a施加在軸向上引導的力，以使頭部部分154、閂鎖頂蓋148a、間隔件144a、束阻擋器130及提取板120彼此牢固地保持軸向接合。
在示例性方法的方塊280處，可使用第二緊固組合件134b重複進行在上述方塊200到270中針對第一緊固組合件134a執行的動作，以將束阻擋器130的相對的縱向端部緊固到提取板120。
鑒於以上內容，本公開提供至少以下優點。作為第一個優點，本公開的緊固組合件進行操作以防止或減輕束阻擋器相對於離子處理系統的提取開孔的未對準，因此確保或增強圍繞束阻擋器而朝向目標基底投射的離子小束的對稱性。作為第二個優點，本公開的緊固組合件可快速且容易地安裝。作為第三個優點，本公開的緊固組合件是自我保護的，以防止對內部元件（即，定心套筒142a、142b）的不期望的離子刻蝕。
儘管已在本文中闡述了本公開的某些實施例，然而本公開並不僅限於此，這是因為本公開的範圍如同所屬領域將允許及本說明書可能載明的範圍一樣廣。因此，以上說明不應被視為限制性的。所屬領域中的技術人員將想到處於所附申請專利範圍的範圍及精神內的其他修改。
100:處理系統/系統
102:電漿腔室
104:製程腔室
106:提取組合件
107:電壓供應器
108:基底
110:壓板
112:電漿
114:導電性後壁
116:射頻（rf）天線
118:介電窗口
120:提取板
122:提取開孔
124:凹陷部分
126:內部表面
128:束阻擋器組合件
130:束阻擋器
134a:第一緊固組合件
134b:第二緊固組合件
136a、136b:狹縫/子開孔
138a、138b:離子小束
140、140a、140b:安裝銷
142a、142b:定心套筒
142a1、144a1:第一徑向半部
142a2、144a2:第二徑向半部
144a、144b:間隔件
146a、146b:O形環
148a、148b:閂鎖頂蓋
150:基座部分
152:軸部分
154:頭部部分
156、160:安裝開孔
158:鎖口
162:鰭片
164、170:貫穿孔
166:凸緣
168:次級貫穿孔
172:空腔
200、210、220、230、240、250、260、270、280:方塊
X、Y、Z:軸線
圖1是例示出根據本公開實施例的離子處理系統的垂直剖視圖。
圖2是例示出圖1中所示的離子處理系統的提取組合件的後部透視圖。
圖3是例示出圖1中所示的離子處理系統的提取組合件的後部分解透視圖。
圖4是例示出圖2及圖3中所示的提取組合件的緊固組合件的剖視圖。
圖5是例示出圖4中所示的緊固組合件的安裝銷及定心套筒的透視圖。
圖6是例示出圖4中所示的緊固組合件的後部透視圖。
圖7是例示出使用本公開的緊固組合件將束阻擋器緊固到離子處理系統的提取板的示例性方法的流程圖。
120:提取板
130:束阻擋器
134a:第一緊固組合件
140a:安裝銷
142a:定心套筒
144a:間隔件
146a:O形環
148a:閂鎖頂蓋
150:基座部分
152:軸部分
154:頭部部分
156、160:安裝開孔
158:鎖口
164、170:貫穿孔
166:凸緣
168:次級貫穿孔
172:空腔
X、Y、Z:軸線
Claims (20)
- 一種用於將束阻擋器緊固到離子處理系統的提取板的緊固組合件，所述緊固組合件包括： 安裝銷，具有圓柱形的軸部分、位於所述軸部分的第一端部處的基座部分及位於所述軸部分的相對的第二端部處的頭部部分； 管狀的定心套筒，在徑向上環繞所述軸部分且在軸向上與所述基座部分鄰接，所述定心套筒適於在所述軸部分與所述提取板之間以及所述軸部分與所述束阻擋器之間在徑向上被壓縮； 環形的間隔件，在徑向上環繞所述定心套筒及所述安裝銷的所述軸部分且在軸向上與所述束阻擋器鄰接，所述定心套筒局部地延伸到所述間隔件中且不完全延伸穿過所述間隔件；以及 閂鎖頂蓋，在徑向上環繞所述軸部分且在軸向上與所述間隔件鄰接，所述軸部分延伸穿過所述閂鎖頂蓋的貫穿孔，所述閂鎖頂蓋的所述貫穿孔在與安裝銷的軸線垂直的方向上小於所述頭部部分。
- 如請求項1所述的緊固組合件，還包括多個O形環，所述多個O形環設置在形成於所述間隔件中的對應空腔內且面對所述閂鎖頂蓋。
- 如請求項1所述的緊固組合件，其中所述安裝銷的所述頭部部分具有橢圓形形狀。
- 如請求項1所述的緊固組合件，其中所述安裝銷的所述軸部分延伸穿過所述間隔件的貫穿孔，所述間隔件具有在徑向上向內延伸的凸緣，所述凸緣在徑向上懸置在所述貫穿孔的後側上且覆蓋所述定心套筒的端部，以保護所述定心套筒免受離子轟擊。
- 如請求項1所述的緊固組合件，其中所述定心套筒由分開的第一徑向半部與第二徑向半部形成，所述第一徑向半部與所述第二徑向半部適於配合在一起。
- 如請求項1所述的緊固組合件，其中所述間隔件由分開的第一徑向半部與第二徑向半部形成，所述第一徑向半部與所述第二徑向半部適於配合在一起。
- 如請求項1所述的緊固組合件，其中所述安裝銷的所述基座部分在與所述安裝銷的所述軸線垂直的方向上大於所述安裝銷的所述軸部分。
- 如請求項1所述的緊固組合件，其中所述定心套筒由聚四氟乙烯（PTFE）形成。
- 一種離子處理系統，包括： 電漿腔室； 製程腔室，與所述電漿腔室相鄰地設置；以及 提取組合件，包括： 提取板，沿著所述電漿腔室的側設置且對提取開孔進行界定； 束阻擋器，與所述提取開孔相鄰地設置且通過緊固組合件緊固到所述提取板，所述緊固組合件包括： 安裝銷，具有圓柱形的軸部分、基座部分及頭部部分，所述軸部分延伸穿過所述提取板中的安裝開孔且延伸穿過所述束阻擋器中的安裝開孔，所述基座部分位於所述軸部分的第一端部處，所述頭部部分位於所述軸部分的相對的第二端部處； 管狀的定心套筒，在所述提取板的所述安裝開孔內及所述束阻擋器的所述安裝開孔內在徑向上環繞所述軸部分且在軸向上與所述基座部分鄰接，所述定心套筒在所述軸部分與所述提取板之間以及所述軸部分與所述束阻擋器之間保持被徑向壓縮； 環形的間隔件，在徑向上環繞所述定心套筒及所述安裝銷的所述軸部分且在軸向上與所述束阻擋器鄰接，所述定心套筒局部地延伸到所述間隔件中且不完全延伸穿過所述間隔件；以及 閂鎖頂蓋，在徑向上環繞所述軸部分且在軸向上與所述間隔件鄰接，所述軸部分延伸穿過所述閂鎖頂蓋的貫穿孔，所述閂鎖頂蓋的所述貫穿孔在與安裝銷的軸線垂直的方向上小於所述頭部部分。
- 如請求項9所述的離子處理系統，還包括多個O形環，所述多個O形環設置在形成於所述間隔件中的對應空腔內，所述O形環在所述閂鎖頂蓋與所述間隔件之間保持被壓縮。
- 如請求項9所述的離子處理系統，其中所述安裝銷的所述頭部部分具有橢圓形形狀。
- 如請求項9所述的離子處理系統，其中所述安裝銷的所述軸部分延伸穿過所述間隔件的貫穿孔，所述間隔件具有在徑向上向內延伸的凸緣，所述凸緣在徑向上懸置在所述貫穿孔的後側上且覆蓋所述定心套筒的端部，以保護所述定心套筒免受離子轟擊。
- 如請求項9所述的離子處理系統，其中所述定心套筒由分開的第一徑向半部與第二徑向半部形成，所述第一徑向半部與所述第二徑向半部在所述安裝銷的所述軸部分上配合在一起。
- 如請求項9所述的離子處理系統，其中所述間隔件由分開的第一徑向半部與第二徑向半部形成，所述第一徑向半部與所述第二徑向半部適於在所述定心套筒上配合在一起。
- 如請求項9所述的離子處理系統，其中所述安裝銷的所述基座部分在與所述安裝銷的所述軸線垂直的方向上大於所述安裝銷的所述軸部分。
- 一種將束阻擋器緊固到離子處理系統的提取板的方法，所述方法包括： 穿過所述提取板的前部將安裝銷***到提取板中的安裝開孔中，所述安裝銷具有圓柱形的軸部分、位於所述軸部分的第一端部處的基座部分及位於所述軸部分的相對的第二端部處的頭部部分； 將定心套筒的第一徑向半部***到所述提取板的所述安裝開孔中，所述第一徑向半部在徑向上位於所述安裝銷的所述軸部分與所述提取板中間且與所述安裝銷的所述基座部分軸向鄰接； 將所述定心套筒的第二徑向半部***到所述提取板的所述安裝開孔中，所述第二徑向半部在徑向上位於所述安裝銷的所述軸部分與所述提取板中間且與所述安裝銷的所述基座部分軸向鄰接，所述定心套筒的所述第二徑向半部與所述定心套筒的所述第一徑向半部進行配合，以對在所述安裝銷的所述軸部分與所述提取板之間保持被徑向壓縮的管狀本體進行界定； 將所述束阻擋器放置在所述安裝銷及所述定心套筒之上，所述安裝銷的所述軸部分及所述定心套筒延伸穿過所述束阻擋器的安裝開孔，且所述束阻擋器被設置成與所述提取板的後部進行平整鄰接，其中所述定心套筒的所述管狀本體在所述安裝銷的所述軸部分與所述束阻擋器之間保持被徑向壓縮； 在所述定心套筒上將間隔件的第一徑向半部與第二徑向半部配合在一起，以對在軸向上與所述束阻擋器鄰接的環形本體進行界定，所述定心套筒局部地延伸到所述間隔件的貫穿孔中； 將環形的閂鎖頂蓋放置在所述安裝銷的所述頭部部分之上，所述頭部部分與所述閂鎖頂蓋的對應形狀的貫穿孔對準且穿過所述貫穿孔而被***，其中所述閂鎖頂蓋以與所述安裝銷的所述軸部分及所述間隔件的徑向環繞關係設置在所述安裝銷的所述軸部分及所述間隔件上；以及 使所述閂鎖頂蓋相對於所述安裝銷旋轉，以使所述閂鎖頂蓋的所述貫穿孔移動成不與所述安裝銷的所述頭部部分對準，因此防止所述閂鎖頂蓋在軸向上從所述安裝銷滑出。
- 如請求項16所述的方法，其中所述間隔件具有在徑向上向內延伸的凸緣，所述凸緣在徑向上懸置在所述貫穿孔的後側上且覆蓋所述定心套筒的端部，以保護所述定心套筒免受離子轟擊。
- 如請求項16所述的方法，還包括將多個O形環設置在形成於所述間隔件中的對應空腔內。
- 如請求項18所述的方法，其中將所述閂鎖頂蓋放置在所述安裝銷的所述頭部部分之上包括將所述多個O形環壓縮在其對應的空腔內。
- 如請求項16所述的方法，其中將所述安裝銷***到所述提取板的所述安裝開孔中包括將所述安裝銷的所述基座部分設置在所述提取板的所述安裝開孔的鎖口內。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US17/556,390 | 2021-12-20 | ||
| US17/556,390 US20230197422A1 (en) | 2021-12-20 | 2021-12-20 | Fastening assembly for beam blocker in ion processing apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202338906A true TW202338906A (zh) | 2023-10-01 |
Family
ID=86768881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111143734A TW202338906A (zh) | 2021-12-20 | 2022-11-16 | 緊固組合件、離子處理系統及將束阻擋器緊固到離子處理系統的提取板的方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230197422A1 (zh) |
| TW (1) | TW202338906A (zh) |
| WO (1) | WO2023121772A1 (zh) |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2327585A (en) * | 1939-08-04 | 1943-08-24 | Budd Edward G Mfg Co | Bolt spacer or reinforcing member |
| FR1340910A (fr) * | 1962-09-10 | 1963-10-25 | Luxembourg Brev Participations | Perfectionnements apportés aux accouplements élastiques |
| US3267793A (en) * | 1964-06-16 | 1966-08-23 | Devine James Henry | Self-contained blind bolt |
| US4462731A (en) * | 1982-05-10 | 1984-07-31 | Rovinsky William Z | Split nut assembly |
| KR100212188B1 (ko) * | 1997-08-28 | 1999-08-02 | 양재신 | 자동차의 번호판 고정장치 |
| US6116660A (en) * | 1997-09-29 | 2000-09-12 | Southco, Inc. | Apparatus for sealing latching devices |
| DE19815407A1 (de) * | 1998-04-06 | 1999-10-07 | Profil Verbindungstechnik Gmbh | Verbindungseinrichtung zum Verbinden zweier Bauteile, Kombination der Verbindungseinrichtung mit den beiden Bauteilen und Verfahren zur Herstellung einer Verbindung zwischen zwei Bauteilen |
| DE19905041A1 (de) * | 1999-02-08 | 2000-08-10 | Profil Verbindungstechnik Gmbh | Funktionsträger |
| JP4877884B2 (ja) * | 2001-01-25 | 2012-02-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US20030092278A1 (en) * | 2001-11-13 | 2003-05-15 | Fink Steven T. | Plasma baffle assembly |
| US20060012240A1 (en) * | 2004-06-15 | 2006-01-19 | Andersen James H | Centering device, kit and method |
| US20060283112A1 (en) * | 2005-06-15 | 2006-12-21 | Gottfried Militzer | Wall system |
| JP5800835B2 (ja) * | 2010-02-22 | 2015-10-28 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | プラズマ処理装置のための埋め込み型留め具 |
| US20130240142A1 (en) * | 2012-03-15 | 2013-09-19 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Isolation between a baffle plate and a focus adapter |
| US10520008B2 (en) * | 2014-03-31 | 2019-12-31 | Kyoraku Co., Ltd. | Screw member, fastening structure, and connection structure for solar panel float |
| US9514918B2 (en) * | 2014-09-30 | 2016-12-06 | Applied Materials, Inc. | Guard aperture to control ion angular distribution in plasma processing |
| DE102015215492A1 (de) * | 2015-08-13 | 2017-02-16 | Bosch Mahle Turbo Systems Gmbh & Co. Kg | Verfahren zum Herstellen einer variablen Turbinengeometrie eines Abgasturboladers |
| US11060554B2 (en) * | 2018-02-05 | 2021-07-13 | Ankara Industries, Inc. | Fastener assembly and method |
| US10325752B1 (en) * | 2018-03-27 | 2019-06-18 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Performance extraction set |
| US11145496B2 (en) * | 2018-05-29 | 2021-10-12 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | System for using O-rings to apply holding forces |
| US11056319B2 (en) * | 2019-07-29 | 2021-07-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and system having extraction assembly for wide angle ion beam |
-
2021
- 2021-12-20 US US17/556,390 patent/US20230197422A1/en active Pending
-
2022
- 2022-10-30 WO PCT/US2022/048316 patent/WO2023121772A1/en unknown
- 2022-11-16 TW TW111143734A patent/TW202338906A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20230197422A1 (en) | 2023-06-22 |
| WO2023121772A1 (en) | 2023-06-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5420415A (en) | Structure for alignment of an ion source aperture with a predetermined ion beam path | |
| US10978286B2 (en) | Coupling devices and source assemblies including them | |
| US10811234B2 (en) | Plasma processing apparatus and upper electrode assembly | |
| KR20150135071A (ko) | 정전척 및 반도체·액정 제조장치 | |
| JP6802277B2 (ja) | 改善されたイオン源のカソードシールド | |
| TWI760637B (zh) | 離子萃取光學器件以及離子萃取處理裝置 | |
| TW202338906A (zh) | 緊固組合件、離子處理系統及將束阻擋器緊固到離子處理系統的提取板的方法 | |
| CN112135977A (zh) | 使用o形环施加保持力的*** | |
| CN108644399B (zh) | 可移除式隔离阀屏蔽***组件 | |
| KR20100050113A (ko) | 커버 링의 수명을 연장하고 플라즈마 반응기의 식각 성능을향상시키기 위한 구조를 가지는 정전 척 어셈블리 | |
| JP6945844B2 (ja) | プラズマ生成装置及びイオン源 | |
| KR101229724B1 (ko) | 이온 주입기에서 사용하기 위한 이온 소스 | |
| TWI769071B (zh) | 電極佈置、用於電極佈置的接觸元件、帶電粒子束裝置和減小電極佈置中的電場強度的方法 | |
| JP2007087607A (ja) | イオン源装置 | |
| CN113471045A (zh) | 用于离子植入源的绝缘体 | |
| TWM584538U (zh) | 半導體製程設備及其o形環 | |
| CN113013010A (zh) | 波纹管结构、调整垂直度的方法及其等离子体处理装置 | |
| KR20040070776A (ko) | 이온주입장치의 패러데이 컵 | |
| KR20050038838A (ko) | 이온주입장치의 소스 헤드 | |
| KR19980033817A (ko) | 반도체장치에서 가스공급관의 결합구조 |