TW202324528A - 被加工物之磨削方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供一種可不使晶片的生產性降低，而且抑制磨削裝置的佔有區域的增加之被加工物之磨削方法。 [解決手段]相較於對包含第1材料之第1層進行磨削時的磨削輪的旋轉速度(第1旋轉速度)，將對包含比第1材料更難以磨削之難磨削材即第2材料之第2層進行磨削時的磨削輪的旋轉速度(第2旋轉速度)設得較低速。藉此，變得可在不使其產生不良狀況的情形下，磨削第2層。又，在像這樣地磨削第2層的情況下，毋須利用磨削力較高之磨削輪、或將被加工物的磨削速度設得較慢。藉此，變得可不使晶片的生產性降低，而且抑制磨削裝置的佔有區域的增加。

Description

被加工物之磨削方法
本發明是有關於一種將被加工物磨削至達到預定的成品厚度為止之被加工物之磨削方法。
IC(積體電路，Integrated Circuit)或LSI(大型積體電路，Large Scale Integration)等之半導體器件的晶片，在行動電話以及個人電腦等的各種電子機器中是不可或缺的構成要素。這樣的晶片可藉由例如將於正面形成有多數個器件之晶圓等的被加工物按一個個的包含器件之區域來分割而製造。
此外，此被加工物為了將所得到的晶片薄化或使器件的構成要素即金屬電極露出，大多會在其分割前被磨削。像這樣的磨削是藉由例如以下之作法來進行：一邊使呈環狀地形成有複數個磨削磨石之磨削輪旋轉，一邊使複數個磨削磨石接觸於已被工作夾台保持之被加工物(參照例如專利文獻1)。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2009-90389號公報
發明欲解決之課題
在可供磨削之被加工物中包含各種材料。例如，在被加工物包含由矽(Si)所形成之晶圓(矽晶圓)的情況下，有時會在此晶圓的一面形成有氧化矽(SiO 2)膜。又，在被加工物中，也有將器件的構成要素即金屬電極以埋沒在矽晶圓的方式來設置之情形。
並且，磨削的難易度會因被磨削之材料的種類而改變。例如，當磨削氧化矽時，容易產生包含於磨削磨石之磨粒的脫落(磨粒脫落)。因此，氧化矽是比矽更難以磨削之難磨削材。又，因為作為電極而被利用之金屬的硬度比矽更低，所以當磨削金屬電極時，容易大量地產生微細的磨削屑。並且，在此情況下，在磨削磨石的下表面容易產生露出之磨粒的因為磨削屑所造成之被覆(堵塞)。因此，金屬電極也是比矽更難以磨削之難磨削材。
根據此點，被加工物有時會因應於所磨削之材料的種類而一邊變更條件一邊被磨削。例如，在磨削包含難磨削材之層時，會有以下情形：利用磨削力較高之磨削輪(例如，各自所包含的磨粒較大之複數個磨削磨石呈環狀地形成之磨削輪)、或將被加工物的磨削速度(使磨削輪與工作夾台接近之速度)設得較慢。
然而，在為了對包含難磨削材之層進行磨削而利用磨削力較高之磨削輪的情況下，會變得必須更換磨削輪、或利用可併置2種以上的磨削輪之磨削裝置。此時，會有晶片的生產性降低、或是磨削裝置的佔有區域(覆蓋區(footprint))變大之疑慮。同樣地，在為了對包含難磨削材之層進行磨削而將被加工物的磨削速度設得較慢的情況下，也會有晶片的生產性降低之疑慮。
有鑒於這些點，本發明之目的在於提供一種可不使晶片的生產性降低，而且抑制磨削裝置的佔有區域的增加之被加工物之磨削方法。 用以解決課題之手段
根據本發明，可提供一種被加工物之磨削方法，將被加工物磨削至達到預定的成品厚度為止，前述被加工物具有第1層及第2層，前述第1層包含第1材料，前述第2層包含比該第1材料更難以磨削之難磨削材即第2材料且和該第1層積層，前述被加工物之磨削方法具備以下步驟： 第1磨削步驟，一邊使呈環狀地配置排列有複數個磨削磨石之磨削輪以第1旋轉速度旋轉，一邊藉由該複數個磨削磨石來對已被工作夾台保持之該被加工物的該第1層進行磨削；及 第2磨削步驟，一邊使該磨削輪以比該第1旋轉速度更低速之第2旋轉速度旋轉，一邊藉由該複數個磨削磨石對已被該工作夾台保持之該被加工物的該第2層進行磨削。
較佳的是，在本發明中，更具備分開步驟，前述分開步驟是在該第1磨削步驟與該第2磨削步驟之間使該複數個磨削磨石與該被加工物分開。
又，在本發明中，較佳的是，該第1材料是矽，該第2材料是氧化矽，且在實施該第2磨削步驟而去除該第2層之後實施該第1磨削步驟。
此外，較佳的是，在第2磨削步驟中去除包含氧化矽之層(例如氧化矽膜)的情況下，該第2磨削步驟是在已使該磨削輪與該工作夾台以預定的速度相對地移動而使該磨削輪與該工作夾台接近之狀態下，於開始該第2層的磨削之後經過了預定的時間時結束。
或者，較佳的是，在此情況下，該第2磨削步驟是在測定了該被加工物的厚度之狀態下，於該被加工物的厚度已成為預定的厚度時結束。 發明效果
在本發明中，相較於對包含第1材料之第1層進行磨削時的磨削輪的旋轉速度(第1旋轉速度)，將對包含比第1材料更難以磨削之難磨削材即第2材料之第2層進行磨削時的磨削輪的旋轉速度(第2旋轉速度)設得較低速。
在此，在磨削時之磨削輪的旋轉速度為低速的情況下，會因為和被加工物的接觸而使強大的摩擦力作用於複數個磨削磨石的各個，使複數個磨削磨石變得易於被削除。亦即，在此情況下，可促進複數個磨削磨石的各個的自發刃。藉此，變得可在不使其產生不良狀況的情形下，磨削第2層。
又，在像這樣地磨削第2層的情況下，毋須利用磨削力較高之磨削輪、或將被加工物的磨削速度設得較慢。藉此，變得可不使晶片的生產性降低，而且抑制磨削裝置的佔有區域的增加。
用以實施發明之形態
參照附圖，說明本發明的實施形態。圖1是示意地顯示磨削裝置之一例的立體圖。再者，圖1所示之X軸方向(左右方向)以及Y軸方向(前後方向)是在水平面上相互正交之方向，又，Z軸方向(上下方向)是正交於X軸方向以及Y軸方向之方向(鉛直方向)。
圖1所示之磨削裝置2具備支撐或容置各構成要素之基台4。在此基台4的前端部的上表面側形成有開口4a，在此開口4a的內側設置有搬送單元6。此搬送單元6具有例如吸引後述之被加工物11的上表面側的吸引墊。
又，於搬送單元6的左斜前方以及右斜前方各自設置有片匣設置區域8a、8b。並且，在各片匣設置區域8a、8b上配置可容置複數個被加工物之片匣10a、10b。
在此片匣10a可容置例如將在磨削裝置2中磨削之預定的被加工物(磨削前的被加工物)。又，在片匣10b可容置例如已在磨削裝置2中磨削之被加工物(磨削後的被加工物)。
圖2(A)是示意地顯示磨削前的被加工物之一例的立體圖，圖2(B)是示意地顯示磨削前的被加工物之一例的剖面圖。圖2(A)以及圖2(B)所示之被加工物11在正面11a側具有由矽(第1材料)所形成之晶圓(第1層)13。
又，矽晶圓13是藉由設定成格子狀之切割道(分割預定線)15而區劃成複數個區域，且在各區域形成有IC或LSI等器件17。又，在被加工物11的背面11b側，以和矽晶圓13積層的方式，形成有由比矽更難以磨削之難磨削材即氧化矽(第2材料)所形成之薄膜(氧化矽膜)(第2層)19。
此氧化矽膜19是伴隨於在形成器件時施加於被加工物11之處理(例如加熱)等而形成。此外，在被加工物11中，亦可在矽晶圓13的內部埋沒有金屬電極，前述金屬電極是比矽更難以磨削之難磨削材且為器件17的構成要素。
又，在被加工物11的正面11a亦可貼附有用於保護器件17之薄膜狀的膠帶。此膠帶具有例如形成為圓形之薄膜狀的基材、與設置在基材上之黏著層(糊層)。
並且，此基材是由例如聚烯烴、聚氯乙烯或聚對苯二甲酸乙二酯的樹脂所形成。又，此黏著層是由例如環氧系或丙烯酸系的接著劑所形成。或者，此黏著層亦可是會因為照射紫外線而硬化之紫外線硬化性樹脂。
再者，對被加工物11的材質、形狀、構造以及大小等並無限制。例如，被加工物11亦可包含由其他的半導體材料所形成之晶圓、又或是由陶瓷、樹脂或金屬等的材料所形成之基板。同樣地，對器件17的種類、數量、形狀、構造、大小以及配置等亦無限制。
並且，在圖1所示之片匣10a中，是例如以形成有氧化矽膜19之背面11b側朝向上方的方式來容置被加工物11。又，搬送單元6是藉由吸引墊來吸引被加工物11的上表面側(例如背面11b側)，並在被加工物11已被搬送單元6保持之狀態下將被加工物11從片匣10a搬出。
此外，在搬送單元6的左斜後方且可藉由搬送單元6搬送被加工物11之位置設有對位機構12。然後，當將已被搬送單元6從片匣10a搬出之被加工物11搬入對位機構12時，對位機構12會動作，以將被加工物11夾入而配置到預定的位置。
又，在搬送單元6的後方且對位機構12的右側，設有搬送單元14，前述搬送單元14會將已在對位機構12中進行對位之被加工物11搬出。此搬送單元14具有例如吸引被加工物11的上表面側(例如背面11b側)之吸引墊。
然後，當已藉由對位機構12進行對位之被加工物11被搬送單元14的吸引墊吸引而保持於搬送單元14時，搬送單元14會動作，以使吸引墊旋繞而將被加工物11朝後方搬送。
又，於搬送單元14的後方設置有圓盤狀的轉台16。此轉台16已和馬達等的旋轉驅動源(未圖示)連結，前述旋轉驅動源使轉台16以繞著和Z軸方向大致平行的旋轉軸的方式旋轉。
又，在轉台16之上設置有複數個工作夾台18，前述工作夾台18可分別吸引並保持被加工物11的下表面側(例如正面11a側)。再者，在圖1中所顯示的是以下例子：已將3個工作夾台18沿著轉台16的圓周方向呈大致等間隔地配置排列。
此工作夾台18具有和水平面(XY平面)大致平行之圓形的上表面，並在此上表面保持被加工物11。亦即，工作夾台18的上表面會成為保持被加工物11之保持面。
又，轉台16是例如在平面視角下朝順時針方向旋轉，而將各工作夾台18依搬送位置A、第1磨削位置(粗磨削位置)B、第2磨削位置(精磨削位置)C以及搬送位置A之順序來定位。然後，藉由搬送單元14所搬送來之被加工物11會被搬入已定位在搬送位置A之工作夾台18。
此外，工作夾台18的保持面透過形成於工作夾台18的內部之流路(未圖示)以及閥(未圖示)等而連通於噴射器等之吸引源(未圖示)。然後，藉由在已將被加工物11搬入工作夾台18之狀態下使吸引源動作並且開啟閥，可將被加工物11的下表面側(例如正面11a側)吸引於工作夾台18側。藉此，可在工作夾台18的保持面保持被加工物11。
又，工作夾台18連結有馬達等之旋轉驅動源(未圖示)，前述旋轉驅動源使工作夾台18以繞著和Z軸方向大致平行的旋轉軸的方式旋轉。此旋轉驅動源會在藉由後述之磨削輪44a、44b的複數個磨削磨石48(參照圖3)磨削被加工物11時使工作夾台18旋轉。
又，在第1磨削位置B的附近與第2磨削位置C的附近之各磨削位置的附近設置有測定已被工作夾台18保持之被加工物11的厚度之厚度測定器20a、20b。各厚度測定器20a、20b會隨著時間推移而測定被加工物11被磨削時之被加工物11的厚度的改變。
具體而言，各厚度測定器20a、20b具有一對高度規。此一對高度規的其中一個具有在磨削被加工物11時和沒有被後述之磨削輪44a、44b所覆蓋而露出之被加工物11的上表面(例如背面11b)接觸之測定頭。
又，一對高度規的另一個具有在磨削被加工物11時接觸於沒有受到被加工物11以及後述之磨削輪44a、44b所覆蓋而露出之工作夾台18的保持面之測定頭。
因此，在磨削被加工物11時，可藉由一對高度規來各自測定被加工物11的上表面(例如背面11b)的高度與工作夾台18的保持面的高度。並且，各厚度測定器20a、20b將這些高度之差測定為被加工物11的厚度。
又，在第1磨削位置B的後方配置有柱狀的支撐構造22a，在第2磨削位置C的後方配置有柱狀的支撐構造22b。並且，在各支撐構造22a、22b的前表面側(正面側)設置有使移動板28a、28b沿著Z軸方向移動(升降)之移動機構24a、24b。
各移動機構24a、24b具有沿著Z軸方向延伸之一對導軌26。在此一對導軌26的前表面側(正面側)，以可滑動的態樣連結有移動板28a、28b。又，在一對導軌26之間配置有沿著Z軸方向延伸之螺桿軸30。
並且，在螺桿軸30的上端部連結有用於使螺桿軸30旋轉之馬達32。又，在螺桿軸30之形成有牙山的外周面上設置有容置因應於螺桿軸30的旋轉而循環之多數個滾珠的螺帽部(未圖示)，而構成滾珠螺桿。
又，此螺帽是固定於移動板28a、28b的後表面側(背面側)。因此，只要以馬達32使螺桿軸30旋轉，移動板28a、28b即和螺帽部一起沿著Z軸方向移動(升降)。
又，在移動板28a的前表面側(正面側)固定有進行被加工物11的粗磨削之磨削單元34a。另一方面，在移動板28b的前表面側(正面側)固定有進行被加工物11的精磨削之磨削單元34b。
因此，若移動板28a升降，磨削單元34a也會升降，又，若移動板28b升降，磨削單元34b也會升降。各磨削單元34a、34b具有沿著Z軸方向延伸之中空的圓柱狀的殼體36。
在此殼體36的上部設置有馬達38，此馬達38已連結到以可旋轉的態樣容置在殼體36之主軸的基端部(上端部)。又，此主軸是沿著Z軸方向延伸，且其前端部(下端部)從殼體36的下部露出。
圖3是示意地顯示從殼體36的下部露出之磨削單元34a、34b的構成要素的側面圖。於從殼體36的下部露出之主軸40的前端部固定有由金屬等所形成之圓盤狀的安裝座42。
此外，於磨削單元34a的安裝座42的下表面側裝設有粗磨削用之磨削輪44a，於磨削單元34b的安裝座42的下表面側裝設有精磨削用之磨削輪44b。然後，各磨削輪44a、44b藉由從馬達38透過主軸40以及安裝座42所傳達之動力，而繞著和Z軸方向大致平行的旋轉軸旋轉。
又，各磨削輪44a、44b具有外徑和安裝座42的直徑大致相等之圓環狀的輪基台46。此輪基台46是由例如鋁或不鏽鋼等金屬所形成。此外，在輪基台46的下表面側固定有複數個磨削磨石48。
複數個磨削磨石48的各個具有例如長方體形的形狀，且沿著輪基台46的圓周方向呈大致等間隔地配置排列。又，複數個磨削磨石48的各個是藉由將由鑽石或cBN(立方氮化硼，cubic Boron Nitride)等所形成之磨粒，以金屬結合劑、樹脂結合劑或陶瓷結合劑等之結合材來固定而形成。
不過，作為磨削輪44a的磨削磨石48可適用適合於粗磨削之磨削磨石，且作為磨削輪44b的磨削磨石48可適用適合於精磨削之磨削磨石。因此，包含於磨削輪44b的磨削磨石48之磨粒的平均粒徑，比例如包含於磨削輪44a的磨削磨石48之磨粒的平均粒徑更小。
此外，在各磨削單元34a、34b的內部設置有用於供給純水等液體(磨削液)的磨削液供給路(未圖示)。又，在各磨削單元34a、34b的附近，亦可替代磨削液供給路或除了磨削液供給路以外，還設置供給磨削液之噴嘴。
此磨削液是供給至藉由磨削輪44a、44b的複數個磨削磨石48磨削被加工物11時，被加工物11與複數個磨削磨石48之接觸界面(加工點)。藉此，可將被加工物11以及磨削磨石48冷卻，並且將因磨削加工所產生之廢屑(磨削屑)沖洗掉。
並且，在磨削單元34a中，是將各構成要素配置成：使磨削輪44a旋轉時的複數個磨削磨石48的軌跡，和已定位在第1磨削位置B之工作夾台18的保持面的中心重疊。
同樣地，在磨削單元34b中，是將各構成要素配置成：使磨削輪44b旋轉時的複數個磨削磨石48的軌跡，和已定位在第2磨削位置C之工作夾台18的保持面的中心重疊。
又，在和搬送單元14在X軸方向上相鄰之位置設置有搬送單元50，前述搬送單元50將已定位在搬送位置A之工作夾台18之上所配置之被加工物11搬出。此搬送單元50具備例如吸引被加工物11的上表面側(例如背面11b側)之吸引墊。
並且，當磨削完畢之被加工物11被搬送單元50的吸引墊吸引而保持在搬送單元50時，搬送單元50會動作，以使吸引墊旋繞而將被加工物11朝前方搬送。
又，在搬送單元50的右斜前方且可藉由搬送單元50搬送被加工物11之位置上，設置有洗淨被加工物11之洗淨單元52。並且，當藉由搬送單元50將磨削完畢之被加工物11搬入洗淨單元52時，洗淨單元52會動作，以將被加工物11洗淨。
圖4是示意地顯示在磨削裝置2中，將被加工物11磨削至達到預定的成品厚度為止的被加工物之磨削方法之一例的流程圖。在此方法中，首先是使背面11b為朝向上方之狀態的被加工物11保持在已定位在搬送位置A之工作夾台18(保持步驟：S1)。
接著，使轉台16旋轉，以將工作夾台18定位到第1磨削位置B(第1旋轉步驟：S2)。接著，一邊使粗磨削用的磨削輪44a旋轉，一邊藉由複數個磨削磨石48對已被工作夾台18保持之被加工物11進行磨削(粗磨削步驟：S3)。
圖5是示意地顯示粗磨削步驟(S3)的具體例的流程圖，圖6(A)、圖6(B)以及圖6(C)的各圖是示意地顯示粗磨削步驟(S3)之情形的局部剖面側視圖。
在此粗磨削步驟(S3)中，首先是一邊使粗磨削用的磨削輪44a低速旋轉，一邊藉由複數個磨削磨石48對已被工作夾台18保持之被加工物11的氧化矽膜19進行磨削(第1磨削步驟：S31)。
具體而言，是使馬達38動作，以讓磨削輪44a和主軸40以及安裝座42一起以700(rpm)以上且小於1500(rpm)之旋轉速度(第2旋轉速度)來旋轉。又，使連結於工作夾台18之旋轉驅動源動作，以使工作夾台18以100(rpm)以上且小於300(rpm)之旋轉速度來旋轉。
然後，在使磨削輪44a以及工作夾台18之雙方保持旋轉的狀態下，移動機構24a使移動板28a以及磨削單元34a以預定的速度下降，以使磨削輪44a與工作夾台18接近。
藉此，複數個磨削磨石48會接觸於被加工物11的氧化矽膜19，而磨削氧化矽膜19(參照圖6(A))。再者，第1磨削步驟(S31)會繼續到氧化矽膜19被去除為止。
例如，第1磨削步驟(S31)是於開始氧化矽膜19的磨削之後經過了預定的時間(具體而言，是藉由將氧化矽膜19的厚度除以磨削單元34a的下降速度而得到之時間以上的時間)時結束。
或者，第1磨削步驟(S31)亦可在藉由厚度測定器20a測定出被加工物11的厚度之狀態下，被加工物11的厚度已成為預定的厚度(具體而言，是藉由從被加工物11的原本的厚度減去氧化矽膜19的厚度而得到之厚度以下的厚度)時結束。
接著，使複數個磨削磨石48與被加工物11分開(分開步驟：S32)。具體來說，是在已使磨削輪44a以及工作夾台18之雙方保持旋轉的狀態下，移動機構24a使移動板28a以及磨削單元34a上升，以使複數個磨削磨石48與被加工物11分開(參照圖6(B))。
接著，一邊使粗磨削用的磨削輪44a高速旋轉，一邊藉由複數個磨削磨石48對已被工作夾台18保持之被加工物11的矽晶圓13進行磨削(第2磨削步驟：S33)。
具體而言，是使馬達38動作，以讓磨削輪44a和主軸40以及安裝座42一起以1500(rpm)以上且小於6000(rpm)之旋轉速度(第1旋轉速度)來旋轉。
然後，在使磨削輪44a以及工作夾台18之雙方保持旋轉的狀態下，移動機構24a使移動板28a以及磨削單元34a以預定的速度(例如和第1磨削步驟(S31)中的移動板28a以及磨削單元34a的下降速度相等之速度)下降，以使磨削輪44a與工作夾台18接近。
藉此，複數個磨削磨石48接觸於被加工物11的矽晶圓13，而磨削矽晶圓13(參照圖6(C))。再者，第2磨削步驟(S33)亦可於開始矽晶圓13之磨削之後經過了預定的時間時結束，亦可在被加工物11的厚度已成為預定的厚度時結束。
接著，使馬達38及連結於工作夾台18之旋轉驅動源的動作停止，以使磨削輪44a以及工作夾台18之雙方的旋轉停止。又，移動機構24a使移動板28a以及磨削單元34a上升，以使複數個磨削磨石48與被加工物11分開。
接著，使轉台16旋轉，以將工作夾台18定位到第2磨削位置C(第2旋轉步驟：S4)。接著，一邊使精磨削用的磨削輪44b旋轉，一邊藉由複數個磨削磨石48對已被工作夾台18保持之被加工物11進行磨削(精磨削步驟：S5)。
具體而言，是使馬達38動作，以讓磨削輪44b和主軸40以及安裝座42一起以預定的旋轉速度旋轉。又，使連結於工作夾台18之旋轉驅動源動作，以使工作夾台18以預定的旋轉速度旋轉。
然後，在使磨削輪44b以及工作夾台18之雙方保持旋轉的狀態下，移動機構24b使移動板28b以及磨削單元34b以預定的速度下降，以使磨削輪44b與工作夾台18接近。
藉此，複數個磨削磨石48接觸於被加工物11的矽晶圓13，而磨削矽晶圓13。又，精磨削步驟(S5)會繼續進行到藉由厚度測定器20b所測定之被加工物11的厚度達到預定的成品厚度為止。藉由以上，圖4所示之被加工物之磨削方法即完成。
在上述之粗磨削步驟(S3)中，是相較於磨削由矽所形成之晶圓(矽晶圓)13時之磨削輪44a的旋轉速度，將磨削由比矽更難以磨削之難磨削材即氧化矽所形成之薄膜(氧化矽膜)19時之磨削輪44a的旋轉速度設得較低速。
在此，在磨削時之磨削輪44a的旋轉速度為低速的情況下，會因為和被加工物11的接觸而使強大的摩擦力作用於複數個磨削磨石48的各個，使複數個磨削磨石48變得易於被削除。亦即，在此情況下，可促進複數個磨削磨石48的各個的自發刃。藉此，變得可以在不使其產生不良狀況的情況下，磨削氧化矽膜19。
又，在像這樣磨削氧化矽膜19的情況下，毋須利用磨削力較高之磨削輪、或將被加工物11的磨削速度(磨削輪44a的下降速度)設得較慢。藉此，變得可不使藉由分割被加工物11而製造之晶片的生產性降低，而且抑制磨削裝置2的佔有區域的增加。
再者，上述之被加工物之磨削方法是本發明的一個態樣，本發明並不限定於上述之被加工物之磨削方法。例如，本發明的磨削方法亦可為了在被加工物11的背面11b使金屬電極露出而實施，前述金屬電極是比矽更難以磨削之難磨削材且為器件17的構成要素。
此時，在粗磨削步驟(S3)中，首先是一邊使磨削輪44a高速旋轉，一邊藉由複數個磨削磨石48將被加工物11的背面11b側磨削至到達金屬電極的附近。然後，一邊使磨削輪44a低速旋轉，一邊進一步將被加工物11的背面11b側磨削至包含金屬電極之層的一部分受到磨削為止。
在此粗磨削步驟(S3)中，是變得可如上述地對包含比矽更難以磨削之難磨削材即金屬電極之層進行磨削。又，如上述，變得可不使藉由分割被加工物11而製造之晶片的生產性降低，而且抑制磨削裝置2的佔有區域的增加。
又，在本發明的磨削方法中，亦可省略精磨削步驟(S5)。亦即，在本發明的磨削方法中，亦可在第2磨削步驟(S33)中，將被加工物11磨削至預定的成品厚度。
又，在本發明的磨削方法中，亦可省略分開步驟(S32)。亦即，在本發明的磨削方法中，亦可在複數個磨削磨石48與被加工物11仍接觸之狀態下變更磨削輪44a的旋轉速度。
又，在本發明的磨削方法中，亦可一邊使保持被加工物11之工作夾台18上升一邊實施被加工物11之磨削。亦即，在磨削裝置2中，只要設置有可使磨削輪44a、44b與工作夾台18相對地移動之構造即可，對此構造並無限制。
另外，上述之實施形態之構造及方法等，只要在不脫離本發明的目的之範圍內，皆可以合宜變更來實施。
2:磨削裝置 4:基台 4a:開口 6,14,50:搬送單元 8a,8b:片匣設置區域 10a,10b:片匣 11:被加工物 11a:正面 11b:背面 12:對位機構 13:由矽所形成之晶圓(矽晶圓) 15:切割道(分割預定線) 16:轉台 17:器件 18:工作夾台 18a:保持面 19:由氧化矽所形成之薄膜(氧化矽膜) 20a,20b:厚度測定器 22a,22b:支撐構造 24a,24b:移動機構 26:導軌 28a,28b:移動板 30:螺桿軸 32:馬達 34a,34b:磨削單元 36:殼體 38:馬達(旋轉驅動源) 40:主軸 42:安裝座 44a,44b:磨削輪 46:輪基台 48:磨削磨石 52:洗淨單元 A:搬送位置 B:第1磨削位置(粗磨削位置) C:第2磨削位置(精磨削位置) S1:保持步驟 S2:第1旋轉步驟 S3:粗磨削步驟 S4:第2旋轉步驟 S5:精磨削步驟 S31:第1磨削步驟 S32:分開步驟 S33:第2磨削步驟 X,Y,Z:方向
圖1是示意地顯示磨削裝置之一例的立體圖。 圖2(A)是示意地顯示磨削前的被加工物之一例的立體圖，圖2(B)是示意地顯示磨削前的被加工物之一例的剖面圖。 圖3是示意地顯示磨削單元的構成要素的一部分的側面圖。 圖4是示意地顯示將被加工物磨削至達到預定的成品厚度為止的被加工物之磨削方法之一例的流程圖。 圖5是示意地顯示粗磨削步驟的具體例的流程圖。 圖6(A)、圖6(B)以及圖6(C)的各圖是示意地顯示粗磨削步驟之情形的局部剖面側視圖。
S31:第1磨削步驟
S32:分開步驟
S33:第2磨削步驟

Claims (5)

  1. 一種被加工物之磨削方法，將被加工物磨削至達到預定的成品厚度為止，前述被加工物具有第1層及第2層，前述第1層包含第1材料，前述第2層包含比該第1材料更難以磨削之難磨削材即第2材料且和該第1層積層，前述被加工物之磨削方法具備以下步驟： 第1磨削步驟，一邊使呈環狀地配置排列有複數個磨削磨石之磨削輪以第1旋轉速度旋轉，一邊藉由該複數個磨削磨石來對已被工作夾台保持之該被加工物的該第1層進行磨削；及 第2磨削步驟，一邊使該磨削輪以比該第1旋轉速度更低速之第2旋轉速度旋轉，一邊藉由該複數個磨削磨石對已被該工作夾台保持之該被加工物的該第2層進行磨削。
  2. 如請求項1之被加工物之磨削方法，其更具備分開步驟，前述分開步驟是在該第1磨削步驟與該第2磨削步驟之間使該複數個磨削磨石與該被加工物分開。
  3. 如請求項1或2之被加工物之磨削方法， 其中該第1材料是矽， 該第2材料是氧化矽， 在實施該第2磨削步驟而去除該第2層之後，實施該第1磨削步驟。
  4. 如請求項3之被加工物之磨削方法，其中該第2磨削步驟是在已使該磨削輪與該工作夾台以預定的速度相對地移動而使該磨削輪與該工作夾台接近之狀態下，於開始該第2層的磨削之後經過了預定的時間時結束。
  5. 如請求項3之被加工物之磨削方法，其中該第2磨削步驟是在測定了該被加工物的厚度之狀態下，該被加工物的厚度已成為預定的厚度時結束。
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