TW202336509A - Display device - Google Patents
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Abstract
Description
本發明是有關於一種顯示裝置,且特別是有關於一種包括黑矩陣的顯示裝置。The present invention relates to a display device, and in particular to a display device including a black matrix.
一般而言,液晶顯示裝置包括背光模組以及液晶面板。背光模組內包含光源,光源發出的光線經過液晶面板後呈現出欲顯示的畫面。在目前的液晶顯示裝置中,液晶面板內包含了許多反光或吸光的結構,這些結構可能會使光源發出的光線不能順利通過液晶面板,並導致液晶顯示裝置的亮度降低。為了提升液晶顯示裝置的亮度,往往須要使用更大功率的光源,導致能源的損失。Generally speaking, a liquid crystal display device includes a backlight module and a liquid crystal panel. The backlight module contains a light source, and the light emitted by the light source passes through the LCD panel to present the image to be displayed. In current liquid crystal display devices, the liquid crystal panel contains many light-reflecting or light-absorbing structures. These structures may prevent the light emitted from the light source from passing through the liquid crystal panel smoothly and cause the brightness of the liquid crystal display device to decrease. In order to improve the brightness of the liquid crystal display device, it is often necessary to use a more powerful light source, resulting in a loss of energy.
本發明提供一種顯示裝置,可以改善顯示裝置亮度不足的問題。The present invention provides a display device that can improve the problem of insufficient brightness of the display device.
本發明的至少一實施例提供一種顯示裝置。顯示裝置包括黑矩陣基板、主動元件基板、液晶層以及背光模組。黑矩陣基板包括黑矩陣、圖案化結構以及反射層。圖案化結構重疊於黑矩陣。反射層設置於圖案化結構之上,以構成多個反射微結構。主動元件基板重疊於黑矩陣基板。液晶層位於黑矩陣基板與主動元件基板之間。黑矩陣基板位於主動元件基板與背光模組之間。反射微結構位於黑矩陣與背光模組之間。At least one embodiment of the present invention provides a display device. The display device includes a black matrix substrate, an active component substrate, a liquid crystal layer and a backlight module. The black matrix substrate includes a black matrix, a patterned structure and a reflective layer. The patterned structures overlap the black matrix. The reflective layer is disposed on the patterned structure to form a plurality of reflective microstructures. The active component substrate overlaps the black matrix substrate. The liquid crystal layer is located between the black matrix substrate and the active component substrate. The black matrix substrate is located between the active component substrate and the backlight module. The reflective microstructure is located between the black matrix and the backlight module.
圖1是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a display device according to an embodiment of the present invention.
請參考圖1,顯示裝置1包括黑矩陣基板10、主動元件基板20、液晶層30以及背光模組40。Please refer to FIG. 1 , the
黑矩陣基板10包括黑矩陣150、圖案化結構120以及反射層130。在本實施例中,黑矩陣基板10還包括第一基底100、介電結構110、第一緩衝層PV1、第二緩衝層PV2、保護層140、色彩轉換元件160以及第一偏光結構PL1。The
第一基底100為透明基底,且材料例如包括玻璃、石英、有機聚合物或是其他可適用的材料。The
介電結構110位於第一基底100之上。介電結構110例如包括單層介電層或多層介電層。在一些實施例中,介電結構110之中還包括導電層(未繪出),但本發明不以此為限。在一些實施例中,介電結構110之中不包括導電層。The
圖案化結構120設置於介電結構110之上。圖案化結構120重疊於黑矩陣150。在本實施例中,部分介電結構110位於圖案化結構120與第一基底100之間,但本發明不以此為限。在其他實施例中,圖案化結構120直接形成於第一基底100上,且介電結構110不位於圖案化結構120與第一基底100之間。The patterned
在本實施例中,圖案化結構120包括多個凹槽121,凹槽121位於圖案化結構120背對背光模組40的一側,且凹槽121未貫穿圖案化結構120。在本實施例中,圖案化結構120包括通孔122,且部分介電結構110位於通孔122中,但本發明不以此為限。在其他實施例中,圖案化結構120不包括通孔122,且圖案化結構120覆蓋整個介電結構110。在本實施例中,圖案化結構120的通孔122重疊於黑矩陣150的開口152。在本實施例中,通孔122的側壁與開口152的側壁對齊,但本發明不以此為限。在其他實施例中,通孔122的側壁偏離開口152的側壁。In this embodiment, the
圖案化結構120例如為有機絕緣材料或無機絕緣材料。The patterned
反射層130設置於圖案化結構120之上,以構成多個反射微結構131。在本實施例中,反射層130形成於凹槽121上,且反射層130未形成於通孔122中。反射層130重疊於黑矩陣150,且不重疊於色彩轉換元件160。The
在本實施例中,反射層130包括通孔132。在本實施例中,反射層130的通孔132重疊於黑矩陣150的開口152。在本實施例中,通孔132的側壁與開口152的側壁對齊,但本發明不以此為限。在其他實施例中,通孔132的側壁偏離開口152的側壁。In this embodiment, the
在一些實施例中,反射微結構131的寬度為W,且反射微結構131的厚度(例如為反射結構131所形成之凹槽的深度)為T,tan(θ)=2T/W,且7度≤θ≤20度,但本發明不以此為限。在一些實施例中,反射微結構131於排除鏡面正反射光模式(Specular Component Excluded, SCE)下的反射率小於或等於100%且大於或等於50%。In some embodiments, the width of the
在一些實施例中,反射層130的材料包括金屬材料(例如鋁、銀或前述金屬的合金或前述金屬的堆疊層)或其他合適的材料。In some embodiments, the material of the
在一些實施例中,反射層130與圖案化結構120之間選擇性地包括第一緩衝層PV1。在一些實施例中,第一緩衝層PV1被配置成提升反射層130與圖案化結構120之間的接著力。In some embodiments, the first buffer layer PV1 is selectively included between the
保護層140位於反射層130之上。在本實施例中,保護層140位於黑矩陣150與反射層130之間。在一些實施例中,保護層140被配置成防鏽層,且用於保護黑矩陣150與反射層130。The
在本實施例中,保護層140包括通孔142,且部分介電結構110位於通孔142中,但本發明不以此為限。在其他實施例中,保護層140不包括通孔142,且黑矩陣150以及色彩轉換元件160覆蓋保護層140。在本實施例中,保護層140的通孔142重疊於黑矩陣150的開口152。在本實施例中,通孔142的側壁與開口152的側壁對齊,但本發明不以此為限。在其他實施例中,通孔142的側壁偏離開口152的側壁。In this embodiment, the
在一些實施例中,保護層140與反射層130之間選擇性地包括第二緩衝層PV2。在一些實施例中,第二緩衝層PV2被配置成提升反射層130與保護層140之間的接著力。In some embodiments, a second buffer layer PV2 is selectively included between the
色彩轉換元件160位於黑矩陣150的開口152中。色彩轉換元件160例如包括濾光材料、量子點材料或其他合適的材料或上述材料的組合。在一些實施例中,色彩轉換元件160的厚度小於或等於黑矩陣150的厚度。
第一偏光結構PL1設置於液晶層30與背光模組40之間。在本實施例中,第一偏光結構PL1設置於第一基底100朝向背光模組40的一側,但本發明不以此為限。在其他實施例中,第一偏光結構PL1設置於第一基底100朝向液晶層30的一側。The first polarizing structure PL1 is disposed between the
主動元件基板20重疊於黑矩陣基板10。液晶層30位於黑矩陣基板10與主動元件基板20之間。在本實施例中,主動元件基板20包括第二基底200、絕緣結構210、第一抗反射層220、第一導電層230、第二抗反射層240、第二導電層250以及第二偏光結構PL2。The
第二基底200為透明基底,且材料例如包括玻璃、石英、有機聚合物或是其他可適用的材料。The
絕緣結構210位於第二基底200之上。絕緣結構210為多層結構,在圖1中,省略繪示絕緣結構210中各層別之間的界線。第一抗反射層220、第一導電層230、第二抗反射層240以及第二導電層250位於絕緣結構210中。The
第一導電層230位於第二基底200與液晶層30之間。在一些實施例中,第一導電層230的材料包括金屬,例如鉬、銅、鋁、鉈、金或上述材料的合金或上述材料的堆疊層。The first
第一抗反射層220位於第一導電層230與第二基底200之間,且直接接觸第一導電層230。在本實施例中,第一抗反射層220的側壁對齊第一導電層230的側壁,但本發明不以此為限。在其他實施例中,第一抗反射層220的寬度大於第一導電層230的寬度,且第一抗反射層220的側壁偏離第一導電層230的側壁。在一些實施例中,第一抗反射層220的材料包括金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物或其他合適的材料,例如金屬氧化物(例如MoTaOx)、金屬氮化物、金屬氮氧化物或其他的材料。The first
第二導電層250位於第二基底200與液晶層30之間。第一導電層230相較於第二導電層250更靠近第二基底200,且第二導電層250相較於第一導電層230更靠近液晶層30。在一些實施例中,第二導電層250的材料包括金屬,例如鉬、銅、鋁、鉈、金或上述材料的合金或上述材料的堆疊層。The second
第二抗反射層240位於第二導電層250與第二基底200之間,且直接接觸第二導電層250。在本實施例中,第二抗反射層240的側壁對齊第二導電層250的側壁,但本發明不以此為限。在其他實施例中,第二抗反射層240的寬度大於第二導電層250的寬度,且第二抗反射層240的側壁偏離第二導電層250的側壁。在一些實施例中,第二抗反射層240的材料包括半導體材料,例如非晶矽或其他的材料。The second
在本實施例中,第一抗反射層220與第二抗反射層240被配置成減少外界照向主動元件基板20的光線的反射,藉此減少環境光對顯示畫面造成的影響。In this embodiment, the first
第二偏光結構PL2設置於第二基底200上。在本實施例中,第二偏光結構PL2設置於第二基底200遠離液晶層30的一側,但本發明不以此為限。在其他實施例中,第二偏光結構PL2設置於第二基底200朝向液晶層30的一側。The second polarizing structure PL2 is disposed on the
背光模組40重疊於黑矩陣基板10、主動元件基板20以及液晶層30。黑矩陣基板10設置於主動元件基板20與背光模組40之間,有助於提升顯示裝置1的電路板(未繪出)的配置空間,藉此減少顯示裝置1的邊框尺寸,以獲得窄邊框或無邊框的顯示裝置1。The
背光模組40包括光源結構400以及反射式偏光增亮膜(Dual Brightness Enhancement Film, DBEF)410。光源結構400例如為側入式背光源、直下式背光源、迷你發光二極體背光源或其他任意形式的背光源。反射式偏光增亮膜410位於光源結構400與黑矩陣基板10之間。The
反射微結構131位於黑矩陣150與背光模組40之間。反射微結構131包括朝向背光模組40的凸面以及朝向黑矩陣150的凹面。光源結構400所發出之光線L可以被黑矩陣150下方的反射微結構131所反射,藉此減少光線L被黑矩陣150所吸收的機率。此外,被反射微結構131所反射的光線L可以再次被反射式偏光增亮膜410(或背光模組40中的其他反射結構)所反射,藉此提升光線L自黑矩陣150的開口152離開黑矩陣基板10的機率。The
基於上述,由於反射微結構131位於黑矩陣150與背光模組40之間,顯示裝置1的亮度可以被提升。Based on the above, since the
圖2是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。在此必須說明的是,圖2的實施例沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容,其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例,在此不贅述。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a display device according to an embodiment of the present invention. It must be noted here that the embodiment of FIG. 2 follows the component numbers and part of the content of the embodiment of FIG. 1 , where the same or similar numbers are used to represent the same or similar elements, and the description of the same technical content is omitted. For descriptions of omitted parts, reference may be made to the foregoing embodiments and will not be described again here.
圖2的顯示裝置2與圖1的顯示裝置1的主要差異在於:在圖2的顯示裝置2中,黑矩陣基板10a的圖案化結構120a、第一緩衝層PV1a、第二緩衝層PV2a以及保護層140a重疊於黑矩陣150的開口152。The main difference between the
請參考圖2,圖案化結構120a整面地形成於介電結構110a上。圖案化結構120a在重疊於黑矩陣150的位置具有凹槽121,而未重疊於黑矩陣150的位置則不具有凹槽121。圖案化結構120a不具有重疊於開口152的通孔。Referring to FIG. 2, the patterned
反射層130設置於圖案化結構120之上,以構成多個反射微結構131。在本實施例中,反射層130形成於凹槽121上。反射層130重疊於黑矩陣150,且不重疊於色彩轉換元件160。The
在本實施例中,第一緩衝層PV1a與第二緩衝層PV2a接延伸至黑矩陣150的開口152的下方,且部分第一緩衝層PV1a與部分第二緩衝層PV2a直接接觸,但本發明不以此為限。In this embodiment, the first buffer layer PV1a and the second buffer layer PV2a extend directly below the
保護層140a整面的形成於第二緩衝層PV2a上,且第二緩衝層PV2a延伸至黑矩陣150的開口152的下方。黑矩陣150以及色彩轉換元件160皆設置於保護層140a之上。The
基於上述,由於反射微結構131位於黑矩陣150與背光模組40之間,顯示裝置1的亮度可以被提升。Based on the above, since the
圖3是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。在此必須說明的是,圖3的實施例沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容,其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例,在此不贅述。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a display device according to an embodiment of the present invention. It must be noted here that the embodiment of FIG. 3 follows the component numbers and part of the content of the embodiment of FIG. 1 , where the same or similar numbers are used to represent the same or similar elements, and descriptions of the same technical content are omitted. For descriptions of omitted parts, reference may be made to the foregoing embodiments and will not be described again here.
圖3的顯示裝置3與圖1的顯示裝置1的主要差異在於:在圖3的顯示裝置3中,黑矩陣基板10b的圖案化結構120b、第一緩衝層PV1、第二緩衝層PV2、反射層130以及介電結構110b位於第一基底100靠近背光模組40的一側。The main difference between the display device 3 of Fig. 3 and the
在本實施例中,黑矩陣基板10b包括第一基底100、圖案化結構120b、反射層130、保護層140b、黑矩陣150、色彩轉換元件160、第一緩衝層PV1以及第二緩衝層PV2。In this embodiment, the
黑矩陣150與色彩轉換元件160設置於第一基底100朝向液晶層30的一側。圖案化結構120b以及保護層140b設置於第一基底100朝向背光模組40的一側。黑矩陣150與圖案化結構120b分別設置於第一基底100的相對側。The
圖案化結構120b設置於第一基底100之上。圖案化結構120b重疊於黑矩陣150。在本實施例中,圖案化結構120b直接形成於第一基底100上,但本發明不以此為限。在其他實施例中,圖案化結構120b與第一基底100之間包括其他膜層。The patterned
在本實施例中,圖案化結構120b包括多個凸起121b,凸起121b位於圖案化結構120b朝向背光模組40的一側。在本實施例中,圖案化結構120b包括通孔122,且部分保護層140b位於通孔122中,但本發明不以此為限。在其他實施例中,圖案化結構120b不包括通孔122,且圖案化結構120b整面的覆蓋第一基底100。在本實施例中,圖案化結構120b的通孔122重疊於黑矩陣150的開口152。在本實施例中,通孔122的側壁與開口152的側壁對齊,但本發明不以此為限。在其他實施例中,通孔122的側壁偏離開口152的側壁。In this embodiment, the patterned
反射層130設置於圖案化結構120b之上,以構成多個反射微結構131。在本實施例中,反射層130形成於凸起121b上。反射層130重疊於黑矩陣150,且不重疊於色彩轉換元件160。The
在一些實施例中,反射層130與圖案化結構120b之間選擇性地包括第一緩衝層PV1。在一些實施例中,第一緩衝層PV1被配置成提升反射層130與圖案化結構120b之間的接著力。In some embodiments, the first buffer layer PV1 is selectively included between the
保護層140b位於反射層130之上。保護層140b例如包括單層介電層或多層介電層。在本實施例中,保護層140b填入圖案化結構120b的通孔122,並接觸第一基底100,但本發明不以此為限。The
在一些實施例中,保護層140b與反射層130之間選擇性地包括第二緩衝層PV2。在一些實施例中,第二緩衝層PV2被配置成提升反射層130與保護層140b之間的接著力。In some embodiments, a second buffer layer PV2 is selectively included between the
第一偏光結構PL1設置於液晶層30與背光模組40之間。在本實施例中,第一偏光結構PL1設置於保護層140b上。The first polarizing structure PL1 is disposed between the
基於上述,由於反射微結構131位於黑矩陣150與背光模組40之間,顯示裝置3的亮度可以被提升。Based on the above, since the
圖4是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。在此必須說明的是,圖4的實施例沿用圖3的實施例的元件標號與部分內容,其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例,在此不贅述。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a display device according to an embodiment of the present invention. It must be noted here that the embodiment of FIG. 4 follows the component numbers and part of the content of the embodiment of FIG. 3 , where the same or similar numbers are used to represent the same or similar elements, and descriptions of the same technical content are omitted. For descriptions of omitted parts, reference may be made to the foregoing embodiments and will not be described again here.
圖4的顯示裝置4與圖3的顯示裝置3的主要差異在於:在圖4的顯示裝置4中,黑矩陣基板10c的圖案化結構120c、第一緩衝層PV1a、第二緩衝層PV2a以及保護層140c重疊於黑矩陣150的開口152。The main difference between the display device 4 of FIG. 4 and the display device 3 of FIG. 3 is that in the display device 4 of FIG. 4 , the patterned
請參考圖4,圖案化結構120c整面地形成於第一基底100上。圖案化結構120c在重疊於黑矩陣150的位置具有凸起121b,而未重疊於黑矩陣150的位置則不具有凸起121b。Referring to FIG. 4 , the patterned
反射層130設置於圖案化結構120c之上,以構成多個反射微結構131。在本實施例中,反射層130形成於凸起121b上。反射層130重疊於黑矩陣150,且不重疊於色彩轉換元件160。The
基於上述,由於反射微結構131位於黑矩陣150與背光模組40之間,顯示裝置4的亮度可以被提升。Based on the above, since the
圖5是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。在此必須說明的是,圖5的實施例沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容,其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例,在此不贅述。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a display device according to an embodiment of the present invention. It must be noted here that the embodiment of FIG. 5 follows the component numbers and part of the content of the embodiment of FIG. 1 , where the same or similar numbers are used to represent the same or similar elements, and descriptions of the same technical content are omitted. For descriptions of omitted parts, reference may be made to the foregoing embodiments and will not be described again here.
圖5的顯示裝置5與圖1的顯示裝置1的主要差異在於:在圖5的顯示裝置5中,主動元件基板20a不包括第二抗反射層。The main difference between the
請參考圖5,在本實施例中,第二導電層250朝向第二基底200的一側未設置第二抗反射層。Please refer to FIG. 5 . In this embodiment, the second anti-reflection layer is not provided on the side of the second
圖6A是依照本發明的一實施例的一種主動元件基板的上視示意圖。主動元件基板實際上可以包含陣列的多個子畫素,為了方便說明,圖6A繪示了主動元件基板的其中一個子畫素。FIG. 6A is a schematic top view of an active device substrate according to an embodiment of the present invention. The active device substrate may actually include multiple sub-pixels of the array. For convenience of explanation, FIG. 6A illustrates one of the sub-pixels of the active device substrate.
在此必須說明的是,圖1至圖5中的任一實施例的主動元件基板皆可以用圖6A的主動元件基板20b所取代,換句話說,圖6A的主動元件基板20b可以與圖1至圖5中的任一實施例的黑矩陣基板、液晶層以及背光模組搭配使用。另外,為了方便說明,圖6A繪示了主動元件基板20b的第一導電層230、第二抗反射層240、第二導電層250以及半導體通道層CH,並省略主動元件基板20b中的其他構件。圖6A還繪示了黑矩陣150對應於主動元件基板20b的位置。圖6B是沿著圖6A的線a-a’的剖面示意圖。It must be noted here that the active device substrate in any of the embodiments shown in FIGS. 1 to 5 can be replaced by the
請參考圖6A與圖6B,主動元件基板20b包括第二基底200、絕緣結構210、第一抗反射層220、第一導電層230、第二抗反射層240以及第二導電層250。Referring to FIGS. 6A and 6B , the
第二基底200為透明基底。第一抗反射層220位於第二基底200之上。第一導電層230位於第一抗反射層220之上。在本實施例中,第一導電層230包括掃描線231、閘極232、第一共用訊號線233、電容電極234以及輔助電極235。掃描線231與第一共用訊號線233沿著第一方向D1延伸,且掃描線231分離於第一共用訊號線233。閘極232連接掃描線231,且電容電極234連接第一共用訊號線233。The
在本實施例中,掃描線231、閘極232、第一共用訊號線233、電容電極234以及輔助電極235皆重疊於第一抗反射層220,但本發明不以此為限。在其他實施例中,掃描線231、閘極232、第一共用訊號線233、電容電極234以及輔助電極235部分重疊於第一抗反射層220。In this embodiment, the
絕緣結構210位於第二基底200之上。絕緣結構210為多層結構,在圖6B的實施例中,絕緣結構210包括第一絕緣層212以及第二絕緣層214。第一絕緣層212覆蓋第一導電層230以及第一抗反射層220。第二絕緣層214位於第一絕緣層212之上。The
第二抗反射層240與半導體通道層CH位於第一絕緣層212之上。在本實施例中,半導體通道層CH與第二抗反射層240彼此分離。半導體通道層CH重疊於第一導電層230的閘極232。The
在本實施例中,半導體通道層CH與第二抗反射層240屬於相同膜層。舉例來說,半導體通道層CH與第二抗反射層240是藉由同一次的沉積製程沉積在第一絕緣層212之上。在一些實施例中,半導體通道層CH與第二抗反射層240包括相同的半導體材料。在一些實施例中,半導體通道層CH與第二抗反射層240具有不同的結晶度、不同的載子濃度或不同的導電率,但本發明不以此為限。在其他實施例中,半導體通道層CH與第二抗反射層240包括相同的材料性質。In this embodiment, the semiconductor channel layer CH and the
第二導電層250位於第一絕緣層212上。第一導電層230相較於第二導電層250更靠近第二基底200,且第二導電層250相較於第一導電層230更靠近液晶層。在本實施例中,第二導電層250包括資料線251、源極252、汲極253以及第二共用訊號線254。資料線251與第二共用訊號線254沿著第二方向D2延伸,且資料線251分離於第二共用訊號線254以及汲極253。源極252連接資料線251。半導體通道層CH電性連接汲極253與源極252。在本實施例中,閘極232、半導體通道層CH、汲極253與源極252組成一個薄膜電晶體TFT。薄膜電晶體TFT電性連接至掃描線231以及資料線251。The second
第二共用訊號線254透過導電孔TH1而電性連接至輔助電極235。輔助電極235可以降低第二共用訊號線254的電阻-電容負載(RC loading)。導電孔TH1例如設置於第一絕緣層212中。The second
在本實施例中,資料線251、源極252、汲極253以及第二共用訊號線254部分重疊於第二抗反射層240。在本實施例中,在第一導電層230與第二導電層250重疊的區域中未設置第二抗反射層240。In this embodiment, the
第二絕緣層214位於第二導電層250上。畫素電極PE設置於第二絕緣層214上,並透過導電孔TH2而電性連接至汲極253。導電孔TH2例如設置於第二絕緣層214中。The second
基於上述,第一抗反射層220與第二抗反射層240被配置成減少外界照向主動元件基板20b的光線的反射,藉此減少環境光對顯示畫面造成的影響。Based on the above, the first
圖7是依照本發明的一實施例的一種主動元件基板的剖面示意圖。在此必須說明的是,圖7的實施例沿用圖6A和圖6B的實施例的元件標號與部分內容,其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例,在此不贅述。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of an active device substrate according to an embodiment of the present invention. It must be noted here that the embodiment of FIG. 7 follows the component numbers and part of the content of the embodiment of FIG. 6A and FIG. 6B , where the same or similar numbers are used to represent the same or similar elements, and references with the same technical content are omitted. instruction. For descriptions of omitted parts, reference may be made to the foregoing embodiments and will not be described again here.
圖7的主動元件基板20c與圖6B的主動元件基板20b的差異在於:圖7的主動元件基板20c的第二抗反射層240a與半導體通道層CH連成一體。The difference between the
請參考圖7,半導體通道層CH重疊於第一導電層250的閘極231且電性連接第二導電層250的汲極253與第二導電層250的源極252。Referring to FIG. 7 , the semiconductor channel layer CH overlaps the
在本實施例中,半導體通道層CH與第二抗反射層240a屬於相同膜層。舉例來說,半導體通道層CH與第二抗反射層240a是藉由同一次的沉積製程沉積在第一絕緣層212之上。半導體通道層CH與第二抗反射層240a連成一體。在一些實施例中,半導體通道層CH與第二抗反射層240a包括相同的半導體材料。在一些實施例中,半導體通道層CH與第二抗反射層240a具有不同的結晶度、不同的載子濃度或不同的導電率,但本發明不以此為限。在其他實施例中,半導體通道層CH與第二抗反射層240包括相同的材料性質。In this embodiment, the semiconductor channel layer CH and the
基於上述,第一抗反射層220與第二抗反射層240a被配置成減少外界照向主動元件基板20c的光線的反射,藉此減少環境光對顯示畫面造成的影響。Based on the above, the first
1, 2, 3, 4, 5:顯示裝置 10, 10a, 10b, 10c:黑矩陣基板 20, 20a, 20b, 20c:主動元件基板 30:液晶層 40:背光模組 100:第一基底 110, 110a:介電結構 120, 120a, 120b, 120c:圖案化結構 121:凹槽 121b:凸起 122, 132, 142:通孔 130:反射層 131:反射微結構 140, 140a, 140b, 140c:保護層 150:黑矩陣 152:開口 160:色彩轉換元件 200:第二基底 210:絕緣結構 212:第一絕緣層 214:第二絕緣層 220:第一抗反射層 230:第一導電層 231:掃描線 232:閘極 233:第一共用訊號線 234:電容電極 235:輔助電極 240, 240a:第二抗反射層 250:第二導電層 251:資料線 252:源極 253:汲極 254:第二共用訊號線 400:光源結構 410:反射式偏光增亮膜 CH:半導體通道層 D1:第一方向 D2:第二方向 L:光線 PV1, PV1a:第一緩衝層 PV2, PV2a:第二緩衝層 PL1:第一偏光結構 PL2:第二偏光結構 PE:畫素電極 T:厚度 TH1, TH2:導電孔 TFT:薄膜電晶體 W:寬度 1, 2, 3, 4, 5: Display device 10, 10a, 10b, 10c: black matrix substrate 20, 20a, 20b, 20c: Active component substrate 30: Liquid crystal layer 40:Backlight module 100:First base 110, 110a: Dielectric structure 120, 120a, 120b, 120c: Patterned structure 121: Groove 121b: bulge 122, 132, 142:Through hole 130: Reflective layer 131: Reflective microstructure 140, 140a, 140b, 140c: protective layer 150:Black Matrix 152:Open your mouth 160: Color conversion component 200:Second base 210:Insulation structure 212: First insulation layer 214: Second insulation layer 220: First anti-reflective layer 230: First conductive layer 231:Scan line 232: Gate 233: First shared signal line 234: Capacitive electrode 235: Auxiliary electrode 240, 240a: Second anti-reflective layer 250: Second conductive layer 251:Data line 252:Source 253:Jiji 254: Second common signal line 400:Light source structure 410: Reflective polarizing brightening film CH: semiconductor channel layer D1: first direction D2: second direction L:Light PV1, PV1a: first buffer layer PV2, PV2a: second buffer layer PL1: first polarizing structure PL2: Second polarizing structure PE: pixel electrode T:Thickness TH1, TH2: Conductive holes TFT: thin film transistor W: Width
圖1是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。 圖2是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。 圖3是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。 圖4是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。 圖5是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。 圖6A是依照本發明的一實施例的一種主動元件基板的上視示意圖。 圖6B是沿著圖6A的線a-a’的剖面示意圖。 圖7是依照本發明的一實施例的一種主動元件基板的剖面示意圖。 FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a display device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a display device according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a display device according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a display device according to an embodiment of the present invention. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a display device according to an embodiment of the present invention. FIG. 6A is a schematic top view of an active device substrate according to an embodiment of the present invention. Fig. 6B is a schematic cross-sectional view along line a-a' of Fig. 6A. FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of an active device substrate according to an embodiment of the present invention.
1:顯示裝置 1:Display device
10:黑矩陣基板 10: Black matrix substrate
20:主動元件基板 20:Active component substrate
30:液晶層 30: Liquid crystal layer
40:背光模組 40:Backlight module
100:第一基底 100:First base
110:介電結構 110:Dielectric structure
120:圖案化結構 120:Patterned structure
121:凹槽 121: Groove
122,132,142:通孔 122,132,142:Through hole
130:反射層 130: Reflective layer
131:反射微結構 131: Reflective microstructure
140:保護層 140:Protective layer
150:黑矩陣 150:Black Matrix
152:開口 152:Open your mouth
160:色彩轉換元件 160: Color conversion component
200:第二基底 200:Second base
210:絕緣結構 210:Insulation structure
220:第一抗反射層 220: First anti-reflective layer
230:第一導電層 230: First conductive layer
240:第二抗反射層 240: Second anti-reflective layer
250:第二導電層 250: Second conductive layer
400:光源結構 400:Light source structure
410:反射式偏光增亮膜 410: Reflective polarizing brightening film
L:光線 L:Light
PV1:第一緩衝層 PV1: first buffer layer
PV2:第二緩衝層 PV2: second buffer layer
PL1:第一偏光結構 PL1: first polarizing structure
PL2:第二偏光結構 PL2: Second polarizing structure
T:厚度 T:Thickness
W:寬度 W: Width
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