TW202324592A - 用於靜電卡盤氣體輸送的多孔塞 - Google Patents

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Abstract

本文提供了用於基板支撐件中的氣體輸送的多孔塞及結合該多孔塞的基板支撐件和基板處理腔室。在一些實施例中，用於一基板支撐件的多孔塞包括：一多孔中心通路；及一實心外殼，該實心外殼接合至且圍繞該多孔中心通路，使得該多孔中心通路及該實心外殼之間沿著該多孔塞的一整體長度沒有連續的間隙，其中該實心外殼包括設置於該實心外殼的末端上的密封表面，以便於沿著該密封表面且圍繞該多孔中心通路形成一密封。在一些實施例中，可繞著該實心外殼的外表面形成一個或更多個O形環保持溝槽。

Description

用於靜電卡盤氣體輸送的多孔塞
本揭示案的實施例一般係關於基板處理設備，且更具體地係關於在基板處理設備中具有氣體輸送的基板支撐件。
在半導體工業中，藉由許多製造處製程來製造元件，製造製程例如蝕刻和沉積，從而產生尺寸不斷減小的結構。在具有基板支撐件(例如靜電卡盤)的處理腔室中在基板上執行蝕刻和沉積處理。發明人已觀察到，隨著高功率靜電卡盤上的電壓增加，靜電卡盤的部件(例如氣體輸送部件)變得更容易受到電弧的影響。
因此，發明人提供了可顯著減低電弧的改善的多孔塞。
本文提供了用於基板支撐件中的氣體輸送的多孔塞及結合該多孔塞的基板支撐件和基板處理腔室。在一些實施例中，用於基板支撐件的多孔塞包括：一多孔中心通路；及一實心外殼，該實心外殼接合至且圍繞該多孔中心通路，使得該多孔中心通路及該實心外殼之間沿著該多孔塞的一整體長度沒有連續的間隙，其中該實心外殼包括設置於該實心外殼的末端上的密封表面，以便於沿著該密封表面且圍繞該多孔中心通路形成一密封。在一些實施例中，可繞著該實心外殼的外表面形成一個或更多個O形環保持溝槽。
在一些實施例中，提供基板支撐件且包括：複數個層，該複數個層包括由一絕緣體板分開的一第一電極及一第二電極；一背側氣體通道，穿過該複數個層形成該背側氣體通道，其中該背側氣體通道包括至少在該絕緣體板中形成的一塞開口；一多孔塞，該多孔塞設置於該塞開口中，該多孔塞具有與該背側氣體通道對齊的多孔中心通路，以便於一背側氣體流過，及一實心外殼，該實心外殼接合至且圍繞該多孔中心通路，使得該多孔中心通路及該實心外殼之間沿著該多孔塞的一整體長度沒有連續的間隙，其中該實心外殼包括設置於該實心外殼的末端上的密封表面，以便於沿著該密封表面且圍繞該多孔中心通路形成一密封；及一O形環，該O形環設置於該等密封表面及該複數個層的相鄰於該塞開口的層之間。
在一些實施例中，該基板支撐件中的該多孔塞為一第一多孔塞且該基板支撐件進一步包括：一第二多孔塞，該第二多孔塞設置於一第二塞開口中，該第二多孔塞與該第一多孔塞對齊且包括與該背側氣體通道對齊的一多孔中心通路，以便於一背側氣體流過，且一實心外殼接合至且圍繞該多孔中心通路，使得該多孔中心通路及該實心外殼之間沿著該第二多孔塞的一整體長度沒有連續的間隙，其中該實心外殼包括設置於該實心外殼的末端上的密封表面，以便於沿著該密封表面且圍繞該多孔中心通路形成一密封；及一O形環，該O形環設置於該第一及該第二多孔塞的該等密封表面之間。在一些實施例中，該基板支撐件可為靜電卡盤。
在一些實施例中，提供處理腔室且包括：一腔室主體及一蓋，該腔室主體及該蓋封閉一內部容積；一基板支撐件，該基板支撐件設置於該內部容積中；及如本文揭露的實施例之任一項中所述之一多孔塞。
以下描述本揭示案的其他及進一步的實施例。
本揭示案的實施例一般係關於多孔塞及此類多孔塞在基板支撐件中的使用，其適用以防止或限制在處理腔室中使用期間的不期望的電弧。發明人已觀察到多孔塞特別適用於在高電漿功率範圍中進行處理。例如，發明人已觀察到，隨著高功率靜電卡盤上的電壓增加，系統的某些部分變得更容易受到電弧的影響。據此，發明人提供了改善的用於基板支撐件的多孔塞，其有利地允許背側氣體輸送到高壓靜電卡盤，而沒有沿著從高電壓到接地的路徑的任何電弧或電漿點亮，從而能夠施加更高的電壓到靜電卡盤而無故障。
圖1是根據本揭示案的至少一些實施例的具有設置在基板支撐件中的多孔塞的半導體處理腔室100的一個實施例的剖視圖。處理腔室100包括封閉內部容積106的腔室主體102和蓋104。圖1中描述的處理腔室100是說明性的，並不意味著限制本揭示案，因為本文描述的多孔塞可用於具有其他配置的許多不同的基板支撐件及/或處理腔室，其中基板支撐件中的電弧是問題。
腔室主體102通常由鋁、不銹鋼、或其他合適的材料製成。腔室主體102一般包括至少部分地限定處理腔室100的內部容積106的腔室壁(例如，側壁108)和底部110。基板存取端口(未展示)一般限定在側壁108中且由狹縫閥選擇性地密封，以便於基板144從處理腔室100進出。
一個或更多個襯墊可設置在腔室主體102的內部容積106中。例如，外襯墊116可定位抵靠或在腔室主體102的側壁108上。外襯墊116可由氧化鋁及/或塗有耐電漿或含鹵素氣體的材料製造，例如氧化釔、氧化釔合金、或其氧化物，例如Y 2O 3。
可在處理腔室100中形成窗部112，例如，以便於經由光學發射光譜(OES)或需要觀察處理腔室100的內部容積106的其他技術來進行處理監測和控制。例如，可穿過側壁108和襯墊(例如，外襯墊116)形成窗部112。可在靠近窗部112的側壁108和外襯墊116之間設置雜散電漿防止設備以防止電漿在其間點亮。
排氣端口126限定在腔室主體102中，並將內部容積106耦合到泵系統128。泵系統128一般包括一個或更多個泵和節流閥，用於排空和調節處理腔室100的內部容積106的壓力。在一個實施例中，泵系統128維持內部容積106內部的壓力。
蓋104密封地支撐在腔室主體102的側壁108上。可開啟蓋104以允許存取處理腔室100的內部容積106。可選地，蓋104可包括便於光學處理監測的窗部142。在一個實施例中，窗部142包括石英或其他合適的材料以准許光學監測系統140使用的信號的透射。
氣體面板158耦合到處理腔室100以向內部容積106提供處理及/或清潔氣體。處理氣體的範例可包括含鹵素氣體，例如C 2F 6、SF 6、SiCl 4、HBr、NF 3、CF 4、Cl 2、CHF 3、CF 4和SiF 4等，及其他氣體，例如O 2或N 2O。載體氣體的範例包括N 2、He、Ar、其他對製程呈惰性的氣體和非反應性氣體。在蓋104中提供入口端口132’和可選的132”以允許氣體從氣體面板158經由氣體分配組件130輸送到處理腔室100的內部容積106。
氣體分配組件130耦合到蓋104的內部表面114。氣體分配組件130具有氣體分配板194。氣體分配組件130具有限定在蓋104和氣體分配板194之間的氣室127。氣體分配板194可耦合到或具有導電基底板196。導電基底板196可用作RF電極。氣體分配板194可為具有複數個孔134的平盤，在氣體分配板194的面向基板144的下表面中形成孔134。氣體分配板194也可具有對應於窗部142的部分138。部分138可由與窗部142類似的材料製造以便於光學處理監測。孔134允許氣體以預定的分配跨處理腔室100中正處理的基板144的表面從入口端口132(展示為132’、132”)流經氣室127並離開孔134進入處理腔室100的內部容積106。
基板支撐組件148設置在氣體分配組件130下方的處理腔室100的內部容積106中。基板支撐組件148在處理期間固持基板144。邊緣沉積環146的尺寸被設計成在其上接收基板144，同時保護基板支撐組件148免受電漿和沉積材料的影響。內襯墊118可塗覆在基板支撐組件148的周邊上。內襯墊118可為與用於外襯墊116的材料實質類似的耐含鹵素氣體的材料。在一個實施例中，內襯墊118可由與外襯墊116相同的材料製造。
在一個實施例中，基板支撐組件148包括安裝板162、基底164和靜電卡盤166。安裝板162耦合到腔室主體102的底部110，包括用於將設施(例如流體、電源線和感測器引線等)引到基底164和靜電卡盤166的通路。
在一些實施例中，基底164或靜電卡盤166之其中至少一者可包括至少一個可選的嵌入式加熱器176和複數個導管170以控制基板支撐組件148的橫向溫度剖面。導管170流體耦合到流體源172，流體源172使溫度調節流體在其中循環。加熱器176由功率源178調節。導管170和加熱器176用於控制基底164的溫度，從而加熱及/或冷卻靜電卡盤166。
靜電卡盤166包括使用夾持功率源182控制的至少一個夾鉗電極180。在一些實施例中，電極180可進一步經由匹配電路188耦合到一個或更多個RF功率源184以維持由處理腔室100內的處理及/或其他氣體形成的電漿。RF功率源184一般能夠產生具有從約50 kHz至約3 GHz的頻率及高達約10,000瓦特的功率的RF信號。進入內部容積106的氣體可由RF電極賦能，以維持處理腔室100的內部容積106中的電漿。雖然描述為具有耦合到靜電卡盤166的一個或更多個RF源，一個或更多個RF源可替代地或額外地耦合到導電基底板196或設置在蓋104中或附近的一些其他電極。
基板支撐組件148進一步包括延伸穿過基板支撐組件148至靜電卡盤166的支撐表面的一個或更多個通道，以提供來自背側氣體源174的背側氣體(例如氦等)到基板144的背側和靜電卡盤166的支撐表面之間的區域。一個或更多個通道在基板支撐組件148的各個層之間延伸，包括具有不同電位的層。發明人已觀察到，在基板支撐件內具有不同位能的兩個電極之間可能發生電弧，例如在通電電極和接地電極之間。
雖然上述的基板支撐組件148具有說明性配置，可將本文所述的多孔塞更一般地提供於沿著背側氣體通道的一個或更多個位置中，以最小化或防止背側氣體通道中的電弧。多孔塞有利地便於背側氣體(例如，氦)輸送到高電壓基板支撐件(例如，靜電卡盤)，同時沿著從高電壓到接地的路徑具有減低的或沒有電弧或電漿點亮，因此有利地能夠施加更高的電壓到基板支撐件而無故障。
例如，圖2是根據本揭示案的至少一些實施例的具有多孔塞200的基板支撐件202的部分示意性側視圖。基板支撐件202可用作上方相對於圖1所描述的基板支撐組件148。基板支撐件202一般包括複數個層的堆疊，例如接地板204(例如，第一電極)、設置在接地板204的頂部的絕緣體板206，設置在絕緣體板206的頂部的導電基底板208 (例如，第二電極)，及設置在絕緣體板206的頂部的介電層212(例如，靜電卡盤)。介電層212可經由接合層210接合到絕緣體板206。介電層212包括設置於其中的一個或更多個電極216，例如網狀電極，以便於在處理腔室內處理期間在基板支撐件202上靜電保持基板214(例如，半導體晶圓等)。
可穿過基板支撐件202的各個層形成一個或更多個背側氣體導管，以便於提供背側氣體(例如，來自相對於圖1所討論的背側氣體源174)到基板214的背側及介電層212的支撐表面之間的區域。例如，如圖2中所描繪，背側氣體導管由以下來形成：穿過接地板204形成的通道218、穿過絕緣體板206形成的塞開口232以接收多孔塞200，及穿過基底板208、接合層210、和介電層212形成的通道220。如圖2中的箭頭所指示，可穿過基板支撐202提供背側氣體到介電層212的支撐表面。雖然描繪為垂直穿過基板支撐件202的各個層形成，背側氣體導管可替代地或組合地具有橫向延伸穿過基板支撐件的一個或更多個層的區段及/或可從單個輸入分支到多個輸出。
多孔塞200設置在背側氣體導管內，例如在穿過絕緣體板206形成的塞開口232內。多孔塞一般具有與塞開口232相同的形狀。塞開口232和多孔塞200一般可為任何形狀，且在一些實施例中是圓柱形以便於製造且最小化尖角。
多孔塞200包括多孔中心通路222和實心或無孔外殼(實心外殼224)。多孔中心通路222接合到實心外殼224，使得其間沿著多孔塞200的整體長度(例如，從頂部到底部)沒有連續的間隙。
多孔中心通路222可由合適的材料製成，例如陶瓷，例如氧化鋁。多孔中心通路222可具有範圍從約5 μm至約500 μm的孔尺寸。然而，可根據需求針對特定應用來使用更小或更大的孔尺寸。例如，在比目前使用的電壓更高的電壓應用中，甚至更小的孔尺寸可能是有用的。多孔中心通路222一般可為任何形狀，且在一些實施例中是圓柱形的。在一些實施例中，多孔中心通路222具有約1/16”至約3/4”的直徑。
實心外殼224可由合適的材料製成，例如陶瓷，例如氧化鋁。實心外殼224一般可為任何形狀，且在一些實施例中是圓柱形的。在一些實施例中，實心外殼224具有約1/4”至約1”的外直徑。
多孔塞200的寬度被設計成使得在多孔塞200的外表面和塞開口232的壁之間限定小的間隙226。在一些實施例中，跨間隙226的距離為約1至約30密耳(0.001至約0.030英寸)。雖然多孔塞200或塞開口232中存在公差，間隙226有利地便於多孔塞200***塞開口232內。由於不同的熱膨脹係數，間隙226進一步有利地便於不同部件在加熱和冷卻循環期間的移動，從而最小化部件中發生的任何應力或穿過基板支撐件202的不同層的背側氣體流動路徑的對準不良。
實心外殼224進一步包括位於實心外殼224兩個末端上的密封表面228，以便於與圍繞多孔中心通路222的O形環或其他墊圈(例如，圖2中描繪的O形環230)形成密封。在一些實施例中，實心外殼224的末端上的密封表面228具有16微英寸或更小的表面粗糙度Ra。密封表面228的寬度可足以在安裝時與提供抵靠表面的O形環或其他墊圈材料形成密封。在一些實施例中，密封表面228具有約3/32”至約1/4”的寬度。墊圈或O形環可為適用於靜電卡盤應用的任何彈性體材料。
發明人已觀察到，沒有實心外殼224的多孔塞可能會在多孔材料和絕緣體板之間的低壓介面處失效，因為由於機械原因(例如，如上述的公差和熱運動)通常必須有間隙。藉由將多孔中心通路222接合到實心外殼224，本文揭露的多孔塞有利地允許在多孔材料和圍繞多孔材料的實心絕緣體材料之間的低壓介面處存在零間隙。
因此，沿著實心外殼224的末端提供密封有利地便於將低壓背側氣體導管(例如，流經多孔中心通路222)與間隙226分開，間隙226可保持在較高壓力下，例如大氣或接近大氣。將間隙226保持在較高壓力下使得電弧和電漿點亮的可能性降低，且進一步將可由來自氣體導管的任何電弧事件形成並可能到達基板214或處理腔室的內部容積的任何微粒分開。例如，任何電弧將被迫在大氣壓力下行進(例如，繞著實心外殼224)而不是在低壓下(例如，穿過多孔中心通路222)。
可基於基板支撐件202的各個層的熱膨脹和墊圈或O形環壓縮來決定實心外殼224(和多孔中心通路222)的高度。例如，可選擇高度以不超過O形環230的最大壓縮，同時當基板支撐件202由於加熱而膨脹時保持密封。在一些實施例中，實心外殼224的高度可為約1/2”至約5”。所選擇的高度將取決於基板支撐件和多孔塞的配置。在一些實施例中，多個多孔塞可堆疊在同一開口內。
例如，如圖2中所描繪，在絕緣體板206中形成的塞開口232中提供單個多孔塞200。O形環230設置在下密封表面228和接地板204之間，且O形環230設置在上密封表面228和基底板208之間。
然而，如圖3中所描繪，提供了類似於多孔塞200的多孔塞300，除了一起提供第一塞302與第二塞304。第一塞302和第二塞304類似於多孔塞200，除了第一塞設置於在絕緣體板206中形成的塞開口232中且第二塞304設置於在基底板208中形成的塞開口332中。第一塞302類似於上面討論的多孔塞200。第二塞304也類似於上面討論的多孔塞200，具有多孔中心通路322、實心外殼324、和密封表面328。第二塞304的尺寸被設計成具有類似於上面討論的間隙226的間隙326。在第一塞302和第二塞304之間提供額外的O形環230以保持低壓區域(多孔中心通路222和多孔中心通路322)和較高壓區域(間隙226和間隙326)之間的密封。
替代地，如圖4中所描繪，提供類似於多孔塞200的多孔塞400，除了多孔塞400的長度是尺寸被設計成配合在塞開口232、332內的單個塞。多孔塞400類似於上面討論的多孔塞200，具有多孔中心通路422、實心外殼424、和密封表面428。多孔塞400的尺寸被設計成具有類似於上面討論的間隙226、326的間隙426。
在一些實施例中，可繞著多孔塞的外側壁提供一個或更多個額外的墊圈或O形環。多孔塞側面上的附加的一個或更多個O形環便於多孔塞在塞開口內的間隔和對齊，以有利地維持更同心的配合及多孔塞周圍的均勻間隙。額外的一個或更多個O形環也可有利地便於將多孔塞保持在位。額外的一個或更多個O形環也可有利地便於進一步阻擋沿著間隙的視線以進一步限制或防止間隙中的電弧或電漿點亮。
例如，圖5A至5D分別描繪了根據本揭示案的至少一些實施例的具有帶側O形環的多孔塞500的靜電卡盤的部分示意性側視圖。多孔塞500可為上述多孔塞200、300、400之任一者。多孔塞設置於在絕緣體板206或基底板208之其中一者或更多者中形成的塞開口中。如圖5A中所描繪，在一些實施例中，在間隙502(例如，間隙226、326、及/或426)內繞著多孔塞500提供一個或更多個O形環504(圖5A中展示兩個)。在一些實施例中，且如圖5A中所展示，可僅繞著多孔塞500的外表面放置O形環(例如，繞著實心外殼224、324、及/或424)。在一些實施例中，如圖5B中所描繪，可繞著多孔塞500的外表面周圍形成保持溝槽506(例如，繞著實心外殼224、324、及/或424)，以便於將O形環固持在所需位置。在一些實施例中，如圖5C中所描繪，可沿著塞開口(例如，塞開口232及/或332)的內表面形成保持溝槽508，以便於將O形環固持在所需位置。在一些實施例中，如圖5B中所描繪，可繞著多孔塞500的外表面(例如，繞著實心外殼224、324、及/或424)形成保持溝槽506，以便於將O形環固持在所需位置。在一些實施例中，如圖5D中所描繪，可同時提供保持溝槽506和508以便於將O形環固持在所需位置。
靜電卡盤(例如，介電層212)也可使用本設計或使用現有設計而具有分開的多孔塞，以進一步限制或防止由於基板214和基底板208之間或電極216和基底板208之間的電壓差引起的電弧。
雖然前述針對本揭示案的實施例，在不脫離本揭示案的基本範圍的情況下，可設計本揭示案的其他和進一步的實施例。
100:處理腔室 102:腔室主體 104:蓋 106:內部容積 108:側壁 110:底部 112:窗部 114:內部表面 116:外襯墊 118:內襯墊 126:排氣端口 127:氣室 128:泵系統 130:氣體分配組件 132:入口端口 132’:入口端口 132”:入口端口 134:孔 138:部分 140:光學監測系統 142:窗部 144:基板 146:邊緣沉積環 148:基板支撐組件 158:氣體面板 162:安裝板 164:基底 166:靜電卡盤 170:導管 172:流體源 174:背側氣體源 176:加熱器 178:功率源 180:電極 182:夾持功率源 184:RF功率源 188:匹配電路 194:氣體分配板 196:導電基底板 200:多孔塞 202:基板支撐件 204:接地板 206:絕緣體板 208:基底板 210:接合層 212:介電層 214:基板 216:電極 218:通道 220:通道 222:多孔中心通路 224:實心外殼 226:間隙 228:密封表面 230:O形環 232:塞開口 300:多孔塞 302:第一塞 304:第二塞 322:多孔中心通路 324:實心外殼 326:間隙 328:密封表面 332:塞開口 400:多孔塞 422:多孔中心通路 424:實心外殼 426:間隙 428:密封表面 500:多孔塞 502:間隙 504:O形環 506:保持溝槽 508:保持溝槽
可藉由參考附圖中描繪的本揭示案的說明性實施例來理解上文簡要總結和下文更詳細討論的本揭示案的實施例。然而，附圖僅圖示了本揭示案的典型實施例且因此不應被視為限制範圍，因為本揭示案可承認其他等效的實施例。
圖1是根據本揭示案的至少一些實施例的具有電漿防止設備的半導體處理腔室的剖視圖。
圖2是根據本揭示案的至少一些實施例的具有多孔塞的靜電卡盤的部分示意性側視圖。
圖3是根據本揭示案的至少一些實施例的具有多孔塞的靜電卡盤的部分示意性側視圖。
圖4是根據本揭示案的至少一些實施例的具有多孔塞的靜電卡盤的部分示意性側視圖。
圖5A至5D分別描繪了根據本揭示案的至少一些實施例的具有多孔塞的靜電卡盤的部分示意性側視圖。
為了便於理解，在可能的情況下，使用相同的元件符號來標示圖式共有的相同元件。圖式不是按比例繪製的且可能為了清楚起見被簡化。一個實施例的元件和特徵可有益地併入其他實施例中而無需進一步敘述。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:處理腔室
102:腔室主體
104:蓋
106:內部容積
108:側壁
110:底部
112:窗部
114:內部表面
116:外襯墊
118:內襯墊
126:排氣端口
127:氣室
128:泵系統
130:氣體分配組件
132:入口端口
132’:入口端口
132”:入口端口
134:孔
138:部分
140:光學監測系統
142:窗部
144:基板
146:邊緣沉積環
148:基板支撐組件
158:氣體面板
162:安裝板
164:基底
166:靜電卡盤
170:導管
172:流體源
174:背側氣體源
176:加熱器
178:功率源
180:電極
182:夾持功率源
184:RF功率源
188:匹配電路
194:氣體分配板
196:導電基底板

Claims (20)

  1. 一種用於一基板支撐件的多孔塞，包括： 一多孔中心通路；及 一實心外殼，該實心外殼接合至且圍繞該多孔中心通路，使得該多孔中心通路及該實心外殼之間沿著該多孔塞的一整體長度沒有連續的間隙，其中該實心外殼包括設置於該實心外殼的末端上的密封表面，以便於沿著該密封表面且圍繞該多孔中心通路形成一密封。
  2. 如請求項1所述之多孔塞，其中該等密封表面具有16微英寸或更小的一表面粗糙度Ra。
  3. 如請求項1所述之多孔塞，其中該多孔中心通路由一陶瓷材料製成。
  4. 如請求項3所述之多孔塞，其中該實心外殼由一陶瓷材料製成。
  5. 如請求項1所述之多孔塞，其中該實心外殼由一陶瓷材料製成。
  6. 如請求項1至5之任一項所述之多孔塞，其中以下至少一者： 該多孔中心通路具有約1/16”至約3/4”的一直徑； 該實心外殼具有約1/4”至約1”的一外直徑；或 該等密封表面具有約3/32”至約1/4”的一寬度。
  7. 如請求項1至5之任一項所述之多孔塞，進一步包括繞著該實心外殼的一外表面形成的一個或更多個O形環保持溝槽。
  8. 如請求項1至5之任一項所述之多孔塞，其中該多孔塞的一高度為約1/2”至約5”。
  9. 一種基板支撐件，包括： 複數個層，該複數個層包括由一絕緣體板分開的一第一電極及一第二電極； 一背側氣體通道，穿過該複數個層形成該背側氣體通道，其中該背側氣體通道包括至少在該絕緣體板中形成的一塞開口； 如請求項1至5之任一項中所述之一多孔塞，該多孔塞設置於該基板支撐件的該塞開口中，其中該多孔中心通路與該背側氣體通道對齊，以便於一背側氣體流過；及 一O形環，該O形環設置於該等密封表面與該複數個層的相鄰於該塞開口的層之間。
  10. 如請求項9所述之基板支撐件，進一步包括一間隙，在該塞開口的面對表面及該實心外殼之間限定該間隙，其中跨該間隙測量的一距離為約0.001至約0.030英寸。
  11. 如請求項9所述之基板支撐件，其中該複數個層進一步包括一靜電卡盤，該靜電卡盤包括接合至該第二電極的一介電層且具有設置於該介電層內的一個或更多個電極。
  12. 如請求項9所述之基板支撐件，其中該多孔塞為一第一多孔塞且進一步包括： 一第二多孔塞，該第二多孔塞設置於一第二塞開口中，該第二多孔塞與該第一多孔塞對齊且包括與該背側氣體通道對齊的一多孔中心通路，以便於一背側氣體流過，且一實心外殼接合至且圍繞該多孔中心通路，使得該多孔中心通路及該實心外殼之間沿著該第二多孔塞的一整體長度沒有連續的間隙，其中該實心外殼包括設置於該實心外殼的末端上的密封表面，以便於沿著該密封表面且圍繞該多孔中心通路形成一密封；及 一O形環，該O形環設置於該第一及該第二多孔塞的該等密封表面之間。
  13. 如請求項12所述之基板支撐件，其中設置該第二塞開口穿過該第二電極。
  14. 如請求項9所述之基板支撐件，其中設置該塞開口穿過該絕緣體板及該第二電極。
  15. 如請求項9所述之基板支撐件，進一步包括： 一個或更多個O形環保持溝槽，在該實心外殼的一外表面或該塞開口的側壁之其中一者或更多者中形成該一個或更多個O形環保持溝槽；及 一O形環，該O形環設置於該一個或更多個O形環保持溝槽之每一者中。
  16. 如請求項9所述之基板支撐件，其中以下至少一者： 該多孔中心通路具有約1/16”至約3/4”的一直徑； 該實心外殼具有約1/4”至約1”的一外直徑；或 該等密封表面具有約3/32”至約1/4”的一寬度。
  17. 如請求項9所述之基板支撐件，其中該多孔塞的一高度為約1/2”至約5”。
  18. 一種處理腔室，包括： 一腔室主體及一蓋，該腔室主體及該蓋封閉一內部容積； 一基板支撐件，該基板支撐件設置於該內部容積中，該基板支撐件包括： 複數個層，該複數個層包括由一絕緣體板分開的一第一電極及一第二電極；及 一背側氣體通道，穿過該複數個層形成該背側氣體通道，其中該背側氣體通道包括至少在該絕緣體板中形成的一塞開口； 如請求項1至5之任一項中所述之一多孔塞，該多孔塞設置於該基板支撐件的該塞開口中，其中該多孔中心通路與該背側氣體通道對齊，以便於一背側氣體流過；及 一O形環，該O形環設置於該等密封表面與該複數個層中相鄰於該塞開口的層之間。
  19. 如請求項18所述之處理腔室，其中該多孔塞為一第一多孔塞且進一步包括： 一第二多孔塞，該第二多孔塞設置於一第二塞開口中，該第二多孔塞與該第一多孔塞對齊且包括與該背側氣體通道對齊的一多孔中心通路，以便於一背側氣體流過，且一實心外殼接合至且圍繞該多孔中心通路，使得該多孔中心通路及該實心外殼之間沿著該第二多孔塞的一整體長度沒有連續的間隙，其中該實心外殼包括設置於該實心外殼的末端上的密封表面，以便於沿著該密封表面且圍繞該多孔中心通路形成一密封；及 一O形環，該O形環設置於該第一及該第二多孔塞的該等密封表面之間。
  20. 如請求項19所述之處理腔室，進一步包括： 一個或更多個O形環保持溝槽，在該實心外殼的一外表面或該塞開口的側壁之其中一者或更多者中形成該一個或更多個O形環保持溝槽；及 一O形環，該O形環設置於該一個或更多個O形環保持溝槽之每一者中。
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